專(zhuān)利名稱(chēng)：：半導(dǎo)體裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及多個(gè)半導(dǎo)體芯片層壓在一起并被置入一個(gè)封裝中的這樣的一種半導(dǎo)體裝置，并且更具體地講，涉及在第一級(jí)(firststage)半導(dǎo)體芯片采用正面朝下的方式布置，而第二級(jí)或更高級(jí)的芯片比低一級(jí)的芯片大的這樣的一種情況下的一種半導(dǎo)體裝置。
背景技術(shù)：
：在第二芯片大于第一芯片時(shí)，在第一芯片的外圍，通過(guò)使用第一芯片的底部填充，利用所述底部填充的樹(shù)脂制作常規(guī)支撐部件(例如，參閱JP-A-2000-299431公開(kāi)(第1-10頁(yè)，圖1))。此外，還有這樣一種做法在所述第一芯片的外圍，通過(guò)粘合劑在電路襯底上安裝一個(gè)臺(tái)狀構(gòu)件(tablemember)(例如，參閱JP-A-2001-320014公開(kāi)(第1-5頁(yè)，圖1))。在將多個(gè)半導(dǎo)體芯片層壓到一起，并置入一個(gè)封裝中的情況下，并且在第二級(jí)半導(dǎo)體，至少是它的一邊(oneside)的尺寸大于第一級(jí)半導(dǎo)體芯片(圖1中的結(jié)構(gòu))時(shí)，以下幾點(diǎn)就成為問(wèn)題了。在半導(dǎo)體技術(shù)取得的最新進(jìn)展的基礎(chǔ)上，根據(jù)層壓的芯片數(shù)量的增加和半導(dǎo)體裝置制造的需要，進(jìn)一步要求半導(dǎo)體芯片的厚度比過(guò)去的要薄?；谶@一原因，半導(dǎo)體芯片抵御制造損傷的特性越來(lái)越差。如果外形尺寸大于第一級(jí)半導(dǎo)體芯片的第二級(jí)半導(dǎo)體芯片采取正面朝上的方式層壓在第一級(jí)半導(dǎo)體芯片上，那么第二半導(dǎo)體芯片的引線焊接點(diǎn)必須位于第二半導(dǎo)體芯片突出部分中比第一半導(dǎo)體芯片更遠(yuǎn)距離的位置。在這種情況下，如果第二半導(dǎo)體芯片是引線焊接的，那么第二級(jí)半導(dǎo)體芯片就很難加熱，而且在進(jìn)行引線焊接處理時(shí)碰撞沖擊(impactshock)(超聲負(fù)荷)就會(huì)集中在與第一半導(dǎo)體芯片的一個(gè)拐角部分相接觸的第二半導(dǎo)體芯片的突出部分，因此會(huì)出現(xiàn)第二半導(dǎo)體芯片損壞的情況。而且，只有第一級(jí)半導(dǎo)體芯片可以通過(guò)正面朝下的方式連接到電路襯底上，第二級(jí)或更高級(jí)半導(dǎo)體芯片是通過(guò)引線焊接的方式連接到電路襯底上的，因此它們必須采用正面朝上的方式層壓在一起。在這種狀態(tài)下，根據(jù)待層壓的半導(dǎo)體芯片的尺寸，會(huì)產(chǎn)生一個(gè)與層壓次序相關(guān)的限制條件。
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明就是在考慮到諸如此類(lèi)的問(wèn)題后得出的一種構(gòu)思，旨在提供一種半導(dǎo)體裝置，即使在上層半導(dǎo)體芯片的尺寸，至少是它的某一邊，大于下層半導(dǎo)體芯片的情況下，這種半導(dǎo)體裝置也能夠在不損壞半導(dǎo)體芯片的情況下進(jìn)行引線焊接，并緩解半導(dǎo)體芯片層壓次序的限制。為了實(shí)現(xiàn)上述目標(biāo)，在根據(jù)優(yōu)選實(shí)施例的發(fā)明當(dāng)中，一半導(dǎo)體裝置包括一電路襯底；一倒裝接合(flip-chip-bonded)在電路襯底上的第一半導(dǎo)體芯片；一個(gè)層壓在第一半導(dǎo)體芯片上的第二半導(dǎo)體芯片，所述第二半導(dǎo)體芯片是通過(guò)一根電導(dǎo)線(electricconductivewire)連接到電路襯底上的，而且它比第一半導(dǎo)體芯片大，使得第二半導(dǎo)體芯片至少會(huì)作為一個(gè)突出部分從第一半導(dǎo)體芯片的某一邊突出；一個(gè)從第二半導(dǎo)體芯片的底面支撐所述突出部分的凸起支撐部件，所述凸起支撐部件是作為一部分集成到電路襯底上的。根據(jù)這個(gè)實(shí)施例，由于第二半導(dǎo)體芯片是由作為一部分與電路襯底相集成的凸起支撐部件支撐的，在第二半導(dǎo)體芯片和電路襯底之間是引線焊接的情況下，那么就有可能通過(guò)凸起支撐部件將熱量充分轉(zhuǎn)移到第二半導(dǎo)體芯片，也有可能對(duì)第二半導(dǎo)體芯片進(jìn)行有效地加熱。而且，也有可能減輕施加到至少?gòu)乃龅谝话雽?dǎo)體芯片的一邊突出的突出部分的接合碰撞沖擊。由于上述原因，有可能防止所述第二半導(dǎo)體芯片的破損。而且，由于所述凸起支撐部件是作為一個(gè)部分集成到所述電路襯底上的，所以有可能采用一種簡(jiǎn)單的電路襯底制造方法精密地制作凸起支撐部件，因此可以省略利用底部填充(under-fill)的復(fù)雜制造方法制作常規(guī)支撐部件的制造步驟，以降低半導(dǎo)體裝置的制造成本。此外，根據(jù)一優(yōu)選實(shí)施例的發(fā)明的特征在于，第二半導(dǎo)體芯片從第一半導(dǎo)體芯片的所有邊突出，而且該凸起支撐部件支撐形成于第二半導(dǎo)體芯片的所有邊的所述突出部分。根據(jù)這個(gè)實(shí)施例，由于所述凸起支撐部件是從第二半導(dǎo)體芯片的所有邊對(duì)第二半導(dǎo)體芯片加以支撐的，所以有可能在確保更高穩(wěn)固性的情況下安裝第二半導(dǎo)體芯片。此外，根據(jù)一優(yōu)選實(shí)施例的發(fā)明的特征在于，凸起支撐部件支撐第二半導(dǎo)體芯片的外緣。根據(jù)這個(gè)實(shí)施例，由于所述凸起支撐部件是在第二半導(dǎo)體芯片的外緣對(duì)第二半導(dǎo)體芯片加以支撐的，所以有可能在確保更高穩(wěn)固性的情況下安裝第二半導(dǎo)體芯片。