專利名稱：顯示器件及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及到具有光發(fā)射元件的像素部分的布局、具有該像素部分的有源矩陣顯示器件及其制造方法。
背景技術(shù)：
通過使用金屬掩模分別形成紅(R)、綠(G)和藍(lán)(B)光發(fā)射元件，而形成像素部分具有光發(fā)射元件的顯示器件。在光發(fā)射元件由低分子材料形成的情況下，例如，通過使用金屬掩模進(jìn)行氣相沉積分別形成紅(R)、綠(G)和藍(lán)(B)光發(fā)射元件，從而形成能夠?qū)崿F(xiàn)全色顯示的像素部分。
對(duì)于氣相淀積法制造光發(fā)射元件，為了獲得大尺寸和高分辨率，有一種有機(jī)光發(fā)射器件的制造方法，其中，當(dāng)將每種顏色的光發(fā)射元件分開的時(shí)候，在氣相淀積掩模(金屬掩模)中，對(duì)應(yīng)于上面淀積光發(fā)射元件的光發(fā)射部分的部分和相鄰光發(fā)射元件之間的邊界部分的寬度的比率設(shè)定為1∶0.5或更大(見專利文件1)。專利文件1描述了通過稍微改變金屬掩模的圖形和氣相淀積操作，不必對(duì)準(zhǔn)掩模就可以獲得精細(xì)圖形化的像素，并且形成全色顯示器，因此可以更容易地形成具有高分辨率的大顯示器。
此外，如專利文件1中的圖2所示，在金屬掩模中形成條形孔隙。如圖9A中所示，像素部分10包括多個(gè)像素12，它包括分別形成每個(gè)RBG元件的區(qū)11R、11G和11B。如圖9B所示，用于形成每個(gè)RGB的區(qū)域11R、11G和11B由堤13劃分成長(zhǎng)方形，堤13在氣相淀積前由絕緣體形成，由此在列方向相同顏色的區(qū)可以同時(shí)淀積。這樣，行方向被堤13分割，由此在金屬掩模中形成沿列方向上長(zhǎng)度長(zhǎng)的條形(狹縫形狀)孔隙。
日本專利特開2000-68053號(hào)。

發(fā)明內(nèi)容
為了增加具有光發(fā)射元件的這種顯示器件的分辨率，要求元件形成區(qū)域之間的間隔要窄，間隔影響顯示器的分辨率?？紤]到強(qiáng)度和構(gòu)圖精度，用于形成這些元件形成區(qū)域中的光發(fā)射元件的金屬掩模中的孔隙之間的間隔是受限制的。因此，掩模中的空隙之間的間隔不能輕易變窄。
此外，由于為了增加分辨率要求像素間的間隔變窄，因此要求半導(dǎo)體元件或布線之間的間隔變窄。甚至在布線等之間的間隔可以變窄的情況下，金屬掩模的孔隙之間的間隔仍不能輕易變窄。因此，當(dāng)像素間的間隔變窄時(shí)，孔隙和像素面積的比率，即孔徑比減少，因?yàn)槿缟纤鼋饘傺谀？紫吨g的間隔不能輕易變窄。
這樣，甚至當(dāng)用于形成半導(dǎo)體元件和較細(xì)布線的圖形精度提高時(shí)，也不能期望獲得具有光發(fā)射元件的顯示器的高分辨率，因?yàn)榻饘傺谀５目紫吨g的間隔不能變窄。
針對(duì)上面所提到的，本發(fā)明通過新穎的方法提供獲得高分辨率的具有光發(fā)射元件的像素的布局和具有該布局的顯示器件。
針對(duì)上面提到的問題，根據(jù)本發(fā)明，相同顏色的元件形成區(qū)對(duì)角線布置，并且像素部分具有多個(gè)像素共享一個(gè)元件形成區(qū)的一種結(jié)構(gòu)。此外，提供具有上述像素結(jié)構(gòu)的顯示器件。
本發(fā)明的一種具體的像素結(jié)構(gòu)是第一顏色、第二顏色和第三顏色的元件形成區(qū)分別對(duì)角線布置，并且三個(gè)或更多的元件形成區(qū)被每個(gè)像素共享。本發(fā)明提供具有上述像素結(jié)構(gòu)的顯示器件。
本發(fā)明的另一種像素結(jié)構(gòu)是第一顏色、第二顏色和第三顏色的元件形成區(qū)分別對(duì)角線布置，并且三個(gè)或更多的元件形成區(qū)被每個(gè)像素共享。每個(gè)像素具有選自不同元件形成區(qū)的第一顏色、第二顏色和第三顏色的相同顏色區(qū)。本發(fā)明提供具有上述像素結(jié)構(gòu)的顯示器件。
本發(fā)明的另一種像素結(jié)構(gòu)是提供第一顏色元件形成區(qū)、在和第一顏色元件形成區(qū)相同的列中毗鄰布置的第二顏色元件形成區(qū)、在和第二顏色元件形成區(qū)相同的列中毗鄰布置的第三顏色元件形成區(qū)。第一顏色、第二顏色和第三顏色的元件形成區(qū)對(duì)角線布置。每個(gè)像素具有選自第一顏色元件形成區(qū)、第二顏色元件形成區(qū)和第三顏色元件形成區(qū)的第一顏色、第二顏色和第三顏色的相同顏色區(qū)。本發(fā)明提供具有上述像素結(jié)構(gòu)的顯示器件。
本發(fā)明的另一種像素結(jié)構(gòu)是提供第一顏色元件形成區(qū)、在和第一顏色元件形成區(qū)相同的列中毗鄰布置的第二顏色元件形成區(qū)、在和第二顏色元件形成區(qū)相同的列中毗鄰布置的第三顏色元件形成區(qū)。第一顏色、第二顏色和第三顏色的元件形成區(qū)以在行方向上偏移一個(gè)節(jié)距的方式布置。節(jié)距是元件形成區(qū)的寬度。每個(gè)像素具有選自第一顏色元件形成區(qū)、第二顏色元件形成區(qū)和第三顏色元件形成區(qū)的第一顏色、第二顏色和第三顏色的相同顏色區(qū)。本發(fā)明提供具有上述像素結(jié)構(gòu)的顯示器件。
每個(gè)像素具有一個(gè)替換區(qū)，其中發(fā)射額外的光或不發(fā)射光。
特別地，每個(gè)像素具有布置成L-形第一顏色、第二顏色和第三顏色的相同顏色區(qū)?；蛘?，每個(gè)像素具有L-形的相同顏色區(qū)，其中，第二顏色的相同顏色區(qū)布置在第一顏色的相同顏色區(qū)的行方向上，而第三顏色的相同顏色區(qū)布置在它的列方向上。
利用前面提到的像素結(jié)構(gòu)，可以獲得高分辨率顯示器件，例如，具有光發(fā)射元件的顯示器件(下文中稱為光發(fā)射器件)。此外，不減少像素的孔徑比。
本發(fā)明的另一種像素結(jié)構(gòu)是提供第一顏色元件形成區(qū)、在和第一顏色元件形成區(qū)相同的列中毗鄰布置的第二顏色元件形成區(qū)、在和第二顏色元件形成區(qū)相同的列中毗鄰布置的第三顏色元件形成區(qū)。第一顏色、第二顏色和第三顏色的元件形成區(qū)以在列方向上偏移1.5個(gè)節(jié)距的方式布置。每個(gè)像素具有選自第一顏色元件形成區(qū)、第二顏色元件形成區(qū)和第三顏色元件形成區(qū)的第一顏色、第二顏色和第三顏色的相同顏色區(qū)。本發(fā)明提供具有上述像素結(jié)構(gòu)的顯示器件。
特別地，每個(gè)像素具有布置成T-形(德爾塔形)的第一顏色、第二顏色和第三顏色的相同顏色區(qū)。此外，每個(gè)像素在第一顏色的相同顏色區(qū)的行方向上具有第二和第三顏色的相同顏色區(qū)，并且第二和第三顏色區(qū)布置成T形，從而他們?cè)诘谝活伾南嗤伾珔^(qū)的列方向上偏移1.5個(gè)節(jié)距?；蛘?，每個(gè)像素布置成三角形形狀，第一顏色、第二顏色和第三顏色中任何一種顏色的相同顏色區(qū)域?yàn)槿切蔚捻旤c(diǎn)。
利用前面提到的像素結(jié)構(gòu)，可以獲得光發(fā)射器件的高分辨率。此外，不減少像素的孔徑比。另外，由于前面提到的像素結(jié)構(gòu)沒有替換區(qū)域，元件形成區(qū)可以有效利用。
本發(fā)明的另一個(gè)像素結(jié)構(gòu)是第一顏色、第二顏色和第三顏色的元件形成區(qū)分別對(duì)角線布置，并且元件形成區(qū)由三個(gè)或更多像素共享。每個(gè)像素具有選自不同元件形成區(qū)的第一顏色、第二顏色和第三顏色的相同顏色區(qū)。相鄰的相同顏色區(qū)之間提供的第一絕緣膜的寬度比元件形成區(qū)之間提供的第二絕緣膜的寬度窄。本發(fā)明提供具有前述像素結(jié)構(gòu)的顯示器件。
具體地，列方向上的相鄰相同顏色區(qū)之間的第一絕緣膜的寬度比相鄰的元件形成區(qū)之間的第二絕緣膜的寬度窄?；蛘?，行方向上的相鄰相同顏色區(qū)之間的第一絕緣膜的寬度比相鄰的元件形成區(qū)之間的第二絕緣膜的寬度窄。
注意，本發(fā)明的像素結(jié)構(gòu)不限于前面提到的結(jié)構(gòu)。只要每個(gè)像素由選自對(duì)角線布置的元件形成區(qū)的相同顏色區(qū)形成，可以使用任何像素結(jié)構(gòu)。因此，不減少孔徑比就可以獲得光發(fā)射器件的高分辨率。
注意，不要求像素部分的所有像素滿足每種顏色的對(duì)準(zhǔn)，但是要求某些任意像素這樣。在某些情況下該任意像素在下文中稱為一個(gè)像素。
本發(fā)明的顯示器件的制造方法是提供第一顏色元件形成區(qū)、在和第一顏色元件形成區(qū)相同的列中毗鄰布置的第二顏色元件形成區(qū)、在和第二顏色元件形成區(qū)相同的列中毗鄰布置的第三顏色元件形成區(qū)。第一顏色、第二顏色和第三顏色的元件形成區(qū)對(duì)角線布置，從而被每個(gè)像素共享。每個(gè)像素具有選自第一顏色、第二顏色和第三顏色元件形成區(qū)的第一顏色、第二顏色和第三顏色的相同顏色區(qū)。
