專利名稱：具有載子提供層的多重量子井氮化物發(fā)光二極管的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是關(guān)于氮化物多重量子井發(fā)光二極管，特別是關(guān)于一種具有 載子提供層的氮化物多重量子井發(fā)光二極管，借以提供額外的載子，以 及避免/降低發(fā)光層內(nèi)雜質(zhì)的使用。
背景技術(shù)：
為了提高氮化鎵(GaN)系發(fā)光二極管(LED)的亮度，美國(guó)專利 No.5，578,839揭示了一種發(fā)光層(或稱主動(dòng)層)摻雜有n型雜質(zhì)(例如 Si)和/或p型雜質(zhì)(例如Mg或Zn等)的I Ga!-xN ((Kx〈)化合物半 導(dǎo)體所制成的LED結(jié)構(gòu)。此LED結(jié)構(gòu)的發(fā)光層，是夾在n型GaN系化 合物半導(dǎo)體制成的第一包覆層(clad layer)與p型GaN系化合物半導(dǎo)體 制成的第二包覆層中間。該LED結(jié)構(gòu)在亮度上的提升，是由于上述發(fā)光 層內(nèi)所摻雜的雜質(zhì)提高了載子(亦即，電子和電洞)的密度，因此有更 多載子參與重新結(jié)合(recombination)所致。
相比之下，使用多重量子井(multi quantum-well, MQW)技術(shù)的高 亮度LED,通常在其發(fā)光層內(nèi)是采未加摻雜的井層(well layer)。 一般 MQW LED的發(fā)光層是包含有多重井層，井層的厚度是小于半導(dǎo)體材料 中載子的德布洛依(deBroglie)波長(zhǎng)，致使電子和電洞被局限在井層內(nèi)， 而可達(dá)成更佳的重新結(jié)合效率。井層通常是未加摻雜，因?yàn)榫畬觾?nèi)的雜 質(zhì)會(huì)導(dǎo)致非輻射性(non-mdiative)的重新結(jié)合，進(jìn)而造成發(fā)光效率的降 低和過(guò)多熱量的產(chǎn)生。另一方面，在2002年五月電機(jī)工程師協(xié)會(huì)量子電 子學(xué)期刊Gffi五五Jbwma/o/0^加wm五fec的m'cs)第38冊(cè)第5期里，Wu 等人在/"y we"ce o/5V (iop/"g o" C72flra故n'Wcs o//"GaiV-G^ Mw/印/e ^a"m附-恥//祝we Zig/zfZ)/otfe (Si攙雜對(duì)InGaN-GaN多重量子 井發(fā)光二極管之特性方面的影響) 一文中建議，InGaN-GaN MQW LED 的發(fā)光強(qiáng)度和操作電壓，可借由在MQW發(fā)光層的GaN位障層(barrierlayer)內(nèi)加入Si攙雜，而得到顯著的改善。然而，位障層內(nèi)的雜質(zhì)密度 應(yīng)維持在適當(dāng)?shù)奈粶?zhǔn)下，否則該LED之結(jié)晶(crystalline)便會(huì)受到影響。 換言之，在LED之發(fā)光層攙雜雜質(zhì)，確實(shí)有助于提高載子重新結(jié)合 效率，但此種改善是要付出代價(jià)。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明的主要目的，是提供一種氮化物MQWLED結(jié)構(gòu)，借 以免除現(xiàn)有技術(shù)的缺點(diǎn)。
本發(fā)明的一項(xiàng)主要特征，是在所提出的LED結(jié)構(gòu)內(nèi)，于未摻雜的 MQW發(fā)光層的一側(cè)提供載子提供層(carrier supply layer)。此載子提供 層是包含有多重且彼此交替重迭的井層和位障層，這些井層和位障層各 具有5 300A的厚度，而使載子提供層總厚度為1~500 nm。井層和位障 層兩者均是由摻雜有Si或Ge的AlpInqGa,，qN (p， q20， (^p+q^1)化合 物半導(dǎo)體所制成，但是具有不同的組成，且位障層需具有高于井層的能 帶隙(bandgap)。另外，載子提供層的電子濃度為Ixl017 5xl021/Cm3。
