專利名稱：低溫液相沉積法以及液相沉積設(shè)備的清理方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明有關(guān)一種液相沉積方法，特別是低溫液相沉積方法以及所用液相沉積設(shè)備的清理方法。
背景技術(shù)：
為了避免薄膜應(yīng)力而造成半導(dǎo)體組件的特性劣化，低溫生長(zhǎng)晶膜已成為近年來(lái)半導(dǎo)體制造業(yè)的一項(xiàng)關(guān)鍵性技術(shù)。
對(duì)于半導(dǎo)體工業(yè)界最常用的絕緣層，諸如氧化硅，不同生長(zhǎng)方式所獲得的薄膜均有其不同特性與用途。在早期，氧化硅系生長(zhǎng)于700~1000℃氧化爐(furnace)中。然而，對(duì)于部分已經(jīng)在表面上形成有完整電路功能的半導(dǎo)體組件的基板來(lái)說(shuō)，這樣的高溫很可能因?yàn)榻饘?半導(dǎo)體合金的燒結(jié)而造成歐姆接觸(ohmic contact)的破壞。另一方面，對(duì)于以III-V族半導(dǎo)體材料作為作用層的半導(dǎo)體組件來(lái)說(shuō)，高溫工藝往往會(huì)造成V族元素，例如砷化鎵材料中的砷因此而散逸，導(dǎo)致材料特性的變化與組件功能的失效。
等離子體輔助化學(xué)汽相沉積法(plasma-enhanced chemicalvapor-phase deposition，PECVD)為一種較新型的晶膜生長(zhǎng)方法。然而，其工藝溫度依然高達(dá)300~400℃，而且其等離子體環(huán)境亦容易對(duì)于基板表面造成物理性破壞，尤其對(duì)于亞微米尺寸的集成電路而言。
因此，近年來(lái)，各種低溫生長(zhǎng)薄膜工藝陸續(xù)被提出，尤其低溫液相沉積法更以其低成本、高產(chǎn)能的優(yōu)勢(shì)獲得廣泛的注意。在現(xiàn)有技術(shù)中，一般低溫液相浸置濕槽(wet bench)的缺點(diǎn)在于其中的微粒子會(huì)互相污染，使得溫度、在線監(jiān)測(cè)系統(tǒng)、鍍液補(bǔ)充及清洗等不易控制得宜，而造成線上產(chǎn)能無(wú)法有效提升。此外，現(xiàn)有技術(shù)中，管線阻塞的問(wèn)題常常會(huì)造成液相沉積設(shè)備穩(wěn)定性不佳的缺憾。
因此，本發(fā)明提出一種用以形成低溫生長(zhǎng)薄膜與極好逐步覆蓋性(step-coverage)薄膜的低溫液相沉積方法，可用于半導(dǎo)體組件的保護(hù)層以及集成電路金屬互聯(lián)層之間的絕緣層等。此外，本發(fā)明還提出一種避免液相沉積設(shè)備管線阻塞以及設(shè)備的清理方法。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明主要目的在于提供一種低溫液相沉積方法，該方法可以在具有完整電路功能的半導(dǎo)體組件基板上形成一層低溫生長(zhǎng)薄膜，以作為保護(hù)層。
本發(fā)明又一目的在于提供一種低溫液相沉積方法，可以在具有完整電路功能之半導(dǎo)體組件的基板上形成一層具有極好逐步覆蓋性(step-coverage)的薄膜，以作為集成電路中金屬互連層之間的絕緣層。
本發(fā)明再一目的在于提供一種液相沉積設(shè)備的清理方法，其利用實(shí)時(shí)監(jiān)控pH值變化的方式配合自動(dòng)滴定技術(shù)，使得反應(yīng)速率穩(wěn)定地被控制在表面反應(yīng)區(qū)域而非質(zhì)量傳遞過(guò)程中，可有效解決溶液自我污染的問(wèn)題。
