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電子電路單元的制作方法

文檔序號(hào):6914982閱讀:388來源:國(guó)知局
專利名稱:電子電路單元的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及作為高頻器件使用的電子電路單元,特別是涉及具有使所輸入的不平衡信號(hào)以平衡信號(hào)輸出的電路結(jié)構(gòu)的電子電路單元。
背景技術(shù)
近年來,在移動(dòng)電話等無線通信機(jī)器領(lǐng)域,具有隨著小型輕量化,使高頻電路部集成電路化的傾向,但是一般來說由于集成電路的內(nèi)部電路由平衡電路構(gòu)成,所以在集成電路化的電路中必須輸入平衡信號(hào)。例如,將接收發(fā)送中使用的電壓控制振蕩器的電路器件安裝在基板上的電子電路單元中,電壓控制振蕩器的主流是使從內(nèi)部振蕩部輸出的振蕩信號(hào)以不平衡輸出,當(dāng)連接在該電壓控制振蕩器上的后級(jí)混合器等是集成電路化的平衡電路時(shí),用不平衡—平衡變換器將從振蕩部輸出的不平衡振蕩信號(hào)變換成平衡的振蕩信號(hào),并將該平衡信號(hào)輸入到后級(jí)的電路。
圖5是表示有關(guān)電壓控制振蕩器現(xiàn)有例的電路圖。在該圖中,標(biāo)號(hào)20為放大晶體管,該放大晶體管20的基極經(jīng)過隔直流電容器21連接在圖中未畫出的振蕩部。振蕩部不平衡地輸出振蕩信號(hào),該振蕩信號(hào)經(jīng)過隔直流電容器21,輸入到放大晶體管20的基極。放大晶體管20的發(fā)射級(jí)經(jīng)旁路電容22接地,放大晶體管20的集電極經(jīng)旁路電容23接地。另外,在放大晶體管20的集電極上,經(jīng)構(gòu)成調(diào)諧電路的電感元件24和電容25,從集電極電壓端子26供給電壓,還通過隔直流電容器27連接不平衡—平衡變換電路。該不平衡—平衡變換電路包括為使振蕩信號(hào)的相位滯后900的構(gòu)成低通型移相電路的電感元件28及電容29;以及為使振蕩信號(hào)的相位超前900的構(gòu)成高通型移相電路的電容30及電感元件31。
在以上的電路構(gòu)成中,在放大晶體管29的基極上所輸入的不平衡振蕩信號(hào),通過放大晶體管29放大,輸出到放大晶體管29的集電極。接著輸出到放大晶體管29集電極的振蕩信號(hào)經(jīng)過由電感元件24和電容25構(gòu)成的調(diào)諧電路,輸入到不平衡—平衡變換電路。而且,由電感元件28和電容29構(gòu)成的移相電路,從輸出端子32輸出相位滯后900的振蕩信號(hào),并通過由電容30和電感元件31構(gòu)成的移相電路,從輸出端子33輸出相位超前900的振蕩信號(hào)。從而,將輸出端子32和輸出端子33作為輸出端的上述電壓控制振蕩器構(gòu)成將振蕩信號(hào)平衡輸給其后級(jí)連接的電路的平衡型電路。
但是,在上述的現(xiàn)有電子電路單元中,需要構(gòu)成調(diào)諧電路的電感元件33和電容25、構(gòu)成不平衡—平衡變換電路的電感元件28、31,及電容29、30等很多電路器件,由于將這些電路器件安裝在基板上構(gòu)成電子電路單元,所以存在妨礙電子電路單元小型輕量化的問題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明鑒于這樣的現(xiàn)有技術(shù)的情況,其目的在于提供一種使所需要的電路構(gòu)成簡(jiǎn)化,適合于小型輕量化的電子電路單元。
為了達(dá)到上述目的,本發(fā)明的電子電路構(gòu)成是在基板的同一平面上使第1電感器和第2電感器分別薄膜形成渦旋形狀,并使該第1及第2電感器同心圓狀配置,進(jìn)行電磁耦合,通過上述第1電感器對(duì)輸入不平衡信號(hào)的放大用晶體管的集電極供給電源,從上述第2電感器的兩端輸出平衡信號(hào)。
