專(zhuān)利名稱(chēng)：基板處理裝置及基板處理方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及例如對(duì)半導(dǎo)體晶片或液晶顯示器用的玻璃基板等基板進(jìn)行例如抗蝕液涂布處理和顯影處理等的基板處理裝置和基板處理方法。
背景技術(shù)：
在半導(dǎo)體裝置的制造過(guò)程中，使用一種在半導(dǎo)體晶片等基板上涂布抗蝕液、使用光掩模對(duì)該抗蝕膜進(jìn)行曝光、經(jīng)顯影在基板上制作出所希望的抗蝕圖案的光蝕刻技術(shù)。
這種光蝕刻是在將曝光裝置連接在涂布顯影裝置的圖案形成系統(tǒng)中進(jìn)行的。作為涂布顯影裝置，例如以對(duì)半導(dǎo)體晶片(以下稱(chēng)作晶片)進(jìn)行處理為例，是由輸入輸出晶片載體的載體工作臺(tái)、從載置于該載體工作臺(tái)上的載體中取出晶片的傳遞臂、處理組件、以及接口工作站等構(gòu)成；并與曝光裝置相連接。通過(guò)傳遞臂送入處理工作站中的晶片，經(jīng)形成抗蝕膜、在曝光裝置中曝光、之后返回處理工作站顯影，最后通過(guò)傳遞臂被送回到載體上。
當(dāng)處理結(jié)束后的晶片被放置到載體中后，由操作人員或自動(dòng)輸送機(jī)器人將載體從載體工作臺(tái)中送出，送入與涂布顯影裝置位于不同區(qū)域中的檢查單元中。在該檢查單元中，對(duì)晶片上所形成的抗蝕圖案的線寬、抗蝕圖案與基底圖案的重合度、抗蝕膜涂布不均勻度、以及顯影缺陷等進(jìn)行檢查。將判定為合格的晶片送入下一道工序，而判定為不合格的晶片送入清洗單元將抗蝕膜溶解清除，使之恢復(fù)到進(jìn)行該涂布、顯影之前的狀態(tài)。之后，將該晶片再次送入圖案形成系統(tǒng)中，再次進(jìn)行同樣的處理。
但是，經(jīng)圖案形成系統(tǒng)處理后的晶片要送入設(shè)置在外部的檢查單元進(jìn)行圖案檢查之后才送入下一道工序，這是導(dǎo)致處理能力降低的原因之一。此外，當(dāng)前述檢查單元中正在對(duì)經(jīng)其它圖案形成系統(tǒng)處理的晶片進(jìn)行檢查時(shí)，必須等待，導(dǎo)致涂布顯影裝置的處理能力不能在整體處理中得到反映。再有，在該系統(tǒng)的操作人員需要了解圖案檢查結(jié)果時(shí)，必須到另外的場(chǎng)所取結(jié)果，因此，例如在需要根據(jù)檢查結(jié)果研究處理方案等場(chǎng)合會(huì)感到不萬(wàn)便。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種能夠在避免涂布顯影裝置等的處理能力降低的情況下進(jìn)行基板的檢查的基板處理裝置和基板處理方法。
本發(fā)明的另一個(gè)目的是提供一種基板的抽樣檢查能夠簡(jiǎn)單地進(jìn)行的基板處理裝置和基板處理方法。
為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明的主要觀點(diǎn)所涉及的基板處理裝置具備收容盒工作站，該收容盒工作站包含用來(lái)載置收容有多個(gè)晶片的基板收容盒的載置部、以及相對(duì)于載置于該載置部上的基板收容盒進(jìn)行基板的傳遞的傳遞部；處理工作站，該處理工作站包含有在自前述收容盒工作站送來(lái)的基板上涂布處理液的基板處理部；與前述處理工作站相連接的檢查工作站、該檢查工作站包含有對(duì)前述基板進(jìn)行前述基板處理部之處理狀況檢查的檢查部；以及在前述處理工作站與檢查工作站之間進(jìn)行基板的傳遞的基板輸送部。
按照這樣的構(gòu)成，由于檢查工作站與處理工作站二者相鄰接地設(shè)置，在處理工作站與檢查工作站之間自動(dòng)輸送基板，因此，操作人員不必進(jìn)行輸送作業(yè)，可縮短基板的輸送時(shí)間。因而，可簡(jiǎn)化自基板處理到檢查為止的整個(gè)作業(yè)，而且由于對(duì)處理狀況能夠進(jìn)行實(shí)時(shí)檢查，故能夠進(jìn)行高精度的檢查，可縮短從處理到檢查為止的整個(gè)時(shí)間。
本發(fā)明的另一個(gè)觀點(diǎn)所涉及的基板處理裝置為一種向基板涂布抗蝕液并使曝光后的基板顯影的、與曝光裝置相連接的裝置，具備載體工作站，該載體工作站包含供收容有多片基板的載體輸入輸出的載體輸入輸出部，以及相對(duì)于載置在該載體輸入輸出部上的載體進(jìn)行基板的傳遞的傳遞部；處理工作站，該處理工作站與該載體工作站相鄰接，包含有在基板上涂布抗蝕液的涂布部、使曝光后的基板顯影的顯影部、以及向涂布部和顯影部輸送基板并與前述傳遞部之間進(jìn)行基板的傳遞的主輸送部；檢查工作站，該檢查工作站與前述載體工作站相鄰接，具有對(duì)處理后的基板進(jìn)行檢查的檢查部；外部載體載置部，該外部載體載置部可供將收容有在外部進(jìn)行處理后的基板的載體送入；模式選擇部，該模式選擇部能夠在對(duì)經(jīng)過(guò)前述處理工作站處理的基板以檢查部進(jìn)行檢查的一般模式，以及對(duì)在外部進(jìn)行處理后的基板以檢查部進(jìn)行檢查的檢查部專(zhuān)用模式之間進(jìn)行模式選擇。
外部載體載置部例如設(shè)置在載體工作站中，例如是載體輸入輸出部的一部分。作為本發(fā)明的更具體的構(gòu)成例，可列舉出檢查工作站具有與檢查部之間進(jìn)行基板的傳遞的輔助輸送部，在載體工作站內(nèi)或者檢查工作站內(nèi)或者橫跨載體工作站與檢查工作站的某一位置上設(shè)置用于臨時(shí)載置基板的中間載置部，將經(jīng)處理工作站進(jìn)行顯影處理后的基板以及載置于外部載體載置部上的載體內(nèi)的基板通過(guò)載體工作站的傳遞部經(jīng)中間載置部向前述輔助輸送部傳遞。
根據(jù)本發(fā)明，由于能夠在涂布顯影裝置中進(jìn)行圖案檢查等檢查，因此，處理能力得到提高，而且，即使在進(jìn)行涂布、顯影的處理工作站等進(jìn)行維修時(shí)以及涂布、顯影處理休停時(shí)，檢查單元仍可以單獨(dú)使用，仍能夠?qū)耐獠克腿氲幕暹M(jìn)行檢查。
本發(fā)明的另一個(gè)觀點(diǎn)所涉及的裝置與上述發(fā)明的構(gòu)成大體相同，但在外部載體載置部上所載置的載體與檢查工作站之間進(jìn)行基板的傳遞時(shí)，使用的是第2傳遞部，該第2傳遞部是相對(duì)于載體工作站內(nèi)的傳遞部(第1傳遞部)另外設(shè)置的。
本發(fā)明的另一個(gè)觀點(diǎn)所涉及的裝置與上述發(fā)明的構(gòu)成大體相同，但在檢查工作站內(nèi)設(shè)有外部載體載置部和輔助輸送部。
本發(fā)明的又一個(gè)觀點(diǎn)所涉及的基板處理裝置具備收容盒工作站，該收容盒工作站包含有用來(lái)載置收容有多個(gè)基板的基板收容盒的載置部，以及相對(duì)于載置于該載置部的基板收容盒進(jìn)行基板的傳遞的傳遞部；處理工作站，該處理工作站與前述收容盒工作站相鄰接，包含有在基板上涂布處理液的基板處理部、以及相對(duì)于該基板處理部按照前述基板收容盒的排列順序進(jìn)行基板的傳遞并且與前述傳遞部之間按照前述基板收容盒的排列順序進(jìn)行基板的傳遞的主基板輸送部；檢查部，該檢查部用來(lái)對(duì)前述基板的前述基板處理部的處理狀況進(jìn)行檢查；檢查基板載置部，該檢查基板載置部用來(lái)載置經(jīng)前述基板處理部處理的、要以前述檢查部進(jìn)行檢查的檢查用基板；基板載置部，該基板載置部用來(lái)載置在基板收容盒內(nèi)的排列順序排在前述檢查用基板之后的基板；以及基板輸送部，該基板輸送部用來(lái)將經(jīng)過(guò)基板處理部處理的基板向前述檢查基板載置部和前述基板載置部進(jìn)行輸送。
按照這樣的構(gòu)成，由于檢查部組裝在基板處理裝置中，故與將檢查部設(shè)置在外部相比，省去了基板輸送操作，輸送時(shí)間也縮短了，因此，處理能力得以提高。
而對(duì)于上述裝置，例如可以實(shí)施以包含有以下工序?yàn)樘卣鞯幕逄幚矸椒?，即將收容有多個(gè)基板的基板收容盒中的基板按照基板收容盒的排列順序向?qū)暹M(jìn)行處理液涂布的基板處理部輸送，對(duì)該基板按照輸送的順序進(jìn)行處理的工序；將經(jīng)前述基板處理部處理后的基板從該基板處理部送出的工序；將前述基板處理部所送出的基板中的、基板收容盒的第n(n為1以上的整數(shù))個(gè)檢查用基板送向檢查部，對(duì)基板處理部的處理狀況進(jìn)行檢查的工序；在檢查部的處理時(shí)間長(zhǎng)于基板處理部的基板送出間隔的場(chǎng)合，直到檢查部中檢查用基板的檢查結(jié)束之前，將在基板處理部中完成基板處理而自該基板處理部送出的、基板收容盒內(nèi)的排列順序排在前述檢查用基板之后的基板按照在基板收容盒內(nèi)的排列順序依次向基板載置部輸送，并按照該順序進(jìn)行載置的工序；將在前述檢查部中完成了檢查的檢查用基板從檢查部送出的工序；以及將前述檢查用基板從檢查部送出后，將載置于前述基板載置部上的基板按照基板收容盒內(nèi)的排列順序從基板載置部送出的工序。
作為本發(fā)明，即使在對(duì)經(jīng)過(guò)基板處理部處理的基板進(jìn)行抽樣檢查，而檢查部的處理時(shí)間長(zhǎng)于向基板處理部輸送基板的間隔的場(chǎng)合，也能夠做到在檢查用基板進(jìn)行檢查期間，不進(jìn)行檢查的基板可在基板載置部待機(jī)，從而，不必預(yù)先準(zhǔn)備煩瑣的抽樣檢查用程序便能夠?qū)⒒灏凑赵诨迨杖莺袃?nèi)的排列順序送回收容盒。


圖1是本發(fā)明的實(shí)施形式所涉及的涂布、顯影裝置的概略外觀圖。
圖2是上述涂布、顯影裝置的示意俯視圖。
圖3是前述涂布、顯影裝置的檢查工作站的立體圖。
圖4是檢查部之一例的剖視圖。
圖5是上述檢查工作站的剖視圖。
圖6是第1檢查單元、貨架單元和處理單元之一例的側(cè)視圖。
圖7是涂布單元的剖視圖。
圖8是基板輸送部的立體圖。
圖9是本發(fā)明的另一實(shí)施形式所涉及的涂布、顯影裝置的示意俯視圖。
圖10是本發(fā)明的又一實(shí)施形式所涉及的涂布、顯影裝置的示意俯視圖。
圖11是本發(fā)明的再一實(shí)施形式所涉及的涂布、顯影裝置的示意俯視圖。
圖12是本發(fā)明的另一其它實(shí)施形式所涉及的涂布、顯影裝置的示意俯視圖。
圖13是本發(fā)明的又一其它實(shí)施形式所涉及的涂布、顯影裝置的示意俯視圖。
圖14是本發(fā)明的另一實(shí)施形式的整體構(gòu)成的示意俯視圖。
圖15是圖14的實(shí)施形式的示意立體圖。
圖16是圖14的實(shí)施形式的一部分的示意縱剖側(cè)視圖。
圖17是上述實(shí)施形式中所使用的中間載置部之一例的立體圖。
圖18是上述實(shí)施形式中所使用的中間載置部之一例的立體圖。
圖19是上述實(shí)施形式的控制系統(tǒng)的框圖。
圖20是本發(fā)明的又一實(shí)施形式的整體構(gòu)成的示意俯視圖。
圖21是圖20的實(shí)施形式的示意立體圖。
圖22是本發(fā)明的再一實(shí)施形式的整體構(gòu)成的示意俯視圖。
圖23是可使外部送來(lái)的載體載置于中間載置部上的構(gòu)成之一例的立體圖。
圖24是本發(fā)明的另一其它實(shí)施形式的整體構(gòu)成的示意俯視圖。
圖25是圖24的實(shí)施形式的示意立體圖。
圖26是本發(fā)明的上述以外的實(shí)施形式的整體構(gòu)成的示意俯視圖。
圖27是本發(fā)明所涉及的傳遞臂的結(jié)構(gòu)的側(cè)視圖。
圖28是本發(fā)明的另一實(shí)施形式所涉及的涂布、顯影裝置的示意俯視圖。
圖29是本發(fā)明的又一實(shí)施形式所涉及的涂布、顯影裝置的示意俯視圖。
圖30是本發(fā)明的再一實(shí)施形式所涉及的涂布、顯影裝置的示意俯視圖。
圖31是本發(fā)明的另一其它實(shí)施形式所涉及的涂布、顯影裝置的示意俯視圖。
圖32是本發(fā)明的又一其它實(shí)施形式所涉及的涂布、顯影裝置的示意俯視圖。
圖33是本發(fā)明的另一實(shí)施形式所涉及的收容盒工作站的俯視圖。
圖34是圖33所示收容盒工作站的正面圖。
圖35是圖33及圖34所示實(shí)施形式中用于控制壓力的機(jī)構(gòu)的說(shuō)明圖。
圖36是本發(fā)明的又一實(shí)施形式所涉及的涂布顯影裝置的概略外觀圖。
圖37是圖36所示涂布顯影裝置的示意俯視圖。
圖38是圖36所示涂布顯影裝置的檢查單元的立體圖。
圖39是圖36所示檢查單元的剖視圖。
圖40是圖36所示貨架單元與處理單元之一例的立體圖。
圖41A-圖41D是對(duì)上述涂布顯影裝置中所實(shí)施的本發(fā)明的方法進(jìn)行說(shuō)明的工序圖。
圖42A-圖42D是對(duì)上述涂布顯影裝置中所實(shí)施的本發(fā)明的方法進(jìn)行說(shuō)明的工序圖。
具體實(shí)施例方式
下面，對(duì)本發(fā)明的實(shí)施形式進(jìn)行說(shuō)明。
圖1是將該實(shí)施形式的內(nèi)部以透視形式示出的概略外觀圖，圖2是示意俯視圖，圖中，S1是收容盒工作站，S2是對(duì)晶片W進(jìn)行預(yù)定檢查的檢查工作站，S3是對(duì)晶片W進(jìn)行涂布處理和顯影處理等基板處理的處理工作站，S4是接口工作站，S5是曝光裝置。
收容盒工作站S1具有收容盒工作臺(tái)21，該收容盒工作臺(tái)21構(gòu)成了載置部，用來(lái)載置構(gòu)成收容有多個(gè)基板例如25片晶片W的例如4個(gè)基板收容盒的晶片收容盒(以下稱(chēng)作“收容盒”)22；收容盒工作臺(tái)21上的收容盒22；傳遞臂23，該傳遞臂23構(gòu)成了與后述的檢查工作站S2的傳遞部33之間進(jìn)行晶片W的傳遞的傳遞部。傳遞臂23可自由升降，能夠在X、Y方向上自由移動(dòng)，并能夠以垂直軸為軸自由旋轉(zhuǎn)。
檢查工作站S2在與收容盒工作站S1的收容盒排列方向大約垂直的方向上與收容盒工作站S1相連接。此外，作為該檢查工作站S2，如圖2、圖3(檢查工作站S2的立體圖)、圖4(檢查工作站S2的從處理工作站S3一側(cè)看過(guò)去的剖視圖)所示地構(gòu)成，即，具有構(gòu)成了用來(lái)對(duì)多個(gè)基板的處理狀況進(jìn)行檢查的檢查部的檢查裝置，例如兩個(gè)膜厚檢查裝置31(31A、31B)和例如兩個(gè)缺陷檢查裝置32(32A、32B)，例如一個(gè)傳遞部33，例如一個(gè)構(gòu)成收容部的化學(xué)單元C，例如一個(gè)構(gòu)成收容部的電氣單元E，以及例如一個(gè)基板輸送部MA1；并且，例如可對(duì)抗蝕液涂布處理后以及顯影處理后的晶片W就抗蝕膜的膜厚和顯影線寬、抗蝕膜有無(wú)傷痕、抗蝕液涂布的不均勻度、顯影處理后的顯影缺陷等等預(yù)定的基板處理狀況進(jìn)行檢查。
