專利名稱:固態(tài)電解電容及其制備方法
本發(fā)明涉及的是一種在高溫狀態(tài)下具有很好穩(wěn)定性的固態(tài)電解電容器。
一般的固態(tài)電解電容器的結(jié)構(gòu)通常是這樣的在由具有閥門(mén)作用的金屬構(gòu)成的正極基片上，形成一個(gè)氧化膜層;在此氧化膜層的外表面形成一個(gè)諸如二氧化錳這樣的半導(dǎo)體材料構(gòu)成的半導(dǎo)體層，作為相反極性的電極;用銀糊狀物或類似物質(zhì)在該半導(dǎo)體層上形成一個(gè)導(dǎo)電層，用于減小接觸電阻。
然而，這樣一種固態(tài)電解電容器有一個(gè)缺點(diǎn)，即在長(zhǎng)時(shí)間的高溫條件下，隨著時(shí)間的推移，損耗系數(shù)會(huì)增大。
基于以上所述的背景，本發(fā)明的主要目的是提供一種在長(zhǎng)時(shí)間高溫狀態(tài)下，仍能保持良好穩(wěn)定性的固態(tài)電解電容器。
更具體地說(shuō)，一方面，本發(fā)明的固態(tài)電解電容器包含有一個(gè)由具有閥門(mén)作用的金屬構(gòu)成的正極基片;一層絕緣的氧化膜;一個(gè)半導(dǎo)體層;以及一個(gè)導(dǎo)電層，把它們按此順序形成在正極基片上。其中的導(dǎo)電層主要是由金屬氧化物粉末和金屬粉末構(gòu)成的糊狀物。
另一方面，本發(fā)明改進(jìn)了固態(tài)電解電容器的制備方法，該方法包括在由具有閥門(mén)作用的金屬構(gòu)成的正極基片表面上，按順序形成絕緣的氧化膜、半導(dǎo)體層以及導(dǎo)電層，其改進(jìn)之處為將形成在絕緣氧化膜上的半導(dǎo)體層表面進(jìn)行超聲波沖洗，然后在沖洗過(guò)的表層上形成一個(gè)主要由金屬氧化物粉末和金屬粉末構(gòu)成的糊狀物層，作為導(dǎo)電層。
用于作為本發(fā)明的固態(tài)電解電容器的正極的閥用金屬基片，可以采用任何具有閥門(mén)作用的金屬，如鋁、鉭、鈮、鈦以及它們的合金。
在正電極基片的表面部分形成的正電極本身的氧化層，或在正電極基片的表面上形成的另外一種絕緣的氧化層，都可作為正電極基片表面的氧化膜層。以正電極閥用金屬氧化物構(gòu)成的層為最好。在每一種情況下，眾所周知的方法，如可以采用液態(tài)電解質(zhì)的陽(yáng)極形成法制成氧化層。
對(duì)本發(fā)明的半導(dǎo)體層的組成及其制備方法并沒(méi)有特別嚴(yán)格的要求。然而，為了提高電容器的性能，最好按照已知的化學(xué)或電化學(xué)的沉積法來(lái)制備，主要是由二氧化鉛或二氧化鉛和硫酸鉛的混合物構(gòu)成的半導(dǎo)體層。
這里所謂的化學(xué)沉積法，例如可以是一種從包括含鉛化合物和氧化劑的反應(yīng)母液中來(lái)沉積半導(dǎo)體層的方法。
