專利名稱：曝光修正方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及曝光修正方法。
技術(shù)背景光刻工藝是集成電路制造工藝中不可或缺的重要技術(shù)。所述光刻工藝通 常包括如下步驟，先在晶圓表面涂布光阻等感光材料，在感光材料干燥后， 通過曝光機將掩膜上的電路設(shè)計圖形以特定光源曝在所述的感光材料上，隨 后，再以顯影劑將感光材料顯影，并利用顯影出來的圖形作為屏蔽，進(jìn)行蝕 刻等工藝，并最終完成掩膜圖形的轉(zhuǎn)移。隨著集成電路制造工藝中器件的尺寸的越來越小，對于光刻工藝的要求 也越來越高。目前， 一般都是通過縮小曝光光源的曝光波長來達(dá)到曝出更小 尺寸圖形的目的。然而，這種僅僅借由縮小曝光波長的方式，通常會出現(xiàn)光 刻分辨率不足的問題。為了增加光刻分辨率，如今的集成電路制造工藝已發(fā) 展出光學(xué)鄰近修正以及相位移掩膜等分辨率增強技術(shù)。最近，還出現(xiàn)了另一 種提高分辨率的技術(shù)一 "兩次曝光技術(shù)"，所述"兩次曝光技術(shù)"是將需要 進(jìn)行曝光的電路圖形分解成兩部分，首先曝光一部分電路圖形，然后將已曝 光圖形移到鄰近地方，再對剩下的一部分電路圖形進(jìn)行曝光。采用這一技術(shù) 能夠提高光刻分辨率。而當(dāng)前在"兩次曝光技術(shù)"中使用的是基于雙極照明的兩次曝光技術(shù)。所述兩次曝光是先把版圖分解成X極和Y極兩套，并寫入 光罩，再分別對它們進(jìn)行曝光。在例如專利申請?zhí)枮?3128638.0的中國專利 申請中還能發(fā)現(xiàn)更多關(guān)于利用雙極照明來得到具有較小特征尺寸的電路圖形 的方法。 并且，目前的工藝是采用既定的規(guī)則(X極和Y極有兩套不同的規(guī)則)， 針對版圖中每條邊進(jìn)行不同的移動，以形成分別對應(yīng)于X 4及和Y極的兩套版 圖，再對兩套版圖進(jìn)行光學(xué)修正后寫入光罩，對同一片晶圓進(jìn)行兩次曝光， 曝光后圖形在晶圓上疊加從而得到實際的器件圖形的。然而，對于版圖中的一些非水平方向(X極方向)或非垂直方向(Y極方向)的圖形，即非正交 圖形，例如角度為45度的圖形，無論哪套規(guī)則都很難準(zhǔn)確地將其分解移動， 因而經(jīng)過曝光后，這種非正交圖形最終經(jīng)曝光后在晶圓上形成的器件圖形會 與原版形存在誤差，從而影響光刻工藝的精度。發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明提供一種曝光修正的方法，解決現(xiàn)有技術(shù)曝光后實際的器件圖形 與原版形存在誤差，影響光刻精度的問題。為解決上述問題，本發(fā)明提供一種曝光修正方法，包括下列步驟，對根據(jù)版圖形成的光罩分別進(jìn)行X極曝光和Y極曝光；采集所述光罩的對比度分布；根據(jù)所述對比度分布獲得對比度分組間隔，并以對比度分組間隔將對比 度數(shù)據(jù)分組；設(shè)置對應(yīng)于每一對比度分組的修正值，并分別調(diào)試各分組修正值，使得 各對比度分組所對應(yīng)的版形經(jīng)修正寫入光罩后，在曝光后的對比度達(dá)到 光刻工藝設(shè)計要求?？蛇x的，采集所述對比度的方法包括下列步驟，采集所述光罩的最大光 強和最小光強；并根據(jù)最大光強和最小光強來獲得所述對比度的值?？蛇x的，所述根據(jù)最大光強和最小光強獲得對比度值按下述公式計算 所述對比度=(最大光強-最小光強)/ (最大光強+最小光強)。
