專利名稱：半導(dǎo)體裝置與形成柵極間隔物的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是有關(guān)于一半導(dǎo)體裝置的柵極結(jié)構(gòu)的側(cè)邊上的柵極間隔物的制作，且特別是有關(guān)于一種控制間隔物的氧化物損失的方法。
背景技術(shù)：
隨著微型化能力或者是具有次微米尺寸的半導(dǎo)體元件的制造能力的演進(jìn)，元件效能逐漸改進(jìn)且其制造成本亦隨之減少。較小的元件尺寸可降低寄生接合電容(parasitic junctioncapacitances)表現(xiàn)的劣化情形。此外，于較多數(shù)量的具有次微米尺寸(sub-micron features)的較小半導(dǎo)體晶片中仍可表現(xiàn)出等于或大于對(duì)應(yīng)數(shù)量的具有較大尺寸的半導(dǎo)體晶片的一元件密度。因此于一特定尺寸的基底內(nèi)可形成較多的較小半導(dǎo)體晶片，因此降低了個(gè)別半導(dǎo)體晶片的制造成本。不過，對(duì)于特定的半導(dǎo)體元件而言，微型化制作的趨勢(shì)可能為迫切需要的。舉例來說，對(duì)于0.13微米以下的制程技術(shù)而言，形成于柵極結(jié)構(gòu)的側(cè)邊上的柵極間隔物(gate spacers)的厚度可少于700埃，且通常于柵極間隔物之下、柵極間隔物與柵極結(jié)構(gòu)之間以及柵極間隔物與半導(dǎo)體基底之間形成有一薄的襯氧化層(liner oxide layer)。隨著半導(dǎo)體元件置入于含氫氟酸(H F)的濕蝕刻制程次數(shù)的增加，將會(huì)造成位于如此的薄氧化物襯層的底部與頂部的底切情形。且由于柵極與基底間的短路與漏電流情形的發(fā)生，上述底切情形將導(dǎo)致良率的降低。
圖1至圖3顯示了形成于一柵極間隔物與一柵極結(jié)構(gòu)之間的襯層氧化物層的底切問題。舉例來說，圖1顯示了現(xiàn)有的一互補(bǔ)型金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)裝置的部分結(jié)構(gòu)的剖面圖。此CMOS裝置是形成于一基底2的表面，其包括作為柵極結(jié)構(gòu)6的一層?xùn)艠O材料，其通常包括多晶硅；一柵極絕緣層4，形成于基底2的表面；一襯層8，設(shè)置于基底2的表面上，包括位于柵極結(jié)構(gòu)6的表面；以及一層?xùn)艠O間隔物材料10，其設(shè)置于襯層8的表面。上述結(jié)構(gòu)與其形成制程為現(xiàn)有的。
圖2則為圖1的結(jié)構(gòu)于該層的柵極間隔物材料經(jīng)蝕刻后且停止于襯層8上的情形。此外，亦顯示了形成于柵極結(jié)構(gòu)6的側(cè)壁上的柵極間隔物7。于柵極間隔物7形成后，便需要移除自基底表面露出的襯層8部分。如此的制程需通過采用含氫氟酸溶液的濕蝕刻制程以蝕刻襯層8。
于上述蝕刻制程施行后的結(jié)果則如圖3所示。于圖3的剖面圖中特別顯示出底切區(qū)9，此區(qū)域是于蝕刻襯層8時(shí)因柵極間隔物7下方的襯層8遭受蝕刻所造成，因而導(dǎo)致于柵極間隔物7與柵極結(jié)構(gòu)6間的介面處以及于柵極間隔物7與基底2的介面處的襯層8損失。由于底切區(qū)9內(nèi)的襯層8的損失，因此上述裝置的隔離性與其電性表現(xiàn)便遭受負(fù)面的影響。
如此，便需要一種柵極間隔物的制造方法，借以克服上述的問題。

發(fā)明內(nèi)容
為了克服上述的問題，本發(fā)明是關(guān)于一種形成柵極間隔物的方法，適用于一半導(dǎo)體基底上的一柵極結(jié)構(gòu)的側(cè)邊上形成柵極間隔物。該方法包括下列步驟形成一柵極結(jié)構(gòu)，該柵極結(jié)構(gòu)覆蓋于一半導(dǎo)體基底的一柵絕緣層上；形成一襯層于該半導(dǎo)體基底、該柵絕緣層與該柵極結(jié)構(gòu)的露出部上；形成一柵極間隔物材料層于該襯層上；定義該柵極間隔物材料層，以形成該些間隔物；形成一保護(hù)層于部分的該襯層、該柵極結(jié)構(gòu)以及該柵極間隔物上；部分移除該保護(hù)層，露出該襯層、該柵極結(jié)構(gòu)與該些柵極間隔物的一頂部；施行一第一濕蝕刻制程，大體移除該襯層的露出部；移除該保護(hù)層；以及施行一第二濕蝕刻制程，大體移除該襯層的一底部與一頂部。
