專利名稱：元件安裝方法及安裝了元件的主體的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及在接線板上安裝其鍵合表面上具有電極端子的表面安裝電子元件的元件安裝方法，并涉及安裝了元件的主體。
背景技術(shù)：
在相關(guān)技術(shù)領(lǐng)域中，作為在接線板上安裝半導(dǎo)體芯片(例如LSI)的方法，如圖6所示在半導(dǎo)體芯片上形成金(Au)柱凸塊的方法是已知的(參考例如日本專利公開號(hào)Hei 10-275810)。
在半導(dǎo)體芯片101的電極焊墊104上提供金柱凸塊105(圖6A)。在接線板201上，形成了將被焊接到金柱凸塊105的焊盤204(圖6B)。為了將半導(dǎo)體芯片101安裝到接線板201上，將焊料205涂敷到接線板201的焊盤204上(圖6C)，隨后將助熔劑206涂敷到焊料205上(圖6D)。接著，將半導(dǎo)體芯片101置于接線板201上并與接線板201對(duì)準(zhǔn)，之后焊料205回流(reflow)而將金柱凸塊105焊接到焊盤204(圖6E)。因?yàn)橹蹌堄辔?06r由于該回流而遺留在焊料205表面上，故清洗除去該助熔劑殘余物206r(圖6F)。接著，使用底膠樹脂301填充半導(dǎo)體芯片101和接線板210之間的間隙(圖6G)。
在上述方法中，金柱凸塊105有助于確保半導(dǎo)體芯片101和接線板201之間的預(yù)定間隙。
作為另一個(gè)方法，如圖7所示在半導(dǎo)體芯片上形成高溫焊料凸塊的方法是已知的(參考例如日本專利公開號(hào)Hei 10-284635)。
在半導(dǎo)體芯片101的電極焊墊104上提供高溫焊料凸塊108(圖7A)。在接線板201上，形成了將被焊接到高溫焊料凸塊108的焊盤204(圖7B)。為了將半導(dǎo)體芯片101安裝到接線板201上，將焊膏(cream solder)208涂敷到接線板201的焊盤204上(圖7C)。接著，將半導(dǎo)體芯片101置于接線板201上并與接線板201對(duì)準(zhǔn)，之后焊膏208回流而將高溫焊料凸塊108焊接到焊盤204(圖7D)。因?yàn)橹蹌堄辔?09r由于該回流而遺留在焊料208的表面上，故清洗除去該助熔劑殘余物209r(圖7E)。接著，使用底膠樹脂301填充半導(dǎo)體芯片101和接線板210之間的間隙(圖7F)。
在本方法中，在焊料208回流時(shí)未被熔化的高溫焊料凸塊108有助于確保半導(dǎo)體芯片101和接線板201之間的預(yù)定間隙。
然而，在如前所述的在半導(dǎo)體芯片101的電極焊墊104上形成金柱凸塊的方法中，存在的問題為，在形成金柱凸塊105時(shí)的加壓可能損傷電極焊墊104正下方的絕緣薄膜。
另外，在半導(dǎo)體芯片101的電極焊墊104上形成高溫焊料凸塊108的方法中，使用鉛(Pb)含量高的高溫焊料形成高溫焊料凸塊108。因此該方法無法與無鉛產(chǎn)品的趨勢(shì)相兼容，最近從環(huán)境問題的角度考慮理想地需要無鉛產(chǎn)品。
此外，這些方法要求在安裝了元件之后清洗除去助熔劑殘余物206r和209r。然而，朝更大尺寸半導(dǎo)體芯片、更小凸塊節(jié)距等的最近趨勢(shì)使得難以徹底清洗除去該助熔劑殘余物。不充分除去該助熔劑殘余物會(huì)導(dǎo)致諸如無法保證焊料和底膠樹脂之間的粘附以及焊料鍵合部分的退化的問題，并因此導(dǎo)致長期可靠性的降低。
