專利名稱：：高分子厚膜電阻組成及其制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明是關(guān)于一種電阻組成及其制作方法，特別是關(guān)于一種高分子厚膜電阻組成及其制作方法。技術(shù)背景隨著通信電子產(chǎn)品高功能化的需求，以及信號(hào)傳輸?shù)母咚俑哳l化，使得被動(dòng)組件與主動(dòng)組件需求大幅增加。為了提高被動(dòng)組件效能，減少被動(dòng)組件數(shù)量，降低電路板面積，利用小型化技術(shù)的優(yōu)點(diǎn)，是將電容、電阻及電感等獨(dú)立式被動(dòng)組件逐漸變成內(nèi)埋式被動(dòng)組件，崁入電路板中，以提高裝置密度并縮小基板面積。信號(hào)傳輸?shù)母咚俑哳l化以及傳輸距離的縮短，相對(duì)的也產(chǎn)生一些亟待改善的問題，如快速發(fā)展的高密度互連技術(shù)(HighDensityInterconnection;HDI)，當(dāng)組件間密度提高，組件與組件間的寄生效應(yīng)日亦明顯，特別在高頻傳輸?shù)膽?yīng)用上，更易造成噪聲與訊號(hào)延遲、電磁干擾(ElectromagneticInterference;EMI)等問題；若改使用埋入式電容電阻，將可降低或減少寄生效應(yīng)，大幅提升產(chǎn)品在高頻高速下作用的表現(xiàn)。同時(shí)也減少焊錫接合(SolderJoint)、穿孔(ThroughHole)、及微孔(Micrvia)數(shù)目，并提升產(chǎn)品的良率。內(nèi)埋式電阻的優(yōu)點(diǎn)在于能縮小基板面積、降低成本、及有效提升組件功能。使用內(nèi)埋式電阻時(shí)，所產(chǎn)生的串聯(lián)電感遠(yuǎn)比獨(dú)立式電阻來的小。而在上升時(shí)間(Risetime)很短的情況下，使用獨(dú)立式電阻所產(chǎn)生的感應(yīng)阻抗隨的提升。使用內(nèi)埋式電阻，由于傳輸距離短，幾乎可以忽略此感應(yīng)阻抗。但當(dāng)傳輸頻率超過100MHz以上時(shí)，電阻所需的數(shù)量遽增。為降低組裝成本，提高效能，減少使用面積并提高可靠度，更是需要以內(nèi)埋式電阻取代表面黏著式(SMT)電阻。其典型性的應(yīng)用有數(shù)字電阻產(chǎn)品的開口接收器、LED電流控制、線路終結(jié)等等。內(nèi)埋式電阻在產(chǎn)品上可分成兩大類，一為薄膜電阻，一為厚膜電阻，前者可使用電解鍍著法(Electroplate)、濺鍍法(Sputter)或化學(xué)汽相沉積(CVD)等方法；后者則是使用傳統(tǒng)網(wǎng)印法為主。常見的厚膜電阻在應(yīng)用上，依基材的選擇與后續(xù)的熱反應(yīng)，可分為高溫?zé)Y(jié)型及低溫烘烤型兩種。高溫?zé)Y(jié)型是指厚膜經(jīng)50090(TC燒結(jié)而成的，適合整合于陶瓷基板中；而另一適合用于PCB內(nèi)埋技術(shù)的厚膜電阻則是屬于低溫烘烤型，再利用網(wǎng)印制程后以12020(TC的熱風(fēng)烘烤或使用UV照射，除使溶劑揮發(fā)的外，涂料中的熱固型樹脂產(chǎn)生交聯(lián)硬化形成所要的圖形，即所謂的高分子厚膜電阻(PolymerThickFilmResistor),簡(jiǎn)稱PTF電阻。