專利名稱：光照射裝置、其制造方法及使用了該光照射裝置的照明裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及光照射裝置及其制造方法，特另涉及散熱性良好的光照射裝置、其制造方法及使用了該光照射裝置的照明裝置。
最初，在有必要大量進(jìn)行光照射的情況下，一般使用電燈等。但是，有時以輕、薄、短、小及省電為目的，如

圖19所示，把發(fā)光元件2安裝在印刷基板1上。
該發(fā)光元件以由半導(dǎo)體形成的發(fā)光二極管(Light EmittingDiode)為主，但除此之外還可以考慮半導(dǎo)體激光器等。
該發(fā)光二極管2準(zhǔn)備了2條引線3、4，發(fā)光二極管芯片5的背面(陽極或陰極)用焊錫等固定到一條引線3上，另一條引線4通過金屬絲6與上述芯片表面的電極(陰極或陽極)導(dǎo)電性地連接。此外，形成了密封上述引線3、4、芯片5及金屬絲6的透明的樹脂密封體7，該密封體7還兼作透鏡。
另一方面，在印刷基板1上設(shè)置對上述發(fā)光二極管2供給電源用的電極8、9，把上述引線3、4插入在此設(shè)置的通孔中，通過焊錫等固定、安裝上述發(fā)光二極管2。
例如，在特開平9-252651號公報中說明了使用了該發(fā)光二極管的光照射裝置。
但是，上述發(fā)光元件2由于由裝入了樹脂密封體7、引線3、4等的封裝體構(gòu)成，故存在著安裝后的基板1的尺寸變大的缺點(diǎn)。此外，由于基板本身的散熱性差，故存在著作為整體導(dǎo)致溫度上升的問題。因此，存在著半導(dǎo)體芯片本身的溫度也上升、驅(qū)動能力降低的問題。
此外，發(fā)光二極管芯片5還從芯片的側(cè)面發(fā)光，還存在著朝向基板1一側(cè)的光。但是，由于基板1是印刷基板，故存在著不能使全部光進(jìn)行向上方發(fā)射的效率高的發(fā)射的這樣的問題。
本發(fā)明鑒于上述課題而進(jìn)行，其特征在于提供下述光照射裝置，具備已電分離的多個導(dǎo)電通路；固定于所希望的導(dǎo)電通路上的光半導(dǎo)體元件；以及樹脂，覆蓋該光半導(dǎo)體元件且成為一體地支持上述導(dǎo)電通路的透鏡、并可使光透過，該光照射裝置的散熱性良好。
此外，通過提供下述光照射裝置，導(dǎo)電通路的背面可提供與外部的連接，可不需要通孔，解決了上述課題，該光照射裝置具備已由分離槽進(jìn)行了電分離的多個導(dǎo)電通路；固定于所希望的導(dǎo)電通路上的光半導(dǎo)體元件；以及樹脂，覆蓋該光半導(dǎo)體元件、且充填到上述導(dǎo)電通路間的上述分離槽中只把上述導(dǎo)電通路的背面露出、成為一體地進(jìn)行支持的透鏡，并可使光透過。
還有，通過提供下述光照射裝置的制造方法，由于形成導(dǎo)電通路的導(dǎo)電箔為起始材料，在對可使光透過的樹脂進(jìn)行模塑之前、導(dǎo)電箔具有支持功能，在模塑之后，可使光透過的樹脂具有支持功能，故可不需要支持基板，解決了上述課題，該光照射裝置的制造方法具備準(zhǔn)備導(dǎo)電箔，在至少除了成為導(dǎo)電通路的區(qū)域的上述導(dǎo)電箔上形成比該導(dǎo)電箔的厚度淺的分離槽、形成導(dǎo)電通路的工序；把光半導(dǎo)體元件固定到所希望的上述導(dǎo)電通路上的工序；用可使光透過的樹脂以覆蓋上述光半導(dǎo)體元件、充填到上述分離槽中的方式，進(jìn)行模塑而成為透鏡的工序；以及除去未設(shè)置上述分離槽一側(cè)的上述導(dǎo)電箔的工序。
此外，通過提供下述光照射裝置的制造方法，可大量生產(chǎn)很多個光照射裝置，解決了上述課題，該光照射裝置的制造方法具備準(zhǔn)備導(dǎo)電箔，在至少除了成為導(dǎo)電通路的區(qū)域的上述導(dǎo)電箔上形成比該導(dǎo)電箔的厚度淺的分離槽、形成導(dǎo)電通路的工序；把光半導(dǎo)體元件固定到所希望的上述導(dǎo)電通路上的工序；形成電連接上述光半導(dǎo)體元件的電極與所希望的上述導(dǎo)電通路的連接裝置的工序；用可使光透過的樹脂以覆蓋上述多個光半導(dǎo)體元件、充填到上述分離槽中的方式，進(jìn)行模塑的工序；除去未設(shè)置上述分離槽的厚度部分的上述導(dǎo)電箔的工序；以及切斷上述可使光透過的樹脂，將其分離成為一個一個的光照射裝置的工序。
還有，通過預(yù)先在上述導(dǎo)電箔表面的至少成為導(dǎo)電通路的區(qū)域上形成耐蝕性的導(dǎo)電覆蓋膜，在該導(dǎo)電箔上形成分離槽時該導(dǎo)電覆蓋膜以帽形殘留在導(dǎo)電箔的上表面上。因此，提高了用可使光透過的樹脂覆蓋上述各光照射裝置時的、導(dǎo)電箔與可使光透過的樹脂的密接性。
此外，通過在以包圍上述導(dǎo)電箔的至少固定上述光半導(dǎo)體元件的區(qū)域的方式彎曲該導(dǎo)電箔時，以具有可使光半導(dǎo)體元件的光向上方反射的某一傾斜角的方式進(jìn)行彎曲，可使照射效率變得良好。
還有，通過在上述導(dǎo)電通路上形成了耐蝕性的導(dǎo)電覆蓋膜的狀態(tài)下彎曲該導(dǎo)電箔，在該導(dǎo)電覆蓋膜上出現(xiàn)光澤，可謀求進(jìn)一步提高照射效率。
此外，通過具有下述工序，直到最終階段之前各光照射裝置相互間都不分離，因而，可把導(dǎo)電箔作為一張薄板提供給各工序，作業(yè)性良好，該工序?yàn)樵谟每墒构馔高^的樹脂以充填到上述分離槽中的方式覆蓋上述各光照射裝置之后，直到規(guī)定的位置、除去未設(shè)置上述分離槽一側(cè)的上述導(dǎo)電箔，然后，對于用上述可使光透過的樹脂覆蓋的各光照射裝置相互間進(jìn)行分離。
還有，由于可通過使用金屬模的傳遞模塑附著上述可使光透過的樹脂，故作業(yè)性良好，可制作適當(dāng)?shù)男螤睢Ｌ貏e適合于制作透鏡形狀的情況等。
