專利名稱：有機(jī)發(fā)光顯示器及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及有機(jī)發(fā)光顯示器及其制造方法。更具體而言，本發(fā)明涉及這樣的有機(jī)發(fā)光顯示器及其制造方法，其中，為延長(zhǎng)壽命而改變各個(gè)像素的布置，使得具有低發(fā)光效率的一個(gè)像素區(qū)增大。
背景技術(shù)：
近年來(lái)，已經(jīng)研制出各種各樣能夠減小重量和體積的平板顯示器，而重量和體積是陰極射線管(CRT)的缺點(diǎn)。平板顯示器包括液晶顯示器(LCD)，場(chǎng)致發(fā)射顯示器(FED)，等離子體顯示板(PDP)和有機(jī)發(fā)光顯示器(OLED)。
特別是，由于與其他平板顯示器相比，發(fā)光顯示器具有更大的使用溫度范圍，更高的抗震動(dòng)或振動(dòng)性，更寬的視角以及更高速響應(yīng)，因此，已經(jīng)提出將其作為下一代平板型顯示裝置。
這種發(fā)光顯示器包括使用有機(jī)發(fā)光二極管的有機(jī)發(fā)光顯示器，和使用無(wú)機(jī)發(fā)光二極管的無(wú)機(jī)發(fā)光顯示器。有機(jī)發(fā)光二極管包括陽(yáng)極、陰極，以及設(shè)置在陽(yáng)極與陰極之間的、利用電子與空穴的復(fù)合來(lái)發(fā)光的有機(jī)發(fā)光層。無(wú)機(jī)發(fā)光二極管包括由PN結(jié)半導(dǎo)體構(gòu)成的無(wú)機(jī)發(fā)光層。
在有機(jī)發(fā)光顯示器中，在基板上的至少一個(gè)像素區(qū)中形成的子像素區(qū)處，沉積紅(R)、綠(G)和藍(lán)(B)材料，并且通過驅(qū)動(dòng)在基板上形成的薄膜晶體管，使各個(gè)子像素區(qū)發(fā)射光。將紅(R)、綠(G)和藍(lán)(B)子像素區(qū)分別設(shè)置在不同位置的原因在于，當(dāng)人眼將三原色的光結(jié)合在一起時(shí)，會(huì)呈現(xiàn)出全彩色顯示，從而僅根據(jù)三原色，光就能夠表現(xiàn)出多種顏色。
現(xiàn)有顯示器具有多個(gè)缺點(diǎn)。具體地說，由于某種顏色子像素區(qū)的制造受到限制，很難制造出長(zhǎng)壽命的顯示器。針對(duì)這一問題，已經(jīng)提出了激光熱轉(zhuǎn)印方法，不過該方法的特征在于具有激光設(shè)備高成本的缺點(diǎn)，并且難以提高轉(zhuǎn)印層的質(zhì)量。
在一些現(xiàn)有顯示器中，必須使用顏色不同的掩模對(duì)不同子像素進(jìn)行構(gòu)圖。不過，在此情形中，存在未對(duì)準(zhǔn)的問題，結(jié)果造成顯示器的分辨率下降。此外，制造成本增加，且需要更精密的構(gòu)圖技術(shù)。

發(fā)明內(nèi)容
從而，本發(fā)明的一個(gè)目的在于提供一種有機(jī)發(fā)光顯示器及其制造方法，其中，為延長(zhǎng)壽命而改變各個(gè)像素的布置，將具有低發(fā)光效率的一個(gè)像素區(qū)增大。
本發(fā)明的另一目的在于提供一種有機(jī)發(fā)光顯示器及其制造方法，其中，減少了用于形成發(fā)光層的掩模的數(shù)量。
通過提供這樣的有機(jī)發(fā)光顯示器來(lái)實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的上述和/或其他方面，該有機(jī)發(fā)光顯示器包括至少一個(gè)像素，所述像素包含具有多種顏色的子像素，該顯示器包括在像素區(qū)的整個(gè)面上形成的第一子像素發(fā)光層；以及在第一子像素發(fā)光層處形成的具有閉合曲線的至少兩個(gè)第二子像素發(fā)光層。
優(yōu)選將第一子像素發(fā)光層形成為具有藍(lán)色。此外，除至少兩個(gè)第二子像素發(fā)光層形成面積之外第一子像素發(fā)光層的形成面積，大于所述至少兩個(gè)第二子像素發(fā)光層中每一個(gè)的形成面積。更優(yōu)選地，該有機(jī)發(fā)光顯示器還包括電子阻擋層，其在第一子像素發(fā)光層與至少兩個(gè)第二子像素發(fā)光層之間的像素區(qū)的整個(gè)面上形成。
根據(jù)本發(fā)明另一方面，有機(jī)發(fā)光顯示器包括至少一個(gè)像素，所述像素包含具有多種顏色的子像素，并且還包括在像素區(qū)上形成的至少兩個(gè)彼此不重疊的第一子像素發(fā)光層；和在至少兩個(gè)第一子像素發(fā)光層上、且在像素區(qū)的整個(gè)面上形成以包含所述至少兩個(gè)第一子像素發(fā)光層的第二子像素發(fā)光層。
優(yōu)選將第二子像素發(fā)光層形成為具有藍(lán)色。此外，除所述至少兩個(gè)第一子像素發(fā)光層形成面積之外第二子像素發(fā)光層的形成面積，大于所述至少兩個(gè)第一子像素發(fā)光層中每一個(gè)的形成面積。更優(yōu)選地，該有機(jī)發(fā)光顯示器還包括空穴阻擋層，其在所述至少兩個(gè)第一子像素發(fā)光層與第二子像素發(fā)光層之間的像素區(qū)的整個(gè)面上形成。
根據(jù)本發(fā)明另一方面，有機(jī)發(fā)光顯示器包括至少一個(gè)像素，所述像素包含具有多種顏色的子像素，并且還包括分別包含在子像素中并且在基板的一個(gè)區(qū)域上形成的第一電極層；在像素區(qū)整個(gè)面上形成的第一子像素發(fā)光層；在第一子像素發(fā)光層的一個(gè)區(qū)域處形成的具有閉合曲線的第二子像素發(fā)光層；在第一子像素發(fā)光層的另一區(qū)域處形成的具有閉合曲線的第三子像素發(fā)光層；以及在第一、第二和第三子像素發(fā)光層處分別形成的第二電極層。
優(yōu)選將第一子像素發(fā)光層形成為具有藍(lán)色。此外，除第二和第三子像素發(fā)光層形成面積之外的第一子像素發(fā)光層的形成面積，大于第二和第三子像素發(fā)光層中每一個(gè)的形成面積。
更優(yōu)選地，該有機(jī)發(fā)光顯示器還包括在第一與第二子像素發(fā)光層之間的像素區(qū)的整個(gè)面上形成的電子阻擋層，并且所述電子阻擋層由Ir(ppz)3形成。
更優(yōu)選地，第一子像素發(fā)光層的發(fā)光效率低于第二和第三子像素發(fā)光層中每一個(gè)的發(fā)光效率，并且第二子像素發(fā)光層的面積與第一子像素發(fā)光層的面積的比值范圍為0.2至0.5，第三子像素發(fā)光層的面積與第一子像素發(fā)光層的面積的比值范圍為0.2至0.5。在本實(shí)施例中，將第二和第三子像素發(fā)光層形成為分別具有紅色和綠色，第一、第二和第三子像素發(fā)光層排列成條形圖案，以及將第一、第二和第三子像素發(fā)光層排列成三角圖案。
