專利名稱：結(jié)晶生長晶體的質(zhì)量評價方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及結(jié)晶生長晶體的質(zhì)量評價方法，更詳細地說是涉及一種單晶晶體的質(zhì)量評價方法，即，選擇分辨在結(jié)晶生長過程中監(jiān)控的、影響晶體質(zhì)量的主要因素(X因素)等后，以對它們進行統(tǒng)一的對比和分析的結(jié)果為基礎(chǔ)，更合理而且科學(xué)地制定確定單晶體的切斷位置和取樣位置的取樣規(guī)則，這樣，使剩余的檢驗和不使用的最初的量最小化，用自動化系統(tǒng)構(gòu)建所述晶體的切斷和取樣的活動，根據(jù)對晶體切斷位置的客觀的數(shù)據(jù)計算和作成數(shù)據(jù)庫，可以使業(yè)務(wù)的生產(chǎn)率和效率最大化。
背景技術(shù)：
把單晶硅晶體(ingot)切成薄的厚度，制造作為生產(chǎn)半導(dǎo)體等電子零件基板的原材料使用的硅等的晶片。用切克勞斯基單晶生長方法(Czochralski method下面稱為CZ方法)或熔融區(qū)域法(Float Zone；下面稱為FZ方法)等，把多晶硅形成棒形的單晶主體后，對此單晶主體進行外部表面加工，做成具有一定的直徑，切斷成一定的長度，完成制造單晶體過程。下面對用CZ方法形成單晶的方法進行簡單說明。
CZ方法是首先把籽晶(seed crystal)浸漬在多晶硅的熔融液中，然后拉拔，進行從籽晶生長出細長的單晶的縮頸(necking)的步驟。然后，進行使單晶在與籽晶垂直的直徑方向生長的肩部(shouldering)步驟，使生長了的單晶具有規(guī)定尺寸以上的直徑，通過繼續(xù)主體生長步驟，生長了的部分成為制作晶片的部分。然后，在使單晶主體僅生長到規(guī)定的長度后，使單晶主體的直徑減小，最后，經(jīng)過使生長了的單晶主體與硅的熔融液部分分離的料尾(tailing)步驟，完成結(jié)晶生長過程。
其次，把所述結(jié)晶生長了的單晶主體切斷，僅留下主體生長了的部分，然后進行外表面加工(研磨)，使留下的此棒形的部分具有規(guī)定的直徑。然后，把具有此規(guī)定直徑的棒形單晶主體切斷，使其具有一定的長度，完成制造具有規(guī)定長度單晶體。
最后，利用內(nèi)圓周或外圓周刀片或鋼絲，把所述單晶體切成一定厚度的薄片，制造了晶片，然后進行一系列復(fù)雜的成形過程和拋光過程，形成適合用于制造半導(dǎo)體元件的晶片。
可是，在這樣的單晶硅晶體的生長過程中，縮頸、肩部、主體成長、料尾過程是在使籽晶與多晶硅熔融液接觸的狀態(tài)下，使籽晶生長到作為目標(biāo)的單晶體的直徑和長度的過程，過程進行中必須考慮各種各樣的過程變量。
因此，在把所述切斷了的主體切成薄片，制造晶片之前，如上所述，通過評價切斷結(jié)晶生長晶體得到的小片(slug)的質(zhì)量，確認(rèn)所述晶體的以比電阻為主的其他質(zhì)量是否滿足用戶要求。
以往由于用經(jīng)驗值決定所述單晶體的切斷和取樣位置，進行等間隔評價，即，評價以一定間隔，例如，10cm等切斷后得到的小片和晶片的質(zhì)量，所以存在有每一個晶體的質(zhì)量評價費用過高的問題。

發(fā)明內(nèi)容