本發(fā)明的顯示器件的另一個(gè)制造方法是提供第一顏色元件形成區(qū)、在和第一顏色元件形成區(qū)相同的列中毗鄰布置的第二顏色元件形成區(qū)、在和第二顏色元件形成區(qū)相同的列中毗鄰布置的第三顏色元件形成區(qū)。第一顏色、第二顏色和第三顏色的元件形成區(qū)對(duì)角線布置，從而使它們?cè)谛蟹较蛏掀埔粋€(gè)節(jié)距并被每個(gè)像素共享。每個(gè)像素具有選自第一顏色、第二顏色和第三顏色元件形成區(qū)的第一顏色、第二顏色和第三顏色的相同顏色區(qū)。
本發(fā)明的顯示器件的另一個(gè)制造方法是提供第一顏色元件形成區(qū)、在和第一顏色元件形成區(qū)相同的行中毗鄰布置的第二顏色元件形成區(qū)、在和第二顏色元件形成區(qū)相同的行中毗鄰布置的第三顏色元件形成區(qū)。形成第一顏色、第二顏色和第三顏色的元件形成區(qū)，從而使它們?cè)诹蟹较蛏掀?.5個(gè)節(jié)距。每個(gè)像素具有選自第一顏色、第二顏色和第三顏色元件形成區(qū)的第一顏色、第二顏色和第三顏色的相同顏色區(qū)。
本發(fā)明的顯示器件的另一種制造方法，該顯示器件具有相同顏色區(qū)對(duì)角線布置并被三個(gè)或更多像素共享的元件形成區(qū)，以及具有選自不同的元件形成區(qū)的第一顏色、第二顏色和第三顏色的相同顏色區(qū)，并且元件形成區(qū)被三個(gè)或多個(gè)像素共享，該方法在于在相鄰的相同顏色區(qū)之間提供的第一絕緣膜的寬度比在元件形成區(qū)之間提供的第二絕緣膜的窄。
注意第一顏色、第二顏色和第三顏色可以分別是，例如，紅(R)、綠(G)和藍(lán)(B)。
根據(jù)本發(fā)明，為了形成對(duì)角線布置的相同顏色的元件形成區(qū)，對(duì)角線地提供金屬掩模的孔隙。具有對(duì)角線孔隙的掩模在形成每種顏色的元件時(shí)可以共用。因?yàn)榻饘傺谀５目紫恫灰缶?，因此?duì)于提供具有多個(gè)相同顏色區(qū)的元件形成區(qū)而言，它是可取的。
根據(jù)其中元件形成區(qū)和相同顏色區(qū)布置成L-形或T-形的像素結(jié)構(gòu)，不必使相鄰元件形成區(qū)之間的間隔(下文中稱為元件間距)變窄就可以形成具有高分辨率的顯示器件。換言之，可以不使金屬掩模的孔隙變窄而形成高分辨率的顯示器件。因此，不減小孔徑比就能實(shí)現(xiàn)高分辨率顯示器件。
由于在本發(fā)明的金屬掩模中可以提供寬的元件形成區(qū)，優(yōu)選不要求精制金屬掩模。


圖1A和1B是分別表示本發(fā)明的像素的布局的示意圖。
圖2A和2B是分別表示本發(fā)明的像素的布局的示意圖。
圖3是表示本發(fā)明的像素的布局的示意圖。
圖4是表示本發(fā)明的像素的布局的示意圖。
圖5是表示本發(fā)明的像素的布局的示意圖。
圖6A-6F是分別表示本發(fā)明的像素電路的示意圖。
圖7A和7B是分別表示具有本發(fā)明的像素的光發(fā)射器件的示意圖。
圖8A和8B是分別表示具有本發(fā)明的象素的液晶顯示器的示意圖。
圖9A和9B是分別表示傳統(tǒng)像素布局的示意圖。
圖10是本發(fā)明的光發(fā)射元件顯示的圖象。
圖11表示傳統(tǒng)光發(fā)射器件顯示的圖象。
圖12是表示根據(jù)本發(fā)明的像素布局的分辨率和孔徑比之間的關(guān)系的圖。
具體實(shí)施例方式
雖然將參考附圖通過實(shí)例詳細(xì)描述本發(fā)明，但是應(yīng)該明白本發(fā)明對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言各種改變和修改是很明顯的。因此，除非這種改變和修改偏離了下文中定義的本發(fā)明的范圍，否則應(yīng)該被認(rèn)作包含在本發(fā)明范圍之內(nèi)。注意實(shí)施例模式中的相同部分用相同的參考數(shù)字表示并且省略對(duì)其的詳細(xì)描述。
雖然晶體管包括三端，它們是柵、源和漏，但是由于晶體管的結(jié)構(gòu)，源端(源電極)和漏端(漏電極)不能清楚地區(qū)分開。因此，當(dāng)描述元件之間的連接時(shí)，源電極和漏電極其中之一被稱為第一電極，而另一個(gè)稱為第二電極。
圖1A表示元件形成區(qū)100R、100G、100B和堤101，分別用虛線包圍。每個(gè)元件形成區(qū)配備四個(gè)其中形成相同顏色的元件的區(qū)，它們被由絕緣體等構(gòu)成的堤所分割(下文中將其中形成相同顏色的元件的區(qū)稱為相同顏色區(qū))。在這樣一種像素結(jié)構(gòu)中，相鄰元件形成區(qū)之間提供的堤的寬度對(duì)應(yīng)于金屬掩模的孔隙寬度。
至于在列方向上(X方向)的堤的寬度，在相同顏色區(qū)中的堤的寬度W1可以比相鄰元件形成區(qū)之間的堤之間的寬度W2窄。類似地，在行方向(Y方向)上，在相同顏色區(qū)中的堤的寬度W3可以比相鄰元件形成區(qū)之間的堤寬度W4窄。即在相同顏色區(qū)中的堤的寬度可以較窄。相鄰元件形成區(qū)之間的堤的寬度受淀積精度的影響。另一方面，在相同顏色區(qū)中的堤的寬度受曝光精度的影響。一般說來，曝光精度比淀積精度高，因此，在相同顏色區(qū)中的堤的寬度比相鄰元件形成區(qū)之間的堤的寬度窄。因此，甚至在像素間的間隔(下文中稱為像素間距)窄的情況下，孔徑比也不減少。
圖1B表示由元件形成區(qū)形成的像素排列。在圖1B中，虛線包圍的區(qū)域?qū)?yīng)于像素102。該像素包括相鄰的RGB的相同顏色區(qū)及替換區(qū)103。替換區(qū)是其中形成RGB相同顏色區(qū)中任何一種并且當(dāng)進(jìn)行顯示時(shí)可以處于非發(fā)光狀態(tài)的一個(gè)區(qū)域。
此外，在圖1A和1B所示的像素結(jié)構(gòu)中，可以說RGB的元件形成區(qū)排列成L-形，并且RGB的相同顏色區(qū)在像素中也排列成L-形。L-形的排列意味著第二顏色的元件形成區(qū)排列在第一顏色的元件形成區(qū)的行方向上，且第三顏色的元件形成區(qū)排列在其列方向上。在像素中，第二顏色的相同顏色區(qū)排列在第一顏色的相同顏色區(qū)的行方向上，并且第三顏色的相同顏色區(qū)排列在它的列方向上。在像素102中，例如，顏色G的相同顏色區(qū)105G排列在顏色R的相同顏色區(qū)105R的行方向上，并且顏色B的相同顏色區(qū)105B排列在它的列方向上。
利用前面提到的像素結(jié)構(gòu)，可以獲得高分辨率的發(fā)光器件。此外，由于相同顏色區(qū)中的堤可以窄，孔徑比可以增加。
圖2A和2B中表示出了不同于圖1A和1B中的像素結(jié)構(gòu)。圖2A表示元件形成區(qū)100R、100G、100B和堤101，分別用虛線包圍。每個(gè)元件形成區(qū)不同于圖1A和1B在于提供六個(gè)由堤分割的相同顏色區(qū)。
在圖2A和2B所示的像素結(jié)構(gòu)中，類似于圖1A和1B，在相同顏色區(qū)中的堤的寬度W1可以比相鄰元件形成區(qū)之間的堤的寬度W2窄。類似地，在行方向上，在相同顏色區(qū)中的堤的寬度W3可以比相鄰元件形成區(qū)之間的堤寬度W4窄。即在相同顏色區(qū)中的堤的寬度可以較窄。相鄰元件形成區(qū)之間的堤的寬度受淀積精度的影響。另一方面，在相同顏色區(qū)中的堤的寬度受曝光精度的影響。一般說來，曝光精度比淀積精度高，因此，在相同顏色區(qū)中的堤的寬度可以比相鄰元件形成區(qū)之間的堤的寬度窄。因此，甚至在相鄰像素間的間隔(下文中稱為像素間距)窄的情況下，孔徑比也不減少。
圖2B表示由元件形成區(qū)形成的像素排列。在圖2B中，虛線包圍的區(qū)域?qū)?yīng)于像素102。在圖2B中，可以不提供替換區(qū)而形成像素。由此，可取的是元件形成區(qū)可以被有效利用。在像素102中，選自每個(gè)元件形成區(qū)的RGB相同顏色區(qū)與圖1A和1B中的不同之處在于它們排列成T-形。T-形排列意味著第二和第三顏色元件形成區(qū)排列在第一顏色元件形成區(qū)的列方向上，而第n行的元件形成區(qū)和第n+1行的元件形成區(qū)的排列使得它們偏移1.5個(gè)間距排列。在像素中，第二和第三顏色的相同顏色區(qū)排列在第一顏色的相同顏色區(qū)的行方向上，同時(shí)第二和第三顏色的相同顏色區(qū)在列方向上相對(duì)于第一顏色的相同顏色區(qū)偏移1.5個(gè)間距排列。在像素102中，例如，在像素中，顏色R的相同顏色區(qū)105R和顏色B的相同顏色區(qū)105B排列在顏色G的相同顏色區(qū)105G的行方向上，同時(shí)顏色R的相同顏色區(qū)105R和顏色B的相同顏色區(qū)105B在列方向上相對(duì)于顏色G的相同顏色區(qū)105G偏移1.5個(gè)間距排列。即，在該像素中，RGB的相同顏色區(qū)排列成三角形，以某一種顏色作為頂點(diǎn)。具體地，在像素102中，顏色R的相同顏色區(qū)105R和顏色B的相同顏色區(qū)105B以顏色G的相同顏色區(qū)105G為頂點(diǎn)排列。在鄰近像素102布置的像素102a中，RGB相同顏色區(qū)類似布置。像素102a以顏色B的相同顏色區(qū)105B為頂點(diǎn)排列成三角形，并且此外該頂點(diǎn)與像素102中的頂點(diǎn)在不同方向上，即該三角形在行方向上倒置。