為了達(dá)到上述目的，本發(fā)明提供一種低溫液相沉積方法，包括以下步驟a.添加選自氫氧化硅、二氧化硅、或硅酸鹽之一種溶質(zhì)于氫氟硅酸溶液中，使該溶液成為飽和氫氟硅酸溶液；b.準(zhǔn)備欲沉積薄膜的樣本，該樣本表面上具有至少一個(gè)預(yù)先制造完成、并具有獨(dú)立電路功能的半導(dǎo)體組件；以及c.添加水、硼酸、或氫氧化銨等反應(yīng)劑至該飽和氫氟硅酸溶液中，使該飽和氫氟硅酸溶液成為過(guò)飽和氫氟硅酸溶液，進(jìn)而在該樣本表面形成液相沉積保護(hù)薄膜。
此外，還包括下述步驟d.根據(jù)pH值測(cè)量計(jì)所探測(cè)的離子濃度，調(diào)整該氫氟硅酸溶液的濃度。
其中該步驟a.包括a1.攪拌添加有溶質(zhì)的該氫氟硅酸溶液；以及a2.將攪拌的該飽和氫氟硅酸溶液以過(guò)濾器加以過(guò)濾。
其中該步驟b.包括b1.以氧化劑進(jìn)行該樣本表面預(yù)處理，使該樣本表面上形成OH基；以及b2.依次以丙酮、甲醇與去離子水進(jìn)行樣本清洗。
其中該步驟d.包括
d1.以過(guò)濾方式除去該氫氟硅酸溶液中的固態(tài)微粒；d2.以升溫與減壓兩種方式之一，除去該氫氟硅酸溶液中的SiF4成分，以降低該氫氟硅酸溶液中可反應(yīng)的離子濃度；以及d3.根據(jù)該pH值測(cè)量計(jì)所探測(cè)的離子濃度，加入反應(yīng)劑至該飽和氫氟硅酸溶液中。
所述溶質(zhì)選自氫氧化硅、二氧化硅或硅酸鹽之一種。
所述氧化劑為硝酸-氨水、雙氧水與臭氧水之一。
所述反應(yīng)劑為水、硼酸以及添加有二氧化硅的氫氟酸溶液之一。
所述液相沉積方法所形成的低溫生長(zhǎng)薄膜，以其作為半導(dǎo)體組件的第一保護(hù)層。
所述低溫生長(zhǎng)薄膜，其上還形成有該半導(dǎo)體組件的第二保護(hù)層。
所述液相沉積方法所形成的極好逐步覆蓋性薄膜，以其作為半導(dǎo)體組件的第一保護(hù)層。
所述極好逐步覆蓋性薄膜，其上還形成有該半導(dǎo)體組件的第二保護(hù)層。
本發(fā)明還提供一種液相沉積設(shè)備的清理方法，用以清理該設(shè)備以避免管線阻塞，該方法包括以下步驟a.定時(shí)清洗該設(shè)備以及該管線；b.反復(fù)進(jìn)行溶劑靜置與雙向循環(huán)操作；以及c.排放該溶液至回收廢液儲(chǔ)存槽，以進(jìn)行回收處理。
其中該步驟a.包括a1.將穩(wěn)流過(guò)飽和反應(yīng)系統(tǒng)內(nèi)的溶液排放至該回收廢液儲(chǔ)存槽，并且取下過(guò)濾器濾芯，進(jìn)行清理或更新；a2.將定量二氧化硅經(jīng)由原料槽加入到該飽和反應(yīng)系統(tǒng)；a3.攪拌該溶液一段時(shí)間，使得殘留于該飽和反應(yīng)系統(tǒng)中的二氧化硅充分溶解；以及a4.開(kāi)啟循環(huán)泵，并且將該溶液輸送至該穩(wěn)流過(guò)飽和反應(yīng)系統(tǒng)。
其中該步驟b.包括b1.于該穩(wěn)流過(guò)飽和反應(yīng)系統(tǒng)中靜置該溶劑一段時(shí)間；b2.開(kāi)啟循環(huán)泵，以沖洗該管線及該設(shè)備內(nèi)部，并且加裝一套反向管線，使循環(huán)反向，以加速附著于過(guò)濾器上的沉積物溶解；b3.重復(fù)步驟b1與驟b2數(shù)次，即可清除大部份沉積物；b4 使用具有冷卻至室溫下功能的溫度調(diào)節(jié)器，以降低溫度并且使得SiO2沉積物溶解；以及b5 將該過(guò)濾器底部朝上，以便在步驟b.操作中沉積物因重力落于管線出口附近，迅速被清洗液沖走。