這樣構(gòu)成的電子電路單元由于使在基板上薄膜形成的渦旋形狀的第1及第2電感器按同心圓狀配置進(jìn)行電磁耦合,所以可以在該第1及第2電感器上具有集電極輸出的調(diào)諧電路部和不平衡—平衡變換電路部的功能,從而可以使電路構(gòu)成顯著簡(jiǎn)化,實(shí)現(xiàn)電子電路單元的小型輕量化。
在上述的構(gòu)成中,最好從上述第1及第2電感器的中心部向外部拉出引出部,在這些引出部和第1及第2電感器之間設(shè)置絕緣體層,這樣可以全部通過薄膜技術(shù)高精度形成兩電感器和引出部及絕緣體層。


圖1是實(shí)施例的電壓控制振蕩器的電路圖。
圖2是該電壓控制振蕩器中具有的不平衡—平衡變換電路部的說明圖。
圖3是不平衡—平衡變換電路部的主要部分?jǐn)嗝鎴D。
圖4是不平衡—平衡變換電路部的等效電路。
圖5是現(xiàn)有電壓控制振蕩器的電路圖。
具體實(shí)施例方式
下面參照附圖對(duì)實(shí)施例進(jìn)行說明。圖1是電壓控制振蕩器的電路圖,圖2是該電壓控制振蕩器中具有的不平衡—平衡變換電路部的說明圖,圖3是該不平衡—平衡變換電路部的主要部分?jǐn)嗝鎴D,圖4是該不平衡—平衡變換電路部的等效電路圖。
本實(shí)施例的電子電路單元是用于電壓控制振蕩器的例子,如圖1所示,該電壓控制振蕩器包括放大晶體管1和第1及第2電感器2、3等。放大晶體管1的基極經(jīng)隔直流電容器4連接在圖中未畫出的振蕩部上,從該振蕩部按不平衡輸出的振蕩信號(hào)經(jīng)隔直流電容器4,輸入到放大晶體管1的基極上。放大晶體管1的發(fā)射極經(jīng)旁路電容5接地,放大晶體管1的集電極與方形渦旋狀的第1電感器2的一端相連接。該第1電感器2的另一端連接在集電極電壓端子6上,該集電極電壓端子6經(jīng)旁路電容7接地。第2電感器3也形成方形渦旋狀,該第1及第2電感器2、3按同心圓狀配置,進(jìn)行電磁耦合。如下所述,第1及第2電感器2、3起著有調(diào)諧部的不平衡—平衡變換電路的功能,以不平衡輸入到放大晶體管1基極上的振蕩信號(hào)由第1及第2電感器2、3調(diào)諧耦合后,從第2電感器3兩端的輸出端子8、9平衡地輸出。
如圖2和圖3所示,第1及第2電感器2、3利用蒸鍍及濺射等光刻技術(shù),在氧化鋁等構(gòu)成的基板10上形成薄膜。在圖1所示的電路器件中,除第1及第2電感器2、3以外的電容、電阻及布線圖形也在基板10上形成薄膜,放大晶體管1通過對(duì)裸芯片進(jìn)行引線健合(wirebonding)安裝在基板10。第1電感器2和第2電感器3在基板10的同一平面上保持規(guī)定間隔d(5±0.25μm),以同心圓狀電磁耦合,各寬度尺寸為30±0.025μm,長(zhǎng)度尺寸設(shè)定為從振蕩部輸出的振蕩信號(hào)波長(zhǎng)的約1/2。另外,第1及第2電感器2、3分別具有引出部2a、3a,如圖3所示,一方的引出部2a與第1電感器2在中心部連接,通過覆蓋第1及第2電感器2、3的絕緣體層11上面,從中心部向外部引出。另一方的引出部3a也同樣構(gòu)成,該引出部3a與第2電感器3在中心部連接,通過覆蓋第1及第2電感器2、3的絕緣層11上面,從中心部向外部引出。
在這樣構(gòu)成的電壓控制振蕩器中,當(dāng)從圖中未畫出的振蕩器不平衡地輸出振蕩信號(hào)時(shí),該振蕩信號(hào)通過隔直流電容器4輸入到放大晶體管1的基極,通過放大晶體管1放大后向集電極輸出。接著,由放大晶體管1的集電極輸出的振蕩信號(hào)傳輸?shù)降?電感器2,在與第1電感器2電磁耦合的第2電感器3調(diào)諧耦合之后,由第2電感器3兩端的輸出端子8、9輸出。此處第1電感器2和第2電感器3的耦合的等效電路如圖4所示,具有電容成分的第1電感器2和第2電感器3分別在兩端間進(jìn)行電磁耦合。即,由于在具有電容成分的第1電感器2的兩輸入端上連接放大晶體管1的集電極和集電極電壓端子6,而具有電容成分的第2電感器3的兩輸出端構(gòu)成輸出端子8、9,所以放大晶體管1的集電極輸出的振蕩信號(hào)在第1及第2電感器2、3間進(jìn)行調(diào)諧耦合后,相位相差180°,由第2電感器3兩端的輸出端子8、9輸出。從而,將兩輸出端子8、9作為輸出端的該電壓控制振蕩器,是對(duì)其后級(jí)所連接的混合器等電路平衡地輸出振蕩信號(hào)的平衡型。