鑒于上述問題而提出了本發(fā)明，本發(fā)明的一個(gè)主題是提供元件安裝方法及安裝了元件的主體，該主體能夠低負(fù)載地安裝元件并實(shí)現(xiàn)無鉛產(chǎn)品，且本發(fā)明無需清洗除去助熔劑。

發(fā)明內(nèi)容
為了解決上述問題，根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例，提供了一種元件安裝方法，該方法配置成將鍵合表面上具有電極端子的表面安裝電子元件安裝在接線板上。該方法包含電子元件的制備步驟，其中該電子元件具有覆蓋電極端子的焊料層以及設(shè)于該焊料層上并具有助熔劑功能的樹脂層。該方法還包含接線板的制備步驟，其中該接線板具有凸出導(dǎo)體(projection conductor)，該凸出導(dǎo)體形成于安裝表面上并將被鍵合到該電極端子。該方法進(jìn)一步包含將該電子元件安裝到接線板上并執(zhí)行焊料層回流的步驟，使得該凸出導(dǎo)體穿透該樹脂層。
該凸出導(dǎo)體由在焊料回流時(shí)不熔化的金屬或樹脂材料組成。優(yōu)選地，該凸出導(dǎo)體的核采用銅、鎳等，并在該核的表面上形成具有良好的焊料浸潤性的金屬薄膜，例如鎳/金電鍍覆薄膜。在元件安裝時(shí)，使該凸出導(dǎo)體與鍵合表面上具有助熔劑功能的樹脂層接觸。在焊料回流時(shí)該樹脂層被軟化。因此，由于電子元件的自身重量或者根據(jù)需要所施加的適當(dāng)負(fù)載，該凸出導(dǎo)體穿透樹脂層而到達(dá)焊料層。在回流之后，該焊料層用作將電極端子焊接到該凸出導(dǎo)體的焊料鍵合部分。該樹脂層被固化成圍繞該電極端子和焊料鍵合部分，由此起著強(qiáng)化樹脂層的作用。
該焊料層可以由諸如錫焊料、錫-銀焊料或錫-銀-銅焊料的無鉛焊料，或者諸如銦的材料組成。因此實(shí)現(xiàn)了無鉛安裝元件的結(jié)構(gòu)。另外，該樹脂層具有助熔劑功能，這消除了在回流之后清洗除去助熔劑的必要性。此外，僅通過元件的自身重量或者施加比傳統(tǒng)負(fù)載低的負(fù)載而安裝該元件，因此可以防止損傷該電子元件。
在電極端子上制備焊料層可以采用任一公知的方法，例如涂敷、印刷和沉積。
優(yōu)選地，該樹脂層具有粘附性(膠粘性)，因?yàn)檎掣叫钥蛇_(dá)到將元件暫時(shí)固定到接線板的效果。然而，該樹脂層不限于具有粘附性的層。
該凸出導(dǎo)體的形狀沒有具體限制，但可以采用圓柱形、梯形、錐形及其它幾何形狀的任意一種。
術(shù)語“電子元件”包含諸如半導(dǎo)體芯片的有源部件(元件)以及諸如芯片電容器的無源部件(元件)。此外，術(shù)語“接線板”包含母板、插入襯底、硅接線板、半導(dǎo)體集成電路板等。
如前所述，本發(fā)明的該方面允許通過低負(fù)載實(shí)現(xiàn)元件安裝，這降低了對(duì)元件鍵合表面的負(fù)擔(dān)。另外，可以獲得無鉛產(chǎn)品，且無需清洗除去助熔劑，這可以保證鍵合部分的可靠性。


圖1A至1F為示出了應(yīng)用于本發(fā)明一實(shí)施例的半導(dǎo)體芯片制造步驟的示例的截面視圖；圖2A至2E為示出了應(yīng)用于該實(shí)施例的接線板制造步驟的示例的截面視圖；圖3A至3D為用于解釋根據(jù)本實(shí)施例的元件安裝方法的步驟的截面視圖；
圖4為示出根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的安裝了元件的主體的鍵合部分結(jié)構(gòu)的截面視圖；圖5A至5D為用于解釋與過去的結(jié)構(gòu)相比較的本實(shí)施例的改進(jìn)的截面視圖；圖6A至6G為用于解釋現(xiàn)有技術(shù)的元件安裝方法的步驟的截面視圖；以及圖7A至7F為用于解釋現(xiàn)有技術(shù)的元件安裝方法的步驟的截面視圖。