此外，在利用沖壓分離成一個一個的用上述可使光透過的樹脂密封的光照射裝置時，不需要光照射裝置端部的去飛邊處理，可謀求提高生產(chǎn)率。
還有，在與上述導(dǎo)電箔的材料相比、上述導(dǎo)電覆蓋膜的材料在用可使光通過的樹脂覆蓋上述光照射裝置時的密接性差的情況下，通過在比成為導(dǎo)電通路的區(qū)域窄的狹窄的范圍內(nèi)來形成在上述導(dǎo)電箔上形成的導(dǎo)電覆蓋膜，使不由該導(dǎo)電覆蓋膜覆蓋的導(dǎo)電箔區(qū)域變得寬廣，可提高用可使光透過的樹脂覆蓋光照射裝置時的、導(dǎo)電箔與樹脂的密接性。
圖1為說明與本發(fā)明第1實(shí)施例有關(guān)的光照射裝置的制造方法的剖面圖；圖2為說明本發(fā)明第1實(shí)施例的光照射裝置的制造方法的剖面圖；圖3為說明本發(fā)明第1實(shí)施例的光照射裝置的制造方法的剖面圖；圖4為說明本發(fā)明第1實(shí)施例的光照射裝置的制造方法的剖面圖；圖5為說明本發(fā)明第1實(shí)施例的光照射裝置的制造方法的剖面圖；圖6為說明本發(fā)明第1實(shí)施例的光照射裝置的制造方法的剖面圖7為說明本發(fā)明第1實(shí)施例的光照射裝置的制造方法的剖面圖；圖8為說明與本發(fā)明第1實(shí)施例有關(guān)的光照射裝置的平面圖；圖9為說明使用了與本發(fā)明第1實(shí)施例有關(guān)的光照射裝置的照明裝置的圖；圖10為說明與本發(fā)明第2實(shí)施例有關(guān)的光照射裝置的制造方法的剖面圖；圖11為說明與本發(fā)明第2實(shí)施例有關(guān)的光照射裝置的制造方法的剖面圖；圖12為說明與本發(fā)明第2實(shí)施例有關(guān)的光照射裝置的制造方法的剖面圖；圖13為說明與本發(fā)明第2實(shí)施例有關(guān)的光照射裝置的制造方法的剖面圖；圖14為說明與本發(fā)明第2實(shí)施例有關(guān)的光照射裝置的制造方法的剖面圖；圖15為說明與本發(fā)明第2實(shí)施例有關(guān)的光照射裝置的制造方法的剖面圖；圖16為說明與本發(fā)明第2實(shí)施例有關(guān)的光照射裝置的制造方法的剖面圖；圖17為說明與本發(fā)明第2實(shí)施例有關(guān)的光照射裝置的平面圖；圖18為說明使用了與本發(fā)明第2實(shí)施例有關(guān)的光照射裝置的照明裝置的圖；以及圖19為說明現(xiàn)有光照射裝置的圖。
(第1實(shí)施例)下面，一邊參照附圖，一邊說明本發(fā)明的光照射裝置及其制造方法的第1實(shí)施例。
圖1中，61為薄板狀導(dǎo)電箔，考慮到焊料的附著性、焊接性及電鍍性來選擇其材料，作為該材料可采用以Cu(銅)為主要材料的導(dǎo)電箔、以Al(鋁)為主要材料的導(dǎo)電箔或由Fe-Ni(鐵-鎳)、Cu-Al(銅-鋁)、Al-Cu-Al(鋁-銅-鋁)等合金構(gòu)成的導(dǎo)電箔等。
如果考慮到以后的蝕刻，則導(dǎo)電箔的厚度最好約為10μm～300μm，在此，采用了100μm的銅箔。但是，即使在300μm以上或10μm以下，基本上也可以。如后述那樣，如果能夠形成比導(dǎo)電箔61的厚度淺的分離槽64即可。
再有，作為薄板狀的導(dǎo)電箔61可這樣來準(zhǔn)備，以規(guī)定的寬度卷成滾筒狀，這在后述的各工序中便于輸送，或者，切割成規(guī)定的大小，這在后述的各工序中也便于輸送。
然后，對上述導(dǎo)電箔61的表面及背面的規(guī)定區(qū)域分別進(jìn)行電鍍處理。再有，在本實(shí)施例中作為導(dǎo)電覆蓋膜62形成了由Ag(銀)構(gòu)成的覆蓋膜(下面，稱為Ag覆蓋膜62)，但是，并不限定于此，作為其它材料例如有Au(金)、Ni或Pd(鈀)等。而且，這些耐蝕性的導(dǎo)電覆蓋膜具有可直接作為管芯焊區(qū)、焊接區(qū)應(yīng)用的特征。還有，也可以只在導(dǎo)電箔61的表面上形成Ag覆蓋膜62。
例如，上述Ag覆蓋膜62可與Au接合，也可與焊料接合。因此，如果在芯片背面覆蓋Au覆蓋膜就能把芯片直接熱壓接到導(dǎo)電通路1上的Ag覆蓋膜62上，此外，也能通過焊場等焊料固定芯片。還有，由于Au絲可與Ag的導(dǎo)電覆蓋膜接合，故也可進(jìn)行金屬絲焊接。
其次，圖2中，對上述已電鍍處理的導(dǎo)電箔61進(jìn)行沖壓處理，使該導(dǎo)電箔61的2個部位呈向上凸的狀態(tài)。再有，在由該凸部63形成的、剖面為杯狀的光半導(dǎo)體元件配置部上安裝后述的光半導(dǎo)體元件65。然后，利用由該凸部63形成的傾斜部及其周邊部使來自光半導(dǎo)體元件65的光向上方反射，提高照射效率。還有，通過在用上述Ag覆蓋膜62覆蓋了導(dǎo)電箔61之后對該導(dǎo)電箔61進(jìn)行沖壓處理，沖壓后彎曲了的區(qū)域(凸部63的頭部)比其它區(qū)域更出現(xiàn)光澤，具有提高來自后述的光半導(dǎo)體元件的光的反射效率這樣的優(yōu)點(diǎn)。當(dāng)然，也可以在沖壓之后形成導(dǎo)電覆蓋膜，還有，在未沖壓加工的導(dǎo)電箔上形成光半導(dǎo)體元件，也沒關(guān)系。
即使不彎曲所述導(dǎo)電箔61，在形成了所述Ag覆蓋膜62的狀態(tài)下，只要通過沖壓將該導(dǎo)電箔61(還有Ag覆蓋膜62)加壓，就能使該Ag覆蓋膜62出現(xiàn)光澤，從而提高照射效率。
接著，圖3中，以光抗蝕劑膜作為掩膜的狀態(tài)下，通過以Ag覆蓋膜62為掩模對上述導(dǎo)電箔61的表面進(jìn)行半蝕刻處理，半蝕刻未電鍍處理的區(qū)域形成分離槽64。再有，由該蝕刻形成的分離槽64的深度例如為50μm，其側(cè)面由于成為粗糙面，故提高了與后述的可使光透過的樹脂67的接合性。再有，可以在Ag覆蓋膜62上形成抗蝕劑膜，以該抗蝕劑膜為掩模進(jìn)行半蝕刻處理。還有，也可以在半蝕刻之后形成Ag覆蓋膜62。