為進(jìn)一步對(duì)本發(fā)明有更深入的說(shuō)明，結(jié)合以下附圖加以說(shuō)明，其中圖1為本發(fā)明液相沉積設(shè)備示意圖；圖2為本發(fā)明低溫液相沉積法的實(shí)施步驟；圖3a、3b為使用本發(fā)明方法所形成的薄膜應(yīng)用于砷化鎵場(chǎng)效晶體管的示意圖；圖4為本發(fā)明避免液相沉積設(shè)備管線阻塞以及設(shè)備清理步驟的管路連接圖。
圖中代號(hào)說(shuō)明300反應(yīng)槽；305進(jìn)液孔；315過(guò)飽和反應(yīng)槽；320液位控制槽；21基板；22緩沖層；23通道層；24阻障層；25歐姆接觸層；26保護(hù)層；26’第二保護(hù)膜27源極/漏極；28控制極；2、4、8、10原料/反應(yīng)藥劑供給泵；6循環(huán)泵；50反應(yīng)藥劑區(qū)；55廢液回收處理系統(tǒng)；60原料供給裝置；70混合槽；75攪拌器；80a過(guò)飽和反應(yīng)槽；80b液位控制槽；90過(guò)濾器；102回收廢液液位傳感器；104回收廢液槽傳感器；106過(guò)濾器；108濾芯阻塞傳感器；109溶液化學(xué)濃度自動(dòng)監(jiān)控系統(tǒng)；110加溫調(diào)節(jié)器；118過(guò)熱傳感器；120泵保護(hù)傳感器。
具體實(shí)施例方式
以下將配合附圖詳細(xì)說(shuō)明本發(fā)明具體實(shí)施例，以利審查員更加清楚本發(fā)明之目的、精神與范圍。
圖1為本發(fā)明液相沉積法設(shè)備示意圖。在發(fā)明實(shí)施例穩(wěn)流過(guò)飽和循環(huán)反應(yīng)系統(tǒng)中，反應(yīng)槽300的過(guò)飽和反應(yīng)槽315及液位控制槽320采用“兩側(cè)溢流”設(shè)計(jì)。反應(yīng)槽300包含過(guò)飽和反應(yīng)槽315及其兩側(cè)的液位控制槽320。而在過(guò)飽和反應(yīng)槽315底部設(shè)有兩處可供反應(yīng)劑進(jìn)入的進(jìn)液孔305；在液位控制槽320底部設(shè)有兩處可供反應(yīng)劑流出的出液孔310。其中需注意的是兩液位控制槽320底部系“ㄇ”型的通道設(shè)計(jì)，亦可使用連通管使兩液位控制槽320連通，以維持兩液位控制槽320液面高度一致。同樣地，反應(yīng)劑由進(jìn)液孔305進(jìn)入過(guò)飽和反應(yīng)槽315，而當(dāng)過(guò)飽和反應(yīng)槽315內(nèi)液面過(guò)高時(shí)，反應(yīng)劑即溢出至兩側(cè)的液位控制槽320，再由出液孔310流出。如此設(shè)計(jì)成兩側(cè)溢流形式。
由以上所述設(shè)備，本發(fā)明提出一種低溫液相沉積方法，其示意圖如圖2所示，包括以下步驟步驟1.添加選自氫氧化硅、二氧化硅、或硅酸鹽之一種溶質(zhì)于氫氟硅酸溶液中，使該溶液成為飽和氫氟硅酸溶液?？梢詳嚢杼砑佑性撊苜|(zhì)的氫氟硅酸溶液；并且將攪拌的飽和氫氟硅酸溶液以過(guò)濾器加以過(guò)濾。在本具體實(shí)施例中，該溶劑系為氫氧化硅、二氧化硅與硅酸鹽之一。該飽和溶液中的反應(yīng)物變化如下