可選的，所述獲得對比度分組間隔包括下列步驟，采集符合光刻工藝設(shè)計要求的最小對比度值作為對比度標(biāo)稱值；根據(jù)對比度標(biāo)稱值，計算光罩上 對比度值小于對比度標(biāo)稱值的點所對應(yīng)的版圖中圖形的個數(shù)；采集光罩上對 比度的最大值；根據(jù)所得到的對比度標(biāo)稱值、小于對比度標(biāo)稱值的版圖中圖 形的個數(shù)以及光罩上的對比度的最大值獲得對比度分組間隔。可選的，所述根據(jù)所得到的對比度標(biāo)稱值、小于對比度標(biāo)稱值的版圖中 圖形的個數(shù)以及光罩上的對比度的最大值獲得對比度分組間隔按下述公式計 算獲得所述將對比度分組間隔=(小于對比度標(biāo)稱值的版圖中圖形的個數(shù)/ 版圖中圖形的總數(shù))x對比度標(biāo)稱值x版圖中最大對比度?？蛇x的，所述調(diào)試各分組修正值的方法包括下列步驟，首先改變所需要 調(diào)試的修正值的值，并保持其他修正值為初始值；判斷所述修正值是否能夠 使得應(yīng)用該修正值的版圖達(dá)到對比度的要求，如果不能達(dá)到對比度要求，則 繼續(xù)修改；如果能達(dá)到對比度要求，則將能夠使得應(yīng)用該修正值的版圖達(dá)到 對比度要求的值作為該修正值的定值。可選的，所述使得曝光后對比度達(dá)到光刻工藝設(shè)計要求的各分組修正值 是使得曝光后對比度達(dá)到光刻工藝設(shè)計要求的最小修正值。與現(xiàn)有技術(shù)相比，上述所公開的曝光修正方法具有以下優(yōu)點上述所公 開的曝光修正方法通過采集根據(jù)版圖形成的光罩經(jīng)曝光后的光強分布來得到 對比度分布，并且根據(jù)對比度分布來將對比度分組，再通過對應(yīng)于每一對比 度分組的修正值來對于版圖進(jìn)行修正，這樣就可以對版圖上任一角度的圖形 進(jìn)行修正，進(jìn)而彌補了分別應(yīng)用X極和Y極兩套規(guī)則進(jìn)行修正的局限性，因 而避免了曝光后實際器件圖形與原版形存在誤差，影響光刻精度的問題。


圖l是本發(fā)明曝光修正方法的一種實施方式流程圖2是本發(fā)明曝光修正方法的實施方式中獲得對比度的方法流程圖；圖3是本發(fā)明曝光修正方法的實施方式中獲得對比度分組間隔的方法流 程圖；圖4時本發(fā)明曝光修正方法的實施方式中調(diào)試各分組修正值的方法流程圖。
具體實施方式
本發(fā)明曝光修正方法全面采集了版圖上的光強分布來得到對比度分布， 并且根據(jù)實際的對比度分布來將對比度分組，再通過對應(yīng)于每一對比度分組 的修正值來對版圖進(jìn)行修正，這樣就可以對任何角度的邊進(jìn)行修正，進(jìn)而彌 補了應(yīng)用兩套規(guī)則進(jìn)行修正的局限性，因而避免了曝光后實際器件圖形與原 版形存在誤差，影響光刻精度的問題。參照圖l所示，本發(fā)明曝光修正方法的一種實施方式包括下列步驟，步驟sl,對根據(jù)版圖形成的光罩分別進(jìn)行X極曝光和Y極曝光；步驟s2,采集所述光罩的對比度分布；步驟s3,根據(jù)所述對比度分布獲得對比度分組間隔，并以對比度分組間 隔將對比度數(shù)據(jù)分組；步驟s4，設(shè)置對應(yīng)于每一對比度分組的修正值，并分別調(diào)試各分組修正 值，使得各對比度分組所對應(yīng)的版形經(jīng)修正寫入光罩后，在曝光后的對 比度達(dá)到光刻工藝設(shè)計要求；步驟s5,將所述修正值應(yīng)用于版圖上。其中采集所述對比度的方法參照圖2所示，包括下列步驟，步驟s21,采集所述光罩的最大光強和最小光強； 步驟S22，并根據(jù)最大光強和最小光強來獲得所述對比度的值。所述根據(jù)最大光強和最小光強獲得對比度值按下述公式計算所述對比 度=(最大光強-最小光強)/ (最大光強+最小光強)。