專利名稱：化學(xué)氧化物去除系統(tǒng)和方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及處理襯底的系統(tǒng)和方法，更具體地涉及保護(hù)化學(xué)和熱處理室的系統(tǒng)和方法。
背景技術(shù)：
在半導(dǎo)體處理過程中，可利用干法等離子體蝕刻工藝來去除或蝕刻沿細(xì)線或形成在硅襯底上的過孔或觸點內(nèi)的材料。等離子體蝕刻工藝通常包括將具有上覆的圖案化保護(hù)層(例如光刻膠層)的半導(dǎo)體襯底定位在處理室內(nèi)。襯底定位到室內(nèi)之后，以預(yù)定流率將可離子化的、離解的氣體混合物引入室內(nèi)，同時節(jié)流真空泵以獲得環(huán)境處理壓力。此后，當(dāng)電子將存在的部分氣體物質(zhì)(species)離子化時，形成等離子體，其中電子是電感性或電容性通過傳輸射頻(RF)功率，或例如利用電子回旋加速器共振(ECR)產(chǎn)生的微波功率來加熱的。而且，受熱電子用來離解某些種類的環(huán)境氣體物質(zhì)，并生成適于暴露表面蝕刻化學(xué)處理的反應(yīng)物粒子。形成等離子體后，選定的襯底表面均被等離子體蝕刻。調(diào)節(jié)此工藝至合適的條件，包括適當(dāng)濃度的所需反應(yīng)物和離子的量，從而在襯底的選定區(qū)域蝕刻各種特征(例如，溝槽、過孔、觸點、柵極等)。這種需要蝕刻的襯底材料包括二氧化硅(SiO2)、低k介電材料、多晶硅和氮化硅。
在材料處理過程中，蝕刻這種特征通常包括將在掩模層內(nèi)形成的圖案傳遞給下面的膜，在該膜內(nèi)形成各個特征。掩?？梢岳绨ü饷舨牧侠?負(fù)性或正性)光刻膠多層(包括光刻膠涂層和抗反射涂層(ARC))，或者掩?？梢园ㄓ蓪⒗绻饪棠z的第一層中的圖案傳遞給下面的硬掩模層而形成的硬掩模。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明涉及保護(hù)化學(xué)處理室和/或熱處理室的系統(tǒng)和方法。
在本發(fā)明的一個方面，描述了用于去除襯底上的材料的處理系統(tǒng)，該系統(tǒng)包括第一處理系統(tǒng)和第二處理系統(tǒng)，其中第一和第二處理系統(tǒng)相互連接。第一處理系統(tǒng)包括化學(xué)處理系統(tǒng)以及形成在化學(xué)處理系統(tǒng)的至少一個組件上的保護(hù)阻擋層。第二處理系統(tǒng)包括熱處理系統(tǒng)以及形成在熱處理系統(tǒng)的至少一個組件上的保護(hù)阻擋層。


在附圖中圖1為根據(jù)本發(fā)明的一種實施方式的處理系統(tǒng)的示意圖。
圖2為根據(jù)本發(fā)明的一種實施方式的處理系統(tǒng)的示意性剖視圖。
圖3為根據(jù)本發(fā)明的一種實施方式的化學(xué)處理系統(tǒng)的示意性剖視圖。
圖4為根據(jù)本發(fā)明的另一種實施方式的化學(xué)處理系統(tǒng)的示意性透視圖。
圖5為根據(jù)本發(fā)明的一種實施方式的熱處理系統(tǒng)的示意性剖視圖。
圖6為根據(jù)本發(fā)明的另一種實施方式的熱處理系統(tǒng)的示意性透視圖。
圖7為根據(jù)本發(fā)明的一種實施方式的襯底支座的示意性剖視圖。
圖8A為根據(jù)本發(fā)明的另一種實施方式的氣體分配系統(tǒng)的示意性剖視圖。
圖8B為根據(jù)本發(fā)明的一種實施方式的圖8A所示氣體分配系統(tǒng)的局部放大圖。
圖9為根據(jù)本發(fā)明的一種實施方式的襯底升降組件。
具體實施例方式
在材料處理方法中，圖案蝕刻包括在襯底上表面上涂布光敏材料(例如光刻膠)薄層，隨后將其圖案化以提供用于在蝕刻時將此圖案傳遞至下面薄膜的掩模。光敏材料的圖案化通常包括利用例如微光刻系統(tǒng)由輻射源通過光罩(和相關(guān)光學(xué)器件)曝光光敏材料，然后利用顯影溶液去除光敏材料的輻照區(qū)域(在正性光刻膠的情況下)或未輻照區(qū)域(在負(fù)性光刻膠的情況下)。
另外，可以使用多層和硬掩模來蝕刻特征。例如，當(dāng)用硬掩模蝕刻特征時，采用主要蝕刻步驟之前的單獨的蝕刻步驟將光敏層中的掩模圖案轉(zhuǎn)移至硬掩模層。硬掩模例如可選自用于硅處理的幾種材料，包括例如二氧化硅(SiO2)、氮化硅(Si3N4)和碳。
為了減小所形成的特征尺寸，可用例如兩步法對硬掩模進(jìn)行側(cè)面修整，該兩步法包括硬掩模層暴露表面的化學(xué)處理以改變硬掩模層的表面化學(xué)，以及硬掩模層暴露表面的熱處理以解吸改變的表面化學(xué)。
圖1為本發(fā)明的一種實施方式的處理系統(tǒng)的示意圖。在圖1所示的實施方式中，示出了利用例如掩模層修整來處理襯底的處理系統(tǒng)1。處理系統(tǒng)1可包括第一處理系統(tǒng)10以及與第一處理系統(tǒng)10連接的第二處理系統(tǒng)20。例如，第一處理系統(tǒng)10可包括熱處理系統(tǒng)，第二處理系統(tǒng)20可包括化學(xué)處理系統(tǒng)。而且，如圖1所示，傳輸系統(tǒng)30可與第一處理系統(tǒng)10連接，從而將襯底傳入或傳出第一處理系統(tǒng)10和第二處理系統(tǒng)20，與多元制造系統(tǒng)40交換襯底。
第一和第二處理系統(tǒng)10、20和傳輸系統(tǒng)30可例如包括與多元制造系統(tǒng)40連接的處理元件。多元制造系統(tǒng)40可將襯底傳入或傳出處理元件，處理元件包括例如蝕刻系統(tǒng)、沉積系統(tǒng)、涂布系統(tǒng)、圖案化系統(tǒng)、測量系統(tǒng)等設(shè)備。為了隔離第一和第二系統(tǒng)中進(jìn)行的工藝，可用隔離組件50連接各個系統(tǒng)。例如，隔離組件50可包括可提供熱絕緣的熱絕緣組件和可提供真空隔離的閘門閥組件中的至少之一。在另外的實施方式中，處理系統(tǒng)10和20以及傳輸系統(tǒng)30可以任意次序排列。