此外，根據(jù)一優(yōu)選實(shí)施例的發(fā)明的特征在于，凸起支撐部件支撐著第二半導(dǎo)體芯片突出部分的一部分。根據(jù)這個(gè)實(shí)施例，減小了位于電路襯底上表面的凸起支撐部件，因此有可能提高在第二半導(dǎo)體芯片下面填充密封樹(shù)脂的簡(jiǎn)易程度。此外，根據(jù)一優(yōu)選實(shí)施例的發(fā)明的特征在于，所述半導(dǎo)體裝置進(jìn)一步包括一個(gè)形成于第二半導(dǎo)體芯片上的接合電極，該接合電極是通過(guò)電導(dǎo)線連接到電路襯底上的，其中凸起支撐部件是從接合電極下的第二半導(dǎo)體芯片的底面支撐突出部分的。根據(jù)這個(gè)實(shí)施例，由于凸起支撐部件是恰好在接合電極下方支撐第二半導(dǎo)體芯片的，在第二半導(dǎo)體芯片和電路襯底之間為引線焊接的情況下，它可以吸收接合碰撞沖擊，因此有可能更容易地減輕接合碰撞沖擊。結(jié)果，有可能更容易地防止所述第二半導(dǎo)體芯片的破損。此外，根據(jù)一優(yōu)選實(shí)施例的發(fā)明的特征在于，第二半導(dǎo)體芯片具有一個(gè)從第一半導(dǎo)體芯片突出一定值的突出部分，而且凸起支撐部件只支撐從第一半導(dǎo)體芯片突出一定值的突出部分。根據(jù)這個(gè)實(shí)施例，由于從第一半導(dǎo)體芯片突出的小于某一定值的第二半導(dǎo)體芯片的突出部分可以得到第一半導(dǎo)體芯片足夠強(qiáng)固的支持，所以凸起支撐部件只支撐從第一半導(dǎo)體芯片突出一定值以下的突出部分。因此，可以降低所述半導(dǎo)體裝置的制造成本。此外，根據(jù)一優(yōu)選實(shí)施例的發(fā)明的特征在于，將第二半導(dǎo)體芯片的中心設(shè)置到偏離第一半導(dǎo)體芯片中心一定距離處。根據(jù)這個(gè)實(shí)施例，可以減小電路襯底上表面上的凸起支撐部件，而且從偏移后的第一半導(dǎo)體芯片的一端到位于電路襯底上表面的用于支撐第二半導(dǎo)體下表面的凸起支撐部件的距離變大了，因此，有可能從總體上提高密封樹(shù)脂填充的簡(jiǎn)便性。此外，根據(jù)第八個(gè)實(shí)施例的發(fā)明的特征在于，第二半導(dǎo)體芯片具有一從第一半導(dǎo)體芯片突出一定值的突出部分，并且凸起支撐部件只支撐這一從第一半導(dǎo)體芯片突出一定值的突出部分。此外，根據(jù)一優(yōu)選實(shí)施例的發(fā)明的特征在于，凸起支撐部件包括多個(gè)柱形支撐部件，所述的多個(gè)柱形支撐部件中的每一個(gè)都支撐著所述突出部分。根據(jù)本實(shí)施例，由于第二半導(dǎo)體芯片是由多個(gè)柱形支撐部件支撐的，所以在向第一半導(dǎo)體芯片和第二半導(dǎo)體芯片之間填充密封樹(shù)脂時(shí)，密封樹(shù)脂是從所述多個(gè)柱形支撐部件中的任何兩個(gè)相鄰的一對(duì)柱形支撐部件之間的縫隙填充進(jìn)去的，因此可以非常容易地進(jìn)行密封樹(shù)脂的填充。此外，根據(jù)一優(yōu)選實(shí)施例的發(fā)明的特征在于，所述多個(gè)柱形支撐部件不均勻地設(shè)置在第二半導(dǎo)體芯片的周邊。根據(jù)本實(shí)施例，在第二半導(dǎo)體芯片和電路襯底之間為引線焊接的情況下，由于不均勻設(shè)置的多個(gè)柱形支撐部件恰好在吸收接合碰撞沖擊的接合電極下方對(duì)第二半導(dǎo)體芯片進(jìn)行支撐，，因此有可能更加簡(jiǎn)單地減輕接合碰撞沖擊。結(jié)果，有可能更容易地防止所述第二半導(dǎo)體芯片的破損。此外，根據(jù)一優(yōu)選實(shí)施例的發(fā)明的特征在于，多個(gè)柱形支撐部件的柱形支撐部件是沿第二半導(dǎo)體芯片的一邊均等間隔地形成的。根據(jù)本實(shí)施例，由于多個(gè)柱形支撐部件的柱形支撐部件是沿第二半導(dǎo)體芯片的一邊均勻排列的，所以在向第一半導(dǎo)體芯片和第二半導(dǎo)體芯片之間填充密封樹(shù)脂時(shí)，密封樹(shù)脂是從所述多個(gè)柱形支撐部件中的任何兩個(gè)相鄰的一對(duì)柱形支撐部件之間的縫隙填充進(jìn)去的，因此可以非常容易地進(jìn)行密封樹(shù)脂的填充。此外，根據(jù)一優(yōu)選實(shí)施例的發(fā)明的特征在于，將一加強(qiáng)構(gòu)件置于這樣一個(gè)位置，使得多個(gè)柱形支撐部件的任何相鄰柱形支撐部件之間的距離為某一特定距離或更大。根據(jù)本實(shí)施例，由于在這樣的位置上適當(dāng)?shù)靥砑恿思訌?qiáng)構(gòu)件，使得多個(gè)柱形支撐部件的任何兩個(gè)相鄰的柱形支撐部件之間的距離成為了某一特定值或更大，并因此將此類(lèi)加強(qiáng)的柱形支撐部件作為第二半導(dǎo)體芯片的支座使用，并且突出的第二半導(dǎo)體芯片的底面受到支撐時(shí)，就有可能以可靠的穩(wěn)固性安裝第二半導(dǎo)體芯片。此外，根據(jù)一優(yōu)選實(shí)施例的發(fā)明的特征在于，凸起支撐部件的頂端拐角處有一個(gè)曲面部分。根據(jù)本實(shí)施例，所述曲面部分形成于作為第二半導(dǎo)體芯片支座的凸起支撐部件的上端拐角，因此，就避免了在產(chǎn)生接合碰撞沖擊時(shí)，應(yīng)力集中在第二半導(dǎo)體芯片上，并且有可能牢固地安裝第二半導(dǎo)體芯片。此外，根據(jù)一優(yōu)選實(shí)施例的發(fā)明的特征在于，凸起支撐部件的根部有一個(gè)曲面部分。根據(jù)本實(shí)施例，所述曲面部分形成于作為第二半導(dǎo)體芯片和電路襯底支座的凸起支撐部件的根部，因此防止了密封樹(shù)脂的填充不足，并且有可能穩(wěn)固地安裝第二半導(dǎo)體芯片。