由反應(yīng)機(jī)制中發(fā)現(xiàn)真正參與反應(yīng)產(chǎn)生SiO2的是Si(OH)4，所以本案工藝改良方面以增加Si(OH)4的濃度作為主要方向，由上面反應(yīng)機(jī)制中可以知道Si(OH)4的濃度主要來(lái)自SiF4與H2O產(chǎn)生反應(yīng)，所以為了增加SiF4的濃度，我們可采用將SiO2先溶解在HF溶液中，由于SiO2與HF的反應(yīng)性高、且生成物為SiF4，此反應(yīng)可自發(fā)進(jìn)行，在室溫即可發(fā)生。
步驟2.準(zhǔn)備一件欲沉積薄膜的樣本，該樣本表面上具有至少一個(gè)預(yù)先制造完成、并具有獨(dú)立電路功能的半導(dǎo)體組件。該欲沉積薄膜的樣本準(zhǔn)備步驟包括以氧化劑進(jìn)行該樣本表面預(yù)處理，使該樣本表面上形成OH基；并依次以丙酮、甲醇與去離子水進(jìn)行樣本清洗。在本具體實(shí)施例中，該氧化劑為硝酸(再用氨水處理)、雙氧水與臭氧水之一種。
由于GaAs與SiO2結(jié)構(gòu)性質(zhì)的關(guān)系，所以并不具有相當(dāng)好的附著力，我們希望能夠增加兩者間的附著效果，所以前處理的步驟就扮演著相當(dāng)重要的角色，如何在兩者間賦予較佳的吸附能力，是我們主要的目標(biāo)。
當(dāng)生長(zhǎng)SiO2時(shí)表面必須要有OH基，才能幫助Si(OH)4脫氫形成SiO2結(jié)構(gòu)，由于GaAs表面吸附OH基的能力較差，且形成鍵的活化能較高，所以希望在GaAs與SiO2之間加入一層氧化物，最好是GaOx氧化物成分，因?yàn)镚aOx具有較好的OH基吸附能力且與SiO2并沒(méi)有結(jié)構(gòu)性排斥的問(wèn)題，相當(dāng)適合作為GaAs與SiO2之間的氧化物，從而采用氧化GaAs表面的方式來(lái)形成GaOx薄層，作為沉積SiO2的活性位點(diǎn)。本發(fā)明人主要以HNO3或是H2O2將GaAs的表面氧化，形成GaOx的結(jié)構(gòu)，再以NH4OH處理使GaOx能夠吸附大量的OH基，以有助于生長(zhǎng)SiO2時(shí)產(chǎn)生鍵連，增加附著力。
步驟3.添加反應(yīng)劑水或硼酸等到氫氟硅酸溶液中，使該飽和氫氟硅酸溶液成為過(guò)飽和氫氟硅酸溶液，進(jìn)而在該樣本表面形成液相沉積保護(hù)薄膜。
形成液相沉積保護(hù)薄膜的反應(yīng)式可以表示成H2SiF6(液)+2H2O(液)+ΔH(加熱)□6HF+SiO2(溶液)其中，以添加硼酸或水的方式讓溶液到達(dá)過(guò)飽和狀態(tài)，再置于室溫或40~50℃的環(huán)境下進(jìn)行沉積反應(yīng)?；蛘呖蓪iO2先溶解在HF溶液中，由于SiO2與HF的反應(yīng)性高且生成物為SiF4，再加入到飽和H2SiF6溶液中更有利。此方法主要是增加SiF4濃度有助于表面反應(yīng)順利發(fā)生，且適合作為改善工藝品質(zhì)的方法。
為了更進(jìn)一步控制沉積反應(yīng)速率，本發(fā)明還包括以下步驟步驟4.根據(jù)pH值測(cè)量計(jì)所探測(cè)的離子濃度，調(diào)整氫氟硅酸溶液的濃度。在本步驟中，以過(guò)濾方式除去該氫氟硅酸溶液中的固態(tài)微粒；接著，以升溫與減壓兩種方式之一，除去該氫氟硅酸溶液中的SiF4成分，以降低該氫氟硅酸溶液中可反應(yīng)的離子濃度；最后再根據(jù)該pH值測(cè)量計(jì)所探測(cè)的離子濃度，加入一定反應(yīng)劑至該飽和氫氟硅酸溶液中，這樣可將該沉積反應(yīng)控制于所需速度。在本具體實(shí)施例中，所述反應(yīng)劑為水、硼酸以及添加有二氧化硅的氫氟酸溶液之一。