其中獲得對比度分組間隔的方法參照圖3所示，包括下列步驟，步驟s31,采集符合光刻工藝設(shè)計要求的最小對比度值作為對比度標(biāo)稱值；步驟s32，根據(jù)對比度標(biāo)稱值，計算光罩上對比度值小于對比度標(biāo)稱值的 點所對應(yīng)的版圖中圖形的個數(shù)；步驟s33,采集光罩上對比度的最大值；步驟s34,根據(jù)所得到的對比度標(biāo)稱值、小于對比度標(biāo)稱值的版圖中圖形 的個數(shù)以及光罩上的對比度的最大值獲得對比度分組間隔。所述根據(jù)所得到的對比度標(biāo)稱值、小于對比度標(biāo)稱值的版圖中圖形的個 數(shù)以及光罩上的對比度的最大值獲得對比度分組間隔按下述公式計算獲得 所述將對比度分組間隔=(小于對比度標(biāo)稱值的版圖中圖形的個數(shù)/版圖中圖 形的總數(shù))x對比度標(biāo)稱值x版圖中最大對比度。其中，所述調(diào)試各分組修正值的方法參照圖4所示，包括下列步驟，步驟s41,改變所需要調(diào)試的修正值的值，并保持其他修正值為初始值；步驟s42;判斷所述修正值是否能夠使得應(yīng)用該修正值的版圖達(dá)到對比度 的要求，如果不能達(dá)到對比度要求，則返回步驟s41;如果能達(dá)到對比度要求， 則執(zhí)行步驟s43;步驟s43,將能夠使得應(yīng)用該修正值的版圖達(dá)到對比度要求的值作為該修 正值的定值。所述使得曝光后對比度達(dá)到光刻工藝設(shè)計要求的各分組修正值是使得曝
光后對比度達(dá)到光刻工藝設(shè)計要求的最小修正值。下面對于上述的曝光修正方法的每一步驟進(jìn)行詳細(xì)說明，以使得所述曝 光修正方法更加清楚。繼續(xù)參照圖l所示，執(zhí)行步驟sl:對根據(jù)版圖形成的光罩分別進(jìn)行X極 曝光和Y極曝光。如前所述，在目前的光刻工藝中，在將版圖寫入光罩之前，通常都會對版圖上的圖形進(jìn)行一系列的修正。而正是由于修正方法的局限性 導(dǎo)致了曝光后圖形與原版形的誤差，影響了光刻工藝的精度。因此，本 實施方式在將版圖寫入光罩之前先不作任何修正，而是直接將版圖寫入光罩。并且，此處采用的曝光方法仍然是兩次曝光技術(shù)，即先采用X極方向的曝光 光源對根據(jù)版圖形成的光罩曝光，再采用Y極方向的曝光光源對根據(jù)版圖形 成的光罩曝光；或者先采用Y極方向的曝光光源對根據(jù)版圖形成的光罩曝光， 再采用X極方向的曝光光源對根據(jù)版圖形成的光罩曝光。繼續(xù)參照圖1所示，執(zhí)行步驟s2:采集所述光罩的對比度分布。在對根 據(jù)版圖形成的光罩兩次曝光之后，就能夠通過Mentor公司的光學(xué)鄰近修正軟 件CALIBRE以及探測設(shè)備，來得到光罩上各個圖形分別經(jīng)X極方向和Y極 方向曝光后的光強，并通過所述光學(xué)鄰近修正工具CALIBRE對所得到的光強 數(shù)據(jù)進(jìn)行處理，來獲得光罩上各個圖形在X極方向和Y極方向的對比度分布。如上所述的，所述對比度按下列公式計算，對比度=(最大光強-最小 光強)/ (最大光強+最小光強)，即所述對比度是通過上述的光學(xué)鄰近修正工 具釆集光罩上各個圖形的最大光強和最小光強而得到的，所述采集光罩上各 個圖形的個數(shù)根據(jù)采集的效率要求和精度要求而定。所述最大光強為所采集 到的光罩上各個圖形的光強最大值，而所述最小光強則是所采集到的光罩上 各個圖形的光強最小值。而所述光強一般可以通過例如對光阻吸收的能量進(jìn) 行分析來獲得。