載子提供層的設(shè)置具有多項(xiàng)優(yōu)點(diǎn)。首先，額外的電子會(huì)被提供進(jìn) MQW發(fā)光層內(nèi)以與電洞重新結(jié)合，而使本發(fā)明的LED結(jié)構(gòu)達(dá)成較高的 內(nèi)部量子效率(internal quantum efficiency)與較高亮度。此外，由于電 子的移動(dòng)性(mobility)是大于電洞，載子提供層的設(shè)置可使電子減速， 以致電子有較高的機(jī)會(huì)與電洞重新結(jié)合，因而可達(dá)成較高的重新結(jié)合效 率。再者，攙雜進(jìn)載子提供層內(nèi)的Si或Ge可在不摻雜發(fā)光層的情形下 有效地使本發(fā)明的LED結(jié)構(gòu)的操作電壓降低，而又可以使發(fā)光層有更好 的結(jié)晶。
本發(fā)明的另一特征，是在載子提供層與發(fā)光層中間的設(shè)置電洞阻隔 層(hole blocking layer)。此電洞阻隔層是由未摻雜或有Si摻雜的GaN
系材料制成，其具有大于發(fā)光層的能帶隙以避免電洞逃逸進(jìn)載子提供層 內(nèi)、并在該處與電子重新結(jié)合。電洞阻隔層具有5人~0.5啤的厚度。
電洞阻隔層的設(shè)置還具有一些額外的優(yōu)點(diǎn)。舉例而言，實(shí)驗(yàn)證明電 洞阻隔層的存在會(huì)使崩潰電壓(breakdownvoltage)增加，并使本發(fā)明的 LED結(jié)構(gòu)的漏泄電流(leakage current)降低。此外，由于載子提供層成長(zhǎng)后的表面上會(huì)有一些V形的瑕疵形成，電洞阻隔層可彌補(bǔ)這些瑕疵使 后續(xù)成長(zhǎng)的發(fā)光層達(dá)成較佳的結(jié)晶。在本發(fā)明的某些實(shí)施例中，電洞阻
隔層是由In摻雜或In/Si共同摻雜的GaN系材料所制成，以達(dá)成更佳的 平滑化效果。其原因在于當(dāng)加入銦原子時(shí)，可大幅提升載子提供層的表 面平滑性，進(jìn)而有效地避免發(fā)光層的瑕疵和堆棧層錯(cuò)(stacking faults)。
茲結(jié)合所附圖、實(shí)施例的詳細(xì)說(shuō)明以及權(quán)利要求保護(hù)范圍，將上述 以及本發(fā)明的其它目的與優(yōu)點(diǎn)詳述于后。然而，當(dāng)可了解所附圖純是為 解說(shuō)本發(fā)明的精神而設(shè)，不應(yīng)當(dāng)視為本發(fā)明范疇的定義。有關(guān)本發(fā)明范 疇的定義，請(qǐng)參照所附權(quán)利要求。


圖1所示是依據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施例的氮化物MQW LED結(jié)構(gòu)的示 意圖。
圖2所示是依據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施例的氮化物MQW LED結(jié)構(gòu)的示 意圖。
圖3所示是圖1的LED結(jié)構(gòu)在經(jīng)過(guò)芯片程序后的LED裝置的示意圖。
主要組件符號(hào)說(shuō)明
10基板20緩沖層
30第一接觸層40載子提供層
41井層42位障層
50發(fā)光層51井層
52位障層60第二接觸層
70電洞阻隔層80透明導(dǎo)電層
91第一電極92第二電極
具體實(shí)施例方式