具體實(shí)施例方式
下面將參考附圖描述本發(fā)明的實(shí)施例。在下述實(shí)施例的描述中，以半導(dǎo)體芯片作為該電子元件的示例。圖1A至1F為說明制備半導(dǎo)體芯片的步驟的圖，且并具體地示出了處理電極端子的步驟的示例。
如圖1A所示，在半導(dǎo)體芯片11的鍵合表面(面)上形成由鋁(Al)制成的電極焊墊14。以這種方式形成鈍化膜13，從而覆蓋電極焊墊14的外圍部分。電極焊墊14的暴露部分(有效部分)14e的面處于比鈍化膜13的面低的水平，其中鈍化膜13交疊電極焊墊14的外圍部分。在本示例中，電極焊墊14排列成節(jié)距為例如200μm。應(yīng)該指出，圖1A至1F中各個(gè)元件的比例尺寸與實(shí)際尺寸并不成正比。這一點(diǎn)同樣適用于后續(xù)各圖。
在半導(dǎo)體芯片11的電極焊墊14上形成導(dǎo)電膜15(圖1B)。導(dǎo)電膜15的制備方法如下利用印刷、轉(zhuǎn)移、霧化或其他方法將其中散布了銀(Ag)或銅(Cu)超精細(xì)顆粒的漿料涂敷到電極焊墊14的暴露部分14e以及交疊電極焊墊14外圍部分的鈍化膜13上，隨后熱固化所涂敷的漿料?；蛘?，可通過銅鍍覆形成導(dǎo)電膜15。由于形成了導(dǎo)電膜15，形成了面積比電極焊墊14的暴露部分14e大的端區(qū)。
為了確保暴露部分14e和導(dǎo)電膜15之間的附著，可預(yù)先在暴露部分14e上使用諸如濺射的真空薄膜形成技術(shù)形成鈦薄膜和銅薄膜，或者備選地，可預(yù)先在暴露部分14e上形成氧化錳(MnO2，為金屬氧化物)的燒結(jié)膜作為底料(primer)。為了形成MnO2燒結(jié)膜，使用了漿料形式的液體，其中將MnO2精細(xì)顆粒散布在有機(jī)溶劑中。蒸發(fā)該有機(jī)溶劑并燒結(jié)該金屬氧化物精細(xì)顆粒，由此形成該燒結(jié)膜。
在形成導(dǎo)電膜15之后，將吸收鈀(Pd)催化劑涂敷到該導(dǎo)電膜15上，隨后在其上形成非電鎳(Ni)鍍覆膜16和非電金(Au)鍍覆膜17，使得在電極焊墊14上形成鍵合焊墊18(圖1D)。
Al電極焊墊容易被鈀催化劑熔化。因此，在實(shí)施非電Ni鍍覆和非電Au鍍覆時(shí)，需要提前用鋅(Zn)替換Al。然而，在本實(shí)施例中，由于提供了由漿料制成的導(dǎo)電膜，其中將銀或銅超精細(xì)顆粒散布到該漿料中，因此無需用Zn替換即可避免Al電極焊墊的熔化。
由此形成的鍵合焊墊18對(duì)應(yīng)于本發(fā)明中所闡述的電極端子。鍵合焊墊18的面水平高于與電極焊墊14外圍部分交疊的鈍化膜13的面水平。此外，鍵合焊墊18上端的面積大于電極焊墊14的暴露部分14e的面積，所提供的形狀有利于鍵合到接線板。
隨后，在鍵合焊墊18上形成焊料層12(圖1E)。形成焊料層12可以采用諸如鍍覆、印刷、涂敷和沉積的各種方法中的任意一種。焊料層12相互獨(dú)立地形成于各個(gè)焊接襯墊18上。該焊料層12的材料可以使用諸如錫(Sn)焊料、Sn-Ag焊料或Sn-Ag-Cu焊料的無鉛的錫(Sn)基焊料，或者使用諸如銦的焊接材料。
隨后，在焊料層12上，通過涂敷而形成了由具有助熔劑功能的熱固樹脂形成的助熔劑樹脂膜19(圖1F)。該助熔劑樹脂膜19形成于半導(dǎo)體芯片11的整個(gè)鍵合表面(面)上。