本發(fā)明所述的形成柵極間隔物的方法，更包括形成一應(yīng)力層于部分的該半導(dǎo)體基底、該柵極結(jié)構(gòu)、該襯層與該些柵極間隔物上的步驟。
本發(fā)明所述的形成柵極間隔物的方法，其中該柵極間隔物材料層包括氮化硅。
本發(fā)明所述的形成柵極間隔物的方法，其中該柵極間隔物材料層包括氮氧化硅。
本發(fā)明所述的形成柵極間隔物的方法，其中該柵極間隔物材料層包括由氮化物與氧化物所組成的一復(fù)合膜層。
本發(fā)明所述的形成柵極間隔物的方法，其中該底部損失與該頂部損失之間具有大于等于50埃的一厚度差。
本發(fā)明的形成柵極間隔物的方法，包括下列步驟形成一柵極結(jié)構(gòu)，該柵極結(jié)構(gòu)覆蓋于一半導(dǎo)體基底的一柵絕緣層上；形成一襯層于該半導(dǎo)體基底、該柵絕緣層與該柵極結(jié)構(gòu)的露出部上；形成一柵極間隔物材料層于該襯層上；定義該柵極間隔物材料層，以形成該些間隔物；形成一保護(hù)層于部分的該襯層、該柵極結(jié)構(gòu)以及該柵極間隔物上；施行一去光致抗蝕劑制程，露出該襯層、該柵極結(jié)構(gòu)與該些柵極間隔物的一頂部；施行一第一濕蝕刻制程，大體移除該襯層的露出部；移除該保護(hù)層；以及施行一第二濕蝕刻制程，大體移除該襯層的一底部與一頂部。
一種半導(dǎo)體裝置，包括一柵極結(jié)構(gòu)，形成于一半導(dǎo)體基底的一柵絕緣層上；多個(gè)間隔物，形成并緊鄰該柵極結(jié)構(gòu)；以及一第一襯層，形成于該些間隔物與該柵極結(jié)構(gòu)間的一介面上，進(jìn)而定義出該襯層的一上部，以及一第二襯層，形成于該柵極間隔物與該半導(dǎo)體基板間的一介面，進(jìn)而定義出該襯層的一底部，其中該頂部損失與該底部損失之間具有大于或等于50埃的一厚度差。
本發(fā)明所述的半導(dǎo)體裝置，更包括一金屬硅化物層，形成于該柵極結(jié)構(gòu)的上表面以及該半導(dǎo)體基底的部分表面。
本發(fā)明所述的半導(dǎo)體裝置，更包括一應(yīng)力層，形成于部分的該半導(dǎo)體基底、該柵極結(jié)構(gòu)、該第一襯層、該第二襯層、該金屬硅化物層與該些柵極間隔物上。
本發(fā)明所述的半導(dǎo)體裝置與形成柵極間隔物的方法，采用保護(hù)層保護(hù)襯層免于受到濕蝕刻制程的蝕刻。


圖1至圖3為一系列剖面圖，用以說明設(shè)置于柵極間隔物與柵極結(jié)構(gòu)之間的襯氧化物層所遭遇的現(xiàn)有底切問題；圖4為依據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的于一柵極結(jié)構(gòu)側(cè)壁上的間隔物的制造中，于一柵極絕緣層上形成柵極結(jié)構(gòu)的一剖面圖；圖5則顯示了依據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例中，圖4所示的結(jié)構(gòu)于后續(xù)步驟中形成有一襯層的一示意圖；圖6顯示了依據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例中，圖5所示的結(jié)構(gòu)于后續(xù)步驟中形成有一柵極間隔物材料層于襯層上的一示意圖；圖7顯示了依據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例中，圖6所示的結(jié)構(gòu)于后續(xù)步驟中于蝕刻?hào)艠O間隔物材料層后形成柵極間隔物的一示意圖；圖8顯示了依據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例中，圖7的結(jié)構(gòu)于形成一保護(hù)層于部分的襯層、柵極結(jié)構(gòu)與柵極間隔物之上的一示意圖；圖9顯示了依據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