由上述方法所形成的低溫液相沉積薄膜，可用來(lái)作為光電組件的第一保護(hù)層或集成電路內(nèi)金屬聯(lián)層之間的絕緣層。圖3a、3b為使用本發(fā)明方法所形成的膜應(yīng)用于砷化鎵場(chǎng)效晶體管的示意圖。如圖所示，該晶體管有取向生長(zhǎng)結(jié)構(gòu)，包括基板21、緩沖層22、信道層23、阻障層24、歐姆接觸層25。在以常規(guī)光學(xué)成影、蝕刻與蒸鍍金屬等步驟，形成具有源極/漏極27和控制極28等電極，并且能夠正常工作的場(chǎng)效晶體管之后，為了保持砷化鎵化合物半導(dǎo)體組件不受外界環(huán)境因素的影響，例如濕氣、氧氣、氫氣、水或是微粒子污染等，因此必須在砷化鎵半導(dǎo)體的活性區(qū)域表面形成一層保護(hù)層，以阻絕上述各種不良因素的影響，并增加電路的穩(wěn)定性與使用壽命。于是，便以上述低溫液相沉積法形成保護(hù)膜。其中圖3a的保護(hù)層26為單層形式，其保護(hù)層材料可為二氧化硅或氮氧化硅。圖3b為雙層形式。利用上述低溫液相沉積方法形成保護(hù)層26，該保護(hù)層26為二氧化硅薄膜，由于氮化硅較二氧化硅具有較佳防水氣的效果，因此可以在該保護(hù)層26上再形成第二保護(hù)膜26’。該第二保護(hù)層26’可以是使用本發(fā)明低溫液相沉積法，或現(xiàn)有技術(shù)PECVD法形成的氮化硅薄膜。
接下所述圖4為避免液相沉積設(shè)備管線阻塞以及設(shè)備清理步驟的設(shè)備示意圖。該液相沉積生產(chǎn)裝置主要包含一組飽和反應(yīng)系統(tǒng)、一組穩(wěn)流過(guò)飽和循環(huán)反應(yīng)系統(tǒng)、一組溶液化學(xué)濃度自動(dòng)監(jiān)控系統(tǒng)及一組廢液回收處理系統(tǒng)四部分。其中該飽和反應(yīng)系統(tǒng)包含一只混合槽70、兩只以上原料供給裝置60、過(guò)濾器90及原料供給泵2、4等相關(guān)管路閥體控制組件；穩(wěn)流過(guò)飽和循環(huán)反應(yīng)系統(tǒng)包含一只過(guò)飽和反應(yīng)槽80a、至少一只液位控制槽80b、兩只以上反應(yīng)劑供給裝置的反應(yīng)藥劑區(qū)50、過(guò)濾循環(huán)裝置及相關(guān)管路閥體控制組件；該過(guò)濾循環(huán)裝置包含循環(huán)泵6、過(guò)濾器106、濾芯阻塞傳感器108、加溫調(diào)節(jié)器110、過(guò)熱傳感器118以及泵保護(hù)傳感器120等；一組溶液化學(xué)濃度自動(dòng)監(jiān)控系統(tǒng)109，可探測(cè)反應(yīng)濃度；一組廢液回收處理系統(tǒng)包含兩只以上回收廢液的儲(chǔ)存槽55、一個(gè)回收廢液液位傳感器102、回收廢液槽傳感器104及相關(guān)管路閥體控制組件。