作為含鉛化合物中的鉛原子可以是以配位鍵或離子鍵的形式與螯合化合物結(jié)合，這些螯合化合物如8-羥基喹啉、乙酰丙酮、3-羥基對(duì)吡喃酮、水揚(yáng)酸、茜素、聚乙酸乙烯酯、卟啉化合物、冠狀或穴狀化合物、檸檬酸鉛、乙酸鉛、堿式乙酸鉛、氯化鉛、溴化鉛、高氯酸鉛、氨基磺酸鉛、六氟硅酸鉛、溴酸鉛、氟硼酸鉛、水合乙酸鉛以及硝酸鉛。按照用作反應(yīng)母液的溶劑的種類選擇適合的含鉛化合物?？蓪⑺蛴袡C(jī)溶劑用作溶劑。可以采用上述兩種或多種含鉛化合物的混合物。
在反應(yīng)母液中的含鉛化合物的濃度從0.05摩爾/升至給定的飽和溶解度濃度，較好的是從0.1摩爾/升到給定的飽和溶解度濃度，最好從0.5摩爾/升至給定的飽和溶解度濃度。如果反應(yīng)母液中的含鉛化合物的濃度低于0.05摩爾/升，就不能得到性能良好的固態(tài)電解電容器。如果反應(yīng)母液中的含鉛化合物的濃度超過(guò)給定的飽和溶解度，通過(guò)增加額外的含鉛化合物也不會(huì)帶來(lái)什么好處。
上面提到的氧化劑可以是，例如苯醌、吡啶-N-氧化物、二甲亞砜、鉻酸、高錳酸鉀、氧化硒、乙酸汞、氧化釩、氯酸鈉、氯化鐵、過(guò)氧化氫、漂白粉以及過(guò)氧化苯酰。按照氧化劑的種類選擇合適的氧化劑，可以采用上述兩種或多種氧化劑的混合物。
每使用一摩爾含鉛化合物，最好用0.1至5摩爾的氧化劑。如果每使用一摩爾含鉛化合物，氧化劑的用量超過(guò)5摩爾，則從經(jīng)濟(jì)上講是不合算的。如果每使用一摩爾含鉛化合物，氧化劑的用量不足0.1摩爾，就不能得到性能良好的固態(tài)電解電容器。
形成主要由二氧化鉛組成的半導(dǎo)體層的方法，可以是把含鉛化合物溶液和氧化劑溶液混合，以構(gòu)成反應(yīng)母液，并且將在其表面具有上述氧化膜的正電極基片浸入反應(yīng)母液中，用化學(xué)沉積的方法沉積出一個(gè)主要由二氧化鉛組成的半導(dǎo)體層。
至于電化學(xué)沉積法，例如可以是已由本專利發(fā)明人提出的方法(見(jiàn)日本專利申請(qǐng)№.61-26，952)，即通過(guò)電氧化，從高濃度含鉛化合物的電解液中，沉積出二氧化鉛。
如果半導(dǎo)體層是一個(gè)主要由本來(lái)就是半導(dǎo)體的二氧化鉛和絕緣材料硫酸鉛組成的層，那么通過(guò)加入了二氧化鉛，可以減小電容器的漏電流。另一方面，由于加入了硫酸鉛，半導(dǎo)體層的導(dǎo)電性也降低了，因此，損耗系數(shù)增加了。然而，根據(jù)本發(fā)明，發(fā)現(xiàn)采用二氧化鉛，以及硫酸鉛來(lái)構(gòu)成半導(dǎo)體層，所得到的電容器的性能可以保持在與常規(guī)的固態(tài)電解電容器一樣高的水平上。因此，可以清楚地看出，在一個(gè)很寬的成份比范圍內(nèi)，都可以得到良好的電容特性。在形成的半導(dǎo)體層中，以重量計(jì)，二氧化鉛的含量至少是10份，而硫酸鉛的含量可高達(dá)90份。權(quán)衡漏電流和損耗系數(shù)，以重量計(jì)，二氧化鉛的含量較好是20至50份，最好是在25至35份之間;而硫酸鉛的含量較好是80至50份，最好是在75至65份之間。如果二氧化鉛的含量以重量計(jì)少于10份，導(dǎo)電性增加而損耗系數(shù)也因此增加，這樣便不能得到令人滿意的電容特性。
