專利名稱：半導體裝置的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導體裝置的制造方法，特別是涉及介由柵極絕緣膜或絕緣膜在半導體晶片上形成柵極電極或配線的方法。
背景技術(shù)：
在一般的半導體裝置制的制造方法中，在構(gòu)成如下半導體裝置時，通過反復腐蝕柵極電極形成用導電膜而形成柵極電極52。而且，在其構(gòu)圖工序中進行各向異性蝕刻，所述半導體裝置介由柵極絕緣膜51在圖5所示的半導體晶片50上形成柵極電極52，并鄰接該柵極電極52在所示晶片50表層形成源漏極區(qū)域53、54。
但是，在所示各向異性蝕刻中，保留柵極電極52，蝕刻除去半導體晶片50表層側(cè)的柵極電極形成用導電膜，但所述晶片50背面?zhèn)鹊乃鍪緦щ娔?2A保留。此時，在所述晶片50的斜面部，如圖6所示，所述導電膜52a的蝕刻殘留52b形成毛刺狀態(tài)。因此，該蝕刻殘留52b被之后的工序剝離而形成粉末。
這種粉末的產(chǎn)生是在半導體制造時形成產(chǎn)額降低或可靠性低下的重大問題。另外，在以下的公報中有涉及這種粉末問題的記載。
專利文獻1特開平5-41450號公報發(fā)明內(nèi)容因此，本發(fā)明的目的在于提供半導體晶片斜面部不產(chǎn)生導電膜的蝕刻殘留的蝕刻方法或通過除去該蝕刻殘留來抑制在之后工序中的再粘附的柵極電極或配線的形成方法。
因此，本發(fā)明半導體裝置的制造方法包括在半導體晶片上形成絕緣膜的工序；在所述絕緣膜上形成用于形成電極或配線的導電膜的工序；通過反復腐蝕所述導電膜而形成電極或配線的工序，所述反復腐蝕工序是各向同性蝕刻。
本發(fā)明半導體裝置的制造方法包括在半導體晶片上形成絕緣膜的工序；在所述絕緣膜上形成用于形成電極或配線的導電膜的工序；在所述導電膜上形成涂敷膜的工序；在將所述涂敷膜和所述導電膜各向異性反復腐蝕到所述導電膜膜厚的規(guī)定位置后，各向同性蝕刻剩余的導電膜，形成電極或配線的工序。
本發(fā)明半導體裝置的制造方法包括在半導體晶片上形成絕緣膜的工序；在所述絕緣膜上形成用于形成電極或配線的導電膜的工序；各向異性反復腐蝕所述導電膜，形成電極或配線的工序；形成保護膜，以包覆所述晶片斜面部以外的區(qū)域的工序；以所述保護膜為掩膜，各向同性蝕刻所述晶片的整個面，除去該晶片斜面部的蝕刻殘留的工序。
根據(jù)本發(fā)明，可通過半導體晶片斜面部不產(chǎn)生蝕刻殘留的蝕刻方法或除去蝕刻殘留來抑制之后工序中的再粘附引起的成品量或可靠性降低。


圖1是表示本發(fā)明實施例的半導體裝置制造方法的剖面圖；圖2(a)、(b)是表示本發(fā)明實施例的半導體裝置制造方法的剖面圖；圖3(a)、(b)是表示本發(fā)明實施例的半導體裝置制造方法的剖面圖；圖4(a)、(b)是表示本發(fā)明實施例的半導體裝置制造方法的剖面圖；圖5是表示現(xiàn)有半導體裝置制造方法的剖面圖；圖6是表示現(xiàn)有半導體裝置制造方法的剖面圖。
符號說明1、10、20、30 半導體晶片2、11、22、32 導電膜12 涂敷膜13 臺階21 絕緣膜21a 窄空間或接觸孔22a、22b 導電配線或?qū)щ娙?1 柵極電極或配線32a 蝕刻殘留33 保護膜
具體實施例方式
其次參照圖1～圖4說明本發(fā)明半導體裝置的制造方法。另外，由于半導體裝置的結(jié)構(gòu)本身和圖5所示的現(xiàn)有裝置相同，故省略該說明，詳細說明用于防止粉末產(chǎn)生的制造工藝。
圖1是用于說明第一實施例的本發(fā)明特征的半導體晶片1的斜面部的剖面圖，在于半導體芯片1上介由未圖示的柵極絕緣膜或絕緣膜形成用于形成柵極電極或配線的導電膜(例如多晶硅膜或鎢硅化物膜、或它們的層積膜等)后，進行各向同性蝕刻，形成未圖示的柵極電極或配線。此時，由于在半導體晶片1的斜面部上各向同性蝕刻導電膜，故在保留了半導體晶片1背面?zhèn)鹊膶щ娔?時，如圖1所示，以不產(chǎn)生形成粉末的原因的毛刺狀態(tài)的蝕刻殘留的方式在所示晶片1的斜面部進行蝕刻。并且，在本工序中，至少使用CF4、NF3、SF6的一種氣體或包括它們中的某幾種的混合氣體。