此外，可將控制器60連接至第一處理系統(tǒng)10、第二處理系統(tǒng)20和傳輸系統(tǒng)30。例如，控制器60可用于控制第一處理系統(tǒng)10、第二處理系統(tǒng)20和傳輸系統(tǒng)30。而且，控制器60可連接至多元制造系統(tǒng)40中的控制元件(未示出)。
或者，第一處理系統(tǒng)10、第二處理系統(tǒng)20和傳輸系統(tǒng)30可以不同方式配置。例如，可采用堆積排列或并排排列。
通常，圖1所示的處理系統(tǒng)1的第一處理系統(tǒng)10和第二處理系統(tǒng)20的至少一個包括至少兩個傳輸開口，以允許襯底通過其進(jìn)行傳輸。例如，如圖1所示，第一處理系統(tǒng)10包括兩個傳輸開口，第一傳輸開口允許襯底在第一處理系統(tǒng)10與傳輸系統(tǒng)30之間傳輸，第二傳輸開口允許襯底在第一處理系統(tǒng)10與第二處理系統(tǒng)20之間傳輸?；蛘?，每個處理系統(tǒng)可包括至少一個傳輸開口，以允許襯底通過其進(jìn)行傳輸。
圖2為本發(fā)明的一種實施方式的處理系統(tǒng)的示意性剖視圖。在圖示的實施方式中，示出了用于對襯底進(jìn)行化學(xué)處理和熱處理的處理系統(tǒng)200。處理系統(tǒng)200可包括熱處理系統(tǒng)210以及連接至熱處理系統(tǒng)210的化學(xué)處理系統(tǒng)220。熱處理系統(tǒng)210可包括可進(jìn)行溫度控制的熱處理室211。化學(xué)處理系統(tǒng)220可包括可進(jìn)行溫度控制的化學(xué)處理室221。熱處理室211和化學(xué)處理室221可用熱絕緣組件230使彼此絕熱，用閘門閥組件296使彼此真空隔離，這將在下文中更詳細(xì)地描述。
圖3為本發(fā)明的一種實施方式的化學(xué)處理系統(tǒng)的示意性剖視圖。如圖2和圖3所示，化學(xué)處理系統(tǒng)220還可包括溫度受控襯底支座240，其被配置成與化學(xué)處理室221基本上絕熱并且支撐襯底242與定心環(huán)243。定心環(huán)243可由聚四氟乙烯(PTFE)和/或四氟乙烯制成。而且，襯底支座240可包括在襯底支座240的一個或更多個暴露表面上形成的保護(hù)阻擋層241。在一種實施方式中，保護(hù)阻擋層241可通過陽極化金屬然后用PTFE和/或TFE浸漬該陽極化表面來生成。例如，保護(hù)阻擋層可通過硬陽極化鋁或硬陽極化鋁合金并用TFE和/或PTFE浸漬該硬陽極化的表面來形成。在另一種實施方式中，不需要保護(hù)阻擋層241。
在本發(fā)明的另一種實施方式中，保護(hù)阻擋層241可包括Al2O3、氧化釔(Y2O3)、Sc2O3、Sc2F3、YF3、La2O3、CeO2、Eu2O3和DyO3中的至少一種。在本發(fā)明的其它實施方式中，保護(hù)阻擋層222可包括III族元素(元素周期表的第三列)和鑭系元素中的至少一種。在本發(fā)明的另一種實施方式中，III族元素可包括釔、鈧和鑭中的至少一種。在本發(fā)明的另一種實施方式中，鑭系元素可包括鈰、鏑和銪中的至少一種。
在本發(fā)明的一種實施方式中，保護(hù)阻擋層241可具有最小厚度，其中最小厚度被規(guī)定為在至少一個內(nèi)表面內(nèi)都為的常數(shù)。在另一種實施方式中，最小厚度在內(nèi)表面上是變化的。或者，最小厚度在表面的第一部分上是常數(shù)而在該表面的第二部分上是變化的。例如，厚度可在曲面上、拐角處或孔中發(fā)生變化。例如，最小厚度可為約0.5微米至約500微米?；蛘?，最小厚度可為約100微米至約200微米；或最小厚度可為至少約120微米。
此外，襯底支座240可包括在該襯底支座240頂表面上形成的保護(hù)阻擋層245。保護(hù)阻擋層245可由與前述保護(hù)阻擋層241相同的材料制成且具有與之相同的厚度?；蛘撸恍枰Ｗo(hù)阻擋層245。
而且，化學(xué)處理系統(tǒng)220還可包括真空泵系統(tǒng)220和上部組件260，其中真空泵系統(tǒng)220連接至化學(xué)處理室221以控制化學(xué)處理室221中的壓力，上部組件260可包括氣體分配系統(tǒng)，用于將處理氣體引入化學(xué)處理室221內(nèi)的處理空間262。
另外，化學(xué)處理室221可包括在化學(xué)處理室221的一個或更多個內(nèi)表面上形成的保護(hù)阻擋層222。保護(hù)阻擋層222可由與前述保護(hù)阻擋層241相同的材料制成且具有與之相同的厚度?；蛘撸恍枰Ｗo(hù)阻擋層222。
此外，可在上部組件260的一個或更多個內(nèi)表面上形成保護(hù)阻擋層261。保護(hù)阻擋層261可由與前述保護(hù)阻擋層241相同的材料制成且具有與之相同的厚度。或者，不需要保護(hù)阻擋層261。
本發(fā)明可包括多步工藝，該工藝可包括例如制備一個或更多個表面以接受保護(hù)阻擋層，然后在這些表面上形成保護(hù)阻擋層。
如圖2和圖5所示，熱處理系統(tǒng)210還可包括安裝在熱處理室211內(nèi)的溫度受控襯底支座270，其被配置成基本上與熱處理室211絕熱并支撐襯底242’；用于對熱處理室211進(jìn)行抽真空的真空泵系統(tǒng)280；襯底升降組件290；以及連接至熱處理室211的驅(qū)動系統(tǒng)530。升降組件290可在支撐面(實線)與襯底支座270(虛線)或位于其間的傳輸面之間垂直移動襯底242”。熱處理室211還可包括上部組件284。