PTF電阻主要以高分子樹脂為基礎(chǔ)，填充導(dǎo)電性物質(zhì)，其特色在于可使用一般的厚膜印刷，筆直地將圖形印刷在介電層或是已蝕刻好的銅線路上，且烘烤溫度符合一般的PCB制程，體積小、重量輕且價(jià)格便宜，并有較大的片電阻(SheetResistance)范圍，可從15Q~1MQ;但缺點(diǎn)是變異性(Tolerance)較大，約10~50%不等，為改善此缺點(diǎn)并擴(kuò)大其應(yīng)用性，提高電阻值的范圍與降低誤差變異性(<5%)是重點(diǎn)所在。埋入式被動(dòng)組件技術(shù)的開發(fā)已有多年的時(shí)間，在專利上，大部分的揭露者多以電阻制程方面及關(guān)于低溫共燒多層陶瓷(LTCC)的專利，材料配方僅為部分，電阻材料配方都只是簡(jiǎn)單描述為高分子樹脂(如環(huán)氧樹脂)與導(dǎo)電粉體(如碳黑)的混成物，殊不知其中仍有相當(dāng)多重要配方技術(shù)需厘清，實(shí)非現(xiàn)有的高分子樹脂(如環(huán)氧樹脂)與導(dǎo)電粉體的混合可任意達(dá)成。以目前有關(guān)PTF材料專利而言，自1984年起RCACorp.便有PTF電阻配方的開發(fā)(美國專利US4,479,890)，不過當(dāng)時(shí)并未揭露關(guān)于內(nèi)埋電阻的應(yīng)用。另，AdvancedProductsInc.從1991開始陸續(xù)申請(qǐng)有關(guān)高分子厚膜電阻材料配方的專利(美國專利US5,049,313、US5，200，264)，其提出以苯氧基(phenoxy)和團(tuán)聯(lián)聚異氰酸鹽樹脂(blockedpolyisocyanateresin)系統(tǒng)為其主的樹脂，與導(dǎo)電粉體以適當(dāng)比例混合，并以網(wǎng)版印刷(screen-printing)方法，在低溫且短時(shí)間即可固化成型，其PTF除具有材料儲(chǔ)存性佳、撓曲性佳、抗溶劑性佳及良好接著性，在高溫短時(shí)間放置下更是具有良好的穩(wěn)定性，其主要是針對(duì)材料信賴性進(jìn)行研究，并未針對(duì)阻值及尺寸穩(wěn)定性方面加以討論。而在過去解決厚膜電阻尺寸穩(wěn)定性問題的方法，不外乎一是改變方法，另一是改變材料配方，經(jīng)由Hui-minHuang、Chia-TinChung等人于2000年提出的有關(guān)材料配方的專利(US6,030,553)，就是屬于后者，其強(qiáng)調(diào)以環(huán)狀脂肪族結(jié)構(gòu)的環(huán)氧為主體，并為無溶劑系統(tǒng)，經(jīng)由網(wǎng)印成型后，需先使用UV曝光將該電阻的外部硬化定型，再由加熱方式進(jìn)行交聯(lián)及固化內(nèi)部結(jié)構(gòu)，進(jìn)而得到尺寸穩(wěn)定的厚膜電阻，但因其增加過程繁復(fù)的步驟，會(huì)造成成本的提高。另外長興化工也在2005年提出電阻材料的專利(CN1567485)，其亦強(qiáng)調(diào)為無溶劑系統(tǒng)，完成的厚膜電阻具有良好尺寸穩(wěn)定性及良好流變特性，但阻值穩(wěn)定性仍未臻完善。