此外，該分離槽64的側(cè)壁的剖面形狀隨除去的方法而成為不同的結(jié)構(gòu)。該除去工序可采用濕法蝕刻、干法蝕刻、激光引起的汽化及切割塊等。
例如在濕法蝕刻的情況下，蝕刻劑主要采用氯化鐵或氯化銅，把上述導(dǎo)電箔61浸漬在該蝕刻劑中，或者在該蝕刻劑中對其進(jìn)行淋洗。在此，由于濕法蝕刻一般進(jìn)行非各向異性蝕刻，故在側(cè)面成為彎曲結(jié)構(gòu)。此時，由于覆蓋在導(dǎo)電箔61上的導(dǎo)電覆蓋膜62以帽形配置在分離槽64上，故用后述的可使光透過的樹脂67覆蓋光半導(dǎo)體元件65時的密接性變得良好。再有，在本實(shí)施例中進(jìn)行了濕法蝕刻處理。
還有，在干法蝕刻的情況下，可進(jìn)行各向異性、非各向異性蝕刻。據(jù)說，當(dāng)前還不能以反應(yīng)性離子蝕刻除去Cu，但可用濺射將其除去。此外，要看濺射的條件可進(jìn)行各向異性、非各向異性蝕刻。
此外，使用激光時，可通過與激光碰撞直接形成分離槽，此時，分離槽64的側(cè)面均以直線形成。
還有，使用切割塊時，不能形成曲折的復(fù)雜圖形，但可形成格子形的分離槽。
再有，在圖3所示的工序中，也可使光抗蝕劑膜有選擇地覆蓋來代替上述導(dǎo)電覆蓋膜，以該抗蝕劑膜為掩模對導(dǎo)電箔61進(jìn)行半蝕刻。
接著，圖4中，把光半導(dǎo)體元件65與形成了分離槽64的導(dǎo)電箔61電連接，進(jìn)行安裝。在此，作為光半導(dǎo)體元件65使用發(fā)光二極管，把該光半導(dǎo)體元件65管芯焊接到后述的第1導(dǎo)電電極51A上，利用金屬絲66對光半導(dǎo)體元件65的表面與第2導(dǎo)電電極51B進(jìn)行金屬絲焊接(參照圖6)。
其次，圖5中，密封上述光半導(dǎo)體元件65，且用透過由該光半導(dǎo)體元件65發(fā)射的光的、可使光透過的樹脂67覆蓋上述導(dǎo)電箔61之上。在本工序中，使用金屬模(省略圖示)利用傳遞模塑以熱硬化性的硅樹脂或環(huán)氧樹脂密封包含上述光半導(dǎo)體元件65及分離槽64的導(dǎo)電箔61之上。如上所述，該樹脂必須是可使光透過的樹脂、所謂稱為透明樹脂的樹脂、此外，可使用雖然是不透明的但可使規(guī)定的波長的光透過的樹脂。
在此，為了使光半導(dǎo)體元件65的光盡可能多地聚光、向上方發(fā)射，把上述可使光透過的樹脂67做成向上凸的透鏡形狀。因而，如果從上方看，則如圖8所示，實(shí)質(zhì)上呈圓形。再有，有關(guān)覆蓋在導(dǎo)電箔61表面上的、可使光透過的樹脂67(透鏡)的厚度，可考慮強(qiáng)度進(jìn)行加厚或減薄。
本工序的特征是，直到覆蓋成為透鏡的、可使光透過的樹脂67之前，導(dǎo)電箔61成為支持基板。而且，由于與現(xiàn)有(參照圖19)那樣把發(fā)光元件2安裝到印刷基板1上的結(jié)構(gòu)相比散熱性良好，故可使驅(qū)動能力提高。
還有，本發(fā)明中，由于成為支持基板的導(dǎo)電箔61是作為電極材料需要的材料，故具有極力節(jié)省結(jié)構(gòu)材料而能夠作業(yè)的優(yōu)點(diǎn)，還可實(shí)現(xiàn)成本的降低。
此外，由于上述分離槽64形成得比導(dǎo)電箔61的厚度淺，故未把導(dǎo)電箔61作為導(dǎo)電通路51分離成每一個。因而，一體地處理作為薄板狀的導(dǎo)電箔61，具有在對于可使光透過的樹脂67進(jìn)行模塑時向金屬模的輸送、向金屬模的安裝的作業(yè)變得非常簡便的優(yōu)點(diǎn)。
再有，在對光半導(dǎo)體元件65進(jìn)行樹脂密封時可以成為透鏡形狀的方式從光半導(dǎo)體元件65之上涂布焊接樹脂，來代替使用金屬模。
但是，在該情況下，由于硅樹脂或環(huán)氧樹脂的加熱硬化時的粘度都較小，故存在著不能穩(wěn)定地形成作為透鏡最好的半球形這樣的問題，但是，按照上述使用了金屬模的透鏡形成方法具有可構(gòu)成穩(wěn)定了的透鏡形狀這樣的優(yōu)點(diǎn)。再有，對于不需要作成透鏡形狀的結(jié)構(gòu)，絕緣樹脂67的厚度可較薄，即使不使用利用金屬模的傳遞模塑也沒有關(guān)系。
接著，圖6中，有對導(dǎo)電箔61的背面進(jìn)行化學(xué)和/或物理方式的除去，作為導(dǎo)電通路51進(jìn)行分離的工序。在此，該除去工序通過研磨、磨削、蝕刻及激光的金屬汽化等進(jìn)行。
在本實(shí)施例中，以覆蓋在上述導(dǎo)電箔61背面的Ag覆蓋膜62為掩模對該導(dǎo)電箔61進(jìn)行濕法蝕刻，切削上述分離槽64之下的導(dǎo)電箔61，使可使光透過的樹脂67露出，使各導(dǎo)電通路51分離。由此，成為導(dǎo)電通路51A、51B(第1導(dǎo)電電極及第2導(dǎo)電電極)的表面從可使光透過的樹脂67露出的結(jié)構(gòu)。
再有，也可利用研磨裝置或磨削裝置等把導(dǎo)電箔61的背面切削約50～60μm，使可使光透過的樹脂67從分離槽64露出，在此情況下，分離成厚度約為40μm的導(dǎo)電通路51。此外，也可在直到可使光透過的樹脂67露出跟前之前對導(dǎo)電箔61全面進(jìn)行濕法蝕刻，其后，利用研磨或磨削裝置對整個面進(jìn)行切削，使可使光透過的樹脂67露出。在此情況下，把導(dǎo)電通路51埋入可使光透過的樹脂67中，可實(shí)現(xiàn)可使光透過的樹脂67的背面與導(dǎo)電通路51的背面一致的平坦的光照射裝置。