圖1所示是依據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施例的氮化物MQW LED結(jié)構(gòu)的示 意圖。請(qǐng)注意到本說(shuō)明書是使用「LED結(jié)構(gòu)」 一詞來(lái)指稱一個(gè)LED的磊 晶結(jié)構(gòu)，另外以「LED裝置」 一詞來(lái)指稱一個(gè)LED結(jié)構(gòu)形成之后，再經(jīng)
過(guò)后續(xù)的芯片程序(chip process)在LED結(jié)構(gòu)上形成電極后所得的半導(dǎo) 體裝置。
如圖1所示，在上述LED結(jié)構(gòu)的底部，基板10通常是以氧化鋁單 晶(藍(lán)寶石)或是具有與LED結(jié)構(gòu)的磊晶層接近的晶格常數(shù)的氧化物單 晶制成。該基板10亦可由SiC (6H畫SiC或4H-SiC)、 Si、 ZnO、 GaAs、 或MgAl204來(lái)制成。通常，上述基板10最常見的材料為藍(lán)寶石或SiC。 在該基板10的上表面，接著形成由AlaGabIni.a_bN (0Sa， b<l， a+b^l) 制成的緩沖層(buffer layer) 20。請(qǐng)注意到，在一些實(shí)施例中，緩沖層 20亦可省略。亦請(qǐng)注意的是，由于在形成本發(fā)明的LED結(jié)構(gòu)的磊晶層中 所應(yīng)用的，多為相關(guān)領(lǐng)域具備一般技藝的人員所熟知的半導(dǎo)體制造方法， 為簡(jiǎn)化起見，本說(shuō)明書中多將這些方法的細(xì)節(jié)予以省略，除非某些特定 的重要制造條件，才予以明白指出。
在上述緩沖層20的上表面，形成以第一導(dǎo)電型GaN系材料制成的 第一接觸層(contactlayer) 30。在本實(shí)施例中，第一接觸層30是以一種 n型GaN系材料制成。在某些他型實(shí)施例中，第一接觸層30也可以一種 p型GaN系材料制成。設(shè)置第一接觸層30的目的，是為了在后續(xù)的芯片 程序中，提供所形成的n型電極所需的奧姆接觸(ohmic contact),以及 為其它后續(xù)成長(zhǎng)的磊晶層提供較佳的成長(zhǎng)條件。
接著，在上述第一接觸層30的上表面，形成載子提供層40。載子提 供層40是由至少兩層井層41和至少兩層位障層42交替堆棧形成。載子 提供層40的總厚度是在1 nm與500 nm之間，而每一井層41和位障層 42的厚度是在5 A與300A之間。這些井層41和位障層42均是由摻雜 有Si或Ge的AlpInqGai-p.qN (p， q^)， O^p+q^l)化合物半導(dǎo)體制成，而 具有在lxlO力cr^與5xl0"/crr^之間的電子濃度。這些井層41和位障層 42是具有獨(dú)立的組成，但位障層42具有較井層41為高的能帶隙(Eg)。 井層41和位障層42均是在60(TC與120(TC之間的成長(zhǎng)溫度下形成，但 位障層42有較高的成長(zhǎng)溫度。
接著，在載子提供層40的上表面，形成本實(shí)施例的MQW發(fā)光層50。 MQW發(fā)光層50是由多數(shù)的井層51和多數(shù)的位障層52交替堆棧形成。井層51和位障層52均是由未加摻雜的AlxInyGai.x.yN (x， y^)， 0Sx+y51) 化合物半導(dǎo)體制成，但各具有獨(dú)立的組成，該位障層52具有較井層51 者為高的能帶隙(Eg)。這些井層51和位障層52也是在60(TC與1200°C 之間的不同成長(zhǎng)溫度下形成，但位障層52有較高的成長(zhǎng)溫度。載子提供 層40的井層41，是具有適當(dāng)?shù)腁lpInqGa!.p-qN (p， q20， (^p+q^l)組成， 而使其能帶隙大于發(fā)光層50的井層51的AlxInyGai.x.yN (x， y20， OSx+yS)。請(qǐng)注意到，本實(shí)施例的發(fā)光層50結(jié)構(gòu)僅屬例示，本發(fā)明的精 神并不限定發(fā)光層50需要一個(gè)特定的MQW結(jié)構(gòu)。