鑒于上述問題，本發(fā)明的目的是提供一種結(jié)晶生長晶體的質(zhì)量評價方法，選擇分辨在結(jié)晶生長過程中監(jiān)控的、影響晶體質(zhì)量的主要因素(X因素)等后，以對它們進行統(tǒng)一的對比和分析的結(jié)果為基礎(chǔ)，可以提供更合理而且科學(xué)地制定確定單晶體的切斷位置和取樣位置的取樣規(guī)則。
此外，本發(fā)明的目的是提供單晶體的質(zhì)量評價方法，可以使剩余的檢驗和不使用的最初的量最小化，用自動化系統(tǒng)構(gòu)建所述晶體的切斷和取樣的活動，根據(jù)對晶體切斷位置的客觀的數(shù)據(jù)計算和作成數(shù)據(jù)庫，可以使業(yè)務(wù)的生產(chǎn)率和效率最大化。
為了達到所述目的，本發(fā)明提供一種結(jié)晶生長晶體的質(zhì)量評價方法，是包括確定切斷位置和取樣位置的步驟以及試樣評價步驟的單晶體的質(zhì)量評價方法，其特征在于，所述確定切斷位置和取樣位置的步驟包括a)確定所述試樣位置，輸入按照不同裝備、不同制品確定切斷位置、取樣位置和最初位置的基本信息；b)根據(jù)所述基本信息，預(yù)先確定切斷位置、最初位置和取樣位置；c)監(jiān)控晶體生長過程，分析和保存與晶體生長相關(guān)的X因素；d)反映所述基本信息和所述X因素，確定切斷位置和取樣位置。
所述步驟d)是確定最初開始和終了位置的步驟，其特征在于，步驟d-1)是設(shè)定對所述X因素的管理界限的步驟；d-2)是確認(rèn)所述X因素是否在管理界限內(nèi)的步驟；d-3)是把所述X因素偏離所述管理界限的前或后位置確定為最初開始和終了位置的步驟。
所述步驟c)的X因素是從晶體的直徑、籽晶結(jié)晶的拉拔速度和旋轉(zhuǎn)速度、磁場強度中選擇的一個以上的因素。
所述質(zhì)量評價方法還包括為了預(yù)測電阻，對生長了的晶體的重量和直徑進行測定的步驟。
此外，所述試樣評價步驟的特征在于包括e)按在所述步驟d)確定了的位置切斷晶體，形成小片和塊；f)評價所述小片；g)保存所述小片評價結(jié)果和切斷位置數(shù)據(jù)；h)評價試樣的質(zhì)量。
所述步驟e)的特征在于包括e-1)在所述步驟d)中確定的尾部位置切斷晶體，形成尾部終了小片；e-2)采用所述尾部終了小片測定電阻；e-3)在所述步驟d)確定的肩部位置切斷晶體，測定所述肩部的重量；e-4)在所述步驟d)確定的最初開始位置切斷晶體，采用所述最初開始小片測定電阻。
所述步驟f)的特征在于包括f-1)利用所述晶體的重量和不同位置的直徑、最初開始和尾部位置小片的比電阻值，計算分配系數(shù)值(K)；f-2)利用所述測定的肩部的重量和所述分配系數(shù)值，計算初始比電阻值(R0)；f-3)從所述初始比電阻值和分配系數(shù)值計算固化率(g)；f-4)利用與所述晶體的位置相關(guān)的直徑，計算不同位置的累積固化率值；f-5)利用所述位置和固化率的關(guān)系，預(yù)測正確的最初位置。
所述步驟h)的特征在于包括h-1)把所述晶體切成薄片，形成試樣；h-2)評價所述試樣的質(zhì)量。
在所述步驟h-2)的質(zhì)量評價結(jié)果不滿足的情況下，重新確定取樣位置進行取樣，然后重新評價質(zhì)量。
所述質(zhì)量評價方法還包括把所述步驟h-2)的質(zhì)量評價結(jié)果輸入到基本信息中的步驟。