此外，根據(jù)一優(yōu)選實(shí)施例的發(fā)明的特征在于，凸起支撐部件為梯形形狀，該梯形的寬度越朝上越窄。根據(jù)本實(shí)施例，作為第二半導(dǎo)體芯片支座的凸起支撐部件被制作成了梯形支撐部件，梯形支撐部件的寬度越朝上越窄，因此，有可能更加穩(wěn)固地安裝第二半導(dǎo)體芯片。此外，根據(jù)一優(yōu)選實(shí)施例的發(fā)明的特征在于，所述半導(dǎo)體裝置進(jìn)一步包括一個(gè)層壓在第二半導(dǎo)體芯片上的第三半導(dǎo)體芯片，該第三半導(dǎo)體芯片由第二條電導(dǎo)線連接到了電路襯底上，并且比第二半導(dǎo)體芯片大，因此，第三半導(dǎo)體芯片會(huì)至少?gòu)牡诙雽?dǎo)體芯片的一邊突出，形成第二突出部分；一個(gè)用于從第三半導(dǎo)體的底面支撐第二突出部分的支撐部件，該支撐部件是作為一個(gè)部分與電路襯底相集成的。根據(jù)本實(shí)施例，即使在一個(gè)將3個(gè)或更多半導(dǎo)體芯片層壓并置入一個(gè)封裝內(nèi)的半導(dǎo)體裝置中，也有可能實(shí)現(xiàn)上述實(shí)施例的操作和優(yōu)勢(shì)。此外，在根據(jù)一優(yōu)選實(shí)施例的發(fā)明中，一半導(dǎo)體裝置包括一電路襯底，一倒裝(fiip-chiip-bonded)在電路襯底上的第一半導(dǎo)體芯片，一個(gè)層壓在第一半導(dǎo)體芯片上的第二半導(dǎo)體芯片，該第二半導(dǎo)體芯片是通過(guò)一形成于第二半導(dǎo)體芯片底面的突出電極連接到電路襯底上的，并且比第一半導(dǎo)體芯片大，因此，第二半導(dǎo)體芯片會(huì)作為一個(gè)突出部分至少?gòu)牡谝话雽?dǎo)體芯片的一邊突出；一個(gè)用于從第二半導(dǎo)體的底面支撐這一突出部分的支撐部件，該支撐部件是作為一個(gè)部分與電路襯底相集成的；一個(gè)在凸起支撐部件上形成的隆起連接部件，該隆起連接部件被連接到了突出電極上；一個(gè)形成于電路襯底底面的外部接頭；和一個(gè)將第二半導(dǎo)體芯片底面上的突出電極通過(guò)形成于凸起支撐部件的隆起連接部件連接到外部接頭的布線(electricwiring)。此外，根據(jù)一優(yōu)選實(shí)施例的發(fā)明的特征在于，所述布線包括一個(gè)通過(guò)凸起支撐部件內(nèi)部的線路。此外，根據(jù)一優(yōu)選實(shí)施例的發(fā)明的特征在于，所述布線包括一個(gè)沿凸起支撐部件的表面形成的線路。根據(jù)本實(shí)施例，由于第二半導(dǎo)體芯片的突出電極和電路襯底的外部接頭是通過(guò)所述布線和隆起連接部件連接起來(lái)的，因此，就沒(méi)有必要與第二半導(dǎo)體芯片進(jìn)行引線焊接了，而且在安裝時(shí)可以進(jìn)一步減輕對(duì)芯片的限制。圖1是說(shuō)明一傳統(tǒng)的半導(dǎo)體裝置的示意性橫截面圖。圖2A、圖2B是說(shuō)明本發(fā)明第一實(shí)施模式的半導(dǎo)體裝置的示意性橫截面圖。圖3A、圖3B是說(shuō)明本發(fā)明第一實(shí)施模式的半導(dǎo)體裝置的示意性平面圖。圖4是說(shuō)明本發(fā)明第二實(shí)施模式的半導(dǎo)體裝置的示意性平面圖。圖5A、圖5B是說(shuō)明本發(fā)明第三實(shí)施模式的半導(dǎo)體裝置的示意性平面圖。圖6是說(shuō)明本發(fā)明第四實(shí)施模式的半導(dǎo)體裝置的示意性平面圖。圖7A、圖7B是說(shuō)明本發(fā)明第五實(shí)施模式的半導(dǎo)體裝置的示意性平面圖。圖8A、圖8B是說(shuō)明本發(fā)明第五實(shí)施模式的改進(jìn)例子的半導(dǎo)體裝置的示意性平面圖。圖9是說(shuō)明本發(fā)明第六實(shí)施模式的半導(dǎo)體裝置的示意性橫截面圖。圖10A、圖10B是從圖9的201方向觀察到的示意性橫截面圖。圖11是說(shuō)明本發(fā)明第七實(shí)施模式的半導(dǎo)體裝置的示意性橫截面圖。圖12是說(shuō)明本發(fā)明第八實(shí)施模式的半導(dǎo)體裝置的示意性平面圖。圖13是說(shuō)明本發(fā)明第八實(shí)施模式的半導(dǎo)體裝置的一個(gè)大體上的局部橫截面圖。圖14是說(shuō)明本發(fā)明第九實(shí)施模式的半導(dǎo)體裝置的一個(gè)大體上的局部橫截面圖。圖15是說(shuō)明本發(fā)明第九實(shí)施模式的改進(jìn)例子的半導(dǎo)體裝置的一個(gè)大體上的局部橫截面圖。圖16是說(shuō)明本發(fā)明第八實(shí)施例和第九實(shí)施模式的改進(jìn)例子的半導(dǎo)體裝置的一個(gè)大體上的局部橫截面圖。圖17是說(shuō)明本發(fā)明第十實(shí)施模式的半導(dǎo)體裝置的一個(gè)大體上的局部橫截面圖。圖18是說(shuō)明本發(fā)明第十實(shí)施模式的改進(jìn)例子的半導(dǎo)體裝置的一個(gè)大體上的局部橫截面圖。圖19是說(shuō)明本發(fā)明第十一實(shí)施模式的半導(dǎo)體裝置的示意性橫截面圖。圖20是說(shuō)明本發(fā)明第十一實(shí)施模式的半導(dǎo)體裝置的示意性平面圖。具體實(shí)施例方式在下文中，將參照附圖解釋本發(fā)明中半導(dǎo)體裝置的實(shí)施模式。第一實(shí)施模式圖2A是與本發(fā)明的第一實(shí)施模式相關(guān)的半導(dǎo)體裝置的示意性橫截面圖，圖3A是它的示意性平面圖。與第一實(shí)施模式相關(guān)的所述半導(dǎo)體裝置是這樣的一種類(lèi)型的半導(dǎo)體裝置兩個(gè)半導(dǎo)體芯片層壓在一起，并置入一個(gè)封裝當(dāng)中。此外，上面(第二級(jí))的第二半導(dǎo)體芯片103在尺寸上大于下面的(第一級(jí))第一半導(dǎo)體芯片，而且，至少第二半導(dǎo)體芯片的一部分會(huì)從第一半導(dǎo)體芯片的一邊突出。