另外，熱處理室211可包括在熱處理室221的一個或更多個內(nèi)表面上形成的保護(hù)阻擋層212。保護(hù)阻擋層212可由與前述保護(hù)阻擋層241相同的材料制成且具有與之相同的厚度?；蛘?，不需要保護(hù)阻擋層222。
而且，熱處理室211、化學(xué)處理室221和熱絕緣組件230定義了一個共用的開口294，襯底可通過其傳輸。在處理中，共用開口294可用閘門閥組件296封閉，從而允許在兩個室211、221內(nèi)進(jìn)行獨立處理。
此外，可在熱處理室211內(nèi)形成傳輸開口298，以允許襯底如圖1所示的與傳輸系統(tǒng)的襯底交換。可運用第二熱絕緣組件231以使熱處理室221與傳輸系統(tǒng)(未示出)之間絕熱。雖然圖中所示開口298為熱處理室211的一部分(與圖1一致)，但傳輸開口298可在化學(xué)處理室221而不是熱處理室211中形成(室的位置與圖1相反)。
而且，閘門閥組件296、共用開口294和/或傳輸開口298的暴露表面可具有保護(hù)阻擋層(未示出)。保護(hù)阻擋層可由與前述保護(hù)阻擋層241相同的材料制成且具有與之相同的厚度?；蛘撸恍枰Ｗo(hù)阻擋層。
如圖2和圖3所示，化學(xué)處理系統(tǒng)220可包括襯底支座240和襯底支座組件244，從而為熱控制和處理襯底242提供若干操作功能。襯底支座240和襯底支座組件244可包括靜電夾緊系統(tǒng)(或機(jī)械夾緊系統(tǒng))，從而以電方式(或機(jī)械方式)將襯底242與襯底支座240夾緊。例如，夾緊系統(tǒng)可包括含PTFE和/或TFE的頂表面。
此外，襯底支座240還可例如包括具有再循環(huán)冷卻劑流的冷卻系統(tǒng)，該系統(tǒng)接收來自襯底支座240的熱并將其傳輸至熱交換系統(tǒng)(未示出)，或當(dāng)加熱時，傳輸來自熱交換系統(tǒng)的熱。而且，可例如通過背面氣體系統(tǒng)將傳熱氣體送至襯底242的背面，從而提高襯底242與襯底支座240之間氣隙的導(dǎo)熱性。例如，供至襯底242背面的傳熱氣體可包括惰性氣體，例如氦氣、氬氣、氙氣、氪氣；處理氣體，例如CF4、C4F8、C5F8、C4F6等；或其它氣體，例如氧氣、氮氣或氫氣。當(dāng)需要在高溫或低溫下對襯底進(jìn)行溫度控制時，可使用這樣的系統(tǒng)。例如，背面氣體系統(tǒng)可包括例如兩區(qū)(中心-邊緣)系統(tǒng)的多區(qū)氣體分配系統(tǒng)，其中背面氣隙壓力可在襯底242中心與邊緣之間獨立變化。在其它實施方式中，例如電阻加熱元件或熱-電加熱器/冷卻器的加熱/冷卻元件可包含于化學(xué)處理室221的襯底支座240以及室壁中。
圖7示出了具有幾種上述功能的溫度受控襯底支座300的一種實施方式。襯底支座300可包括連接至化學(xué)處理室221的下壁的室配合構(gòu)件310、連接至室配合構(gòu)件310的絕緣構(gòu)件312以及連接至絕緣構(gòu)件312的溫度控制構(gòu)件314。室配合構(gòu)件310與溫度控制構(gòu)件314可由例如鋁、不銹鋼、鎳等的導(dǎo)電和導(dǎo)熱材料制成。絕緣構(gòu)件312可由例如石英、礬土、TFE、PTFE等的具有較低導(dǎo)熱率的熱阻材料制成。
另外，室配合構(gòu)件310與溫度控制構(gòu)件314可包括在其一個或更多個外表面形成的保護(hù)阻擋層311與315。絕緣構(gòu)件312也可包括在其一個或更多個外表面形成的保護(hù)阻擋層313。保護(hù)阻擋層311、313和315都可由與前述保護(hù)阻擋層241相同的材料制成且具有與之相同的厚度?；蛘撸恍枰Ｗo(hù)阻擋層311、313和315中的一種或多種。
溫度控制構(gòu)件314可包括溫度控制元件，例如冷卻通道、加熱通道、電阻加熱元件或熱電元件。例如，如圖7所示，溫度控制構(gòu)件314可包括具有冷卻劑入口322和冷卻劑出口324的冷卻劑通道320。冷卻劑通道320可例如是溫度控制構(gòu)件314內(nèi)的螺旋通路，允許例如水、Fluorinet、Galden HT-135等的冷卻劑流通過，從而提供溫度控制構(gòu)件314的傳導(dǎo)-對流冷卻?；蛘撸瑴囟瓤刂茦?gòu)件314可包括一組熱電元件，能夠依賴于電流流過各個元件的方向?qū)σr底進(jìn)行加熱或冷卻。熱電元件的一個例子是可從Advanced Thermoelectric購得的型號為ST-127-1.4-8.5M的元件(尺寸為40×40×3.4mm、最大傳熱功率為72 W的熱電器件)。
此外，襯底支座300還可包括靜電夾緊裝置(ESC)328，該裝置包括陶瓷層330、嵌入陶瓷層330中的夾緊電極332以及通過電連接336與夾緊電極332相耦合的高電壓(HV)DC電壓源334。ESC 328可例如是單極或雙極的。設(shè)計與實施這樣的夾緊裝置對靜電夾緊系統(tǒng)領(lǐng)域的技術(shù)人員來說是已知的。在一種實施方式中，可在襯底支座的上表面上形成保護(hù)阻擋層243。保護(hù)阻擋層243可由與前述保護(hù)阻擋層241相同的材料制成且具有與之相同的厚度?；蛘?，不需要保護(hù)阻擋層243。
另外，襯底支座300還可包括背面氣體供給系統(tǒng)340，用于將傳熱氣體(例如惰性氣體，包括氦氣、氬氣、氙氣、氪氣；處理氣體，包括CF4、C4F8、C5F8、C4F6等；或其它氣體，包括氧氣、氮氣或氫氣)通過至少一條氣體供給線342供給至襯底242的背面。背面氣體供給系統(tǒng)340可為多區(qū)供給系統(tǒng)，例如兩區(qū)(中心-邊緣)系統(tǒng)，其中背面壓力可從中心至邊緣徑向變化。