為了避免液相沉積設(shè)備管線阻塞，本發(fā)明還提出一種設(shè)備清理步驟。請(qǐng)參考圖4，本方法包括以下步驟步驟1.定時(shí)進(jìn)行管線及設(shè)備清洗。將穩(wěn)流過(guò)飽和循環(huán)反應(yīng)系統(tǒng)內(nèi)溶液排放至回收廢液儲(chǔ)存槽55，并且取下過(guò)濾器90的濾芯進(jìn)行清理或更新；再將定量二氧化硅經(jīng)由原料槽60加入到飽和反應(yīng)系統(tǒng)中；攪拌該溶液一段時(shí)間，使得殘留于飽和反應(yīng)系統(tǒng)的二氧化硅充分溶解；然后開(kāi)啟循環(huán)泵6，將溶液輸送至穩(wěn)流過(guò)飽和循環(huán)反應(yīng)系統(tǒng)。
步驟2.反復(fù)進(jìn)行溶液靜置與雙向循環(huán)操作。將溶液于穩(wěn)流過(guò)飽和循環(huán)反應(yīng)系統(tǒng)中靜置一段時(shí)間；開(kāi)啟循環(huán)泵6，沖洗管線及設(shè)備內(nèi)部，并且加裝反向管線使循環(huán)反向，加速附著于過(guò)濾器106上沉積物的溶解；然后重復(fù)靜置/雙向循環(huán)操作數(shù)次即可清除大部份沉積物；使用具有冷卻至室溫下功能的溫度調(diào)節(jié)器110，以降低溫度并且使得SiO2沉積物溶解；并將過(guò)濾器106底部朝上放置，以便在步驟b.操作中沉積物因重力落于管線出口附近，迅速被清洗液沖走。
步驟3.溶液排放至回收廢液儲(chǔ)存槽55進(jìn)行回收處理。
上述操作可重復(fù)進(jìn)行數(shù)次以提高清洗效果。
因此，本發(fā)明在目的及功效上均深具進(jìn)步性，極具產(chǎn)業(yè)利用價(jià)值，且目前市面上未見(jiàn)運(yùn)用，依專利法之精神所述，本發(fā)明完全符合發(fā)明專利要素。
以上所述，僅為本發(fā)明較佳實(shí)施例而已，不能以其限定本發(fā)明所實(shí)施范圍，即凡依本發(fā)明權(quán)利要求所作均等變化與修飾，皆應(yīng)屬于本發(fā)明專利涵蓋之范圍。
權(quán)利要求
1.一種液相沉積方法，其特征在于該方法包括以下步驟a.添加溶質(zhì)于氫氟硅酸溶液中，使該溶液成為飽和氫氟硅酸溶液；b.準(zhǔn)備一件欲沉積薄膜的樣本，該樣本表面上具有至少一個(gè)預(yù)先制造完成、并具有獨(dú)立電路功能的半導(dǎo)體組件；以及c.添加反應(yīng)劑至該飽和氫氟硅酸溶液中，使該飽和氫氟硅酸溶液成為過(guò)飽和氫氟硅酸溶液，進(jìn)而在該樣本表面形成液相沉積保護(hù)薄膜。
2.如權(quán)利要求1所述液相沉積方法，其特征在于它還包括下述步驟d.根據(jù)pH值測(cè)量計(jì)所探測(cè)的離子濃度，調(diào)整該氫氟硅酸溶液的濃度。
3.如權(quán)利要求1所述液相沉積方法，其特征在于其中該步驟a.包括a1.攪拌添加有溶質(zhì)的該氫氟硅酸溶液；以及a2.將攪拌的該飽和氫氟硅酸溶液以過(guò)濾器加以過(guò)濾。
4.如權(quán)利要求1所述液相沉積方法，其特征在于其中該步驟b.包括b1.以氧化劑進(jìn)行該樣本表面預(yù)處理，使該樣本表面上形成OH基；以及b2.依次以丙酮、甲醇與去離子水進(jìn)行樣本清洗。
5.如權(quán)利要求2所述液相沉積方法，其特征在于其中該步驟d.包括d1.以過(guò)濾方式除去該氫氟硅酸溶液中的固態(tài)微粒；d2.以升溫與減壓兩種方式之一，除去該氫氟硅酸溶液中的SiF4成分，以降低該氫氟硅酸溶液中可反應(yīng)的離子濃度；以及d3.根據(jù)該pH值測(cè)量計(jì)所探測(cè)的離子濃度，加入反應(yīng)劑至該飽和氫氟硅酸溶液中。
6.如權(quán)利要求1-5所述液相沉積方法，其特征在于其中所述溶質(zhì)選自氫氧化硅、二氧化硅或硅酸鹽之一種。