對(duì)這種檢查工作站S2的布局的一個(gè)例子進(jìn)行說(shuō)明。在前述傳遞臂23的縱深側(cè)，在例如從收容盒工作站S1向縱深看過(guò)去時(shí)的例如右側(cè)設(shè)有多個(gè)檢查裝置，在這里，是具有兩個(gè)膜厚檢查裝置31A、31B的第1檢查單元U1。該檢查單元U1在例如兩個(gè)膜厚檢查裝置31A、31B之間具有傳遞部33，在該檢查單元U1的下部分配有化學(xué)單元C。
前述膜厚檢查裝置31是例如如后所述地利用光干涉法以光學(xué)方式對(duì)基板上的基底膜例如氧化膜或多晶硅等之上涂布的抗蝕膜進(jìn)行檢查的裝置。而傳遞部33這樣構(gòu)成具有用來(lái)在收容盒工作站S1的傳遞臂23與基板輸送部MA1之間進(jìn)行晶片W的傳遞的傳遞臺(tái)；通過(guò)例如可借助于升降機(jī)構(gòu)而自由升降的升降銷(xiāo)(未圖示)與傳遞臂23或基板輸送部MA1的協(xié)同工作，相對(duì)于該傳遞臺(tái)進(jìn)行晶片W的傳遞。
前述化學(xué)單元C是用來(lái)容納在后述涂布單元等中使用的材料例如藥液的供給系統(tǒng)的，例如容納有溶劑和抗蝕液等的儲(chǔ)存罐、儲(chǔ)存罐的開(kāi)關(guān)閥等各種閥門(mén)、過(guò)濾器、閥門(mén)的驅(qū)動(dòng)部、排液噴嘴的驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)等。
在例如從收容盒工作站S1向縱深看過(guò)去時(shí)的例如左側(cè)設(shè)有多個(gè)檢查裝置，在這里，設(shè)置的是具有兩個(gè)缺陷檢查裝置32A、32B的第2檢查單元U2，在該檢查單元U2的下部分配有電氣單元E。
前述缺陷檢查裝置32是例如通過(guò)后述的CCD攝像機(jī)進(jìn)行攝像而對(duì)抗蝕膜表面的傷痕、上層的抗蝕圖案和下層的抗蝕圖案的重合度、涂布抗蝕液時(shí)是否有異物混入、抗蝕液涂布不均勻度、顯影處理后的顯影缺陷等進(jìn)行檢查的裝置。而電氣單元E中，容納有前述膜厚檢查裝置31和缺陷檢查裝置32、前述基板輸送部MA1和后述的涂布單元和顯影單元中所使用的部件、例如它們的驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)的電源部、和對(duì)它們的電力進(jìn)行控制等的控制器，用來(lái)向它們分配電力的配電盤(pán)等電氣方面的設(shè)備。
下面，對(duì)缺陷檢查裝置32的一個(gè)例子結(jié)合圖4進(jìn)行說(shuō)明。例如這樣構(gòu)成，即，具有具有晶片W的輸送口的框體100，設(shè)在該框體100內(nèi)的、對(duì)晶片W進(jìn)行水平支持并能夠?qū)ζ涑蜻M(jìn)行調(diào)整的旋轉(zhuǎn)載置臺(tái)110，對(duì)該旋轉(zhuǎn)載置臺(tái)110上的晶片W的表面進(jìn)行攝像的、可在X、Y、Z方向上自由移動(dòng)的CCD攝像機(jī)120，以及照明部130；能夠?qū)τ稍揅CD攝像機(jī)120得到的晶片W的圖像以未圖示的作為數(shù)據(jù)處理部的個(gè)人計(jì)算機(jī)等進(jìn)行分析而進(jìn)行檢查。也可以這樣構(gòu)成，即，CCD攝像機(jī)120固定，而晶片W的載置臺(tái)110能夠在X、Y、Z方向上移動(dòng)。
此外，上述膜厚檢查裝置31例如這樣構(gòu)成，即，在CCD攝像機(jī)120的側(cè)方設(shè)置如圖中虛線所示的、具有發(fā)光部和受光部的膜厚探頭140，通過(guò)將光照射到晶片上以得出反射率，對(duì)其結(jié)果以計(jì)算機(jī)進(jìn)行分析從而檢測(cè)出膜厚。
在上述第1和第2檢查單元U1、U2之間設(shè)置有例如可自由升降、可前后、左右自由移動(dòng)且能夠以垂直軸為軸自由旋轉(zhuǎn)的基板輸送部MA1，以在這些檢查單元U1、U2的各部與后述的處理工作站S3的傳遞部46之間進(jìn)行晶片W的傳遞。為了方便，圖1中將基板輸送部MA1省略。
在該例子中，以檢查工作站S2具備化學(xué)單元C和電氣單元E為例進(jìn)行了說(shuō)明，但并非必須具備化學(xué)單元C和電氣單元E二者，既可以根據(jù)需要而具備其中的一個(gè)，也可以在檢查工作站S2中僅配置像厚膜檢查裝置31和缺陷檢查裝置32那樣的檢查部。此外，配置于檢查工作站S2中的檢查部的數(shù)量也不受上述例子的限定，既可以是一個(gè)，也可以橫跨3級(jí)或4級(jí)設(shè)置多個(gè)檢查部。再有，就檢查部的種類(lèi)而言，既可以?xún)H設(shè)置厚膜檢查裝置31或缺陷檢查裝置32，也可以將其它檢查裝置組合進(jìn)來(lái)。
另外，該檢查工作站S2是獨(dú)立地構(gòu)成的。即，例如如圖3和圖4所示，利用壁部34將該檢查工作站S2與其它空間分隔開(kāi)，在與收容盒工作站S1和處理工作站S3鄰接的前述壁部34的、與檢查工作站S2的傳遞部33相對(duì)應(yīng)的位置上分別形成有旨在使傳遞臂23能夠相對(duì)于傳遞部33進(jìn)行晶片W的傳遞的傳遞口35，此外，在與收容盒工作站S1和處理工作站S3鄰接的前述壁部34的、與處理工作站S3的傳遞部46相對(duì)應(yīng)的位置上分別形成有旨在使基板輸送部MA1能夠相對(duì)于傳遞部46進(jìn)行晶片W的傳遞的傳遞口(未圖示)。
在如上所述以壁部34分隔開(kāi)的檢查工作站S2中，例如如圖5所示，設(shè)有覆蓋在上部的過(guò)濾單元F，可使得從化學(xué)單元C和電氣單元E等的下部回收的氛圍氣體被排放到工廠排氣系統(tǒng)中，同時(shí)，其一部分被引入構(gòu)成調(diào)整部的過(guò)濾裝置36、經(jīng)該過(guò)濾裝置36凈化、調(diào)整到預(yù)定溫度和預(yù)定濕度的空氣，經(jīng)由前述過(guò)濾單元F而成為下降氣流向各部?jī)?nèi)吹出。前述過(guò)濾單元F例如具有用來(lái)對(duì)空氣進(jìn)行凈化的過(guò)濾器和吸氣風(fēng)扇等；前述過(guò)濾裝置具有用來(lái)除去雜質(zhì)的雜質(zhì)除去部、加熱機(jī)構(gòu)和加濕機(jī)構(gòu)、將空氣送出的送出部等。此外，也可以考慮不構(gòu)成前面所記載的空氣循環(huán)部，而分別向檢查部供給調(diào)整到預(yù)定溫度和預(yù)定濕度的空氣，向收容盒工作站S1供給凈化間的空氣。
此外，在檢查工作站S2中，將第1和第2檢查單元U1、U2及基板輸送部MA1以圖2中單點(diǎn)劃線所示的、將檢查工作站S2在X方向上大致兩等分的線L為對(duì)稱(chēng)軸而在圖中的X方向上對(duì)稱(chēng)地進(jìn)行配置。即，即使檢查工作站S2旋轉(zhuǎn)半周，使得第2檢查單元U2從收容盒工作站S1一側(cè)看過(guò)去時(shí)位于右側(cè)時(shí)，收容盒工作站S2的傳遞臂23仍能夠通過(guò)傳遞口35訪問(wèn)傳遞部33，檢查工作站S1的基板輸送部MA1仍能夠通過(guò)未圖示的傳遞口訪問(wèn)處理工作站S3的貨架單元R1。
此外，作為處理工作站S3，在與收容盒工作站S1的收容盒的排列方向大約垂直的方向上與檢查工作站S2相連接。并且這樣構(gòu)成，即，具有例如兩個(gè)構(gòu)成基板處理部的顯影單元41(41A、41B)，兩個(gè)構(gòu)成基板處理部的涂布單元42(42A、42B)，例如三個(gè)貨架單元R(R1、R2、R3)，以及例如一個(gè)基板輸送部MA2；可在檢查工作站S2與接口工作站S4之間進(jìn)行晶片W的傳遞，并且，在該工作站S3內(nèi)可進(jìn)行在晶片W上涂布抗蝕液的處理、晶片W的顯影處理、在這些處理進(jìn)行的前后將晶片W加熱或冷卻到預(yù)定溫度的處理等。
下面，對(duì)這種處理工作站S3的布局的一個(gè)例子進(jìn)行說(shuō)明。在例如從收容盒工作站S1向縱深看過(guò)去時(shí)的例如右側(cè)設(shè)置有跨兩級(jí)設(shè)置的、具備顯影單元41和涂布單元42等的處理單元U3。在以后的說(shuō)明中，將收容盒工作站S1一側(cè)稱(chēng)作前側(cè)，曝光裝置S5一側(cè)稱(chēng)作縱深側(cè)而進(jìn)行敘述。
此外，在這些處理單元U3的從收容盒工作站S1看過(guò)去時(shí)的左側(cè)設(shè)有用來(lái)在涂布單元42和顯影單元41和貨架單元R之間進(jìn)行晶片W的傳遞的、例如可自由升降、可前后、左右自由移動(dòng)且能夠以垂直軸為軸自由旋轉(zhuǎn)的基板輸送部MA2。并且，在該基板輸送部MA2的從收容盒工作站S1看過(guò)去時(shí)的前側(cè)設(shè)有貨架單元R1，在縱深側(cè)設(shè)有貨架單元R2，在左側(cè)設(shè)有貨架單元R3。在圖1中，為了方便而將貨架單元R3和基板輸送部MA2省略。
由此可保證在該工作站S3的、與檢查工作站S2的第1和第2檢查單元U1、U2鄰接的部位分別留出預(yù)定的空間，并經(jīng)由這些空間分別配置處理單元U3和貨架單元R3。
作為前述貨架單元R，如圖6中以貨架單元R1為代表加以展示的，縱向排列有加熱晶片W用的加熱部43，冷卻晶片W用的冷卻部44，晶片表面疏水化用的疏水化部45，用來(lái)在貨架單元R1中在檢查工作站S2的基板輸送部MA1與該工作站S3的基板輸送部MA2之間進(jìn)行晶片W的傳遞、而且在貨架單元R2中在該工作站S3的基板輸送部MA2與后述的接口工作站S4的輸送臂A之間進(jìn)行晶片W的傳遞的、具備傳遞臺(tái)的傳遞部46，以及用來(lái)在貨架單元R1中對(duì)晶片W進(jìn)行定位的定位部47等。
下面，對(duì)顯影單元41例如結(jié)合圖7進(jìn)行說(shuō)明。51是罩蓋，在該罩蓋51內(nèi)設(shè)有具有真空吸附功能的可自由旋轉(zhuǎn)的自旋吸嘴52。該自旋吸嘴52在升降機(jī)構(gòu)53的驅(qū)動(dòng)下可自由升降，當(dāng)位于罩蓋51的上側(cè)時(shí)，與前述基板輸送部MA1的后述的臂61之間能夠進(jìn)行晶片W的傳遞。
進(jìn)行這種晶片W的傳遞時(shí)，自旋吸嘴52從下側(cè)相對(duì)于罩蓋51上升而在罩蓋51的上側(cè)接受壁61上的晶片W，而以與之相反的動(dòng)作，從自旋吸嘴52傳遞到臂61上。54是處理液的排液噴嘴，55是處理液供給管，56是使噴嘴水平移動(dòng)的支持臂。
前述排液噴嘴54以具有例如沿晶片W的徑向排列的多個(gè)排液孔而構(gòu)成，排液噴嘴54向自旋吸嘴52上的晶片W的表面排出顯影液，將自旋吸嘴52旋轉(zhuǎn)半周而使顯影液在晶片W上鋪滿，從而形成顯影液的液膜。
此外，涂布單元42的構(gòu)成與顯影單元41大致相同，但涂布單元C是以排液噴嘴54向例如晶片W的大致中心附近供給處理液的形式構(gòu)成，排液噴嘴54將作為處理液的抗蝕液向下滴在自旋吸嘴52上的晶片W的表面上，旋轉(zhuǎn)自旋吸嘴52使得抗蝕液在晶片W上擴(kuò)散而完成涂布。
前述基板輸送部MA(MA1、MA2)例如如圖8所示地構(gòu)成，即，具有保持晶片W用的三片的臂61，支持該臂61使之可自由進(jìn)退的底座62，支持該底座62使之能夠自由升降的一對(duì)導(dǎo)軌63、64；通過(guò)以旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)部65驅(qū)動(dòng)這些導(dǎo)軌63、64旋轉(zhuǎn)，而能夠自由進(jìn)退、自由升降、以垂直軸為軸自由旋轉(zhuǎn)。
與處理工作站S3相鄰地連接有接口工作站S4，在該接口工作站S4的縱深側(cè)，連接有對(duì)已形成了抗蝕膜的晶片W進(jìn)行曝光的曝光裝置S5。接口工作站S4具有用來(lái)在處理工作站S3和曝光裝置S5之間進(jìn)行晶片W的傳遞的輸送臂A，作為該輸送臂A，為了能夠在處理工作站S3的貨架單元R2的傳遞部46與曝光裝置S4之間進(jìn)行晶片W的傳遞，例如以可自由升降、可前后、左右自由移動(dòng)且能夠以垂直軸為軸自由旋轉(zhuǎn)的形式構(gòu)成。
在這里，檢查工作站S2應(yīng)不大于上述收容盒工作站S1或檢查工作站S2的排列方向上的寬度(圖2中的Y方向，即收容盒工作站S1的收容盒22排列方向上的長(zhǎng)度)，而且，這些收容盒工作站S1、檢查工作站S2、處理工作站S3、接口工作站S4彼此間可自由進(jìn)行連接與分離。即，如圖3中以檢查工作站S2為代表所示出的，彼此以壁部分隔開(kāi)，可通過(guò)例如連接固定器具，螺釘、磁鐵等連接部件相接合。因此，作為檢查工作站S2，既可以像上述例子那樣，配置在收容盒工作站S1與處理工作站S3之間，也可以配置在處理工作站S4與接口工作站S4之間。此外，作為檢查工作站S2，為了便于對(duì)基板輸送部MAi進(jìn)行維修，例如在檢查工作站S2的下部安裝了自由轉(zhuǎn)動(dòng)輪，能夠?qū)⑵湎蚯昂蠓较?圖中的Y方向)抽拉移動(dòng)。
下面，對(duì)上述實(shí)施形式的工作原理進(jìn)行說(shuō)明。首先，通過(guò)自動(dòng)輸送機(jī)器人(或作業(yè)人員)將例如收容有25片晶片W的收容盒22送到收容盒工作臺(tái)21上，通過(guò)傳遞臂23從收容盒22中取出晶片W，經(jīng)由壁部34的傳遞口35放置在檢查工作站S2的傳遞部33上。
然后，將該晶片W通過(guò)基板輸送部MA1輸送到檢查工作站S2的厚膜檢查裝置31中，在這里對(duì)空白硅晶片的膜厚進(jìn)行測(cè)定。繼而，將該晶片W通過(guò)檢查工作站S2的基板輸送部MA1放置到處理工作站S3的貨架單元R1的傳遞部46上，進(jìn)而，通過(guò)處理工作站S3的基板輸送部MA2，按照貨架單元R的疏水化部45→貨架單元R的冷卻部44→涂布單元42的路徑進(jìn)行輸送，晶片表面疏水化之后，冷卻到預(yù)定溫度以進(jìn)行溫度調(diào)整，在涂布單元42中以預(yù)定溫度涂布抗蝕液。
將如上所述地涂布了抗蝕液的晶片W通過(guò)貨架單元R1的傳遞部46傳遞到檢查工作站S2的基板輸送部MA1上，以膜厚檢查裝置31測(cè)定抗蝕膜的膜厚。將檢測(cè)后的晶片W輸送到處理工作站S3中，通過(guò)基板輸送部MA2，經(jīng)由貨架單元R2的傳遞部46、接口工作站S4的輸送臂A輸送到曝光裝置S5中，進(jìn)行曝光。
將曝光后的晶片W經(jīng)由曝光裝置S5→接口工作站S4的輸送臂A→處理工作站S3的貨架單元R2的傳遞部46輸送到處理工作站S3中，在這里通過(guò)基板輸送部MA2按照貨架單元R的加熱部43→貨架單元R的冷卻部44→顯影單元41的路徑進(jìn)行輸送，對(duì)調(diào)整到預(yù)定溫度的晶片W在顯影單元41中以預(yù)定溫度、例如作為顯影液的涂布溫度的23℃進(jìn)行顯影處理。