利用上述像素結(jié)構(gòu)，可以獲得光發(fā)射器件的高分辨率。而且，不減少像素的孔徑比。另外，由于前述結(jié)構(gòu)沒有替換區(qū)，因此可以有效利用元件形成區(qū)。
根據(jù)本發(fā)明的像素結(jié)構(gòu)，可以在不使元件間距變窄的情況下形成獲得高分辨率的顯示器件。換言之，可以不使金屬掩模的孔徑變窄而形成高分辨率顯示器件。結(jié)果，可以不減少孔徑比而形成高分辨率顯示器件。即，甚至在精細(xì)地形成設(shè)于像素部分中的半導(dǎo)體元件和布線而使像素間距變窄的情況下也不減少孔徑比。，因此可以實(shí)現(xiàn)高分辨率顯示器件。
通過使用液滴噴射法可以在具有這樣的布局的像素排列中形成元件，液滴噴射法是一種能夠有選擇地形成圖案的方法。根據(jù)液滴噴射法，混合導(dǎo)電膜和絕緣膜等材料的液滴(也稱為點(diǎn))被選擇性噴射(排出)。根據(jù)其系統(tǒng)的不同液滴噴射法也稱為噴墨法。
這種像素結(jié)構(gòu)和排列可以應(yīng)用到包含在光發(fā)射器件或液晶顯示器件內(nèi)的濾色器中。在此情況下，可以形成包含含有鉻等的樹脂的黑色基質(zhì)而不是堤。通過使用濾色器，可以不形成RGB元件而實(shí)現(xiàn)全色顯示器。通過形成呈現(xiàn)白光發(fā)射的光發(fā)射元件并提供根據(jù)本發(fā)明的布局排列的濾色器，可以制造能夠?qū)崿F(xiàn)全色顯示的光發(fā)射器件。
通過在其中形成各種顏色的元件的光發(fā)射器件中使用濾色器，可以提供更高分辨率的顯示器。利用濾色器，來自每種顏色的元件的發(fā)射光譜的寬峰可以修正成尖峰。
在該實(shí)施例模式中，描述了有源矩陣面板的布局。注意雖然在本實(shí)施例的每個(gè)像素中提供開關(guān)晶體管、擦除晶體管和驅(qū)動(dòng)晶體管，但是，本發(fā)明不限于此。
圖3是具有排列成L-形的相同顏色區(qū)相同顏色區(qū)的放大像素的頂視圖。左上方的區(qū)是顏色R的相同顏色區(qū)111R，在列方向上毗鄰相同顏色區(qū)111R的區(qū)是顏色G的相同顏色區(qū)111G，并且在行方向上鄰近相同顏色區(qū)111R的區(qū)是顏色B的相同顏色區(qū)。右下方的區(qū)是替換區(qū)112，雖然形成了一個(gè)RGB元件，但是它不用作光發(fā)射區(qū)。
相同顏色區(qū)分別配有驅(qū)動(dòng)晶體管116R、116G和116B，并且像素電極123連接到每個(gè)驅(qū)動(dòng)晶體管的一個(gè)電極。注意為了清楚地表示驅(qū)動(dòng)晶體管，圖3中沒有繪出像素電極部分。
優(yōu)選驅(qū)動(dòng)晶體管在飽和區(qū)工作并且控制提供給光發(fā)射元件的電流。因此，驅(qū)動(dòng)晶體管的溝道長(zhǎng)度(L)優(yōu)選設(shè)計(jì)為長(zhǎng)于溝道寬度。在該實(shí)施例模式中，驅(qū)動(dòng)晶體管的半導(dǎo)體薄膜形成S形，從而使溝道長(zhǎng)度變長(zhǎng)。驅(qū)動(dòng)晶體管也可以在線性區(qū)工作。
驅(qū)動(dòng)晶體管的極性可以是N-溝道型或P-溝道型。在該實(shí)施例模式中，驅(qū)動(dòng)晶體管的極性是P-溝道型。
此外，提供各個(gè)開關(guān)晶體管114R、114G和114B，它們連接到各個(gè)驅(qū)動(dòng)晶體管的柵電極。提供信號(hào)線113R、113和113B，它們連接到每個(gè)個(gè)開關(guān)晶體管的一個(gè)電極。通過從信號(hào)線輸入的視頻信號(hào)將電流提供給光發(fā)射元件，由此進(jìn)行顯示。因此，為每個(gè)開關(guān)晶體管提供信號(hào)線。
具體地，當(dāng)開關(guān)晶體管導(dǎo)通時(shí)，電容器中積累電荷。當(dāng)電荷等于驅(qū)動(dòng)晶體管的Vgs值時(shí)，驅(qū)動(dòng)晶體管導(dǎo)通并將電流提供給光發(fā)射元件。然而，圖3中未提供電容器，在晶體管的柵極電容充足的情況下不一定提供電容器。
開關(guān)晶體管具有雙柵極結(jié)構(gòu)，雙柵極結(jié)構(gòu)是半導(dǎo)體薄膜具有兩個(gè)柵電極。用作柵電極的導(dǎo)電膜可以被每個(gè)開關(guān)晶體管公用。注意每個(gè)柵電極可以由和第一掃描線121相同的導(dǎo)電膜形成。
此外，提供擦除晶體管115R、115G和115B，它們連接到驅(qū)動(dòng)晶體管的柵電極和各個(gè)開關(guān)晶體管的一個(gè)電極。提供電源線120，它共同連接到每個(gè)擦除晶體管115R、115G和115B的一個(gè)電極。擦除晶體管的連接只需要釋放電容器中積聚的電荷，因此本發(fā)明不限于圖3的結(jié)構(gòu)。
此外，開關(guān)晶體管具有雙柵極結(jié)構(gòu)，雙柵極結(jié)構(gòu)是半導(dǎo)體薄膜具有兩個(gè)柵電極。用作柵電極的導(dǎo)電膜可以被每個(gè)開關(guān)晶體管公用。注意每個(gè)柵電極可以由和第二掃描線122相同的導(dǎo)電膜形成。而且，第一掃描線和第二掃描線可以由相同的導(dǎo)電膜形成。
開關(guān)晶體管和擦除晶體管的極性可以是N-溝道型或P-溝道型。在該實(shí)施例模式中，這兩種晶體管都是N-溝道型薄膜晶體管(TFT)，因?yàn)閮?yōu)選具有相同的極性以簡(jiǎn)化制造步驟。
在替換區(qū)112提供開關(guān)晶體管和擦除晶體管。因此，可以防止相同顏色區(qū)孔徑比的減少。此外，也可以在每個(gè)相同顏色區(qū)中形成開關(guān)晶體管和擦除晶體管。
具有每種功能的晶體管可以是增強(qiáng)型或耗盡型薄膜晶體管。而且它可以是具有半導(dǎo)體的薄膜晶體管。
該半導(dǎo)體不僅可以由硅形成也可以由鍺硅形成。在使用鍺硅的情況下，它的濃度優(yōu)選為0.01-4.5atomic％。而且，該半導(dǎo)體可以是選自非晶半導(dǎo)體、其中非晶態(tài)和晶態(tài)混合的半非晶半導(dǎo)體(也稱為SAS)、在非晶半導(dǎo)體中觀察到0.5-20nm晶粒的微晶半導(dǎo)體以及晶體半導(dǎo)體的任何一種。特別地，其中觀察到0.5-20nm晶粒的微晶態(tài)稱為微晶(μc)。雖然在該實(shí)施例模式中描述了具有頂柵極結(jié)構(gòu)的薄膜晶體管，也可以使用具有底柵極結(jié)構(gòu)的薄膜晶體管。在使用非晶半導(dǎo)體、半-非晶半導(dǎo)體或微晶半導(dǎo)體的情況下，優(yōu)選使用底柵極結(jié)構(gòu)。
用于薄膜晶體管的柵電極的導(dǎo)電膜、掃描線等可以通過濺射或液滴噴射法形成。此外，源電極、漏電極、信號(hào)線、電源線等的導(dǎo)電膜也可以通過濺射或液滴噴射法形成。在采用濺射的情況下，選自鉭、鎢、鈦、鉬、鋁和銅的元素，或以前述元素為主要成分的合金材料或化合物材料可以用作導(dǎo)電膜材料。在采用液滴噴射法的情況下，選自金、銀和銅的元素，或以前述元素為主要成分的合金材料或化合物材料可以用作導(dǎo)電膜材料。
此外，像素電極可以通過使用透光材料如氧化銦錫(ITO)、在氧化銦中混合2-20％氧化鋅(ZnO)而獲得的IZO(氧化銦鋅)、在氧化銦中混合2-20％氧化硅(SiO2)而獲得的ITO-SiOx(為方便稱為ITSO或NITO)、有機(jī)銦、有機(jī)錫。或者，可以使用非透光材料，如選自鉭、鎢、鈦、鉬、鋁和銅以及銀的元素，或以前述元素為主要成分的合金材料或化合物材料。
稱為底發(fā)射型結(jié)構(gòu)的是從透光的像素電極一側(cè)發(fā)射的光從其上提供有薄膜晶體管的襯底一側(cè)出射；稱為頂發(fā)射型結(jié)構(gòu)的是光從反襯底一側(cè)出射的結(jié)構(gòu)，而光從兩襯底側(cè)出射的結(jié)構(gòu)稱為雙發(fā)射型。本發(fā)明可以采用前述任何一種結(jié)構(gòu)。
雖然圖3中未表示出，但是提供了堤。在行方向上，在相同顏色區(qū)中的堤的寬度可以比元件形成區(qū)之間的堤的寬度窄。
利用前述像素結(jié)構(gòu)，可以進(jìn)行高分辨率全色顯示。
利用本實(shí)施例模式中描述的像素結(jié)構(gòu)，可以不變窄元件間距而形成高分辨率顯示器件。換言之，由于元件形成區(qū)之間的間隔不需要變窄，因此可以在不變窄金屬掩模的孔隙寬度的情況下形成高分辨率顯示器件。因此，不減少孔徑比就可以獲得高分辨率顯示器件。即，因?yàn)樵谙袼夭糠痔峁┑陌雽?dǎo)體元件和布線精細(xì)地形成并且像素間距可以變窄，所以甚至在淀積精度不容易增加的情況下，不減少孔徑比就可以實(shí)現(xiàn)高分辨率顯示器件。