可以從作為反應(yīng)母液的含鉛離子和過(guò)硫酸根離子的水溶液中，通過(guò)化學(xué)沉積得到主要由二氧化鉛和硫酸鉛組成的半導(dǎo)體層。此外也可把不含過(guò)硫酸根離子的氧化劑摻入反應(yīng)母液。
反應(yīng)母液中的鉛離子濃度從0.05摩爾/升至給定的飽和溶解度濃度，較好是從0.1摩爾/升至給定的飽和溶解度濃度，最好是從0.5摩爾/升至給定的飽和溶解度濃度。如果反應(yīng)母液中的鉛離子濃度超過(guò)給定的飽和溶解度濃度，則通過(guò)增加鉛離子含量不會(huì)帶來(lái)任何好處。如果鉛離子濃度低于0.05摩爾/升，由于反應(yīng)母液中的鉛離子含量過(guò)低，則沉積頻率會(huì)提高，這是不利的。
反應(yīng)母液中的過(guò)硫酸根離子的濃度是這樣的即過(guò)硫酸根離子與鉛離子的克分子比為0.05至5。如果該克分子比大于5，則仍殘余未參加反應(yīng)的過(guò)硫酸根離子，因此費(fèi)用就高。如果該克分子比小于0.05，則仍殘存未參加反應(yīng)的鉛離子，因此導(dǎo)電性變差。
這里可以列舉的給出的鉛離子晶種的化合物，有檸檬酸鉛、高氯酸鉛、硝酸鉛、乙酸鉛、堿式乙酸鉛、氯酸鉛、氨基磺酸鉛、六氟硅酸鉛、溴酸鉛、氯化鉛以及溴化鉛。可以采用以上兩種或多種化合物的混合物。
這里可以列舉的給出的過(guò)硫酸根離子晶種化合物，有過(guò)硫酸鉀、過(guò)硫酸鈉以及過(guò)硫酸銨。可以采用以上兩種或多種化合物的混合物。
可以列舉的氧化劑有過(guò)氧化氫、次氯酸鈣、亞氯酸鈣、氯酸鈣以及過(guò)氯酸鈣。
在半導(dǎo)體層上形成導(dǎo)電層之前，最好對(duì)形成的半導(dǎo)體層用超聲波沖洗一下。可把水或酒精之類的有機(jī)溶劑作為超聲波沖洗用的介質(zhì)。超聲波沖洗的輸出、溫度和時(shí)間取決于所采用的正電極基片的種類、形成的半導(dǎo)體層的種類和組成以及其他因素，因此是預(yù)先的實(shí)驗(yàn)結(jié)果決定的。除了超聲波沖洗之外，在制備過(guò)程中，可結(jié)合使用有機(jī)溶劑比如乙醇或甲醇和水的沖洗。通過(guò)這些沖洗步驟的結(jié)合，可以增強(qiáng)超聲波沖洗的效果。半導(dǎo)體層上形成的導(dǎo)電層是一層主要由金屬氧化物粉末和金屬粉末的混合物構(gòu)成的糊狀物層。形成半導(dǎo)體層的金屬氧化物粉末最好用該金屬氧化物粉末。此外，半導(dǎo)體層上形成的導(dǎo)電層可以是主要由形成半導(dǎo)體層的金屬氧化物和金屬鹽粉末及金屬粉末的混合物構(gòu)成的糊狀物層作為該金屬氧化物，可以用例如二氧化錳，二氧化錫，二氧化鎢，二氧化鉛，一氧化銅，一氧化鋅、一氧化鎳，二氧化鈦，一氧化鈷，三氧化二鐵，鈦酸鋇、氧化鉭，三氧化二釩，三氧化鎢等。就導(dǎo)電性來(lái)說(shuō)，最好用二氧化鉛。關(guān)于金屬粉末，可以用例如銀粉，金粉、鈀粉、銅粉、鎳粉、銀銅合金粉，銀鎳合金粉，鍍銀銅粉、鍍銀鎳粉、鍍銀碳粉及其合金粉。
為了改進(jìn)導(dǎo)電糊狀物的導(dǎo)電性，金屬粉末最好是片狀或珊瑚狀，但也可用具有一般球形或類似球形的金屬粉末。
