專利名稱：模擬缺陷晶片和缺陷檢查處方作成方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體缺陷檢查，特別是涉及在半導(dǎo)體缺陷檢查中使用的模擬缺陷晶片和缺陷檢查處方作成方法。
邊參看

圖14的流程圖邊對(duì)現(xiàn)有的技術(shù)的缺陷檢查處方的作成方法的一個(gè)例子進(jìn)行說(shuō)明。
首先，準(zhǔn)備成為檢查對(duì)象的晶片(步驟S91)，其次，暫定性地選擇處方用的參數(shù)(步驟S92)作成暫定檢查處方(步驟S93)。其次，實(shí)際檢查檢查對(duì)象并觀察所檢測(cè)出來(lái)的缺陷(步驟S94)，從該缺陷的種類(以下，叫做缺陷種類)或缺陷的大小，判斷用暫定檢查處方施行的缺陷檢測(cè)靈敏度是否達(dá)到了所希望的檢測(cè)靈敏度(步驟S95)。在判斷為未達(dá)到所希望的檢測(cè)靈敏度的情況下，一直到滿足所希望的檢測(cè)靈敏度為止反復(fù)進(jìn)行處方參數(shù)的選擇、暫定檢查處方的作成、晶片檢查和缺陷觀察等一連串的步驟(步驟S92～S95)。在判斷為達(dá)到了所希望的檢測(cè)靈敏度的情況下，就把最后選擇的處方參數(shù)定作檢查用的處方參數(shù)(步驟S96)，把這時(shí)的暫定檢查處方當(dāng)作缺陷檢查處方登錄在缺陷檢查裝置內(nèi)(步驟S97)，結(jié)束檢查處方作成。
但是，在上邊所說(shuō)的現(xiàn)有的檢查處方作成方法中，存在著以下的一些問題。
就是說(shuō)，由于檢查對(duì)象的晶片是實(shí)際的半導(dǎo)體產(chǎn)品或TEG(測(cè)試元器件群)，故不能預(yù)先得到實(shí)際上存在哪一種缺陷和存在著多少這樣的缺陷信息。為此，對(duì)于是否完全檢查出了所希望的缺陷，能否檢查別的缺陷或完全不存在別的缺陷，沒有把握。此外，還存在著檢查處方的良否很大程度地受作成者的熟練程度左右這樣的問題。
此外，即便是想使用模擬缺陷晶片而不是實(shí)際的晶片，以往，也只能是用單層構(gòu)造制作的晶片。為此，如圖15所示的模擬缺陷101、102所示，只能作成平面性的缺陷種類。但是，實(shí)際上可以產(chǎn)生的缺陷，如圖16所示，在圖形上邊形成的缺陷103或在襯底上邊的圖形之間的間隙內(nèi)形成的缺陷104等，在高度方向(與襯底面垂直的方向)上的位置大多不同，要用單層構(gòu)造的模擬缺陷晶片來(lái)實(shí)現(xiàn)這樣的缺陷，是困難的。
本發(fā)明的第1個(gè)目的，在于提供考慮了種種的缺陷種類的缺陷檢查用的模擬缺陷晶片。
此外，本發(fā)明的第2個(gè)目的，在于提供可以無(wú)遺漏地檢測(cè)所希望的缺陷種類而不依賴于作成者的熟練程度的檢查處方作成方法。
倘本發(fā)明的第1方案，則可以提供模擬缺陷晶片，該晶片具備在半導(dǎo)體襯底上邊，被形成為其上表面從上述半導(dǎo)體襯底的表面算起具有第1高度的模擬正常圖形；在上述半導(dǎo)體襯底上邊，被形成為其上表面從上述半導(dǎo)體襯底的表面算起具有與上述第1高度不同的第2高度的第1模擬缺陷圖形。
由于具備被形成為其上表面具有與作為對(duì)上述半導(dǎo)體襯底的表面的上述模擬正常圖形的上表面的高度的第1高度不同的第2高度的上述第1模擬缺陷圖形，故可以提供在模擬性地實(shí)現(xiàn)實(shí)際上可以產(chǎn)生的缺陷之內(nèi)，在高度方向上位置不同的缺陷的模擬缺陷晶片。在這里，上述所謂模擬正常圖形，指的是在模擬缺陷晶片上邊模擬地形成了可以在作為檢查對(duì)象的半導(dǎo)體晶片上邊按照設(shè)計(jì)要求良好地形成的圖形的圖形。
上述模擬缺陷晶片，理想的是還具備在上述半導(dǎo)體襯底上邊形成，具有與上述模擬正常圖形不同的平面形狀的第2模擬缺陷圖形。用上述第2模擬缺陷圖形，也可以實(shí)現(xiàn)平面形狀中的缺陷種類。