正如已經(jīng)描述地，元件也可以通過能夠有選擇地形成圖案的液滴噴射法在具有前述布局的像素排列中形成。
正如已經(jīng)描述地，這樣的像素結(jié)構(gòu)和排列可以應(yīng)用到包含在光發(fā)射器件或液晶顯示器件中的濾色器中。
在該實(shí)施例模式中，描述了不同于前述實(shí)施例模式的有源矩陣面板的布局。注意在該實(shí)施例模式中在每個(gè)像素中提供開關(guān)晶體管、擦除晶體管和驅(qū)動(dòng)晶體管，但是，本發(fā)明不限于此。
圖4表示具有排列成T-形的相同顏色區(qū)的放大像素的頂視圖。圖4與圖3的不同之處在于左上區(qū)是顏色R的相同顏色區(qū)111R，在列方向上與相同顏色區(qū)111R相鄰的是顏色G的相同顏色區(qū)111G，列方向上在相同顏色區(qū)111R的下方偏移1.5個(gè)間距的是顏色B的相同顏色區(qū)111B。即，在每個(gè)像素中，相同顏色區(qū)111R、111G和111B排列成三角形。
在圖4所示的像素中，不提供替換區(qū)，這與前述結(jié)構(gòu)不同。這是可取的，因?yàn)橐虼丝梢杂行Ю迷纬蓞^(qū)。
與前述實(shí)施例模式類似，每個(gè)相同顏色區(qū)分別配備驅(qū)動(dòng)晶體管116R、116G和116B，和連接到每個(gè)驅(qū)動(dòng)晶體管的一個(gè)電極的像素電極123。注意為了清楚地表示驅(qū)動(dòng)晶體管，圖4中沒有繪出像素電極部分。
與前述實(shí)施例模式類似，提供連接到每個(gè)驅(qū)動(dòng)晶體管的柵電極的各個(gè)開關(guān)晶體管114R、114G和114B，以及提供連接到每個(gè)開關(guān)晶體管的一個(gè)電極的各個(gè)信號(hào)線113R、113G、113B。電流通過從信號(hào)線輸入的視頻信號(hào)提供給光發(fā)射元件，由此進(jìn)行顯示。因此，為每個(gè)開關(guān)晶體管提供信號(hào)線。由于在該實(shí)施例模式中列方向上相同顏色區(qū)偏移1.5個(gè)間距形成，因此信號(hào)線以矩形蜿蜒。
與前述實(shí)施例模式類似，提供分別連接到每個(gè)驅(qū)動(dòng)晶體管的柵電極和每個(gè)開關(guān)晶體管的一個(gè)電極的擦除晶體管115R、115G和115B，以及提供共同連接到每個(gè)擦除晶體管115R、115G和115B的一個(gè)電極的電源線120a和120b。電源線120a和120b在奇數(shù)列上分別連接到每個(gè)擦除晶體管的一個(gè)電極，在偶數(shù)列上分別連接到每個(gè)晶體管的另一個(gè)電極。形成的電源線的寬度比信號(hào)線的寬度寬。由于電源線被每個(gè)驅(qū)動(dòng)晶體管共享，需要減少電源線的電阻。與信號(hào)線類似，電源線以矩形蜿蜒形成。擦除晶體管的連接只需要釋放電容器中積聚的電荷，因此本發(fā)明不限于圖4的結(jié)構(gòu)。
與前述實(shí)施例模式類似，提供第一掃描線121和第二掃描線122。
圖5表示共享電源線情況下的布局，這與圖4不同。在圖5的某個(gè)像素中，相同顏色區(qū)111R、111G和111B排列成三角形，以相同顏色區(qū)111R為頂點(diǎn)。在圖5中，具體地，上方的區(qū)是顏色R的相同顏色區(qū)111R，在行方向上鄰近相同顏色區(qū)111R的區(qū)是顏色G的相同顏色區(qū)111G和顏色B的相同顏色區(qū)111B。顏色G的相同顏色區(qū)111G和顏色B的相同顏色區(qū)111B在顏色R的相同顏色區(qū)111R的列方向上偏移1.5個(gè)間距排列。
與前述實(shí)施例模式和圖4類似，分別提供驅(qū)動(dòng)晶體管116R、116G和116B，分別連接到每個(gè)驅(qū)動(dòng)晶體管的一個(gè)電極的像素電極123，開關(guān)晶體管114R、114G和114B，分別連接到開關(guān)晶體管的一個(gè)電極的信號(hào)線113R、113G和113B，擦除晶體管115R、115G和115B，共同連接到擦除晶體管115R、115G和115B的一個(gè)電極的電源線120，第一掃描線121和第二掃描線122。提供信號(hào)線和電源線以矩形蜿蜒。
圖5中的電源線120不同于圖4在于它共同連接到每列中的擦除晶體管的一個(gè)電極。通過共享電源線，可以減少電源線之間的空區(qū)。因此可以增加電源線的寬度。電源線形成寬度大于信號(hào)線的寬度。由于電源線被每個(gè)驅(qū)動(dòng)晶體管共享，需要減少電源線的電阻。
這樣，具有排列成T-形的相同顏色區(qū)的像素可以具有不同布局。
而且在該實(shí)施例模式中，也可以采用底發(fā)射型、頂發(fā)射型和雙發(fā)射型中的任何一種。
雖然圖4和圖5中未表示出，但是提供了堤。在行方向上相同顏色區(qū)中的堤的寬度可以比相鄰元件形成區(qū)之間的堤的寬度窄。
利用本實(shí)施例模式所描述的像素結(jié)構(gòu)，可以不變窄元件間距而形成高分辨率顯示器件。換言之，由于元件形成區(qū)之間的間隔不需要變窄，因此可以在不變窄金屬掩模的孔隙寬度的情況下形成高分辨率顯示器件。因此，不減少孔徑比就可以獲得高分辨率顯示器件。即，甚至在淀積精度不容易增加的情況下，不減少孔徑比就可以使在像素部分提供的半導(dǎo)體元件和布線精細(xì)地形成，像素間距變窄并且實(shí)現(xiàn)高分辨率顯示器件。此外，因?yàn)榍笆鱿笏亟Y(jié)構(gòu)沒有替換區(qū)，因此可以有效利用元件形成區(qū)。
正如已經(jīng)描述的，可通過能夠選擇性形成圖形的液滴噴射法在具有前述布局的像素排列中形成元件。
正如已經(jīng)描述的，這樣的像素結(jié)構(gòu)和排列可以應(yīng)用到包含在光發(fā)射器件或液晶顯示器件中的濾色器中。
在該實(shí)施例模式中，描述光發(fā)射器件的像素電路及其操作。
圖6A中所示的像素電路具有信號(hào)線410、在列方向上的電源線411和412以及在行方向上的掃描線414。此外，除開關(guān)晶體管401、驅(qū)動(dòng)晶體管403、電容器402和光發(fā)射元件405之外還包括電流控制晶體管404。
圖6C所示的像素電路不同于圖6A所示的像素電路，在于雖然其它排列是相同的，但是驅(qū)動(dòng)晶體管403的柵電極連接到布置在行方向上的電源線412。即，圖6A和6C所示的像素是等效電路。但是，在電源線412布置在列方向(圖6A)的情況和電源線412布置在行方向(圖6C)的這兩種情況之間，每個(gè)電源線由不同層的導(dǎo)電膜形成。此處，主要關(guān)心連接驅(qū)動(dòng)晶體管403的柵電極的布線，因此分別示出了圖6A和6C以表明用于形成這些布線的層是不同的。
圖6A和6C中所示的像素電路除驅(qū)動(dòng)晶體管403外，分別具有串聯(lián)連接的電流控制晶體管404。優(yōu)選滿足L(403)/W(403)∶L(404)/W(404)＝5～6000∶1形成驅(qū)動(dòng)晶體管403的溝道長(zhǎng)度L(403)和溝道寬度W(403)以及電流控制晶體管404的溝道長(zhǎng)度L(404)和溝道寬度W(404)。
注意驅(qū)動(dòng)晶體管403控制提供到光發(fā)射元件405的電流值，并如上所述優(yōu)選在飽和區(qū)工作。此外，電流控制晶體管404控制提供給光發(fā)射元件405的電流，并優(yōu)選在線性區(qū)工作。優(yōu)選這兩個(gè)晶體管都具有相同的極性以簡(jiǎn)化制造步驟，因此在本實(shí)施例模式中兩個(gè)晶體管的極性都設(shè)計(jì)成N-溝道型。耗盡型晶體管和增強(qiáng)型晶體管可用于驅(qū)動(dòng)晶體管403和電流控制晶體管404。根據(jù)具有前述結(jié)構(gòu)的本發(fā)明，電流控制晶體管404在線性區(qū)工作，因此電流控制晶體管404的Vgs的輕微改變不影響供給光發(fā)射元件405的電流值。即，供給光發(fā)射元件405的電流值可以由在飽和區(qū)工作的驅(qū)動(dòng)晶體管403決定。根據(jù)前述結(jié)構(gòu)，由光發(fā)射元件的每個(gè)晶體管特性變化所引起的亮度變化得到改善，因此可以提供圖象質(zhì)量得到改善的顯示器件。
在圖6A-6D所示的像素電路中，開關(guān)晶體管401控制視頻信號(hào)向像素的輸入。當(dāng)開關(guān)晶體管401導(dǎo)通時(shí)，視頻信號(hào)輸入到像素。然后，視頻信號(hào)的電荷保持在開關(guān)晶體管402中。注意圖6A和6C分別具有電容器402，但是，在視頻信號(hào)的電荷能夠被晶體管的柵極電容等保持的情況下，不必提供電容器402。
圖6B中所示的像素電路不同于圖6A所示的像素電路，在于雖然其它排列相同，但是額外提供擦除晶體管406和連接到該擦除晶體管406的柵電極的掃描線415。類似地，圖6D中所示的像素電路不同于圖6C所示的像素電路，在于雖然其它排列相同，但是額外提供擦除晶體管406和連接到該擦除晶體管406的柵電極的掃描線415。