與金屬粉末混合在一起構(gòu)成導(dǎo)電糊狀物的金屬氧化物粉末的一部分最好用金屬鹽粉末代替。關(guān)于金屬鹽，可以用例如硫酸鹽，比如硫酸鎂，硫酸鈷，硫酸鉛，硫酸銅，和硫酸鎳，及碳酸鹽，例如碳酸鎂。這些金屬鹽中，最好用硫酸鉛。
在導(dǎo)電糊狀物層中，金屬氧化物粉末或金屬氧化物和金屬鹽粉末的混合物與金屬粉末的重量比最好是從1/6到6。如果金屬氧化物粉末或金屬氧化物和金屬鹽粉末的混合物少于金屬粉末量的1/6，固態(tài)電解電容器在高溫下的穩(wěn)定性就可能降低。如果金屬氧化物粉末或金屬氧化物和金屬鹽粉末的混合物大于金屬粉末量的6倍，導(dǎo)電性就會(huì)降低。
假定金屬粉末與金屬氧化物粉末的混合物，或金屬粉末與金屬氧化物和金屬鹽粉末的混合物的作用如下即金屬氧化物粉末或金屬氧化物與金屬鹽粉末的混合物的導(dǎo)電性是金屬粉末導(dǎo)電性的約1/100到1/1000，但當(dāng)在糊狀物中金屬氧化物粉末或金屬氧化物與金屬鹽粉末的混合物與金屬粉末一起擴(kuò)散時(shí)，糊狀物的導(dǎo)電性比單獨(dú)擴(kuò)散金屬粉末得到的糊狀物的導(dǎo)電性降低的較少。就高溫下的穩(wěn)定性來(lái)說(shuō)，作為有機(jī)聚合材料的糊狀物的熱膨脹系數(shù)很大，為防止產(chǎn)生熱應(yīng)力，減小這個(gè)系數(shù)是很重要的。金屬氧化物粉末或金屬氧化物和金屬鹽粉末的混合物對(duì)減小熱膨脹系數(shù)有一定的作用。
當(dāng)使用金屬氧化物和金屬鹽粉末的混合物時(shí)，金屬鹽粉的重量比較好為70%，最好是55%。
作為主要成分，糊狀物包括金屬粉末和金屬氧化物粉末，或制備金屬氧化物粉末和金屬鹽粉末的混合物，可列舉的方法是借助于一種溶劑，將二氧化鉛和金屬粉末與一種合適的樹(shù)脂或齊分子量聚合物混合;或?qū)⒍趸U、一種諸如硫酸鉛的絕緣鉛化合物和金屬粉末與一種合適的樹(shù)脂或齊分子量聚合物混合，其中半導(dǎo)體層主要由二氧化鉛構(gòu)成。
任何用于已知導(dǎo)電糊狀物的樹(shù)脂或齊分子量聚合物都可作為上述樹(shù)脂或齊分子量聚合物。例如，可以是聚丙烯樹(shù)脂，醇酸樹(shù)脂，氟樹(shù)脂，乙烯樹(shù)脂，硅樹(shù)脂，環(huán)氧樹(shù)脂，尿烷樹(shù)脂，酚醛清漆樹(shù)脂，甲階酚醛樹(shù)脂。任何能夠溶解所用樹(shù)脂或齊分子量聚合物的溶劑都可以使用。如果樹(shù)脂或聚化物是液體，就不必使用溶劑。此外，當(dāng)使用熱固樹(shù)脂或齊分子量聚化物時(shí)，可以加入一種已知的固化劑，可以采用這樣一種方法，其中，單獨(dú)制備一種包含固化劑的液體，在使用時(shí)，將這種液體加入糊狀物。
在糊狀物中，金屬粉末與金屬氧化物粉末的混合物，或金屬粉末與金屬氧化物和金屬鹽粉末的混合物(以后統(tǒng)稱為“粉末”)的比例占重量的35-95%為好，最好是占55-95%。如果粉末的比例小于重量的35%，糊狀物的導(dǎo)電性就很差。如果粉末的比例超過(guò)重量的95%，糊狀物的粘性就很差。在上述任何一種情況下，固態(tài)電解電容器的性能要下降。
