專利名稱：檢測(cè)覆晶基板的定位方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明與被檢測(cè)元件的定位技術(shù)有關(guān)，詳細(xì)地說(shuō)，是指一種檢測(cè)覆晶基板的定位方法。
背景技術(shù)：
按，覆晶基板(flip chip substrate)是一種體積小且具有高密度接點(diǎn)及電路的電路板，其具有體積小、高腳數(shù)、良好電氣特性等優(yōu)點(diǎn)，然而，在將晶粒接合于覆晶基板之前，有必要對(duì)覆晶基板進(jìn)行測(cè)試，如此可避免因?yàn)楦簿Щ灞旧淼蔫Υ枚鴮?dǎo)致晶粒的損耗。
而在以測(cè)試機(jī)對(duì)覆晶基板進(jìn)行測(cè)試之前，必須將覆晶基板定位于待檢測(cè)位置，而由于覆晶基板上的接點(diǎn)密度極高，其接點(diǎn)間間距極小，稍有一點(diǎn)差距即會(huì)導(dǎo)致檢測(cè)結(jié)果的不正確，傳統(tǒng)的定位方法，例如利用覆晶基板的板緣定位，已無(wú)法符合覆晶基板的極精密需求。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的主要目的在于提供一種檢測(cè)覆晶基板的定位方法，其利用單一攝影機(jī)攝影取像，并配合各測(cè)試頭的位移與旋轉(zhuǎn)，可完成極為精密且快速的定位。
為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供的一種檢測(cè)覆晶基板的定位方法，包含有下列步驟A、提供一檢測(cè)設(shè)備，具有一上檢測(cè)頭、一下檢測(cè)頭、一承座、以及一攝影機(jī)，該上檢測(cè)頭及該下檢測(cè)頭均可于X軸方向、Y軸方向、Z軸方向上位移，且可水平旋轉(zhuǎn)θ角度，該承座可于一第一位置及一第二位置間位移，當(dāng)該承座位于該第二位置時(shí)，位于該上檢測(cè)頭與該下檢測(cè)頭之間，該承座中央具有一鏤空部位，可供該下檢測(cè)頭由下方進(jìn)入，該承座可相對(duì)于該攝影機(jī)于該第一位置及一第三位置間位移；
B、設(shè)定基準(zhǔn)位置備置一基準(zhǔn)覆晶基板，具有二定位標(biāo)記，將該基準(zhǔn)覆晶基板置于該承座上，于該承座位于該第二位置時(shí)，調(diào)整該上檢測(cè)頭及該下檢測(cè)頭，使該二檢測(cè)頭對(duì)正于基準(zhǔn)覆晶基板，于該承座分別位于該第一位置及該第三位置時(shí)，該二定位標(biāo)記分別對(duì)正于該攝影機(jī)，并紀(jì)錄此基準(zhǔn)位置；C、待檢測(cè)覆晶基板定位將一待檢測(cè)覆晶基板置于該承座上，調(diào)整該承座分別位于該第一位置及該第三位置，供該攝影機(jī)分別對(duì)該待檢測(cè)覆晶基板的二定位標(biāo)記分別進(jìn)行取像；D、比對(duì)該待檢測(cè)覆晶基板與該基準(zhǔn)覆晶基板的二定位標(biāo)記的位置，可得出各個(gè)定位標(biāo)記在X軸座標(biāo)及Y軸座標(biāo)的差距，由此得到待檢測(cè)覆晶基板相對(duì)于基準(zhǔn)位置X軸、Y軸、以及θ角度差；E、使該承座位于該第二位置，將該上檢測(cè)頭及該下檢測(cè)頭依前述步驟所得的X軸、Y軸、以及θ角度差進(jìn)行位移及旋轉(zhuǎn)，以補(bǔ)償誤差，進(jìn)而使該上檢測(cè)頭及下檢測(cè)頭對(duì)準(zhǔn)該待檢測(cè)覆晶基板；由上述步驟，可達(dá)成待檢測(cè)覆晶基板在檢測(cè)前的定位。
其中該攝影機(jī)為一CCD(電荷耦合裝置)攝影鏡頭。
其中于取像時(shí)，該攝影機(jī)位于定位標(biāo)記的正上方。
其中該承座位于該第一位置時(shí)是用以進(jìn)/出料，位于該第二位置時(shí)是使待檢測(cè)覆晶基板供檢測(cè)。


圖1為本發(fā)明一較佳實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖，顯示上測(cè)試頭、承座、以及下測(cè)試頭間的空間形態(tài)；圖2A為本發(fā)明一較佳實(shí)施例的動(dòng)作示意圖，顯示承座位于第一位置時(shí)的狀態(tài)；圖2B為本發(fā)明一較佳實(shí)施例的動(dòng)作示意圖，顯示承座位于第三位置時(shí)的狀態(tài)；圖3為本發(fā)明一較佳實(shí)施例的實(shí)施狀態(tài)示意圖，顯示承座于第一位置的狀態(tài)；圖4為本發(fā)明一較佳實(shí)施例的實(shí)施狀態(tài)示意圖，顯示承座于第二位置的狀態(tài)。