根據(jù)本發(fā)明的另一方面，有機(jī)發(fā)光顯示器包括至少一個(gè)包含具有多種顏色子像素的像素，并且所述至少一個(gè)像素包括分別包含在子像素中并且在基板的一個(gè)區(qū)域中形成的第一電極層；在第一電極上的像素區(qū)的一個(gè)區(qū)域上形成的第一子像素發(fā)光層；在第一電極上的像素區(qū)的另一區(qū)域上形成的第二子像素發(fā)光層；在第一和第二子像素發(fā)光層上、在像素區(qū)的整個(gè)面上形成以包含第一和第二子像素發(fā)光層的第三子像素發(fā)光層；以及在第一、第二和第三子像素發(fā)光層處分別形成的第二電極層。
優(yōu)選將所述第三子像素發(fā)光層形成為具有藍(lán)色，并且除第一和第二子像素發(fā)光層形成面積之外的第三子像素發(fā)光層的形成面積大于，第一和第二子像素發(fā)光層中每一個(gè)的形成面積。
更優(yōu)選地，該有機(jī)發(fā)光顯示器還包括在第一與第三子像素發(fā)光層之間的像素區(qū)的整個(gè)面上形成的空穴阻擋層，以及在第二與第三子像素發(fā)光層之間的像素區(qū)的整個(gè)面上形成的空穴阻擋層。更優(yōu)選地，空穴阻擋層由從BCP、BAlq、SAlq、TAZ、OXD7、Alq3和PBD組成的組中選擇出的一種材料制造而成。
在本實(shí)施例中，第三子像素發(fā)光層的發(fā)光效率低于第一和第二子像素發(fā)光層中每一個(gè)的發(fā)光效率，第一子像素發(fā)光層的面積與第三子像素發(fā)光層的面積的比值范圍為0.2至0.5，第二子像素發(fā)光層的面積與第三子像素發(fā)光層的面積的比值范圍為0.2至0.5。此外，將第一和第二子像素發(fā)光層形成為分別具有紅色和綠色，第一、第二和第三子像素發(fā)光層排列成條形圖案，以及將第一、第二和第三子像素發(fā)光層排列成三角圖案。此外，分別沿第一和第二子像素發(fā)光層的外圍區(qū)域形成像素限定薄膜。
根據(jù)本發(fā)明另一方面，在有機(jī)發(fā)光顯示器的制造方法中，該有機(jī)發(fā)光顯示器包括至少一個(gè)像素，所述像素包含具有多種顏色的子像素，像素區(qū)的形成方法包括以下步驟在基板的一個(gè)區(qū)域上形成子像素的第一電極層；在像素區(qū)的整個(gè)面上形成第一子像素發(fā)光層；在第一子像素發(fā)光層的一個(gè)區(qū)域上形成具有閉合曲線的第二子像素發(fā)光層；在第一子像素發(fā)光層的另一區(qū)域上形成具有閉合曲線的第三子像素發(fā)光層；以及在第一和第二子像素發(fā)光層上分別形成第二電極層。
優(yōu)選，通過真空沉積、濕法涂覆、噴墨或熱轉(zhuǎn)印方法來(lái)形成第一子像素發(fā)光層。更優(yōu)選，通過真空沉積、濕法涂覆、噴墨或熱轉(zhuǎn)印方法形成第一和第二子像素發(fā)光層。更優(yōu)選，該方法還包括在第一與第二子像素發(fā)光層之間的像素區(qū)整個(gè)面上形成空穴阻擋層的步驟。在本實(shí)施例中，通過真空沉積、濕法涂覆、噴墨或熱轉(zhuǎn)印方法形成第一和第三子像素發(fā)光層。
根據(jù)本發(fā)明另一方面，在有機(jī)發(fā)光顯示器的制造方法中，該有機(jī)發(fā)光顯示器包括至少一個(gè)像素，所述像素包含具有多種顏色的子像素，像素區(qū)的形成方法包括以下步驟在基板的一個(gè)區(qū)域上形成子像素的第一電極層；在像素區(qū)的一個(gè)區(qū)域處、從而在第一電極層上形成第一子像素發(fā)光層；在像素區(qū)的另一區(qū)域處、從而在第一電極層上形成第二子像素發(fā)光層；在像素區(qū)的整個(gè)面上形成、且包含第一和第二子像素發(fā)光層的第三子像素發(fā)光層，從而第三子像素發(fā)光層處于第一與第二子像素發(fā)光層之間；以及在第一、第二和第三子像素發(fā)光層上分別形成第二電極層。
優(yōu)選，通過真空沉積、濕法涂覆、噴墨或熱轉(zhuǎn)印方法來(lái)形成第三子像素發(fā)光層。更優(yōu)選，通過真空沉積、濕法涂覆、噴墨或熱轉(zhuǎn)印方法形成第一和第二子像素發(fā)光層。更優(yōu)選，該方法還包括在第一與第三子像素發(fā)光層之間的像素區(qū)的整個(gè)面上形成空穴阻擋層的步驟。在本實(shí)施例中，通過真空沉積、濕法涂覆、噴墨或熱轉(zhuǎn)印方法形成空穴阻擋層。


通過參考下面結(jié)合附圖的詳細(xì)描述能夠更好地理解本發(fā)明，這樣，對(duì)本發(fā)明更完全的理解以及其多個(gè)附加優(yōu)點(diǎn)將是顯而易見的，在附圖中，相同附圖標(biāo)記表示相同或相似部件，其中圖1是示意地表示一個(gè)像素區(qū)的布置圖；圖2為沿圖1中線A-A’作出的一個(gè)像素區(qū)的剖面圖；圖3表示根據(jù)本發(fā)明的有機(jī)發(fā)光顯示器；圖4為圖3中所示的一個(gè)像素區(qū)的平面圖，為根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示器的一種布置；
圖5為沿圖4中線C-C’的一側(cè)作出的一個(gè)像素區(qū)的剖面圖；圖6為沿線C-C’的另一側(cè)作出的圖4中一個(gè)像素區(qū)的剖面圖；圖7為沿線D-D’的一側(cè)作出的圖4中一個(gè)像素區(qū)的剖面圖；圖8為沿線D-D’的另一側(cè)作出的圖4中一個(gè)像素區(qū)的剖面圖；圖9為沿線E-E’的一側(cè)作出的圖4中一個(gè)像素區(qū)的剖面圖；圖10為沿線E-E’的另一側(cè)作出的圖4中一個(gè)像素區(qū)的剖面圖；圖11為圖3中所示的一個(gè)像素區(qū)的平面圖，作為根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示器的一種布置；圖12為圖3中所示的一個(gè)像素區(qū)的平面圖，作為根據(jù)本發(fā)明第三實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示器的一種布置；和圖13為圖3中所示的一個(gè)像素區(qū)的平面圖，作為根據(jù)本發(fā)明第四實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示器的一種布置。
具體實(shí)施例方式
下面，將參照附圖描述根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示器及其制造方法。當(dāng)一個(gè)元件與另一元件相連時(shí)，一個(gè)元件不僅可以直接與另一元件相連，而且還可以通過第三元件間接地與另一元件相連。另外，為了清楚起見，省略了不相關(guān)的元件。此外，在說明書中相同附圖標(biāo)記表示相同元件。
圖1是示意地表示一個(gè)像素區(qū)的布置圖。