之后，將晶片W通過(guò)處理工作站S3的基板輸送部MA2，按照貨架單元R的加熱部43→貨架單元R的冷卻部44→貨架單元R1的傳遞部46的路徑進(jìn)行輸送，該傳遞部46的晶片W由檢查工作站S2的基板輸送部MA1所接受。并且，在檢查工作站S2中，通過(guò)基板輸送部MA1輸送到缺陷檢查裝置32中，進(jìn)行顯影線寬的測(cè)定、抗蝕膜表面有無(wú)傷痕、上層的抗蝕圖案與下層的抗蝕圖案二者的重合度、抗蝕液涂布時(shí)有無(wú)異物混入、抗蝕液涂布不均勻度、顯影處理后的顯影缺陷等對(duì)顯影處理的處理狀況進(jìn)行檢查。
其次，將經(jīng)過(guò)預(yù)定檢查的晶片W由基板輸送部MA1輸送到傳遞部33上，該傳遞部33的晶片W被傳遞臂23送回例如原來(lái)的收容盒22內(nèi)。
在這里，在上述裝置中，只要將晶片W這樣進(jìn)行輸送即可經(jīng)由檢查工作站S2的傳遞部33依次向膜厚檢查裝置31→處理工作站S2的貨架單元R1的傳遞部46輸送，進(jìn)而按照空出的疏水化部45→空出的冷卻部44→空出的涂布單元42→貨架單元R1的傳遞部46→檢查工作站S2的空出的膜厚檢查裝置31→處理工作站S2的貨架單元R的傳遞部46→接口工作站S4的路徑進(jìn)行輸送，而將曝光后的晶片W按照接口工作站S4→處理工作站S2的空出的加熱部43→空出的冷卻部44→顯影單元41→空出的加熱部43→空出的冷卻部44→貨架單元R1的傳遞部46的順序進(jìn)行輸送，之后按照檢查工作站S2的空出的缺陷檢查裝置32→傳遞部33的路徑進(jìn)行輸送即可。
在上述實(shí)施形式中，由于構(gòu)成有具備檢查裝置的工作站，將該工作站設(shè)置在收容盒工作站S1與處理工作站S3之間，因此，可以由一個(gè)操作人員對(duì)抗蝕液的涂布、曝光、顯影、檢查等進(jìn)行監(jiān)視。因此，不僅能夠減少操作人員的數(shù)量，而且當(dāng)通過(guò)檢查發(fā)現(xiàn)某種缺陷時(shí)，能夠迅速進(jìn)行確定原因、排除起因等下一個(gè)行動(dòng)。
此外，晶片W在處理工作站S3與檢查工作站S2之間的輸送全部是自動(dòng)進(jìn)行的，因此，省卻了繁雜的輸送作業(yè)，實(shí)現(xiàn)了從基板處理到檢查為止的整個(gè)作業(yè)的簡(jiǎn)單化。而且這些工作站S2、S3之間晶片W的輸送時(shí)間也很短，故不僅能夠縮短從前述基板處理到檢查為止的整個(gè)作業(yè)時(shí)間，還能夠?qū)︼@影處理的狀況進(jìn)行實(shí)時(shí)檢查從而進(jìn)行高精度的檢查，并且能夠早期發(fā)現(xiàn)各種缺陷。此外，檢查裝置是組裝在涂布·顯影裝置的內(nèi)部的，因此，可以共用降低微粒的設(shè)備。
此時(shí)，若如上述例子那樣，將多個(gè)檢查裝置組合起來(lái)而構(gòu)成檢查工作站S2，則有助于在同一個(gè)工作站中對(duì)晶片W進(jìn)行多種檢查，而且各檢查裝置之間的輸送時(shí)間相當(dāng)短，故總的檢查時(shí)間也能夠縮短。
此外，由于使得檢查工作站S2在與排列方向相垂直的方向上的寬度不大于收容盒工作站S1或檢查工作站S2，因此，從收容盒工作站S1到接口工作站S4的范圍內(nèi)，不存在向圖2中的Y方向突出的部分，故有利于進(jìn)行布局。
而且，在另外準(zhǔn)備寬度與收容盒工作站S1等對(duì)齊的檢查工作站S2，將多個(gè)檢查裝置組合進(jìn)去的場(chǎng)合，只要與檢查裝置的種類(lèi)或大小相應(yīng)地將檢查工作站S2的排列方向上的寬度(圖2中X方向上的長(zhǎng)度)加大即可，因此，即使將多個(gè)檢查裝置組合進(jìn)去，檢查工作站S2中仍能夠保證有預(yù)定的空間。即，可保證能夠在第1和第2檢查單元U1、U2的下方設(shè)置化學(xué)單元C和電氣單元E。由于近年來(lái)抗蝕液的種類(lèi)增加，因此，能夠如上所述地保證藥液系統(tǒng)和電氣系統(tǒng)的收容空間，有助于相應(yīng)地增加藥液系統(tǒng)的數(shù)量。
再有，作為檢查裝置，當(dāng)檢查裝置的周邊環(huán)境溫度達(dá)到例如30℃以上時(shí)，會(huì)對(duì)檢查裝置的檢測(cè)精度產(chǎn)生不良影響，因此，最好不要與貨架單元R的加熱部43相鄰地進(jìn)行設(shè)置，但在上述實(shí)施形式中，其布局能夠保證在處理工作站S3的與第1和第2檢查單元U1、U2鄰接的部分具有預(yù)定大小的空間，因此，具有組裝進(jìn)這些檢查單元U1、U2中的各檢查裝置不容易受到處理工作站S3溫度的影響的優(yōu)點(diǎn)。
此時(shí)，即使假定布局成第1和第2檢查單元U1、U2與貨架單元R的加熱部鄰接，但由于檢查工作站S2通過(guò)壁部34從處理工作站S3中分隔出來(lái)，因此，各檢查裝置不容易受到來(lái)自處理工作站S3的溫度的影響，而且若采用能夠以兼作溫度調(diào)整裝置的過(guò)濾裝置36將檢查工作站S2調(diào)整到預(yù)定的溫度和濕度的結(jié)構(gòu)，則作為各檢查裝置，因周邊環(huán)境溫度能夠被調(diào)整在預(yù)定范圍內(nèi)，而能夠不受周?chē)鷾囟葷穸鹊挠绊懚呔鹊剡M(jìn)行檢查。在布局成第1和第2檢查單元U1、U2與貨架單元R的加熱部相鄰接的場(chǎng)合，也可以在檢查單元U1、U2與加熱部之間設(shè)置絕熱部、例如絕熱材料或流通溫度調(diào)整用水的配管等。此外，進(jìn)行某種檢測(cè)時(shí)檢查工作站S2內(nèi)的溫度、濕度等環(huán)境氛圍也可以根據(jù)該檢測(cè)的用途相應(yīng)地進(jìn)行調(diào)整，例如也可以調(diào)整為與進(jìn)行涂布處理、顯影處理和曝光處理中之某一種處理時(shí)相同的環(huán)境氛圍。此外，收容盒工作站S1、檢查工作站S2、處理工作站S3和安裝該裝置的凈化間之間的壓力關(guān)系最好是，處理工作站S3＞收容盒工作站S1＞檢查工作站S2＞凈化間。即，最好是，處理工作站S3為最高的正壓，與之相比，檢查工作站S2為較低、繼而凈化間為更低的負(fù)壓狀態(tài)。這樣，在該裝置中進(jìn)行處理的過(guò)程中，能夠盡可能避免異物混入晶片W。對(duì)上述壓力的調(diào)整，可通過(guò)調(diào)整設(shè)置在各工作站內(nèi)的FFU(風(fēng)扇、過(guò)濾器、單元)和排風(fēng)機(jī)構(gòu)實(shí)現(xiàn)。在這種場(chǎng)合，例如可以在FFU或排氣機(jī)構(gòu)與各工作站之間插入沖孔金屬板，而對(duì)該沖孔金屬板的孔的數(shù)量或各孔的大小進(jìn)行調(diào)整，或者，在多個(gè)FFU或排氣機(jī)構(gòu)與各工作站之間例如插入兩片沖孔金屬板，而對(duì)兩片沖孔金屬板的位置關(guān)系即孔的重合度進(jìn)行調(diào)整，從而對(duì)上述壓力進(jìn)行調(diào)整。
以上，就上述實(shí)施形式中，作為檢查部以檢查工作站S2中具備膜厚檢查裝置31、缺陷檢查裝置32為例進(jìn)行了說(shuō)明，但也可以是檢查工作站S2中僅具備缺陷檢查裝置32而構(gòu)成，這種場(chǎng)合下，具有不必改變工作流程而能夠?qū)z查部組合在涂布·顯影裝置中的優(yōu)點(diǎn)。即，在現(xiàn)有的涂布·顯影裝置中，晶片W的輸送流向是一定的，若結(jié)合圖2進(jìn)行說(shuō)明，則是曝光前的晶片W從圖中的收容盒工作站S1到曝光裝置S5，是從X方向的左側(cè)輸送到右側(cè)，而曝光后的晶片W則以相反的路徑，即從曝光裝置S5到收容盒工作站S1，是X方向的右側(cè)輸送到左側(cè)。因此，在設(shè)置像缺陷檢查裝置32那樣的、顯影處理后進(jìn)行預(yù)定的檢查的檢查部的場(chǎng)合，只要將檢查工作站S2設(shè)置在收容盒工作站S1與處理工作站S3之間，便能夠使上述晶片W的輸送流向不發(fā)生逆轉(zhuǎn)而在顯影處理后進(jìn)行預(yù)定的檢查。
另外，在上述例子中，收容盒工作站S1、檢查工作站S2、處理工作站S3、接口工作站S4是彼此間能夠自由連接與分離地進(jìn)行設(shè)置的，而且，即使檢查工作站S2翻轉(zhuǎn)180度，也能夠與收容盒工作站S1、處理工作站S3之間進(jìn)行訪問(wèn)，因此，提高了布局的變通性。即，不僅可以采用將檢查工作站S2設(shè)置在收容盒工作站S1與處理工作站S3之間的布局，而且還可以如圖9所示，采用在處理工作站S3與接口工作站S4之間進(jìn)行設(shè)置的布局。
這種構(gòu)成是為了對(duì)涂布抗蝕液后的晶片W進(jìn)行預(yù)定的檢查而采用的布局的例子，除了檢查工作站S2的位置不同之外，其構(gòu)成與圖1所示的例子大體相同，但在處理工作站S3與檢查工作站S2之間，是經(jīng)由處理工作站S3的貨架單元R2的傳遞部46以檢查工作站S2的基板輸送部MA1進(jìn)行晶片W的傳遞，而在檢查工作站S2與接口工作站S4之間，是經(jīng)由檢查工作站S2的傳遞部33以接口工作站S4的輸送臂A再經(jīng)由壁部34的傳遞口35進(jìn)行晶片W的傳遞的。
還將晶片W以如下輸送流向進(jìn)行輸送。即，將預(yù)先測(cè)定了空白硅晶片的膜厚的晶片W通過(guò)傳遞臂23放置在檢查工作站S2的貨架單元R1的傳遞部46上，然后，按照貨架單元R的疏水化部45→貨架單元R的冷卻部44→涂布單元42的路徑進(jìn)行輸送。涂布抗蝕液后的晶片W通過(guò)基板輸送部MA2經(jīng)貨架單元R的加熱部43→貨架單元R的冷卻部44→貨架單元R2的傳遞部46輸送，然后，通過(guò)檢查工作站S2的基板輸送部MA1輸送到膜厚檢查裝置31和缺陷檢查裝置32等預(yù)定的檢查裝置中，進(jìn)行抗蝕膜膜厚、抗蝕液涂布不均勻度、ERB裁切寬度等預(yù)定的檢查。
經(jīng)過(guò)以上檢查后的晶片W通過(guò)基板輸送部MA1輸送到傳遞部33上，該晶片W被接口工作站S4的傳遞臂A所接受并輸送到曝光裝置S5中。然后，將曝光后的晶片W按照接口工作站S4的傳遞臂A→檢查工作站S2的傳遞部33→基板輸送部MA1→處理工作站S3的貨架單元R2的傳遞部46→基板輸送部MA2→貨架單元R的加熱部43→貨架單元R的冷卻部44→顯影單元41→貨架單元R的加熱部43→貨架單元R的冷卻部44→貨架單元R1的傳遞部46的路徑進(jìn)行輸送。
此外，在該例中，也可以是將曝光后的晶片W從接口工作站S4向檢查工作站S2輸送，在這里進(jìn)行曝光狀況的檢查，之后將晶片W輸送到處理工作站S3中。
如上所述，在該例中，由于檢查工作站S2以可自由連接和分離地設(shè)置，并設(shè)置在處理工作站S3與接口工作站S4之間，因此，如預(yù)先已對(duì)空白硅晶片的厚膜進(jìn)行了測(cè)定，則能夠在涂布抗蝕液后進(jìn)行預(yù)定的檢查而晶片W的輸送流向不會(huì)逆轉(zhuǎn)。相比之下，采用將上述檢查工作站S2設(shè)置在收容盒工作站S1與處理工作站S3之間的布局時(shí)，在涂布抗蝕液后要進(jìn)行預(yù)定的檢查時(shí)，已經(jīng)輸送到處理工作站S3中的晶片W需要返回檢查工作站S2，造成晶片W的流向逆轉(zhuǎn)。
接下來(lái)，對(duì)涂布抗蝕液后和顯影處理后分別進(jìn)行預(yù)定檢查這樣一種布局的例子結(jié)合圖10進(jìn)行說(shuō)明。該構(gòu)成中，具有進(jìn)行抗蝕液涂布的第1處理工作站S6和進(jìn)行顯影處理的第2處理工作站S7兩個(gè)處理工作站，為了在第1和第2處理工作站S6、S7之間設(shè)置檢查工作站S2，從收容盒工作站S1到曝光裝置S5，按照收容盒工作站S1、第1處理工作站S6、檢查工作站S2、第2處理工作站S7、接口工作站S4、曝光裝置S5的順序進(jìn)行布置。
作為第1和第2處理工作站S6、S7，除了處理單元分別由例如4個(gè)構(gòu)成第1基板處理部的涂布單元42、構(gòu)成第2基板處理部的顯影單元41構(gòu)成之外，其它構(gòu)成與上述檢查工作站S2大體相同，而在第1處理工作站S6與檢查工作站S2之間，經(jīng)由前述處理工作站S6的貨架單元R2的傳遞部46以檢查工作站S2的基板輸送部MA1進(jìn)行晶片W的傳遞，在檢查工作站S2與第2處理工作站S7之間，經(jīng)由該第2處理工作站S7的傳遞部46以檢查工作站S2的基板輸送部MA1進(jìn)行晶片W的傳遞。
在這樣的構(gòu)成中，將晶片W按照以下的輸送流向進(jìn)行輸送。即，將預(yù)先測(cè)定了空白硅晶片的膜厚的晶片W通過(guò)傳遞壁23放置到第1處理工作站S6的貨架單元R1的傳遞部46上，然后，通過(guò)基板輸送部MA2按照貨架單元R的疏水化部45→貨架單元R的冷卻部44→涂布單元42的路徑進(jìn)行輸送。涂布抗蝕液后的晶片W通過(guò)基板輸送部MA2按照貨架單元R的加熱部43→貨架單元R的冷卻部43→貨架單元R2的傳遞部46的路徑進(jìn)行輸送，然后，通過(guò)檢查工作站S2的基板輸送部MA1輸送到該檢查工作站S2中，以膜厚檢查裝置31和缺陷檢查裝置32等預(yù)定的檢查裝置進(jìn)行業(yè)已敘述的預(yù)定的檢查。
經(jīng)過(guò)以上檢查之后的晶片W通過(guò)基板輸送部MA1輸送到第2處理工作站S7的貨架單元R1的傳遞部46上，該晶片W通過(guò)該工作站S7的基板輸送部MA2經(jīng)由貨架單元R2的傳遞部46傳遞到接口工作站S4的傳遞臂A上，并輸送到曝光裝置S5中。然后，將曝光后的晶片W按照接口工作站S4的傳遞臂A→第2處理工作站S7的貨架單元R2的傳遞部46→基板輸送部MA2→貨架單元R的加熱部43→貨架單元R的冷卻部44→顯影單元41→貨架單元R的加熱部43→貨架單元R的冷卻部44→貨架單元R1的傳遞部46的路徑進(jìn)行輸送。
之后，將晶片W通過(guò)檢查工作站S2的基板輸送部MA1輸送到該工作站S2的膜厚檢查裝置31和缺陷檢查裝置32等預(yù)定的檢查裝置中，以各自的檢查裝置進(jìn)行預(yù)定的檢查。
檢查結(jié)束后的晶片W通過(guò)檢查工作站S2的基板輸送部MA1輸送到第1處理工作站S6的貨架單元R2的傳遞部46上，然后，通過(guò)基板輸送部MA2經(jīng)由貨架單元R1的傳遞部46例如輸送到原來(lái)的收容盒22中。
如上所述，在該例中，由于檢查工作站S2是可自由連接和分離地進(jìn)行設(shè)置的，并設(shè)置在第1處理工作站S6與第2處理工作站S7之間，因此，只要預(yù)先對(duì)空白硅晶片的厚膜進(jìn)行了測(cè)定，便能夠在涂布抗蝕液后和顯影處理后進(jìn)行預(yù)定的檢查而晶片W的輸送流向不會(huì)逆轉(zhuǎn)。