例中，圖8的結(jié)構(gòu)于回蝕刻部分的該保護(hù)層后的一示意圖；圖10顯示了依據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例中，圖9的結(jié)構(gòu)于后續(xù)的一第一濕蝕刻施行之后，部分移除襯層的露出部后的一示意圖；圖11則顯示了依據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例中，圖10的結(jié)構(gòu)于一后續(xù)步驟中移除保護(hù)層12后的一示意圖；圖12顯示了依據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例中，圖11所示結(jié)構(gòu)于一后續(xù)步驟中，通過一第二濕蝕刻的施行而移除襯層的一底部與一頂部的示意圖。
具體實(shí)施例方式
為了讓本發(fā)明的上述和其他目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉一較佳實(shí)施例，并配合所附圖示，作詳細(xì)說明如下本發(fā)明將通過以下的較佳實(shí)施例加以說明，而本發(fā)明的較佳實(shí)施例適用于N溝道或P溝道的金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)裝置以及互補(bǔ)型金屬氧化物半導(dǎo)體裝置(CMOS)。下文將詳細(xì)說明依據(jù)本發(fā)明的一種控制形成于柵極結(jié)構(gòu)側(cè)壁的間隔物內(nèi)氧化物損失的方法。
圖4為依據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的于一柵極結(jié)構(gòu)側(cè)壁上的間隔物的制造中，于一柵極絕緣層上形成柵極結(jié)構(gòu)的一剖面圖。柵極絕緣層4包括二氧化硅，可通過現(xiàn)有的熱氧化法而于半導(dǎo)體基底2上形成。于一實(shí)施例中，柵極絕緣層4是于氧氣水氣的一氣氛中以及約900℃的溫度下熱成長(zhǎng)約10～20分鐘的一既定時(shí)間，借以形成約20-150埃的厚度。柵極結(jié)構(gòu)6例如包括多晶硅或金屬硅化的多晶硅。于一實(shí)施例中，是于柵極絕緣層4的上沉積形成一多晶硅層并經(jīng)后續(xù)的微影技術(shù)與如非等向性多晶硅蝕刻的蝕刻程序所形成。上述蝕刻程序可依據(jù)柵極結(jié)構(gòu)6的圖案而自基底2的表面上移除了部分的多晶硅層與柵極絕緣層6，以形成柵極結(jié)構(gòu)6的主體。于柵極結(jié)構(gòu)6與柵極絕緣層4的膜層經(jīng)圖案化與蝕刻定義后，接著于基底2的表面上施行一自對(duì)準(zhǔn)的輕漏極摻雜離子注入(未圖示)。
圖5則顯示了依據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例中，圖4所示的結(jié)構(gòu)于后續(xù)步驟中形成有一襯層的一示意圖。用以形成期望間隔物的起始步驟起始于沉積一襯層8于基底2、柵極絕緣層4與柵極結(jié)構(gòu)6的露出表面上。襯層8可包括二氧化硅并具有約50～300埃的一厚度，其可通過如低壓化學(xué)氣相沉積法(LPCVD)或等離子加強(qiáng)型化學(xué)氣相沉積法(PECVD)等方法所形成。由于于間隔物定義形成后，襯層8將大體作為間隔物的底層，因此襯層8的邊緣將露出于一連串的后續(xù)濕式清洗步驟中。而用于移除其他氧化硅膜層或者用于制備注入或金屬沉積用的一半導(dǎo)體表面的濕式清洗步驟通常采用含氫氟酸(HF)的溶液。對(duì)100∶1的稀釋氫氟酸(簡(jiǎn)稱為100∶1 DHF)溶液而言，襯層8的移除率約為165-185埃/每分鐘。對(duì)于襯層8而言，如此高的移除率將使得其多次暴露于如此的100∶1 DHF溶液中可能造成襯層8的嚴(yán)重?fù)p失，終究導(dǎo)致于最終間隔物結(jié)構(gòu)內(nèi)的嚴(yán)重底切情形。