絕緣構(gòu)件312還可包括熱絕緣間隙350，從而在溫度控制構(gòu)件314與下面的配合構(gòu)件310之間提供附加的熱絕緣?？捎帽孟到y(tǒng)(未示出)或作為真空泵系統(tǒng)250一部分的真空管線將熱絕緣間隙350抽真空，和/或?qū)峤^緣間隙350連接至氣體源(沒有示出)，從而改變其導(dǎo)熱率。氣體源可例如是背面氣體供給系統(tǒng)340，用于將傳熱氣體連接到襯底242的背面。
配合構(gòu)件310還可包括升降釘組件360，該升降釘組件360能升高或降低三個或更多升降釘362的升降針，從而將襯底242垂直移動至處理系統(tǒng)的襯底支座300的上表面與傳輸面以及從所述的面開始垂直移動。。
每個構(gòu)件310、312和314還可包括緊固裝置(例如螺栓和螺孔)，從而使構(gòu)件之間彼此固定以及將襯底支座300固定于化學(xué)處理室221。而且，每個構(gòu)件310、312和314便于各個構(gòu)件的上述使用，當(dāng)需要將處理系統(tǒng)保持真空完整性時，可使用例如彈性O(shè)型圈的真空密封件。
可用例如熱電偶(例如K型熱電偶，Pt傳感器等)的溫度傳感裝置344來監(jiān)測溫度受控襯底支座240的溫度。而且，控制器可利用溫度測量作為至襯底支座組件244的反饋來控制襯底支座240的溫度。例如，可對流體流率、流體溫度、傳熱氣體類型、傳熱氣體壓力、夾緊力、電阻加熱元件的電流或電壓、熱電裝置電流或極性等中的至少一個進(jìn)行調(diào)節(jié)，來引起襯底支座240的溫度變化。
參見圖2和3，化學(xué)處理系統(tǒng)220可包括具有氣體分配系統(tǒng)的上部組件260。
在圖8A和8B(圖8A的放大圖)所示的實施方式中，用于分配可包含至少兩種氣體的處理氣體的氣體分配系統(tǒng)420包括氣體分配組件424；連接至氣體分配組件424的第一氣體分配板430，被配置來將第一氣體與化學(xué)處理室221的處理空間相連；以及連接至第一氣體分配板430的第二氣體分配板432，被配置來將第二氣體與化學(xué)處理室221的處理空間相連。當(dāng)?shù)谝粴怏w分配板430連接至氣體分配組件424時，形成第一氣體分配充氣空間440。另外，當(dāng)?shù)诙怏w分配板432連接至第一氣體分配板430時，形成第二氣體分配充氣空間442。雖然并未示出，氣體分配充氣空間440、442可包括一個或更多個氣體分配擋板。第二氣體分配板432還可包括一個或更多個孔444的第一陣列，其與第一氣體分配板430內(nèi)形成的一個或更多個通路446的陣列相連并與之相對應(yīng)；以及一個或更多個孔448的第二陣列。與一個或更多個通道446的陣列結(jié)合的一個或更多個孔444的第一陣列被配置來將來自第一氣體分配充氣空間440的第一氣體分配至化學(xué)處理室221的處理空間。一個或更多個孔448的第二陣列被配置來將來自第二氣體分配充氣空間442的第二氣體分配至化學(xué)處理室221的處理空間。處理氣體可例如包括NH3、HF、H2、O2、CO、CO2、Ar、He等。每個孔444、448具有直徑和長度，其中直徑可為約0.1mm至約10cm，長度可為約0.5mm至約5cm。另外，每一個孔可具有在暴露于處理空間的一個或更多個表面上的保護(hù)阻擋層261。保護(hù)阻擋層261可由與前述保護(hù)阻擋層241相同的材料制成且具有與之相同的厚度?；蛘?，不需要保護(hù)阻擋層261。作為這種設(shè)置的結(jié)果，第一氣體和第二氣體被獨立地引入處理空間，而只在處理空間內(nèi)發(fā)生相互作用。
參見圖2和3，化學(xué)處理系統(tǒng)220還可包括保持在高溫下的溫度受控化學(xué)處理室221。例如，壁溫控制元件266可與壁溫控制單元268相連，壁溫控制元件266可被配置成與化學(xué)處理室221相連。溫度控制元件可例如包括電阻加熱元件和/或冷卻元件?？捎美鐭犭娕?例如K型熱電偶，Pt傳感器等)的溫度傳感裝置來監(jiān)測化學(xué)處理室221的溫度。而且，控制器可利用溫度測量作為至壁溫控制單元268的反饋來控制化學(xué)處理室221的溫度。
參見圖3，化學(xué)處理系統(tǒng)220還可包括上部組件260，上部組件260可包含溫度受控氣體分配系統(tǒng)，可用來將上部組件和/或處理氣體保持在選定溫度。例如，溫度控制元件267可連接至氣體分配系統(tǒng)溫度控制單元269，溫度控制元件267可被配置成與氣體分配系統(tǒng)260相連。溫度控制元件可例如包括電阻加熱元件和/或冷卻元件。可用例如熱電偶(例如K型熱電偶，Pt傳感器等)的溫度傳感裝置來監(jiān)測上部組件和/或處理氣體的溫度。而且，控制器可利用溫度測量作為至氣體分配系統(tǒng)溫度控制單元269的反饋來控制上部組件和/或處理氣體的溫度。
仍然參見圖2和圖3，真空泵系統(tǒng)250可包括真空泵252和用于調(diào)節(jié)室壓力的閘門閥254。真空泵252可例如包括泵速可至5000升每秒(及更大)的渦輪分子真空泵(TMP)。例如，TMP可為Seiko STP-A803真空泵或Ebara ET1301W真空泵。TMP可用于通常壓力小于約50mTorr的低壓處理。對于高壓(即，大于約100mTorr)或低處理量的處理(即，沒有氣流)，可使用機(jī)械增壓泵和干粗抽泵。
參見圖3，化學(xué)處理系統(tǒng)220還可包括具有微處理器、存儲器和數(shù)字I/O端口的控制器235，其能夠生成控制電壓，該控制電壓傳輸和激活化學(xué)處理系統(tǒng)220的輸入以及監(jiān)測化學(xué)處理系統(tǒng)220(例如溫度和壓力傳感裝置)的輸出。而且，控制器235可與襯底支座組件244、氣體分配系統(tǒng)260、真空泵系統(tǒng)250、閘門閥組件296、壁溫控制單元268和氣體分配系統(tǒng)溫度控制單元269相連并與其交換信息。例如，可利用存儲器中存儲的程序來激活根據(jù)工藝配方的至化學(xué)處理系統(tǒng)220的前述構(gòu)件的輸入?？刂破?35的一個例子為可從美國Texas州Austin的Dell公司購得的DELLPRECISION WORKSTATION 610TM。