參照?qǐng)D1，像素區(qū)10包括紅(R)、綠(G)和藍(lán)(B)子像素區(qū)。紅(R)、綠(G)和藍(lán)(B)子像素區(qū)具有相同面積的條形圖案。由紅(R)、綠(G)和藍(lán)(B)子像素區(qū)之間形成的像素限定薄膜12來(lái)分隔紅(R)、綠(G)和藍(lán)(B)子像素區(qū)。
根據(jù)另一種有機(jī)發(fā)光顯示器的子像素結(jié)構(gòu)，在像素區(qū)處，紅(R)、綠(G)和藍(lán)(B)子像素區(qū)排列成三角(delta)圖案。如上所述，當(dāng)紅(R)、綠(G)和藍(lán)(B)子像素區(qū)被形成為條形或三角圖案時(shí)，可以按照這樣一種方式將紅(R)、綠(G)和藍(lán)(B)子像素區(qū)形成為具有不同的面積由紅(R)、綠(G)和藍(lán)(B)子像素區(qū)構(gòu)圖和沉積像素區(qū)。不過，由于為了滿足當(dāng)前有機(jī)發(fā)光顯示器的要求，特定顏色子像素區(qū)的制造存在限制，因此，難以延長(zhǎng)有機(jī)發(fā)光顯示器的壽命。
為了解決上述問題，已經(jīng)提出了對(duì)發(fā)光層進(jìn)行精密構(gòu)圖和轉(zhuǎn)印的激光熱轉(zhuǎn)印方法。不過，激光熱轉(zhuǎn)印方法的問題在于激光設(shè)備昂貴，并且很難提高轉(zhuǎn)印層的質(zhì)量。
圖2為沿圖1中線A-A’作出的一個(gè)像素區(qū)的剖面圖。
參照?qǐng)D2，有機(jī)發(fā)光顯示器包括晶體管陣列TA，第一電極層21，空穴輸運(yùn)層23，紅(R)、綠(G)和藍(lán)(B)子像素，電子輸運(yùn)層24和第二電極層25。晶體管陣列TA形成在基板20上。第一電極層21形成在晶體管陣列TA上?？昭ㄝ斶\(yùn)層23形成在第一電極層21上的像素區(qū)的整個(gè)面上。紅(R)、綠(G)和藍(lán)(B)子像素形成在空穴輸運(yùn)層23上，且通過像素限定薄膜22而彼此不重疊。電子輸運(yùn)層24形成在基板20的整個(gè)面上、處于紅(R)、綠(G)和藍(lán)(B)子像素上。第二電極層25形成在電子輸運(yùn)層24上。
如上所述，使用遮光板或精細(xì)金屬掩模(FMM)構(gòu)圖和形成紅(R)、綠(G)和藍(lán)(B)子像素。
不過，當(dāng)有機(jī)發(fā)光顯示器形成發(fā)光層時(shí)，應(yīng)當(dāng)使用顏色不同的掩模對(duì)紅(R)、綠(G)和藍(lán)(B)子像素進(jìn)行構(gòu)圖。由于應(yīng)當(dāng)根據(jù)子像素顏色使用不同掩模，因而將很可能發(fā)生未對(duì)準(zhǔn)，并且由于未對(duì)準(zhǔn)的發(fā)生將造成有機(jī)發(fā)光顯示器的分辨率下降。此外，由于使用顏色不同的掩模于發(fā)光層，因此制造成本增大，并且需要更精細(xì)的構(gòu)圖技術(shù)。
圖3為根據(jù)本發(fā)明的有機(jī)發(fā)光顯示器。
參照?qǐng)D3，在本發(fā)明的有機(jī)發(fā)光顯示器中，電源單元30產(chǎn)生并提供驅(qū)動(dòng)基板35所需的電壓，即驅(qū)動(dòng)電源ELVdd，地電源ELVss，以及驅(qū)動(dòng)數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器32和掃描驅(qū)動(dòng)器31所需的電能。
在上述有機(jī)發(fā)光顯示器中，掃描控制器31控制選擇信號(hào)，用以驅(qū)動(dòng)每個(gè)像素區(qū)34中所包含的有機(jī)發(fā)光二極管(未示出)，并將受控的選擇信號(hào)提供給掃描線S1到Sn。將選擇信號(hào)傳輸給每個(gè)像素區(qū)34中的開關(guān)(未示出)，使開關(guān)接通/斷開。
數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器32控制表示每個(gè)像素區(qū)34的圖像信號(hào)的數(shù)據(jù)電壓或數(shù)據(jù)電流，并將受控的數(shù)據(jù)電壓或電流提供給相應(yīng)數(shù)據(jù)線D1到Dm。
像素部分33包括多條掃描線S1到Sn，多條數(shù)據(jù)線D1到Dm和多個(gè)像素區(qū)34。多條掃描線S1到Sn從掃描驅(qū)動(dòng)器31沿橫向延伸。多條數(shù)據(jù)線D1到Dm從數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器32沿縱向延伸。每個(gè)像素區(qū)34中包含紅(R)，綠(G)和藍(lán)(B)子像素區(qū)。每個(gè)像素區(qū)34形成于由多條掃描線S1到Sn和多條數(shù)據(jù)線D1到Dm所限定的區(qū)域處。每個(gè)像素區(qū)34根據(jù)掃描信號(hào)和數(shù)據(jù)信號(hào)發(fā)射出有機(jī)發(fā)光二極管的光，從而顯示圖像。
圖4為圖3中所示的一個(gè)像素區(qū)的平面圖，作為根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示器的一種布置。
參照?qǐng)D4，一個(gè)像素區(qū)40包括紅(R)、綠(G)和藍(lán)(B)子像素區(qū)。紅(R)、綠(G)和藍(lán)(B)子像素區(qū)的面積彼此不同。特別是，具有相對(duì)較低發(fā)光效率的藍(lán)(B)子像素區(qū)共有地形成在像素區(qū)40的整個(gè)面上。紅(R)和綠(G)子像素區(qū)形成在藍(lán)(B)子像素區(qū)的閉合曲線處，且彼此不重疊。具體而言，紅(R)和綠(G)子像素區(qū)形成為條形圖案，藍(lán)(B)子像素區(qū)介于它們之間。此外，藍(lán)(B)子像素區(qū)通常處于像素區(qū)40的外圍部分處。
除紅(R)和綠(G)子像素形成面積之外的藍(lán)(B)子像素形成面積，大于紅(R)和綠(G)子像素中每一個(gè)的形成面積。具體而言，紅(R)子像素的面積與藍(lán)(B)子像素的面積的比值范圍為0.2至0.5，綠(G)子像素的面積與藍(lán)(B)子像素的面積的比值范圍為0.2至0.5。
因而，藍(lán)(B)子像素共有地形成在像素區(qū)的整個(gè)面上，以便將具有低發(fā)光效率的藍(lán)(B)子像素的發(fā)光效率提高到與紅(R)和綠(G)子像素中每一個(gè)的發(fā)光效率相似的大小，從而延長(zhǎng)根據(jù)本發(fā)明的有機(jī)發(fā)光顯示器的壽命。
圖5為沿圖4中線C-C’的一側(cè)作出的一個(gè)像素區(qū)的剖面圖。