這樣，采用本發(fā)明的結(jié)晶生長晶體的質(zhì)量評價方法，有如下效果首先，本發(fā)明通過選擇分辨在結(jié)晶生長過程中監(jiān)控的、影響晶體質(zhì)量的主要因素(X因素)等后，以對它們進行統(tǒng)一的對比和分析的結(jié)果為基礎(chǔ)，制定確定單晶體的切斷位置和取樣位置、取樣數(shù)的規(guī)則，解決了取樣數(shù)過多的問題。
此外，本發(fā)明由于在計算最初開始和終了的位置后進行切斷，所以使剩余檢驗和不使用的最初的量最小化。
這樣，在以往的等間隔評價的情況下，在同一個顧客制品的情況下，由于切斷位置和取樣位置相同，試樣的評價費用過多，而采用本發(fā)明，試樣評價費用可以最小化。
此外，本發(fā)明反映出，在分別對所述監(jiān)控的X因素的異常生長位置、根據(jù)小片評價的最初電阻預(yù)測位置、和質(zhì)量相關(guān)數(shù)據(jù)的Y因素進行分析后，把所述各種數(shù)據(jù)輸入和保存，確定切斷和取樣位置以及取樣數(shù)的活動。
由此，可以對晶體切斷位置和取樣位置等的客觀的數(shù)據(jù)進行計算，把它們作成數(shù)據(jù)庫，可以使業(yè)務(wù)的生產(chǎn)率和效率最大化。
此外，本發(fā)明用自動化系統(tǒng)構(gòu)建切斷和取樣業(yè)務(wù)，可以使過程自動化，這樣，具有使操作人員和現(xiàn)場業(yè)務(wù)量減少的良好的效果。


圖1是整體表示本發(fā)明的結(jié)晶生長晶體的質(zhì)量評價方法的流程圖。
圖2a是表示本發(fā)明一種實施方式的X因素監(jiān)控結(jié)果的圖。
圖2b是表示按圖2a的監(jiān)控結(jié)果取樣的例子的圖。
圖3是表示用于預(yù)測本發(fā)明的一種實施方式的最初比電阻位置的晶體切斷位置的斷面圖。
圖3b表示用于試樣質(zhì)量評價的評價項目和取樣數(shù)。
圖4是簡單表示本發(fā)明的一種實施方式的系統(tǒng)的圖。
具體實施例方式
下面參照附圖對本發(fā)明的優(yōu)選實施方式進行詳細說明。
本發(fā)明的結(jié)晶生長晶體質(zhì)量評價方法被大致區(qū)分成確定切斷位置和取樣位置的步驟、以及試樣評價步驟。
此時，確定所述切斷位置和取樣位置的步驟包括如下子步驟a)確定所述取樣位置，輸入按照不同裝備、不同制品確定切斷位置、取樣位置和最初位置的基本信息；b)按照所述基本信息，預(yù)先確定切斷位置、最初位置、和取樣位置；c)監(jiān)控晶體生長過程，分析和保存與晶體生長相關(guān)的X因素；d)反映與所述基本信息和晶體生長相關(guān)的X因素，確定切斷位置和取樣位置。
如圖1所示，首先，操作人員以已有的數(shù)據(jù)為基礎(chǔ)，輸入不同裝備、不同制品的晶體的切斷位置、取樣方法(取樣位置和取樣數(shù))、以及最初位置選定方法的基本信息(步驟a))。所謂所述基本信息是指根據(jù)以往的經(jīng)驗值的切斷位置和取樣位置、取樣數(shù)等。
此外，使用于后面敘述的試樣的質(zhì)量評價的評價項目和取樣數(shù)最少，用基本取樣規(guī)則表示在圖3b中。
在所述圖3b的表中，Res(Resistivity)是比電阻值，Oi是氧的濃度，OISF(Oxidation Induced Stacking Fault)是氧化堆垛層錯，Cs是碳濃度，F(xiàn)PD(Flow Pattern Defects)是空位缺陷，是對晶片表面的間接浸蝕后顯現(xiàn)的缺陷，LDP(Loop Dislocation Pit)是環(huán)型電位坑，意味著空隙型缺陷。