7.如權(quán)利要求1-5所述液相沉積方法，其特征在于其中所述氧化劑為硝酸-氨水、雙氧水與臭氧水之一。
8.如權(quán)利要求1-5所述液相沉積方法，其特征在于其中所述反應(yīng)劑為水、硼酸以及添加有二氧化硅的氫氟酸溶液之一。
9.一種使用如權(quán)利要求1所述液相沉積方法所形成的低溫生長(zhǎng)薄膜，以其作為半導(dǎo)體組件的第一保護(hù)層。
10.如權(quán)利要求9所述低溫生長(zhǎng)薄膜，其上還形成有該半導(dǎo)體組件的第二保護(hù)層。
11.一種使用如權(quán)利要求1所述液相沉積方法所形成的極好逐步覆蓋性薄膜，以其作為半導(dǎo)體組件的第一保護(hù)層。
12.如權(quán)利要求11所述極好逐步覆蓋性薄膜，其特征在于其上還形成有該半導(dǎo)體組件的第二保護(hù)層。
13.一種液相沉積設(shè)備的清理方法，用以清理該設(shè)備以避免管線阻塞，其特征在于該方法包括以下步驟a.定時(shí)清洗該設(shè)備以及該管線；d.重復(fù)進(jìn)行溶劑靜置與雙向循環(huán)操作；以及e.排放該溶液至回收廢液儲(chǔ)存槽，以進(jìn)行回收處理。
14.如權(quán)利要求13所述方法，其特征在于其中該步驟a.包括a1.將穩(wěn)流過(guò)飽和反應(yīng)系統(tǒng)內(nèi)的溶液排放至該回收廢液儲(chǔ)存槽，并且取下過(guò)濾器濾芯，進(jìn)行清理或更新；a2.將定量二氧化硅經(jīng)由原料槽加入到該飽和反應(yīng)系統(tǒng)；a3.攪拌該溶液一段時(shí)間，使得殘留于該飽和反應(yīng)系統(tǒng)中的二氧化硅充分溶解；以及a4.開(kāi)啟循環(huán)泵，并且將該溶液輸送至該穩(wěn)流過(guò)飽和反應(yīng)系統(tǒng)。
15.如權(quán)利要求13所述方法，其特征在于其中該步驟b.包括b1.于該穩(wěn)流過(guò)飽和反應(yīng)系統(tǒng)中靜置該溶劑一段時(shí)間；b2.開(kāi)啟循環(huán)泵，以沖洗該管線及該設(shè)備內(nèi)部，并且加裝一套反向管線，使循環(huán)反向，以加速附著于過(guò)濾器上的沉積物溶解；b3.重復(fù)步驟b1與驟b2數(shù)次，即可清除大部份沉積物；b4 使用具有冷卻至室溫下功能的溫度調(diào)節(jié)器，以降低溫度并且使得SiO2沉積物溶解；以及b5 將該過(guò)濾器底部朝上，以便在步驟b.操作中沉積物因重力落于管線出口附近，迅速被清洗液沖走。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種液相沉積方法，用以在具有至少一個(gè)預(yù)先制造完成、有獨(dú)立電路功能的半導(dǎo)體組件樣本表面上，形成一層低溫生長(zhǎng)薄膜或極好逐步覆蓋性薄膜。本發(fā)明還揭露一種液相沉積設(shè)備的清理方法，其特征在于使用一循環(huán)系統(tǒng)供該設(shè)備清洗用，以避免二氧化硅粉末在該設(shè)備管路中殘留而造成堵塞。
文檔編號(hào)H01L21/469GK1518074SQ0310047
公開(kāi)日2004年8月4日 申請(qǐng)日期2003年1月15日 優(yōu)先權(quán)日2003年1月15日
發(fā)明者張翼, 梁沐旺, 江世明, 曾志遠(yuǎn), 蔣邦民, 張 翼 申請(qǐng)人:財(cái)團(tuán)法人工業(yè)技術(shù)研究院