參照?qǐng)D5，晶體管陣列TA和有機(jī)發(fā)光二極管相繼形成在基板50上。盡管圖中未詳細(xì)表示出，不過在晶體管陣列TA的結(jié)構(gòu)中，在基板50上形成緩沖層，半導(dǎo)體層包括在緩沖層的一個(gè)區(qū)域上、在活性溝道層與歐姆接觸層之間形成的LDD層。在半導(dǎo)體層上相繼構(gòu)圖和形成柵絕緣膜和柵極。在柵極上形成層間絕緣膜，從而暴露出半導(dǎo)體層中的歐姆接觸層。在層間絕緣膜的一個(gè)區(qū)域處形成源極和漏極，以便與暴露出的歐姆接觸層相接觸。
此外，在層間絕緣膜上形成構(gòu)圖薄膜。形成通孔，以便對(duì)構(gòu)圖薄膜的一個(gè)區(qū)域進(jìn)行蝕刻并且暴露出漏極。漏極和第一電極層51經(jīng)由通孔彼此電連接。第一電極層51形成在構(gòu)圖薄膜的一個(gè)區(qū)域處。在構(gòu)圖薄膜上形成像素限定薄膜52，在像素限定薄膜中形成至少部分地暴露出第一電極層51的開口部分。
此外，在像素限定薄膜52處和開口部分的整個(gè)面上形成空穴輸運(yùn)層53。為了便于從電極層51注入空穴，空穴輸運(yùn)層53應(yīng)當(dāng)具有小的電離電勢(shì)，并且與第一電極層51之間具有良好的界面粘著力，不過在可見光區(qū)域中應(yīng)當(dāng)幾乎不被吸收。空穴輸運(yùn)層53由低分子量的芳基胺類，低分子量的腙，低分子量的stylbene，諸如NPB、TPD、s-TAD、MTADATTA的低分子量的星爆式(star burst)，高分子量的carbalzol、芳基胺系高分子，高分子量的二萘嵌苯和吡咯或PVK制造而成。如上所述，空穴輸運(yùn)材料便于輸運(yùn)空穴，并且使電子僅保留在發(fā)光區(qū)中，從而增大激子的形成概率。
在空穴輸運(yùn)層53上像素區(qū)的整個(gè)面上形成具有相對(duì)較低發(fā)光效率的藍(lán)(B)發(fā)光層。在藍(lán)(B)發(fā)光層上形成電子阻擋層54。電子阻擋層54由Ir(ppz)3形成。在藍(lán)(B)發(fā)光層的一個(gè)區(qū)域上形成具有閉合曲線的紅(R)發(fā)光層，并且在藍(lán)(B)發(fā)光層的另一區(qū)域上形成綠(G)發(fā)光層。
在紅(R)和綠(G)發(fā)光層上像素區(qū)的整個(gè)面上形成電子輸運(yùn)層55。電子輸運(yùn)層55便于電子從第二電極層56輸運(yùn)到發(fā)光層。電子輸運(yùn)層55還用于控制未與發(fā)光層結(jié)合的空穴的輸運(yùn)，以便增大發(fā)光層中的復(fù)合。廣泛使用具有良好電子親合性的材料和與第二電子層具有良好界面粘著力的材料作為電子輸運(yùn)層55。
除了具有良好電子親和性的Alq3之外，可使用PBD，螺環(huán)-PBD，寡噻吩，全氟化寡-p-亞苯基或者2，5-diarylsilole衍生物作為電子輸運(yùn)層55。
在電子輸運(yùn)層55上形成第二電極層56。當(dāng)?shù)诙姌O層56為頂部發(fā)光層時(shí)，其由透明ITO或IZO形成。與之相反，當(dāng)?shù)诙姌O層56為后部發(fā)光層時(shí)，其由作為反射膜的金屬薄膜制成。
此外，盡管附圖中沒有示出，不過在第一電極層51與空穴輸運(yùn)層53之間像素區(qū)的整個(gè)面上還可以另外形成一個(gè)空穴注入層(未示出)。在第二電極層56與電子輸運(yùn)層55之間像素區(qū)的整個(gè)面上還可以另外形成一個(gè)電子注入層(未示出)。
現(xiàn)在將描述根據(jù)圖4中線C-C’的一側(cè)的本發(fā)明有機(jī)發(fā)光顯示器的制造方法。在基板50上形成晶體管陣列TA。然后，在晶體管陣列TA上形成第一電極層51。當(dāng)?shù)谝浑姌O層51為頂部發(fā)光層時(shí)，其由透明ITO或IZO形成。與之相反，當(dāng)?shù)谝浑姌O層51為后部發(fā)光層時(shí)，其由作為反射膜的金屬薄膜制成。
之后，在第一電極層55上像素區(qū)的整個(gè)面上形成具有最低發(fā)光效率的藍(lán)(B)發(fā)光層。藍(lán)(B)發(fā)光層可通過真空沉積、濕法涂覆、噴墨或熱轉(zhuǎn)印方法來(lái)形成。
在用于制造薄膜的方法中最多地使用真空沉積法，并且通過簡(jiǎn)單原理來(lái)執(zhí)行這一過程。在真空沉積過程中，在真空條件下加熱金屬、化合物或合金，并由熔化狀態(tài)蒸發(fā)。被蒸發(fā)的粒子沉積在基板表面上。真空沉積法與濺射方法的區(qū)別在于，蒸發(fā)過程是一種熱交換過程。通過真空沉積法制造的薄膜被稱作‘真空沉積薄膜’。真空沉積法具有設(shè)備相當(dāng)簡(jiǎn)單的優(yōu)點(diǎn)，并且真空沉積法易于應(yīng)用于多種材料。
濕法涂覆使用內(nèi)部液體材料(Internal liquid material)、涂層材料和涂層溶劑來(lái)涂覆目標(biāo)物。在涂覆處理之后，必然需要用于去除溶劑的處理。噴涂、旋涂和沉積涂覆是濕法涂覆的例子。因而，在去除溶劑的過程中，由于沉積材料可能發(fā)生改變或者溶劑會(huì)殘留在沉積材料中，應(yīng)當(dāng)小心地進(jìn)行溶劑的去除。
在噴墨方法中，將具有電致發(fā)光(EL)材料，諸如高分子有機(jī)EL材料的溶液充入噴頭。在充有溶液的噴頭從基板移開預(yù)定距離的狀態(tài)下，溶液從噴頭高速噴射到基板上，從而形成發(fā)光層。噴墨方法的優(yōu)點(diǎn)在于可以在不同區(qū)域處有選擇地層疊發(fā)光層，并且可使發(fā)光層形成材料的消耗量最小。
此外，激光熱轉(zhuǎn)印方法照射激光束，以便通過施主膜的光熱轉(zhuǎn)換層所產(chǎn)生的熱量來(lái)轉(zhuǎn)印發(fā)光層。激光熱轉(zhuǎn)印方法可用于制造具有大面積的裝置。由于其不需要掩模，可進(jìn)行精細(xì)構(gòu)圖并提高薄膜的均勻性。
然后，在藍(lán)(B)發(fā)光層上像素部分的整個(gè)面形成電子阻擋層54。按照與形成藍(lán)(B)發(fā)光層相同的方式，通過真空沉積、濕法涂覆、噴墨或熱轉(zhuǎn)印方法來(lái)形成電子阻擋層54。
本發(fā)明不限制各發(fā)光層的材料。不過，在藍(lán)(B)發(fā)光層作為一個(gè)共有層形成之后，為了形成紅(R)和綠(G)發(fā)光層，在使用熒光發(fā)光材料作為發(fā)光層的熒光發(fā)光二極管的情況下，形成發(fā)光層，然后引入空穴輸運(yùn)層。不過，在使用發(fā)光材料作為發(fā)光層的磷光發(fā)光二極管的情況下，常常需要比發(fā)光層具有更大的最高能態(tài)已滿分子軌道(HOMO)的電子阻擋層。
之后，在電子阻擋層54上形成紅(R)發(fā)光層，其在藍(lán)(B)發(fā)光層中具有閉合曲線，并且在電子阻擋層54上形成綠(G)發(fā)光層，其在藍(lán)(B)發(fā)光層的另一區(qū)域中具有閉合曲線。通過真空沉積、濕法涂覆、噴墨或熱轉(zhuǎn)印方法形成藍(lán)(B)發(fā)光層。