在上述情況中，作為本發(fā)明，也可以如圖11所示，預(yù)先準(zhǔn)備兩個(gè)檢查工作站，從收容盒工作站S1起沿X方向按照第1檢查工作站S2-1、處理工作站S3、第2檢查工作站S2-2、接口工作站S4、曝光裝置S5的順序排列。此時(shí)，對(duì)晶片W，首先以第1檢查工作站S2-1的膜厚檢查裝置31測(cè)定空白硅晶片的膜厚，之后，在處理工作站S3中進(jìn)行疏水化處理和抗蝕液涂布處理，在第2檢查工作站S2-2中進(jìn)行涂布抗蝕液后的預(yù)定的檢查。
之后，晶片W經(jīng)由接口工作站S4輸送到曝光裝置S5中，進(jìn)行曝光，曝光后的晶片W經(jīng)由接口工作站S4而在第2檢查工作站S2-2中進(jìn)行曝光狀況的檢查。然后，晶片W在處理工作站S3中進(jìn)行顯影處理，爾后在第1檢查工作站S2-1中進(jìn)行顯影之后的預(yù)定的檢查。在這樣的構(gòu)成中，晶片W是按照收容盒工作站S1→第1檢查工作站S2-1→處理工作站S3→第2檢查工作站S2-2→曝光裝置S5→第2檢查工作站S2-2→處理工作站S3→第1檢查工作站S2-1→收容盒工作站S1的路徑輸送的，因此，能夠在不會(huì)形成收容盒工作站S1→曝光裝置S5→收容盒工作站S1這種晶片W輸送流向逆轉(zhuǎn)的情況下進(jìn)行預(yù)定的檢查。
此外，作為本發(fā)明，也可以如圖12所示，預(yù)先準(zhǔn)備三個(gè)檢查工作站，從收容盒工作站S1起沿X方向按照第1檢查工作站S2-1、進(jìn)行抗蝕液涂布處理的第1處理工作站S6、第2檢查工作站S2-2、進(jìn)行顯影處理的第2處理工作站S7、第3檢查工作站S2-3、接口工作站S4、曝光裝置S5的順序進(jìn)行排列。
此時(shí)，對(duì)晶片W，首先以第1檢查工作站S2-1的膜厚檢查裝置31測(cè)定空白硅晶片的膜厚，然后在第1處理工作站S6中進(jìn)行疏水化處理和抗蝕液涂布處理，在第2檢查工作站S2-2(或者第3檢查工作站S2-3中進(jìn)行涂布抗蝕液后的預(yù)定的檢查。
之后，晶片W經(jīng)由第2處理工作站S7、接口工作站S4輸送到曝光裝置S5中進(jìn)行曝光，曝光后的晶片W經(jīng)由接口工作站S4在第3檢查工作站S2-3中進(jìn)行曝光狀況的檢查。然后，晶片W在第2處理工作站S7中進(jìn)行顯影處理，爾后在第2檢查工作站S2-2(或者第1檢查工作站S2-1)中進(jìn)行顯影后的預(yù)定的檢查。在這樣的構(gòu)成中，也能夠在晶片W的輸送流向不會(huì)發(fā)生逆轉(zhuǎn)的情況下進(jìn)行預(yù)定的檢查。
此外。作為本發(fā)明，也可以如圖13所示，預(yù)先準(zhǔn)備兩個(gè)檢查工作站，從收容盒工作站S1起沿X方向按照進(jìn)行抗蝕液涂布處理的第1處理工作站S6、第1檢查工作站S2-1、進(jìn)行顯影處理的第2處理工作站S7、第2檢查工作站S2-2、接口工作站S4、曝光裝置S5的順序進(jìn)行排列。
此時(shí)，將預(yù)先測(cè)定了空白硅晶片的膜厚的晶片W在第1處理工作站S6中進(jìn)行疏水化處理和抗蝕液涂布處理，在第1檢查工作站S2-1(或者第2檢查工作站S2-2)中進(jìn)行涂布抗蝕液后的預(yù)定的檢查。
之后，晶片W經(jīng)由第2處理工作站S7、接口工作站S4輸送到曝光裝置S5中進(jìn)行曝光。曝光后的晶片W經(jīng)由接口工作站S4在第2檢查工作站S2-2中進(jìn)行曝光狀況的檢查。然后，晶片W在第2處理工作站S7中進(jìn)行顯影處理，爾后在第1檢查工作站S2-1中進(jìn)行顯影之后的預(yù)定的檢查。在這樣的構(gòu)成中，也能夠在晶片W的輸送流向不會(huì)發(fā)生逆轉(zhuǎn)的情況下進(jìn)行預(yù)定的檢查。
在上述情況下，作為本發(fā)明，只要其構(gòu)成是設(shè)置有收容盒工作站S1、處理工作站S3和檢查工作站S2，在檢查工作站S2中，對(duì)經(jīng)處理工作站S3處理的晶片W進(jìn)行抗蝕液涂布處理和顯影處理的處理狀況進(jìn)行檢查；則采用何種布局均可。
此時(shí)，檢查工作站S2的檢查裝置既可以是一個(gè)，也可以是多個(gè)，作為檢查裝置的種類(lèi)，除了可以具有膜厚測(cè)定裝置和缺陷檢查裝置之外，還可以具有進(jìn)行微粒計(jì)數(shù)、EBR寬度測(cè)定、WEE寬度測(cè)定、涂布不均勻度、顯影不均勻度、未涂布部位、未顯影部位、線寬測(cè)定、曝光失焦等項(xiàng)檢查的裝置。此外，作為利用檢查工作站的空間而設(shè)置的收容部，可根據(jù)晶片W上所形成的膜的種類(lèi)，全部作為化學(xué)單元C，也可以全部作為電氣單元E使用。
此外，也可以是，檢查工作站S2內(nèi)不設(shè)置基板輸送部MA1，該檢查工作站S2內(nèi)晶片W的輸送通過(guò)收容盒工作站S1的傳遞臂23或檢查工作站S2的基板輸送部MA2進(jìn)行。
此外，若檢查工作站S2是與收容盒工作站S1或處理工作站S3等可自由連接與分離地進(jìn)行設(shè)置的，則可以不采用通過(guò)壁部34與周?chē)指糸_(kāi)的結(jié)構(gòu)，也不一定要將檢查工作站S2內(nèi)的氛圍調(diào)整到預(yù)定的溫度和濕度。
此外，對(duì)于上述例子中對(duì)晶片表面進(jìn)行的疏水化處理也可以代之以防反射膜的形成，所說(shuō)基板也不限于晶片，還可以是液晶顯示器用的玻璃基板。在形成防反射膜的場(chǎng)合，只要在檢查工作站中設(shè)置能夠檢測(cè)反射率的檢查單元即可?？梢允?，在曝光前進(jìn)行這種反射率檢測(cè)并向曝光裝置輸送檢測(cè)信息，曝光裝置根據(jù)該信息將曝光量控制在一定程度。
如上所述，作為本發(fā)明，由于將具備檢查部的檢查工作站與處理工作站相連接而構(gòu)成基板處理裝置，因此，能夠?qū)崿F(xiàn)從基板處理到檢查的作業(yè)的簡(jiǎn)單化，縮短作業(yè)時(shí)間。
下面，對(duì)本發(fā)明的另一實(shí)施形式進(jìn)行說(shuō)明。
圖14是展示本發(fā)明的實(shí)施形式所涉及的涂布、顯影裝置200的內(nèi)部以及在該裝置200上連接曝光裝置S5而成的圖案形成系統(tǒng)的整體概況的俯視圖，圖15是大略示出涂布、顯影裝置200的立體圖。涂布、顯影裝置200由載體工作站202、處理工作站203、接口工作站204以及檢查工作站205等構(gòu)成。
前述載體工作站202具有載體輸入輸出部(載體工作臺(tái))221，該載體輸入輸出部221用來(lái)將構(gòu)成了將多片、例如25片作為基板的晶片W呈貨架狀進(jìn)行保持的輸送容器的晶片載體(以下簡(jiǎn)稱(chēng)為“載體”)C相對(duì)于涂布、顯影裝置200送入和送出，例如以4個(gè)載體C被定位于各自預(yù)定位置上的狀態(tài)沿X方向排列；作為第1傳遞部的第1傳遞臂222，該第1傳遞臂222用來(lái)相對(duì)于載置于該載體輸入輸出部221上的載體C進(jìn)行晶片W的傳遞。第1傳遞臂222是在可在X、Z方向上自由移動(dòng)且能夠以垂直軸為軸自由旋轉(zhuǎn)的底座上設(shè)置可自由進(jìn)退的臂而構(gòu)成的。在該例中，前述載體輸入輸出部221兼作如后所說(shuō)地將裝有在外部經(jīng)過(guò)處理即形成有抗蝕膜圖案的晶片的載體送入的外部載體載置部使用。
前述處理工作站203相對(duì)于前述載體工作站202在Y方向上鄰接地進(jìn)行設(shè)置，并且，中央具有被稱(chēng)作主輸送臂的晶片輸送部231(以下稱(chēng)作主輸送臂)，在該主輸送臂231的沿Y方向看過(guò)去時(shí)的前后，分別設(shè)有貨架232、233。這些貨架232、233由多個(gè)單元重疊而成，如圖16所示，對(duì)晶片進(jìn)行加熱的加熱單元301、冷卻晶片的冷卻單元302、用來(lái)使晶片對(duì)準(zhǔn)位置的定位單元303、使晶片表面疏水化的疏水化單元304、具備進(jìn)行晶片W的傳遞的工作臺(tái)的傳遞單元305、306等被分配在這些單元中。圖16所示單元的分配只是為了方便圖形的繪制，并不表明以此分配方案為限。
在從載體工作站202向處理工作站203看過(guò)去時(shí)的、前述主輸送臂231的右側(cè)，在下段設(shè)有兩個(gè)作為涂布部的涂布單元234，上段設(shè)有兩個(gè)作為顯影部的顯影單元235。前述主輸送臂231以能夠自由升降、能夠以垂直軸為軸自由旋轉(zhuǎn)、可自由進(jìn)退地構(gòu)成，起著在貨架232、233的各單元、涂布單元234及顯影單元235之間傳遞晶片W的作用。
涂布單元234，例如是對(duì)晶片W以吸嘴進(jìn)行保持并使之旋轉(zhuǎn)、向晶片W的中心部位供給抗蝕液、利用離心力使之?dāng)U散從而在晶片W上涂布抗蝕液的單元。而顯影單元235是在曝光后的晶片W的表面涂布顯影液而進(jìn)行顯影的單元。
此外，接口工作站204具有在前述貨架233的傳遞單元306與曝光裝置S5之間進(jìn)行晶片W的傳遞的傳遞臂241、對(duì)曝光后的晶片W的周緣部分進(jìn)行曝光的周緣曝光單元242、以及未圖示的緩沖用的晶片保持架等。附著在晶片W周緣的抗蝕膜會(huì)剝離而成為微粒，而周緣曝光單元242，就是用來(lái)先對(duì)該周緣進(jìn)行曝光以便之后以顯影液將抗蝕膜除去，具有用來(lái)載置晶片W并可在X、Y方向上移動(dòng)的X、Y工作臺(tái)以及曝光機(jī)。
前述檢查工作站205與前述載體工作站202在X方向上相鄰接，上下排列有多個(gè)對(duì)處理后的晶片W進(jìn)行檢查的檢查部206(多級(jí)設(shè)置)。該檢查部206是用來(lái)檢查涂布處理后晶片W上所涂布的抗蝕液的涂布狀況、曝光處理后晶片W表面的曝光狀況、顯影處理后晶片W表面的曝光狀況的，具體地說(shuō)就是對(duì)抗蝕膜圖案的線寬、抗蝕膜圖案與底膜的重合情況、顯影缺陷、抗蝕液的涂布及曝光狀態(tài)等進(jìn)行檢查。
在該例中，檢查部206設(shè)置的級(jí)數(shù)為3級(jí)，但也可以是2級(jí)或4級(jí)以上，而且還可以是單級(jí)。在下面的說(shuō)明中，當(dāng)將該檢查部稱(chēng)作圖案檢查部時(shí)，圖案檢查部206具有例如圖4所示的結(jié)構(gòu)。
此外，前述檢查工作站205具有作為與前述圖案檢查部206之間進(jìn)行晶片W的傳遞的輔助輸送部的、在可在Z方向上自由移動(dòng)且能夠以垂直軸為軸自由旋轉(zhuǎn)的底座上所設(shè)置的可自由進(jìn)退的臂而成的輔助臂251，以及，在與該輔助臂251和前述載體工作站202的第1傳遞臂222之間進(jìn)行晶片W的傳遞時(shí)、臨時(shí)予以載置的中間載置部252。該檢查工作站205作為其整體被框體所包圍并且例如在底部安裝未圖示的腳輪的一個(gè)單元而構(gòu)成，可相對(duì)于載體工作站202進(jìn)行連接和分離。
前述中間載置部252例如如圖17所示地構(gòu)成，即，形成有可將多個(gè)、例如25片晶片W呈貨架狀保持的多個(gè)臺(tái)階部253，并且在兩側(cè)有開(kāi)口，以便于傳遞臂222及輔助臂251進(jìn)行訪問(wèn)(傳遞)。如上所述，通過(guò)使中間載置部252具有可收容多個(gè)晶片W的結(jié)構(gòu)，使得能夠在處理工作站203的處理能力大于檢查工作站205的處理能力時(shí)發(fā)揮緩沖作用，避免整體處理能力因檢查工作站205的處理能力而降低。
在該例中，傳遞臂222及輔助臂251能夠訪問(wèn)中間載置部252之任何一級(jí)上的晶片W，因此，作為臂222、251一側(cè)，需要獲知在哪一級(jí)收容有晶片W，例如需要在臂222、251上設(shè)置由光反射傳感器構(gòu)成的映射傳感器。作為中間載置部252，除了上述結(jié)構(gòu)之外，還可以代之以如圖18所示，在作為載置部的載置臺(tái)254上設(shè)置兩級(jí)載置臺(tái)，將下級(jí)作為專(zhuān)用于從傳遞臂222向輔助臂251進(jìn)行檢查前晶片W的傳遞的送入工作臺(tái)255，將上級(jí)作為專(zhuān)用于從輔助臂251向傳遞臂222傳遞進(jìn)行檢查后的晶片W的送出工作臺(tái)256。具體地說(shuō)，晶片W放置在3根突起250上，在其下方保留有供臂222、251進(jìn)入的空間。按照這種構(gòu)成，輔助臂251取放晶片W的位置是確定的，故不必在輔助臂251上設(shè)置映射傳感器。
此外，在前述載體工作站202的輸入輸出工作臺(tái)221的下部以及檢查工作站205的底部，如圖15和圖16所示，例如設(shè)有合計(jì)3個(gè)的化學(xué)單元223。該化學(xué)單元223包含有從Y方向上看過(guò)去時(shí)的前側(cè)和縱深側(cè)能夠啟閉的框體224(參照?qǐng)D16)，以及收容在該框體224內(nèi)的、內(nèi)有前述涂布單元234要使用的抗蝕液或顯影液或者顯影單元235要使用的顯影液的容器225，但還可以將抗蝕液(顯影液)供給通路中的諸如泵、過(guò)濾器和閥門(mén)等收容在框體224內(nèi)。涂布、顯影裝置被設(shè)計(jì)得體積盡可能小，因此，用來(lái)放置容納處理液的容器的空間不易保證，故通常將容器配置在裝置的外部，相比之下，將前述容器放置在檢查工作站205的底部，可使空間得到有效利用，是一個(gè)很好的辦法。
下面，對(duì)本實(shí)施形式所涉及的涂布、顯影裝置的控制系統(tǒng)結(jié)合圖19進(jìn)行說(shuō)明。271是程序存放部271，存放一般處理用程序和檢查部單獨(dú)使用程序。272是模式選擇部，可選擇一般模式或檢查部單獨(dú)使用模式，例如組裝在設(shè)置于涂布、顯影裝置的外表面的操作盤(pán)中。選擇一般模式的場(chǎng)合，由數(shù)據(jù)處理部273讀出一般處理用程序，使各工作站202、203、204、205工作；選擇檢查部單獨(dú)使用模式的場(chǎng)合，由數(shù)據(jù)處理部273讀出檢查部單獨(dú)使用程序，使載體工作站202和檢查工作站205工作。270是總線。
下面，對(duì)上述實(shí)施形式的工作原理進(jìn)行說(shuō)明。首先，假設(shè)通過(guò)模式選擇部272選擇了一般模式。從外部將容納有作為應(yīng)當(dāng)形成抗蝕膜圖案的基板的例如25片晶片W的載體C送入載體工作站202的載體輸入輸出工作臺(tái)221上，通過(guò)傳遞臂222從該載體C中取出晶片W。晶片W從傳遞臂222上經(jīng)由貨架232的傳遞單元305傳遞到主臂222上，進(jìn)而依次輸送到貨架232(或233)的處理單元中，進(jìn)行預(yù)定的處理例如疏水化處理、冷卻處理等。之后，該晶片W在涂布單元234中涂布抗蝕液，進(jìn)而經(jīng)加熱處理后，從貨架233的傳遞單元306經(jīng)由接口工作站204送入曝光裝置S5中。