還有，在利用上述的研磨裝置或磨削裝置等切削導(dǎo)電箔61的背面，使各導(dǎo)電通路51分離的情況下，也可根據(jù)需要把焊錫等導(dǎo)電材料覆蓋在已露出的導(dǎo)電通路51上，進(jìn)行該導(dǎo)電通路51的氧化防止處理。
最后，有把相鄰的光照射裝置分離成一個一個的，完成作為光照射裝置的工序。
本分離工序可利用切割塊、切割及扼流圈變速切斷等實(shí)現(xiàn)。在此，在采用扼流圈變速切斷的情況下，利用圖7中以點(diǎn)劃線示出的沖壓機(jī)械從覆蓋光照射裝置68的、可使光透過的樹脂67的兩端部把銅片69剝落，分離各光照射裝置68。再有，與切割塊、切割等相比，由于在此情況下不需要背面的去飛邊處理故具有作業(yè)性良好這樣的優(yōu)點(diǎn)。
本制造方法的特征在于，把可使光透過的樹脂67作為支持基板應(yīng)用，可進(jìn)行導(dǎo)電通路51的分離作業(yè)。可使光透過的樹脂67是作為埋入導(dǎo)電通路51的材料需要的材料，在制造工序中不需要支持專用的基板。因而，具有能夠以最少限度的材料進(jìn)行制造，可實(shí)現(xiàn)降低成本的特征。
再有，可在前工序的可使光透過的樹脂的附著時調(diào)整可使來自導(dǎo)電通路51表面的光透過的樹脂的厚度。因而，作為光照射裝置68的厚度雖然隨所安裝的光半導(dǎo)體元件而不同，但具有能加厚或減薄的特征。在此，成為把40μm的導(dǎo)電通路51及光半導(dǎo)體元件埋入400μm厚的可使光透過的樹脂67中的光照射裝置(參照圖7及圖8)。
在此，圖9示出了在電極30與電極31之間使上述光照射裝置68(發(fā)光二極管)……串聯(lián)連接，使光照射裝置68……中通過的電流值恒定的照明裝置40。
在上述電極30與電極31之間形成10個電極，把成為光照射裝置68的陰極(或陽極)的芯片背面固定到電極32上，用金屬絲66連接陽極(或陰極)與電極30。此外，把第2個光照射裝置68的芯片背面固定到電極33上，用金屬絲66連接芯片表面的電極與電極32。即，固定著成為陰極(或陽極)的芯片背面的電極、與從下一個光照射裝置68的陽極(或陰極)延伸的金屬絲連接。重復(fù)該連接形態(tài)，實(shí)現(xiàn)了串聯(lián)連接。例如，由具有可在X-Y-Z(X方向-Y方向-上下方向)上移動的臂的自控機(jī)等，把光照射裝置68配置在電極的規(guī)定位置上。
此外，由于把由銅箔構(gòu)成的電極作為反射板，故在其表面上覆蓋Ni，還有，為了把基板的整個范圍實(shí)質(zhì)上作為反射板，在從右電極30到左電極31這12個電極上以實(shí)質(zhì)上完全覆蓋的方式進(jìn)行了構(gòu)圖。
按照該照明裝置40，從光照射裝置68產(chǎn)生的熱通過金屬基板11散熱，具有可把光照射裝置68的驅(qū)動電流取得更大的優(yōu)點(diǎn)。
再有，雖然省略了圖示的說明，但是，即使使光照射裝置68……并聯(lián)連接也同樣可實(shí)現(xiàn)散熱性良好的照明裝置40。例如，也可以用該照明裝置40構(gòu)成信號機(jī)等。
(第2實(shí)施例)下面，一邊參照附圖，一邊說明本發(fā)明的第2實(shí)施例。
在此，如果說明第1實(shí)施例的特征與第2實(shí)施例的特征之不同則如圖3所示，在第1實(shí)施例中在以導(dǎo)電覆蓋膜62為掩模對導(dǎo)電箔61進(jìn)行半蝕刻來形成分離槽64時，以使該分離槽64上部的口徑比上述導(dǎo)電覆蓋膜62的口徑寬的方式進(jìn)行蝕刻，使該導(dǎo)電覆蓋膜62以帽形殘留在該分離槽64上部。而且，利用該帽來謀求提高導(dǎo)電箔61與絕緣樹脂67的密接性。
與此不同，在第2實(shí)施例中如圖11等所示，通過把在導(dǎo)電箔161上形成的導(dǎo)電覆蓋膜162的形成區(qū)域作成盡可能受限的區(qū)域(與第實(shí)施例相比，為更狹窄的范圍)、增加導(dǎo)電箔161的露出部分，使該導(dǎo)電箔161與絕緣樹脂167的密接性提高。即，例如在導(dǎo)電箔161由Cu構(gòu)成、導(dǎo)電覆蓋膜162由Ag構(gòu)成的情況下，由于與Cu相比、Ag與絕緣樹脂167的密接性較差，故如上所述把導(dǎo)電覆蓋膜162的形成區(qū)域盡可能作得狹窄，增加與絕緣樹脂167的密接性較好的導(dǎo)電箔161的露出部分，來謀求提高與絕緣樹脂167的密接性。
下面，說明第2實(shí)施例，但是，除了導(dǎo)電覆蓋膜162的形成區(qū)域狹窄之外的結(jié)構(gòu)與第1實(shí)施例相同，為了避免重復(fù)進(jìn)行的說明對于同等的結(jié)構(gòu)使用在第1實(shí)施例中使用了的附圖符號上加上100而形成的符號，簡化其說明。
圖10中，161為薄板狀導(dǎo)電箔，考慮到焊料的附著性、焊接性及電鍍性來選擇其材料，作為該材料可采用以Cu為主要材料的導(dǎo)電箔、以Al為主要材料的導(dǎo)電箔或由Fe-Ni、Ca-Al、Al-Cu-Al等合金構(gòu)成的導(dǎo)電箔等。
如果考慮到以后的蝕刻，則導(dǎo)電箔的厚度最好約為10μm～300μm，在此，采用了100μm的銅箔。但是，即使在300μm以上或10μm以下，基本上也可以。如后述那樣，如果能夠形成比導(dǎo)電箔161的厚度淺的分離槽164即可。
再有，作為薄板狀的導(dǎo)電箔161可這樣來準(zhǔn)備，以規(guī)定的寬度卷成滾筒狀，這在后述的各工序中便于輸送，或者，切割成規(guī)定的大小，這在后述的各工序中也便于輸送。然后，將背面以光抗蝕劑膜為掩膜的狀態(tài)下，相對于上述導(dǎo)電箔161的表面，通過以光抗蝕劑膜160為掩模進(jìn)行半蝕刻處理，半蝕刻該導(dǎo)電箔161的規(guī)定區(qū)域形成分離槽164。再有，由該蝕刻形成的分離槽164的深度例如為50μm，其側(cè)面由于成為粗糙面，故提高了與后述的可使光透過的絕緣樹脂167的接合性。