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明是揭露一具良好的阻值穩(wěn)定性的預(yù)反應(yīng)型高分子/奈米粉體的混成材料，其中以高分子環(huán)氧樹脂為基礎(chǔ)配方，經(jīng)由添加奈米導(dǎo)體及進(jìn)行預(yù)反應(yīng)過程，改善阻值不穩(wěn)定的狀況，并兼顧PCB制程可行性及材料特性。本發(fā)明的高分子厚膜電阻材料具有高玻璃轉(zhuǎn)移溫度、較小的誤差變異性，以及優(yōu)良的膜厚穩(wěn)定性，可應(yīng)用于埋入式電阻材料的應(yīng)用。所使用的原料包括(a)—環(huán)氧樹脂系統(tǒng)，其包含一高官能基的環(huán)氧樹脂，其官能基大于等于4;(b)—導(dǎo)電粉體(例如碳黑)，含至少一種以上粒徑分布，且其中包含一種奈米粉體；以及(c)高分子分散劑。上述的高分子厚膜電阻組成可由下列步驟制作。首先，混合環(huán)氧樹脂系統(tǒng)及至少一導(dǎo)電粉體，其中該環(huán)氧樹脂系統(tǒng)包含一高官能基的環(huán)氧樹脂，其官能基大于等于4，且將環(huán)氧樹脂系統(tǒng)及導(dǎo)電粉體于100-140'C的溫度加熱30分鐘至5小時(shí)以進(jìn)行預(yù)反應(yīng)。的后加入硬化劑及催化劑后降溫，并加入高分子分散劑，經(jīng)由三滾輪分散后以制得電阻漿料。就制程而言，本發(fā)明揭露前案所未提及但卻相當(dāng)重要的材料配方技術(shù)，即預(yù)加熱反應(yīng)的方式，強(qiáng)調(diào)所制出的厚膜電阻材料具有極佳的電性穩(wěn)定性，更符合PCB制程加工兼容性。采用的手段包括(l)選擇適當(dāng)?shù)沫h(huán)氧樹脂組成，來同時(shí)平衡耐燃性與接著性；(2)環(huán)氧樹脂中填充奈米型及微米型高導(dǎo)電性粉體以調(diào)配其電阻值；以及(3)選擇適當(dāng)?shù)母叻肿有头稚环矫婵筛纳频头肿有头稚⑿缘牡湍蜔嵝?，一方面也可大幅提升未來產(chǎn)品應(yīng)用的可靠性，其原理主要是藉由特殊高分子型分散劑，可輕易地附著于無機(jī)粉體表面，與有機(jī)樹脂間具有優(yōu)良兼容性甚至些許反應(yīng)性，可有效解決低分子型分散劑的缺點(diǎn)，利用預(yù)反應(yīng)的過程，提升其材料的阻值穩(wěn)定性。所得到的電阻漿料，經(jīng)由網(wǎng)板印刷技術(shù)及低溫硬化溫度條件，制得具有高玻璃轉(zhuǎn)移溫度(Tg〉15(TC)、優(yōu)良的阻值穩(wěn)定性及較小的誤差變異性(Tolerance^6%)的電阻材料。詳言的，電阻材料的應(yīng)用己相當(dāng)廣泛，但一般制程仍以高溫?zé)Y(jié)為主，難以應(yīng)用在有機(jī)基板或傳統(tǒng)PCB制程上，而若使用高分子/奈米導(dǎo)體混成材料，藉由高分子樹脂材料與基板的兼容特性，可使用一般基板或PCB制程來完成埋入式電阻的制作。為了使高分子/奈米導(dǎo)體混成材料有良好的特性，包括電性穩(wěn)定性與熱安定性，基本上可由樹脂系統(tǒng)的選擇與網(wǎng)印技術(shù)來決定；其中如低溫硬化、高溫的穩(wěn)定性佳，以及銅層與介電層及基板間有良好的接著性等，必須由樹脂系統(tǒng)的選擇來達(dá)成，而材料所需的導(dǎo)電特性，則必須藉由添加奈米導(dǎo)電粉體來提供，至于電性的穩(wěn)定性則須經(jīng)由特殊預(yù)反應(yīng)制程來達(dá)到，這樣才能制作出同時(shí)兼具樹脂的低溫加工性與阻值穩(wěn)定性融于一體的高分子/奈米導(dǎo)體混成材料。由于埋入式電阻基板的需求主要應(yīng)用于高頻與高速電子產(chǎn)品，對(duì)于熱性質(zhì)及電性質(zhì)的穩(wěn)定性需求逐漸增加，因此所揭露的預(yù)反應(yīng)型高分子/奈米導(dǎo)體混成材料，除了重視阻值的準(zhǔn)確性外，也必須同時(shí)重視其熱性質(zhì)以及電性的穩(wěn)定性問題。