專利名稱：含有結(jié)合于聚合物的催化劑的封裝劑混合物的制作方法
背景技術(shù)：
發(fā)明領(lǐng)域本發(fā)明一般涉及一種構(gòu)建微電子組件的方法，更具體地涉及用來在組件的微電子芯片(die)上形成模的封裝劑混合物。
相關(guān)技術(shù)通常在晶片襯底上制造集成電路。然后將晶片襯底“單切”或“切成方塊”，形成一個個芯片，每個芯片載有一個集成電路。然后通常將這種芯片安裝在襯底上。襯底為整個組件提供結(jié)構(gòu)剛性，并且具有用于傳輸信號到集成電路或從集成電路傳出信號的傳導(dǎo)線。然后在芯片上形成封裝物，以保護(hù)芯片和進(jìn)一步提高整個組件的剛性。
一般通過將模件設(shè)置在微電子芯片上，然后將封裝劑混合物注入到模件表面與微電子芯片之間所限定的空間中，由此形成封裝物。在封裝劑混合物固化后除去模件。
現(xiàn)有的封裝劑混合物使用環(huán)氧樹脂和高活性催化劑，諸如三苯基膦。潛固化催化劑通常依賴于使用一種或多種能空間阻礙催化劑從而在所有溫度降低活性的大體積配體，為了克服使用這類配體所引起的聚合速率減慢的問題，需要使用高濃度催化劑。使用高濃度催化劑會提高成本。高濃度催化劑也會提高催化劑的總活性，從而減少了催化劑的潛在作用。


參考以下附圖，通過實施例對本發(fā)明進(jìn)行描述圖1是說明如何將本發(fā)明實施方式的封裝劑混合物注入到模件和芯片之間所限定的空間中的截面圖。
圖2是表示封裝劑混合物的放大圖。
圖3是與圖2類似的視圖，是封裝劑混合物的催化劑復(fù)合物(compound)被加熱為液體且封裝劑混合物的環(huán)氧化物被固化后的情況。。
圖4是與圖1類似的視圖，是封裝劑混合物被固化且模件被除去后的情況。
圖5是可用在本發(fā)明實施方式的封裝劑混合物中的催化劑復(fù)合物的化學(xué)結(jié)構(gòu)。
發(fā)明的詳細(xì)說明提供一種構(gòu)建微電子組件的方法。如圖1所示，將模件10設(shè)置在微電子芯片12上。將微電子芯片12安裝在封裝襯底14上。微電子芯片12載有集成電路，并與襯底14中的電導(dǎo)體電連接。將封裝劑混合物16注入到模件10、微電子芯片和襯底14的表面之間所限定的空間中。如圖2所示，封裝劑混合物16包含液相環(huán)氧化物18和固相催化劑復(fù)合物20。然后將處于上述空間中的封裝劑混合物16加熱到催化劑復(fù)合物20變?yōu)橐后w的溫度。如圖3所示，液體催化劑復(fù)合物20接著將環(huán)氧化物18固化。進(jìn)一步如圖4所示，除去圖1中的模件10，以使固化的封裝劑混合物在芯片12上形成封裝物22。
因此，可以看出，催化劑復(fù)合物20在封裝劑混合物16被注入和加熱到催化劑復(fù)合物20會變?yōu)橐后w的溫度以上之前一直保持為非活性的。在此狀態(tài)下，催化劑復(fù)合物只具有表面活性，這意味著只有極少的催化作用，以使封裝劑混合物保持穩(wěn)定，具有較長的保存時間。
例如，催化劑復(fù)合物可包含聚合物和結(jié)合于聚合物的催化劑。然后在催化劑復(fù)合物被加熱到其玻璃化溫度以上時，使該催化劑從聚合物中釋放出來。然后釋放的催化劑固化環(huán)氧化物。
許多環(huán)氧樹脂可用于實施本發(fā)明。有用的環(huán)氧樹脂的例子包括雙(4-縮水甘油基羥苯基)甲烷(Tm＝-15℃)、聚[(鄰甲苯基縮水甘油醚)-共-甲醛](Tm＝37℃)、4，4’-異亞丙基二酚縮水甘油醚(Tm＝40℃)、3，5，3’，5’-四甲基二苯基4，4’-二縮水甘油醚(Tm＝90℃)等化合物或它們的混合物。優(yōu)選的環(huán)氧樹脂是在低于約100℃時為液體的環(huán)氧樹脂。
