專利名稱：晶片壓緊圈及制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及集成電路工藝領(lǐng)域，尤其是集成電路工藝中的一種晶片壓 緊圈，該晶片壓緊圈可以防止發(fā)生晶片黏附。本發(fā)明還設(shè)計一種晶片壓緊 圈的制造方法。
背景技術(shù)：
在應(yīng)用材料Endura 5500型機臺上進行物理汽相沉積會導(dǎo)致鋁黏附到 晶片邊緣上。粘片往往會導(dǎo)致晶片位置的移動或者晶片的損壞。如圖l所 示，當(dāng)晶片10處于升降環(huán)20舉起位置時，晶片升降環(huán)20將晶片10舉到 升降環(huán)的爪子上，晶片升降環(huán)將壓緊圈30舉離防護罩，壓緊圈30壓在晶 片10的上方，如圖2所示，加熱器將晶片移動到制程位置，在晶片10和 壓緊圈30之間有小的空隙。這種存在于晶片和壓緊圈之間的空隙，由于晶 片和壓緊圈的中心不能準(zhǔn)確對應(yīng)，壓緊圈的內(nèi)側(cè)會刮到晶片的邊緣。這樣 當(dāng)加熱器將晶片移動到制程位置時會發(fā)生晶片移動從而造成粘片。如圖3 到圖5所示，已有技術(shù)中的壓緊圈內(nèi)徑為200.7腿，壓緊圈的小壓塊40的 寬為1.88ram，壓塊處遮檐50寬為1. 52mm，標(biāo)記罩60位于遮檐50上，已 有技術(shù)中制造晶片壓緊圈時通過銑削使晶片壓緊圈的內(nèi)徑為200. 7ram。在上 述圖1和圖2的工藝過程中，已有壓緊圈過小的內(nèi)徑容易造成晶片黏附的 發(fā)生。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是提供一種晶片壓緊圈，它可以有效的壓 住晶片，并且減小制程位置時晶片和晶片壓緊圈之間黏附、刮擦的可能。 為此，本發(fā)明還要提供一種晶片壓緊圈的制造方法，可以制造出能夠防止 晶片黏附發(fā)生的晶片壓緊圈。為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明晶片壓緊圈所采用的技術(shù)方案是，其壓塊處遮檐寬為1. 52mm，位于遮檐上并將其均分的小壓塊的寬為1. 88mm，壓 緊圈的內(nèi)徑在202. l鵬至202. 3mm之間。本發(fā)明晶片壓緊圈的制造方法是，銑削掉壓緊圈小壓塊之間的部分， 使壓緊圈的內(nèi)徑增加到202. lmm至202. 3mm之間。本發(fā)明通過增加晶片壓緊圈的內(nèi)徑，不僅能使晶片壓緊圈壓緊晶片， 還能減小制程位置時晶片和晶片壓緊圈之間刮擦的可能，防止晶片黏附。 本發(fā)明晶片壓緊圈的制造方法通過銑削掉壓緊圈小壓塊之間的部分增加晶 片壓緊圈的內(nèi)徑，可以制造出內(nèi)徑為202. lmm至202.3mm的晶片壓緊圈。


下面結(jié)合附圖和具體實施方式
對本發(fā)明作進一步詳細的說明圖1為晶片處于升降環(huán)舉起位置時晶片和壓緊圈位置示意圖；圖2為加熱器將晶片移動到制程位置時晶片和壓緊圈位置示意圖；圖3為已有技術(shù)中壓緊圈的截面示意圖；圖4為圖3的A-A剖面圖；圖5為圖3的B-B剖面圖；圖6本發(fā)明壓緊圈的截面示意圖7為圖6的C-C剖面圖； 圖8為圖6的D-D剖面圖。
具體實施方式
如圖6至圖8所示，本發(fā)明晶片壓緊圈，其壓塊處遮檐90寬為1. 52mm， 位于遮檐上并將其均分的小壓塊80的寬為1.88mm，壓緊圈的內(nèi)徑在 202. Iran至202. 3mm之間。上述晶片壓緊圈的制造方法為，銑削掉壓緊圈小壓塊之間的部分，使 壓緊圈的內(nèi)徑增加到202. lmm至202. 3ram之間。本發(fā)明的晶片壓緊圈可以使晶片保持在一個正確的位置，減小制程位 置時晶片和晶片壓緊圈之間刮擦的可能，防止發(fā)生晶片黏附。本發(fā)明的晶 片壓緊圈制造方法可以制造上述內(nèi)徑為202. lmm至202. 3mm的晶片壓緊圈。
權(quán)利要求
1、一種晶片壓緊圈，其壓塊處遮檐寬為1.52mm，位于遮檐上并將其均分的小壓塊的寬為1.88mm，其特征在于，壓緊圈的內(nèi)徑在202.1mm至202.3mm之間。
2、 如權(quán)利要求1所述的晶片壓緊圈，其特征在于，壓緊圈的內(nèi)徑為 202. 2mm。
3、 一種制造權(quán)利要求1所述的晶片壓緊圈的方法，其特征在于，銑削 掉壓緊圈小壓塊之間的部分，使壓緊圈的內(nèi)徑增加到202. lram至202. 3誦之間。
4、 如權(quán)利要求3所述的制造晶片壓緊圈的方法，其特征在于，壓緊圈 的內(nèi)徑為202. 2mm。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種晶片壓緊圈，其壓塊處遮檐寬為1.52mm，位于遮檐上并將其均分的小壓塊的寬為1.88mm，壓緊圈的內(nèi)徑在202.1mm至202.3mm之間。本發(fā)明還公開了制造上述內(nèi)徑為202.2mm的晶片壓緊圈的制造方法，銑削掉壓緊圈小壓塊之間的部分，使壓緊圈的內(nèi)徑從200.7mm增加到202.2mm。本發(fā)明通過增加晶片壓緊圈的內(nèi)徑，減小制程位置時晶片和晶片壓緊圈之間刮擦的可能，防止發(fā)生晶片黏附。
文檔編號H01L21/67GK101159245SQ20061011689
公開日2008年4月9日 申請日期2006年10月8日 優(yōu)先權(quán)日2006年10月8日
發(fā)明者劉兆虎, 吳秉寰, 楊小軍, 鯤 桂 申請人:中芯國際集成電路制造(上海)有限公司