載子提供層40的作用在提供額外電子進(jìn)入MQW發(fā)光層50內(nèi)，以 便與電洞重新結(jié)合，而使本發(fā)明的LED結(jié)構(gòu)達(dá)成較高的內(nèi)部量子效率并 進(jìn)而達(dá)成較高亮度。此外，由于電子的移動(dòng)性已知是大于電洞，載子提 供層40的設(shè)置亦可使電子減速，使其有較高的機(jī)會(huì)與電洞重新結(jié)合，因 而可達(dá)成較高的重新結(jié)合效率。更進(jìn)一步的是，攙雜進(jìn)載子提供層40內(nèi) 的Si或Ge可使本發(fā)明的LED結(jié)構(gòu)，在不摻雜發(fā)光層50的情形下同樣 能有效地降低操作電壓，此外，載子提供層40復(fù)可促使后續(xù)成長(zhǎng)的發(fā)光 層50具有更好的結(jié)晶。
最后，在發(fā)光層50的上表面，以和第一導(dǎo)電型相反的第二導(dǎo)電型 GaN系材料形成第二接觸層60。因此，在本實(shí)施例中，第二接觸層60 是以一種p型GaN系材料制成(以相對(duì)于第一接觸層30的n型GaN系 材料)。在某些其它實(shí)施例中，第二接觸層60也可以n型GaN系材料制 成。設(shè)置第二接觸層60的目的是為了在后續(xù)的芯片程序中，提供后續(xù)形 成的p型電極所需的奧姆接觸。
圖2所示是依據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施例的氮化物MQW LED結(jié)構(gòu)的示 意圖?；旧希緦?shí)施例在結(jié)構(gòu)上是與第一實(shí)施例相類似，唯一不同處 是在于載子提供層40與發(fā)光層50之間設(shè)置有一層電洞阻隔層70。提供 電洞阻隔層70的兩個(gè)最重要的理由是(1)避免發(fā)光層50的電洞逃逸至 載子提供層40并在該處與電子以非發(fā)光方式重新結(jié)合；以及(2)在載子提 供層40成長(zhǎng)之后，使其表面上所形成的V形瑕疵平滑化，而使后續(xù)成長(zhǎng) 的發(fā)光層50可以達(dá)成較佳的結(jié)晶。
電洞阻隔層70是在60(TC與120(TC之間的成長(zhǎng)溫度下，以未加摻雜、 或有Si摻雜、或有In摻雜、或有In/Si共同摻雜的GaN系材料，形成在 載子提供層40的上表面，而具有5A 0.5pm之間的厚度。電洞阻隔層70 的材料在系具有大于發(fā)光層50的能帶隙，以避免電洞逃逸進(jìn)入載子提供 層40內(nèi)。具有In摻雜的目的是進(jìn)一步提升載子提供層40的表面平滑性， 以有效地避免發(fā)光層50的瑕疵和堆棧層錯(cuò)。根據(jù)實(shí)驗(yàn)證明，電洞阻隔層 70的存在尚具有其它額外的優(yōu)點(diǎn)，諸如使本發(fā)明的LED結(jié)構(gòu)的崩潰電壓 (Vb)增加，以及使其漏泄電流(1》降低。
傳統(tǒng)上，圖1和圖2所示的LED結(jié)構(gòu)，接著需經(jīng)過(guò)芯片程序以形成 LED對(duì)外電氣連結(jié)的電極、以及制備該LED以利封裝。圖3所示是圖1 的LED結(jié)構(gòu)在經(jīng)過(guò)該芯片程序后的LED裝置的示意圖。請(qǐng)注意到是， 相同的芯片程序同樣可應(yīng)用至圖2所示的LED結(jié)構(gòu)，但為簡(jiǎn)化起見，下 文是以圖1的LED結(jié)構(gòu)作為范例。