在一個實施例中，圖4所示的化學(xué)處理室1220還包括帶手柄1223的蓋1222、至少一個卡扣1224、至少一個折葉1227、可視窗口1225和至少一個壓力傳感裝置1226。
可視窗口1225可包括視窗(未示出)和可將視窗連接至室壁的視窗法蘭(未示出)。光學(xué)監(jiān)測系統(tǒng)202可監(jiān)測從處理空間通過可視窗口1225發(fā)射的光。例如，可使用光電二極管、光電倍增管、CCD、CID或其它固態(tài)檢測器。然而，也可使用其它能分析發(fā)射光的光學(xué)裝置。監(jiān)測系統(tǒng)202可為控制器提供信息以在處理過程之前、期間或之后調(diào)節(jié)室條件。在另一種實施方式中，光學(xué)監(jiān)測系統(tǒng)202還可包括例如激光的光源。
使用光學(xué)監(jiān)測系統(tǒng)的監(jiān)測系統(tǒng)構(gòu)件狀態(tài)包括測定由系統(tǒng)構(gòu)件反射的光學(xué)信號的強度水平是否超過了閾值，確定是否需要對系統(tǒng)構(gòu)件進(jìn)行清洗和/或更換，并據(jù)此來繼續(xù)或停止工藝。
例如，可通過監(jiān)測從沉積在系統(tǒng)構(gòu)件表面上的材料的光發(fā)射，在等離子體工藝中確定系統(tǒng)構(gòu)件的狀態(tài)。確定系統(tǒng)構(gòu)件上污染材料狀態(tài)的一個可行方法是用發(fā)射光譜(OES)來監(jiān)測一種或更多種材料的反射率特性變化的波長范圍。在處理過程中，材料可涂布在系統(tǒng)構(gòu)件上，并可通過監(jiān)測沉積材料的光學(xué)特性來確定材料的厚度，可在等離子體工藝中對這些光學(xué)特性進(jìn)行監(jiān)測。當(dāng)光學(xué)特性超過規(guī)定閾值時，可確定是否清潔系統(tǒng)構(gòu)件，并據(jù)此繼續(xù)或停止工藝。
如圖2和圖5所示，熱處理系統(tǒng)210還可包括溫度受控襯底支座270。襯底支座270包括用熱阻擋層274與熱處理室211絕熱的基座272。例如，襯底支座270可由鋁、不銹鋼或鎳制成，熱阻擋層274可由例如PTFE、TFE、礬土或石英的熱絕緣體制成。襯底支座270還可包括嵌入其中的溫度控制元件276和與其連接的襯底支座溫度控制單元278。溫度控制元件276可例如包括電阻加熱元件和/或冷卻元件。
可用例如熱電偶(例如，K型熱電偶)的溫度傳感裝置或光纖溫度計來監(jiān)測襯底支座270的溫度。此外，控制器275可利用溫度測量作為至襯底支座溫度控制單元278的反饋，來控制襯底支座270的溫度。
參見圖5，熱處理系統(tǒng)210還可包括保持在選定溫度下的溫度受控?zé)崽幚硎?11。例如，熱壁控制元件283可連接至熱壁溫度控制單元281，熱壁控制元件283可連接至熱處理室211。控制元件可例如包括例如鎢、鎳鉻合金、鋁鐵合金或氮化鋁絲的電阻加熱元件?；蛘呋虼送?，冷卻元件也可用于熱處理室211?？捎美鐭犭娕?例如，K型熱電偶、Pt傳感器等)的溫度傳感裝置來監(jiān)測熱處理室211的溫度。而且，控制器275可利用溫度測量作為至熱壁溫度控制單元281的反饋，來控制熱處理室211的溫度。
參見圖5，熱處理系統(tǒng)210還可包括保持在選定溫度的溫度受控上部組件284。例如，上部組件溫度控制元件285可連接至上部組件溫度控制單元286，上部組件溫度控制元件285可連接至上部組件284。溫度控制元件可例如包括例如鎢、鎳鉻合金、鋁鐵合金或氮化鋁絲的電阻加熱元件?？捎美鐭犭娕?例如，K型熱電偶、Pt傳感器等)的溫度傳感裝置來監(jiān)測上部組件284的溫度。而且，控制器275可利用溫度測量作為至上部組件溫度控制單元286的反饋，來控制上部組件284的溫度?；蛘呋虼送?，上部組件284可以包括冷卻元件。
參見圖2和圖5，熱處理系統(tǒng)210還可包括襯底升降組件290和驅(qū)動系統(tǒng)530。襯底升降組件290可被配置成將襯底242’降低至襯底支座270的上表面，以及將襯底242”從襯底支座270的上表面升高至支撐面或位于其間的傳輸面。在傳輸面上，襯底242”可與傳輸系統(tǒng)進(jìn)行交換，該傳輸系統(tǒng)用來將襯底傳入和傳出化學(xué)和熱處理室221、211。在支撐面上，襯底242”可以被冷卻，同時另一個襯底在傳輸系統(tǒng)與化學(xué)和熱處理室221、211之間交換。
如圖9所示，襯底升降組件290可包括具有三個或更多個舌片510的葉片500、用于將襯底升降組件290連接至熱處理室211的法蘭520和用于在熱處理室211內(nèi)垂直移動葉片500的驅(qū)動系統(tǒng)530。舌片510被配置成在升高的位置上抓緊襯底242”，并當(dāng)處于較低位置時，舌片510凹入343襯底支座270內(nèi)形成的接受空腔540(圖5)中。驅(qū)動系統(tǒng)530可例如是氣動驅(qū)動系統(tǒng)，其被設(shè)計來滿足各種技術(shù)要求，包括氣缸沖程長度、氣缸沖程速度、位置精度、非旋轉(zhuǎn)精度等，這對氣動驅(qū)動系統(tǒng)領(lǐng)域的技術(shù)人員來說是已知的。
而且，可在葉片500的一個或更多個表面上形成保護(hù)阻擋層512。保護(hù)阻擋層512可由與前述保護(hù)阻擋層241相同的材料制成且具有與之相同的厚度。或者，不需要保護(hù)阻擋層512。