在采集了光罩上各個圖形的光強之后，將所采集到的最大光強和最小光 強應(yīng)用于所述的對比度公式就能夠得到所述的對比度了 。然后光學(xué)鄰近修正 工具會將所得到的對比度數(shù)據(jù)進(jìn)行統(tǒng)計，來得到光罩上各個圖形分別經(jīng)X極 方向曝光和Y極方向曝光后的對比度分布。繼續(xù)參照圖1所示，執(zhí)行步驟s3:根據(jù)所述對比度分布將對比度數(shù)據(jù)分 組。由上述分析可知，不同的對比度其實代表了光罩上各個圖形分別經(jīng)X極 方向或Y極方向的曝光光源曝光后的不同光強分布，因此如果對版圖上圖形 都僅僅作統(tǒng)一的修正分析，顯然是不準(zhǔn)確的。因此，就需要對于所得到的對 比度數(shù)據(jù)進(jìn)行合理地分組。所述分組間隔不能太寬，因為太寬會導(dǎo)致之后曝 光修正值的不準(zhǔn)確，所述分組間隔也不能太窄，太窄則會增加之后調(diào)試曝光 修正值的時間，降低了效率。如上所述的，所述獲得對比度分組間隔包括下列步驟，采集符合光刻工 藝設(shè)計要求的最小對比度值作為對比度標(biāo)稱值；根據(jù)對比度標(biāo)稱值，計算光 罩上對比度值小于對比度標(biāo)稱值的點所對應(yīng)的版圖中圖形的個數(shù)；釆集光罩 上對比度的最大值；根據(jù)所得到的對比度標(biāo)稱值、小于對比度標(biāo)稱值的版圖 中圖形的個數(shù)以及光罩上的對比度的最大值獲得對比度分組間隔。所述版圖 中最大對比度是光罩上各個圖形經(jīng)X極方向或Y極方向曝光后所采集的最大 對比度。所述根據(jù)所得到的對比度標(biāo)稱值、小于對比度標(biāo)稱值的版圖中圖形的個 數(shù)以及光罩上的對比度的最大值獲得對比度分組間隔按下述公式計算獲得 所述將對比度分組間隔=(小于對比度標(biāo)稱值的版圖中圖形的個數(shù)/版圖中圖 形的總數(shù))x對比度標(biāo)稱值x版圖中最大對比度。下面以一個計算分組間隔的具體例子來使得說明更加清楚。假設(shè)經(jīng)X極 方向分解后的光罩上的圖形的總數(shù)量為264000,而符合光刻工藝設(shè)計要求的
最小對比度值，即對比度標(biāo)稱值為6,最佳對比度值為22。經(jīng)X極方向曝光 后，光罩上圖形對比度值小于6的圖形的數(shù)量為4000,則分組間隔根據(jù)上述 公式即為4000/264000x 6x22 = 2。而由于最大對比度值為22,所以總共分 為11組，即各對比度分組值為0、 2、 4、 6、 8、 10、 12、 14、 16、 18、 20、 22。應(yīng)用同樣的方法，還能得到Y(jié)極方向的對比度分組。繼續(xù)參照圖l所示，執(zhí)行步驟s4:設(shè)置對應(yīng)于每一對比度分組的修正值， 并分別調(diào)試各分組修正值，使得各對比度分組所對應(yīng)的版形經(jīng)修正寫入 光罩后，在曝光后的對比度達(dá)到光刻工藝設(shè)計要求。當(dāng)將對比度分組之后，設(shè)置對應(yīng)于每一對比度分組的修正值，下述的例 子僅為使得所述步驟更加清楚，并非對于所述步驟進(jìn)行限定。例如，參照上述計算分組間隔的例子，設(shè)置對應(yīng)于對比度值為2的分組 的修正值為al,設(shè)置對應(yīng)于對比度值為4的分組的修正值為a2,設(shè)置對應(yīng)于 對比度值為6的分組的修正值為a3。。。。設(shè)置對應(yīng)于對比度值為22的分組的 修正值為all。接著，設(shè)置所有的修正值的初值為0,即先假設(shè)所有對比度分組先不需要 修正。然后，開始分別調(diào)試各修正值，所述調(diào)試各修正值的方法參照圖4所 示,執(zhí)行步驟s41,改變所需要調(diào)試的修正值的值，并保持其他修正值為初始值；執(zhí)行步驟s42;判斷所述修正值是否能夠使得應(yīng)用該修正值的版圖達(dá)到對 比度的要求，如果不能達(dá)到對比度要求，則返回步驟s41;如果能達(dá)到對比度 要求，則執(zhí)行步驟s43;執(zhí)行步驟s43,將能夠使得應(yīng)用該修正值的版圖達(dá)到對比度要求的值作為 該修正值的定值。