助熔劑樹脂膜19為在半固化狀態(tài)具有粘附性的漿料，在回流初期階段被軟化以除去焊料層12中的氧化物。在回流之后，助熔劑樹脂膜19被硬化并保留在鍵合焊墊18的外圍，從而用作強(qiáng)化該焊料鍵合部分的樹脂層。
助熔劑樹脂膜19的材料的示例包含添加了具有固化劑和助熔劑功能的二羥基苯甲酸和酚酞并添加了固化促進(jìn)劑的液態(tài)雙酚環(huán)氧樹脂(參考日本專利公開號(hào)2003-105054)。
下面將參考圖2A至2E描述接線板的制備步驟。
先參考圖2A，將沉積于由玻璃環(huán)氧樹脂等組成的基底的表面上的銅箔片圖形化成預(yù)定形狀，由此制備出其上形成了互連22和鍵合焊盤24的接線板21。
在接線板21的表面上形成外部絕緣樹脂膜23，以覆蓋互連22和鍵合焊盤24(圖2B)。鍵合焊盤24的排列節(jié)距為200μm。外部絕緣樹脂膜23對(duì)應(yīng)于本發(fā)明中所闡述的絕緣膜。在本實(shí)施例中，膜23是由所涂敷的環(huán)氧樹脂形成，其厚度為例如35μm。
接著，對(duì)外部絕緣樹脂膜23進(jìn)行激光處理，從而形成深度到達(dá)鍵合焊盤24的連接孔(通孔)20(圖2C)。連接孔20底部的直徑約為50μm。形成接觸孔20的方法不限于激光處理，還可以采用利用光刻的蝕刻處理。
之后，如圖2D所示，在外部絕緣樹脂膜23上形成Cu電鍍薄膜，從而填充連接孔20。Cu電鍍薄膜25的厚度為例如50μm，通過組合非電Cu鍍覆和電解Cu鍍覆而形成Cu鍍覆膜25。
接著，在Cu鍍覆膜25上提供覆蓋鍵合焊盤24上方區(qū)域的圓形掩膜(未示出)，隨后通過濕法蝕刻除去該圓形掩膜正下方之外的Cu鍍覆膜。該蝕刻劑可以使用例如氯化鐵水溶液或氯化銅水溶液。在該濕法蝕刻中，在該圓形掩膜的正下方區(qū)域發(fā)生側(cè)面蝕刻，使得在該蝕刻結(jié)束時(shí)形成具有如圖2E所示的截頂圓錐形的銅核26。
銅核26通過連接孔20連接到鍵合焊盤24，銅核26底部的外圍部分被支持在外部絕緣樹脂膜23上。Ni/Au鍍覆膜26p形成于銅核26的表面上(圖2E)。在接線板21上方由此形成的銅核26對(duì)應(yīng)于本發(fā)明中所闡述的凸出導(dǎo)體。
根據(jù)上述步驟制造的半導(dǎo)體芯片11和接線板21如圖3A至3D所示被相互鍵合。
先參考圖3A，半導(dǎo)體芯片11的鍵合焊墊18和接線板21的銅核26對(duì)準(zhǔn)。接著，如圖3B所示，半導(dǎo)體芯片11被安裝在接線板21上。
半導(dǎo)體芯片11被支持于銅核26上方，其間有助熔劑樹脂膜19。該助熔劑樹脂膜19具有粘附性(膠粘性)，因此可以實(shí)現(xiàn)將該半導(dǎo)體芯片11暫時(shí)固定到接線板21的效果?？梢允褂霉陌惭b裝置將該半導(dǎo)體芯片11安裝到接線板21上。
保持圖3B所示狀態(tài)對(duì)該半導(dǎo)體芯片11進(jìn)行加熱，從而實(shí)現(xiàn)焊料層12的回流。在回流中，由于半導(dǎo)體芯片11的熱處理而軟化助熔劑樹脂膜19。因此，半導(dǎo)體芯片11由于其自身重量而降低，使得銅核26的頂部到達(dá)焊料層12。另外，助熔劑樹脂膜19的助熔劑功能允許除去焊料層12表面上的氧化物膜。
當(dāng)進(jìn)一步加熱半導(dǎo)體芯片11時(shí)，焊料層12熔化并擴(kuò)散到鍵合焊墊18和銅核26的周圍。因此，焊料層12到達(dá)銅核26底部的外圍并形成焊料鍵合部分30。同時(shí)，助熔劑樹脂膜19朝銅核26下垂。因此，助熔劑樹脂膜19被固化成圍繞銅核26頂部的外圍(圖3C)。