通過掃描線415控制擦除晶體管406的導(dǎo)通或截止。當(dāng)擦除晶體管406導(dǎo)通時(shí)，保持在電容器402中的電荷被釋放，并且電流控制晶體管404截止。即，根據(jù)擦除晶體管406的排列可以強(qiáng)制獲得一種狀態(tài)，即電流不強(qiáng)制提供給光發(fā)射元件405。因此，在如圖6B和6D所示的分別具有擦除晶體管的像素電路中，光發(fā)射周期可以和寫周期同時(shí)或緊隨其后開始，不必等待信號(hào)寫入所有像素。因此可以提高占空率。
圖6E所示的像素電路包括信號(hào)線410、在列方向的電源線411和在行方向的掃描線414。此外，提供開關(guān)晶體管401、驅(qū)動(dòng)晶體管403、電容器402和光發(fā)射元件405。圖6F所示的像素電路對(duì)應(yīng)于具有前述實(shí)施例模式所描述的布局的像素電路，并且它與圖6E所示的像素電路的不同之處在于盡管其它排列相同，但是額外提供擦除晶體管406和掃描線415。注意根據(jù)擦除晶體管406在圖6F所示像素電路中的排列，也可以提高其占空比。
在使用具有非晶半導(dǎo)體等的薄膜晶體管中，尤其優(yōu)選形成長(zhǎng)的驅(qū)動(dòng)晶體管溝道長(zhǎng)度。因此，考慮到孔徑比，優(yōu)選使用具有較少晶體管的圖6E或6F中的像素電路。
這樣的在每個(gè)像素中配置晶體管的有源矩陣光發(fā)射器件是有優(yōu)勢(shì)的，因?yàn)樯踔猎谙袼孛芏仍黾拥那闆r下也可以進(jìn)行低電壓驅(qū)動(dòng)。另一方面，也可以形成每列提供晶體管的無源矩陣光發(fā)射器件。每個(gè)像素中不配置晶體管的無源矩陣光發(fā)射器件適合于頂發(fā)射型或雙發(fā)射型光發(fā)射器件，這是因?yàn)榭梢垣@得高孔徑比。在這種無源矩陣光發(fā)射器件中可以采用前述實(shí)施例模式的布局。
如上所述，可以采用各種像素電路。
在該實(shí)施例模式中，描述光發(fā)射器件的一種結(jié)構(gòu)，其中整體形成了信號(hào)驅(qū)動(dòng)器電路、掃描驅(qū)動(dòng)器電路和像素部分。
圖7A是光發(fā)射器件的頂視圖，其中在第一襯底210上提供信號(hào)驅(qū)動(dòng)器電路200、掃描驅(qū)動(dòng)器電路201和像素部分202，第二襯底204通過密封材料205和第一襯底210連接在一起。此外，提供信號(hào)驅(qū)動(dòng)器電路200和像素部分202之間的連接區(qū)256，并且來自外部電路的信號(hào)通過柔性印刷電路(FPC)209輸入到信號(hào)驅(qū)動(dòng)器電路200和掃描驅(qū)動(dòng)器電路201。
圖7B是圖7A的光發(fā)射器件沿A-A’的橫截面視圖。在第一襯底210上提供配置CMOS電路的信號(hào)驅(qū)動(dòng)器電路200，CMOS電路具有N-溝道型TFT 223和P-溝道型TFT 224。N-溝道型TFT 223和P-溝道型TFT 224可由多晶半導(dǎo)體膜形成，多晶半導(dǎo)體膜由激光結(jié)晶化法或使用金屬催化劑的熱方法形成。在信號(hào)驅(qū)動(dòng)器電路200和掃描驅(qū)動(dòng)器電路201中的TFT可由CMOS電路、PMOS電路或NMOS電路形成。
在使用非晶半導(dǎo)體膜的情況下，驅(qū)動(dòng)器電路如信號(hào)驅(qū)動(dòng)器電路或掃描驅(qū)動(dòng)器電路可以裝配成IC芯片。在像素部分的周圍通過TAB法或COG法安裝這樣的驅(qū)動(dòng)器電路。在通過TAB法安裝的情況下，特別是相對(duì)于襯底可以提供較大的像素部分，由此可以獲得較窄的框架。在使用SAS的情況下，掃描驅(qū)動(dòng)器電路只能整體形成在襯底上，并且信號(hào)驅(qū)動(dòng)器電路可以作為驅(qū)動(dòng)器單獨(dú)安裝。
IC芯片由硅晶片形成，但是，可以提供形成于玻璃襯底上的IC(下文稱為驅(qū)動(dòng)器IC)代替IC芯片。IC芯片取自圓形硅晶片，因此母襯底的形狀被限制。另一方面，驅(qū)動(dòng)器IC在提高生產(chǎn)力方面是有優(yōu)勢(shì)的，這是由于母襯底為玻璃，其形狀不受限制。因此可以自由設(shè)計(jì)驅(qū)動(dòng)器IC的形狀和尺寸。在形成長(zhǎng)邊為15-80mm的驅(qū)動(dòng)器IC的情況下，與安裝IC芯片的情況相比，可以減少對(duì)其要求的數(shù)量。因此，可以減少連接終端的數(shù)量，這提高了產(chǎn)量。
通過使用形成于襯底上的晶體半導(dǎo)體，可以形成驅(qū)動(dòng)器IC，晶體半導(dǎo)體可以通過照射連續(xù)振蕩激光形成。通過照射連續(xù)振蕩激光而形成的半導(dǎo)體膜晶體缺陷較少并且晶粒直徑大。因此，具有這種半導(dǎo)體膜的晶體管具有良好的遷移率和響應(yīng)，它能夠?qū)崿F(xiàn)高速驅(qū)動(dòng)并優(yōu)選用于驅(qū)動(dòng)器IC。
像素部分202包括開關(guān)TFT 221和驅(qū)動(dòng)TFT 212。開關(guān)TFT 221和驅(qū)動(dòng)TFT 212可用多晶半導(dǎo)體膜形成，多晶半導(dǎo)體膜通過激光結(jié)晶化法或使用金屬催化劑的熱方法形成。也可以使用非晶半導(dǎo)體膜。注意像素部分中的TFT與驅(qū)動(dòng)器電路中的TFT相比不要求具有高的結(jié)晶性，因此用于像素部分和驅(qū)動(dòng)器部分的TFT可以用不同方法形成。
像素部分包括光發(fā)射元件218，它連接到驅(qū)動(dòng)TFT 212的一個(gè)電極。光發(fā)射元件218包括光發(fā)射元件218的第一電極(下文中稱為第一電極)、電致發(fā)光層215和在該電致發(fā)光層上提供的該光發(fā)射元件的第二電極216，其中電致發(fā)光層215覆蓋開關(guān)TFT 221和驅(qū)動(dòng)TFT 212并被堤214所分割，堤214在對(duì)應(yīng)于第一電極213的位置處有孔隙。
電致發(fā)光層可以由有機(jī)材料(包括低分子材料和高分子材料)或有機(jī)材料和無機(jī)材料的合成材料形成。電致發(fā)光層可通過氣相淀積或液滴噴射法形成。高分子材料優(yōu)選通過諸如液滴噴射法的應(yīng)用方法施加而低分子材料優(yōu)選通過氣相淀積法特別是真空氣相淀積法施加。在該實(shí)施例模式中，使用上述金屬掩模通過真空氣相淀積形成低分子材料為電致發(fā)光層。
注意電致發(fā)光層可以產(chǎn)生單態(tài)激子態(tài)或三態(tài)激子態(tài)的分子激子。基態(tài)一般是單態(tài)激子態(tài)，并且來自單態(tài)激子態(tài)的光發(fā)射稱為熒光。來自三態(tài)激子態(tài)的光發(fā)射稱為磷光。來自電致發(fā)光層的包括由這兩種激子態(tài)貢獻(xiàn)的情況。此外，熒光和磷光可以結(jié)合。可以根據(jù)每個(gè)RGB的光發(fā)射特性(發(fā)射亮度、壽命等)選擇熒光和磷光其中之一。
電致發(fā)光層包括從第一電極213一側(cè)開始順次疊加的HIL(空穴注入層)、HTL(空穴輸運(yùn)層)、EML(光發(fā)射層)、ETL(電子輸運(yùn)層)和EIL(電子注入層)。注意電致發(fā)光層可以具有單層結(jié)構(gòu)或組合結(jié)構(gòu)以及疊層結(jié)構(gòu)。
特殊地，CuPu和PEDOT用于HIL，á-NPD用于HTL，BCP和Alq3用于ETL，而BCP∶Li和CaF2用于EIL。對(duì)于EML，例如，可以使用摻雜對(duì)應(yīng)于每種光發(fā)射顏色R、G和B(DCM等用于R色，DMQD等用于G色)的摻雜劑的Alq3。
注意電致發(fā)光層不限于前述材料。例如，可以共淀積如氧化鉬(MoOx∶x＝2-3)的氧化物和á-NPD以及紅熒烯以代替CuPu和PEDOT，由此可以改善空穴注入特性。苯并惡唑(benzoxazole)衍生物(表示為BzOS)也可以用于電子注入層。
在該實(shí)施例模式中，可以根據(jù)前述實(shí)施例模式中描述的布局，用紅(R)、綠(G)和藍(lán)(B)光發(fā)射材料形成電致發(fā)光層215。而且可以根據(jù)前述實(shí)施例模式中描述的布局通過液滴噴射法形成紅(R)、綠(G)和藍(lán)(B)光發(fā)射材料。
此外，在形成每個(gè)RGB的電致發(fā)光層的情況下，可以通過使用濾色器進(jìn)行高分辨率顯示。利用濾色器，來自每種顏色的元件的發(fā)射光譜的寬峰可以修正成尖峰。每個(gè)RGB的濾色器的排列可類似于前述實(shí)施例模式中描述的布局形成。而且，每個(gè)RGB的濾色器可以通過液滴噴射法形成。