在曝光裝置S5中曝光后的晶片W經(jīng)相反的路徑返回處理工作站203，通過(guò)主輸送臂231輸送到顯影單元235中，進(jìn)行顯影處理。具體地說(shuō)，晶片W在顯影處理前進(jìn)行加熱處理和冷卻處理。顯影處理后的晶片W經(jīng)與上述相反的路徑傳遞到傳遞臂222上，之后被送到中間載置部252中。此時(shí)，若檢查工作站205的某一個(gè)圖案檢查部206空出，則放置在中間載置部252中的晶片W被輔助臂251輸送到圖案檢查部206中，但若所有的圖案檢查部206處于使用中，則輔助臂251待機(jī)，在完成了檢查的晶片W被輸送到中間載置部252中之后，將一直等待的中間載置部252上的晶片W輸送到圖案檢查部206中。對(duì)送入圖案檢查部206中的晶片W進(jìn)行圖案的線寬、圖案與基底膜二者的重合度、顯影不均勻度和顯影缺陷等檢查，圖案檢查結(jié)果合格的晶片W經(jīng)由輔助臂251、中間載置部252及傳遞臂222例如返回原來(lái)的載體C中。而不合格的晶片W，例如通過(guò)圖案檢查部206做上記號(hào)與合格品區(qū)分開(kāi)后返回原來(lái)的載體C中，或者例如輸送到檢查工作站205內(nèi)或載體工作站202內(nèi)的未圖示的不合格品回收用收容部中。在上述實(shí)施形式中，對(duì)于顯影處理后對(duì)晶片W表面進(jìn)行檢查的場(chǎng)合進(jìn)行了說(shuō)明，但各種檢查也可以酌情在涂布處理前、涂布處理后、曝光處理后等各處理工序的前后進(jìn)行。
下面，對(duì)通過(guò)模式選擇部272選擇了檢查部單獨(dú)使用模式而以檢查部單獨(dú)使用程序進(jìn)行運(yùn)行的場(chǎng)合進(jìn)行說(shuō)明。在例如下列情況下選擇這種模式晶片W的抗蝕處理未進(jìn)行、即處理工作站203未使用時(shí)，或者處理工作站203、接口工作站204或曝光裝置S5正在進(jìn)行維修時(shí)，等等。在該模式下，從本涂布、顯影裝置的外部將裝有檢查用晶片W的載體C送入輸入輸出工作臺(tái)221中。該載體C的送入位置例如可以限定在圖14的最靠近圖案檢查部206的載體C載置位置上，也可以做成可將其載置于輸入輸出工作臺(tái)221的4個(gè)部位的任何一個(gè)部位上。這樣，在載體C被送入輸入輸出工作臺(tái)221中后，傳遞臂222從該載體C中取出晶片W，如已說(shuō)明的那樣送入圖案檢查部206中進(jìn)行檢查。即，在這種場(chǎng)合，利用載體工作站202使檢查工作站205單獨(dú)工作。
根據(jù)這樣的實(shí)施形式，由于與載體工作站202相鄰地連接檢查工作站205，顯影后的晶片W能夠以所謂在線方式輸送到圖案檢查部206中，因此，顯影后的晶片W不必送到涂布、顯影裝置之外而能夠在裝置內(nèi)部進(jìn)行圖案檢查，因此，可以提高處理能力，此外，由于能夠通過(guò)涂布、顯影裝置的操作部顯示圖案檢查的結(jié)果，因此，還能夠迅速采取諸如修改曝光裝置S5和顯影單元235的配方等措施。
此外，除了一般處理用程序之外，還備有檢查部單獨(dú)使用程序，因此，未進(jìn)行涂布、顯影處理的場(chǎng)合，例如處理工作站203進(jìn)行維修時(shí)，能夠利用載體工作站202的傳遞臂222使圖案檢查部206單獨(dú)工作，能夠?qū)?lái)自外部的晶片放入進(jìn)行圖案檢查。并且，此時(shí)載體C的輸入輸出是通過(guò)輸入輸出工作臺(tái)221進(jìn)行的，因此，能夠利用車(chē)間內(nèi)移動(dòng)于裝置之間的自動(dòng)輸送機(jī)器人AGV從外部進(jìn)行載體的輸入輸出。
此外，一般來(lái)說(shuō)，曝光裝置S5的X方向的長(zhǎng)度要大于顯影裝置的X方向的長(zhǎng)度，若將設(shè)置有涂布單元234的一側(cè)表面對(duì)齊，則如圖14所示，在相反一側(cè)，曝光裝置S5將突出出來(lái)，與突出的區(qū)域相對(duì)應(yīng)的涂布、顯影裝置旁側(cè)的區(qū)域成了死角空間，但通過(guò)在曝光裝置S5的突出側(cè)設(shè)置檢查工作站205，可有效地利用死角空間。
有時(shí)，要對(duì)成品晶片的每一預(yù)定片數(shù)進(jìn)行抗蝕膜膜厚的檢查，或者將監(jiān)控用晶片定期送入以檢查抗蝕膜的厚度，或者要對(duì)晶片W上的薄膜、例如多晶硅或硅氧化膜的膜厚進(jìn)行檢查，為此，是將膜厚測(cè)定部例如組合在已述的周緣曝光單元242中進(jìn)行設(shè)置的，但是，也可以將該厚膜測(cè)定部組裝在圖案檢查部206中或者另外設(shè)置在檢查工作站205內(nèi)。在組裝于圖案檢查部206內(nèi)的場(chǎng)合，例如在圖4所示的CCD攝像機(jī)120的旁邊設(shè)置用來(lái)獲得來(lái)自晶片W的反射光的頻譜的膜厚傳感器即可。
下面，就本發(fā)明的其它實(shí)施形式列舉幾個(gè)例子。圖20和圖21示出將第1傳遞臂222與輔助臂251之間的中間載置部252設(shè)置在載體工作站202一側(cè)的例子，該例中，中間載置部252設(shè)置在比輸入輸出工作臺(tái)221的載體C的排列高出一級(jí)的位置上。此時(shí)，作為傳遞臂222，在從中間載置部252中取出經(jīng)過(guò)圖案檢查的晶片W之后下降，以向載體C輸送，但具有檢查工作站205的Y方向長(zhǎng)度可以較短這樣一個(gè)優(yōu)點(diǎn)。圖22示出將中間載置部252例如以與輸入輸出工作臺(tái)221上的載體C相同的高度水平、橫跨載體工作站202與檢查工作站205進(jìn)行設(shè)置的例子。
在以上的實(shí)施形式中，也可以如圖23所示，在中間載置部252上設(shè)置由能夠?qū)d體C進(jìn)行定位的導(dǎo)向部構(gòu)成的外部載體載置部208，在檢查部單獨(dú)使用模式下，將裝有在外部形成了抗蝕圖案的晶片的載體C載置在該外部載體載置部208上。
此外，圖24和圖25示出在圖案檢查部206中，設(shè)置如圖23所示地具有載體定位部的外部載體載置部208的例子。外部載體載置部208例如與載體輸入輸出工作臺(tái)221同高，設(shè)置在臨近自動(dòng)輸送機(jī)器人AGV的輸送路線的位置上，可利用自動(dòng)輸送機(jī)器人AGV進(jìn)行載體C的輸入輸出。在這種場(chǎng)合，載置于外部載體載置部208上的載體C內(nèi)的晶片W由輔助臂252直接取出而送入圖案檢查部206。因此，該涂布、顯影裝置之外的例如同一凈化間內(nèi)的其它裝置中的晶片W也能夠以該裝置進(jìn)行檢查。
至此所說(shuō)明的例子的輔助臂251的示意俯視圖是與傳遞臂222的圖合在一起的，這是基于中間載置部252以多級(jí)載置臺(tái)(參照?qǐng)D17)構(gòu)成的場(chǎng)合需要有標(biāo)識(shí)傳感器，在設(shè)置有如圖18所示的專(zhuān)用的送入工作臺(tái)和送出工作臺(tái)的場(chǎng)合，則可作為不載有標(biāo)識(shí)傳感器的輸送機(jī)構(gòu)構(gòu)成中間載置部252。
此外，圖26所示的實(shí)施形式中，在載體工作站202與檢查工作站205之間，設(shè)有在圖案檢查部206單獨(dú)使用時(shí)用來(lái)輸入輸出來(lái)自外部的晶片的、例如可自由拆裝地設(shè)置的外部基板輸入輸出工作站209。該外部基板輸入輸出工作站209設(shè)置在臨近自動(dòng)輸送機(jī)器人AGV的輸送路線的位置上，具有為了以自動(dòng)輸送機(jī)器人AGV進(jìn)行載體C的輸入輸出而設(shè)置的外部載體載置部208，以及作為用來(lái)相對(duì)于該外部載體載置部208進(jìn)行晶片W的傳遞的第2傳遞部的第2傳遞臂291。
前述檢查工作站205具有為了在輔助臂251和前述第2傳遞臂291之間進(jìn)行晶片傳遞的中間載置部258。作為該中間載置部258，可以如已述的圖17或圖18所示的結(jié)構(gòu)構(gòu)成，但在該例中，由于與圖20和圖21所示的例子同樣，在載體工作站202內(nèi)，例如設(shè)置有具備多級(jí)載置臺(tái)的中間載置部252，因此，例如是由送入專(zhuān)用工作臺(tái)和送出專(zhuān)用工作臺(tái)構(gòu)成。
該實(shí)施形式中，在一般模式下，各處理工序之后例如涂布后、曝光后、顯影后的晶片W是按照第1傳遞臂222→中間載置部252→第2傳遞臂291→中間載置部258→輔助臂251→圖案檢查部206的路徑進(jìn)行輸送，而在檢查部單獨(dú)使用模式下，載置于外部載體載置部208上的載體C中的晶片是按照第2傳遞臂291→中間載置部258→輔助臂251→圖案檢查部206的路徑進(jìn)行輸送。
作為將處理工作站203中經(jīng)過(guò)顯影處理后的晶片向檢查工作站205進(jìn)行輸送的手法，也可以不使用傳遞臂222，而代之以例如設(shè)置將晶片從處理工作站205直接向檢查工作站205進(jìn)行輸送的輸送機(jī)構(gòu)。此外，作為基板并不限于晶片，也可以是液晶顯示器用的玻璃基板。
此外，傳遞臂222的結(jié)構(gòu)例如也可以如圖27所示，具有上下兩級(jí)的第1和第2臂401、402。并且，例如制成配置在上級(jí)的第1臂401的定心精度高于與第2臂402的機(jī)構(gòu)。
其中，所說(shuō)的定心精度，是指通過(guò)臂向裝置(保持部)一側(cè)進(jìn)行傳遞時(shí)，能夠傳遞到裝置內(nèi)所期望的位置上這樣一種度。例如，通過(guò)提高構(gòu)成臂的構(gòu)件的精度，可使定心精度提高。
本實(shí)施形式中，是使用定心精度高的第1臂401將晶片W從中間載置部258送入圖案檢查部206中，反之，使用定心精度差的第2臂402將晶片W從圖案檢查部206送出到中間載置部258中。
因此，由于如圖27所示傳遞臂222為二級(jí)臂結(jié)構(gòu)，故能夠在中間載置部258與圖案檢查部206之間高效率地、以很短的時(shí)間傳遞晶片W。此外，由于第1臂401的精度高于第2臂402，故能夠進(jìn)行精度更高的檢查，而且能夠更廉價(jià)地制造傳遞臂222。
如上所述，根據(jù)本發(fā)明，由于能夠在涂布，顯影裝置中進(jìn)行圖案檢查，因此，處理能力提高，而且，即使用來(lái)顯影的處理工作站等進(jìn)行維修而停止涂布、顯影處理時(shí)，仍能夠單獨(dú)使用檢查部，可對(duì)來(lái)自外部的基板進(jìn)行圖案檢查等。
上述實(shí)施形式中，采用的是將檢查工作站205連接在載體工作站202上的結(jié)構(gòu)，但也可以如圖28所示，將檢查工作站205連接在處理工作站203上。還可以如圖29所示，連接在接口工作站204上。此外，也可以是在將檢查工作站205連接在載體工作站202上的結(jié)構(gòu)的基礎(chǔ)上，再將其它檢查工作站連接在處理工作站203，或者將其它檢查工作站連接在接口工作站204上。
此外，也可以如圖30所示，將檢查工作站205連接在例如具有圖1所示結(jié)構(gòu)的裝置中的接口工作站S4上。
此外，也可以如圖31所示，連接在例如具有圖9所示結(jié)構(gòu)的裝置中的收容盒工作站S1上。
此外，還可以如圖32所示，將檢查工作站205連接在例如具有圖11所示結(jié)構(gòu)的裝置中的接口工作站S4上。
除此之外，作為本發(fā)明，除了上述系統(tǒng)結(jié)構(gòu)之外也可以考慮進(jìn)行各種組合。
如上所述的檢查裝置除了可以設(shè)置在特別的工作站中之外，還能夠設(shè)置在上述涂布、顯影裝置中的特定的位置上，或者替代各單元進(jìn)行組合，當(dāng)然，在這種情況下，可以與至此已說(shuō)明的檢查工作站并用。
圖33和圖34示出檢查裝置501配置在收容盒工作站S1內(nèi)的例子。在收容盒工作站S1的上部設(shè)有FFU502，并且在下部設(shè)有排氣機(jī)構(gòu)503。這種場(chǎng)合下，配置于收容盒工作站S1內(nèi)的檢查裝置501與其它排氣機(jī)構(gòu)504相連接。并且，這種場(chǎng)合下，收容盒工作站S1、檢查裝置501、處理工作站S3與安裝該裝置的凈化間之間的壓力關(guān)系也最好是，處理工作站S3＞收容盒工作站S1＞檢查裝置501＞凈化間。即，最好是，處理工作站S3為最高的正壓，與之相比，檢查裝置501為較低、繼而凈化間為更低的負(fù)壓狀態(tài)。這樣，在該裝置中進(jìn)行處理的過(guò)程中，能夠盡可能避免異物混入晶片W。對(duì)上述壓力的調(diào)整，可通過(guò)調(diào)整設(shè)置在各工作站內(nèi)的FFU(風(fēng)扇、過(guò)濾器、單元)和排風(fēng)機(jī)構(gòu)進(jìn)行。那時(shí)，例如可以在FFU或排氣機(jī)構(gòu)與各工作站之間插入沖孔金屬板，而對(duì)該沖孔金屬板的孔的數(shù)量或各孔的大小進(jìn)行調(diào)整，或者，在多個(gè)FFU或排氣機(jī)構(gòu)與各工作站之間例如插入兩片沖孔金屬板，并如圖35所示，對(duì)兩片沖孔金屬板701、702的位置關(guān)系、即孔703、704的重合度進(jìn)行調(diào)整，從而對(duì)上述壓力進(jìn)行調(diào)整。
下面，對(duì)本發(fā)明的又一實(shí)施形式進(jìn)行說(shuō)明。
圖36是示出該實(shí)施形式所涉及的涂布顯影裝置600連接在曝光裝置S5上而成的涂布顯影系統(tǒng)的整體概況的立體圖，圖37是該系統(tǒng)內(nèi)部的俯視圖，圖中的601是收容盒工作站，602是處理工作站，603是接口工作站。
收容盒工作站601這樣構(gòu)成，即，可供構(gòu)成了將多片、例如25片作為基板的晶片W呈貨架狀進(jìn)行保持的基板收容盒的晶片收容盒(以下稱(chēng)為“收容盒”)C輸入輸出，具有構(gòu)成可載置例如4個(gè)收容盒C的載置部的收容盒工作臺(tái)621，收容盒工作臺(tái)621上的收容盒C，以及構(gòu)成用來(lái)與后述的處理工作站602的傳遞部之間傳遞晶片W的傳遞部的傳遞臂622。傳遞臂622可自由升降、可在X、Z方向上自由移動(dòng)且能夠以垂直軸為軸自由旋轉(zhuǎn)而構(gòu)成。
處理工作站602這樣設(shè)置在與收容盒工作站601的收容盒排列方向大約垂直的方向(圖中X方向)上與收容盒工作站601相連接。并且，具有構(gòu)成基板處理部的顯影液631和涂布單元632，包含有用來(lái)檢查基板的處理狀況的多個(gè)檢查部的檢查單元604，主基板輸送部MA，貨架單元R；除了在收容盒工作站601與接口工作站603之間進(jìn)行晶片W的傳遞之外，在該處理工作站602內(nèi)，還可進(jìn)行在晶片W上涂布抗蝕液的處理，晶片W的顯影處理、在這些處理的前后進(jìn)行的使晶片W達(dá)到預(yù)定溫度的加熱或冷卻處理、以及例如對(duì)抗蝕液涂布處理后和顯影處理后的晶片W進(jìn)行預(yù)定的基板處理狀況檢查。