參見圖2和圖5，熱處理系統(tǒng)210還可包括真空泵系統(tǒng)280。真空泵系統(tǒng)280可例如包括真空泵和例如閘門閥或蝶閥的節(jié)流閥。真空泵可例如包括泵速可至5000升每秒(及更大)的渦輪分子真空泵(TMP)。TMP可用于通常壓力小于約50mTorr的低壓處理。對于高壓處理(即，大于約100mTorr)，可使用機(jī)械增壓泵和干粗抽泵。
參見圖5，熱處理系統(tǒng)210還可包括具有微處理器、存儲器和數(shù)字I/O端口的控制器275，其能夠生成控制電壓，該控制電壓傳輸和激活至熱處理系統(tǒng)210的輸入以及監(jiān)測熱處理系統(tǒng)210的輸出。而且，控制器275可與襯底支座溫度控制單元278、上部組件溫度控制單元286、上部組件284、熱壁溫度控制單元281、真空泵系統(tǒng)280和襯底升降組件290相連并與其交換信息。例如，可利用存儲器中存儲的程序來激活根據(jù)工藝配方的的到熱處理系統(tǒng)210的前述構(gòu)件的輸入?？刂破?75的一個例子為可從美國Texas州Austin的Dell公司購得的DELL PRECISION WORKSTATION610TM。
在另一個實施方式，控制器235和275可以是相同的控制器。
作為一個例子，圖6所示的熱處理系統(tǒng)2210還包括帶手柄2213的蓋2212、至少一個折葉2214、可視窗口2215、至少一個壓力傳感裝置2216、至少一個校準(zhǔn)裝置2235和至少一個緊固裝置2236。此外，熱處理系統(tǒng)2210還可包括襯底檢測系統(tǒng)2217，用于確定襯底是否定位在支撐面上。襯底檢測系統(tǒng)可例如包括Keyence數(shù)字激光傳感器。
在一個實施例中，如圖2所示的處理系統(tǒng)200可以是用于修整氧化物硬掩膜的化學(xué)氧化物去除(COR)系統(tǒng)。處理系統(tǒng)200可包括化學(xué)處理系統(tǒng)220，用于化學(xué)處理襯底上的暴露的表面層(例如氧化物表面層)，從而暴露表面上的工藝化學(xué)物質(zhì)的吸附對影響表面層化學(xué)變化起作用。此外，處理系統(tǒng)200可包括用于對襯底進(jìn)行熱處理的熱處理系統(tǒng)210，從而升高襯底的溫度以解吸(或蒸發(fā))襯底上的已發(fā)生化學(xué)變化的暴露表面層。
在化學(xué)處理系統(tǒng)220中，處理空間262(見圖2)被抽真空，并引入含HF和NH3的處理氣體。處理壓力可為約1至約100mTorr，或約2至約25mTorr。處理氣體流率對于每種物質(zhì)可為約1至約200sccm，或約10至約100sccm。盡管圖2和圖3所示的真空泵系統(tǒng)250是從側(cè)面與化學(xué)處理室221相通，但可獲得均勻(三維)的壓力場。表1列出了襯底表面壓力均勻性的相關(guān)度，其為處理壓力和氣體分配系統(tǒng)260與襯底242上表面之間的間距的函數(shù)。
表1

另外，化學(xué)處理室221可被加熱至約30℃至約100℃的溫度。例如溫度可為約40℃。此外，氣體分配系統(tǒng)可被加熱至約40℃至約100℃的溫度。例如溫度可為50℃。襯底可保持在約10℃至約50℃的溫度。例如，襯底溫度可為約20℃。
在熱處理系統(tǒng)210中，熱處理室211可被加熱至約50℃至約100℃的溫度。例如溫度可為約80℃。此外，上部組件可被加熱至約50℃至約100℃的溫度。例如溫度可為約80℃。襯底可被加熱至高于約100℃的溫度。例如溫度可為約100℃至約200℃。或者，襯底溫度可為約135℃。
本文所述的化學(xué)處理和熱處理可提供對于熱氧化物，暴露氧化物表面層的蝕刻量大于約10納米/60秒的化學(xué)處理；對于熱氧化物，暴露氧化物表面層的蝕刻量大于約25納米/180秒的化學(xué)處理；對于臭氧TEOS，暴露氧化物表面層的蝕刻量大于約10納米/180秒的化學(xué)處理。這些處理還可使整個襯底的蝕刻偏差小于約2.5％。
雖然上文只是描述了本發(fā)明的某些實施方式，但是本領(lǐng)域的技術(shù)人員很容易意識到可在不本質(zhì)上脫離本發(fā)明的新教導(dǎo)和優(yōu)點的前提下，對這些實施方式進(jìn)行許多改進(jìn)。因此，所有這種改進(jìn)均落入本發(fā)明的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求
1.用于處理襯底的減少維護(hù)處理系統(tǒng)，包括用于使所述襯底上的暴露表面層發(fā)生化學(xué)變化的化學(xué)處理系統(tǒng)，所述化學(xué)處理系統(tǒng)包括溫度受控化學(xué)處理室，所述化學(xué)處理室具有在至少部分內(nèi)表面上形成的保護(hù)阻擋層；用于對所述襯底上的已發(fā)生化學(xué)變化的表面層進(jìn)行熱處理的熱處理系統(tǒng)，所述熱處理系統(tǒng)包括溫度受控?zé)崽幚硎?，所述熱處理室具有在至少部分?nèi)表面上形成的保護(hù)阻擋層；和連接至所述熱處理系統(tǒng)和所述化學(xué)處理系統(tǒng)的熱絕緣組件。
2.如權(quán)利要求1所述的處理系統(tǒng)，其中所述熱絕緣組件在至少一個暴露表面上包括保護(hù)阻擋層。