可以把具有上述結(jié)構(gòu)的本發(fā)明的固態(tài)電解電容器制成通用電容器，方法是利用一個(gè)樹(shù)脂模具，一個(gè)樹(shù)脂罩，一個(gè)通過(guò)樹(shù)脂浸泡或樹(shù)脂成膜獲得的外殼或一個(gè)金屬外殼。
下面將參照實(shí)例和比較實(shí)例詳細(xì)描述本發(fā)明。注意，在這些實(shí)例中，所有的“份”都指重量。
實(shí)例1將一長(zhǎng)2cm寬0.5cm的鋁箔表面用交流電進(jìn)行電化學(xué)腐蝕，方法是將鋁箔作為正極，將一正極引線系固并連接到被腐蝕的鋁箔上。然后，在硼酸和硼酸銨水溶液中對(duì)被腐蝕的鋁箔進(jìn)行電化學(xué)處理以形成氧化鋁膜，這樣就獲得了低電壓下具有大約1.0μF/cm2電容量的腐蝕和成形的鋁箔。而后將成形的鋁箔浸入含有1摩爾/升乙酸鉛三水合物的水溶液中，并在該水溶液中加入每摩爾乙酸鉛三水合物中有0.5摩爾過(guò)氧化氫的稀釋的水溶液，允許鋁箔在水溶液中浸泡1小時(shí)。將沉積在形成的鋁箔表面的二氧化鉛層在水中進(jìn)行3分鐘的超聲清洗，清洗后的鋁箔在減壓下在120℃溫度中進(jìn)行烘干。把鋁箔浸入包括32份銀粉末、60份二氧化鉛和8份尿烷樹(shù)脂的以醋酸丁脂為溶劑的糊狀物中，而后將成形鋁箔從糊狀物中取出并在100℃下烘干。將一負(fù)電極與具有上述糊狀物的鋁箔相連，并將開(kāi)口用樹(shù)脂封好，就獲得了一個(gè)固態(tài)電解電容器。
實(shí)例2將實(shí)例1所用的同樣成形鋁箔除正電極浸入包含2.4摩爾/升乙酸鉛三水合物的水溶液和包含4摩爾/升過(guò)硫酸銨水溶液的混合液(反應(yīng)母液)中，在80℃下進(jìn)行30分鐘的反應(yīng)。而后將形成在絕緣氧化膜上的由二氧化鉛和硫酸鉛構(gòu)成的半導(dǎo)體層置于水中進(jìn)行3分鐘的超聲清洗并在減壓下在120℃中烘干。質(zhì)量分析、X射線分析及紅外光譜分析證實(shí)，所形成的半導(dǎo)體層由二氧化鉛和硫酸鉛構(gòu)成，二氧化鉛的含量大約占重量的25%。
而后，在半導(dǎo)體層上涂一層包含有30份銀粉末，60份二氧化鉛和10份丙烯酸樹(shù)脂的糊狀物，以實(shí)例1同樣的方式連接一個(gè)負(fù)電極并用樹(shù)脂將開(kāi)口封住，從而獲得一個(gè)固態(tài)電解電容器。
實(shí)例3按實(shí)例2所述的同樣方式準(zhǔn)備半導(dǎo)體層，只是在反應(yīng)母液中加入含有0.05摩爾/升過(guò)氧化氫的水溶液以形成半導(dǎo)體層。已經(jīng)證實(shí)該半導(dǎo)體層由二氧化鉛和硫酸鉛組成，二氧化鉛的含量約為重量的50%。
在沉積有半導(dǎo)體層的成形鋁箔上涂一層含有25份銀粉末，65份二氧化鉛和10份丙烯酸樹(shù)脂的糊狀物，并烘干，按實(shí)例2的同樣方法進(jìn)行以后的處理就獲得了一個(gè)固態(tài)電解電容器。