圖6為沿線C-C’的另一側(cè)作出的圖4中一個(gè)像素區(qū)的剖面圖。
參照?qǐng)D6，在基板60上相繼形成晶體管陣列TA和發(fā)光二極管。晶體管陣列TA的漏極與第一電極層61彼此電連接。在第一電極層61上形成像素限定薄膜62。在像素限定薄膜62處形成開口部分，部分地暴露出第一電極層61。
在像素限定薄膜62和開口部分上形成空穴輸運(yùn)層63。為了便于從電極層61注入空穴，空穴輸運(yùn)層63應(yīng)當(dāng)具有小的電離電勢(shì)，并且與第一電極層61具有良好的界面粘著力，不過在可見光區(qū)域中幾乎不會(huì)被吸收?？昭ㄝ斶\(yùn)層63由低分子量的芳基胺類，低分子量的腙，低分子量的stylbene，諸如NPB、TPD、s-TAD、MTADATTA的低分子量的星爆式(star burst)，高分子量的carbalzol、芳基胺系高分子，高分子量的二萘嵌苯和吡咯或PVK形成。如上所述，空穴輸運(yùn)材料便于輸運(yùn)空穴，并且使電子僅保留在發(fā)光區(qū)中，從而增大激子的形成概率。
在空穴輸運(yùn)層63上形成彼此不重疊的藍(lán)(B)發(fā)光層和綠(G)發(fā)光層。在像素部分的整個(gè)面形成具有相對(duì)較低發(fā)光效率的藍(lán)(B)發(fā)光層，使其包含紅(R)和綠(G)發(fā)光層。在紅(R)和藍(lán)(B)發(fā)光層之間和綠(G)和藍(lán)(B)發(fā)光層之間的像素區(qū)的整個(gè)面上形成空穴阻擋層64?？昭ㄗ钃鯇?4由BCP、BAlq、SAlq、TAZ、OXD7、Alq3或PBD形成。
在空穴阻擋層64上像素區(qū)的整個(gè)面上形成藍(lán)(B)發(fā)光層。在藍(lán)(B)發(fā)光層上形成電子輸運(yùn)層65。電子輸運(yùn)層65便于將電子從第二電極層66輸運(yùn)到發(fā)光層。電子輸運(yùn)層65還用于控制與發(fā)光層未結(jié)合的空穴的輸運(yùn)，以便增大發(fā)光層中的復(fù)合。廣泛使用具有良好電子親合性的材料和與第二電子層具有良好界面粘著力的材料作為電子輸運(yùn)層65。
除了具有良好電子親和性的Alq3之外，可使用PBD，螺環(huán)-PBD，寡噻吩，全氟化寡-p-亞苯基或者2，5-diarylsilole衍生物作為電子輸運(yùn)層65。
在電子輸運(yùn)層65上形成第二電極層66。當(dāng)?shù)诙姌O層66為頂部發(fā)光層時(shí)，其由透明ITO或IZO形成。與之相反，當(dāng)?shù)诙姌O層66為后部發(fā)光層時(shí)，其由作為反射膜的金屬薄膜制成。
此外，盡管附圖中沒有示出，不過在第一電極層61與空穴輸運(yùn)層63之間的像素區(qū)的整個(gè)面上還可以另外形成一個(gè)空穴注入層(未示出)。在第二電極層66與電子輸運(yùn)層65之間的像素區(qū)的整個(gè)面上還可以另外形成一個(gè)電子注入層(未示出)。
現(xiàn)在將描述根據(jù)圖4中線C-C’的另一側(cè)的本發(fā)明有機(jī)發(fā)光顯示器的制造方法。在基板60上形成晶體管陣列TA。然后，在晶體管陣列TA上形成第一電極層61。當(dāng)?shù)谝浑姌O層61為頂部發(fā)光層時(shí)，其由透明ITO或IZO形成。與之相反，當(dāng)?shù)谝浑姌O層61為后部發(fā)光層時(shí)，其由作為反射膜的金屬薄膜制成。
之后，在第一電極層61上形成紅(R)和綠(G)發(fā)光層。紅(R)和綠(G)發(fā)光層是通過真空沉積、濕法涂覆、噴墨或熱轉(zhuǎn)印方法形成的，且彼此不重疊。由于前面已經(jīng)描述了這些方法，因此省略對(duì)其的描述。
然后，在紅(R)和綠(G)發(fā)光層上像素區(qū)的整個(gè)面上形成空穴阻擋層64。之后，在空穴阻擋層64上像素區(qū)的整個(gè)面上形成藍(lán)(B)發(fā)光層。空穴阻擋層64和藍(lán)(B)發(fā)光層是通過真空沉積、濕法涂覆、噴墨或熱轉(zhuǎn)印方法形成的。最后，在藍(lán)(B)發(fā)光層上形成第二電極層66。
本發(fā)明不限制各發(fā)光層的材料。不過，在藍(lán)(B)發(fā)光層作為一個(gè)共有層形成之后，為了形成紅(R)和綠(G)發(fā)光層，在使用熒光發(fā)光材料作為發(fā)光層的熒光發(fā)光二極管的情況下，形成發(fā)光層，然后引入空穴輸運(yùn)層。不過，在使用發(fā)光材料作為發(fā)光層的磷光發(fā)光二極管的情況下，常常需要比發(fā)光層具有更大的HOMO的電子阻擋層。
由沿著與相應(yīng)子像素區(qū)的邊界形成的像素限定薄膜62，將藍(lán)(B)和綠(G)發(fā)光層彼此分離。
為了有助于對(duì)本發(fā)明的理解，為了清楚起見省略了不相關(guān)的元件。特別是，省略了對(duì)基板結(jié)構(gòu)、各層的功能以及材料的詳細(xì)描述。
圖7為沿線D-D’一側(cè)作出的圖4中一個(gè)像素區(qū)的剖面圖。
如圖7中所示，在基板70上形成晶體管陣列TA，并在晶體管陣列TA上形成第一電極層71。在第一電極層71上形成空穴輸運(yùn)層72，并且在空穴輸運(yùn)層72的整個(gè)面上形成具有最低發(fā)光效率的藍(lán)(B)發(fā)光層。
在圖7中沒有表示出紅(R)和綠(G)發(fā)光層。除紅(R)或綠(G)發(fā)光層的形成面積之外的藍(lán)(B)發(fā)光層形成面積，大于紅(R)或(G)發(fā)光層形成面積。紅(R)發(fā)光層的面積與藍(lán)(B)發(fā)光層的面積的比值范圍為0.2至0.5，綠(G)發(fā)光層的面積與藍(lán)(B)發(fā)光層的面積的比值范圍為0.2至0.5。
在藍(lán)(B)發(fā)光層上形成電子阻擋層73，并且在電子阻擋層73上形成電子輸運(yùn)層74。此外，在電子輸運(yùn)層74上形成第二電極層75。
圖8為沿線D-D’的另一側(cè)作出的圖4中一個(gè)像素區(qū)的剖面圖。
如圖8中所示，在基板80上形成晶體管陣列TA，并且在晶體管陣列TA上形成第一電極層81。在第一電極層81上形成空穴輸運(yùn)層82，并在空穴輸運(yùn)層82上形成空穴阻擋層83。此外，在空穴阻擋層83的整個(gè)面上形成具有最低發(fā)光效率的藍(lán)(B)發(fā)光層。
圖8中表示出紅(R)和綠(G)發(fā)光層。除紅(R)或(G)發(fā)光層形成面積之外的藍(lán)(B)發(fā)光層形成面積，大于紅(R)或(G)發(fā)光層形成面積。紅(R)發(fā)光層的面積與藍(lán)(B)發(fā)光層的面積的比值范圍為0.2至0.5，綠(G)發(fā)光層的面積與藍(lán)(B)發(fā)光層的面積的比值范圍為0.2至0.5。
在藍(lán)(B)發(fā)光層上形成電子輸運(yùn)層84，并在電子輸運(yùn)層84上形成第二電極層85。