進(jìn)一步，詳細(xì)描述與第一實(shí)施模式相關(guān)的半導(dǎo)體裝置的配置，如圖2A所示，它是由下述部分構(gòu)成的一個(gè)上表面帶有電路布線111和下表面帶有外部接頭108的絕緣電路襯底101，外部接頭108是通過(guò)112連接到電路布線111的；通過(guò)到電路襯底101的上表面的諸如金質(zhì)隆起電極的突出電極104安裝并連接到電路布線111上的第一半導(dǎo)體芯片，采用這樣的正面朝下安裝使得可以將突出電極表面朝下放置；填充第一半導(dǎo)體芯片102和電路襯底101之間的縫隙，并包括密封樹(shù)脂的底層填充材料107；通過(guò)粘膠(未在圖中示出)層壓并安裝到第一半導(dǎo)體芯片102上的第二半導(dǎo)體芯片103，采用這樣的正面朝上的安裝使得可以將它的主表面朝上放置；通過(guò)引線焊接電連接電路布線和第二半導(dǎo)體芯片103的接合電極(未在圖中示出)的，作為導(dǎo)電細(xì)線的金屬細(xì)線105；密封電路襯底101上表面上的第一半導(dǎo)體芯片102、第二半導(dǎo)體芯片103和金屬細(xì)線105所在的區(qū)域的諸如絕緣環(huán)氧樹(shù)脂的密封樹(shù)脂106；和設(shè)置在電路襯底101上表面上的，即設(shè)置在與第一半導(dǎo)體芯片102上表面相同的表面上的凸起支撐部件110。也就是說(shuō)，在本實(shí)施模式的半導(dǎo)體裝置中，在電路襯底101上形成凸起支撐部件110，以便與第二半導(dǎo)體芯片103的外緣相橋接，從而所構(gòu)成的是一個(gè)容納第二半導(dǎo)體芯片103底面的支座。凸起支撐部件110配置在電路襯底101上表面上，因此，凸起支撐部件110和電路襯底101被集成為一個(gè)部分。凸起支撐部件110從第二半導(dǎo)體芯片103的底面支撐著從第一半導(dǎo)體芯片102突出的第二半導(dǎo)體芯片的一個(gè)突出部分。此外，第二半導(dǎo)體芯片103的主表面上的接合電極位于芯片外緣部分，并且第二半導(dǎo)體芯片103的外緣部分是從安裝在它下面并層壓的第一半導(dǎo)體芯片102突出的，但是，突出的第二半導(dǎo)體芯片103的底面是通過(guò)由電路襯底101上表面的凸起支撐部件110形成的支座支撐的，因此，能夠以可靠的穩(wěn)固性安裝第二半導(dǎo)體芯片103。接下來(lái)，在圖2B中示出了第一實(shí)施模式的半導(dǎo)體裝置的改進(jìn)的實(shí)例的示意性橫截面圖，在圖3B中示出了它的示意性平面圖。在這一改進(jìn)的實(shí)例中，形成位于電路襯底101上表面的凸起支撐部件110，以便使其成為第二半導(dǎo)體芯片103的外緣部分的內(nèi)側(cè)，而且直接位于第二半導(dǎo)體芯片103的接合電極的下方，突出的第二半導(dǎo)體芯片103的底面是由在電路襯底101的上表面上由凸起支撐部件110形成的支座支撐的，因此，可以以可靠的穩(wěn)固性安裝第二半導(dǎo)體芯片。利用從第一半導(dǎo)體芯片102突出的第二半導(dǎo)體芯片103的外緣部分所在的投影的尺寸，根據(jù)接合時(shí)產(chǎn)生的碰撞沖擊和熱傳遞，可以確定支座的位置，在這一位置處，電路襯底上表面上的凸起支撐部件110支撐著第二半導(dǎo)體芯片103的底面。第二實(shí)施模式接下來(lái)，將對(duì)本發(fā)明的第二實(shí)施模式予以說(shuō)明。圖4是與第二實(shí)施模式相關(guān)的一半導(dǎo)體裝置的示意性橫截面圖。本實(shí)施模式是一種具如此類(lèi)配置的實(shí)施模式，可以讓密封樹(shù)脂106的填充變得簡(jiǎn)單。本實(shí)施模式具有與第一實(shí)施模式類(lèi)似的配置，在下文中，僅就不同點(diǎn)予以說(shuō)明。如圖4所示，按照該實(shí)施模式，第一半導(dǎo)體芯片102不是被電路襯底101上表面上的凸起支撐部件110所環(huán)繞的，這和在第一實(shí)施模式中一樣，但是，由于第一半導(dǎo)體芯片102和電路襯底101上表面上的凸起支撐部件110之間存在縫隙而為了填充密封樹(shù)脂106，在凸起支撐部件110的四角設(shè)置了剪切部分，通過(guò)這些剪切部分，第二半導(dǎo)體芯片的突出部分的底面是由在每邊獨(dú)立構(gòu)成的凸起支撐部件110形成的支座支撐的，因此，能夠以可靠的穩(wěn)固性安裝第二半導(dǎo)體芯片103。同時(shí)，圖4中的實(shí)例示出了這樣一個(gè)實(shí)例剪切部分被設(shè)置在支撐部件110的所有的四個(gè)拐角處，但是，如果剪切部分布置在四個(gè)拐角中的至少一個(gè)拐角處，就很好了。同樣，隨著剪切部分的增加，密封樹(shù)脂106的填充會(huì)更加容易。第三實(shí)施模式接下來(lái)，將對(duì)本發(fā)明的第三實(shí)施模式予以說(shuō)明。圖5是與第三實(shí)施模式相關(guān)的半導(dǎo)體裝置的示意性平面圖。如圖5A所示，在本實(shí)施模式的半導(dǎo)體裝置中，只有一邊的外形尺寸大于第一半導(dǎo)體芯片102的的外形尺寸的第二半導(dǎo)體芯片103被層壓并安裝在第一半導(dǎo)體芯片102上。此外，僅在外形尺寸大于第一半導(dǎo)體芯片102的外形尺寸的第二半導(dǎo)體芯片103的一邊，在電路襯底101的上表面上形成凸起支撐部件110。第二半導(dǎo)體芯片103的突出部分的底面是通過(guò)由電路襯底101上表面上的凸起支撐部件110形成的支座支撐的，第二半導(dǎo)體芯片103一邊的外形尺寸大于第一半導(dǎo)體芯片102的外形尺寸，因此，可以以可靠的穩(wěn)固性安裝第二半導(dǎo)體芯片103。在圖5B中示出了本實(shí)施模式的一個(gè)改進(jìn)的實(shí)例。