例如對于al,首先改變修正值al的值，而保持其他修正值為0，并將al 應(yīng)用到al所在的對比度分組的分組值所對應(yīng)的版圖上的圖形上。之后，采用 光學(xué)鄰近修正工具來得到應(yīng)用al后的版形在寫入光罩，并經(jīng)曝光后的對 比度，若所得的對比度不符合光刻工藝的設(shè)計要求，則繼續(xù)改變al的值，并 且仍然保持其他修正值為0,并同樣采用光學(xué)鄰近修正工具來再次得到對比 度。所述過程反復(fù)進(jìn)行，直到所述版形經(jīng)al的值修正后，在寫入光罩并 經(jīng)曝光后的對比度達(dá)到光刻工藝的設(shè)計要求，則確定al的值。所述光刻工藝 的設(shè)計要求即是al所在的對比度分組的分組值所對應(yīng)的版圖上的圖形的設(shè)計 要求。并且，所確定的al的值是使得對比度達(dá)到光刻工藝的設(shè)計要求的最小 值。此處要說明的是，X極方向和Y極方向上的調(diào)試修正值的過程是分別進(jìn) 行的。并且，由于X才及方向和Y極方向上的調(diào)試^奮正值的方法均如上所述， 這里就不再展開——敘述了 。當(dāng)確定了 al的值之后，與上述方法相同，在11組修正值中僅改變a2的 值，并使剩余的修正值為0,并將a2應(yīng)用到a2所在的對比度分組的分組所對 應(yīng)的版圖上的圖形上。之后，采用光學(xué)鄰近修正工具來得到應(yīng)用a2后的版圖 圖形在寫入光罩，并經(jīng)曝光后的對比度，若所得的對比度不符合光刻工藝的 設(shè)計要求，則繼續(xù)改變a2的值，并仍然保持其他修正值為0,并同樣采用光 學(xué)鄰近修正工具來再次對比度，直到所述版圖經(jīng)a2的值修正后，在寫入光罩 并經(jīng)曝光后的對比度達(dá)到光刻工藝的設(shè)計要求，則確定a2的值。所述光刻工 藝的設(shè)計要求即是a2所在的對比度分組的分組值所對應(yīng)的版圖上的圖形的設(shè) 計要求。并且，所確定的a2的值是使得對比度達(dá)到光刻工藝的設(shè)計要求的最 小值。同樣，X極方向和Y極方向上的調(diào)試修正值的過程是分別進(jìn)行的。依此類推，每確定一個修正值，就調(diào)試下一個修正值，并且在調(diào)試該修 正值時，使其他修正值為0。直至最終所有X才及方向和Y極方向上的修正值 調(diào)試完畢。
繼續(xù)參照圖1所示，執(zhí)行步驟s5:將所述修正值應(yīng)用于版圖上。當(dāng)?shù)玫綄?yīng)于所有對比度分組的修正值之后，將所述修正值應(yīng)用于版圖上，來對所 述版圖進(jìn)行修正。綜上所述，上述所公開的曝光修正方法通過采集根據(jù)版圖形成的光罩經(jīng) 曝光后的光強分布來得到對比度分布，并且才艮據(jù)對比度分布來將對比度分組， 再通過對應(yīng)于每一對比度分組的修正值來對于版圖進(jìn)行修正，這樣就可以對版圖上任一角度的圖形進(jìn)行修正，進(jìn)而彌補了分別應(yīng)用X極和Y極兩套規(guī)則 進(jìn)行修正的局限性，因而避免了曝光后實際器件圖形與原版形存在誤差， 影響光刻精度的問題。雖然本發(fā)明已以較佳實施例披露如上，但本發(fā)明并非限定于此。任何本 領(lǐng)域技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，均可作各種更動與修改， 因此本發(fā)明的保護范圍應(yīng)當(dāng)以權(quán)利要求所限定的范圍為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1. 一種曝光修正方法，其特征在于，包括，對根據(jù)版圖形成的光罩分別進(jìn)行X極曝光和Y極曝光；采集所述光罩的對比度分布；根據(jù)所述對比度分布獲得對比度分組間隔，并以對比度分組間隔將對比度數(shù)據(jù)分組；設(shè)置對應(yīng)于每一對比度分組的修正值，并分別調(diào)試各分組修正值，使得各對比度分組所對應(yīng)的版形經(jīng)修正寫入光罩后，在曝光后的對比度達(dá)到光刻工藝設(shè)計要求。