首先，LED結(jié)構(gòu)被適當(dāng)?shù)丶右晕g刻，借以暴露出第一接觸層30的部 份上表面。接著，在第一接觸層30被暴露區(qū)域的上表面，以適當(dāng)?shù)慕饘?材料形成第一電極91。另一方面，在第二接觸層60的上表面，形成一透 明導(dǎo)電層(transparent conductive layer) 80。此透明導(dǎo)電層80可為一金屬 導(dǎo)電層(metallic conductive layer)或透明氧化物層(transparent oxide layer)。該金屬導(dǎo)電層系由下列材料、但不僅限于這些材料所制成Ni/Au 合金、Ni/Pt合金、Ni/Pd合金、Pd/Au合金、Pt/Au合金、Cr/Au合金、 M/Au/Be合金、Ni/Cr/Au合金、Ni/Pt/Au合金、和Ni/Pd/Au合金。另一 方面，透明氧化物層系由下列材料、但不僅限于這些材料所制成ITO、 CTO、 ZnO:Al、 ZnGa204、 Sn02:Sb、 Ga203-:Sn、 AgIn02:Sn、 In203:Zn、 CuA102、 LaCuOS、 NiO、 CuGa02、和SrCu202。接下來(lái)，在透明導(dǎo)電層 80的上表面、或如圖3所示的在透明性導(dǎo)電層80的側(cè)邊，形成第二電極 92。第二電極92系由下列材料、但不僅限于這些材料所制成Ni/Au合 金、Ni/Pt合金、Ni/Pd合金、Ni/Co合金、Pd/Au合金、Pt/Au合金、Ti/Au 合金、Cr/Au合金、Sn/Au合金、Ta/Au合金、TiN、 TiWNx(x^))、和WSiy ,。
借由以上較佳具體實(shí)施例的詳述，是希望能更加清楚描述本本發(fā)明 的特征與精神，而并非以上述所揭露的較佳具體實(shí)施例來(lái)對(duì)本發(fā)明的范 疇加以限制。相反地，其目的是希望能涵蓋各種改變及具相等性的安排 于本發(fā)明所欲申請(qǐng)的權(quán)利要求的范疇內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種氮化物MQW LED結(jié)構(gòu)，至少包含基板；第一接觸層，是位于該基板上方，該第一接觸層是由具有第一導(dǎo)電型的GaN系材料制成；載子提供層，是位于該第一接觸層的上方，該載子提供層是由至少兩層井層與至少兩層位障層交替堆棧而成，該井層與該位障層各由摻雜有n型雜質(zhì)的GaN系材料制成，該位障層具有高于該井層的能帶隙；發(fā)光層，是位于該載子提供層上方，該發(fā)光層是具有由復(fù)數(shù)層的井層與位障層所構(gòu)成的MQW結(jié)構(gòu)，該井層與該位障層各由GaN系材料制成；以及第二接觸層，是位于該發(fā)光層上方，該第二接觸層是由具有與該第一導(dǎo)電型相反的第二導(dǎo)電型的GaN系材料制成；其中，該載子提供層的該井層具有高于該發(fā)光層的該井層的能帶隙。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的氮化物MQW LED結(jié)構(gòu)，進(jìn)一步包含緩沖 層，是位于該基板與該第一接觸層之間，該緩沖層是以GaN系材料制成。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的氮化物MQWLED結(jié)構(gòu)，其中，該緩沖層 的該GaN系材料是AlaGabln1-a-bN (0≤a， b<l， a+b≤l)。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的氮化物MQWLED結(jié)構(gòu)，其中，該載子提 供層的該井層與該位障層的該n型雜質(zhì)是Si與Ge 二者之一。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1項(xiàng)所述的氮化物MQWLED結(jié)構(gòu)，其中，該載子 提供層的該井層與位障層是各具有5 300 之間的厚度。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1項(xiàng)所述的氮化物MQWLED結(jié)構(gòu)，其中，該載子 提供層是具有1 nm 500nm之間的厚度。