下面，對(duì)這種處理工作站602的布局之一例進(jìn)行說(shuō)明。例如在中央設(shè)有主基板輸送部MA，在該主基板輸送部MA的、從收容盒工作臺(tái)621向縱深看過(guò)去時(shí)的前后，分別設(shè)有貨架單元R1、R2。
此外，在從收容盒工作臺(tái)621向縱深看過(guò)去時(shí)的例如右側(cè)，設(shè)置有橫跨兩級(jí)設(shè)置的具有顯影單元631、涂布單元632、檢查單元604的處理單元U。該例中，在上級(jí)一側(cè)設(shè)有一個(gè)顯影單元631和一個(gè)檢查單元604，下級(jí)一側(cè)設(shè)有兩個(gè)涂布單元632。前述主基板輸送部MA的作用是在前述顯影單元631、涂布單元632、檢查單元604、貨架單元R1、R2之間進(jìn)行晶片W的傳遞，可如后所述地自由升降、前后、左右自由移動(dòng)且以垂直軸為軸自由旋轉(zhuǎn)。為了方便，在圖36中將主基板輸送部MA省略。
前述檢查單元604例如如圖38的立體圖、圖39的剖視圖所示，具有檢查裝置640，與前述主基板輸送部MA之間進(jìn)行晶片W的傳遞的傳遞工作站605，構(gòu)成在該傳遞工作站605與檢查裝置640之間傳遞晶片W的專(zhuān)用的輔助基板輸送部的輔助臂A。
前述傳遞工作站605構(gòu)成了與前述主基板輸送部MA之間進(jìn)行晶片W的傳遞的檢查用基板輸送部，配置在主基板輸送部MA可訪問(wèn)的位置上。此外，該傳遞工作站605例如這樣構(gòu)成，即，在其大小能夠容納晶片W的容器651的上部，設(shè)有前述主基板輸送部MA的后述的臂671，以及形成于下述位置上的多個(gè)、例如3個(gè)突部651a，即，當(dāng)前述輔助臂A的臂A1進(jìn)出于與該傳遞工作站605之間進(jìn)行晶片W的傳遞的位置處時(shí)、不會(huì)與這些臂671、A1形成干涉的位置上。
并且，在該傳遞工作站605與主基板輸送部MA及輔助臂A之間，保持著晶片W的臂671、A1能夠從上方下降而將晶片W傳遞給突部651a，臂671、A1還能夠從突部651a上的晶片W的下方上升而取下該651a上的晶片W。因此，作為突部651a的高度，為了在突部651a保持著晶片W時(shí)前述臂671、A1能夠進(jìn)退到該晶片W的下方，要相應(yīng)地比671、A1的厚度厚出指定的量。
該傳遞工作站605的下部、即前述容器651是例如作為可將預(yù)定片數(shù)的晶片W呈貨架狀予以保持的晶片載置部650而構(gòu)成。該晶片載置部650構(gòu)成了基板載置部，為了與主基板輸送部MA之間進(jìn)行晶片W的傳遞，例如前述容器651的與主基板輸送部MA相向的面開(kāi)口，以使主基板輸送部MA可對(duì)其進(jìn)行訪問(wèn)，在該開(kāi)口面的內(nèi)部形成有在縱向上相隔預(yù)定間隔形成的貨架部652，由此，晶片W能夠以縱向排列的狀態(tài)得到支持。
并且，在該晶片載置部650與主基板輸送部MA之間，保持著晶片W的臂671能夠從貨架部652的上方下降而將晶片W傳遞給貨架部652，而且臂671還能夠從貨架部652上的晶片W的下方上升而取下該貨架部652上的晶片W。因此，貨架部652的大小和排列間隔這樣設(shè)定，即，在與前述臂671之間傳遞晶片W時(shí)，不會(huì)與該臂671形成干涉。而晶片載置部650的貨架部652的數(shù)量是根據(jù)檢查處理所需要的時(shí)間和涂布顯影裝置600中晶片W的輸送間隔決定的。
作為前述檢查裝置640，在該例中具有多個(gè)、例如3個(gè)檢查部641(641A、641B、641C)，它們被設(shè)置在輔助臂A能夠訪問(wèn)的位置上。在圖38中，為了便于繪圖，所展示的是工作站605與檢查裝置640之間進(jìn)行晶片W的傳遞的狀態(tài)圖。
在該例中，將3個(gè)檢查部641例如分配為檢查顯影線寬的線寬檢查裝置641A，檢查上層的抗蝕膜圖案與基底圖案的重合度的重合檢查裝置641B，以及，對(duì)抗蝕膜表面的傷痕(擦痕檢測(cè))、涂布抗蝕液時(shí)有無(wú)異物混入(彗形物コメツト檢測(cè))、顯影不均勻度、顯影處理后的顯影缺陷等進(jìn)行檢查的缺陷檢查裝置641C，各檢查部641A、641B、641C與傳遞工作臺(tái)650之間可通過(guò)輔助臂A分別經(jīng)由晶片W的輸入輸出口642A、642B、642C進(jìn)行晶片W的傳遞。
前述線寬檢查裝置641A、重合檢查裝置641B、缺陷檢查裝置641C例如是通過(guò)CCD攝像機(jī)攝像進(jìn)行前述預(yù)定的檢查的，這些裝置例如像圖4那樣構(gòu)成。
前述輔助臂A是例如用來(lái)在傳遞工作臺(tái)與各檢查部641之間進(jìn)行晶片W的傳遞的，與傳遞臂622同樣，臂A1可自由升降、可在X、Y方向上自由移動(dòng)、能夠以垂直軸為軸自由旋轉(zhuǎn)。
在這里，檢查單元640并非一定要組裝在處理單元U中，只要其位置使主基板輸送部MA能夠訪問(wèn)傳遞工作站605，也可以布置在處理工作站602內(nèi)的任何位置上。而檢查單元640的構(gòu)成只要能夠經(jīng)由傳遞工作站605在主基板輸送部AM與檢查部641之間進(jìn)行晶片W的傳遞即可，檢查部641的數(shù)量也可以是3個(gè)以上或3個(gè)以下。另外，檢查部641的種類(lèi)也不限于上述例子，例如可以將下列裝置組裝進(jìn)去膜厚檢查裝置、對(duì)因曝光而產(chǎn)生的圖案的錯(cuò)位進(jìn)行檢查的散焦檢查裝置、對(duì)附著在晶片上的微粒數(shù)量進(jìn)行檢測(cè)的微粒檢查裝置、對(duì)從晶片表面飛出的抗蝕液的溶劑是否又附著到晶片上進(jìn)行檢查的濺返檢查裝置、對(duì)晶片表面的同一位置上以同一形狀出現(xiàn)的共有缺陷進(jìn)行檢查的共有缺陷檢查裝置、對(duì)顯影處理后的晶片上殘留的抗蝕膜殘?jiān)M(jìn)行檢測(cè)的浮渣檢查裝置、夾圈檢查裝置、NO RESIST檢查裝置、NO DEVLOP檢查裝置等。此外還可以做成，不僅對(duì)傳遞工作站605，而且對(duì)各檢查部641也是通過(guò)主基板輸送部MA進(jìn)行晶片W的傳遞。
前述貨架單元R1這樣構(gòu)成，即，如圖40所示，將加熱晶片W的加熱部661、冷卻晶片W的冷卻部662、使晶片表面疏水化的疏水化部663、具備用來(lái)在收容盒工作站601的傳遞臂622與該工作站602的主基板輸送部MA之間傳遞晶片W的傳遞臺(tái)的傳遞部664、以及使晶片W定位的定位部665等縱向排列而構(gòu)成。此外，作為貨架單元R2，縱向排列有對(duì)晶片W進(jìn)行加熱、然后進(jìn)行冷卻的多個(gè)CHP裝置666(Chilling Hot Plate Process Station)，以及具備用來(lái)在后述接口工作站603的傳遞臂與該工作站602的主基板輸送部MA之間傳遞晶片W的傳遞臺(tái)的傳遞部667等。圖40所示的分配方案只是為了方便圖形的繪制，并不表明以此分配方案為限，例如也可以將加熱部和冷卻部分在不同的貨架中。此外，例如還可以在從收容盒工作臺(tái)向縱深看過(guò)去時(shí)的左側(cè)，設(shè)置能夠沿導(dǎo)軌滑動(dòng)的、與前述貨架單元R1、R2同樣的貨架單元。
此外，顯影單元631例如如圖7所示地構(gòu)成。前述主基板輸送部MA例如如圖8所示地構(gòu)成。
這樣構(gòu)成的處理工作站602中，通過(guò)主基板輸送部MA對(duì)涂布單元631、顯影單元632、檢查單元604的傳遞工作臺(tái)605、貨架單元R的各部進(jìn)行訪問(wèn)，而對(duì)該訪問(wèn)的時(shí)序以及涂布單元631和顯影單元632、檢查單元604和貨架單元R的各部中處理的開(kāi)始及終了的時(shí)序等一系列的控制，是通過(guò)存放在未圖示的控制部?jī)?nèi)的程序?qū)嵤┑摹?br> 與處理工作站602在X方向上相鄰地連接有接口工作站603，在該接口工作站603的縱深一側(cè)連接有對(duì)已形成了抗蝕膜的晶片W進(jìn)行曝光的曝光裝置S5。接口工作站603具有用來(lái)在處理工作站602和曝光裝置S5之間傳遞晶片W的輸送臂676，作為該輸送臂676，為了能夠在處理工作站602的貨架單元R2的傳遞部667與曝光裝置S5之間進(jìn)行晶片W的傳遞，例如可自由升降、可前后、左右自由移動(dòng)且能夠以垂直軸為軸自由旋轉(zhuǎn)地構(gòu)成。
下面，就在上述裝置中實(shí)施的本發(fā)明的方法，以對(duì)每一預(yù)定片數(shù)、例如每一收容盒C中的、收容盒C的第1片晶片W在顯影處理后進(jìn)行預(yù)定的檢查，而檢查部單元604的處理能力為60片/h，涂布顯影裝置600的處理能力為150片/h的場(chǎng)合為例進(jìn)行說(shuō)明。
該例中，檢查部的處理時(shí)間與檢查單元604的處理能力相當(dāng)，基板自基板處理部的送出間隔與涂布顯影裝置600的處理能力相當(dāng)，所說(shuō)檢查單元604的處理能力為60片/h是指檢查處理一片晶片W所需的時(shí)間為60秒，所說(shuō)涂布顯影裝置600的處理能力為150片/h是指涂布顯影裝置600的晶片W的輸送間隔為24秒。
另外，在該例中，檢查單元640的處理能力是對(duì)傳遞工作臺(tái)605上的晶片W被依次送入線寬檢查裝置641A、重合檢查裝置641B、宏觀缺陷檢查裝置641C中進(jìn)行所有的處理后回到傳遞工作臺(tái)605為止的時(shí)間進(jìn)行估算而獲得的。
首先，對(duì)涂布顯影裝置600中晶片W的流程進(jìn)行說(shuō)明，將容納有處理前的例如25片晶片W的收容盒C通過(guò)自動(dòng)輸送機(jī)器人(或作業(yè)人員)送入收容盒工作臺(tái)621，通過(guò)傳遞臂622從收容盒C中取出晶片W，按照收容盒C的排列順序依次放置到處理工作站602的貨架單元R1的傳遞部664上。
之后，將該晶片W傳遞到處理工作站602的主基板輸送部MA上，向涂布單元632內(nèi)輸送，在這里涂布抗蝕液后，從該主基板輸送部MA經(jīng)由貨架單元R2的傳遞部667及接口工作站603的傳遞臂676送入曝光裝置S5內(nèi)，進(jìn)行曝光。
在涂布抗蝕液前，在貨架單元R的各部中進(jìn)行疏水化處理、冷卻處理，在涂布抗蝕液后，進(jìn)行加熱處理和冷卻處理。另外，根據(jù)抗蝕液的種類(lèi)，替代疏水化處理而在未圖示的單元中涂布防反射膜。
將曝光后的晶片W經(jīng)相反路徑送入處理工作站602，在顯影單元631中進(jìn)行顯影處理。在顯影處理的前后也通過(guò)貨架單元R的CHP裝置666和加熱部661、冷卻部662進(jìn)行加熱處理和冷卻處理。
將這樣進(jìn)行了顯影處理的晶片W之中的例如收容盒C的第1片晶片W通過(guò)主基板輸送部MA經(jīng)由檢查單元604的傳遞工作臺(tái)605、輔助臂A依次向檢查裝置640的各檢查部641輸送，在各部進(jìn)行預(yù)定的檢查。在該例中，所說(shuō)從每一預(yù)定片數(shù)中選出檢查用晶片W是每一收容盒C選擇一片，例如在收容盒C中的排列順序?yàn)榈?的晶片W成為檢查用晶片W。
在這里，作為本發(fā)明，在檢查單元604中晶片W的輸送方法上具有特征，接下來(lái)對(duì)該方法進(jìn)行說(shuō)明。將收容盒C的第1片檢查用晶片W(相當(dāng)于檢查用基板)如圖41(a)所示地在顯影處理、加熱處理及冷卻處理進(jìn)行之后，通過(guò)主基板輸送部MA放置在檢查單元604的傳遞工作站605上，然后如圖41(b)所示，通過(guò)輔助臂A依次向各檢查部641輸送，依次在線寬檢查裝置641A中進(jìn)行顯影線寬檢查、在重合檢查裝置641B中進(jìn)行上層的抗蝕圖案與基底圖案二者重合度的檢查、在宏觀缺陷檢查裝置641C中進(jìn)行顯影不均勻度、顯影缺陷的檢查。
另一方面，作為收容盒C的第2片晶片W，由于晶片W1的檢查處理所需時(shí)間為60秒，涂布顯影裝置600的晶片W輸送間隔為24秒，因此，如圖41(c)所示，在晶片W1進(jìn)行檢查期間，被主基板輸送部MA送到晶片載置臺(tái)650上。而作為同批量中的第3片晶片W3，由于晶片W1的檢查未結(jié)束，故如圖41(d)所示，在晶片W1檢查期間由主基板輸送部MA送到晶片載置臺(tái)650上。
在這里，被主基板輸送部MA送到晶片載置臺(tái)650上的晶片W的數(shù)量由檢查單元604的檢查時(shí)間和涂布顯影裝置600的處理能力決定，在檢查用晶片W1進(jìn)行檢查期間，凡進(jìn)行檢查之前的預(yù)定的處理結(jié)束并從檢查單元604的前工序中送出的晶片W將全部按照收容盒C中的排列順序被輸送到晶片載置臺(tái)650上。
結(jié)束了上述預(yù)定檢查的晶片W1如圖42(a)所示，通過(guò)輔助臂A輸送到傳遞工作臺(tái)605上，并如圖42(b)所示，通過(guò)主基板輸送部MA經(jīng)由貨架單元R的傳遞部送向收容盒工作臺(tái)621，若檢查結(jié)果合格，則送回原來(lái)的收容盒C中，若不合格則送入不合格用的收容盒C1中。也可以是將晶片W全部送回同一個(gè)原來(lái)的收容盒C中，檢查結(jié)果的信息由軟件掌握。
而作為第2片晶片W2及第3片晶片W3，由于第4片晶片W4是在第1片晶片W1之后滯后72秒輸送的，故在主基板輸送部MA輸送了晶片W1之后、輸送晶片W4之前，如圖42(c)、(d)所示，通過(guò)主基板輸送部MA，按照收容盒C中的排列順序被送入與晶片W1相同的收容盒中。并且，從第4片晶片W4到最后一片晶片W，在進(jìn)行顯影處理、加熱處理及冷卻處理后，按照該順序回到與晶片W1相同的收容盒中。
之后，將包含有檢查合格的晶片W的收容盒C送入下一個(gè)工序，將包含有檢查不合格的晶片W的收容盒C1例如送入未圖示的清洗部，在那里將晶片W上的抗蝕膜溶解清除，使之恢復(fù)到送入涂布顯影裝置600之前的狀態(tài)。
如上所述，作為本發(fā)明，由于檢查單元4組裝在涂布顯影裝置600中，因此，與檢查單元設(shè)置在外部的場(chǎng)合相比，不必進(jìn)行晶片W的輸送，而且不必因等待在其它涂布顯影裝置600中處理的晶片W進(jìn)行檢查而待機(jī)，故可提高處理能力。
此外，能夠由同一個(gè)操作人員監(jiān)視涂布顯影處理與檢查處理，可實(shí)時(shí)獲得檢查結(jié)果，故當(dāng)通過(guò)檢查發(fā)現(xiàn)某種缺陷時(shí)，能夠迅速采取確定原因、排除原因等下一個(gè)行動(dòng)。