在本實(shí)施例中，由于助熔劑樹脂膜19在回流時(shí)軟化，銅核26被掩埋到助熔劑樹脂膜19內(nèi)而到達(dá)焊料層12。因此，該半導(dǎo)體芯片11被低負(fù)載地安裝到接線板21上，而且僅僅利用半導(dǎo)體芯片11的自身重量也可以實(shí)現(xiàn)該安裝。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)驗(yàn)已經(jīng)確認(rèn)，對(duì)于凸塊數(shù)目約為2000的1平方厘米半導(dǎo)體芯片，可以實(shí)現(xiàn)每個(gè)凸塊0.5g或更低的小負(fù)載。
就通過更低負(fù)載實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體芯片11安裝而言，銅核26頂部更尖銳則是更為優(yōu)選的。然而，太尖銳的頂部會(huì)對(duì)鍵合焊墊18造成嚴(yán)重?fù)p傷，并引發(fā)銅核26端部的形變，這使得難以調(diào)整半導(dǎo)體芯片11和接線板21之間的間隙。另一方面，銅核26頂部直徑太大會(huì)使穿透助熔劑樹脂膜(層)19的功能退化，并導(dǎo)致與鍵合焊墊18對(duì)準(zhǔn)的誤差裕量變小。出于這個(gè)原因，優(yōu)選地銅核26頂部的寬度(直徑)范圍為鍵合焊墊18寬度的30％至80％。
為了確保將鍵合焊墊18鍵合到銅核26的焊料鍵合部分30具有足夠的機(jī)械強(qiáng)度，用于形成該焊料層12的焊料的數(shù)量優(yōu)選地應(yīng)該為，在回流時(shí)，該焊料層12到達(dá)銅核26的外圍，更為優(yōu)選地到達(dá)銅核26的底部。
此外，由于助熔劑樹脂膜19在被固化之后可用作強(qiáng)化該焊料鍵合部分30的樹脂層，提供于半導(dǎo)體芯片11上的助熔劑樹脂膜19的數(shù)量、膠粘性等優(yōu)選地應(yīng)該為，助熔劑樹脂膜19在回流時(shí)由于軟化而下垂到的高度至少圍繞銅核26的頂部。
另外，使用助熔劑樹脂膜19消除了在安裝半導(dǎo)體芯片11之后清洗除去焊料鍵合部分30上助熔劑殘余物的必要性。因此，可以減小制造步驟的數(shù)目，可以避免由于未充分清除該助熔劑殘余物而引起的鍵合可靠性的降低。因此，可以非常充分地制造安裝了元件的結(jié)構(gòu)，即使在半導(dǎo)體芯片11的尺寸和引腳(凸塊)的數(shù)目增大以及凸塊節(jié)距減小的情形。
接著參考圖3D，使用底膠樹脂填充通過焊料而被相互鍵合的半導(dǎo)體芯片11和接線板21之間的間隙，隨后熱固化該底膠樹脂，從而形成底膠樹脂層31。底膠樹脂層31圍繞焊料鍵合部分30，使得焊料鍵合部分30被賦予了增強(qiáng)的機(jī)械強(qiáng)度，并因此獲得了改善的抗機(jī)械及熱應(yīng)力的疲勞強(qiáng)度。助熔劑樹脂膜19對(duì)應(yīng)于本發(fā)明中所闡述的第一樹脂層，底膠樹脂層31對(duì)應(yīng)于本發(fā)明中所闡述的第二樹脂層。
在本實(shí)施例中，和助熔劑樹脂膜19相比，底膠樹脂層31選用具有更低彈性模量和更高熱膨脹系數(shù)的材料。這種材料選擇可以減輕由于半導(dǎo)體芯片11和接線板21之間熱膨脹系數(shù)差異引起的對(duì)焊料鍵合部分30的熱應(yīng)力和機(jī)械應(yīng)力。另外，鍵合焊墊18的外圍受到強(qiáng)有力的保護(hù)，因此可以避免對(duì)半導(dǎo)體芯片11的損傷。因此，例如使用低介電常數(shù)層作為層間絕緣膜而形成的電極焊墊14可以得到充分的保護(hù)。