在上述實(shí)施例的電子電路單元中,由于在基板10的同一平面上形成薄膜的渦旋形狀的第1及第2電感器2、3配置成同心圓狀,進(jìn)行電磁耦合,所以可以使該第1及第2電感器2、3具有集電極輸出的調(diào)諧電路部和不平衡—平衡變換電路部的功能,因此電壓控制振蕩器的電路構(gòu)成顯著簡(jiǎn)化,可以實(shí)現(xiàn)電子電路單元的小型輕置化。另外,由于從第1及第2的電感器2、3的中心部向外部拉出引出部2a、3a,并在該引出部2a、3a和第1及第2電感器2、3間設(shè)置絕緣體層11,所以在基板10上不需要形成通孔,可以全部通過薄膜技術(shù)高精度形成包括引出部2a、3a的兩個(gè)電感器2、3及絕緣體層11。
本發(fā)明的電子電路單元,除了上述實(shí)施例以外還可以采用種種變形例,例如,當(dāng)然可以適用于與上述實(shí)施例中說明的電壓控制振蕩器具有同樣電路構(gòu)成的其他高頻器件。另外,也可以使第1及第2電感器2、3形成圓形的渦旋形狀,來代替形成方形的渦旋形狀,或者也可以變更第1及第2電感器2、3和絕緣體層11及引出部2a、3a的積層順序,在基板10上形成引出部2a、3a的薄膜之后,在該引出部2a、3a的上面依次形成絕緣體層11和渦旋形狀的第1及第2電感器2、3。
發(fā)明的效果本發(fā)明按以上說明的形態(tài)實(shí)施,可取得以下的效果。
由于在基板的同一平面上使第1電感器和第2電感器分別形成渦旋形狀的薄膜,并使該第1及第2電感器同心圓狀配置,進(jìn)行電磁耦合,通過上述第1電感器對(duì)輸入不平衡信號(hào)的放大用晶體管的集電極供給電源,從第2電感器的兩端輸出平衡信號(hào),所以可以使第1及第2電感器具有集電極輸出的調(diào)諧電路部和不平衡—平衡變換電路部的功能,從而電路構(gòu)成顯著簡(jiǎn)化,可以實(shí)現(xiàn)電子電路單元的小型輕量化。
權(quán)利要求
1.一種電子電路單元,其特征在于在基板的同一平面上使第1電感器和第2電感器分別形成渦旋形狀的薄膜,并使該第1及第2電感器同心圓狀配置,進(jìn)行電磁耦合,通過上述第1電感器對(duì)輸入不平衡信號(hào)的放大用晶體管的集電極供給電源,從上述第2電感器的兩端輸出平衡信號(hào)。
2.如權(quán)利要求1所述的電子電路單元,其特征在于從上述第1及第2電感器的中心部向外部拉出引出部,在這些引出部和上述第1及第2電感器之間設(shè)置絕緣體層。
全文摘要
本發(fā)明提供一種電子電路單元,將所需要的電路構(gòu)成簡(jiǎn)化,有利于小型輕量化。在基板10的同一平面上形成渦旋形狀的第1及第2電感器2、3薄膜,使該第1及第2電感器2、3配置成同心圓狀,進(jìn)行電磁耦合,在第1電感器2的兩輸入端上連接放大晶體管1的集電極和集電極電壓端子6。而且,在放大晶體管1的基極上不平衡地輸入振蕩信號(hào),將該放大晶體管1的集電極輸出的振蕩信號(hào)傳輸給第1電感器2,與第2電感器3調(diào)諧耦合后,從第2電感器3兩端的輸出端子8、9平衡地輸出振蕩信號(hào)。
文檔編號(hào)H01F19/00GK1376007SQ0210757
公開日2002年10月23日 申請(qǐng)日期2002年3月18日 優(yōu)先權(quán)日2001年3月19日
發(fā)明者種村武 申請(qǐng)人:阿爾卑斯電氣株式會(huì)社
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