絕緣體214可以由無機(jī)材料(氧化硅、氮化硅、氮氧化硅等)、光敏或非光敏有機(jī)材料(聚酰亞胺、丙烯、聚酰胺、聚酰亞胺-酰胺(polyimide amide)、抗蝕劑或benzocychrobtenm)、硅氧烷、聚硅氨烷以及這些材料的疊層結(jié)構(gòu)形成。正型光敏有機(jī)樹脂或負(fù)型光敏有機(jī)樹脂可用作有機(jī)材料。硅氧烷具有硅(Si)和氧(O)的骨架結(jié)構(gòu)，并且由聚合物材料形成，作為至少具有氫作為取代基或至少氟化物、烷基或芳香碳?xì)浠?aromatic carbon hydride)之一為取代基的原材料。聚硅氨烷由硅(Si)和氧(O)的聚合物材料形成，即包含聚硅氨烷的液體材料作為原材料。在使用正型光敏丙烯酸作為有機(jī)材料的情況下，可以通過用曝光處理刻蝕光敏有機(jī)樹脂形成上部具有曲度的孔隙。因此，可以避免在隨后步驟中形成的電致發(fā)光層等破裂。注意在使用有機(jī)樹脂膜等的情況下，為了防止?jié)駳饣蜓醯倪M(jìn)入，優(yōu)選形成包含氮化硅或硅氮氧化物的絕緣膜或包含氫的DLC(類金剛石碳)膜。
可以根據(jù)第一電極213和第二電極216所用的材料選擇頂發(fā)射型、底發(fā)射型和雙發(fā)射型中的任何一種。例如，用透光導(dǎo)電膜作為第一電極和第二電極，可以形成雙發(fā)射型光發(fā)射器件。對(duì)于在光不出射的一側(cè)上提供的光發(fā)射元件的電極，優(yōu)選使用高反射型導(dǎo)電膜以有效利用光。
注意根據(jù)像素結(jié)構(gòu)，第一電極213和第二電極216中的任何一個(gè)可以作為陽極或陰極。特別描述在第一電極是陽極而第二電極是陰極的情況下用于電極的材料。
作為陽極材料，優(yōu)選使用分別具有高功函數(shù)(功函數(shù)為4.0eV或更大)的金屬、合金、導(dǎo)電化合物或這些材料的化合物等。具體地，可以使用ITO(氧化銦錫)、在氧化銦中混合2-20％的氧化鋅得到的IZO(氧化銦鋅)以及金(Au)、鉑(Pt)、鎳(Ni)、鎢(W)、鉻(Cr)、鉬(Mo)、鐵(Fe)、鈷(Co)、銅(Cu)、鈀(Pd)或金屬材料的氮化物(TiN)等。
另一方面，作為陰極材料，優(yōu)選使用分別具有低功函數(shù)(功函數(shù)為3.8eV或更小)的金屬、合金、導(dǎo)電化合物等。特別地，可以使用元素周期表的1或2族的元素，即堿金屬如Li和Cs，堿土金屬如Mg、Ca和Sr，包含這些元素的合金(Mg∶Ag，Al∶Li)和化合物(LiF、CsF和CaF2)以及包含稀土金屬的過渡金屬。但是，陰極需要透射光，因此，這些金屬或包含這些金屬的合金形成得很薄并且和如ITO(包括它的合金)的金屬疊加。陽極和陰極可以通過氣相淀積、濺射等形成。
到此為止描述的是形成每個(gè)RGB的電致發(fā)光層的情況，但是，也可以形成呈現(xiàn)單色光發(fā)射的電致發(fā)光層。甚至在形成呈現(xiàn)單色光發(fā)射的電致發(fā)光層的情況下，也可以通過結(jié)合濾色器和顏色轉(zhuǎn)換層實(shí)現(xiàn)全色顯示。濾色器和顏色轉(zhuǎn)換層的布局如前述實(shí)施例模式所描述的一樣排列。濾色器和顏色轉(zhuǎn)換層，例如在第二襯底上形成，并且可以粘接到第一襯底。濾色器也可以在第一襯底上形成，即可以采用所謂的COA結(jié)構(gòu)。在進(jìn)行雙發(fā)射顯示的情況下，其中光從電致發(fā)光層出射到第一襯底210側(cè)和第二襯底204側(cè)，可以在兩個(gè)襯底上都提供濾色器。
此外，可以形成呈現(xiàn)單色光發(fā)射的電致發(fā)光層以進(jìn)行單色顯示。例如，可以使用單色光發(fā)射進(jìn)行區(qū)域彩色型顯示。無源矩陣結(jié)構(gòu)適合于主要顯示文本和符號(hào)的區(qū)域彩色顯示。
為了防止?jié)駳?、氧等?dǎo)致的光發(fā)射元件的退化，提供保護(hù)膜217以覆蓋光發(fā)射元件的第二電極。在該實(shí)施例模式中，用作保護(hù)膜217的是通過濺射(DC法或RF法)得到的含氮化硅或硅氮氧化物為主要成分的絕緣膜或含氫的DLC(類金剛石碳)膜。
如圖7所示，光發(fā)射元件的第二電極216通過來自連接區(qū)256中的堤214中的孔隙的引線布線連接到連接布線208。連接布線208通過各向異性導(dǎo)電樹脂(ACF)連接到FPC 209。然后，連接布線208通過FPC 209接收作為外部輸入信號(hào)的視頻信號(hào)和時(shí)鐘信號(hào)。此處只表示出FPC，但是，可以連接印刷線路板(PWB)到FPC。
在第一襯底210的周圍提供密封材料205，由此第一襯底210和第二襯底204連接并密封。密封材料205優(yōu)選環(huán)氧樹脂。密封材料205包括襯墊，通過襯墊保持第一襯底和第二襯底(也稱為反襯底或密封襯底)之間保持一定空間，即間隙。使用球形或柱形襯墊，并且在本實(shí)施例中使用其直徑對(duì)應(yīng)于間隙的圓柱形襯墊?？梢詾榈诙r底提供干燥劑，這樣可以防止?jié)駳夂脱踹M(jìn)入。
通過用第二襯底204密封，在第二襯底204和保護(hù)膜217之間形成空間。該空間用如氮?dú)獾亩栊詺怏w或高吸濕性材料填充，從而使?jié)駳夂脱醪荒苓M(jìn)入。在該實(shí)施例模式中，形成透射光并具有高吸濕性的樹脂230。樹脂230透射光，因此，甚至在來自電致發(fā)光層的光出射到第二襯底一側(cè)的情況下，也不減少透射率。
為了增強(qiáng)對(duì)比度，在像素部分優(yōu)選至少提供偏振器或圓形偏振器。在從第二襯底側(cè)看顯示器的情況下，可以從第二襯底一側(cè)依次提供1/4λ片、1/2λ片和偏振器。此外，可以在偏振器上提供抗反射膜。
在電子器件的機(jī)殼中提供這樣的光發(fā)射器件，由此完成產(chǎn)品。為了將光發(fā)射器件產(chǎn)生的熱量傳出，優(yōu)選在機(jī)殼中提供熱沉等。
在該實(shí)施例模式中，描述了具有濾色器和本發(fā)明的布局的液晶顯示器件的結(jié)構(gòu)。
圖8A是液晶顯示器件的頂視圖，它包括信號(hào)驅(qū)動(dòng)器電路200、掃描線驅(qū)動(dòng)器電路201和提供于第一襯底210之上的像素部分202，第一襯底210通過密封材料205連接到第二襯底204。來自外部電路的信號(hào)通過FPC 209輸入到信號(hào)驅(qū)動(dòng)器電路和掃描驅(qū)動(dòng)器電路。
圖8B是圖5A的顯示器件沿A-A’的橫截面視圖，它包括配備具有N-溝道型TFT 223和P-溝道型TFT 224的CMOS電路的信號(hào)驅(qū)動(dòng)器電路。每個(gè)TFT可以通過使用多晶半導(dǎo)體膜形成，多晶半導(dǎo)體膜通過激光結(jié)晶化法或使用金屬催化劑的熱方法形成。
在使用類似于光發(fā)射器件的非晶半導(dǎo)體膜的情況下，如信號(hào)驅(qū)動(dòng)器電路或掃描驅(qū)動(dòng)器電路的驅(qū)動(dòng)器電路可以裝配成IC芯片或驅(qū)動(dòng)器IC。
像素部分202包括開關(guān)TFT 221和電容器245。開關(guān)TFT 221可以由激光結(jié)晶化法或使用金屬催化劑的熱方法形成的多晶半導(dǎo)體、SAS或非晶半導(dǎo)體形成。電容器245可以由夾在摻雜的半導(dǎo)體膜和柵電極之間的柵極絕緣膜形成。提供像素電極250以連接到開關(guān)TFT 211的一個(gè)電極。信號(hào)驅(qū)動(dòng)器電路200包括N-溝道型TFT 223和P-溝道型TFT 224。按需要提供絕緣體214以覆蓋信號(hào)驅(qū)動(dòng)器電路200、像素電極250和開關(guān)TFT 211，它可以增強(qiáng)平面性。
第二襯底204在對(duì)應(yīng)于信號(hào)驅(qū)動(dòng)器電路200的位置設(shè)有黑色基質(zhì)253，并且至少在對(duì)應(yīng)于像素部分的位置提供濾色器252。濾色器252可以通過使用前述實(shí)施例模式的布局形成。此時(shí)，形成黑色基質(zhì)替代堤。然后，對(duì)其上形成反電極的第二襯底204進(jìn)行摩擦處理，然后和第一電極連接，二者中間夾襯墊255。
在第一襯底210和第二襯底204之間注入液晶層。液晶層優(yōu)選在真空氣氛下注入?；蛘?，液晶層可以噴射到第一襯底210上，而第二襯底可以連接到其上。可以用液滴噴射法噴射液晶。特別是在大襯底上噴射比注射液晶層好。使用液滴噴射法，當(dāng)使用較大襯底時(shí)，腔變大，因此襯底重量增加，導(dǎo)致操作困難。
在噴射液晶的情況下，在其中一個(gè)襯底的周圍形成密封材料。密封材料既可以在第一襯底210也可在第二襯底204中形成。此時(shí)，密封材料的形成使密封組件的起點(diǎn)和終相接并閉合。之后，噴射一個(gè)或多個(gè)液晶滴。在大襯底的情況下，在多個(gè)位置噴射多個(gè)液晶滴。然后，在真空下該襯底與另一個(gè)襯底連接。通過在真空下連接，可以去除不必要的空氣，并且可以防止空氣引起的密封材料的破裂和膨脹。