實(shí)例4按實(shí)例2所述的同樣的方式，制備由二氧化鉛和硫酸鉛構(gòu)成的半導(dǎo)體層，并將其置于水中進(jìn)行3分鐘超聲波清洗，已證實(shí)二氧化鉛的含量約占重量的25%。
在半導(dǎo)體層上涂一層含有30份銀粉末，50份二氧化鉛，10份硫酸鉛和10份乙烯酸樹(shù)脂的糊狀物并烘干，以實(shí)例1所示的同樣的方式，連接一個(gè)負(fù)電極并將開(kāi)口用樹(shù)脂封住，從而獲得一個(gè)固態(tài)電解電容器。
比較實(shí)例1以實(shí)例1所述的同樣方式制備固態(tài)電解電容器只是不將二氧化鉛加入糊狀物，并且將糊狀物中的銀粉末和尿烷樹(shù)脂的含量分別變?yōu)?2份和8份。
實(shí)例5以實(shí)例1所述的同樣方式制備固態(tài)電解電容器，只是不進(jìn)行超聲波清洗。
實(shí)例6重復(fù)實(shí)例1的過(guò)程，只是改變二氧化鋁膜的厚度以獲得在低電壓下具有0.5μF/cm2電容量的腐蝕和成形鋁箔。而后，在鋁箔上形成一層二氧化鉛層，并且在清洗半導(dǎo)體層時(shí)，不加超聲波。
實(shí)例7將按照實(shí)例6同樣方式制備的成形鋁箔，除正電極端子引線，浸入由包含2.4摩爾/升乙酸鉛三水合物的水溶液和包含4摩爾/升過(guò)硫酸銨水溶液的混合液(反應(yīng)母液)中，在80℃下進(jìn)行30分鐘的反應(yīng)。把在絕緣氧化薄膜層上形成的由二氧化鉛和硫酸鉛構(gòu)成的半導(dǎo)體層，在水中清洗并在減壓下在120℃中烘干。
質(zhì)量分析、X射線分析和紅外光譜分析證實(shí)所形成的半導(dǎo)體層由二氧化鉛和硫酸鉛構(gòu)成，并且二氧化鉛的含量大約占重量的25%。
而后，在半導(dǎo)體層上涂一層含有50份鍍銀銅粉末，40份二氧化鉛和10分丙烯酸樹(shù)脂的糊狀物并烘干，按實(shí)例1所述的同樣方式，連接一負(fù)電極并將開(kāi)口用樹(shù)脂封住，從而獲得一固態(tài)電解電容器。
實(shí)例8按實(shí)例7同樣的方式制備半導(dǎo)體層，只是在半導(dǎo)體層形成這一步中，在反應(yīng)母液中，加入含有0.05摩爾/升過(guò)氧化氫的水溶液。已證實(shí)該半導(dǎo)體層由二氧化鉛和硫酸鉛組成，二氧化鉛的含量大約是重量的50%。
在有半導(dǎo)體層的成形鋁箔上涂一層包括24份銀粉末、66份二氧化鉛和10份丙烯酸樹(shù)脂的糊狀物。以實(shí)例7所述的同樣方式進(jìn)行以后的處理，以獲得一固態(tài)電解電容器。
實(shí)例9按實(shí)例7同樣的方式制備由二氧化鉛和硫酸鉛構(gòu)成的半導(dǎo)體層。已發(fā)現(xiàn)二氧化鉛的含量約占重量的25%。
在半導(dǎo)體層上涂一層包括50份鍍銀銅粉末、20份二氧化鉛、20份硫酸鉛和10份丙烯酸樹(shù)脂的糊狀物。按實(shí)例6同樣的方式，連接一負(fù)電極并將開(kāi)口用樹(shù)脂封住，從而獲得一固態(tài)電解電容器。