3.如權(quán)利要求1所述的處理系統(tǒng)，其中所述化學(xué)處理系統(tǒng)還包括安裝在所述化學(xué)處理室內(nèi)并具有形成在至少部分暴露表面上的保護(hù)阻擋層的溫度受控襯底支座、連接至所述化學(xué)處理室的真空泵系統(tǒng)和包括多個氣體注入孔的氣體分配板，所述氣體分配板的至少部分暴露表面和每個孔的至少部分暴露表面上形成有保護(hù)阻擋層，其中所述氣體分配板連接至溫度受控氣體分配系統(tǒng)，用于將處理氣體引入所述化學(xué)處理室；所述熱處理系統(tǒng)還包括安裝在所述熱處理室內(nèi)并具有形成在至少部分暴露表面上的保護(hù)阻擋層的溫度受控襯底支座和連接至所述熱處理室的真空泵系統(tǒng)；所述處理系統(tǒng)還包括連接至所述化學(xué)處理系統(tǒng)和所述熱處理系統(tǒng)的控制系統(tǒng)，所述控制系統(tǒng)配置來控制至少下列之一化學(xué)處理室溫度、化學(xué)處理氣體分配系統(tǒng)溫度、化學(xué)處理襯底支座溫度、化學(xué)處理襯底溫度、化學(xué)處理處理壓力、化學(xué)處理氣體流率、熱處理室溫度、熱處理襯底支座溫度、熱處理襯底溫度、熱處理處理壓力和熱處理氣體流率。
4.如權(quán)利要求1所述的處理系統(tǒng)，其中所述化學(xué)處理室內(nèi)表面上的保護(hù)阻擋層包括用PTFE和/或TFE浸漬的陽極化金屬。
5.如權(quán)利要求4所述的處理系統(tǒng)，其中所述化學(xué)處理室內(nèi)表面上的保護(hù)阻擋層包括用PTFE和/或TFE浸漬的硬陽極化金屬。
6.如權(quán)利要求4所述的處理系統(tǒng)，其中所述金屬包括鋁和鋁合金中的至少一種。
7.如權(quán)利要求1所述的處理系統(tǒng)，其中所述化學(xué)處理室內(nèi)表面上的保護(hù)阻擋層包括Al2O3、Y2O3、Sc2O3、Sc2F3、YF3、La2O3、CeO2、Eu2O3和DyO3中的至少一種。
8.如權(quán)利要求1所述的處理系統(tǒng)，其中所述化學(xué)處理系統(tǒng)還包括溫度受控襯底支座，所述襯底支座具有形成在其至少一部分上的保護(hù)阻擋層，所述安裝在化學(xué)處理室內(nèi)的溫度受控襯底支座上的保護(hù)阻擋層包括用PTFE和/或TFE浸漬的陽極化金屬。
9.如權(quán)利要求1所述的處理系統(tǒng)，其中所述化學(xué)處理系統(tǒng)還包括溫度受控襯底支座，所述襯底支座具有形成在其至少一部分上的保護(hù)阻擋層，所述安裝在化學(xué)處理室內(nèi)的溫度受控襯底支座上的保護(hù)阻擋層包括Al2O3、Y2O3、Sc2O3、Sc2F3、YF3、La2O3、CeO2、Eu2O3和DyO3中的至少一種。
10.如權(quán)利要求1所述的處理系統(tǒng)，其中所述化學(xué)處理系統(tǒng)還包括具有多個氣體注入孔的氣體分配板，所述氣體分配板的至少部分暴露表面和每個孔的至少部分暴露表面上形成有保護(hù)阻擋層，其中所述氣體分配板連接至溫度受控氣體分配系統(tǒng)，用于將處理氣體引入所述化學(xué)處理室，所述氣體分配板上的保護(hù)阻擋層和每個孔上的保護(hù)阻擋層包括用PTFE和/或TFE浸漬的陽極化金屬。
11.如權(quán)利要求10所述的處理系統(tǒng)，其中所述氣體分配板的暴露表面上的保護(hù)阻擋層和每個孔的暴露表面上的保護(hù)阻擋層包括用PTFE和/或TFE浸漬的硬陽極化金屬。
12.如權(quán)利要求10所述的處理系統(tǒng)，其中所述金屬包括鋁和鋁合金中的至少一種。
13.如權(quán)利要求1所述的處理系統(tǒng)，其中所述化學(xué)處理系統(tǒng)還包括具有多個氣體注入孔的氣體分配板，所述氣體分配板的至少部分暴露表面和每個孔的至少部分暴露表面上形成有保護(hù)阻擋層，其中所述氣體分配板連接至溫度受控氣體分配系統(tǒng)，用于將處理氣體引入所述化學(xué)處理室，所述氣體分配板的暴露表面上的保護(hù)阻擋層和每個孔的暴露表面上的保護(hù)阻擋層包括Al2O3、Y2O3、Sc2O3、Sc2F3、YF3、La2O3、CeO2、Eu2O3和DyO3中的至少一種。
14.如權(quán)利要求1所述的處理系統(tǒng)，其中所述溫度受控?zé)崽幚硎覂?nèi)表面上的保護(hù)阻擋層包括用PTFE和/或TFE浸漬的陽極化金屬。
15.如權(quán)利要求14所述的處理系統(tǒng)，其中所述溫度受控?zé)崽幚硎覂?nèi)表面上的保護(hù)阻擋層包括用PTFE和/或TFE浸漬的硬陽極化金屬。
16.如權(quán)利要求14所述的處理系統(tǒng)，其中所述金屬包括鋁和鋁合金中的至少一種。
17.如權(quán)利要求1所述的處理系統(tǒng)，其中所述溫度受控?zé)崽幚硎覂?nèi)表面上的保護(hù)阻擋層包括Al2O3、Y2O3、Sc2O3、Sc2F3、YF3、La2O3、CeO2、Eu2O3和DyO3中的至少一種。
18.如權(quán)利要求1所述的處理系統(tǒng)，其中所述熱處理系統(tǒng)還包括溫度受控襯底支座，所述襯底支座安裝在所述熱處理室內(nèi)并且在至少部分暴露表面上形成有保護(hù)阻擋層，所述安裝在溫度受控?zé)崽幚硎覂?nèi)的溫度受控襯底支座的暴露表面上的保護(hù)阻擋層包括用PTFE和/或TFE浸漬的陽極化金屬。
19.如權(quán)利要求1所述的處理系統(tǒng)，其中所述熱處理系統(tǒng)還包括溫度受控襯底支座，所述襯底支座安裝在所述熱處理室內(nèi)并且在至少部分暴露表面上形成有保護(hù)阻擋層，所述安裝在溫度受控?zé)崽幚硎覂?nèi)的溫度受控襯底支座的暴露表面上的保護(hù)阻擋層包括Al2O3、Y2O3、Sc2O3、Sc2F3、YF3、La2O3、CeO2、Eu2O3和DyO3中的至少一種。
20.如權(quán)利要求1所述的處理系統(tǒng)，其中所述熱絕緣組件包括閘門閥組件、其中在所述閘門閥組件的至少部分暴露表面上形成有保護(hù)阻擋層。
21.如權(quán)利要求20所述的處理系統(tǒng)，其中所述門閥裝置暴露表面上的保護(hù)阻擋層包括用PTFE和/或TFE浸漬的陽極化金屬。