因此材料配方比例的調(diào)配，制程條件的掌控，以及網(wǎng)印的技術(shù)，均為本發(fā)明的重點(diǎn)。圖1是顯示本發(fā)明的高分子厚膜電阻組成的制作流程。具體實(shí)施方式本發(fā)明的高分子厚膜電阻組成所包含的原料可選擇如下環(huán)氧樹脂(a)(b)雙酚-A-二縮水甘油醚環(huán)氧樹脂(DiglycidyletherofbisphenolAepoxy)(c)四溴雙酚-A-二縮水甘油醚環(huán)氧樹脂(TetrabromobisphenolAdiglycidyletherepoxy)(d)環(huán)狀脂肪族環(huán)氧樹脂(Cycloaliphaticepoxyresin)。例如二環(huán)戊二烯環(huán)氧樹月旨(dicyclopentadieneepoxyresin)。(e)含萘環(huán)環(huán)氧樹月旨(Naphthaleneepoxyresin)。(f)雙苯基環(huán)氧樹脂(Diphenyleneepoxyresin)。(g)酚醛環(huán)氧樹月旨(PhenolNovolacepoxyresin)(h)鄰甲酚醛環(huán)氧樹月旨(O-cresolNovolacepoxyresin)硬化劑(a)雙胺(diamine):H2N—R1—NH2Rl可為芳香基、脂肪基、環(huán)脂肪基或含silane脂肪基等，例如<formula>formulaseeoriginaldocumentpage10</formula>R2:X，CH2，S02，O，S，C(CH3)2R3~R10:H,CH3，C2H5，C3H7，C(CH3)3,(b)酚樹脂(phenolresin)酚基樹酯(Phenolbasedresin)，例如萘酚基樹酯(Naphtholbasedresin)，例如OH二環(huán)戊二烯樹酯(Dicyclopentadieneresin)4,4，，4"亞乙基三苯酚(4，4'，4"Ethylidenetrisphenol)<formula>formulaseeoriginaldocumentpage11</formula>四苯氧乙烷(Tetraphenylolethane)<formula>formulaseeoriginaldocumentpage11</formula>四二甲酚乙烷(Tetraxylenolethane)<formula>formulaseeoriginaldocumentpage11</formula>四甲酚氧乙烷(Tetracresololethane)<formula>formulaseeoriginaldocumentpage11</formula>催化劑(a)陽離子是觸媒三氟化硼錯(cuò)物，如RNH2'BF3、R2NHBF3、R3NBF3等(b)陰離子是觸媒三級(jí)胺、金屬氫氧化物、單環(huán)氧化物的配位陰離子觸媒，如R3N，TMG，NCH2C-C(NH)-N(CH3)2等(c)咪唑(Imidazole)1-甲基咪唑(1-methylimidazole)1，2-二甲基咪唑(l，2-dimethylimidazole)2-七癸咪唑(2陽heptadecylimidazole)2-乙基-4-甲基咪唑(2-ethyl-4-methylimidazole)分散劑本發(fā)明中所采用的高分子型分散劑，使其與無機(jī)粉體具有良好的接著性及分散性，且又與有機(jī)樹脂間有優(yōu)良的兼容性及分散性?？捎玫母叻肿臃稚┌ㄓ泄簿埘?醯胺、聚酯類等。導(dǎo)電粉體主要為高導(dǎo)電的粉體，例如金屬粉體(如金、銀、銅、鋁、銀鎂合金…等)、金屬氧化物(如氧化銀、氧化鋁…等)、碳黑、石墨等。