上述第1模擬缺陷圖形理想的是含有在上述模擬正常圖形上邊形成的圖形。借助于此，可以提供模擬性地實(shí)現(xiàn)可以在檢查對(duì)象晶片上邊發(fā)生的典型的缺陷種類的模擬缺陷晶片。
此外，上述模擬正常圖形、上述第1和上述第3模擬缺陷圖形也可以用含有導(dǎo)電膜的疊層體構(gòu)成。借助于此，可以提供模擬布線圖形中的缺陷的模擬缺陷晶片。
此外，倘采用本發(fā)明的第2個(gè)方案，則可以提供缺陷檢查處方的作成方法，該方法是一種在半導(dǎo)體缺陷檢查裝置中使用的處方文件的作成方法，具備任意地設(shè)定處方參數(shù)的參數(shù)設(shè)定工序；根據(jù)上述處方參數(shù)作成第1暫定缺陷檢查處方的第1暫定處方作成工序；用上述第1暫定缺陷檢查處方對(duì)于已預(yù)先得到了作為與缺陷種類有關(guān)的數(shù)據(jù)的模擬缺陷數(shù)據(jù)的模擬缺陷晶片檢查缺陷的模擬缺陷檢查工序；核對(duì)所檢查到的缺陷數(shù)據(jù)和上述模擬缺陷數(shù)據(jù)，計(jì)算上述第1暫定缺陷檢查處方的缺陷檢測(cè)率的缺陷檢測(cè)率計(jì)算工序；使計(jì)算出來(lái)的上述缺陷檢測(cè)率與所希望的缺陷檢測(cè)率進(jìn)行比較，判定上述第1暫定缺陷檢測(cè)靈敏度的檢測(cè)靈敏度判定工序；在計(jì)算出來(lái)的上述缺陷檢測(cè)率低于上述所希望缺陷檢測(cè)率的情況下，變更上述處方參數(shù)，一直到可以得到上述所希望的缺陷檢測(cè)率為止，反復(fù)進(jìn)行上述第1暫定缺陷處方作成工序到上述缺陷檢測(cè)靈敏度判定工序的第1暫定處方修正工序；把得到了上述所希望的缺陷檢測(cè)靈敏度的上述處方參數(shù)定為上述半導(dǎo)體缺陷檢查裝置的處方參數(shù)的處方?jīng)Q定工序。
倘采用上述處方文件作成方法，由于用可以預(yù)先得到模擬缺陷數(shù)據(jù)的模擬缺陷晶片，此外，把所檢測(cè)出來(lái)的缺陷數(shù)據(jù)與上述模擬缺陷數(shù)據(jù)進(jìn)行對(duì)照，計(jì)算上述第1暫定缺陷檢查處方的缺陷檢測(cè)率，故可以使上述第1暫定缺陷檢查處方的缺陷檢測(cè)靈敏度定量化。此外，采用一直到達(dá)到所希望的檢測(cè)靈敏度為止調(diào)整變更上述處方參數(shù)的辦法，可以使處方參數(shù)最佳化。結(jié)果是使作成合適的缺陷檢查處方而不依賴于處方作成者的熟練程度成為可能。
上邊所說(shuō)的缺陷檢查處方的作成方法，理想的是還具備用已決定的上述處方參數(shù)作成第2暫定缺陷檢查處方的第2暫定處方作成工序；用上述第2暫定缺陷檢查處方對(duì)檢查對(duì)象的半導(dǎo)體晶片實(shí)際進(jìn)行檢查的實(shí)際檢查工序；對(duì)于對(duì)上述半導(dǎo)體晶片的檢查結(jié)果驗(yàn)證是否存在著異常的異常驗(yàn)證工序；在上述缺陷檢查的結(jié)果中存在著異常的情況下，調(diào)整上述處方參數(shù)，一直到消除上述異常為止反復(fù)進(jìn)行上述第2暫定處方作成工序到上述異常驗(yàn)證工序的第2暫定處方修正工序。
如上所述，由于對(duì)來(lái)自檢查對(duì)象的半導(dǎo)體晶片的缺陷檢查結(jié)果驗(yàn)證異常的有無(wú)，在存在著異常的情況下，一直到該異常消除為止調(diào)整上述處方參數(shù)，故可以作成合適的缺陷檢查處方。