許多聚合物可用在本發(fā)明的實施中，前提是該聚合物在溫度超過樹脂熔點時為液體。優(yōu)選的聚合物在高于約100℃的溫度時為液體。聚合物可包括烯烴、聚酯、聚酰胺、聚胺或聚醚。有用的聚合物的例子包括聚苯乙烯、聚丙烯酸酯、聚對苯二甲酸丁二酯、聚己二酰己二胺和聚苯醚。如圖5所示，結(jié)合于聚合物的催化劑可以是例如結(jié)合于聚苯乙烯的二苯基膦。結(jié)合于聚苯乙烯的二苯基膦可任選與二乙烯基苯輕度交聯(lián)。
催化劑復(fù)合物可包含120℃時活性低于相同質(zhì)量分?jǐn)?shù)的三苯基膦的催化劑。該催化劑在160℃時的活性與相同質(zhì)量分?jǐn)?shù)的三苯基膦大致相同。
環(huán)氧化物在溫度低于30℃時為液體，優(yōu)選在溫度低于22℃時為液體。在較低溫度時為液體的環(huán)氧化物可在較低的溫度下注入。
1)對比例通過以下步驟制備封裝劑混合物(1)在具有研磨葉片的混合器中將9.60克環(huán)氧化的四甲基聯(lián)苯、10.85克線性酚醛清漆(novalak)樹脂(每克含有0.50當(dāng)量)、79克二氧化硅、0.3克巴西棕櫚蠟、0.2克3，4-環(huán)氧丙基三甲氧基硅烷、0.05克三苯基膦進(jìn)行干混，同時進(jìn)行冷卻以使溫度保持在25℃以下，(2)在110℃輥磨該混合物。然后對所得材料進(jìn)行研磨，擠壓為粒料。在165℃通過傳遞模塑法在芯片上方進(jìn)行模塑。
2)實施例通過以下步驟制備?；衔锱鋭?1)在具有研磨葉片的混合器中將8.22克環(huán)氧化的四甲基聯(lián)苯、9.28克線性酚醛清漆樹脂(每克含有0.50當(dāng)量)、79克二氧化硅、0.3克巴西棕櫚蠟、0.2克3，4-環(huán)氧丙基三甲氧基硅烷和3克與聚苯乙烯結(jié)合的二苯基膦(每克2毫摩爾)進(jìn)行干混，同時進(jìn)行冷卻以使溫度保持在25℃以下，(2)在110℃輥磨該混合物。然后對所得材料進(jìn)行研磨，擠壓為粒料。在165℃通過傳遞模塑法在對芯片上方進(jìn)行模塑。
雖然某些示例性實施方式已經(jīng)被描述并顯示在附圖中，但是應(yīng)理解此類實施方式只是說明性的，不用來限制本發(fā)明，本發(fā)明不受所示和所描述的具體構(gòu)造和排列所限制，因為本領(lǐng)域技術(shù)人員可以對此進(jìn)行修改。
權(quán)利要求
1.一種構(gòu)建微電子組件的方法，其包括將模件設(shè)置在載有集成電路的微電子芯片上；將封裝劑混合物注入模件表面和微電子芯片表面之間所限定的空間中，所述封裝劑混合物在注入時包含液相環(huán)氧化物和固相催化劑復(fù)合物；以及將所述空間中的封裝劑混合物加熱至使催化劑復(fù)合物成為液體并將所述環(huán)氧化物固化的溫度。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述催化劑復(fù)合物包含聚合物和結(jié)合于所述聚合物的催化劑。
3.如權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述聚合物是聚苯乙烯。
4.如權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述催化劑是二苯基膦。
5.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述催化劑復(fù)合物包括在120℃時活性低于相同質(zhì)量分?jǐn)?shù)的三苯基膦的催化劑。
6.如權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于，所述催化劑在160℃時的活性與相同質(zhì)量分?jǐn)?shù)的三苯基膦的活性大致相同。