2. 如權(quán)利要求1所述的曝光修正方法，其特征在于，采集所述對比度的方法 包括下列步驟，采集所述光罩的最大光強和最小光強；并根據(jù)最大光強和最 小光強來獲得所述對比度的值。
3. 如權(quán)利要求2所述的曝光修正方法，其特征在于，所述根據(jù)最大光強和最 小光強獲得對比度值按下述公式計算所述對比度=(最大光強-最小光強) / (最大光強+最小光強)。
4. 如權(quán)利要求1所述的曝光修正方法，其特征在于，所述獲得對比度分組間 隔包括下列步驟，采集符合光刻工藝設(shè)計要求的最小對比度值作為對比度標(biāo) 稱值；根據(jù)對比度標(biāo)稱值，計算光罩上對比度值小于對比度標(biāo)稱值的點所對 應(yīng)的版圖中圖形的個數(shù)；采集光罩上對比度的最大值；根據(jù)所得到的對比度 標(biāo)稱值、小于對比度標(biāo)稱值的版圖中圖形的個數(shù)以及光罩上的對比度的最大 值獲得對比度分組間隔。
5. 如權(quán)利要求4所述的曝光修正方法，其特征在于，所述根據(jù)所得到的對比 度標(biāo)稱值、小于對比度標(biāo)稱值的版圖中圖形的個數(shù)以及光罩上的對比度的最 大值獲得對比度分組間隔按下述公式計算獲得所述將對比度分組間隔=(小于對比度標(biāo)稱值的版圖中圖形的個數(shù)/版圖中圖形的總數(shù))x對比度標(biāo)稱值x 版圖中最大對比度。
6. 如權(quán)利要求1所述的曝光修正方法，其特征在于，所述調(diào)試各分組修正值 的方法包括下列步驟，首先改變所需要調(diào)試的修正值的值，并保持其他修正 值為初始值；判斷所述修正值是否能夠使得應(yīng)用該修正值的版圖達(dá)到對比度的要求，如果不能達(dá)到對比度要求，則繼續(xù)修改；如果能達(dá)到對比度要求，則將能夠使得應(yīng)用該修正值的版圖達(dá)到對比度要求的值作為該修正值的定 值。
7. 如權(quán)利要求6所述的曝光修正方法，其特征在于，所述使得曝光后對比度 達(dá)到光刻工藝設(shè)計要求的各分組修正值是使得曝光后對比度達(dá)到光刻工藝設(shè) 計要求的最小修正值。
8. 如權(quán)利要求1所述的曝光修正方法，其特征在于，還包括將所述修正值應(yīng) 用于版圖上。
全文摘要
一種曝光修正方法，包括對根據(jù)版圖形成的光罩分別進(jìn)行X極曝光和Y極曝光；采集所述光罩的對比度分布；根據(jù)所述對比度分布獲得對比度分組間隔，并以對比度分組間隔將對比度數(shù)據(jù)分組；設(shè)置對應(yīng)于每一對比度分組的修正值，并分別調(diào)試各分組修正值，使得各對比度分組所對應(yīng)的版形經(jīng)修正寫入光罩后，在曝光后的對比度達(dá)到光刻工藝設(shè)計要求，將所述修正值應(yīng)用于版圖上。所述曝光修正方法彌補了現(xiàn)有技術(shù)修正的局限性，因而避免了曝光后實際器件圖形與原版形存在誤差，影響光刻精度的問題。
文檔編號H01L21/02GK101398629SQ200710046798
公開日2009年4月1日 申請日期2007年9月30日 優(yōu)先權(quán)日2007年9月30日
發(fā)明者青 楊 申請人:中芯國際集成電路制造(上海)有限公司