此外，上邊所說(shuō)的缺陷檢查處方的作成方法，理想的是還具備用已決定的上述處方參數(shù)作成第2暫定缺陷檢查處方的第2暫定處方作成工序；用上述第2暫定缺陷檢查處方對(duì)檢查對(duì)象的半導(dǎo)體晶片實(shí)際進(jìn)行檢查的實(shí)際檢查工序；對(duì)于對(duì)上述半導(dǎo)體晶片的檢查結(jié)果驗(yàn)證是否存在著異常的異常驗(yàn)證工序；在存在著異常的情況下，對(duì)上述缺陷檢查結(jié)果判定其異常程度的工序；在已判定的上述異常程度，借助于上述第2暫定缺陷檢查處方的調(diào)整，處于可以消除的范圍內(nèi)的情況下，調(diào)整上述處方參數(shù)，一直到消除上述異常為止反復(fù)進(jìn)行上述第2暫定處方作成工序到上述異常驗(yàn)證工序，在已判定的上述異常程度，超過(guò)了借助于上述第2暫定缺陷檢查處方的調(diào)整可以消除的范圍的情況下，變更上述處方參數(shù)，一直到消除上述異常為止反復(fù)進(jìn)行上述第2暫定處方作成工序到上述異常驗(yàn)證工序的工序。
借助于此，在異常程度大的情況下，由于從上述第1暫定缺陷檢查處方的作成階段開始調(diào)整處方參數(shù)，故可以作成最佳的缺陷檢查處方。
上述模擬缺陷晶片，理想的是上邊所說(shuō)的本發(fā)明的第1方案的模擬缺陷晶片。
借助于此，由于可以考慮與上述模擬正常圖形在高度方向上位置不同或平面形狀不同的缺陷種類，選定上述處方參數(shù)，故可以作成使無(wú)一遺漏的缺陷檢測(cè)成為可能的處方文件。
此外，上述處方參數(shù)，包括上述半導(dǎo)體缺陷檢查裝置的光學(xué)系統(tǒng)或電子光學(xué)系統(tǒng)中的可以變更的焦距，上述參數(shù)設(shè)定工序，可以包括設(shè)定在上述半導(dǎo)體晶片的表面垂直的方向上與可以在所希望的位置上存在的上述缺陷種類對(duì)應(yīng)的上述焦距距離的工序。
倘采用現(xiàn)有的技術(shù)，在僅僅檢查特定的缺陷種類的情況下，處方作成者雖然會(huì)根據(jù)其經(jīng)驗(yàn)來(lái)推測(cè)上述焦距，但結(jié)果是必須借助于數(shù)據(jù)加工抽出與所希望的缺陷種類對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)，在數(shù)據(jù)處理方面要花費(fèi)許多的時(shí)間。倘采用本發(fā)明，由于缺陷種類的特征和缺陷檢測(cè)靈敏度可以定量化，故可以在短時(shí)間內(nèi)選定與所希望的缺陷種類對(duì)應(yīng)的處方參數(shù)。借助于此，可以提供大幅度地改善檢查效率的處方文件。
圖1的局部平面圖示出了本發(fā)明的模擬缺陷晶片的一個(gè)實(shí)施形態(tài)。
圖2的概略剖面圖示出了從圖1的A-A切斷線處切斷的圖1所示的模擬缺陷晶片。
圖3到圖11是說(shuō)明圖1所示的模擬缺陷晶片的制作方法的概略剖面圖。
圖12和圖13是說(shuō)明本發(fā)明的缺陷檢查處方作成方法的一個(gè)實(shí)施形態(tài)的流程圖。
圖14是說(shuō)明現(xiàn)有技術(shù)的缺陷檢查處方作成方法的流程圖。
圖15的局部斜視圖示出了現(xiàn)有技術(shù)的模擬缺陷晶片的一個(gè)例子。
圖16的局部斜視圖示出了用來(lái)說(shuō)明現(xiàn)有技術(shù)的問題的缺陷晶片的一個(gè)例子。
以下，邊參看附圖邊對(duì)本發(fā)明的若干個(gè)實(shí)施形態(tài)進(jìn)行說(shuō)明。
(1)模擬缺陷晶片實(shí)施形態(tài)圖1的局部平面圖示出了本發(fā)明的模擬缺陷晶片的一個(gè)實(shí)施形態(tài)，圖2的概略剖面圖示出了從圖1的A-A切斷線處切斷的圖1所示的模擬缺陷晶片。
如圖1和圖2所示，本實(shí)施形態(tài)的模擬缺陷晶片1，是在柵極布線工序的缺陷檢查中使用的模擬缺陷晶片，具備在硅襯底S上邊形成的布線圖形10a～10d和模擬缺陷圖形DF1～DF3。