以下將舉例說明本發(fā)明的技術(shù)所在，其材料含量如表一所示，其中Epoxy1為雙酚-A-二縮水甘油醚(bisphenol-Adiglycidylether)，Epoxy2為四溴雙酚-A-二縮7jC甘油醚(tetrabromodisphenol-Adiglcidylether)，而Epoxy3為環(huán)狀脂肪族環(huán)氧樹脂(cycloaliphaticepoxy)。Epoxy4為多官能基樹脂(Multifunctionalepoxy)，其化學(xué)式如下，且其官能基大于等于4。表一<table>tableseeoriginaldocumentpage12</column></row><table>該環(huán)氧樹脂總共占總固體含量30~80%的重量百分比，該碳黑占總固體粉體5~20%的重量百分比，高分子分散劑占總固體粉體0.5~5%的重量百分比。該硬化劑占總固體粉體3-20%的重量百分比。另外，實(shí)施例1到4中，該銀片占總固體粉體0-60%的重量百分比。表一中實(shí)施例的制造程序如下，惟比較例是不執(zhí)行下列步驟3的預(yù)反應(yīng)制程。1.將環(huán)氧樹脂Epoxyl-4與溶劑置于反應(yīng)瓶中加熱至9095'C使的混合，待冷卻。2.于上述溶液中添加適量高導(dǎo)電性粉體，而后高速攪拌均勻成混成溶液。所添加的高導(dǎo)電性粉體的含量大約占總固體粉體5~65%的重量百分比。3.將上述混成溶液在高溫100140。C進(jìn)行預(yù)反應(yīng)約30分鐘至5小時(shí)，而后降至8(TC，并加入適量硬化劑及催化劑以充分溶解，再降至室溫。4.取適量環(huán)氧樹脂混成溶液，并加入適量分散劑及其它導(dǎo)電粉體(視需要添加)。5.將得到的混合物在以三滾輪分散完全，即可得到分散良好的混成物電阻漿料。6.將上述的混成物電阻漿料藉由網(wǎng)版印刷制程，印制在具有圖案(pattera)的位置上形成電阻。7.制得的電阻經(jīng)電性量測(cè)后，依材料組成份的不同所得到的阻值范圍約為35Q1.5kQ。8.在熱性質(zhì)測(cè)試上，電阻組成的Tg在15019(TC范圍。詳言的，首先在反應(yīng)瓶中加入適量的環(huán)氧樹脂，的后加入適量的溶劑BC(二乙二醇單丁醚，DiethyleneGlycolMonobutylether)及二甲基甲醯胺(Dimethylformamide;DMF)，而后加熱至90。C95。C使環(huán)氧樹脂完全溶解并降溫。將上述溶液中添加適量導(dǎo)電性粉體，而后高速攪拌均勻后，在高溫下進(jìn)行預(yù)反應(yīng)或是不反應(yīng)方式，而后降溫后加入適量硬化劑如雙胺或酚樹脂及催化劑以充分溶解，再降至室溫。取前配制的高分子/導(dǎo)電粉體混成溶液，加入適量的高分子型分散劑(分散劑1)，隨后若導(dǎo)電性不足可再加入適量比例的導(dǎo)電粉體(如碳黑，粒徑10100nm)、銀片(l10mm)或其它添加劑，均勻攪拌并經(jīng)三滾輪分散后，形成聚合物/導(dǎo)電粉體混成漿料，并用鋼絲板網(wǎng)印方法印在固定的圖案上，以加熱烘烤方式去除溶劑，并使的交聯(lián)硬化形成厚膜電阻。本發(fā)明厚膜電阻的制作流程可歸納如圖l所示。該厚膜電阻的測(cè)試結(jié)果列于表二，其中玻璃轉(zhuǎn)移溫度(Tg)是以熱機(jī)械分析儀(ThermalMechanicalAnalyzer;TMA)測(cè)得的。