再有，可以在上述導(dǎo)電箔161上形成了Ag覆蓋膜162之后，以完全覆蓋該Ag覆蓋膜162的方式形成的光抗蝕劑膜為掩模進(jìn)行半蝕刻。
此外，該分離槽164的側(cè)壁的剖面形狀線示意性地做了圖示，但隨除去的方法而成為不同的結(jié)構(gòu)。該除去工序可采用濕法蝕刻、干法蝕刻、激光引起的汽化及切割塊等。
例如在濕法蝕刻的情況下，蝕刻劑主要采用氯化鐵或氯化銅，把上述導(dǎo)電箔161浸漬在該蝕刻劑中，或者在該蝕刻劑中對其進(jìn)行淋洗。在此，由于濕法蝕刻一般進(jìn)行非各向異性蝕刻，故在側(cè)面成為彎曲結(jié)構(gòu)。
還有，在于法蝕刻的情況下，可進(jìn)行各向異性、非各向異性蝕刻。據(jù)說，當(dāng)前還不能以反應(yīng)性離子蝕刻除去Cu，但可用濺射將其除去。此外，要看濺射的條件可進(jìn)行各向異性、非各向異性蝕刻。
此外，使用激光時，可通過與激光碰撞直接形成分離槽，此時，分離槽164的側(cè)面均以直線形成。
還有，使用切割塊時，不能形成曲折的復(fù)雜圖形，但可形成格子形的分離槽。
其次，在圖11中，對上述導(dǎo)電箔161的表面及背面的規(guī)定區(qū)域分別進(jìn)行電鍍處理。再有，在本實(shí)施例中作為導(dǎo)電覆蓋膜162形成了由Ag構(gòu)成的覆蓋膜(下面，稱為Ag覆蓋膜162)，但是，并不限定于此，作為其它材料例如有Au、Ni、Al或Pd等。而且，這些耐蝕性的導(dǎo)電覆蓋膜具有可直接作為管芯焊區(qū)、焊接區(qū)應(yīng)用的特征。還有，也可以只在導(dǎo)電箔161的表面上形成Ag覆蓋膜162。
例如，上述Ag覆蓋膜162可與Au接合，也可與焊料接合。因此，如果在芯片背面覆蓋Au覆蓋膜就能把芯片直接熱壓接到導(dǎo)電通路51上的Ag覆蓋膜162上，此外，也能通過焊場等焊料固定芯片。還有，由于Au絲可與Ag的導(dǎo)電覆蓋膜接合，故也可進(jìn)行金屬絲焊接。
而且，與第1實(shí)施例中的Ag覆蓋膜62的形成區(qū)域相比，作為第2實(shí)施例的特征的、在導(dǎo)電箔161上形成的Ag覆蓋膜162的形成區(qū)域較為狹窄。即，在第2實(shí)施例中，至少如后述那樣，如果其寬度能夠達(dá)到只在利用對導(dǎo)電箔161進(jìn)行沖壓處理所形成的凸部163而形成的剖面為杯狀的光半導(dǎo)體元件配置部的上表面部上、即以由利用凸部163形成的傾斜部來反射從光半導(dǎo)體元件165照射的光的方式確保反射面的程度；以及確保與上述光半導(dǎo)體元件165進(jìn)行金屬絲焊接的金屬絲連接部(后述的第2電極151B)的程度，即可。
由此，與第1實(shí)施例相比，在使用絕緣樹脂167對安裝了上述光半導(dǎo)體元件165的導(dǎo)電箔161進(jìn)行樹脂密封時，由于導(dǎo)電箔161與絕緣樹脂167的接合區(qū)域增大，故提高了該導(dǎo)電箔161與絕緣樹脂167的密接性(參照圖12-圖14)。
其次，圖12中，對上述已電鍍處理的導(dǎo)電箔161進(jìn)行沖壓處理，使該導(dǎo)電箔161的規(guī)定區(qū)域呈向上凸的狀態(tài)。再有，在由該凸部163形成的剖面為杯狀的光半導(dǎo)體元件配置部上安裝后述的光半導(dǎo)體元件165。然后，利用由該凸部163形成的傾斜部及其周邊部使來自光半導(dǎo)體元件165的光向上方反射，提高照射效率。還有，通過在用上述Ag覆蓋膜162覆蓋了導(dǎo)電箔161之后對該導(dǎo)電箔161進(jìn)行沖壓處理，沖壓后彎曲了的區(qū)域(凸部163的頭部)比其它區(qū)域更出現(xiàn)光澤，具有提高來自后述的光半導(dǎo)體元件的光的反射效率這樣的優(yōu)點(diǎn)。當(dāng)然，也可以在沖壓之后形成導(dǎo)電覆蓋膜，還有，在未沖壓加工的導(dǎo)電箔上形成光半導(dǎo)體元件，也沒關(guān)系。
再有，如上所述，即使在不彎曲上述導(dǎo)電箔161而形成了上述Ag覆蓋膜162的狀態(tài)下，即使只利用沖壓等對該導(dǎo)電箔161(以及Ag覆蓋膜162)進(jìn)行加壓，在該Ag覆蓋膜162上也出現(xiàn)光澤，可謀求提高照射效率。
接著，圖13中，把光半導(dǎo)體元件165與形成了分離槽164的導(dǎo)電箔161電連接，進(jìn)行安裝。在此，作為光半導(dǎo)體元件165使用發(fā)光二極管，把該光半導(dǎo)體元件165管芯焊接到后述的第1導(dǎo)電電極151A上，利用金屬絲166對光半導(dǎo)體元件165的表面與第2導(dǎo)電電極151B進(jìn)行金屬絲焊接(參照圖15)。
其次，圖14中，密封上述導(dǎo)電箔161上的上述光半導(dǎo)體元件165，且用透過由該光半導(dǎo)體元件165發(fā)射的光的、可使光透過的絕緣樹脂167進(jìn)行覆蓋。在本工序中，利用使用了金屬模(省略圖示)傳遞模塑以熱硬化性的硅樹脂或環(huán)氧樹脂密封包含上述光半導(dǎo)體元件165及分離槽164的導(dǎo)電箔161之上。如上所述，該樹脂必須是可使光透過的樹脂、所謂稱為透明樹脂的樹脂、此外，可使用雖然是不透明的但可使規(guī)定的波長的光透過的樹脂。
在此，為了使光半導(dǎo)體元件165的光盡可能多地聚光、向上方發(fā)射，把上述可使光透過的絕緣樹脂167做成向上凸的透鏡形狀。因而，如果從上方看，則如圖17所示，實(shí)質(zhì)上呈圓形。再有，有關(guān)覆蓋在導(dǎo)電箔161表面上的、可使光透過的絕緣樹脂167(透鏡)的厚度，可考慮強(qiáng)度進(jìn)行加厚或減薄。