為了有助于對(duì)本發(fā)明的理解，為了清楚起見省略了不相關(guān)的元件。特別是，省略了對(duì)基板結(jié)構(gòu)、各層的功能以及材料的詳細(xì)描述。
圖9為沿線E-E’的一側(cè)作出的圖4中一個(gè)像素區(qū)的剖面圖。
如圖9中所示，在基板90上形成晶體管陣列TA，并在晶體管陣列TA上形成第一電極層91。在第一電極層91上像素區(qū)的整個(gè)面上形成空穴輸運(yùn)層93，在空穴輸運(yùn)層93整個(gè)面上形成具有最低發(fā)光效率的藍(lán)(B)發(fā)光層。
此外，在藍(lán)(B)發(fā)光層上形成電子阻擋層94，并在電子阻擋層94上的一個(gè)區(qū)域處形成紅(R)發(fā)光層。在紅(R)發(fā)光層和電子阻擋層94上像素區(qū)的整個(gè)面上形成電子輸運(yùn)層95。此外，在電子輸運(yùn)層95上形成第二電極層96。
圖10為沿線E-E’的另一側(cè)作出的圖4中一個(gè)像素區(qū)的剖面圖。
如圖10中所示，在基板100上形成晶體管陣列TA，并在晶體管陣列TA上形成第一電極層101。在第一電極層101上形成空穴輸運(yùn)層103，開在空穴輸運(yùn)層103的一個(gè)區(qū)域處形成紅(R)發(fā)光層。在紅(R)發(fā)光層和空穴輸運(yùn)層103上像素區(qū)的整個(gè)面上形成空穴阻擋層104。此外，在空穴阻擋層104的整個(gè)面上形成具有最低發(fā)光效率的藍(lán)(B)發(fā)光層。
在藍(lán)(B)發(fā)光層上像素區(qū)的整個(gè)面上形成電子輸運(yùn)層105，并在電子輸運(yùn)層105上形成第二電極層106。
圖11為圖3中所示一個(gè)像素區(qū)的平面圖，作為根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示器的一種布置。
參照?qǐng)D11，一個(gè)像素區(qū)110包括紅(R)、綠(G)和藍(lán)(B)子像素區(qū)。紅(R)、綠(G)和藍(lán)(B)子像素區(qū)彼此具有不同面積。特別是，具有相對(duì)較低發(fā)光效率的藍(lán)(B)子像素區(qū)共有地形成在像素區(qū)110的整個(gè)面上。紅(R)和綠(G)子像素區(qū)形成在藍(lán)(B)閉合曲線中，且彼此不重疊。在像素區(qū)110的左上部形成紅(R)子像素區(qū)，而在像素區(qū)110的右下部形成綠(G)子像素區(qū)。紅(R)、綠(G)和藍(lán)(B)子像素排列成三角(delta)圖案，從而具有三角形形狀。紅(R)、綠(G)和藍(lán)(B)子像素區(qū)均具有正方形形狀，而藍(lán)(B)子像素區(qū)形成在像素區(qū)110的外圍部分處。
在像素區(qū)110上形成的藍(lán)(B)子像素可以形成在紅(R)和綠(G)子像素的上部或下部。當(dāng)藍(lán)(B)子像素形成在紅(R)和綠(G)子像素的上部時(shí)，通過像素限定薄膜111將紅(R)和綠(G)子像素區(qū)彼此分離。
圖12為圖3中所示一個(gè)像素區(qū)的平面圖，作為根據(jù)本發(fā)明第三實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示器的一種布置。
參照?qǐng)D12，一個(gè)像素區(qū)120包括紅(R)、綠(G)和藍(lán)(B)子像素區(qū)。紅(R)、綠(G)和藍(lán)(B)子像素區(qū)彼此具有不同的面積。特別是，具有相對(duì)較低發(fā)光效率的藍(lán)(B)子像素區(qū)共有地形成在像素區(qū)120的整個(gè)面上。紅(R)和綠(G)子像素區(qū)形成在藍(lán)(B)閉合曲線中，且彼此不重疊。在像素區(qū)120的左上部形成紅(R)子像素區(qū)，而在像素區(qū)120的右上部形成綠(G)子像素區(qū)。紅(R)、綠(G)和藍(lán)(B)子像素排列成三角(delta)圖案，從而具有三角形形狀。盡管圖12的像素區(qū)120具有類似圖11像素區(qū)110的結(jié)構(gòu)，不過各個(gè)子像素是在不同位置處形成的。紅(R)、綠(G)和藍(lán)(B)子像素區(qū)均具有正方形形狀，而藍(lán)(B)子像素區(qū)形成在像素區(qū)120的外圍部分處。
在像素區(qū)120上形成的藍(lán)(B)子像素可以形成在紅(R)和綠(G)子像素的上部或下部。當(dāng)藍(lán)(B)子像素形成在紅(R)和綠(G)子像素的上部時(shí)，通過像素限定薄膜121將紅(R)和綠(G)子像素區(qū)彼此分離。
圖13為圖3中所示一個(gè)像素區(qū)的平面圖，作為根據(jù)本發(fā)明第四實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示器的一種布置。
參照?qǐng)D13，一個(gè)像素區(qū)130包括紅(R)、綠(G)和藍(lán)(B)子像素區(qū)。紅(R)、綠(G)和藍(lán)(B)子像素區(qū)彼此具有不同的面積。特別是，具有相對(duì)較低發(fā)光效率的藍(lán)(B)子像素區(qū)共有地形成在像素區(qū)130的整個(gè)面上。紅(R)和綠(G)子像素區(qū)形成在藍(lán)(B)閉合曲線中，且彼此不重疊。在像素區(qū)130的左側(cè)和右側(cè)分別形成紅(R)子像素區(qū)和綠(G)子像素區(qū)。紅(R)、綠(G)和藍(lán)(B)子像素排列成具有三角形形狀的條形圖案。紅(R)、綠(G)和藍(lán)(B)子像素區(qū)每一個(gè)均具有正方形形狀，并且藍(lán)(B)子像素區(qū)形成在像素區(qū)130的外圍部分處。
在像素區(qū)130上形成的藍(lán)(B)子像素可以形成在紅(R)和綠(G)子像素的上部或下部。當(dāng)藍(lán)(B)子像素形成在紅(R)和綠(G)子像素的上部時(shí)，通過像素限定薄膜131將紅(R)和綠(G)子像素區(qū)彼此分離。
在圖11到圖13中，除紅(R)和綠(G)發(fā)光層形成面積之外的藍(lán)(B)發(fā)光層形成面積，大于紅(R)和綠(G)發(fā)光層中每一個(gè)的形成面積。具體而言，紅(R)發(fā)光層的面積與藍(lán)(B)發(fā)光層的面積的比值范圍為0.2至0.5，綠(G)發(fā)光層的面積與藍(lán)(B)發(fā)光層的面積的比值范圍為0.2至0.5。
因而，藍(lán)(B)子像素區(qū)形成在像素區(qū)120的整個(gè)面上，從而提高具有低發(fā)光效率的藍(lán)(B)發(fā)光層的發(fā)光效率至相對(duì)于紅(R)或綠(G)發(fā)光層的發(fā)光效率的相似水平。這樣就導(dǎo)致根據(jù)本發(fā)明的有機(jī)發(fā)光顯示器的壽命延長(zhǎng)。