其次，根據(jù)所述輸入的基本信息，預(yù)先確定切斷位置和取樣位置(步驟b))。
然后，監(jiān)控晶體生長過程，分析和保存與晶體生長相關(guān)的主要因素(下面稱為“X因素”)(步驟c))。此時，X因素是用于在晶體生長過程中使希望的晶體的直徑和晶體缺陷少的高純度單晶體生長的主要過程變量，意味著高的磁場強度、晶體的直徑、拉拔速度和旋轉(zhuǎn)速度等。特別是，籽晶結(jié)晶的拉拔速度左右由模糊的熱區(qū)(hot zone)構(gòu)造決定的溫度條件、以及要生長的單晶體的直徑、生長速度和質(zhì)量。
這不僅是對所述切斷和取樣位置的基本信息，而且是通過補充如所述監(jiān)控的籽晶結(jié)晶的拉拔速度的X因素，使晶體的切斷位置和取樣位置最佳化，使取樣數(shù)最小化的。
如更具體地研究，由于單晶體的直徑與拉拔速度成反比，所以為了使晶體的直徑增加，要降低拉拔速度，而降低拉拔速度在經(jīng)濟方面有一定的限制，在籽晶結(jié)晶的拉拔速度不是足夠高的情況下，在單晶生長過程中產(chǎn)生的點缺陷會擴散移動，形成大規(guī)模的位錯環(huán)，誘發(fā)所謂的大位錯(large dislocation)這樣的晶體質(zhì)量問題。
另一方面，如增加籽晶結(jié)晶的拉拔速度，不僅不能充分確保希望的晶體直徑，而且在結(jié)晶生長時，固化區(qū)域的冷卻變快，發(fā)生過多存在的點缺陷在晶體的邊緣部位，沒能充分脫離就直接固定附著在結(jié)晶體內(nèi)的問題。
與產(chǎn)生結(jié)晶缺陷相關(guān)聯(lián)，如更具體地研究，如籽晶結(jié)晶的拉拔速度高于目標(biāo)拉拔速度范圍，則產(chǎn)生空位缺陷亦即FPD，在與此相反的情況下，則產(chǎn)生空隙型缺陷亦即LDP(環(huán)型電位坑)。
因此，更優(yōu)選的是，選擇對單晶的生產(chǎn)率和質(zhì)量有重大影響的籽晶結(jié)晶的拉拔速度，作為所述X因素。
此外更優(yōu)選的是，為了后面敘述的電阻預(yù)測，測定生長了的晶體的重量，為了補充試樣，測定所述晶體的直徑。
然后是反映所述基本信息和與晶體生長相關(guān)的X因素，確定切斷位置和取樣位置的步驟(步驟d))，在步驟d)中，在確定最初開始和終了位置后，將塊切斷。
也就是，所述步驟d)是根據(jù)在所述步驟c)中分析的主要X因素，確定最初開始和終了位置的步驟，其包括對所述X因素的管理界限進行設(shè)定的步驟d-1)、確認(rèn)所述X因素是否在管理界限內(nèi)的步驟d-2)、把所述X因素離開所述管理界限的前或后位置確定為最初開始和終了位置的步驟d-3)。
如圖2a所示，操作人員首先預(yù)先設(shè)定對如所述籽晶結(jié)晶的拉拔速度這樣的X因素的管理界限，確認(rèn)在晶體生長過程中監(jiān)控的所述籽晶結(jié)晶的拉拔速度是否已經(jīng)在設(shè)定的管理界限內(nèi)，然后把所述籽晶結(jié)晶的拉拔速度離開所述管理界限的前或后位置確定為切斷位置或/和取樣位置。
