專利名稱：在柵氧生長工藝流程中減小淺溝槽隔離邊緣漏電的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種在半導(dǎo)體工藝流程中減小淺溝槽隔離(STI)邊緣漏電，尤其涉及一種在柵氧生長工藝流程中減小淺溝槽隔離邊緣漏電的方法。
背景技術(shù)：
隨著半導(dǎo)體制程工藝的不斷發(fā)展，對器件隔離性能的要求也越來越高，用STI作隔離的器件，一般對STI的漏電的要求都非常高。而STI頂部邊緣小角的形貌是影響STI邊緣漏電的一個非常重要的因素。當(dāng)STI頂部邊緣小角變深的時候，會對這以后的許多工藝造成影響。例如，在進(jìn)行多晶硅刻蝕的時候，如果STI頂部邊緣小角較深，采用干法刻蝕很難將小角內(nèi)的多晶硅刻蝕干凈，從而造成STI邊緣漏電；在進(jìn)行側(cè)墻刻蝕的時候，如果STI頂部邊緣小角較深，采用干法刻蝕很難將小角內(nèi)的氮化硅刻蝕干凈，也會造成STI邊緣漏電；在硅化物生長工藝中，如果STI頂部邊緣小角較深，硅化物則會沿著有源區(qū)邊緣往下生長，產(chǎn)生結(jié)漏電。
在現(xiàn)有的半導(dǎo)體工藝流程中，尤其像如圖1現(xiàn)有柵氧生長工藝流程示意圖所示。在柵氧生長之前，都會有N阱和P阱注入等，為了防止在注入過程中對硅片的過度損傷并有效控制注入過程中雜質(zhì)的注入深度，在阱注入之前都會用先生長一層犧牲氧化層。生長完犧牲氧化層并完成N阱和P阱注入之后，在柵氧生長之前，為了獲得高質(zhì)量的柵氧，都必須進(jìn)行較長時間的HF(氫氟酸)處理，徹底去除硅片表面可能殘余的二氧化硅。但是過長時間的HF處理，STI頂部邊緣的二氧化硅經(jīng)過其后的多次HF濕法刻蝕后，就會產(chǎn)生較深的小角1，如圖2用圓圈所標(biāo)示。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是提供一種在柵氧生長工藝流程中減小淺溝槽隔離邊緣漏電的方法，它不但可以減小STI邊緣漏電，并且可以節(jié)省熱預(yù)算。
為了解決以上技術(shù)問題，本發(fā)明提供了一種在柵氧生長工藝流程中減小淺溝槽隔離邊緣漏電的方法，所述的柵氧生長工藝流程至少包括以下步驟犧牲氧化層生長；阱注入；熱處理；柵氧生長；其中，它將利用等離子體化學(xué)氣相沉積方法生長的二氧化硅作為所述的犧牲氧化層。
因為本發(fā)明用等離子體化學(xué)氣相沉積(CVD)的二氧化硅作為N阱、P阱注入之前的犧牲氧化層，取代傳統(tǒng)的用爐子生長的熱二氧化硅作為犧牲氧化層，利用等離子體化學(xué)氣相沉積的二氧化硅更容易被HF刻蝕的原理，從而大大減短了在柵氧生長之前的HF處理時間，減少了由于該步HF處理對STI頂部邊緣小角的影響，達(dá)到獲得較小STI邊緣漏電流的效果。同時，也利用等離子體化學(xué)氣相沉積的二氧化硅的溫度更低的原理，節(jié)省了熱預(yù)算，并有助于減小硅片的靜態(tài)漏電流。


下面結(jié)合附圖和具體實施方式
對本發(fā)明做進(jìn)一步闡述。
圖1是現(xiàn)有柵氧生長工藝流程示意圖；圖2是現(xiàn)有工藝流程中的STI頂部邊緣的小角的狀況效果圖；圖3是本發(fā)明柵氧生長工藝流程示意圖；圖4是本發(fā)明工藝流程中的STI頂部邊緣的小角的狀況效果圖。
具體實施例方式
下面結(jié)合圖1、3進(jìn)行說明，圖3是本發(fā)明的柵氧生長工藝流程示意圖。在本發(fā)明的新工藝流程中，同樣依次包括以下步驟犧牲氧化層生長；阱注入模塊；其它注入模塊；HF處理；柵氧生長。它與現(xiàn)有工藝流程相比用等離子體化學(xué)氣相沉積的二氧化硅作為N阱P阱注入之前的犧牲氧化層，取代傳統(tǒng)的用爐子生長的熱二氧化硅作為犧牲氧化層。