圖6顯示了依據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例中，圖5所示的結(jié)構(gòu)于后續(xù)步驟中形成有一柵極間隔物材料層于襯層上的一示意圖。柵極間隔物材料層10可包括氮化硅(Si3N4)或氮氧化硅(SiON)。于本發(fā)明的一實(shí)施例中，是采用一氮化硅層作為柵極絕緣間隔物材料層之用并沉積于襯層8的表面，其可采用LPCVD或PECVD等方法，利用氨氣(NH3)與硅甲烷(SiH4)于介于300-400毫托(mTorr)的壓力與介于400-1000℃的溫度下形成，其厚度約為400-1000埃。依據(jù)另一實(shí)施例，氮化硅層則亦可利用LPCVD或PECVD等方法，采用包括二氯硅甲烷(SiCl2H2)與氨氣的混合反應(yīng)氣體沉積而成。于另一實(shí)施例中，柵極間隔物材料層可為包括由氮化物(簡(jiǎn)稱N)與氧化物(簡(jiǎn)稱O)所形成的一ONO復(fù)合層的間隔物(未見于圖6中)。于一實(shí)施例中，復(fù)合的ONO間隔物的形成起始于沉積一層氮化硅并接著通過一氧化硅層以覆蓋之所形成。氮化硅層可通過LPCVD或PECVD制程所形成，厚度約為200-700埃，而覆蓋于氮化硅層上的氧化硅層則可通過LPCVD或PECVD等方法，采用四乙氧基硅烷(TEOS)作為反應(yīng)物所得到，其厚度約為500-1100埃。
圖7顯示了依據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例中，圖6所示的結(jié)構(gòu)于后續(xù)步驟中于蝕刻?hào)艠O間隔物材料層后，自該柵極間隔物材料層形成柵極間隔物的一示意圖。如圖7所示，于一實(shí)施例中，形成于柵極結(jié)構(gòu)6的側(cè)壁上的間隔物10a可包括氮化硅，而于另一實(shí)施例(未圖示)，其亦可包括由氮化物與氧化物的一復(fù)合層。于本發(fā)明的方法中，用于蝕刻氮化硅材質(zhì)的柵極間隔材料層10可為一干蝕刻程序，例如為采用三氟甲烷(CHF3)或六氟化硫(SF6)與氧氣作為蝕刻反應(yīng)物的一反應(yīng)離子蝕刻(RIE)程序。
圖9顯示了依據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例中，圖8的結(jié)構(gòu)于形成一保護(hù)層于部分的襯層、柵極結(jié)構(gòu)與柵極間隔物之上的一示意圖。保護(hù)層12可包括一抗蝕劑材料，且可通過如旋轉(zhuǎn)涂布法的方法形成于部分的襯層8、柵極結(jié)構(gòu)6與柵極間隔物10a之上。保護(hù)層12的厚度是與柵極結(jié)構(gòu)6的厚度有關(guān)。保護(hù)層12可由現(xiàn)有半導(dǎo)體制作中所應(yīng)用的抗蝕劑材料所形成，例如正型光致抗蝕劑與負(fù)型光致抗蝕劑材料等但不以其加以限定。依據(jù)另一實(shí)施例，保護(hù)層12包括一抗蝕劑材料。接著采用如一干蝕刻或一干式灰化制程以回蝕刻保護(hù)層12，以得到如圖9所示的結(jié)構(gòu)。而當(dāng)保護(hù)層12包括底部抗反射材料(BARC)時(shí)，則將通過現(xiàn)有的去光致抗蝕劑(descum)制程的施行，以露出襯層8、柵極結(jié)構(gòu)6與柵極間隔物10a的部分頂部，而上述制程亦可含氧化反應(yīng)的干式灰化步驟。
圖10顯示了依據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例中，圖9的結(jié)構(gòu)于后續(xù)的一第一濕蝕刻施行之后，部分移除襯層8的露出部后的一示意圖。上述第一濕蝕刻可控制了介于柵極間隔物與柵極結(jié)構(gòu)間的一上部介面處的襯層8損失，并于一后續(xù)步驟中可大體于柵極結(jié)構(gòu)6上部與側(cè)邊處形成金屬硅化物。于如圖10所示的柵極間隔物10a形成后，接著將上述結(jié)構(gòu)置入于采用氫氟酸溶液的另一濕蝕刻制程中。上述氫氟酸溶液將更蝕刻襯層8的一上部，而此時(shí)襯層8的下方部分因?yàn)楸Ｗo(hù)層12所保護(hù)而不為氫氟酸溶液所蝕刻。圖11則顯示了圖10的結(jié)構(gòu)于一后續(xù)步驟中，通過一現(xiàn)有去除制程移除保護(hù)層12后的情形。