如圖5B所示，在本改進(jìn)的實(shí)例的半導(dǎo)體裝置中，外形尺寸大于第一半導(dǎo)體芯片102的的外形尺寸的第二半導(dǎo)體芯片103被層壓并安裝在了第一半導(dǎo)體芯片102上。這時(shí)，如果第二半導(dǎo)體芯片103的投影尺寸小于預(yù)定尺寸，即使第二半導(dǎo)體芯片103的底面不受支撐，也可以以可靠的穩(wěn)固性安裝第二半導(dǎo)體芯片103。因此，如果僅在第二半導(dǎo)體芯片103具有預(yù)定尺寸或更大尺寸的并且比第一半導(dǎo)體芯片102的外形尺寸大的一邊形成位于電路襯底101上表面的凸起支撐部件110，就很好了。在圖5B所示的實(shí)例當(dāng)中，第二半導(dǎo)體芯片103是沿長(zhǎng)邊(longside)方向突出的，該邊具有預(yù)定尺寸或大于第一半導(dǎo)體芯片102的外形尺寸，半導(dǎo)體芯片103的突出部分的兩個(gè)短邊(shortside)的底面是通過(guò)由位于電路襯底上表面的凸起支撐部件110所形成的支座支撐的，因此，能夠以可靠的穩(wěn)固性安裝第二半導(dǎo)體芯片103。第四實(shí)施模式接下來(lái)，將對(duì)本發(fā)明的第四實(shí)施模式予以說(shuō)明。圖6是與第四實(shí)施模式相關(guān)的半導(dǎo)體裝置的示意性平面圖。本實(shí)施模式與第一實(shí)施模式具有類(lèi)似的配置，作為區(qū)別部分的位于電路襯底101的上表面上的凸起支撐部件110的形成位置將得到說(shuō)明。如圖6所示，在本實(shí)施模式的半導(dǎo)體裝置中，外形尺寸大于第一半導(dǎo)體芯片102的的外形尺寸的第二半導(dǎo)體芯片103被層壓并安裝在了第一半導(dǎo)體芯片102上。如圖6所示，當(dāng)?shù)诙雽?dǎo)體芯片103具有如此芯片配置使得至少在一邊上不存在接合電極，那么在不存在接合電極的一邊上就沒(méi)有必要通過(guò)位于電路襯底101上表面上的凸起支撐部件110支撐第二半導(dǎo)體芯片103的突出部分的底面了，因此，第二半導(dǎo)體芯片103的突出部分的底面是通過(guò)由位于電路襯底101上表面的凸起支撐部件110形成的支座在存在接合電極的一邊支撐的，因此，能夠以可靠的穩(wěn)固性安裝第二半導(dǎo)體芯片103。在半導(dǎo)體技術(shù)最近取得的快速發(fā)展的基礎(chǔ)上，半導(dǎo)體芯片的厚度降低和尺寸加大都取得了進(jìn)展，因此，第二半導(dǎo)體芯片103的外形尺寸比第一半導(dǎo)體芯片102的外形尺寸大得多，因此，存在這樣的擔(dān)憂，怕第二半導(dǎo)體芯片在自身重力的作用下，或在類(lèi)似的情況下向下彎曲，值得注意的是顯示出，由于第二半導(dǎo)體芯片103的突出部分的底面由位于電路襯底101上表面的凸起支撐部分110支撐的這種情況而產(chǎn)生確保穩(wěn)固性的優(yōu)點(diǎn)。第五實(shí)施模式接下來(lái)，將對(duì)本發(fā)明的第五實(shí)施模式予以說(shuō)明。圖7是與第五實(shí)施模式相關(guān)的半導(dǎo)體裝置的示意性平面圖。其配置與第一實(shí)施模式相類(lèi)似，作為區(qū)別部分的所安裝芯片的分布(allocation)和位于電路襯底101表面的支撐部分110的形成位置將得到說(shuō)明。如圖7A所示，在本實(shí)施模式的半導(dǎo)體裝置中，外形尺寸大于第一半導(dǎo)體芯片102的的外形尺寸的第二半導(dǎo)體芯片103被層壓并安裝在了第一半導(dǎo)體芯片102上。此外，是在第二半導(dǎo)體芯片103從第一半導(dǎo)體芯片102的中心向著朝圖7A中的Y軸的前端移動(dòng)的情況下對(duì)第二半導(dǎo)體芯片103進(jìn)行安裝的。第二半導(dǎo)體芯片103的移動(dòng)量被設(shè)置在了這樣一個(gè)范圍內(nèi)，使得位于朝向圖7A中Y軸的后端的一側(cè)可以得到牢固地安裝，即使不具備在電路襯底101的上表面上由支撐部件110形成的支座。位于電路襯底101上表面的凸起支撐部件110縮小了，而且，在朝向圖7A的Y軸的前端的一側(cè)，從第一半導(dǎo)體芯片102直到位于第二半導(dǎo)體芯片103底面所支撐的電路襯底101上的凸起支撐部件110之間的距離變大了，因此，有可能從整體上提高填充密封樹(shù)脂106的簡(jiǎn)便程度。此外，即使芯片的布置如圖7B所示在X軸和Y軸方向都發(fā)生了移動(dòng)，也沒(méi)有問(wèn)題。圖8是說(shuō)明第五實(shí)施模式的一改進(jìn)的實(shí)例的示意性平面圖。如圖8A所示，外形尺寸大于第一半導(dǎo)體芯片外形尺寸的第二半導(dǎo)體芯片103被設(shè)置在電路襯底101的中心，并且第一半導(dǎo)體芯片102通過(guò)將其向朝向圖8A中Y軸的后端方向移動(dòng)來(lái)安裝。第一半導(dǎo)體芯片102的移動(dòng)量被設(shè)置在了這樣一個(gè)范圍內(nèi)，使得位于朝向圖8A中Y軸的后端的一側(cè)可以得到牢固地安裝，即使不具備在電路襯底101的上表面上由凸起支撐部件110形成的支座。位于電路襯底101上表面的凸起支撐部件110縮小了，而且，在朝向圖7A中Y軸的前端的一側(cè)，從第一半導(dǎo)體芯片102的一端直到第二半導(dǎo)體芯片103底面所支撐的位于電路襯底101上的凸起支撐部件110之間的距離變大了，因此，有可能從整體上提高填充密封樹(shù)脂106的簡(jiǎn)便程度。此外，即使芯片的布置如圖8B所示在X軸和Y軸方向都發(fā)生了移動(dòng)，也沒(méi)有問(wèn)題。第六實(shí)施模式接下來(lái)，將對(duì)本發(fā)明的第六實(shí)施模式予以說(shuō)明。圖9是一第六實(shí)施模式相關(guān)的半導(dǎo)體裝置的示意性平面圖，圖10是從圖9中的201方向觀察的示意性橫截面圖。