此外，作為本發(fā)明，由于檢查單元604組裝在處理工作站602內(nèi)，因此，不僅在顯影處理后進(jìn)行檢查的場(chǎng)合，就是在抗蝕液涂布處理后和曝光處理后進(jìn)行預(yù)定的檢查的場(chǎng)合，也不必改變過(guò)程流向便能夠進(jìn)行檢查。即，現(xiàn)有的涂布顯影裝置中，晶片W的輸送流向是確定的，曝光前的晶片W從圖中的收容盒工作站601到曝光裝置S5是在X方向上從左向右輸送，而曝光后的晶片W其路徑相反，從曝光裝置S5到收容盒工作站601是在X方向上從右向左輸送。
因此，在將檢查單元604配備在處理工作站602內(nèi)的場(chǎng)合，在抗蝕液涂布處理后進(jìn)行檢查時(shí)，按照抗蝕液涂布處理→檢查→接口工作站603→曝光裝置S5的路徑輸送晶片W，而在曝光后進(jìn)行檢查時(shí)，按照曝光裝置S5→接口工作站603→處理工作站602的檢查→顯影處理的路徑輸送晶片W，顯影處理后進(jìn)行檢查時(shí)，按照曝光裝置S5→接口工作站603→處理工作站602內(nèi)的顯影處理→檢查的路徑輸送晶片W，能夠在晶片W的輸送路徑不發(fā)生逆轉(zhuǎn)的情況下，在任何一種處理之后進(jìn)行預(yù)定的檢查。
在這里，作為抗蝕液涂布后的檢查，有抗蝕液涂布不均勻度和抗蝕液膜厚的檢查等，這些檢查例如是在上述缺陷檢查裝置641和未圖示的膜厚檢查裝置中進(jìn)行。而作為曝光后的檢查，有對(duì)在曝光裝置中產(chǎn)生的抗蝕膜的錯(cuò)位進(jìn)行檢查的散焦檢查等曝光狀況檢查等，該檢查與前述各檢查同樣，可根據(jù)CCD攝像機(jī)攝取的圖像進(jìn)行。
此外，作為本發(fā)明，即使在對(duì)涂布顯影裝置600內(nèi)處理過(guò)的晶片W進(jìn)行抽樣檢查，而檢查單元604的處理能力低于涂布顯影裝置600的處理能力的場(chǎng)合，不必準(zhǔn)備煩瑣的抽樣檢查用的輸送程序，而能夠使晶片W按照從收容盒C中送出的順序返回收容盒C中。
即，在檢查單元604中，將檢查處理用晶片W1的傳遞工作臺(tái)605和收容不進(jìn)行檢查的晶片W的晶片載置部650分別設(shè)置，在檢查處理用的晶片W1在檢查部641中接受檢查期間，將相應(yīng)于涂布顯影裝置600的晶片W輸送間隔而通過(guò)主基板輸送部MA從前工序輸送來(lái)的晶片W、即自檢查用晶片W1計(jì)起的第2片晶片W2等或第3片晶片W3向晶片W載置部50輸送，在這里等待檢查用晶片W1的檢查結(jié)束，在檢查用晶片W1的檢查結(jié)束并將該晶片W1從檢查單元604送出后，將這些待機(jī)的晶片W從檢查單元604中送出，因此，能夠在收容盒C內(nèi)的順序不受到破壞的情況下將晶片W從檢查單元604中送出，由此而能夠?qū)⒕琖按照原來(lái)的順序送回收容盒C內(nèi)。
在這里，像上述的例子那樣，進(jìn)行抽樣檢查的檢查用晶片W是從處理過(guò)的晶片W內(nèi)例如每三片以上中選出的，也可以每一個(gè)收容盒C選一片，還可以每一個(gè)收容盒C中選多片。此外，也可以多個(gè)收容盒C中選一片。
在以上情況下，本發(fā)明不僅適用于顯影處理后對(duì)顯影處理之處理狀況進(jìn)行檢查的場(chǎng)合，而且在抗蝕液涂布后對(duì)抗蝕液處理之處理狀況進(jìn)行檢查的場(chǎng)合和曝光后對(duì)曝光處理之處理狀況進(jìn)行檢查的場(chǎng)合也適用。
此外，作為本發(fā)明的結(jié)構(gòu)，既可以將傳遞工作臺(tái)605與晶片載置部650二者單獨(dú)設(shè)置；也可以做成將晶片載置部650的兩個(gè)面開(kāi)口從而使得輔助臂A能夠從別的開(kāi)口面訪問(wèn)主基板輸送部MA，將晶片載置部650的一部分、例如最上面的貨架或最下面的貨架作為傳遞工作臺(tái)605加以利用；還可以做成在傳遞工作臺(tái)605上將送入用的工作臺(tái)與送出的工作臺(tái)分別進(jìn)行設(shè)置。另外，晶片載置部650的結(jié)構(gòu)只要是可載置晶片W的結(jié)構(gòu)即可，例如可以是與傳遞工作臺(tái)605相同的結(jié)構(gòu)。
此外，也可以將與圖37同樣構(gòu)成的檢查單元604設(shè)置在接口工作站603中，在這種場(chǎng)合下，通過(guò)輸送臂676將晶片W傳遞給傳遞工作站605和晶片載置部650。
此外，本發(fā)明也適用于對(duì)處理后的晶片W進(jìn)行抽樣檢查、而檢查單元604的處理能力高于涂布顯影裝置600的處理能力的場(chǎng)合，在這種場(chǎng)合下，不需要將晶片W送向晶片載置部650。此外，對(duì)處理后的晶片W全數(shù)進(jìn)行檢查的場(chǎng)合，可以將等待檢查的晶片W送入晶片載置部650，在這種場(chǎng)合下，通過(guò)主基板輸送部MA例如在傳遞工作臺(tái)605與晶片載置部650之間進(jìn)行晶片W的傳遞。
此時(shí)，作為檢查部，除了可以具備線寬檢查裝置或重合檢查裝置、缺陷檢查裝置之外，還可以具備進(jìn)行微粒計(jì)數(shù)、EBR寬度測(cè)定、WEE寬度測(cè)定、涂布不均勻度、顯影不均勻度、未涂布部位、未顯影部位、線寬測(cè)定、曝光失焦等檢查的裝置。
此外，作為被分配為處理單元U的基板處理部，除了可以是涂布單元632和顯影單元631等之外，也可以是例如防反射膜形成單元等，它們的數(shù)量也可以自由設(shè)定。
另外，可以像上述的例子那樣，進(jìn)行防反射膜形成處理以代替對(duì)晶片表面進(jìn)行的疏水化處理，作為基板，并不限于晶片，也可以是液晶顯示器用的玻璃基板。
如以上所述，作為本發(fā)明，通過(guò)將檢查部設(shè)置在基板處理裝置中，可縮短自基板處理到檢查為止的作業(yè)時(shí)間，提高處理能力。而作為其它發(fā)明，在對(duì)處理后的基板進(jìn)行抽樣檢查的場(chǎng)合，不必準(zhǔn)備煩瑣的輸送程序，即能夠在檢查后以在基板收容盒內(nèi)排列的順序進(jìn)行輸送。
權(quán)利要求
1.一種基板處理裝置，其特征是，具備包含載置收容有多個(gè)基板的基板收容盒的載置部、以及相對(duì)于載置于所說(shuō)載置部上的基板收容盒進(jìn)行基板的傳遞的傳遞部的收容盒工作站，包含在從所說(shuō)收容盒工作站送來(lái)的基板上涂布處理液的基板處理部的處理工作站，包含連接在所說(shuō)處理工作站上、對(duì)所說(shuō)基板進(jìn)行所說(shuō)基板處理部的處理狀況檢查的檢查部的檢查工作站，在所說(shuō)處理工作站與檢查工作站之間進(jìn)行基板的傳遞的基板輸送部。
2.如權(quán)利要求1所說(shuō)的基板處理裝置，其特征是，所說(shuō)檢查工作站與處理工作站二者并排排列，所說(shuō)檢查工作站在與排列方向大約垂直的方向上的寬度為所說(shuō)處理工作站在與排列方向大約垂直的方向上的寬度以下。
3.如權(quán)利要求1所說(shuō)的基板處理裝置，其特征是，所說(shuō)檢查工作站在與收容盒工作站的基板收容盒的排列方向大約垂直的方向上與所說(shuō)處理工作站相連接。
4.如權(quán)利要求1所說(shuō)的基板處理裝置，其特征是，所說(shuō)檢查工作站這樣構(gòu)成，即，能夠與所說(shuō)收容盒工作站和所說(shuō)處理工作站中的至少一方自由連接和分離。
5.如權(quán)利要求1所說(shuō)的基板處理裝置，其特征是，所說(shuō)檢查工作站包含有多個(gè)種類(lèi)的檢查部。
6.如權(quán)利要求1所說(shuō)的基板處理裝置，其特征是，所說(shuō)檢查工作站包含有所說(shuō)基板處理部中所使用的材料的收容部。
7.如權(quán)利要求6所說(shuō)的基板處理裝置，其特征是，所說(shuō)基板處理部是向基板供給預(yù)定的液體的處理部，所說(shuō)收容部的材料是所說(shuō)的液體。
8.如權(quán)利要求6所說(shuō)的基板處理裝置，其特征是，所說(shuō)檢查工作站包含有用來(lái)與處理工作站之間進(jìn)行基板的傳遞的基板輸送部。
9.如權(quán)利要求1所說(shuō)的基板處理裝置，其特征是，所說(shuō)檢查工作站包含有基板的傳遞部。
10.如權(quán)利要求1所說(shuō)的基板處理裝置，其特征是，所說(shuō)檢查工作站包含有用來(lái)在與所說(shuō)收容盒工作站的傳遞部之間進(jìn)行基板的傳遞的基板的傳遞部。
11.如權(quán)利要求1所說(shuō)的基板處理裝置，其特征是，所說(shuō)檢查工作站的所說(shuō)檢查部，以將該檢查工作站在該檢查工作站的排列方向上兩等分的線為對(duì)稱(chēng)軸而對(duì)稱(chēng)地配置有多個(gè)。
12.如權(quán)利要求1所說(shuō)的基板處理裝置，其特征是，所說(shuō)檢查工作站具有用來(lái)對(duì)該檢查工作站內(nèi)部的溫度和濕度中的至少一方進(jìn)行調(diào)整的調(diào)整部。
13.如權(quán)利要求1所說(shuō)的基板處理裝置，其特征是，所說(shuō)收容盒工作站、所說(shuō)處理工作站和所說(shuō)檢查工作站在與所說(shuō)收容盒工作站的基板收容盒的排列方向大約垂直的方向上排列，所說(shuō)檢查工作站設(shè)置在所說(shuō)收容盒工作站與處理工作站之間。
14.如權(quán)利要求1所說(shuō)的基板處理裝置，其特征是，所說(shuō)收容盒工作站、所說(shuō)處理工作站和所說(shuō)檢查工作站在與所說(shuō)收容盒工作站的基板收容盒的排列方向大約垂直的方向上排列，所說(shuō)處理工作站設(shè)置在所說(shuō)收容盒工作站與所說(shuō)檢查工作站之間。
15.如權(quán)利要求1所說(shuō)的基板處理裝置，其特征是，所說(shuō)處理工作站具有多個(gè)基板處理部，所說(shuō)基板處理部中的至少一個(gè)是用來(lái)在涂布抗蝕液并曝光后的基板上涂布顯影液而進(jìn)行顯影的，所說(shuō)檢查工作站具有多個(gè)檢查裝置，所說(shuō)檢查裝置中的至少一個(gè)是用來(lái)對(duì)基板進(jìn)行顯影處理之處理狀況進(jìn)行檢查的，所說(shuō)收容盒工作站、所說(shuō)處理工作站和所說(shuō)檢查工作站在與所說(shuō)收容盒工作站的基板收容盒的排列方向大約垂直的方向上排列，所說(shuō)檢查工作站設(shè)置在所說(shuō)收容盒工作站與所說(shuō)處理工作站之間。
16.如權(quán)利要求1所說(shuō)的基板處理裝置，其特征是，所說(shuō)處理工作站具有多個(gè)基板處理部，所說(shuō)基板處理部中的至少一個(gè)是用來(lái)在基板上涂布抗蝕液的，所說(shuō)檢查工作站具有多個(gè)檢查裝置，所說(shuō)檢查裝置中的至少一個(gè)是用來(lái)對(duì)基板進(jìn)行抗蝕液涂布狀況進(jìn)行檢查的，所說(shuō)收容盒工作站、所說(shuō)處理工作站和所說(shuō)檢查工作站在與所說(shuō)收容盒工作站的基板收容盒的排列方向大約垂直的方向上排列，所說(shuō)處理工作站設(shè)置在所說(shuō)收容盒工作站與所說(shuō)檢查工作站之間。
17.如權(quán)利要求1所說(shuō)的基板處理裝置，其特征是，所說(shuō)檢查部是用來(lái)測(cè)定形成于基板上的涂布膜的膜厚的。
18.如權(quán)利要求1所說(shuō)的基板處理裝置，其特征是，所說(shuō)檢查部是用來(lái)檢查形成于基板上的涂布膜的表面狀態(tài)的。
19.如權(quán)利要求1所說(shuō)的基板處理裝置，其特征是，所說(shuō)基板處理裝置是配置在凈化間內(nèi)的，當(dāng)設(shè)所說(shuō)處理工作站內(nèi)的壓力為第1壓力、所說(shuō)收容盒工作站內(nèi)的壓力為第2壓力、所說(shuō)檢查工作站的壓力為第3壓力、所說(shuō)凈化間內(nèi)的壓力為第4壓力時(shí)，具有如下關(guān)系，所說(shuō)第1壓力＞所說(shuō)第2壓力＞所說(shuō)第3壓力＞所說(shuō)第4壓力。
20.一種基板處理裝置，其特征是，具有包含載置收容有多個(gè)基板的基板收容盒的載置部、以及相對(duì)于載置于所說(shuō)載置部上的基板收容盒進(jìn)行基板的傳遞的傳遞部的收容盒工作站，包含在從所說(shuō)收容盒工作站送來(lái)的基板上涂布第1處理液的第1基板處理部的第1處理工作站，包含在從所說(shuō)收容盒工作站送來(lái)的基板上涂布第2處理液的第2基板處理部的第2處理工作站，設(shè)置在所說(shuō)第1處理工作站與所說(shuō)第2處理工作站之間的、包含對(duì)所說(shuō)基板進(jìn)行檢查的第1檢查部的第1檢查工作站，在所說(shuō)第1和第2處理工作站與所說(shuō)第1檢查工作站之間進(jìn)行基板的傳遞的基板輸送部；所說(shuō)收容盒工作站、所說(shuō)第1處理工作站、所說(shuō)第2處理工作站和所說(shuō)第1檢站在與收容盒工作站的基板收容盒的排列方向大約垂直的方向上排列。
21.如權(quán)利要求20所說(shuō)的基板處理裝置，其特征是，還具有設(shè)置在所說(shuō)收容盒工作站與第1處理工作站之間的、包含對(duì)所說(shuō)基板進(jìn)行檢查的第2檢查部的第2檢查工作站。
22.如權(quán)利要求20所說(shuō)的基板處理裝置，其特征是，還具有用來(lái)與曝光裝置之間進(jìn)行基板的傳遞的接口工作站，設(shè)置在所說(shuō)第2處理工作站與所說(shuō)接口工作站之間的、包含對(duì)所說(shuō)基板進(jìn)行檢查的第3檢查部的第3檢查工作站。
23.一種基板處理裝置，其特征是，具備包含載置收容有多個(gè)基板的基板收容盒的載置部、以及相對(duì)于載置于所說(shuō)載置部上的基板收容盒進(jìn)行基板的傳遞的傳遞部的收容盒工作站，包含在從所說(shuō)收容盒工作站送來(lái)的基板上涂布處理液的基板處理部的處理工作站，用來(lái)與曝光裝置之間進(jìn)行基板的傳遞的接口工作站，設(shè)置在所說(shuō)收容盒工作站與所說(shuō)處理工作站之間的、包含對(duì)所說(shuō)基板進(jìn)行檢查的第1檢查部的第1檢查工作站，設(shè)置在所說(shuō)處理工作站與所說(shuō)接口工作站之間的、包含對(duì)所說(shuō)基板進(jìn)行檢查的第2檢查部的第2檢查工作站。
24.一種基板處理裝置，其特征是，具備包含供收容有多片基板的載體輸入輸出的載體輸入輸出部、以及相對(duì)于載置于該載體輸入輸出部上的載體進(jìn)行基板的傳遞的傳遞部的載體工作站，與所說(shuō)載體工作站相鄰接地設(shè)置的、包含在基板上涂布抗蝕液的涂布部，對(duì)曝光后的基板進(jìn)行顯影的顯影部，以及相對(duì)于涂布部及顯影部進(jìn)行基板的傳遞并與所說(shuō)傳遞部之間進(jìn)行基板的傳遞的主輸送部的處理工作站，與所說(shuō)載體工作站相鄰接地設(shè)置的、具有對(duì)基板進(jìn)行檢查的檢查部的檢查工作站。