表~<table>tableseeoriginaldocumentpage14</column></row><table>比較例1為未進(jìn)行預(yù)加熱反應(yīng)過程，其中所含成分和實(shí)施例1及實(shí)施例2的比例大致相同，但其網(wǎng)印后的電阻值變異性(Tolerance)就差異很大，因?yàn)轭A(yù)加熱反應(yīng)的過程可促使奈米粉體與環(huán)氧部分結(jié)構(gòu)進(jìn)行反應(yīng)，形成分子量較大且較穩(wěn)定的分子結(jié)構(gòu)。另外實(shí)施例3及實(shí)施例4為添加2種導(dǎo)電粉體的配方(其中碳黑粒徑為10100nm、銀片粒徑為110mm)，都有經(jīng)過預(yù)反應(yīng)過程，其所做出的電阻材料，除阻值較小外，電阻值變異性也較小。由以上的結(jié)果得知，要獲得一個(gè)具高穩(wěn)定阻值的高分子/導(dǎo)電粉體混成材料，其配方中必須包含至少一高官能基的環(huán)氧樹脂、高分子型分散劑、以及至少一具奈米粒徑的導(dǎo)電粉體，如此才能制得一類真正具有應(yīng)用價(jià)值的埋入式電阻材料。本發(fā)明的技術(shù)內(nèi)容和技術(shù)特點(diǎn)已揭示如上，然而所屬領(lǐng)域技術(shù)人員仍可能基于本發(fā)明的教示和揭示內(nèi)容而作出種種不背離本發(fā)明精神的替代和修正。因此，本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)不限于實(shí)施例所揭示的內(nèi)容，而應(yīng)包括各種不背離本發(fā)明的替代和修正，并為上述權(quán)利要求書所涵蓋。權(quán)利要求1.一種高分子厚膜電阻組成，包含一環(huán)氧樹脂系統(tǒng)占總固體含量30～80％的重量百分比，包含一環(huán)氧樹脂，其官能基大于等于4；至少一導(dǎo)電粉體占總固體粉體5-65％的重量百分比，其平均粒徑介于10～100nm；一硬化劑占總固體粉體3-20％的重量百分比；以及一高分子分散劑占總固體粉體0.5～5％的重量百分比；藉由選用該環(huán)氧樹脂系統(tǒng)，使該高分子厚膜電阻組成的玻璃轉(zhuǎn)移溫度至少150℃。2.根據(jù)權(quán)利要求1的高分子厚膜電阻組成，其特征在于該環(huán)氧樹脂包含如下的化學(xué)結(jié)構(gòu)3.根據(jù)權(quán)利要求1的高分子厚膜電阻組成，其特征在于該環(huán)氧樹脂系統(tǒng)另至少包含雙酚A型環(huán)氧樹脂、環(huán)狀脂肪族環(huán)氧樹脂、含萘環(huán)環(huán)氧樹脂、雙苯基環(huán)氧樹脂或酚醛環(huán)氧樹脂。4.根據(jù)權(quán)利要求1的高分子厚膜電阻組成，其特征在于該環(huán)氧樹脂系統(tǒng)另包含雙酚-A-二縮水甘油醚環(huán)氧樹脂、四溴雙酚-A-二縮水甘油醚環(huán)氧樹脂以及環(huán)狀脂肪族環(huán)氧樹脂。5.根據(jù)權(quán)利要求1的高分子厚膜電阻組成，其特征在于該導(dǎo)電粉體包含兩種或兩種以上的粒徑分布。6.根據(jù)權(quán)利要求1的高分子厚膜電阻組成，其特征在于該導(dǎo)電粉體選自銀粉、碳黑及石墨組成的群。7.根據(jù)權(quán)利要求1的高分子厚膜電阻組成，其特征在于該導(dǎo)電粉體是碳黑，該碳黑占總固體粉體5~20%的重量百分比。8.根據(jù)權(quán)利要求7的高分子厚膜電阻組成，其特征在于該導(dǎo)電粉體另包含銀片，且其平均粒徑介于l~10nm。9.根據(jù)權(quán)利要求8的高分子厚膜電阻組成，其特征在于該銀片占總固體粉體0-60%的重量百分比。