本實(shí)施模式與第一實(shí)施模式具有類(lèi)似的配置，作為區(qū)別部分的位于電路襯底101的上表面上的凸起支撐部分110的形狀將得到說(shuō)明。如圖10A所示，在具有本實(shí)施模式的半導(dǎo)體裝置中，位于第二半導(dǎo)體芯片103上的接合電極120是非均勻地設(shè)置在第二半導(dǎo)體芯片103的周邊的。作為支撐第二半導(dǎo)體芯片103底面的支座，形成多個(gè)柱形支撐部件122(122a-122h)，以便使其位置恰好分別位于接合電極120的下方。按照這種方式，當(dāng)?shù)诙雽?dǎo)體芯片103的突出部分的底面由恰好在各個(gè)接合電極120的下方形成的作為第二半導(dǎo)體芯片103的支座的多個(gè)柱形支撐部件122(122a-122h)支撐時(shí)，就有可能以可靠的穩(wěn)固性安裝第二半導(dǎo)體芯片103。圖10B是說(shuō)明第六實(shí)施模式的修改實(shí)例的示意性橫截面圖。如圖10B所示，多個(gè)柱形支撐部件122(122a-122h)是按照均勻間隔形成的，間隔值是根據(jù)第二半導(dǎo)體芯片103的突出值和填充密封樹(shù)脂的方便簡(jiǎn)易度計(jì)算出來(lái)的，而與第二半導(dǎo)體芯片103上的接合電極120無(wú)關(guān)。這樣可以防止在接合電極120之間的間距狹窄的情況下，圖10(a)中的柱形支撐部件之間的距離比必要的值窄。采用這種方式，當(dāng)?shù)诙雽?dǎo)體芯片103的突出部分的底面由按照均勻間隔形成的作為第二半導(dǎo)體芯片103的支座的多個(gè)柱形支撐部件122(122a-122h)支撐時(shí)，就有可能以可靠的穩(wěn)固性安裝第二半導(dǎo)體芯片103。第七實(shí)施模式接下來(lái)，將對(duì)本發(fā)明的第七實(shí)施模式予以說(shuō)明。圖11是與第七實(shí)施模式相關(guān)的半導(dǎo)體裝置的示意性橫截面圖，它是從圖9中的201方向觀察到的。本實(shí)施模式與第六實(shí)施模式具有類(lèi)似的配置，作為區(qū)別部分的位于電路襯底101的上表面上的凸起支撐部分110的形狀將得到說(shuō)明。如圖11所示，在具有本實(shí)施模式的半導(dǎo)體裝置中，位于第二半導(dǎo)體芯片103上的接合電極120是非均勻地設(shè)置在第二半導(dǎo)體芯片103的周邊的。作為支撐第二半導(dǎo)體芯片103底面的支座，形成多個(gè)柱形支撐部件122(122a～122h)，以便使其位置恰好分別位于接合電極120的下方。在本實(shí)施模式當(dāng)中，為了加強(qiáng)柱形支撐部件122的強(qiáng)度，在柱形支撐部件之間通過(guò)適當(dāng)?shù)靥砑蛹訌?qiáng)構(gòu)件，對(duì)它們進(jìn)行加固。加強(qiáng)構(gòu)件的寬度大致和柱形支撐部件122的寬度相同，加強(qiáng)構(gòu)件的高度是根據(jù)相鄰柱形支撐部件之間的距離算出來(lái)的，并且與向第一半導(dǎo)體芯片102和柱形支撐部件122之間填充密封樹(shù)脂106的簡(jiǎn)易程度相關(guān)。例如，在圖11的實(shí)例當(dāng)中，在柱形支撐部件122a和122b之間添加了一加強(qiáng)構(gòu)件123a，在柱形支撐部件122f和122g之間添加了123b。采用這種方式，第二半導(dǎo)體芯片103的突出部分的底面是由通過(guò)在柱形支撐部件之間添加加強(qiáng)構(gòu)件的方法被加固的多個(gè)柱形支撐部件122支撐的，因此，有可能以可靠的穩(wěn)固性安裝第二半導(dǎo)體芯片103。第八實(shí)施模式接下來(lái)，將對(duì)本發(fā)明的第八實(shí)施模式予以說(shuō)明。圖12是與第八實(shí)施模式相關(guān)的半導(dǎo)體裝置的示意性平面圖，和一個(gè)說(shuō)明圖12中202部分的橫斷面形狀的大體上的局部橫截面圖。本實(shí)施模式與第一實(shí)施模式具有類(lèi)似的配置，作為區(qū)別部分的位于電路襯底101的上表面上的凸起支撐部分110的橫斷面形狀將得到說(shuō)明。如圖13所示，在本實(shí)施模式的半導(dǎo)體裝置中，曲面部分130、131是在作為第二半導(dǎo)體芯片103的支座的凸起支撐部分110頂端的拐角部分形成的，因此，就避免了在產(chǎn)生接合碰撞沖擊時(shí)，應(yīng)力集中在第二半導(dǎo)體芯片103上，因而，有可能牢固地安裝第二半導(dǎo)體芯片103。此外，作為第八實(shí)施模式的改進(jìn)的實(shí)例，當(dāng)位于電路襯底101上表面的，作為第二半導(dǎo)體芯片103支座的凸起支撐部件110位于第二半導(dǎo)體芯片103的接合電極的內(nèi)側(cè)時(shí)，如果第二半導(dǎo)體芯片103是在憑借電路襯底101上表面上的凸起支撐部件110確保第二半導(dǎo)體芯片103的穩(wěn)固性的情況下安裝的。那么這也將是很好的，在所述凸起支撐部件110當(dāng)中只形成了位于電路襯底101上表面的凸起支撐部件110外側(cè)的曲面部分130，在內(nèi)側(cè)留有一個(gè)角。此外，在電路襯底101上表面的作為第二半導(dǎo)體芯片103的支座的凸起支撐部件110位于第二半導(dǎo)體芯片103的接合電極的外側(cè)的情況下，就會(huì)變成一個(gè)相反的結(jié)構(gòu)。第九實(shí)施模式接下來(lái)，將對(duì)本發(fā)明的第九實(shí)施模式予以說(shuō)明。圖14是與第九實(shí)施模式相關(guān)的半導(dǎo)體裝置的大體上的局部橫截面圖，和一個(gè)說(shuō)明圖12中202部分的橫斷面形狀的圖示。