具體實(shí)施例方式
為了詳細(xì)說(shuō)明本發(fā)明的特點(diǎn)所在，舉以下一較佳實(shí)施例并配合

如后請(qǐng)參閱圖1至圖4，本發(fā)明一較佳實(shí)施例所提供的一種檢測(cè)覆晶基板的定位方法，主要包含有下列步驟A、提供一檢測(cè)設(shè)備(11)，具有一上檢測(cè)頭(12)、一下檢測(cè)頭(14)、一承座(16)、以及一攝影機(jī)(18)，該上檢測(cè)頭(12)及該下檢測(cè)頭(14)均可于X軸方向、Y軸方向、Z軸方向上位移，且可水平旋轉(zhuǎn)θ角度，且該二檢測(cè)頭(12)(14)上具有探針(探針的構(gòu)造為公知，且非本發(fā)明的申請(qǐng)重點(diǎn)，容不贅述)；該承座(16)用以承接覆晶基板(22)，可于一第一位置及一第二位置間位移，請(qǐng)參閱圖3，當(dāng)該承座(16)位于該第一位置時(shí)是用以進(jìn)/出料；再參閱圖4，當(dāng)該承座(16)位于該第二位置時(shí)是位于該上檢測(cè)頭(12)與該下檢測(cè)頭(14)之間，可讓待檢測(cè)覆晶基板(21’)供檢測(cè)，該承座(16)中央具有一鏤空部位(17)，可供該下檢測(cè)頭(14)由下方進(jìn)入，并與位于承座(16)上的覆晶基板底面的接點(diǎn)接觸來(lái)進(jìn)行檢測(cè)，該攝影機(jī)(18)于本實(shí)施例中，為一CCD(電荷耦合裝置)攝影鏡頭，該承座(16)可相對(duì)于該攝影機(jī)(18)于該第一位置(如圖2A所示)及一第三位置(如圖2B所示)間位移；B、設(shè)定基準(zhǔn)位置備置一基準(zhǔn)覆晶基板(21)，具有二定位標(biāo)記(22)，將該基準(zhǔn)覆晶基板(21)置于該承座(16)上，使該承座(16)位于該第二位置時(shí)，調(diào)整該上檢測(cè)頭(12)，及該下檢測(cè)頭(14)，使該二檢測(cè)頭(12)(14)上的探針(圖中未示)對(duì)正于該基準(zhǔn)覆晶基板(21)的接點(diǎn)，調(diào)整該承座(16)的位置，使其分別位于該第一位置及該第三位置時(shí)，該攝影機(jī)(18)分別位于該二定位標(biāo)記(22)的正上方取像，并然后記錄此基準(zhǔn)位置；C、待檢測(cè)覆晶基板(21’)定位將一待檢測(cè)覆晶基板(21’)置于該承座(16)上，調(diào)整該承座(16)分別位于該第一位置及該第三位置，供該攝影機(jī)(18)分別對(duì)該待檢測(cè)覆晶基板(21’)的二定位標(biāo)記(22’)分別進(jìn)行取像；D、比對(duì)該待檢測(cè)覆晶基板(21’)與該基準(zhǔn)覆晶基板(21)的二定位標(biāo)記(22’)(22)的位置，可得出各個(gè)定位標(biāo)記(22’)(22)在X軸座標(biāo)及Y軸座標(biāo)的差距，由此得到待檢測(cè)覆晶基板(21’)相對(duì)于基準(zhǔn)位置的X軸、Y軸、以及θ角度差；E、使該承座(16)位于該第二位置，將該上檢測(cè)頭(12)及該下檢測(cè)頭(14)依前述步驟所得的X軸、Y軸、以及θ角度差進(jìn)行位移及旋轉(zhuǎn)，以補(bǔ)償誤差，進(jìn)而使該上檢測(cè)頭(12)及下檢測(cè)頭(14)對(duì)準(zhǔn)該待檢測(cè)覆晶基板(21’)。
由上述步驟可知，本發(fā)明是先對(duì)一基準(zhǔn)覆晶基板(21)上的定位標(biāo)記(22)進(jìn)行基準(zhǔn)位置設(shè)定，之后在檢測(cè)待檢測(cè)覆晶基板(21’)時(shí)，即可與該基準(zhǔn)位置進(jìn)行比對(duì)，并找出位置差距，再將上檢測(cè)頭(12)及下檢測(cè)頭(14)于X軸、Y軸上位移，并旋轉(zhuǎn)θ角度來(lái)補(bǔ)償該位置差距，達(dá)到定位的效果。
本發(fā)明于附圖中所示的定位標(biāo)記(22)為十字形，此僅為舉例而已，本發(fā)明的定位標(biāo)記(22)亦可為其他形狀如矩形、圓形等。
本發(fā)明的承座(16)相對(duì)于該攝影機(jī)(18)在該第一位置及該第三位置時(shí)，該攝影機(jī)(18)一次僅針對(duì)一定位標(biāo)記(22)進(jìn)行取像，此由于精度上的考量，因此，該承座(16)需要在該第一位置及該第三位置間移動(dòng)。