其次，其中形成密封材料的區(qū)中的兩個(gè)或多個(gè)點(diǎn)被固化并被粘接用于暫時(shí)連接。在使用紫外線固化樹脂作密封材料的情況下，用紫外線照射其中形成密封材料的區(qū)中的兩個(gè)或多個(gè)點(diǎn)。之后，將襯底從腔中取出，密封材料完全固化并作為實(shí)際附件粘接。此時(shí)，優(yōu)選提供光屏蔽，從而使紫外線不照射到薄膜晶體管和液晶上。
此外，為了保持襯底之間的間隙，除密封組件外優(yōu)選使用柱形或球形襯墊。
之后，給第一襯底210和第二襯底204提供偏振器或圓偏振器以增加對(duì)比度。此外，也可以提供抗反射膜。
之后，使用各向異性導(dǎo)電膜粘接FPC 209以和外部電路以及信號(hào)驅(qū)動(dòng)器電路或掃描驅(qū)動(dòng)器電路相連。
[實(shí)施例1]在該實(shí)施例中，描述使用實(shí)施例模式1中所述像素布局的顯示模擬結(jié)果。
圖10示出了在使用實(shí)施例模式1中所述像素布局情況下的圖象，而圖11示出了在使用排列成條形的傳統(tǒng)像素布局情況下的圖象。在圖10和圖11中，元件間距，即堤之間的間隔相同?？梢钥吹骄哂斜景l(fā)明的像素布局的圖10中的圖象比圖11的圖象更精細(xì)。
圖12表示分辨率和實(shí)施例模式1、2描述的像素布局以及傳統(tǒng)像素布局的孔徑比之間的關(guān)系。在分辨率為302ppi(像素的一邊為84μm)的情況下，排列成條形的傳統(tǒng)像素布局中的孔徑比為4.9％，而實(shí)施例模式1中描述的像素布局中的孔徑比為27.6％，在實(shí)施例模式2中描述的像素布局中的孔徑比為46.3％。
這樣，根據(jù)本發(fā)明的像素的布局，甚至在具有類似于傳統(tǒng)布局的元件間距的情況下也可以獲得高分辨率顯示器。
本發(fā)明以2003年12月17日在日本專利局提交的日本專利申請(qǐng)序列號(hào)第2003-420204為基礎(chǔ)，此處引述其內(nèi)容作為參考。
權(quán)利要求
1.顯示器件，包含對(duì)角線地布置的第一顏色的元件形成區(qū)、第二顏色的元件形成區(qū)和第三顏色的元件形成區(qū)；以及選自元件形成區(qū)的三個(gè)或多個(gè)被一個(gè)像素共享。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的顯示器件，其中該一個(gè)像素包含替換區(qū)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1的顯示器件，其中該一個(gè)像素包含排列成L-形的第一顏色、第二顏色和第三顏色的相同顏色區(qū)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1的顯示器件，其中該一個(gè)像素包含排列成L-形的相同顏色區(qū)，從而第二顏色的相同顏色區(qū)排列在第一顏色的相同顏色區(qū)的行方向上，且第三顏色的相同顏色區(qū)排列在其列方向上。
5.根據(jù)權(quán)利要求1的顯示器件，其中第一顏色是R，第二顏色是G，第三顏色是B。
6.顯示器件，它包含具有多個(gè)第一著色的第一元件形成區(qū)，具有多個(gè)第二著色的第二元件形成區(qū)，具有多個(gè)第三著色的第三元件形成區(qū)；以及具有該多個(gè)第一著色區(qū)、第二著色區(qū)和第三著色區(qū)中至少一個(gè)的像素。
7.根據(jù)權(quán)利要求6的顯示器件，其中該一個(gè)像素包含替換區(qū)。
8.根據(jù)權(quán)利要求6的顯示器件，其中該一個(gè)像素包含排列成L-形的第一顏色、第二顏色和第三顏色的相同顏色區(qū)。
9.根據(jù)權(quán)利要求6的顯示器件，其中該一個(gè)像素包含排列成L-形的相同顏色區(qū)，從而第二顏色的相同顏色區(qū)排列在第一顏色相同顏色區(qū)的行方向上，而第三顏色的相同顏色區(qū)排列在其列方向上。
10.根據(jù)權(quán)利要求6的顯示器件其中第一顏色是R，第二顏色是G，第三顏色是B。
11.顯示器件，它包含第一顏色的元件形成區(qū)；在相同列中鄰近第一顏色的元件形成區(qū)提供的第二顏色的元件形成區(qū)；以及在相同列中鄰近第二顏色的元件形成區(qū)提供的第三顏色的元件形成區(qū)；其中第一顏色的元件形成區(qū)、第二顏色的元件形成區(qū)和第三顏色的元件形成區(qū)對(duì)角線地排列；以及其中一個(gè)像素具有選自第一顏色的元件形成區(qū)、第二顏色的元件形成區(qū)和第三顏色的元件形成區(qū)的第一顏色、第二顏色和第三顏色的相同顏色區(qū)。
12.根據(jù)權(quán)利要求11的顯示器件，其中該一個(gè)像素包含替換區(qū)。
13.根據(jù)權(quán)利要求11的顯示器件，其中該一個(gè)像素包含排列成L-形的第一顏色、第二顏色和第三顏色的相同顏色區(qū)。
14.根據(jù)權(quán)利要求11的顯示器件，其中該一個(gè)像素包含排列成L-形的相同顏色區(qū)，從而第二顏色的相同顏色區(qū)排列在第一顏色的相同顏色區(qū)的行方向上，且第三顏色的相同顏色區(qū)排列在其列方向上。
15.根據(jù)權(quán)利要求11的顯示器件，其中第一顏色是R，第二顏色是G，第三顏色是B。
16.顯示器件，包含第一顏色的元件形成區(qū)；在相同列中鄰近第一顏色的元件形成區(qū)提供的第二顏色的元件形成區(qū)；以及在相同列中鄰近第二顏色的元件形成區(qū)提供的第三顏色的元件形成區(qū)，第一顏色的元件形成區(qū)、第二顏色的元件形成區(qū)和第三顏色的元件形成區(qū)在行方向上偏移一個(gè)元件形成區(qū)的寬度排列，其中一個(gè)像素具有選自第一顏色的元件形成區(qū)、第二顏色的元件形成區(qū)和第三顏色的元件形成區(qū)的第一顏色、第二顏色和第三顏色的相同顏色區(qū)。
17.根據(jù)權(quán)利要求16的顯示器件，其中該一個(gè)像素包含替換區(qū)。
18.根據(jù)權(quán)利要求16的顯示器件，其中該一個(gè)像素包含排列成L-形的第一顏色、第二顏色和第三顏色的相同顏色形成區(qū)。
19.根據(jù)權(quán)利要求16的顯示器件，其中一個(gè)像素包含排列成L-形的相同顏色區(qū)，從而第二顏色的相同顏色區(qū)排列在第一顏色的相同顏色區(qū)的行方向上，且第三顏色的相同顏色區(qū)排列在其列方向上。
20.根據(jù)權(quán)利要求16的顯示器件，其中第一顏色是R，第二顏色是G，第三顏色是B。
21.顯示器件，它包含第一顏色的元件形成區(qū)；在相同列中鄰近第一顏色的元件形成區(qū)提供的第二顏色的元件形成區(qū)；在相同列中鄰近第二顏色的元件形成區(qū)提供的第三顏色的元件形成區(qū)，以及第一顏色的元件形成區(qū)、第二顏色的元件形成區(qū)和第三顏色的元件形成區(qū)的排列使得它們?cè)谛蟹较蛏掀?.5個(gè)元件形成區(qū)的寬度，其中一個(gè)像素具有選自第一顏色元件形成區(qū)、第二顏色元件形成區(qū)和第三顏色元件形成區(qū)的第一顏色、第二顏色和第三顏色的相同顏色區(qū)。
22.根據(jù)權(quán)利要求21的顯示器件，其中該一個(gè)像素包含排列成T-形的第一顏色、第二顏色和第三顏色的相同顏色區(qū)。
23.根據(jù)權(quán)利要求21的顯示器件，其中該一個(gè)像素包含在第一顏色的相同顏色區(qū)的行方向上的第二和第三顏色的相同顏色區(qū)；以及其中第二和第三顏色的相同顏色區(qū)排列成T-形，從而它們相對(duì)于第一顏色的相同顏色區(qū)偏移1.5個(gè)元件形成區(qū)的寬度。
24.根據(jù)權(quán)利要求21的顯示器件，其中該一個(gè)像素包含排列成三角形的第一顏色、第二顏色和第三顏色的相同顏色區(qū)。
25.根據(jù)權(quán)利要求21的顯示器件，其中第一顏色是R，第二顏色是G，第三顏色是B。
26.顯示器件，包括具有多個(gè)第一著色的第一元件形成區(qū)，具有多個(gè)第二著色的第二元件形成區(qū)，具有多個(gè)第三著色的第三元件形成區(qū)；以及具有該多個(gè)第一著色區(qū)、第二著色區(qū)和第三著色區(qū)中至少一個(gè)區(qū)的像素；其中具有第一元件形成區(qū)的第一絕緣膜、具有第二元件形成區(qū)的第二絕緣膜和具有第三元件形成區(qū)的第三絕緣膜的寬度比具有第一元件形成區(qū)、第二元件形成區(qū)和第三元件形成區(qū)的的第四絕緣膜的寬度窄。
27.根據(jù)權(quán)利要求26的顯示器件，其中第一絕緣膜、第二絕緣膜和第三絕緣膜在列方向上的寬度比在相鄰的第一元件形成區(qū)、第二元件區(qū)和第三元件區(qū)之間提供的第四絕緣膜的寬度窄。
28.根據(jù)權(quán)利要求26的顯示器件，其中第一絕緣膜、第二絕緣膜和第三絕緣膜在行方向上的寬度比在相鄰的第一元件形成區(qū)、第二元件區(qū)和第三元件區(qū)之間提供的第四絕緣膜的寬度窄。