本發(fā)明按照在所述步驟a)中輸入的基本信息，預(yù)先確定切斷位置和取樣位置(步驟b))后，還考慮如所述籽晶結(jié)晶的拉拔速度這樣的影響晶體生長條件的主要因素，確定切斷位置和取樣位置，由此，解決以往靠經(jīng)驗值確定切斷位置和用等間隔取樣(10cm)造成的取樣數(shù)過多的問題。
也就是，本發(fā)明由于計算最初開始和終了位置后進行切斷，所以解決了剩余檢驗的問題，可以使不使用的最初的量最小化。
此外如上所述，把確定的切斷位置輸入到基本信息中，作用于補充試樣位置，把它稱為通過X因素分析的試樣補充。
然后，所述試樣評價步驟包括按在所述步驟d)中確定的位置切斷晶體，形成小片和塊(步驟e))；評價所述小片(步驟f))；以及保存所述評價結(jié)果和切斷位置數(shù)據(jù)(步驟g))。
考慮在所述步驟a)中輸入的基本信息和在所述步驟c)中監(jiān)控的籽晶結(jié)晶的拉拔速度這樣的X因素，確定切斷位置(步驟d))后，按確定的位置切斷晶體，形成小片(步驟e)，參照圖2b)。
此時，對形成所述小片和塊的步驟e)進行更具體的研究，情況如下。
首先，在所述步驟d)中確定的尾部位置切斷晶體，形成尾部終了小片(e-1)，采用所述尾部終了小片，測定電阻(e-2)后，在所述步驟d)中確定的肩部位置切斷晶體，為了后面敘述的電阻預(yù)測，在測定所述肩部的重量(e-3)后，在通過所述步驟d)中確定的最初開始位置切斷晶體，采用所述最初開始小片，測定電阻(e-4)。
其次，如上所述，評價被切斷后形成的小片的步驟(步驟f))是利用下述公式，分析小片數(shù)據(jù)的步驟，包括利用所述晶體重量和不同位置的直徑、最初開始和尾部位置小片的比電阻值，計算分配系數(shù)值(K)的步驟f-1)；利用所述測定的肩部重量和所述分配系數(shù)值，計算初始比電阻值(R0)的步驟f-2)；從所述初始比電阻值和分配系數(shù)值(K)計算固化率(g)的步驟f-3)；利用與所述晶體的位置相關(guān)聯(lián)的直徑，計算不同位置的累積固化率值(g)的步驟f-4)；利用所述位置和固化率的關(guān)系，預(yù)測正確的最初位置的步驟f-5)(參照圖3)。
也就是，所述步驟f)是通過分析小片數(shù)據(jù)，事前預(yù)測最大滿足最初制品的比電阻質(zhì)量的位置，使最初的長度最大的步驟，通過晶體生長速度、在所述步驟e)中測定的尾部終了小片的電阻、肩部的重量、以及由下述的基本公式對所述的最初的比電阻進行預(yù)測的步驟如下。

首先，使用在采用小片的位置的固化率和小片比電阻，利用下述公式1，計算K值(分配系數(shù))。
k=1-lnRBSRBEln1-gBS1-gBE]]>然后，測定肩部的重量后，利用下述公式2，計算R0值。
RO=RBS(1-gBS)1-K]]>然后，利用下述公式3，計算與顧客比電阻特性相當(dāng)?shù)膅值(固化率)。
gPS=1-(RPSRO)11-K]]>然后，計算與顧客比電阻特性相當(dāng)?shù)木w的位置。也就是，利用下述的晶體直徑輪廓加工機床(Diameter Profiler，直徑仿形銑床)，測定了晶體不同位置的直徑后，計算不同位置的累積g值(固化率)。
PX=Pn+gX-gngn+1-gn×(Pn+1-Pn)]]>最后，利用與所述位置相關(guān)聯(lián)的固化率關(guān)系(位置對固化率)，使用比例式確定正確的最初的位置。