圖12顯示了依據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例中，圖11所示結(jié)構(gòu)于一后續(xù)步驟中，通過一第二濕蝕刻的施行而移除襯層8的一底部與一頂部的示意圖。于柵極間隔物10a形成后，由于襯層8的露出，故可自基底2的表面移除襯層8。再次的，可采用使用氫氟酸溶液的一濕蝕刻制程以蝕刻上述襯層8。經(jīng)蝕刻后的情形則如圖12所示。特別地，于圖12中分別顯示出底切區(qū)14與16，其皆由于蝕刻至柵極間隔物10a下方處的襯層所形成，因而造成柵極間隔物10a與基底2間的襯層8的損失。由于此些底切區(qū)14與16內(nèi)的襯層8損失，便對(duì)元件間的隔離特性與表現(xiàn)造成負(fù)面的影響。然而，于本發(fā)明中，由于采用保護(hù)層12作為一保護(hù)層以保護(hù)襯層8免于受到濕蝕刻制程的蝕刻，因此于上述制程流程中，于位于底部的底切區(qū)16中的蝕刻擴(kuò)展情形將不會(huì)較位于上部的底切區(qū)14中的蝕刻擴(kuò)展情形來得嚴(yán)重。依據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例，經(jīng)比較襯層8于底部的底切區(qū)16中損失與襯層8的于頂部的底切區(qū)14中的損失，兩者間具有大于等于50埃的一厚度差。
接著可于如圖12所示的結(jié)構(gòu)中的柵極結(jié)構(gòu)6上形成一金屬硅化接觸表面(未圖示)。于一實(shí)施例中，可通過等離子氣相沉積程序沉積如為鈷、鎳、鈦、鉭或鎢的一金屬層于其上，其厚度可介于50-100埃。接著施行如一快速熱回火(RTA)程序的一回火程序，以于柵極結(jié)構(gòu)6的表面上以及于源極/漏極區(qū)的表面上(皆未圖示)形成金屬硅化物，上述回火程序例如于介于450-550℃的溫度下施行約20-60秒的時(shí)間。此時(shí)，于底部的底切區(qū)16內(nèi)亦形成有金屬硅化物?；谏鲜霰Ｗo(hù)層12的應(yīng)用而使得底部的底切區(qū)16維持于一最低損失程度時(shí)，于經(jīng)摻雜的源極/漏極區(qū)與柵極結(jié)構(gòu)6上所形成的金屬硅化物層之間的距離可更為減少，不至于產(chǎn)生柵極-基底間的短路或漏電流的情形。
后續(xù)的半導(dǎo)體制作可更包括形成如為一接觸蝕刻停止層的一應(yīng)力層于如圖12所示的結(jié)構(gòu)上(未圖示)，以作為如圖12所示的結(jié)構(gòu)的一保護(hù)層之用。
雖然本發(fā)明已通過較佳實(shí)施例說明如上，但該較佳實(shí)施例并非用以限定本發(fā)明。本領(lǐng)域的技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，應(yīng)有能力對(duì)該較佳實(shí)施例做出各種更改和補(bǔ)充，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍以權(quán)利要求書的范圍為準(zhǔn)。
附圖中符號(hào)的簡(jiǎn)單說明如下2基底4柵極絕緣層6柵極結(jié)構(gòu)7柵極間隔物8襯層9底切區(qū)10柵極間隔物材料層10a柵極間隔物12保護(hù)層14頂部的底切區(qū)16底部的底切區(qū)
權(quán)利要求
1.一種形成柵極間隔物的方法，其特征在于，該形成柵極間隔物的方法包括下列步驟形成一柵極結(jié)構(gòu)，該柵極結(jié)構(gòu)覆蓋于一半導(dǎo)體基底的一柵絕緣層上；形成一襯層于該半導(dǎo)體基底、該柵絕緣層與該柵極結(jié)構(gòu)的露出部上；形成一柵極間隔物材料層于該襯層上；定義該柵極間隔物材料層，以形成該間隔物；形成一保護(hù)層于部分的該襯層、該柵極結(jié)構(gòu)以及該柵極間隔物上；部分移除該保護(hù)層，露出該襯層、該柵極結(jié)構(gòu)與該柵極間隔物的一頂部；施行一第一濕蝕刻制程，移除該襯層的露出部；移除該保護(hù)層；以及施行一第二濕蝕刻制程，移除該襯層的一底部與一頂部。