本實(shí)施模式與第一實(shí)施模式具有類(lèi)似的配置，作為區(qū)別部分的位于電路襯底101的上表面上的凸起支撐部分110的橫斷面形狀將得到說(shuō)明。如圖14所示，在本實(shí)施模式的半導(dǎo)體裝置中，曲面132、133是在作為半導(dǎo)體芯片器件103和電路襯底101的支座的凸起支撐部件110的根部形成的，這樣可以防止密封樹(shù)脂106填充不足(un-filling)，因此，有可能牢固地安裝第二半導(dǎo)體芯片103。此外，如圖15中大體上的局部橫截面圖所示，作為第八和第九實(shí)施模式的改進(jìn)的實(shí)例，有可能通過(guò)這樣的凸起支撐部件110安裝第二半導(dǎo)體芯片103，在所述凸起支撐部件110中，曲面部分130、131形成于凸起支撐部件110的頂端，與此同時(shí)，曲面部分132、133形成于凸起支撐部件110的根部。此外，如圖16中大體上的局部橫截面圖所示，作為第八和第九實(shí)施模式的更進(jìn)一步的改進(jìn)的實(shí)例，如果將凸起支撐部件110制作成寬度越朝上越窄的梯形支撐部件134，也很不錯(cuò)。第十實(shí)施模式接下來(lái)，將對(duì)本發(fā)明的第十實(shí)施模式予以說(shuō)明。圖17是與第十實(shí)施模式相關(guān)的半導(dǎo)體裝置的大體上的局部橫截面圖，和一個(gè)說(shuō)明圖12中202部分的橫斷面形狀的圖示。如圖17所示，本實(shí)施模式的半導(dǎo)體裝置裝有一個(gè)隆起連接部分141，該隆起連接部分141位于支撐部件134的頂部，并且和處于倒裝狀態(tài)的第二半導(dǎo)體芯片103的凸起電極140電連接。隆起連接部分141和位于電路襯底101底面的外部接頭108之間是通過(guò)設(shè)置在支撐部件134和電路襯底101內(nèi)部的布線142連接的。采用這種方式，支撐部件134成為了這樣一種構(gòu)造它支撐著比第一半導(dǎo)體芯片102大的第二半導(dǎo)體芯片，與此同時(shí)，它還與處于倒裝狀態(tài)的第二半導(dǎo)體芯片電連接。在這種情況下，對(duì)于第二半導(dǎo)體芯片103來(lái)說(shuō)布線焊接就沒(méi)有必要了，這樣可以進(jìn)一步緩解安裝時(shí)對(duì)芯片的限制。與此同時(shí)，如果位于本實(shí)施模式的半導(dǎo)體裝置的電路襯底101的上表面的支撐部件134的形狀不是梯形，也很好。此外，在圖18中繪示出第十實(shí)施模式的一改進(jìn)的實(shí)例的大體上的局部橫截面圖。如圖18所示，在本改進(jìn)的實(shí)例中，隆起連接部分141和位于電路襯底101底面的外部接頭108之間是通過(guò)布置在支撐部件134的表面和電路襯底101內(nèi)部的布線143連接的。第十一實(shí)施模式接下來(lái)，將對(duì)本發(fā)明的第十一實(shí)施模式予以說(shuō)明。本實(shí)施模式的半導(dǎo)體裝置屬于這種情況三片半導(dǎo)體芯片被封裝到了一個(gè)封裝當(dāng)中。圖19是與本發(fā)明的第十一實(shí)施模式相關(guān)的半導(dǎo)體裝置的示意性橫截面圖，圖20是它的示意性平面圖。如圖19和圖20所示，在比第一半導(dǎo)體芯片102大的第二半導(dǎo)體芯片103和比第二半導(dǎo)體芯片103大的第三半導(dǎo)體芯片150的一構(gòu)形的情況下，在電路襯底101的上表面上凸起支撐部件110和151形成為雙的。直到第二半導(dǎo)體芯片103被安裝之前的模式，如實(shí)施模式1～10所述的。調(diào)節(jié)做為第三半導(dǎo)體芯片150的支座的位于電路襯底101的上表面的支撐部件151的高度，以便它不與第二半導(dǎo)體芯片的金屬細(xì)線105相接觸，并且能夠在第二半導(dǎo)體芯片103和第三半導(dǎo)體芯片150之間進(jìn)行密封樹(shù)脂106的填充。與此同時(shí)，附圖標(biāo)記152表示一金屬細(xì)線，它是在第三半導(dǎo)體芯片150和電路襯底101之間進(jìn)行電連接的導(dǎo)電細(xì)線。同時(shí)，本發(fā)明是一種適合這樣的一種半導(dǎo)體裝置的構(gòu)思多個(gè)半導(dǎo)體芯片被層壓并置入一個(gè)封裝當(dāng)中，在四個(gè)或更多的半導(dǎo)體芯片被封裝到了一個(gè)封裝中的情況下，最好根據(jù)半導(dǎo)體芯片的數(shù)量的形成更多的支撐部件。一種與本發(fā)明相關(guān)的半導(dǎo)體裝置具有位于電路襯底上的支撐部件，而且，支撐部件和電路襯底是作為一個(gè)部分集成起來(lái)的，并且，由于半導(dǎo)體芯片的層壓，該半導(dǎo)體裝置作為高密度封裝等是很有用的。此外，該裝置還適用于諸如模塊封裝。權(quán)利要求1.一種半導(dǎo)體裝置，包括一電路襯底；一第一半導(dǎo)體芯片，倒裝在所述電路襯底上；一第二半導(dǎo)體芯片，層壓在所述第一半導(dǎo)體芯片上，所述第二半導(dǎo)體芯片通過(guò)一電導(dǎo)線連接到所述電路襯底，且比所述第一半導(dǎo)體芯片大，使得所述第二半導(dǎo)體芯片做為一突出部分從所述第一半導(dǎo)體芯片的至少一邊突出；以及一凸起支撐部件，從所述第二半導(dǎo)體芯片的底面支撐所述突出部分，所述凸起支撐部件與所述電路襯底集成為一個(gè)部分。2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中，所述第二半導(dǎo)體芯片從所述第一半導(dǎo)體芯片的所有邊突出，并且，所述凸起支撐部件支撐形成于第二半導(dǎo)體芯片的所述所有邊處的所述突出部分。3.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體裝置，其中，所述凸起支撐部件支撐所述第二半導(dǎo)體芯片的外緣。4.