由上可知，本發(fā)明可產(chǎn)生的優(yōu)點(diǎn)為利用單一攝影機(jī)攝影取像以取得基準(zhǔn)覆晶基板位置與待測(cè)覆晶基板間的位置差距，并配合各測(cè)試頭的位移與旋轉(zhuǎn)來(lái)補(bǔ)償該位差距，較常用以板緣定位的方式更為精密，良率更高。
權(quán)利要求
1.一種檢測(cè)覆晶基板的定位方法，包含有下列步驟A、提供一檢測(cè)設(shè)備，具有一上檢測(cè)頭、一下檢測(cè)頭、一承座、以及一攝影機(jī)，該上檢測(cè)頭及該下檢測(cè)頭均可于X軸方向、Y軸方向、Z軸方向上位移，且可水平旋轉(zhuǎn)θ角度，該承座可于一第一位置及一第二位置間位移，當(dāng)該承座位于該第二位置時(shí)，位于該上檢測(cè)頭與該下檢測(cè)頭之間，該承座中央具有一鏤空部位，可供該下檢測(cè)頭由下方進(jìn)入，該承座可相對(duì)于該攝影機(jī)于該第一位置及一第三位置間位移；B、設(shè)定基準(zhǔn)位置備置一基準(zhǔn)覆晶基板，具有二定位標(biāo)記，將該基準(zhǔn)覆晶基板置于該承座上，于該承座位于該第二位置時(shí)，調(diào)整該上檢測(cè)頭及該下檢測(cè)頭，使該二檢測(cè)頭對(duì)正于基準(zhǔn)覆晶基板，于該承座分別位于該第一位置及該第三位置時(shí)，該二定位標(biāo)記分別對(duì)正于該攝影機(jī)，并紀(jì)錄此基準(zhǔn)位置；C、待檢測(cè)覆晶基板定位將一待檢測(cè)覆晶基板置于該承座上，調(diào)整該承座分別位于該第一位置及該第三位置，供該攝影機(jī)分別對(duì)該待檢測(cè)覆晶基板的二定位標(biāo)記分別進(jìn)行取像；D、比對(duì)該待檢測(cè)覆晶基板與該基準(zhǔn)覆晶基板的二定位標(biāo)記的位置，可得出各個(gè)定位標(biāo)記在X軸座標(biāo)及Y軸座標(biāo)的差距，由此得到待檢測(cè)覆晶基板相對(duì)于基準(zhǔn)位置X軸、Y軸、以及θ角度差；E、使該承座位于該第二位置，將該上檢測(cè)頭及該下檢測(cè)頭依前述步驟所得的X軸、Y軸、以及θ角度差進(jìn)行位移及旋轉(zhuǎn)，以補(bǔ)償誤差，進(jìn)而使該上檢測(cè)頭及下檢測(cè)頭對(duì)準(zhǔn)該待檢測(cè)覆晶基板；由上述步驟，可達(dá)成待檢測(cè)覆晶基板在檢測(cè)前的定位。
2.依據(jù)權(quán)利要求1所述的檢測(cè)覆晶基板的定位方法，其特征在于，其中該攝影機(jī)為一CCD(電荷耦合裝置)攝影鏡頭。
3.依據(jù)權(quán)利要求1所述的檢測(cè)覆晶基板的定位方法，其特征在于，其中于取像時(shí)，該攝影機(jī)位于定位標(biāo)記的正上方。
4.依據(jù)權(quán)利要求1所述的檢測(cè)覆晶基板的定位方法，其特征在于，其中該承座位于該第一位置時(shí)是用以進(jìn)/出料，位于該第二位置時(shí)是使待檢測(cè)覆晶基板供檢測(cè)。
全文摘要
本發(fā)明是有關(guān)于一種檢測(cè)覆晶基板的定位方法，包含有下列步驟A.提供一檢測(cè)設(shè)備，具有一上檢測(cè)頭、一下檢測(cè)頭、一承座、以及一攝影機(jī)；B.設(shè)定基準(zhǔn)位置備置一基準(zhǔn)覆晶基板，具有二定位標(biāo)記，調(diào)整該承座的位置，使該攝影機(jī)對(duì)該基準(zhǔn)覆晶基板上的定位標(biāo)記分別取像并記錄此基準(zhǔn)位置；C.待檢測(cè)覆晶基板定位以該攝影機(jī)對(duì)該待檢測(cè)覆晶基板的二定位標(biāo)記分別進(jìn)行取像；D.比對(duì)該待檢測(cè)覆晶基板與該基準(zhǔn)覆晶基板的二定位標(biāo)記的位置，由此得到待檢測(cè)覆晶基板相對(duì)于基準(zhǔn)位置的位置差距；E.將該上檢測(cè)頭及該下檢測(cè)頭依前述步驟所得的位置差距位移或旋轉(zhuǎn)，以補(bǔ)償誤差，進(jìn)而完成定位。
文檔編號(hào)H01L21/66GK1734279SQ200410056069
公開日2006年2月15日 申請(qǐng)日期2004年8月9日 優(yōu)先權(quán)日2004年8月9日
發(fā)明者陳金圣, 陳逸平, 陳志明 申請(qǐng)人:東捷科技股份有限公司