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的形成柵極間隔物的方法，其特征在于，更包括形成一應(yīng)力層于部分的該半導(dǎo)體基底、該柵極結(jié)構(gòu)、該襯層與該柵極間隔物上的步驟。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的形成柵極間隔物的方法，其特征在于，該柵極間隔物材料層包括氮化硅。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的形成柵極間隔物的方法，其特征在于，該柵極間隔物材料層包括氮氧化硅。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的形成柵極間隔物的方法，其特征在于，該柵極間隔物材料層包括由氮化物與氧化物所組成的一復(fù)合膜層。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的形成柵極間隔物的方法，其特征在于，該底部損失與該頂部損失之間具有大于等于50埃的一厚度差。
7.一種形成柵極間隔物的方法，其特征在于，該形成柵極間隔物的方法包括下列步驟形成一柵極結(jié)構(gòu)，該柵極結(jié)構(gòu)覆蓋于一半導(dǎo)體基底的一柵絕緣層上；形成一襯層于該半導(dǎo)體基底、該柵絕緣層與該柵極結(jié)構(gòu)的露出部上；形成一柵極間隔物材料層于該襯層上；定義該柵極間隔物材料層，以形成該間隔物；形成一保護(hù)層于部分的該襯層、該柵極結(jié)構(gòu)以及該柵極間隔物上；施行一去光致抗蝕劑程序，露出該襯層、該柵極結(jié)構(gòu)與該柵極間隔物的一頂部；施行一第一濕蝕刻制程，移除該襯層的露出部；移除該保護(hù)層；以及施行一第二濕蝕刻制程，移除該襯層的一底部與一頂部。
8.一種半導(dǎo)體裝置，其特征在于，該半導(dǎo)體裝置包括一柵極結(jié)構(gòu)，形成于一半導(dǎo)體基底的一柵絕緣層上；多個(gè)間隔物，形成并緊鄰該柵極結(jié)構(gòu)；以及一第一襯層，形成于該間隔物與該柵極結(jié)構(gòu)間的一介面上，進(jìn)而定義出該襯層的一上部，以及一第二襯層，形成于該柵極間隔物與該半導(dǎo)體基板間的一介面，進(jìn)而定義出該襯層的一底部，其中該頂部損失與該底部損失之間具有大于或等于50埃的一厚度差。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，更包括一金屬硅化物層，形成于該柵極結(jié)構(gòu)的上表面以及該半導(dǎo)體基底的部分表面。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，更包括一應(yīng)力層，形成于部分的該半導(dǎo)體基底、該柵極結(jié)構(gòu)、該第一襯層、該第二襯層、該金屬硅化物層與該柵極間隔物上。
全文摘要
本發(fā)明是關(guān)于一種半導(dǎo)體裝置與形成柵極間隔物的方法。該方法包括下列步驟形成一柵極結(jié)構(gòu)，該柵極結(jié)構(gòu)覆蓋于一半導(dǎo)體基底的一柵絕緣層上；形成一襯層于該半導(dǎo)體基底、該柵絕緣層與該柵極結(jié)構(gòu)的露出部上；形成一柵極間隔物材料層于該襯層上；定義該柵極間隔物材料層，以形成該些間隔物；形成一保護(hù)層于部分的該襯層、該柵極結(jié)構(gòu)以及該柵極間隔物上；部分移除該保護(hù)層，露出該襯層、該柵極結(jié)構(gòu)與該些柵極間隔物的一頂部；施行一第一濕蝕刻制程，大體移除該襯層的露出部；移除該保護(hù)層；以及施行一第二濕蝕刻制程，大體移除該襯層的一底部與一頂部。本發(fā)明采用保護(hù)層保護(hù)襯層免于受到濕蝕刻制程的蝕刻。
文檔編號(hào)H01L21/28GK1838389SQ20061005810
公開日2006年9月27日 申請(qǐng)日期2006年3月2日 優(yōu)先權(quán)日2005年3月22日
發(fā)明者姜儒健, 孫書輝, 林立德 申請(qǐng)人:臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司