本工序的特征是，直到覆蓋成為透鏡的、可使光透過的絕緣樹脂167之前，導(dǎo)電箔161成為支持基板。而且，由于與現(xiàn)有(參照圖19)那樣把發(fā)光元件2安裝到印刷基板1上的結(jié)構(gòu)相比散熱性良好，故可使驅(qū)動能力提高。
還有，本發(fā)明中，由于成為支持基板的導(dǎo)電箔161是作為電極材料需要的材料，故具有極力節(jié)省結(jié)構(gòu)材料而能夠作業(yè)的優(yōu)點(diǎn)，還可實(shí)現(xiàn)成本的降低。
此外，由于上述分離槽164形成得比導(dǎo)電箔161的厚度淺，故未把導(dǎo)電箔161作為導(dǎo)電通路151分離成每一個。因而，一體地處理作為薄板狀的導(dǎo)電箔161，具有在對于可使光透過的絕緣樹脂167進(jìn)行模塑時向金屬模的輸送、向金屬模的安裝的作業(yè)變得非常簡便的優(yōu)點(diǎn)。
再有，在對光半導(dǎo)體元件165進(jìn)行樹脂密封時可以成為透鏡形狀的方式從光半導(dǎo)體元件65之上涂布焊接樹脂，來代替使用金屬模。
但是，在該情況下，由于硅樹脂或環(huán)氧樹脂的加熱硬化時的粘度都較小，故存在著不能穩(wěn)定地形成作為透鏡最好的半球形這樣的問題，但是，按照上述使用了金屬模的透鏡形成方法具有可構(gòu)成穩(wěn)定了的透鏡形狀這樣的優(yōu)點(diǎn)。再有，對于不需要作成透鏡形狀的結(jié)構(gòu)，絕緣樹脂167的厚度可較薄，即使不使用利用金屬模的傳遞模塑也沒有關(guān)系。
接著，圖15中，有對導(dǎo)電箔161的背面進(jìn)行化學(xué)和/或物理方式的除去，作為導(dǎo)電通路151進(jìn)行分離的工序。在此，該除去工序通過研磨、磨削、蝕刻及激光的金屬汽化等進(jìn)行。
在本實(shí)施例中，以在背面一側(cè)的導(dǎo)電箔161及Ag覆蓋膜162上形成的光抗蝕劑膜(省略圖示)為掩模對該導(dǎo)電箔161進(jìn)行濕法蝕刻，切削上述分離槽164之下的導(dǎo)電箔161，使可使光透過的絕緣樹脂167露出，使各導(dǎo)電通路151分離。由此，成為導(dǎo)電通路151A、151B(第1導(dǎo)電電極及第2導(dǎo)電電極)的表面從可使光透過的絕緣樹脂167露出的結(jié)構(gòu)。
再有，也可利用研磨裝置或磨削裝置等把導(dǎo)電箔161的背面切削約50～60μm，使可使光透過的絕緣樹脂167從分離槽164露出，在此情況下，分離成厚度約為40μm的導(dǎo)電通路151。此外，也可在直到可使光透過的樹脂167露出跟前之前對導(dǎo)電箔161全面進(jìn)行濕法蝕刻，其后，利用研磨或磨削裝置對整個面進(jìn)行切削，使可使光透過的樹脂167露出。在此情況下，把導(dǎo)電通路151埋入可使光透過的絕緣樹脂167中，可實(shí)現(xiàn)可使光透過的絕緣樹脂167的背面與導(dǎo)電通路151的背面一致的平坦的光照射裝置。
還有，在利用上述的研磨裝置或磨削裝置等切削導(dǎo)電箔161的背面，使各導(dǎo)電通路151分離的情況下，也可根據(jù)需要把焊錫等導(dǎo)電材料覆蓋在已露出的導(dǎo)電通路151上，進(jìn)行該導(dǎo)電通路151的氧化防止處理。
最后，有把相鄰的光照射裝置分離成一個一個的，完成作為光照射裝置的工序。
本分離工序可利用切割塊、切割及扼流圈變速切斷等實(shí)現(xiàn)。在此，在采用扼流圈變速切斷的情況下，利用圖16中以點(diǎn)劃線示出的沖壓機(jī)械從覆蓋光照射裝置168的、可使光透過的絕緣樹脂167的兩端部把銅片169剝落，分離各光照射裝置168。再有，與切割塊、切割等相比，由于在此情況下不需要背面的去飛邊處理故具有作業(yè)性良好這樣的優(yōu)點(diǎn)。
本制造方法的特征在于，把可使光透過的樹脂167作為支持基板應(yīng)用，可進(jìn)行導(dǎo)電通路151的分離作業(yè)。可使光透過的絕緣樹脂167是作為埋入導(dǎo)電通路151的材料需要的材料，在制造工序中不需要支持專用的基板。因而，具有能夠以最少限度的材料進(jìn)行制造，可實(shí)現(xiàn)降低成本的特征。
再有，可在前工序的可使光透過的樹脂的附著時調(diào)整可使來自導(dǎo)電通路151表面的光透過的樹脂的厚度。因而，作為光照射裝置168的厚度雖然隨所安裝的光半導(dǎo)體元件而不同，但具有能加厚或減薄的特征。在此，成為把40μm的導(dǎo)電通路151及光半導(dǎo)體元件埋入400μm厚的可使光透過的絕緣樹脂167中的光照射裝置(參照圖16及圖17)。
在此，圖18示出了在電極130與電極131之間使上述光照射裝置168(發(fā)光二極管)……串聯(lián)連接，使光照射裝置168……中通過的電流值恒定的照明裝置140。
在上述電極130與電極131之間形成10個電極，把成為光照射裝置168的陰極(或陽極)的芯片背面固定到電極132上，用金屬絲166連接陽極(或陰極)與電極130。此外，把第2個光照射裝置168的芯片背面固定到電極133上，用金屬絲166連接芯片表面的電極與電極132。即，固定著成為陰極(或陽極)的芯片背面的電極、與從下一個光照射裝置168的陽極(或陰極)延伸的金屬絲連接。重復(fù)該連接形態(tài)，實(shí)現(xiàn)了串聯(lián)連接。
此外，由于把由銅箔構(gòu)成的電極作為反射板，故在其表面上覆蓋Ni，還有，為了把基板的整個范圍實(shí)質(zhì)上作為反射板，在從右電極130到左電極131這12個電極上以實(shí)質(zhì)上完全覆蓋的方式進(jìn)行了構(gòu)圖。例如，由具有可在X-Y-Z(X方向-Y方向-上下方向)上移動的臂的自控機(jī)等，把光照射裝置168配置在電極的規(guī)定位置上。
