專(zhuān)利名稱(chēng)：車(chē)用二極管芯片的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種二極管芯片，尤其與汽車(chē)用二極管芯片有關(guān)。
背景技術(shù)：
現(xiàn)有的汽車(chē)整流二極管仍以普通整流為主，其內(nèi)部的整流粒子多為兩層或三層結(jié)構(gòu)，它是在芯片的一面或兩面焊接鉬片、銅片或鐵片，而在芯片的側(cè)面用硅橡膠保護(hù)。由于硅橡膠本身的高溫性能不穩(wěn)定，影響了汽車(chē)整流二極管在高溫下工作的穩(wěn)定性，一般情況下其工作時(shí)的等效結(jié)溫不高于150℃。此外，由于其不具備對(duì)瞬變電壓的抑制功能，因此，在電路要求此功能時(shí)，只有靠另加相應(yīng)的TVS器件來(lái)實(shí)現(xiàn)，從而增加了成本及模塊電路的復(fù)雜性，并且在給模塊預(yù)留的有限空間中增加這樣的功能也是很困難的。

發(fā)明內(nèi)容
本實(shí)用新型的目的是提供一種耐高結(jié)溫的，具備對(duì)瞬變電壓抑制功能的，性能優(yōu)越的車(chē)用二極管芯片。
為達(dá)到上述目的，本實(shí)用新型是通過(guò)如下技術(shù)解決方案實(shí)現(xiàn)的。車(chē)用二極管芯片，包括芯片體及結(jié)終端保護(hù)層，芯片體結(jié)終端為凹臺(tái)形結(jié)構(gòu)，結(jié)終端保護(hù)層設(shè)于凹臺(tái)上。
所述的車(chē)用二極管芯片，其結(jié)終端保護(hù)層為玻璃保護(hù)層，低壓化學(xué)氣相沉積的二氧化硅層及半絕緣多晶硅層其中的一層，或其中的兩層或三層的復(fù)合。
所述的車(chē)用二極管芯片，其結(jié)終端保護(hù)層由玻璃保護(hù)層及低壓化學(xué)氣相沉積的二氧化硅層組成，且低壓化學(xué)氣相沉積的二氧化硅層位于芯片體與玻璃保護(hù)層之間。
所述的車(chē)用二極管芯片，其結(jié)終端保護(hù)層由玻璃保護(hù)層、低壓化學(xué)氣相沉積的二氧化硅層及半絕緣多晶硅層組成，半絕緣多晶硅層位于芯片體與低溫二氧化硅層之間。
所述的車(chē)用二極管芯片，其芯片體組成材料為硅，其內(nèi)部由極緩變雜質(zhì)濃度分布的PN結(jié)和極高雜質(zhì)濃度分布的表面層和次表面層構(gòu)成。
本實(shí)用新型與現(xiàn)有技術(shù)相比具有以下優(yōu)點(diǎn)(一)是可靠性高，即使在215℃的結(jié)溫條件下也能正常工作；(二)是結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、加工使用方便；(三)是功能強(qiáng)，具有整流和對(duì)瞬變電壓的抑制兩種功能，可以對(duì)電路中的負(fù)載進(jìn)行有效的保護(hù)。


圖1是本實(shí)用新型高結(jié)溫汽車(chē)雪崩整流二極管芯片單玻璃保護(hù)層的結(jié)構(gòu)示意圖。
圖2是本實(shí)用新型高結(jié)溫汽車(chē)雪崩整流二極管芯片雙保護(hù)層的結(jié)構(gòu)示意圖。
圖3是本實(shí)用新型高結(jié)溫汽車(chē)雪崩整流二極管芯片三保護(hù)層的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施方式
以下結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型的實(shí)施例作進(jìn)一步詳細(xì)的描述。
實(shí)施例1如圖1所示，車(chē)用二極管芯片，包括芯片體1及結(jié)終端保護(hù)層5，芯片體1結(jié)終端為凹臺(tái)形結(jié)構(gòu)，結(jié)終端保護(hù)層5為玻璃保護(hù)層2，且設(shè)于凹臺(tái)上，芯片體1中的PN結(jié)通過(guò)擴(kuò)散工藝形成，凹臺(tái)面用蝕刻的方法形成，芯片體1組成材料為硅，其內(nèi)部由極緩變雜質(zhì)濃度分布的PN結(jié)和極高雜質(zhì)濃度分布的表面層和次表面層構(gòu)成。