7. 根據(jù)權(quán)利要求1項(xiàng)所述的氮化物MQWLED結(jié)構(gòu)，其中，該載子 提供層是具有1 X ten to podwer of senventeen/cm3 5X ten to podwer of twenty-one/cm3之間的電子濃度。
8. 根據(jù)權(quán)利要求1項(xiàng)所述的氮化物MQWLED結(jié)構(gòu)，其中，該發(fā)光 層的該井層與該位障層的該GaN系材料是AlxInyGaj-x-yN (x， y≥20，0≤x+y≤1)。
9. 根據(jù)權(quán)利要求1項(xiàng)所述的氮化物MQWLED結(jié)構(gòu)，其中，該發(fā)光 層的該井層與該位障層的該GaN系材料是未加摻雜。
10. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的氮化物MQW LED結(jié)構(gòu)，其中，該發(fā)光 層的該井層與該位障層的該GaN系材料是AlpInqGa1－p－qN (p，q≥0，0≤p+q≤1)。
11. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的氮化物MQW LED結(jié)構(gòu)，進(jìn)一步包含位 于該載子提供層與該發(fā)光層之間的電洞阻隔層，該電洞阻隔層是由具有 高于該發(fā)光層的能帶隙的GaN系材料制成。
12. 根據(jù)權(quán)利要求11所述的氮化物MQWLED結(jié)構(gòu)，其中，該電洞 阻隔層是具有5 A 0.5um之間的厚度。
13. 根據(jù)權(quán)利要求11項(xiàng)所述的氮化物MQWLED結(jié)構(gòu)，其中，該電 洞阻隔層的該GaN系材料是未加摻雜。
14. 根據(jù)權(quán)利要求11所述的氮化物MQWLED結(jié)構(gòu)，其中，該電洞 阻隔層的該GaN系材料摻雜有一雜質(zhì)，該雜質(zhì)是Si、 In、與Si/In三者之一。
15. —種氮化物MQWLED裝置，至少包含 基板；緩沖層，是位于該基板上方，該緩沖層是以AlaGabIn1-a－bN(0≤a， b<l， a+b≤l)制成；第一接觸層，是位于該緩沖層上方，該第一接觸層是由具有第一導(dǎo) 電型的GaN系材料制成；載子提供層，是位于該第一接觸層的上方并覆蓋該第一接觸層的部 分上表面，該載子提供層是由至少兩層井層與至少兩層位障層交替堆棧 而成，該井層與該位障層各由摻雜有n型雜質(zhì)的AlpInqGa1－p－qN (p，q≥0，0≤p+q≤1)。制成，該位障層具有高于該井層的能帶隙；第一電極，是位該第一接觸層未被該載子提供層覆蓋的上表面；發(fā)光層，是位于該載子提供層上方，該發(fā)光層是具有由復(fù)數(shù)層的井 層與位障層所構(gòu)成的MQW結(jié)構(gòu)，該井層與該位障層是各由AlxInyGa1-x-yN(x， y≥0)， 0≤x+y≤l)制成；以及第二接觸層，是位于該發(fā)光層上方，該第二接觸層是由具有與該第 一導(dǎo)電型相反的第二導(dǎo)電型的GaN系材料制成；透明導(dǎo)電層，是位于該第二接觸層的至少一部份上表面，該透明導(dǎo) 電層是一金屬導(dǎo)電層與透明氧化物層二者之一；以及第二電極，是位于該透明導(dǎo)電層之上，或位于該第二接觸層未被該 透明導(dǎo)電層覆蓋的上表面；其中，該載子提供層的該井層具有高于該發(fā)光層的該井層的能帶隙。