25.如權(quán)利要求24所說(shuō)的基板處理裝置，其特征是，還具有供收容有在外部進(jìn)行了處理的基板的載體進(jìn)入的外部載體載置部，在對(duì)所說(shuō)處理工作站處理的基板以所說(shuō)檢查部進(jìn)行檢查的一般模式以及對(duì)在外部處理的基板以所說(shuō)檢查部進(jìn)行檢查的檢查部單獨(dú)使用模式之間進(jìn)行模式選擇的模式選擇部。
26.如權(quán)利要求25所說(shuō)的基板處理裝置，其特征是，所說(shuō)外部載體載置部設(shè)置在所說(shuō)載體工作站中。
27.如權(quán)利要求25所說(shuō)的基板處理裝置，其特征是，所說(shuō)外部載體載置部，是所說(shuō)載體工作站中的載體輸入輸出部的一部分。
28.如權(quán)利要求25所說(shuō)的基板處理裝置，其特征是，所說(shuō)檢查工作站具有與所說(shuō)檢查部之間進(jìn)行基板的傳遞的輔助輸送部，還具有在所說(shuō)載體工作站的內(nèi)部、檢查工作站的內(nèi)部以及橫跨載體工作站與檢查工作站位置的任意一處上所設(shè)置的、用來(lái)臨時(shí)載置基板的中間載置部，用來(lái)將經(jīng)過(guò)所說(shuō)處理工作站顯影處理的基板及載置于所說(shuō)外部載體載置部上的載體內(nèi)的基板通過(guò)所說(shuō)載體工作站的傳遞部經(jīng)由所說(shuō)中間載置部向所說(shuō)輔助輸送部傳遞。
29.如權(quán)利要求25所說(shuō)的基板處理裝置，其特征是，為了將經(jīng)過(guò)所說(shuō)處理工作站顯影處理的基板在向所說(shuō)檢查工作站進(jìn)行輸送之前臨時(shí)予以載置，還具有可容納多個(gè)基板的多級(jí)載置部。
30.如權(quán)利要求25所說(shuō)的基板處理裝置，其特征是，所說(shuō)多級(jí)載置部兼作在所說(shuō)傳遞部與所說(shuō)輔助輸送部之間傳遞基板的中間載置部。
31.如權(quán)利要求25所說(shuō)的基板處理裝置，其特征是，所說(shuō)檢查部是多個(gè)上下層疊配置的。
32.一種基板處理裝置，其特征是，具備包含供收容有多片基板的載體輸入輸出的載體輸入輸出部、以及相對(duì)于載置于該載體輸入輸出部上的載體進(jìn)行基板的傳遞的第1傳遞部的的載體工作站，與所說(shuō)載體工作站相鄰接地設(shè)置的、包含在基板上涂布抗蝕液的涂布部、對(duì)曝光后的基板進(jìn)行顯影的顯影部、相對(duì)于涂布部及顯影部進(jìn)行基板的傳遞并與所說(shuō)傳遞部之間進(jìn)行基板的傳遞的主輸送部的處理工作站，與所說(shuō)載體工作站相鄰接地設(shè)置的、具有對(duì)處理后的基板進(jìn)行檢查的檢查部的檢查工作站，供容納有在外部進(jìn)行了處理的基板的載體進(jìn)入的外部載體載置部，在載置于該外部載體載置部上的載體與檢查工作站之間進(jìn)行基板的傳遞的第2傳遞部，在對(duì)所說(shuō)處理工作站處理后的基板以檢查部進(jìn)行檢查的一般模式以及對(duì)在外部進(jìn)行處理后的基板以檢查部進(jìn)行檢查的檢查部單獨(dú)使用模式之間進(jìn)行模式選擇的模式選擇部。
33.如權(quán)利要求32所說(shuō)的基板處理裝置，其特征是，所說(shuō)檢查工作站具有與所說(shuō)檢查部之間進(jìn)行基板的傳遞的輔助輸送部。
34.如權(quán)利要求32所說(shuō)的基板處理裝置，其特征是，所說(shuō)外部載體載置部和所說(shuō)第2傳遞部設(shè)置在所說(shuō)載體工作站與所說(shuō)檢查工作站之間，在一般模式下，所說(shuō)第2傳遞部在所說(shuō)第1傳遞部與所說(shuō)檢查工作站的輔助輸送部之間進(jìn)行基板的傳遞。
35.如權(quán)利要求32所說(shuō)的基板處理裝置，其特征是，為了將經(jīng)過(guò)所說(shuō)處理工作站顯影處理的基板在向所說(shuō)檢查工作站的檢查部輸送之前臨時(shí)予以載置，還具有可容納多個(gè)基板的多級(jí)載置部。
36.一種基板處理裝置，其特征是，具備包含供收容有多片基板的載體輸入輸出的載體輸入輸出部、以及相對(duì)于載置于該載體輸入輸出部上的載體進(jìn)行基板的傳遞的第1傳遞部的的載體工作站，與所說(shuō)載體工作站相鄰接地設(shè)置的、包含在基板上涂布抗蝕液的涂布部、對(duì)曝光后的基板進(jìn)行顯影的顯影部、相對(duì)于涂布部及顯影部進(jìn)行基板的傳遞并與所說(shuō)傳遞部之間進(jìn)行基板的傳遞的主輸送部的處理工作站，與所說(shuō)載體工作站相鄰接地設(shè)置的、具有對(duì)處理后的基板進(jìn)行檢查的檢查部、供容納有在外部進(jìn)行了處理的基板的載體進(jìn)入的外部載體載置部、在所說(shuō)傳遞部與檢查部與外部載體載置部之間輸送基板的輔助輸送部的檢查工作站，在對(duì)所說(shuō)處理工作站處理的基板以檢查部進(jìn)行檢查的一般模式以及對(duì)在外部進(jìn)行處理后的基板以檢查部進(jìn)行檢查的檢查部單獨(dú)使用模式之間進(jìn)行模式選擇的模式選擇部。
37.一種基板處理裝置，其特征是，具備包含供收容有多片基板的載體輸入輸出的載體輸入輸出部、以及相對(duì)于載置于該載體輸入輸出部上的載體進(jìn)行基板的傳遞的傳遞部的載體工作站，與所說(shuō)載體工作站相鄰接地設(shè)置的、包含在基板上涂布抗蝕液的涂布部、對(duì)曝光后的基板進(jìn)行顯影的顯影部、相對(duì)于涂布部及顯影部進(jìn)行基板的傳遞并與所說(shuō)傳遞部之間進(jìn)行基板的傳遞的主輸送部的處理工作站，與所說(shuō)處理工作站相鄰接地設(shè)置的、具有對(duì)處理后的基板進(jìn)行檢查的檢查部的檢查工作站。
38.一種基板處理裝置，其特征是，具備包含供收容有多片基板的載體輸入輸出的載體輸入輸出部、以及相對(duì)于載置于該載體輸入輸出部上的載體進(jìn)行基板的傳遞的傳遞部的載體工作站，與所說(shuō)載體工作站相鄰接地設(shè)置的、包含在基板上涂布抗蝕液的涂布部、對(duì)曝光后的基板進(jìn)行顯影的顯影部、相對(duì)于涂布部及顯影部進(jìn)行基板的傳遞并與所說(shuō)傳遞部之間進(jìn)行基板的傳遞的主輸送部的處理工作站，設(shè)置在曝光裝置與所說(shuō)處理工作站之間的、用來(lái)與所說(shuō)曝光裝置之間進(jìn)行基板的傳遞的接口工作站，與所說(shuō)接口工作站相鄰接地設(shè)置的、具有對(duì)基板進(jìn)行檢查的檢查部的檢查工作站。
39.一種基板處理裝置，其特征是，具備包含載置收容有多片基板的基板收容盒的載置部、以及相對(duì)于載置于所說(shuō)載置部上的基板收容盒進(jìn)行基板的傳遞的傳遞部的收容盒工作站，包含在從所說(shuō)收容盒工作站送來(lái)的基板上涂布處理液的基板處理部的處理工作站，與曝光裝置相鄰接地設(shè)置的、用來(lái)與所說(shuō)曝光裝置之間進(jìn)行基板的傳遞的接口工作站，配置在所說(shuō)處理工作站與接口工作站之間的、包含對(duì)所說(shuō)基板進(jìn)行檢查的第1檢查部的第1檢查工作站，與所說(shuō)收容盒工作站鄰接地配置的、包含對(duì)所說(shuō)基板進(jìn)行檢查的第2檢查部的第2檢查工作站。
40.一種基板處理裝置，其特征是，具備包含載置收容有多片基板的基板收容盒的載置部、以及相對(duì)于載置于所說(shuō)載置部上的基板收容盒進(jìn)行基板的傳遞的傳遞部的收容盒工作站，包含在從所說(shuō)收容盒工作站送來(lái)的基板上涂布處理液的基板處理部的處理工作站，配置在曝光裝置與所說(shuō)處理工作站之間的、用來(lái)與所說(shuō)曝光裝置之間進(jìn)行基板的傳遞的接口工作站，配置在所說(shuō)收容盒工作站與所說(shuō)處理工作站之間的、包含對(duì)所說(shuō)基板進(jìn)行檢查的第1檢查部的第1檢查工作站，與所說(shuō)接口工作站相鄰接地配置的、包含對(duì)所說(shuō)基板進(jìn)行檢查的第2檢查部的第2檢查工作站。
41.一種基板處理裝置，其特征是，具備包含載置收容有多片基板的基板收容盒的載置部、以及相對(duì)于載置于該載置部上的基板收容盒進(jìn)行基板的傳遞的傳遞部的收容盒工作站，與所說(shuō)收容盒工作站相鄰接地設(shè)置的、包含在基板上涂布處理液的基板處理部、以及相對(duì)于該基板處理部按照所說(shuō)基板收容盒的排列順序進(jìn)行基板的傳遞并且與所說(shuō)傳遞部之間按照所說(shuō)基板收容盒的排列順序進(jìn)行基板的傳遞的主基板輸送部的處理工作站，對(duì)所說(shuō)基板進(jìn)行所說(shuō)基板處理部的處理狀況檢查的檢查部，載置經(jīng)過(guò)所說(shuō)基板處理部處理的、要以所說(shuō)檢查部進(jìn)行檢查的檢查用基板的檢查基板載置部，將經(jīng)過(guò)所說(shuō)基板處理部處理的、在基板收容盒中的排列順序上在所說(shuō)檢查用基板之后的基板按照所說(shuō)排列順序予以載置的基板載置部，向所說(shuō)檢查基板載置部與所說(shuō)基板載置部輸送經(jīng)基板處理部處理的基板的基板輸送部。
42.如權(quán)利要求41所說(shuō)的基板處理裝置，其特征是，還具有在所說(shuō)檢查部與所說(shuō)檢查基板載置部之間進(jìn)行基板的傳遞的輔助基板輸送部。
43.如權(quán)利要求41所說(shuō)的基板處理裝置，其特征是，所說(shuō)檢查部、所說(shuō)檢查基板載置部和所說(shuō)基板載置部設(shè)置在處理工作站中，所說(shuō)基板輸送部由所說(shuō)主基板輸送部構(gòu)成，通過(guò)該主基板輸送部，相對(duì)于所說(shuō)檢查基板載置部進(jìn)行經(jīng)所說(shuō)基板載置部處理的檢查用基板的傳遞。
44.如權(quán)利要求41所說(shuō)的基板處理裝置，其特征是，所說(shuō)檢查部、所說(shuō)檢查基板載置部和所說(shuō)基板載置部是與所說(shuō)收容盒工作站相連接地設(shè)置的，所說(shuō)基板輸送部由所說(shuō)傳遞部構(gòu)成，通過(guò)該傳遞部，相對(duì)于所說(shuō)檢查基板載置部進(jìn)行經(jīng)所說(shuō)基板載置部處理的檢查用基板的傳遞。
45.如權(quán)利要求41所說(shuō)的基板處理裝置，其特征是，所說(shuō)檢查部可進(jìn)行多種檢查地多個(gè)上下層疊配置。
46.如權(quán)利要求41所說(shuō)的基板處理裝置，其特征是，所說(shuō)處理工作站的基板處理部中至少有一個(gè)是用來(lái)在涂布了抗蝕液并經(jīng)過(guò)曝光的基板上涂布顯影液而進(jìn)行顯影處理的，所說(shuō)檢查部中至少有一個(gè)是用來(lái)對(duì)基板進(jìn)行顯影處理的處理狀況檢查的。
47.如權(quán)利要求41所說(shuō)的基板處理裝置，其特征是，所說(shuō)處理工作站的基板處理部中至少有一個(gè)是用來(lái)在基板上涂布抗蝕液的，所說(shuō)檢查部中至少有一個(gè)是用來(lái)對(duì)基板進(jìn)行抗蝕液涂布狀況檢查的。
48.如權(quán)利要求41所說(shuō)的基板處理裝置，其特征是，所說(shuō)檢查部對(duì)形成于基板上的抗蝕膜圖案的線寬進(jìn)行測(cè)定。
49.如權(quán)利要求41所說(shuō)的基板處理裝置，其特征是，所說(shuō)檢查部對(duì)形成于基板上的抗蝕膜圖案與基底圖案二者的重合度進(jìn)行檢查。
50.如權(quán)利要求46所說(shuō)的基板處理裝置，其特征是，所說(shuō)檢查部對(duì)形成于基板上的涂布膜的表面狀況進(jìn)行檢查。
51.一種基板處理方法，其特征是，具備將收容有多個(gè)基板的基板收容盒按照在基板收容盒中排列的順序送入在基板上涂布處理液的基板處理部中，并對(duì)該基板以輸送來(lái)的順序進(jìn)行處理的工序，將經(jīng)過(guò)所說(shuō)基板處理部處理的基板從該基板處理部中送出的工序，從自所說(shuō)基板處理部送出的基板中的每一預(yù)定片數(shù)中選出的檢查用基板送入檢查部，對(duì)基板處理部的處理狀況進(jìn)行檢查的工序。在檢查部的處理時(shí)間長(zhǎng)于自基板處理部送出基板的間隔的場(chǎng)合下，一直到檢查用基板在檢查部中的檢查結(jié)束之前，將結(jié)束了在基板處理部中的基板處理而從該基板處理部送出的、在基板收容盒中的排列順序上在所說(shuō)檢查用基板之后的基板按照所說(shuō)排列順序依次向基板載置部輸送并以該順序予以載置的工序，將在所說(shuō)檢查部中的檢查結(jié)束后的檢查用基板從檢查部中送出的工序，在將所說(shuō)檢查用基板從檢查部送出后，將載置于所說(shuō)基板載置部上的基板按照在基板收容盒中排列的順序從基板載置部中送出的工序。
52.如權(quán)利要求51所說(shuō)的基板處理方法，其特征是，在所說(shuō)基板處理部中，在涂布抗蝕液并曝光后的基板上涂布顯影液而進(jìn)行顯影處理，在所說(shuō)檢查部中，對(duì)基板進(jìn)行顯影處理的處理狀況的檢查。
53.如權(quán)利要求51所說(shuō)的基板處理方法，其特征是，在所說(shuō)基板處理部中，對(duì)基板進(jìn)行涂布抗蝕液的處理，在所說(shuō)檢查部中，對(duì)基板進(jìn)行抗蝕液涂布狀況的檢查。
全文摘要
一種基板處理裝置及基板處理方法,將收容盒工作站、具有涂布單元和顯影單元的處理工作站、具有膜厚檢查裝置和缺陷檢查裝置的檢查工作站配置成在與收容盒工作站的收容盒的排列方向大約垂直的方向上檢查工作站設(shè)置在收容盒工作站與處理工作站之間。在這種結(jié)構(gòu)中,由于是將檢查工作站連接在處理工作站上,它們之間晶片的輸送自動(dòng)進(jìn)行,因此能夠簡(jiǎn)化從基板處理到檢查的作業(yè),縮短作業(yè)時(shí)間。
文檔編號(hào)H01L21/677GK1333552SQ0112312
公開(kāi)日2002年1月30日 申請(qǐng)日期2001年7月12日 優(yōu)先權(quán)日2000年7月12日
發(fā)明者佐藤紀(jì)勝, 緒方久仁惠, 木村義雄, 富田浩, 中島清次, 神谷英彥 申請(qǐng)人:東京毅力科創(chuàng)株式會(huì)社