另外，圖2是用于說明作為第二實施例的本發(fā)明特征的半導體晶片10的斜面部的剖面圖，在介由未圖示的柵極絕緣膜或絕緣膜在半導體晶片10上形成用于形成柵極電極或配線的導電膜11(例如多晶硅膜或鎢硅化物膜或它們的層積膜等)之后，在所述導電膜11上形成涂敷膜12(例如抗蝕劑膜、SOG(Spin On Glass)膜、BARC(Bottom Anti-Reflection Coating)膜等)。在此，涂敷膜12并不限于所述材料。但是，最好為所述導電膜11和涂敷膜12的腐蝕速率大致相同的材料。
然后，各向異性反復腐蝕所述涂敷膜12和導電膜11。此時，反復腐蝕至圖12(a)所示的虛線位置的導電膜11的規(guī)定膜厚位置。利用該工序，為覆蓋在所述晶片10上形成的臺階13上，即使對反映該臺階而形成鼓起狀的導電膜11部分，也實現(xiàn)平坦化。另外，在本工序中，至少使用CL2和CF4的混合氣體。
其次，將通過該上述工序平坦化的殘留的導電膜11各向同性蝕刻至圖2(b)所示的虛線位置，形成柵極電極及配線。即，本發(fā)明的特征在于，即使導電膜11的表面不平坦時，也可以通過形成涂敷膜12將整個面平坦化后，施行反復腐蝕工序，進行更均勻的反復腐蝕處理。
另外，圖3(a)、(b)表示第三實施例，圖3(a)中，在窄空間或接觸孔21a局部埋入導電膜時也利用上述方法。此時，在包括在形成于半導體晶片20上的絕緣膜21上設(shè)置的窄空間或接觸孔21a的整個面上形成導電膜22。然后，與所述的第二實施例相同，在對該導電膜22進行各向異性反復腐蝕至該導電膜22的規(guī)定膜厚位置后，各向同性反復腐蝕剩余的導電膜22，在窄空間或接觸孔21a內(nèi)形成導電配線或?qū)щ娙?2a。另外，如圖3(b)所示，也可以各向同性反復腐蝕整個導電膜22，形成導電配線或?qū)щ娙?2b。
另外，圖4表示第四實施例，在半導體晶片30上形成未圖示的柵極絕緣膜或絕緣膜，在該柵極絕緣膜或絕緣膜上形成用于形成柵極電極或配線的導電膜之后，各向異性反復腐蝕所述導電膜，形成柵極電極或配線31。此時，如圖4(a)所示，在所述晶片30的斜面部形成導電膜32的殘留32a。然后，形成包覆所述晶片30斜面部以外區(qū)域的保護膜33。
在該狀態(tài)下，如圖4(b)所示，以所述保護膜33為掩膜，通過干蝕刻或采用液體的濕蝕刻各向同性蝕刻所述晶片30的整個面，除去所述晶片30斜面部的蝕刻殘留32a。
在以上所述的本發(fā)明中，可利用半導體晶片斜面部不產(chǎn)生導電膜的蝕刻殘留的蝕刻方法或除去蝕刻殘留，抑制之后工序中的再粘附引起的成品量或可靠性降低。
權(quán)利要求
1.一種半導體裝置的制造方法，其特征在于，包括在半導體晶片上形成絕緣膜的工序；在所述絕緣膜上形成用于形成電極或配線的導電膜的工序；通過反復腐蝕所述導電膜形成電極或配線的工序，其中，所述反復腐蝕工序為各向同性蝕刻。
2.一種半導體裝置的制造方法，其特征在于，包括在半導體晶片上形成絕緣膜的工序；在所述絕緣膜上形成用于形成電極或配線的導電膜的工序；在所述導電膜上形成涂敷膜的工序；在將所述涂敷膜和所述導電膜各向異性反復腐蝕至所述導電膜膜厚的規(guī)定位置后，各向同性蝕刻剩余的導電膜，形成電極或配線的工序。
3.一種半導體裝置的制造方法，其特征在于，包括在半導體晶片上形成絕緣膜的工序；在所述絕緣膜上形成用于形成電極或配線的導電膜的工序；各向異性反復腐蝕所述導電膜，形成電極或配線的工序；形成覆蓋所述晶片斜面部以外區(qū)域的保護膜的工序；以所述保護膜為掩膜，各向同性蝕刻所述晶片的整個面，除去該晶片斜面部的蝕刻殘留的工序。
全文摘要
一種半導體裝置的制造方法，通過除去半導體晶片斜面部的蝕刻殘留，抑制之后工序中的再粘附。本發(fā)明半導體裝置的制造方法包括在半導體晶片(1)上形成柵極絕緣膜或絕緣膜的工序；在所述柵極絕緣膜或絕緣膜上形成用于形成柵極電極或配線的導電膜的工序；通過反復腐蝕所述導電膜形成柵極電極或配線的工序，其中，所述反復腐蝕工序是各向同性蝕刻。
文檔編號H01L21/3205GK1674250SQ200510003660
公開日2005年9月28日 申請日期2005年1月7日 優(yōu)先權(quán)日2004年3月25日
發(fā)明者田中直明, 塚田雄二, 渡辺雄一 申請人:三洋電機株式會社