10.根據(jù)權(quán)利要求1的高分子厚膜電阻組成，其特征在于該高分子分散劑是選自共聚酯-醯胺及聚酯類組成的群。11.根據(jù)權(quán)利要求1的高分子厚膜電阻組成，其特征在于該硬化劑是選自雙胺、酚樹脂及酸無水物組成的群。12.根據(jù)權(quán)利要求1的高分子厚膜電阻組成，其特征在于另外包含一催化劑，該催化劑是選自陽離子是觸媒、陰離子是觸媒及咪唑組成的群。13.—種高分子厚膜電阻組成的制作方法，其特征在于該環(huán)氧樹脂系統(tǒng)所制成的高分子厚膜電阻具有至少15(TC的玻璃轉(zhuǎn)移溫度，包含下列步驟混合一包含一官能基大于等于4的環(huán)氧樹脂的環(huán)氧樹脂系統(tǒng)及至少一導(dǎo)電粉體，；加熱該環(huán)氧樹脂系統(tǒng)及導(dǎo)電粉體以進(jìn)行預(yù)反應(yīng)；降溫後再加入一硬化劑及催化劑混合；以及加入一高分子分散劑以制成電阻槳料。14.根據(jù)權(quán)利要求13的高分子厚膜電阻組成的制作方法，其特征在于該環(huán)氧樹脂系統(tǒng)及導(dǎo)電粉體是于100-140'C的溫度加熱30分鐘至5小時(shí)以進(jìn)行預(yù)反應(yīng)。15.根據(jù)權(quán)利要求13的高分子厚膜電阻組成的制作方法，其特征在于另包含將該電阻漿料利用網(wǎng)版印刷制作厚膜電阻的步驟。16.根據(jù)權(quán)利要求13的高分子厚膜電阻組成的制作方法，其特征在于降溫后是再次添加導(dǎo)電粉體。17.根據(jù)權(quán)利要求13的高分子厚膜電阻組成的制作方法，其特征在于該環(huán)氧樹脂系統(tǒng)包含如下的化學(xué)結(jié)構(gòu)18.根據(jù)權(quán)利要求13的高分子厚膜電阻組成的制作方法，其特征在于該環(huán)氧樹脂系統(tǒng)另至少包含雙酚A型環(huán)氧樹脂、環(huán)狀脂肪族環(huán)氧樹脂、含萘環(huán)環(huán)氧樹脂、雙苯基環(huán)氧樹脂或酚醛環(huán)氧樹脂。19.根據(jù)權(quán)利要求13的高分子厚膜電阻組成的制作方法，其特征在于該導(dǎo)電粉體是選自銀粉、碳黑及石墨組成的群。20.根據(jù)權(quán)利要求13的高分子厚膜電阻組成的制作方法，其特征在于該導(dǎo)電粉體是碳黑，且其平均粒徑介于10~100nm，且該碳黑占總固體粉體5~20%的重量百分比。21.根據(jù)權(quán)利要求20的高分子厚膜電阻組成的制作方法，其特征在于該導(dǎo)電粉體另包含銀片，且其平均粒徑介于l~10pm，且該銀片占總固體粉體0~60%的重量百分比。全文摘要一種高分子厚膜電阻組成包含一環(huán)氧樹脂系統(tǒng)、至少一導(dǎo)電粉體、一高分子分散劑以及一硬化劑。該環(huán)氧樹脂系統(tǒng)包含一多官能基的環(huán)氧樹脂，其官能基大于等于4。該至少一導(dǎo)電粉體是具奈米粒徑，其平均粒徑介于10～100nm。經(jīng)由混合及分散制程，所制作的高分子厚膜電阻材料的電阻變異性可大幅減小，且適合印刷電路板或IC基板的內(nèi)埋式電阻組件的應(yīng)用。文檔編號(hào)H01B1/20GK101226785SQ20071000078公開日2008年7月23日申請(qǐng)日期2007年1月19日優(yōu)先權(quán)日2007年1月19日發(fā)明者余曼君,劉淑芬,金進(jìn)興,陳孟暉申請(qǐng)人:財(cái)團(tuán)法人工業(yè)技術(shù)研究院