另外，為了進(jìn)一步增強(qiáng)上述應(yīng)力減輕效果，優(yōu)選地外部絕緣樹脂膜23的彈性模量等于或低于底膠樹脂層31的彈性模量，外部絕緣樹脂膜23的熱膨脹系數(shù)等于或高于底膠樹脂層31的熱膨脹系數(shù)。在本實(shí)施例中，助熔劑樹脂膜19、底膠樹脂層31和外部絕緣樹脂膜23的彈性模量分別為5GPa、2.5GPa和1.2GPa。
銅核26在焊料層12回流時(shí)并不熔化。因此可由銅核26的高度調(diào)整半導(dǎo)體芯片11和接線板21之間的間隙。在圖4所示示例中，從半導(dǎo)體芯片11下垂的助熔劑樹脂膜19的下端被置于距離外部絕緣樹脂膜23表面30μm的高度處。外部絕緣樹脂膜23表面到銅核26頂部的距離為50μm。半導(dǎo)體芯片11上鈍化膜13表面到銅核26頂部的距離為20μm。因此可以保證半導(dǎo)體芯片11和接線板21之間的間隙為70μm。銅核26有助于確保該間隙。在過去，為了確保該間隙，需要使用主要由鉛組成的高溫焊料凸塊，這使得難以實(shí)現(xiàn)無鉛焊料。相反，類似本實(shí)施例中銅核26的形成無需使用高溫焊料，因此有助于解決環(huán)境問題。
上文已經(jīng)描述了本發(fā)明一實(shí)施例。然而，顯然本發(fā)明不限于該實(shí)施例，但可以基于本發(fā)明的技術(shù)構(gòu)思進(jìn)行各種改進(jìn)。
例如，在上述實(shí)施例中，以半導(dǎo)體芯片11作為該電子元件的示例。然而，該電子元件不限于此。本發(fā)明還可以應(yīng)用于例如如圖5A所示的諸如芯片電阻和芯片電容的無源元件。在圖5A的示例中，在元件51的鍵合表面上形成焊料層127和助熔劑樹脂膜59。另外，在接線板121上形成銅核126，該銅核通過外部絕緣樹脂膜123連接到鍵合焊盤124，且該銅核被鍵合到焊料層127。
根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的元件安裝方法，還可以允許元件安裝面積的減小。圖5B示出了一個(gè)示例，其中使用常規(guī)元件安裝方法將元件51鍵合到接線板221上的鍵合焊盤224。當(dāng)使用1005(垂直方向10mm×水平方向5mm)元件作為元件51時(shí)，在常規(guī)方法中焊料鍵合部分225之間的最大距離為1.5mm。相反，使用根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的元件安裝方法，焊盤之間的節(jié)距以及焊盤之間的最大分離距離可以分別減小到0.7mm和0.9mm。
本發(fā)明的元件安裝方法還可以應(yīng)用于封裝元件，其中該封裝元件內(nèi)使用樹脂模制半導(dǎo)體芯片。圖5C示出了將該元件安裝方法應(yīng)用于LGA(接點(diǎn)柵格陣列)形式的半導(dǎo)體封裝元件52作為電子元件。具體地，焊料層47和助熔劑樹脂膜19形成于元件52的鍵合表面上。在接線板41上形成了銅核46，該銅核被連接到鍵合焊盤44并被鍵合到焊料層47，圖5D示出了通過常規(guī)安裝方法獲得的安裝了元件的結(jié)構(gòu)。具體地，元件52通過焊料鍵合部分245被鍵合到接線板241上的鍵合焊盤244。互連42和242的線寬為70μm。在這種條件下，常規(guī)方法中的焊盤寬度、焊盤節(jié)距以及焊盤之間的間隙分別為300μm、0.5mm和200μm。相反，采用本發(fā)明的元件安裝方法，焊盤寬度和焊盤節(jié)距可以分別減小到100μm和0.3mm。