比較實(shí)例2按實(shí)例6所述的同樣方式制備一固態(tài)電解電容器，只是不將二氧化鉛加入糊狀物，而使用包括92份銀粉末和8份尿烷樹(shù)脂的糊狀物。
在實(shí)例1-9和比較實(shí)例1和2中制備的固態(tài)電解電容器的特征值集中示于表1中。
表1在10KHz的值 在125℃下持續(xù) 在125℃下持續(xù)1000小時(shí)后 2000小時(shí)后10KHz時(shí)的值 10KHz時(shí)的值電容 tanδ 電容 tanδ 電容 tanδ(μF) (%) (μF) (%) (μF) (%)實(shí)例1 0.9 4.3 0.9 4.6 0.9 4.8實(shí)例2 1.2 4.5 1.2 4.7 1.1 5.0實(shí)例3 1.1 4.3 1.1 4.6 1.0 5.0實(shí)例4 1.1 4.2 1.1 4.5 1.0 4.8
比較實(shí)例1 0.9 4.6 0.9 12.3 0.8 15.8實(shí)例5 0.9 4.8 0.9 5.2 0.8 8.8實(shí)例6 1.1 3.9 1.0 4.3 0.9 8.2實(shí)例7 1.3 4.1 1.1 4.6 1.0 8.5實(shí)例8 1.2 3.8 1.1 4.3 1.0 8.0實(shí)例9 1.4 4.3 1.2 4.8 1.1 8.6比較實(shí)例2 1.1 3.7 0.9 11.3 0.6 25.7從表1中的數(shù)據(jù)可明顯看出，具有半導(dǎo)體層、并具有包含金屬粉末和金屬氧化物粉末或金屬氧化物和金屬鹽粉末混合物的糊狀物層的固態(tài)電解電容器，在高溫下的穩(wěn)定性得到改進(jìn)，并且性能良好。
權(quán)利要求
1.一種固態(tài)電解電容器包括一個(gè)由具有閥門(mén)作用的金屬構(gòu)成的正電極基片；一層絕緣氧化膜；一個(gè)半導(dǎo)體層和一個(gè)導(dǎo)電層，把它們按順序形成在正電極基片上，其特征在于導(dǎo)電層是主要由金屬氧化物粉末和金屬粉末構(gòu)成的糊狀物層。
2.根據(jù)權(quán)利要求
1的固態(tài)電解電容器，其中金屬氧化物粉末對(duì)金屬粉末的重量比是從1/6到6。
3.根據(jù)權(quán)利要求
1或2的固態(tài)電解電容器，其中的半導(dǎo)體層主要由二氧化鉛構(gòu)成。
4.根據(jù)權(quán)利要求
1或2的固態(tài)電解電容器，其中半導(dǎo)體層主要由二氧化鉛和硫酸鉛構(gòu)成。
5.根據(jù)權(quán)利要求
1到4中任何一個(gè)的固態(tài)電解電容器，其中金屬氧化物粉末是二氧化鉛粉末。
6.根據(jù)權(quán)利要求
1的固態(tài)電解電容器，其中導(dǎo)電層是主要由金屬氧化物粉末、金屬鹽粉末和金屬粉末構(gòu)成的糊狀物層。
7.根據(jù)權(quán)利要求
6的固態(tài)電解電容器，其中金屬氧化物粉末和金屬鹽粉末的總量對(duì)金屬粉末的重量比是1/6到6，在金屬氧化物和金屬鹽粉末總量中，金屬鹽粉末可達(dá)重量的70%。
8.根據(jù)權(quán)利要求