此外，保存所述小片評價結(jié)果和切斷位置數(shù)據(jù)(步驟g))，它是把所述步驟f)的小片評價結(jié)果輸入到所述基本信息中，以便把所述切斷位置設(shè)定在切斷預(yù)定位置，或可以刪除此信息步驟f)。
也就是如上所述，在預(yù)測的最初電阻預(yù)測位置補充試樣，這樣，確定最終試樣位置。
最后，評價所述試樣質(zhì)量的步驟(步驟h))包括把所述晶體切成薄片，形成試樣(步驟h-1))；評價所述試樣質(zhì)量(步驟h-2))，僅在滿足所述質(zhì)量評價結(jié)果的情況下，進行晶片制造的下一個過程。
也就是，如上所述，按補充或確定的位置，把晶體切成薄片，形成試樣，取樣后按所述晶體的氧的濃度、比電阻、碳濃度等所述的質(zhì)量評價項目，評價它的質(zhì)量。
此外，在不滿足所述步驟h-2)的質(zhì)量評價結(jié)果的情況下，重新確定取樣位置，取樣后對質(zhì)量再進行評價，然后在它的結(jié)果滿足的情況下，進行晶片制造的下一個過程。
此時，優(yōu)選的是，通過分析所述質(zhì)量數(shù)據(jù)(Y因素)，并輸入到所述基本信息(步驟a))，補充試樣，把它稱為按Y因素分析的試樣補充。
如上所述，本發(fā)明分別分析所述監(jiān)控的X因素的異常生長位置、按小片評價的最初電阻預(yù)測位置、以及Y因素等，輸入和保存所述數(shù)據(jù)，以反映晶體的切斷和取樣過程。
也就是，在用于評價晶體質(zhì)量的過程中，不是統(tǒng)一確定切斷位置、試樣位置和取樣數(shù)等，還考慮晶體生長數(shù)據(jù)、質(zhì)量數(shù)據(jù)等，制定了可以柔性確定的取樣規(guī)則，按所述的規(guī)則進行切斷和取樣過程，可以使剩余檢驗和不使用的最初的量最小化(參照圖4)。
如以上的說明所述，本發(fā)明僅對一個優(yōu)選的具體例子進行了敘述，但本領(lǐng)域的技術(shù)人員清楚，在以所述具體例子為基礎(chǔ)的本發(fā)明的技術(shù)思想范圍內(nèi)，可以進行多種變形和修正，此外，這樣的變形和修正當(dāng)然落入所附權(quán)利要求的范圍。
權(quán)利要求
1.一種結(jié)晶生長晶體的質(zhì)量評價方法，是包括確定切斷位置和取樣位置步驟以及試樣評價步驟的單晶體的質(zhì)量評價方法，其特征在于，確定所述切斷位置和取樣位置的步驟包括a)確定所述取樣位置，輸入按照不同裝備、不同制品確定切斷位置、取樣位置和最初位置的基本信息；b)按所述基本信息，預(yù)先確定切斷位置、最初位置、以及取樣位置；c)監(jiān)控晶體生長過程，分析和保存與晶體生長相關(guān)聯(lián)的X因素；d)反映所述基本信息和所述X因素，確定切斷位置和取樣位置。
2.如權(quán)利要求1所述的結(jié)晶生長晶體的質(zhì)量評價方法，其特征在于，所述步驟d)是確定最初開始和終了位置的步驟，包括d-1)設(shè)定對所述X因素的管理界限；d-2)確認(rèn)所述X因素是否在管理界限內(nèi)；d-3)把所述X因素脫離所述管理界限的前、后位置確定為最初開始和終了位置。
3.如權(quán)利要求1所述的結(jié)晶生長晶體的質(zhì)量評價方法，其特征在于，所述步驟c)的X因素是從晶體的直徑、籽晶結(jié)晶的拉拔速度、旋轉(zhuǎn)速度、以及磁場強度中選擇的一個以上的因素。