16. 根據(jù)權(quán)利要求15所述的氮化物MQWLED裝置，其中，該載子 提供層的該井層與該位障層的該n型雜質(zhì)是Si與Ge 二者之一。
17. 根據(jù)權(quán)利要求15所述的氮化物MQWLED裝置，其中，該載子 提供層的該井層與位障層，是各具有5A 300A之間的厚度。
18. 根據(jù)權(quán)利要求15所述的氮化物MQWLED裝置，其中，該載子 提供層是具有1 nm~500 nm之間的厚度。
19. 根據(jù)權(quán)利要求15所述的氮化物MQWLED裝置，其中，該載子 提供層是具有1 X 10117/cm3 5X 1021/cm3之間的電子濃度。
20. 根據(jù)權(quán)利要求15所述的氮化物MQWLED裝置，其中，該發(fā)光 層的該井層與該位障層的該GaN系材料是未加摻雜。
21. 根據(jù)權(quán)利要求15項(xiàng)所述的氮化物MQWLED裝置，進(jìn)一步包含 位于該載子提供層與該發(fā)光層之間的電洞阻隔層，該電洞阻隔層是由具 有高于該發(fā)光層的能帶隙的GaN系材料制成。
22. 根據(jù)權(quán)利要求21所述的氮化物MQWLED裝置，其中，該電洞 阻隔層是具有5 A 0.5pm之間的厚度。
23. 根據(jù)權(quán)利要求21所述的氮化物MQWLED裝置，其中，該電洞 阻隔層的該GaN系材料是未加摻雜。
24. 根據(jù)權(quán)利要求21的所述的氮化物MQWLED裝置，其中，該電 洞阻隔層的該GaN系材料摻雜有一雜質(zhì)，該雜質(zhì)是Si、 In、與Si/In三者 之一。
25. 根據(jù)權(quán)利要求15所述的氮化物MQWLED裝置，其中，該金屬導(dǎo)電層是由選自下列集合之一材料所構(gòu)成Ni/Au合金、Ni/Pt合金、Ni/Pd 合金、Pd/Au合金、Pt/Au合金、Cr/Au合金、Ni/Au/Be合金、Ni/Cr/Au 合金、Ni/Pt/Au合金以及Ni/Pd/Au合金。
26. 根據(jù)權(quán)利要求15所述的氮化物MQWLED裝置，其中，該透明氧化物層是由選自下列集合之一材料所構(gòu)成ITO、 CTO、 ZnO:Al、 ZnGa204、 Sn02:Sb、 Ga203:Sn、 AgIn02:Sn、 In203:Zn、 CuA102、 LaCuOS、 NiO、 CuGa02以及SrCu202。
27. 根據(jù)權(quán)利要求15所述的氮化物MQWLED裝置，其中，該第二電極是由選自下列集合之一材料所構(gòu)成Ni/Au合金、Ni/Pt合金、Ni/Pd 合金、Ni/Co合金、Pd/Au合金、Pt/Au合金、Ti/Au合金、Cr/Au合金、 Sn/Au合金、Ta/Au合金、TiN、 TiWNx (x三O)以及WSiy (y^0)。
全文摘要
本發(fā)明提供一種多重量子井發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其在發(fā)光層的一側(cè)設(shè)置有載子提供層，以提供額外的載子給發(fā)光層參與重新結(jié)合，因此可以避免/降低在發(fā)光層內(nèi)雜質(zhì)的使用。該載子提供層是包含有多重交替堆棧的井層和位障層，這些井層和位障層各具有5～300的厚度，而使載子提供層總厚度為1～500nm。井層和位障層均是由摻雜Si或Ge的Al_pIn_qGa_1-p-qN(p，q≥0，0≤p+q≤1)化合物半導(dǎo)體所制成，但各具有不同的組成，其中位障層具有高于井層的能帶隙。載子提供層的電子濃度是在1×10¹⁷～5×10²¹/cm³之間。
文檔編號(hào)H01L33/00GK101174662SQ20061014273
公開日2008年5月7日 申請(qǐng)日期2006年10月30日 優(yōu)先權(quán)日2006年10月30日
發(fā)明者武良文, 簡(jiǎn)奉任 申請(qǐng)人:璨圓光電股份有限公司