7.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述環(huán)氧化物包括雙(4-縮水甘油基羥苯基)甲烷(Tm＝-15℃)、聚[(鄰甲苯基縮水甘油醚)-共-甲醛](Tm＝37℃)、4，4’-異亞丙基二酚縮水甘油醚(Tm＝40℃)、3，5，3’，5’-四甲基二苯基4，4’-二縮水甘油醚(Tm＝90℃)中的至少一種。
8.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述環(huán)氧化物在22℃時為液體。
9.如權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于，所述環(huán)氧化物在30℃時為液體。
10.如權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于，所述環(huán)氧化物包括雙(4-縮水甘油基羥苯基)甲烷(Tm＝-15℃)。
11.如權(quán)利要求1所述的方法，還包括在環(huán)氧化物固化后從模件中除去所述環(huán)氧化物。
12.一種構(gòu)建微電子組件的方法，其包括將模件設(shè)置在載有集成電路的微電子芯片上；將封裝劑混合物注入到模件表面和微電子芯片表面之間所限定的空間中，所述封裝劑混合物包含液相環(huán)氧化物和固相的結(jié)合于聚苯乙烯的二苯基膦催化劑復(fù)合物；以及將所述空間中的封裝劑混合物加熱到高于聚苯乙烯的玻璃化溫度，以使二苯基膦將環(huán)氧化物固化。
13.如權(quán)利要求12所述的方法，其特征在于，所述環(huán)氧化物在22℃時為液體。
14.如權(quán)利要求13所述的方法，其特征在于，所述環(huán)氧化物包括雙(4-縮水甘油基羥苯基)甲烷(Tm＝-15℃)。
15.一種封裝劑混合物，其包含在22℃時為液相的環(huán)氧化物；和在22℃時為固相的催化劑復(fù)合物，加熱所述催化劑復(fù)合物造成環(huán)氧化物的固化。
16.如權(quán)利要求15所述的封裝劑混合物，其特征在于，環(huán)氧化物的固化需要將催化劑復(fù)合物加熱到能使其成為液體的溫度。
17.如權(quán)利要求15所述的封裝劑混合物，其特征在于，所述催化劑復(fù)合物包含聚合物和結(jié)合于所述聚合物的催化劑。
18.如權(quán)利要求17所述的封裝劑混合物，其特征在于，所述聚合物是聚苯乙烯。
19.如權(quán)利要求17所述的封裝劑混合物，其特征在于，所述催化劑是二苯基膦。
20.如權(quán)利要求15所述的封裝劑混合物，其特征在于，所述催化劑復(fù)合物包含在120℃時活性低于相同質(zhì)量分?jǐn)?shù)的三苯基膦的催化劑。
21.如權(quán)利要求20所述的封裝劑混合物，其特征在于，所述催化劑在160℃時的活性與相同質(zhì)量分?jǐn)?shù)的三苯基膦的活性大致相同。
22.如權(quán)利要求15所述的封裝劑混合物，其特征在于，所述環(huán)氧化物在30℃時為液體。
23.如權(quán)利要求15所述的封裝劑混合物，其特征在于，所述環(huán)氧化物包括雙(4-縮水甘油基羥苯基)甲烷(Tm＝-15℃)。
全文摘要
提供一種構(gòu)建微電子組件的方法。將模件設(shè)置在載有集成電路的微電子芯片上。將封裝劑混合物注入到模件表面和微電子芯片表面之間所限定的空間中。所述封裝劑混合物在注入時包含液相環(huán)氧化物和固相催化劑復(fù)合物。催化劑復(fù)合物可以是例如聚苯乙烯，該催化劑可以是二苯基膦。然后將所述催化劑復(fù)合物加熱到其玻璃化溫度以上，以使二苯基膦從聚苯乙烯中釋放出來。然后二苯基膦固化環(huán)氧化物。環(huán)氧化物優(yōu)選在室溫下為液體。
文檔編號H01L21/56GK1890285SQ200480036101
公開日2007年1月3日 申請日期2004年11月24日 優(yōu)先權(quán)日2003年12月8日
發(fā)明者J·小馬塔雅巴斯 申請人:英特爾公司