22.如權(quán)利要求20所述的處理系統(tǒng)，其中所述門閥裝置暴露表面上的保護(hù)阻擋層包括Al2O3、Y2O3、Sc2O3、Sc2F3、YF3、La2O3、CeO2、Eu2O3和DyO3中的至少一種。
23.如權(quán)利要求10所述的處理系統(tǒng)，其中所述處理氣體包括第一氣體和第二氣體。
24.如權(quán)利要求23所述的處理系統(tǒng)，其中所述第一氣體包括NH3、HF、H2、O2、CO、CO2、Ar、He和N2中的至少一種。
25.如權(quán)利要求23所述的處理系統(tǒng)，其中所述第二氣體包括NH3、HF、H2、O2、CO、CO2、Ar、He和N2中的至少一種。
26.如權(quán)利要求23所述的處理系統(tǒng)，其中所述多個孔包括用于將所述第一氣體連接至所述處理空間的孔的第一陣列和用于將所述第二氣體連接至所述處理空間的孔的第二陣列。
27.如權(quán)利要求1所述的處理系統(tǒng)，其中所述熱處理系統(tǒng)還包括連接至所述熱處理室的襯底升降組件，用于在傳輸面與所述襯底支座之間垂直移動所述襯底。
28.如權(quán)利要求27所述的處理系統(tǒng)，其中所述襯底升降組件包括具有三個或更多個舌片的葉片以及驅(qū)動系統(tǒng)，所述葉片用于接受襯底并具有形成在至少部分暴露表面上的保護(hù)阻擋層，所述驅(qū)動系統(tǒng)用于在所述襯底支座與傳輸面之間垂直移動所述襯底。
29.如權(quán)利要求28所述的處理系統(tǒng)，其中所述葉片的至少一個暴露表面上的保護(hù)阻擋層包括用PTFE和/或TFE浸漬的陽極化金屬。
30.如權(quán)利要求28所述的處理系統(tǒng)，其中所述葉片的至少一個暴露表面上的保護(hù)阻擋層包括Al2O3、Y2O3、Sc2O3、Sc2F3、YF3、La2O3、CeO2、Eu2O3和DyO3中的至少一種。
31.用于使襯底上的暴露表面層發(fā)生化學(xué)變化的化學(xué)處理系統(tǒng)，包括具有形成在至少部分內(nèi)表面上的保護(hù)阻擋層的溫度受控化學(xué)處理室；安裝在所述化學(xué)處理室內(nèi)的溫度受控襯底支座；連接至所述化學(xué)處理室的真空泵系統(tǒng)；和包括多個氣體注入孔的氣體分配板，所述氣體分配板連接至溫度受控氣體分配系統(tǒng)，用于將處理氣體引入所述化學(xué)處理室。
32.如權(quán)利要求31所述的化學(xué)處理系統(tǒng)，其中所述化學(xué)處理室內(nèi)表面上的保護(hù)阻擋層包括用PTFE和/或TFE浸漬的陽極化金屬。
33.如權(quán)利要求32所述的化學(xué)處理系統(tǒng)，其中所述化學(xué)處理室內(nèi)表面上的保護(hù)阻擋層包括用PTFE和/或TFE浸漬的硬陽極化金屬。
34.如權(quán)利要求32所述的化學(xué)處理系統(tǒng)，其中所述金屬包括鋁和鋁合金中的至少一種。
35.如權(quán)利要求31所述的化學(xué)處理系統(tǒng)，其中所述化學(xué)處理室內(nèi)表面上的保護(hù)阻擋層包括Al2O3、Y2O3、Sc2O3、Sc2F3、YF3、La2O3、CeO2、Eu2O3和DyO3中的至少一種。
36.如權(quán)利要求31所述的化學(xué)處理系統(tǒng)，其中所述襯底支座具有形成在至少部分暴露表面上的保護(hù)阻擋層。
37.如權(quán)利要求31所述的化學(xué)處理系統(tǒng)，其中在所述氣體分配板的至少部分暴露表面上和每個孔的至少部分暴露表面上形成有保護(hù)阻擋層。
38.用于熱處理襯底上已發(fā)生化學(xué)變化的表面層的熱處理系統(tǒng)，所述熱處理系統(tǒng)包括具有形成在至少部分內(nèi)表面上的保護(hù)阻擋層的溫度受控?zé)崽幚硎遥话惭b在所述熱處理室內(nèi)的溫度受控襯底支座；連接至所述熱處理室的真空泵系統(tǒng)；和連接至所述熱處理室的溫度受控上部組件。
39.如權(quán)利要求38所述的熱處理系統(tǒng)，其中所述熱處理室內(nèi)表面上的保護(hù)阻擋層包括用PTFE和/或TFE浸漬的陽極化金屬。
40.如權(quán)利要求39所述的熱處理系統(tǒng)，其中所述熱處理室內(nèi)表面上的保護(hù)阻擋層包括用PTFE和/或TFE浸漬的硬陽極化金屬。
41.如權(quán)利要求39所述的熱處理系統(tǒng)，其中所述金屬包括鋁和鋁合金中的至少一種。
42.如權(quán)利要求38所述的熱處理系統(tǒng)，其中所述熱處理室內(nèi)表面上的保護(hù)阻擋層包括Al2O3、Y2O3、Sc2O3、Sc2F3、YF3、La2O3、CeO2、Eu2O3和DyO3中的至少一種。
43.如權(quán)利要求38所述的熱處理系統(tǒng)，其中所述襯底支座具有在形成至少一個暴露表面上的保護(hù)阻擋層。
44.對處理室進(jìn)行處理的方法，包括陽極化所述處理室的至少部分內(nèi)表面；和用PTFE和/或TFE浸漬所述陽極化表面，從而生成保護(hù)阻擋層。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種化學(xué)氧化物去除(COR)處理系統(tǒng)，其中所述COR系統(tǒng)包括第一處理室和第二處理室。所述第一處理室包括化學(xué)處理室，提供具有保護(hù)阻擋層的溫度受控室。所述第二處理室包括熱處理室，提供具有保護(hù)阻擋層的溫度受控室。
文檔編號H01L21/00GK1898772SQ200480038035
公開日2007年1月17日 申請日期2004年11月9日 優(yōu)先權(quán)日2003年12月17日
發(fā)明者亞瑟·H·小拉弗拉彌, 托馬斯·哈梅林, 杰伊·華萊士 申請人:東京毅力科創(chuàng)株式會社