29.根據(jù)權(quán)利要求26的顯示器件，其中第一顏色是R，第二顏色是G，第三顏色是B。
30.顯示器件的制造方法，包含對(duì)角線地形成元件形成區(qū)，從而三個(gè)或更多的元件形成區(qū)被一個(gè)像素共享。
31.根據(jù)權(quán)利要求30的顯示器件，其中一個(gè)像素以L-形形成，從而第二顏色的相同顏色區(qū)排列在第一顏色的相同顏色區(qū)的行方向上，且第三顏色的相同顏色區(qū)排列在列方向上。
32.顯示器件的制造方法，包含第一顏色元件形成區(qū)；在相同列中鄰近第一顏色元件形成區(qū)提供的第二顏色元件形成區(qū)；在相同列中鄰近第二顏色元件形成區(qū)提供的第三顏色元件形成區(qū)，以及第一顏色的元件形成區(qū)、第二顏色的元件形成區(qū)和第三顏色的元件形成區(qū)的排列使得它們?cè)谛蟹较蛏掀?個(gè)元件形成區(qū)的寬度，其中一個(gè)像素具有選自第一顏色的元件形成區(qū)、第二顏色的元件形成區(qū)和第三顏色的元件形成區(qū)的第一顏色、第二顏色和第三顏色的相同顏色區(qū)。
33.根據(jù)權(quán)利要求32的顯示器件，其中一個(gè)像素以L-形形成，從而第二顏色的相同顏色區(qū)排列在第一顏色的相同顏色區(qū)的行方向上，且第三顏色的相同顏色區(qū)排列在列方向上。
34.顯示器件的制造方法，包含第一顏色的元件形成區(qū)；在相同列中鄰近第一顏色的元件形成區(qū)提供的第二顏色的元件形成區(qū)；在相同列中鄰近第二顏色的元件形成區(qū)提供的第三顏色的元件形成區(qū)，以及第一顏色的元件形成區(qū)、第二顏色的元件形成區(qū)和第三顏色的元件形成區(qū)的排列使得它們?cè)谛蟹较蛏掀?.5個(gè)元件形成區(qū)的寬度，其中一個(gè)像素具有選自第一顏色的元件形成區(qū)、第二顏色的元件形成區(qū)和第三顏色的元件形成區(qū)的第一顏色、第二顏色和第三顏色的相同顏色區(qū)。
35.根據(jù)權(quán)利要求34的制造方法，進(jìn)一步包含以T-形形成一個(gè)像素，從而第二顏色和第三顏色的相同顏色區(qū)排列在第一顏色的相同顏色區(qū)的行方向上，在列方向上偏移1.5個(gè)元件形成區(qū)的寬度。
36.根據(jù)權(quán)利要求34的制造方法，進(jìn)一步包含以三角形形成一個(gè)像素，以第一顏色、第二顏色和第三顏色中任何一個(gè)的相同顏色區(qū)為頂點(diǎn)。
37.顯示器件的制造方法，包含對(duì)角線地形成元件形成區(qū)，從而使三個(gè)或更多的元件形成區(qū)被一個(gè)像素共享；以及在元件形成區(qū)形成相同顏色區(qū)。
38.根據(jù)權(quán)利要求37的顯示器件，其中以L-形形成一個(gè)像素，從而第二顏色的相同顏色區(qū)排列在第一顏色的相同顏色區(qū)的行方向上，而第三顏色的相同顏色區(qū)排列在列方向上。
39.顯示期器件的制造方法，包含形成第一元件形成區(qū)，該第一元件形成區(qū)具有被絕緣膜相互分開的多個(gè)第一著色區(qū)，鄰近該第一元件形成區(qū)形成第二元件形成區(qū)，該第二元件形成區(qū)具有被絕緣膜相互分開的多個(gè)第二著色區(qū)，鄰近該第二元件形成區(qū)形成第三元件形成區(qū)，該第三元件形成區(qū)具有被絕緣膜相互分開的多個(gè)第三著色區(qū)，對(duì)角線地排列第一著色區(qū)、第二著色區(qū)和第三著色區(qū)以使它們被一個(gè)像素共享。
40.根據(jù)權(quán)利要求39的顯示器件，其中以L-形形成一個(gè)像素，從而第二顏色的相同顏色區(qū)排列在第一顏色的相同顏色區(qū)的行方向上，且第三顏色的相同顏色區(qū)排列在列方向上。
41.顯示器件的制造方法，包含第一顏色的元件形成區(qū)；在相同列中鄰近第一顏色的元件形成區(qū)提供的第二顏色的元件形成區(qū)；在相同列中鄰近第二顏色的元件形成區(qū)提供的第三顏色的元件形成區(qū)，以及第一顏色的元件形成區(qū)、第二顏色的元件形成區(qū)和第三顏色的元件形成區(qū)的排列使得它們?cè)谛蟹较蛏掀?.5個(gè)元件形成區(qū)的寬度，其中一個(gè)像素具有選自第一顏色的元件形成區(qū)、第二顏色的元件形成區(qū)和第三顏色的元件形成區(qū)的第一顏色、第二顏色和第三顏色的相同顏色區(qū)。
42.根據(jù)權(quán)利要求41的制造方法，進(jìn)一步包含以T-形形成一個(gè)像素，從而第二顏色和第三顏色的相同顏色區(qū)排列在第一顏色的相同顏色區(qū)的行方向上，在列方向上偏移1.5個(gè)元件形成區(qū)寬度。
43.根據(jù)權(quán)利要求41的制造方法，進(jìn)一步包含以三角形形成一個(gè)像素，以第一顏色、第二顏色和第三顏色中任何一個(gè)的相同顏色區(qū)為頂點(diǎn)。
44.顯示器件的制造方法，包含形成第一元件形成區(qū)，該第一元件形成區(qū)具有被絕緣膜相互分開的多個(gè)第一著色區(qū)，鄰近該第一元件形成區(qū)形成第二元件形成區(qū)，該第二元件形成區(qū)具有被絕緣膜相互分開的多個(gè)第二著色區(qū)，鄰近該第二元件形成區(qū)形成第三元件形成區(qū)，該第三元件形成區(qū)具有被絕緣膜相互分開的多個(gè)第三著色區(qū)，對(duì)角線地排列第一著色區(qū)、第二著色區(qū)和第三著色區(qū)以使它們被一個(gè)像素共享。
45.根據(jù)權(quán)利要求44的顯示器件，其中以L-形形成一個(gè)像素，從而第二顏色的相同顏色區(qū)排列在第一顏色的相同顏色區(qū)的行方向上，而第三顏色的相同顏色區(qū)排列在列方向上。
46.顯示器件的制造方法，包含第一顏色的元件形成區(qū)；在相同列中鄰近第一顏色的元件形成區(qū)提供的第二顏色的元件形成區(qū)；在相同列中鄰近第二顏色的元件形成區(qū)提供的第三顏色的元件形成區(qū)，以及第一顏色的元件形成區(qū)、第二顏色的元件形成區(qū)和第三顏色的元件形成區(qū)的排列使得它們?cè)谛蟹较蛏掀?.5個(gè)元件形成區(qū)的寬度，其中一個(gè)像素具有選自第一顏色的元件形成區(qū)、第二顏色的元件形成區(qū)和第三顏色的元件形成區(qū)的第一顏色、第二顏色和第三顏色的相同顏色區(qū)。
47.根據(jù)權(quán)利要求46的制造方法，進(jìn)一步包含以T-形形成一個(gè)像素，從而第二顏色和第三顏色的相同顏色區(qū)排列在第一顏色相同顏色區(qū)的行方向上，在列方向上偏移1.5個(gè)元件形成區(qū)寬度。
48.根據(jù)權(quán)利要求46的制造方法，進(jìn)一步包含以三角形形成一個(gè)像素，以第一顏色、第二顏色和第三顏色中任何一個(gè)的相同顏色區(qū)為頂點(diǎn)。
49.顯示器件的制造方法，包含形成第一元件形成區(qū)，該第一元件形成區(qū)具有被第一絕緣膜相互分開的多個(gè)第一著色區(qū)，鄰近該第一元件形成區(qū)形成第二元件形成區(qū)，該第二元件形成區(qū)具有被第二絕緣膜相互分開的多個(gè)第二著色區(qū)，鄰近該第二元件形成區(qū)形成第三元件形成區(qū)，該第三元件形成區(qū)具有被第三絕緣膜相互分開的多個(gè)第三著色區(qū)，對(duì)角線地排列第一著色區(qū)、第二著色區(qū)和第三著色區(qū)以使它們被一個(gè)像素共享；以及在相鄰的相同顏色區(qū)之間提供的第一絕緣膜、第二絕緣膜和第三絕緣膜的寬度比在相鄰的元件形成區(qū)之間提供的第四絕緣膜的寬度窄。
50.根據(jù)權(quán)利要求49的制造方法，進(jìn)一步包含在列方向上的相鄰的相同顏色區(qū)之間提供的第一絕緣膜、第二絕緣膜和第三絕緣膜的寬度比在相鄰的元件形成區(qū)之間提供的第二絕緣膜的寬度窄。
51.根據(jù)權(quán)利要求49的制造方法，進(jìn)一步包含形成在行方向上相鄰的相同顏色區(qū)之間提供的第一絕緣膜、第二絕緣膜和第三絕緣膜的寬度比在相鄰的元件形成區(qū)之間提供的第二絕緣膜的寬度窄。
全文摘要
以此方式，甚至當(dāng)形成半導(dǎo)體元件的圖形精度以及布線精細(xì)度提高時(shí)，由于金屬掩模的孔隙之間的間隔不能變窄，仍然不能期望具有發(fā)光元件的顯示器件的高分辨率?？紤]到前述問題，根據(jù)本發(fā)明，相同顏色的元件形成區(qū)對(duì)角線放置，且象素部分的結(jié)構(gòu)是形成元件的區(qū)域被多個(gè)象素共享。本發(fā)明的具體的象素結(jié)構(gòu)是第一顏色、第二顏色、第三顏色的元件形成區(qū)分別對(duì)角向放置，且三個(gè)或更多個(gè)元件形成區(qū)被每個(gè)象素共享。
文檔編號(hào)H01L27/32GK1638558SQ20041008214
公開日2005年7月13日 申請(qǐng)日期2004年12月17日 優(yōu)先權(quán)日2003年12月17日
發(fā)明者宮川惠介 申請(qǐng)人:株式會(huì)社半導(dǎo)體能源研究所