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中，所述凸起支撐部件支撐所述第二半導(dǎo)體芯片的所述突出部分的一部分。5.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中，進(jìn)一步包括一接合電極，形成于所述第二半導(dǎo)體芯片上，所述接合電極通過(guò)所述電導(dǎo)線連接到所述電路襯底，其中所述凸起支撐部件在所述接合電極下方從所述第二半導(dǎo)體芯片的底面支撐所述突出部分。6.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中，所述第二半導(dǎo)體芯片具有從所述第一半導(dǎo)體芯片突出一定值的一突出部分，并且所述凸起支撐部件僅支撐從所述第一半導(dǎo)體芯片突出一定值的所述突出部分。7.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中，從所述第一半導(dǎo)體芯片的一中心平移一定距離設(shè)置所述第二半導(dǎo)體芯片的一中心。8.如權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體裝置，其中所述第二半導(dǎo)體芯片具有從所述第一半導(dǎo)體芯片突出一定值的一突出部分，并且所述凸起支撐部件僅支撐從所述的第一半導(dǎo)體芯片突出一定值的突出部分。9.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中，所述凸起支撐部件包括多個(gè)柱形支撐部件，并且，所述多個(gè)柱形支撐部件中的每一個(gè)都支撐所述突出部分。10.如權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體裝置，其中，所述多個(gè)柱形支撐部件不均勻地設(shè)置在所述第二半導(dǎo)體芯片的周邊。11.如權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體裝置，其中，所述多個(gè)柱形支撐部件的柱形支撐部件是沿所述第二半導(dǎo)體芯片的一邊以等間隔形成。12.如權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體裝置，其中，一加強(qiáng)構(gòu)件被設(shè)置在這樣一個(gè)位置，使得所述多個(gè)柱形支撐部件中任何相鄰者之間的距離都為一定距離或更大。13.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中，所述凸起支撐部件在其上端拐角上具有一曲面部分。14.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中，所述凸起支撐部件在其根部具有一曲面部分。15.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中，所述凸起支撐部件為梯形形狀，其寬度越向頂部越窄。16.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中進(jìn)一步包括一第三半導(dǎo)體芯片，層壓在所述第二半導(dǎo)體芯片上，所述第三半導(dǎo)體芯片通過(guò)一第二電導(dǎo)線連接到所述電路襯底，且比所述第二半導(dǎo)體芯片大，使得所述第三半導(dǎo)體芯片作為第二突出部分從所述第二半導(dǎo)體芯片的至少一邊突出；一支撐部件，用于從所述第三半導(dǎo)體芯片的底面支撐所述突出部分，所述支撐部件與所述電路襯底集成為一個(gè)部分。17.一種半導(dǎo)體裝置，其包括一電路襯底；一第一半導(dǎo)體芯片，倒裝在所述電路襯底上；一第二半導(dǎo)體芯片，層壓在所述第一半導(dǎo)體芯片上，所述第二半導(dǎo)體芯片通過(guò)形成于所述第二半導(dǎo)體芯片的一底面上的一突出電極連接到所述電路襯底，且比所述第一半導(dǎo)體芯片大，使得所述第二半導(dǎo)體芯片作為一突出部分從所述第一半導(dǎo)體芯片的至少一邊突出；一凸起支撐部件，從所述第二半導(dǎo)體芯片的底面支撐所述突出部分，所述凸起支撐部件與所述電路襯底集成為一個(gè)部分；一隆起連接部分，形成于所述凸起支撐部件上，所述隆起連接部分連接至所述突出電極；一外部接頭，形成于所述電路襯底底面上，以及一布線，將位于所述第二半導(dǎo)體芯片的所述底面上的所述突出電極通過(guò)形成于所述凸起支撐部件上的所述隆起連接部分連接至所述外部接頭。18.如權(quán)利要求17所述的半導(dǎo)體裝置，其中，所述布線包括通過(guò)所述凸起支撐部件內(nèi)部的一線路。19.如權(quán)利要求17所述的半導(dǎo)體裝置，其中，所述布線包括沿所述凸起支撐部件表面形成的一線路。全文摘要在上層半導(dǎo)體芯片的尺寸大于下層半導(dǎo)體芯片的尺寸的情況下，可以在不損傷半導(dǎo)體芯片的情況下對(duì)其進(jìn)行封裝。在一半導(dǎo)體裝置中，第二半導(dǎo)體芯片(103)層壓在第一半導(dǎo)體芯片(102)上并置入一封裝中，在該半導(dǎo)體裝置中，在構(gòu)成第二半導(dǎo)體芯片(103)的外緣的四個(gè)邊中至少有一邊要設(shè)置得比構(gòu)成第一半導(dǎo)體芯片(102)的外緣的四邊大，從而提供從第一半導(dǎo)體芯片(102)的外緣伸出的一突出部分，并且，在其上層壓第一半導(dǎo)體芯片(102)和第二半導(dǎo)體芯片(103)的電路襯底(101)的表面上提供一凸起支撐部件(110)。該突出部分按照這樣的一種方式配置，使得其能夠由所述凸起支撐部件(110)支撐。文檔編號(hào)H01L25/07GK1638118SQ20051000363公開(kāi)日2005年7月13日申請(qǐng)日期2005年1月10日優(yōu)先權(quán)日2004年1月8日發(fā)明者德永真也申請(qǐng)人:松下電器產(chǎn)業(yè)株式會(huì)社