4.如權(quán)利要求1所述的結(jié)晶生長晶體的質(zhì)量評價方法，其特征在于，還包括用于電阻預(yù)測而測定生長了的晶體的重量和直徑的步驟。
5.如權(quán)利要求1所述的結(jié)晶生長晶體的質(zhì)量評價方法，其特征在于，所述試樣評價步驟包括e)按在所述步驟d)中確定的位置切斷晶體，形成小片和塊；f)評價所述小片；g)保存所述小片評價結(jié)果和切斷位置數(shù)據(jù)；h)評價試樣的質(zhì)量。
6.如權(quán)利要求5所述的結(jié)晶生長晶體的質(zhì)量評價方法，其特征在于，所述步驟e)包括e-1)在所述步驟d)中確定的尾部位置切斷晶體，形成尾部終了小片；e-2)采用所述尾部終了小片，測定電阻；e-3)在所述步驟d)中確定的肩部位置切斷晶體，測定所述肩部的重量；e-4)在所述步驟d)中確定的最初開始位置切斷晶體，采用所述最初開始小片，測定電阻。
7.如權(quán)利要求5所述的結(jié)晶生長晶體的質(zhì)量評價方法，其特征在于，所述步驟f)包括f-1)利用所述晶體的重量和不同位置的直徑、以及最初開始和尾部位置小片的比電阻值，計算分配系數(shù)值(K)；f-2)利用測定的所述肩部的重量和所述分配系數(shù)值，計算初始比電阻值(R0)；f-3)由所述初始比電阻值和分配系數(shù)值計算固化率(g)；f-4)利用與所述晶體的位置相關(guān)聯(lián)的直徑，計算不同位置的累積固化率值；f-5)利用所述位置和固化率的關(guān)系，預(yù)測正確的最初位置。
8.如權(quán)利要求5所述的結(jié)晶生長晶體的質(zhì)量評價方法，其特征在于，所述步驟h)包括h-1)把所述晶體切成薄片，形成試樣；h-2)評價所述試樣的質(zhì)量。
9.如權(quán)利要求8所述的結(jié)晶生長晶體的質(zhì)量評價方法，其特征在于，在不滿足所述步驟h-2)的質(zhì)量評價結(jié)果的情況下，重新確定取樣位置進行取樣后，再對質(zhì)量進行評價。
10.如權(quán)利要求8或9所述的結(jié)晶生長晶體的質(zhì)量評價方法，其特征在于，還包括把所述步驟h-2)的質(zhì)量評價結(jié)果輸入到基本信息中的步驟。
全文摘要
本發(fā)明提供結(jié)晶生長晶體的質(zhì)量評價方法，包括確定切斷位置和取樣位置的步驟和試樣評價步驟，前一步驟包括a)確定試樣位置，輸入按照不同裝備、不同制品確定切斷位置、取樣位置和最初位置的基本信息；b)按基本信息預(yù)先確定切斷位置、最初位置和取樣位置；c)監(jiān)控晶體生長過程，分析和保存與晶體的生長相關(guān)的X因素；d)反映基本信息和X因素，確定切斷位置和取樣位置。這樣，在選擇分辨監(jiān)控的影響晶體質(zhì)量的主要因素(X因素)后，以進行統(tǒng)一對比和分析為基礎(chǔ)，制定確定切斷位置和取樣位置、取樣數(shù)的規(guī)則，使剩余檢驗和不使用的最初的量最小化，把數(shù)據(jù)制作成數(shù)據(jù)庫，用自動化系統(tǒng)構(gòu)建切斷和取樣業(yè)務(wù)，可以使操作人員和現(xiàn)場的業(yè)務(wù)量減少。
文檔編號H01L21/66GK1916245SQ20061008706
公開日2007年2月21日 申請日期2006年6月14日 優(yōu)先權(quán)日2005年6月14日
發(fā)明者金珍根, 趙鉉鼎 申請人:希特隆股份有限公司