按照該結(jié)構(gòu)，從光照射裝置168產(chǎn)生的熱通過金屬基板111散熱，具有可把光照射裝置168的驅(qū)動電流取得更大的優(yōu)點(diǎn)。
再有，雖然省略了圖示的說明，但是，即使使光照射裝置168……并聯(lián)連接、或者把并聯(lián)連接與串聯(lián)連接組合而進(jìn)行連接，也同樣可實(shí)現(xiàn)散熱性良好的照明裝置140。例如，也可用該照明裝置140構(gòu)成信號機(jī)等。
此外，作為使導(dǎo)電箔61、161與絕緣樹脂67、167的密接性提高的方法，不是形成導(dǎo)電覆蓋膜62、162、而是通過使上述導(dǎo)電箔61、161的表面氧化成為氧化銅(CuO或Cu2O)，可使導(dǎo)電箔61、161與絕緣樹脂67、167的密接性提高。
還有，從本發(fā)明人的解析結(jié)果可知，上述導(dǎo)電箔61、161的表面狀態(tài)為Cu2O狀態(tài)、即氧化率低的狀態(tài)時的密接性，比為CuO狀態(tài)時優(yōu)良。
從上面的說明可知，在本發(fā)明中，形成了以所需最少限度的光半導(dǎo)體元件、導(dǎo)電通路(導(dǎo)電電極)及可使光透過的樹脂構(gòu)成，在資源方面無浪費(fèi)的光照射裝置。因而，可實(shí)現(xiàn)直到完成都沒有多余的結(jié)構(gòu)元件、可大幅度地降低成本的光照射裝置。此外，通過把可使光透過的樹脂覆蓋膜的膜厚及導(dǎo)電箔的厚度定為最佳值，可實(shí)現(xiàn)非常小型化、薄型化及輕量化的光照射裝置。
還有，由于只使導(dǎo)電通路的背面從可使光透過的樹脂露出故可提供導(dǎo)電通路的背面直接與外部的連接，具有可不需要現(xiàn)有結(jié)構(gòu)的背面電極及通孔的優(yōu)點(diǎn)。而且，由于與現(xiàn)有那樣的把光半導(dǎo)體元件安裝到印刷基板上的結(jié)構(gòu)相比可提高散熱性，故可使光半導(dǎo)體元件的驅(qū)動能力提高。
此外，通過預(yù)先在上述導(dǎo)電箔表面的至少成為導(dǎo)電通路的區(qū)域上形成導(dǎo)電覆蓋膜，在該導(dǎo)電箔上形成分離槽時該導(dǎo)電覆蓋膜以帽形殘留在導(dǎo)電箔的上表面上，因此，提高了用可使光透過的樹脂覆蓋上述各光照射裝置時的、導(dǎo)電箔與可使光透過的樹脂的密接性。
還有，通過在以包圍上述導(dǎo)電箔的至少固定上述光半導(dǎo)體元件的區(qū)域的方式彎曲該導(dǎo)電箔時，以具有可使光半導(dǎo)體元件的光向上方反射的某一傾斜角的方式進(jìn)行彎曲，可使照射效率變得良好。
此外，通過在上述導(dǎo)電通路上形成了導(dǎo)電覆蓋膜的狀態(tài)下、利用沖壓等彎曲該導(dǎo)電箔，在該導(dǎo)電覆蓋膜上出現(xiàn)光澤，可謀求進(jìn)一步提高照射效率。
此外，通過具有下述工序，直到最終階段之前各光照射裝置相互間都不分離，因而，可把導(dǎo)電箔作為一張薄板提供給各工序，作業(yè)性良好，該工序?yàn)樵谟每墒构馔高^的樹脂以充填到上述分離槽中的方式覆蓋上述各光照射裝置之后，直到規(guī)定的位置、除去未設(shè)置上述分離槽一側(cè)的上述導(dǎo)電箔，然后，對于用上述可使光透過的樹脂覆蓋的各光照射裝置相互間進(jìn)行分離。
還有，由于可通過使用金屬模的傳遞模塑附著上述可使光透過的樹脂，故作業(yè)性良好，此外，可制作適當(dāng)?shù)男螤?。特別適合于制作透鏡形狀。
此外，在利用沖壓分離成一個一個的用上述可使光透過的樹脂密封的光照射裝置時，不需要光照射裝置端部的去飛邊處理，提高了生產(chǎn)率。
還有，通過只在上述導(dǎo)電箔表面的、至少成為導(dǎo)電通路的區(qū)域的某一受限的區(qū)域中形成導(dǎo)電覆蓋膜，以縮窄由該導(dǎo)電覆蓋膜覆蓋的導(dǎo)電箔的范圍，提高了在用可使光透過的樹脂覆蓋上述光照射裝置時的、導(dǎo)電箔與可使光透過的樹脂的密接性。
權(quán)利要求
1.一種光照射裝置，其特征在于，具備已電分離的多個導(dǎo)電通路；固定于所希望的導(dǎo)電通路上的光半導(dǎo)體元件；以及樹脂，覆蓋該光半導(dǎo)體元件且一體地支持上述導(dǎo)電通路，并可使光透過。
2.根據(jù)權(quán)利要求1中所述的光照射裝置，其特征在于，由分離槽對上述多個導(dǎo)電通路進(jìn)行電分離，且把上述樹脂充填到上述分離槽中。
3.根據(jù)權(quán)利要求2中所述的光照射裝置，其特征在于，由上述樹脂覆蓋上述多個導(dǎo)電通路的表面，露出其背面。
4.根據(jù)權(quán)利要求1中所述的光照射裝置，其特征在于，設(shè)置了連接上述光半導(dǎo)體元件的電極與其它上述導(dǎo)電通路的連接裝置。
5.根據(jù)權(quán)利要求1中所述的光照射裝置，其特征在于，還具有在上述導(dǎo)電通路的上表面形成的、由與上述導(dǎo)電通路不同的金屬材料構(gòu)成的導(dǎo)電覆蓋膜。
6.根據(jù)權(quán)利要求5中所述的光照射裝置，其特征在于，至少直到上述分離槽的開口部之內(nèi)側(cè)，形成了上述導(dǎo)電覆蓋膜。
7.根據(jù)權(quán)利要求5中所述的光照射裝置，其特征在于，在上述分離槽的開口部之外側(cè)，形成了上述導(dǎo)電覆蓋膜。
8.根據(jù)權(quán)利要求1中所述的光照射裝置，其特征在于，上述導(dǎo)電通路由銅、鋁、鐵-鎳、銅-鋁及鋁-銅-鋁的任一種導(dǎo)電箔構(gòu)成。
9.根據(jù)權(quán)利要求5中所述的光照射裝置，其特征在于，上述導(dǎo)電覆蓋膜由鎳、金、鈀、鋁或銀等構(gòu)成的電鍍膜來構(gòu)成。
10.根據(jù)權(quán)利要求4中所述的光照射裝置，其特征在于，上述連接裝置由焊接絲構(gòu)成。