由于本發(fā)明使用藍(lán)(B)發(fā)光層作為共有層，因而不必對(duì)藍(lán)(B)發(fā)光層區(qū)域進(jìn)行構(gòu)圖。因此，可減少掩模的數(shù)量。此外，由于將藍(lán)發(fā)光材料涂覆到基板的整個(gè)面上，發(fā)光材料僅發(fā)生很小程度的降質(zhì)，從而與傳統(tǒng)的有機(jī)發(fā)光顯示器相比，本發(fā)明獲得更加穩(wěn)定的有機(jī)發(fā)光顯示器。
盡管本發(fā)明的實(shí)施例形成藍(lán)(B)發(fā)光層作為共有層，當(dāng)然也可使用具有低發(fā)光效率的其他發(fā)光層作為共有層。
如上所述，根據(jù)本發(fā)明，改變各個(gè)像素的布置，以增加具有低發(fā)光效率的一個(gè)子像素區(qū)的面積，從而延長(zhǎng)有機(jī)發(fā)光顯示器的壽命并提高孔徑比。此外，在發(fā)光層形成過程中，減少了掩模數(shù)量。從而，降低了發(fā)生未對(duì)準(zhǔn)的可能性，從而使分辨率最大，提高生產(chǎn)率并且降低了制造成本。
盡管已經(jīng)示出和描述了本發(fā)明的數(shù)個(gè)實(shí)施例，但本領(lǐng)域技術(shù)人員可知，在不偏離本發(fā)明原理和精神的條件下在實(shí)施例中可進(jìn)行改變，而本發(fā)明的范圍由權(quán)利要求及其等效范圍限定。
權(quán)利要求
1.一種有機(jī)發(fā)光顯示器，包括至少一個(gè)像素，所述像素包含具有多種顏色的子像素，所述顯示器還包括在像素區(qū)的整個(gè)面形成的第一子像素發(fā)光層；和在所述第一子像素發(fā)光層上形成的具有閉合曲線的至少兩個(gè)第二子像素發(fā)光層。
2.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光顯示器，其中所述第一子像素發(fā)光層形成為具有藍(lán)色。
3.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光顯示器，其中，除所述至少兩個(gè)第二子像素發(fā)光層形成面積之外的所述第一子像素發(fā)光層的形成面積，大于所述至少兩個(gè)第二子像素發(fā)光層中每一個(gè)的形成面積。
4.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光顯示器，還包括電子阻擋層，其在所述第一子像素發(fā)光層與所述至少兩個(gè)第二子像素發(fā)光層之間的像素區(qū)的整個(gè)面上形成。
5.一種有機(jī)發(fā)光顯示器，包括至少一個(gè)像素，所述像素包含具有多種顏色的子像素，所述顯示器還包括在像素區(qū)上形成的彼此不重疊的至少兩個(gè)第一子像素發(fā)光層；和在所述至少兩個(gè)第一子像素發(fā)光層上、且在像素區(qū)的整個(gè)面上形成以包含所述至少兩個(gè)第一子像素發(fā)光層的第二子像素發(fā)光層。
6.如權(quán)利要求5所述的有機(jī)發(fā)光顯示器，其中所述第二子像素發(fā)光層形成為具有藍(lán)色。
7.如權(quán)利要求5所述的有機(jī)發(fā)光顯示器，其中，除所述至少兩個(gè)第一子像素發(fā)光層形成面積之外的所述第二子像素發(fā)光層的形成面積，大于所述至少兩個(gè)第一子像素發(fā)光層中每一個(gè)的形成面積。
8.如權(quán)利要求5所述的有機(jī)發(fā)光顯示器，還包括空穴阻擋層，其在所述至少兩個(gè)第一子像素發(fā)光層與所述第二子像素發(fā)光層之間的像素區(qū)的整個(gè)面上形成。
9.一種有機(jī)發(fā)光顯示器，包括至少一個(gè)像素，所述像素包含具有多種顏色的子像素，所述至少一個(gè)像素包括分別包含在所述子像素中并且在基板的一個(gè)區(qū)域上形成的第一電極層；在像素區(qū)的整個(gè)面上形成的第一子像素發(fā)光層；在第一子像素發(fā)光層的一個(gè)區(qū)域處形成的具有閉合曲線的第二子像素發(fā)光層；在第一子像素發(fā)光層的另一區(qū)域處形成的具有閉合曲線的第三子像素發(fā)光層；以及在第一、第二和第三子像素發(fā)光層上分別形成的第二電極層。
10.如權(quán)利要求9所述的有機(jī)發(fā)光顯示器，其中第一子像素發(fā)光層形成為具有藍(lán)色。
11.如權(quán)利要求9所述的有機(jī)發(fā)光顯示器，其中，除第二和第三子像素發(fā)光層形成面積之外的第一子像素發(fā)光層的形成面積，大于第二和第三子像素發(fā)光層中每一個(gè)的形成面積。
12.如權(quán)利要求9所述的有機(jī)發(fā)光顯示器，還包括電子阻擋層，其在第一與第二子像素發(fā)光層之間的像素區(qū)的整個(gè)面上形成。
13.如權(quán)利要求12所述的有機(jī)發(fā)光顯示器，其中所述電子阻擋層由Ir(ppz)3形成。
14.如權(quán)利要求9所述的有機(jī)發(fā)光顯示器，還包括電子阻擋層，其在第一與第三子像素發(fā)光層之間的像素區(qū)的整個(gè)面上形成。
15.如權(quán)利要求14所述的有機(jī)發(fā)光顯示器，其中所述電子阻擋層由Ir(ppz)3形成。
16.如權(quán)利要求9所述的有機(jī)發(fā)光顯示器，其中第一子像素發(fā)光層的發(fā)光效率低于第二和第三子像素發(fā)光層中每一個(gè)的發(fā)光效率。
17.如權(quán)利要求11所述的有機(jī)發(fā)光顯示器，其中第二子像素發(fā)光層的面積與第一子像素發(fā)光層的面積的比值范圍為0.2至0.5。
18.如權(quán)利要求11所述的有機(jī)發(fā)光顯示器，其中第三子像素發(fā)光層的面積與第一子像素發(fā)光層的面積的比值范圍為0.2至0.5。
19.如權(quán)利要求9所述的有機(jī)發(fā)光顯示器，其中第二和第三子像素發(fā)光層形成為分別具有紅色和綠色。
20.如權(quán)利要求9所述的有機(jī)發(fā)光顯示器，其中第一、第二和第三子像素發(fā)光層排列成條形圖案。
21.如權(quán)利要求9所述的有機(jī)發(fā)光顯示器，其中第一、第二和第三子像素發(fā)光層排列成三角圖案。
22.一種有機(jī)發(fā)光顯示器，包括至少一個(gè)像素，所述像素包含具有多種顏色的子像素，所述至少一個(gè)像素包括分別包含在子像素中并且在基板的一個(gè)區(qū)域上形成的第一電極層；在第一電極層上像素區(qū)的一個(gè)區(qū)域上形成的第一子像素發(fā)光層；在第一電極層上像素區(qū)的另一區(qū)域上形成的第二子像素發(fā)光層；在包含第一和第二子像素發(fā)光層的像素區(qū)的整個(gè)面上形成的第三子像素發(fā)光層；以及在第一、第二和第三子像素發(fā)光層處分別形成的第二電極層。
23.如權(quán)利要求22所述的有機(jī)發(fā)光顯示器，其中第三子像素發(fā)光層形成為具有藍(lán)色。