實(shí)施例2如圖2所示，結(jié)終端保護(hù)層5由玻璃保護(hù)層2及低壓化學(xué)氣相沉積的二氧化硅層3組成，且低壓化學(xué)氣相沉積的二氧化硅層3位于芯片體1與玻璃保護(hù)層2之間，其余同實(shí)施例1。
實(shí)施例3如圖3所示，結(jié)終端保護(hù)層5由玻璃保護(hù)層2、低壓化學(xué)氣相沉積的二氧化硅層3及半絕緣多晶硅層4組成，半絕緣多晶硅層4位于芯片體1與低壓化學(xué)氣相沉積的二氧化硅層3之間，其余同實(shí)施例1。
權(quán)利要求1.一種車(chē)用二極管芯片，包括芯片體(1)，其特征在于它還包括結(jié)終端保護(hù)層(5)，芯片體(1)結(jié)終端為凹臺(tái)形結(jié)構(gòu)，結(jié)終端保護(hù)層(5)設(shè)于凹臺(tái)上。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的車(chē)用二極管芯片，其特征在于結(jié)終端保護(hù)層(5)為玻璃保護(hù)層(2)，低壓化學(xué)氣相沉積的二氧化硅層(3)及半絕緣多晶硅層(4)其中的一層，或其中的兩層或三層的復(fù)合。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的車(chē)用二極管芯片，其特征在于結(jié)終端保護(hù)層(5)由玻璃保護(hù)層(2)及低壓化學(xué)氣相沉積的二氧化硅層(3)組成，且低壓化學(xué)氣相沉積的二氧化硅層(3)位于芯片體(1)與玻璃保護(hù)層(2)之間。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的車(chē)用二極管芯片，其特征在于結(jié)終端保護(hù)層(5)由玻璃保護(hù)層(2)、低壓化學(xué)氣相沉積的二氧化硅層(3)及半絕緣多晶硅層(4)組成，半絕緣多晶硅層(4)位于芯片體(1)與低溫二氧化硅層(3)之間。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的車(chē)用二極管芯片，其特征在于芯片體(1)組成材料為硅，其內(nèi)部由極緩變雜質(zhì)濃度分布的PN結(jié)和極高雜質(zhì)濃度分布的表面層和次表面層構(gòu)成。
6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的車(chē)用二極管芯片，其特征在于芯片體(1)組成材料為硅，其內(nèi)部由極緩變雜質(zhì)濃度分布的PN結(jié)和極高雜質(zhì)濃度分布的表面層和次表面層構(gòu)成。
7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的車(chē)用二極管芯片，其特征在于芯片體(1)組成材料為硅，其內(nèi)部由極緩變雜質(zhì)濃度分布的PN結(jié)和極高雜質(zhì)濃度分布的表面層和次表面層構(gòu)成。
專(zhuān)利摘要本實(shí)用新型公開(kāi)了一種車(chē)用二極管芯片。它包括芯片體及結(jié)終端保護(hù)層，芯片體結(jié)終端為凹臺(tái)形結(jié)構(gòu)，結(jié)終端保護(hù)層設(shè)于凹臺(tái)上。本實(shí)用新型具有結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，使用方便，同時(shí)可實(shí)現(xiàn)整流、瞬變電壓抑制兩種功能，可在215℃的結(jié)溫下工作等優(yōu)點(diǎn)，是現(xiàn)用的普通整流粒子的理想替代品。
文檔編號(hào)H01L29/66GK2706875SQ20042003748
公開(kāi)日2005年6月29日 申請(qǐng)日期2004年7月8日 優(yōu)先權(quán)日2004年7月8日
發(fā)明者謝曉東, 保愛(ài)林 申請(qǐng)人:紹興科盛電子有限公司