11.根據(jù)權(quán)利要求1中所述的光照射裝置，其特征在于，上述導(dǎo)電通路做為電極、焊接區(qū)或管芯焊區(qū)使用。
12.根據(jù)權(quán)利要求1中所述的光照射裝置，其特征在于，在形成了上述導(dǎo)電覆蓋膜的上述導(dǎo)電通路的、固定著上述光半導(dǎo)體元件的區(qū)域之周圍，還具有具有使上述光半導(dǎo)體元件的光向上方反射用的傾斜角的彎曲部。
13.一種照明裝置，其特征在于，在金屬基板上具備多個根據(jù)權(quán)利要求1中所述的光照射裝置。
14.一種光照射裝置的制造方法，其特征在于，具備在至少除了成為導(dǎo)電通路的區(qū)域的上述導(dǎo)電箔上形成比該導(dǎo)電箔的厚度淺的分離槽、形成多個導(dǎo)電通路的工序；把各光半導(dǎo)體元件固定到上述多個導(dǎo)電通路上的工序；用可使光透過的樹脂以充填到上述分離槽中的方式，覆蓋上述各光半導(dǎo)體元件的工序；以及除去未設(shè)置上述分離槽一側(cè)的上述導(dǎo)電箔，使上述樹脂露出的工序。
15.根據(jù)權(quán)利要求14中所述的光照射裝置的制造方法，其特征在于，在把上述光半導(dǎo)體元件固定的工序之前，還具備在上述導(dǎo)電通路上的規(guī)定區(qū)域上形成導(dǎo)電覆蓋膜的工序。
16.根據(jù)權(quán)利要求14中所述的光照射裝置的制造方法，其特征在于，在用上述樹脂進(jìn)行覆蓋的工序之前，還具備形成電連接上述所希望的光半導(dǎo)體元件的電極與上述導(dǎo)電通路的連接裝置的工序。
17.根據(jù)權(quán)利要求15中所述的光照射裝置的制造方法，其特征在于，在形成上述導(dǎo)電覆蓋膜的工序之后，還具備以包圍上述導(dǎo)電箔的至少固定光半導(dǎo)體元件的區(qū)域的方式，彎曲該導(dǎo)電箔的工序。
18.根據(jù)權(quán)利要求17中所述的光照射裝置的制造方法，其特征在于，在用樹脂覆蓋上述光半導(dǎo)體元件的工序之前，還具備形成電連接上述所希望的光半導(dǎo)體元件的電極與上述導(dǎo)電通路的連接裝置的工序。
19.根據(jù)權(quán)利要求14中所述的光照射裝置的制造方法，其特征在于，還具備對于由上述可使光透過的樹脂覆蓋的多個光半導(dǎo)體元件進(jìn)行分離的工序。
20.根據(jù)權(quán)利要求15中所述的光照射裝置的制造方法，其特征在于，還具備對于由上述可使光透過的樹脂覆蓋的多個光半導(dǎo)體元件進(jìn)行分離的工序。
21.根據(jù)權(quán)利要求16中所述的光照射裝置的制造方法，其特征在于，還具備對于由上述可使光透過的樹脂覆蓋的多個光半導(dǎo)體元件進(jìn)行分離的工序。
22.根據(jù)權(quán)利要求17中所述的光照射裝置的制造方法，其特征在于，還具備對于由上述可使光透過的樹脂覆蓋的多個光半導(dǎo)體元件進(jìn)行分離的工序。
23.根據(jù)權(quán)利要求18中所述的光照射裝置的制造方法，其特征在于，還具備對于由上述可使光透過的樹脂覆蓋的多個光半導(dǎo)體元件進(jìn)行分離的工序。
24.根據(jù)權(quán)利要求14中所述的光照射裝置的制造方法，其特征在于，上述光半導(dǎo)體元件的背面的陰極或陽極與由上述導(dǎo)電通路構(gòu)成的第1導(dǎo)電電極電連接，同樣，該元件表面的陽極或陰極與由上述導(dǎo)電通路構(gòu)成的第2導(dǎo)電電極電連接。
25.根據(jù)權(quán)利要求17中所述的光照射裝置的制造方法，其特征在于，在上述導(dǎo)電箔的彎曲工序中，以具有可使上述光半導(dǎo)體元件的光向上方反射的某一傾斜角的方式進(jìn)行彎曲。
26.根據(jù)權(quán)利要求14中所述的光照射裝置的制造方法，其特征在于，上述導(dǎo)電箔由銅、鋁、鐵-鎳、銅-鋁、鋁-銅-鋁的任一種構(gòu)成。
27.根據(jù)權(quán)利要求15中所述的光照射裝置的制造方法，其特征在于，上述導(dǎo)電覆蓋膜由鎳、金、鈀、鋁或銀的任一種電鍍形成。
28.根據(jù)權(quán)利要求15中所述的光照射裝置的制造方法，其特征在于，上述導(dǎo)電覆蓋膜具有耐蝕性，作為上述分離槽形成時的掩模來使用。
29.根據(jù)權(quán)利要求14中所述的光照射裝置的制造方法，其特征在于，由化學(xué)的或物理的蝕刻形成在上述導(dǎo)電箔上有選擇地形成的上述分離槽。
30.根據(jù)權(quán)利要求14中所述的光照射裝置的制造方法，其特征在于，以該光抗蝕劑為掩模，由化學(xué)的或物理的蝕刻形成在上述導(dǎo)電箔上有選擇地形成的上述分離槽。
31.根據(jù)權(quán)利要求16中所述的光照射裝置的制造方法，其特征在于，上述連接裝置由金屬絲焊接形成。
32.根據(jù)權(quán)利要求14中所述的光照射裝置的制造方法，其特征在于，通過傳遞模塑附著上述可使光透過的樹脂。
33.根據(jù)權(quán)利要求19中所述的光照射裝置的制造方法，其特征在于，利用切割塊或利用沖壓分離由上述可使光透過的樹脂覆蓋的光照射裝置。
全文摘要
提供散熱性良好的光照射裝置68,該裝置68具備:已電分離的多個導(dǎo)電通路51;固定于所希望的導(dǎo)電通路51上的光半導(dǎo)體元件65;以及樹脂67,覆蓋該光半導(dǎo)體元件65且成為一體地支持上述導(dǎo)電通路51的透鏡、并可使光透過。
文檔編號H01L25/13GK1329364SQ0111947
公開日2002年1月2日 申請日期2001年5月31日 優(yōu)先權(quán)日2000年6月9日
發(fā)明者坂本則明, 小林義幸, 前原榮壽, 高橋幸嗣, 阪本純次, 真下茂明, 大川克實(shí) 申請人:三洋電機(jī)株式會社