本發(fā)明中，等離子體化學(xué)氣相沉積二氧化硅的溫度在300～450℃之間，這個溫度要比傳統(tǒng)的用爐子生長熱二氧化硅的溫度要低很多，傳統(tǒng)的用爐子生長熱二氧化硅的溫度一般在800～1200℃之間；此外，等離子體化學(xué)氣相沉積二氧化硅的時間在3分鐘以內(nèi)，要遠(yuǎn)遠(yuǎn)少于傳統(tǒng)的用爐子生長熱二氧化硅的時間，傳統(tǒng)的用爐子生長熱二氧化硅的時間其溫度高于800℃的時間一般在0.5～1.5小時之間。
可見，用新工藝流程比原工藝流程的熱預(yù)算要少許多，有助于減小由于長時間高溫的熱處理可能造成的由于應(yīng)力等諸多因素而造成的硅片靜態(tài)漏電流。
用1∶100的氫氟酸對等離子體化學(xué)氣相沉積的二氧化硅和傳統(tǒng)的用爐子生長的熱二氧化硅的刻蝕速率的研究表面，等離子體化學(xué)氣相沉積的二氧化硅的刻蝕速率要比用爐子生長的熱二氧化硅的刻蝕速率快3～6倍?？梢?，假定對新工藝和原工藝在柵氧生長之前的HF刻蝕以相同的過刻程度，新工藝HF刻蝕的時間是原工藝的1/6～1/3。大大減小了該步HF刻蝕對STI頂部邊緣小角的影響，從而達(dá)到獲得較小STI邊緣漏電流的目的。
結(jié)合附圖2、4來看，圖2是現(xiàn)有工藝流程中的STI頂部邊緣的小角1的狀況效果圖，圖4則是本發(fā)明工藝流程中的STI頂部邊緣的小角2的狀況效果圖，對比附圖用圓圈所標(biāo)示出的小角1、2可知，本發(fā)明工藝流程中的頂部邊緣的小角2較淺，由此可以更加有助于獲得更小的STI邊緣漏電流的效果。
權(quán)利要求
1.一種在柵氧生長工藝流程中減小淺溝槽隔離邊緣漏電的方法，所述的柵氧生長工藝流程至少依次包括以下步驟犧牲氧化層生長；阱注入；氫氟酸處理；柵氧生長；其特征在于，它將利用等離子體化學(xué)氣相沉積方法生長的二氧化硅作為所述的犧牲氧化層。
2.如權(quán)利要求1所述的在柵氧生長工藝流程中減小淺溝槽隔離邊緣漏電的方法，其特征在于，所述等離子體化學(xué)氣相沉積二氧化硅的時間為3分鐘以內(nèi)。
3.如權(quán)利要求1所述的在柵氧生長工藝流程中減小淺溝槽隔離邊緣漏電的方法，其特征在于，所述等離子體化學(xué)氣相沉積二氧化硅的溫度在300～450℃之間。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種在柵氧生長工藝流程中減小淺溝槽隔離邊緣漏電的方法，它不但可以減小STI邊緣漏電，并且可以節(jié)省熱預(yù)算。所述的柵氧生長工藝流程至少包括以下步驟犧牲氧化層生長；阱注入；熱處理；柵氧生長；其中，它將利用等離子體化學(xué)氣相沉積方法生長的二氧化硅作為所述的犧牲氧化層。利用等離子體化學(xué)氣相沉積的二氧化硅更容易被HF刻蝕的原理，從而大大減短了在柵氧生長之前的HF處理時間，減少了由于該步HF處理對STI頂部邊緣小角的影響，達(dá)到獲得較小STI邊緣漏電流的效果；同時，也利用等離子體化學(xué)氣相沉積的二氧化硅的溫度更低的原理，節(jié)省了熱預(yù)算，并有助于減小硅片的靜態(tài)漏電流。
文檔編號H01L21/76GK1964014SQ20051011012
公開日2007年5月16日 申請日期2005年11月8日 優(yōu)先權(quán)日2005年11月8日
發(fā)明者周貫宇 申請人:上海華虹Nec電子有限公司