本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該理解，在不脫離由權(quán)利要求書及其等同物所限定的本發(fā)明的范圍的情況下，可以根據(jù)設(shè)計(jì)要求和其它因素來進(jìn)行各種改進(jìn)、組合、子組合及替換。
本發(fā)明包含于2005年8月24日于日本專利局提交的日本專利申請(qǐng)JP2005-242691相關(guān)的主題，該專利申請(qǐng)的全部內(nèi)容在此被引用作為參考。
權(quán)利要求
1.一種元件安裝方法，用于將鍵合表面上具有電極端子的表面安裝電子元件安裝在接線板上，所述方法包括的步驟為制備所述電子元件，所述電子元件具有覆蓋電極端子的焊料層以及設(shè)于所述焊料層上并具有助熔劑功能的樹脂層；制備接線板，所述接線板具有凸出導(dǎo)體，所述凸出導(dǎo)體形成于安裝表面上并將被鍵合到所述電極端子；以及將所述電子元件安裝到接線板上并執(zhí)行焊料層回流，使得所述凸出導(dǎo)體穿透所述樹脂層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的元件安裝方法，還包括的步驟為在將所述電極端子鍵合到所述突出導(dǎo)體之后，在所述電子元件和接線板之間形成底膠樹脂層。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的元件安裝方法，其中所述突出導(dǎo)體頂部的寬度設(shè)為所述電極端子寬度的30％至80％。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的元件安裝方法，其中所述制備所述接線板包括的步驟為在所述接線板表面上的布線層上形成絕緣膜；在所述絕緣膜上形成通孔；在所述絕緣膜上形成導(dǎo)電層；以及蝕刻所述導(dǎo)電層，從而在所述通孔上形成所述凸出導(dǎo)體。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的元件安裝方法，其中形成所述焊料層的焊料數(shù)量為，在回流時(shí)所述焊料層朝所述凸出導(dǎo)體的外圍擴(kuò)展。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的元件安裝方法，其中所述樹脂層在焊料層回流時(shí)軟化，并下垂到至少圍繞所述凸出導(dǎo)體頂部的高度。
7.一種安裝了元件的主體，包括在鍵合表面上具有電極端子的電子元件；在安裝表面上具有凸出導(dǎo)體的接線板，使用焊料將所述凸出導(dǎo)體鍵合到所述電極端子；形成于所述電極端子周圍的第一樹脂層；以及填充所述電子元件和接線板之間的間隙的第二樹脂層。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種元件安裝方法和安裝了元件的主體。該方法配置成將鍵合表面上具有電極端子的表面安裝電子元件安裝在接線板上，該方法包括的步驟為制備所述電子元件，所述電子元件具有覆蓋電極端子的焊料層以及設(shè)于所述焊料層上并具有助熔劑功能的樹脂層；制備接線板，所述接線板具有凸出導(dǎo)體，所述凸出導(dǎo)體形成于安裝表面上并將被鍵合到所述電極端子；以及將所述電子元件安裝到接線板上并執(zhí)行焊料層回流，使得所述凸出導(dǎo)體穿透所述樹脂層。
文檔編號(hào)H01L23/488GK1921080SQ20061012148
公開日2007年2月28日 申請(qǐng)日期2006年8月24日 優(yōu)先權(quán)日2005年8月24日
發(fā)明者最上圭一, 淺見博 申請(qǐng)人:索尼株式會(huì)社