6或7的固態(tài)電解電容器，其中半導(dǎo)體層主要由二氧化鉛構(gòu)成，導(dǎo)電層至少包含作為金屬氧化物的二氧化鉛和作為金屬鹽的硫酸鉛。
9.根據(jù)權(quán)利要求
6或7的固態(tài)電解電容器，其中半導(dǎo)體層主要由二氧化鉛和硫酸鉛構(gòu)成，導(dǎo)電層至少包含作為金屬氧化物的二氧化鉛和作為金屬鹽的硫酸鉛。
10.一種制備固態(tài)電解電容器的方法包括，在由具有閥門(mén)作用的金屬構(gòu)成的正電極基片上按順序形成一層絕緣氧化膜，一層半導(dǎo)體層和一層導(dǎo)電層，其特征在于對(duì)形成的絕緣氧化膜上的半導(dǎo)體層的表面進(jìn)行超聲波清洗，在清洗過(guò)的半導(dǎo)體層的表面上形成主要由金屬氧化物粉末和金屬粉末構(gòu)成的糊狀物層作為導(dǎo)電層。
11.根據(jù)權(quán)利要求
10的制備固態(tài)電解電容器的方法，其中半導(dǎo)體層主要由二氧化鉛構(gòu)成。
12.根據(jù)權(quán)利要求
10的制備固態(tài)電解電容器的方法，其中半導(dǎo)體層主要由二氧化鉛和硫酸鉛構(gòu)成。
13.根據(jù)權(quán)利要求
10到12的制備固態(tài)電解電容器的方法，其中金屬氧化物粉末是二氧化鉛粉末。
14.根據(jù)權(quán)利要求
10的制備固態(tài)電解電容器的方法，其中導(dǎo)電層是由金屬氧化物粉末、金屬鹽和金屬粉末構(gòu)成的糊狀物層。
15.根據(jù)權(quán)利要求
14的制備固態(tài)電解電容器的方法，其中金屬氧化物和金屬鹽粉末的總量對(duì)金屬粉末的量的重量比是1/6到6，在金屬氧化物和金屬鹽粉末總量中金屬鹽粉末可達(dá)重量的70%。
16.根據(jù)權(quán)利要求
14或15的制備固態(tài)電解電容器的方法，其中半導(dǎo)體層主要由二氧化鉛構(gòu)成，導(dǎo)電層至少包括作為金屬氧化物的二氧化鉛和作為金屬鹽的硫酸鉛。
17.根據(jù)權(quán)利要求
14或15的制備固態(tài)電解電容器的方法，其中半導(dǎo)體層主要由二氧化鉛和硫酸鉛構(gòu)成，導(dǎo)電層至少包括作為金屬氧化物的二氧化鉛和作為金屬鹽的硫酸鉛。
專利摘要
一種固態(tài)電解電容器包括由具有閥門(mén)作用的金屬構(gòu)成的正電極基片，一層絕緣氧化膜，一層半導(dǎo)體和一層導(dǎo)電層，把它們按順序形成在正電極基片上，其中導(dǎo)電層主要由金屬氧化物粉末、金屬粉末，也可有金屬鹽構(gòu)成。這種電容在高溫下具有良好的和持久的穩(wěn)定性。在制備這種電容的過(guò)程中，對(duì)形成在絕緣氧化膜上的半導(dǎo)體層最好進(jìn)行超聲波清洗。
文檔編號(hào)H01G9/02GK87107675SQ87107675
公開(kāi)日1988年5月18日 申請(qǐng)日期1987年11月7日
發(fā)明者內(nèi)藤一美, 荒川美明, 渡部晴義 申請(qǐng)人:昭和電工株式會(huì)社導(dǎo)出引文BiBTeX, EndNote, RefMan