24.如權(quán)利要求22所述的有機(jī)發(fā)光顯示器，其中，除第一和第二子像素發(fā)光層形成面積之外的第三子像素發(fā)光層的形成面積，大于第一和第二子像素發(fā)光層中每一個(gè)的形成面積。
25.如權(quán)利要求22所述的有機(jī)發(fā)光顯示器，還包括空穴阻擋層，其在第一與第三子像素發(fā)光層之間的像素區(qū)的整個(gè)面上形成。
26.如權(quán)利要求25所述的有機(jī)發(fā)光顯示器，其中所述空穴阻擋層由從BCP、BAlq、SAlq、TAZ、OXD7、Alq3和PBD組成的組中選擇出的材料形成。
27.如權(quán)利要求22所述的有機(jī)發(fā)光顯示器，還包括空穴阻擋層，其在第二與第三子像素發(fā)光層之間的像素區(qū)的整個(gè)面上形成。
28.如權(quán)利要求27所述的有機(jī)發(fā)光顯示器，其中所述空穴阻擋層由從BCP、BAlq、SAlq、TAZ、OXD7、Alq3和PBD組成的組中選擇出的材料形成。
29.如權(quán)利要求22所述的有機(jī)發(fā)光顯示器，其中第三子像素發(fā)光層的發(fā)光效率低于第一和第二子像素發(fā)光層中每一個(gè)的發(fā)光效率。
30.如權(quán)利要求24所述的有機(jī)發(fā)光顯示器，其中第一子像素發(fā)光層的面積與第三子像素發(fā)光層的面積的比值范圍為0.2至0.5。
31.如權(quán)利要求24所述的有機(jī)發(fā)光顯示器，其中第二子像素發(fā)光層的面積與第三子像素發(fā)光層的面積的比值范圍為0.2至0.5。
32.如權(quán)利要求22所述的有機(jī)發(fā)光顯示器，其中第一和第二子像素發(fā)光層形成為分別具有紅色和綠色。
33.如權(quán)利要求22所述的有機(jī)發(fā)光顯示器，其中所述第一、第二和第三子像素發(fā)光層排列成條形圖案。
34.如權(quán)利要求22所述的有機(jī)發(fā)光顯示器，其中所述第一、第二和第三子像素發(fā)光層排列成三角圖案。
35.如權(quán)利要求22所述的有機(jī)發(fā)光顯示器，還包括分別沿第一和第二子像素發(fā)光層的外圍區(qū)域形成的像素限定層。
36.在用于制造有機(jī)發(fā)光顯示器的方法中，所述有機(jī)發(fā)光顯示器包括至少一個(gè)像素，所述像素包含具有多種顏色的子像素，所述至少一個(gè)像素的像素區(qū)形成方法包括以下步驟在基板的一個(gè)區(qū)域上形成子像素的第一電極層；在像素區(qū)的整個(gè)面上形成第一子像素發(fā)光層；在第一子像素發(fā)光層的一個(gè)區(qū)域上形成具有閉合曲線的第二子像素發(fā)光層；在第一子像素發(fā)光層的另一區(qū)域上形成具有閉合曲線的第三子像素發(fā)光層；以及在第一和第二子像素發(fā)光層上分別形成第二電極層。
37.如權(quán)利要求36所述的方法，其中第一子像素發(fā)光層是通過真空沉積、濕法涂覆、噴墨和熱轉(zhuǎn)印方法其中一種形成的。
38.如權(quán)利要求36所述的方法，其中第一和第二子像素發(fā)光層是通過真空沉積、濕法涂覆、噴墨和熱轉(zhuǎn)印方法其中一種形成的。
39.如權(quán)利要求36所述的方法，還包括在第一與第二子像素發(fā)光層之間的像素區(qū)的整個(gè)面上形成電子阻擋層的步驟。
40.如權(quán)利要求39所述的方法，其中所述第一和第三子像素發(fā)光層是通過真空沉積、濕法涂覆、噴墨和熱轉(zhuǎn)印方法其中一種形成的。
41.如權(quán)利要求36所述的方法，還包括在第一與第三子像素發(fā)光層之間的像素區(qū)的整個(gè)面上形成電子阻擋層的步驟。
42.如權(quán)利要求41所述的方法，其中所述電子阻擋層是通過真空沉積、濕法涂覆、噴墨和熱轉(zhuǎn)印方法其中一種形成的。
43.在用于制造有機(jī)發(fā)光顯示器的方法中，所述有機(jī)發(fā)光顯示器包括至少一個(gè)像素，所述像素包含具有多種顏色的子像素，所述至少一個(gè)像素的像素區(qū)形成方法包括以下步驟在基板的一個(gè)區(qū)域上形成子像素的第一電極層；在像素區(qū)的一個(gè)區(qū)域上形成第一子像素發(fā)光層，使得第一子像素發(fā)光層處于第一電極層上；在像素區(qū)的另一區(qū)域處形成第二子像素發(fā)光層，使得第二子像素發(fā)光層處于第一電極層上；在包含第一和第二子像素發(fā)光層的像素區(qū)的整個(gè)面上形成第三子像素發(fā)光層，使得第三子像素發(fā)光層處于第一和第二子像素發(fā)光層上；以及在第一、第二和第三子像素發(fā)光層上分別形成第二電極層。
44.如權(quán)利要求43所述的方法，其中第三子像素發(fā)光層是通過真空沉積、濕法涂覆、噴墨和熱轉(zhuǎn)印方法其中一種形成的。
45.如權(quán)利要求43所述的方法，其中第一和第二子像素發(fā)光層是通過真空沉積、濕法涂覆、噴墨和熱轉(zhuǎn)印方法其中一種形成的。
46.如權(quán)利要求43所述的方法，還包括在第一與第三子像素發(fā)光層之間的像素區(qū)的整個(gè)面上形成空穴阻擋層的步驟。
47.如權(quán)利要求46所述的方法，其中所述空穴阻擋層是通過真空沉積、濕法涂覆、噴墨和熱轉(zhuǎn)印方法其中一種形成的。
48.如權(quán)利要求43所述的方法，還包括在第二與第三子像素發(fā)光層之間的像素區(qū)的整個(gè)面上形成空穴阻擋層的步驟。
49.如權(quán)利要求48所述的方法，其中所述空穴阻擋層是通過真空沉積、濕法涂覆、噴墨和熱轉(zhuǎn)印方法其中一種形成的。
全文摘要
在有機(jī)發(fā)光顯示器及其制造方法中，為了延長(zhǎng)壽命而改變各個(gè)像素的布置，將具有低發(fā)光效率的一個(gè)像素區(qū)增大。該有機(jī)發(fā)光顯示器包括至少一個(gè)像素，所述像素包含具有多種顏色的子像素。在像素區(qū)的整個(gè)面上形成第一子像素發(fā)光層。在第一子像素發(fā)光層處形成具有閉合曲線的至少兩個(gè)第二子像素發(fā)光層。改變各個(gè)像素的結(jié)構(gòu)，將具有低發(fā)光效率的一個(gè)子像素區(qū)的面積增大，以便延長(zhǎng)有機(jī)發(fā)光顯示器的壽命并增大孔徑比。此外，在發(fā)光層形成過程中，減少了掩模的數(shù)量。因而，降低了未對(duì)準(zhǔn)的可能性，從而使分辨率最大，提高了生產(chǎn)率，并且降低了制造成本。
文檔編號(hào)H01L21/82GK1921140SQ20061011183
公開日2007年2月28日 申請(qǐng)日期2006年8月25日 優(yōu)先權(quán)日2005年8月26日
發(fā)明者金秉熙 申請(qǐng)人:三星Sdi株式會(huì)社