如圖2的剖面圖所示，本實(shí)施形態(tài)的模擬缺陷晶片1的特征，首先，在于模擬缺陷圖形DF1、DF2的上表面的從襯底S表面算起的高度分別與布線圖形10a～10d不同這一點(diǎn)，其次，如圖1所示，在于模擬缺陷圖形DF1～DF3的平面形狀與布線圖形10a～10d不同這一點(diǎn)。
布線圖形10a～10d，是含有每者的膜厚約200nm，在襯底S上邊的硅氧化膜16上邊成膜的多晶硅膜7a～7d，在這些多晶硅膜上邊以約200nm的膜厚分別成膜的硅氮化膜9a～9d，在圖1的紙面左右方向上以規(guī)定的節(jié)距形成的線狀的圖形。布線圖形10a～10d，是本實(shí)施形態(tài)中的模擬正常圖形。
模擬缺陷圖形DF1，含有在硅襯底S上邊成膜的膜厚約50nm的硅氧化膜3和在該硅氧化膜3上邊成膜的膜厚約100nm的硅氮化膜5。硅氮化膜5上面的從襯底S表面算起的高度比布線圖形10a～10d低。模擬缺陷圖形DF1，把硅氧化膜3和硅氮化膜5的一部分埋入到布線圖形10a的內(nèi)部，它們的殘部則被形成得位于布線圖形10a、10b之間。
模擬缺陷圖形DF2，在布線圖形10b上邊的一部分區(qū)域中用以約100nm的膜厚成膜的多晶硅膜20構(gòu)成。借助于此，模擬缺陷圖形DF2上面的從襯底S表面算起的高度，變成為與布線圖形10a～10d不同的構(gòu)造。
模擬缺陷圖形DF3，用與布線圖形10c、10d同一的材料、膜厚形成為把布線圖形10c、10d間的間隙填埋起來(lái)。因此，雖然其上面的從襯底S表面算起的高度與布線圖形10a～10d相同，但是在平視圖上則變成為使這些布線圖形彼此連接起來(lái)的形狀。
使用本實(shí)施形態(tài)的模擬缺陷晶片1的缺陷檢查處方的作成方法，將在下邊要說(shuō)明的實(shí)施形態(tài)中說(shuō)明，故在這里對(duì)模擬缺陷晶片1的制造方法進(jìn)行說(shuō)明。
圖3～圖6、圖8～圖11，是說(shuō)明圖1所示的模擬缺陷晶片的制作方法的概略剖面圖。圖7是說(shuō)明圖1所示的模擬缺陷晶片的制作方法的概略平面圖。
首先，如圖3所示，在以約50nm的厚度在硅襯底S上邊成膜硅氧化膜2之后，以大約100nm的厚度成膜硅氮化膜4。
其次，如圖4所示，借助于使用光刻膠的圖形化選擇性地除去硅氧化膜2和硅氮化膜4，變成為硅氧化膜3和硅氮化膜5，借助于此，形成布線圖形下邊的模擬缺陷圖形DF1。
其次，如圖5所示，在以約10nm的厚度在硅襯底S的表面上成膜硅氧化膜16之后，在整個(gè)面上分別以200nm的厚度依次成膜多晶硅膜6和硅氮化膜8，借助于使用光刻膠的圖形化選擇性地除去，如圖6所示，形成布線圖形10a～10d。這時(shí)，采用使用給布線圖形形狀的一部分加上缺陷圖形形狀的光刻膠圖形(掩模)的辦法，使多晶硅膜6和硅氮化膜8變成為分別用圖6的標(biāo)號(hào)7a、7b、7c、13、7d和標(biāo)號(hào)9a、9b、9c、15、9d表示的形狀，如圖7所示，與布線圖形同時(shí)形成作為圖形的形狀異常缺陷的模擬缺陷圖形DF3。
其次，如圖8所示，在整個(gè)面上以約800nm的厚度成膜BPSG(Boron-doped Phospher-Silicate Glass，硼磷玻璃)膜18之后，如圖9所示，一直到硅氮化膜9a、9b、9c、15、9d在表層上露出來(lái)為止，借助于CPM(Chemical Mechanical Polishing，化學(xué)機(jī)械研磨)加工使BPSG膜18后退。
其次，如圖10所示，在在整個(gè)面上以大約100nm的厚度成膜多晶硅膜20之后，如圖11所示，借助于使用光刻膠的圖形化選擇性地除去該多晶硅膜20，借助于此，形成布線圖形10b上邊的模擬缺陷圖形DF2。
最后，借助于各向異性刻蝕除去BPSG膜18，如圖1和圖2所示，完成柵極布線工序中的模擬缺陷晶片1。
(2)缺陷檢查處方作成方法的實(shí)施形態(tài)圖12和圖13是說(shuō)明本發(fā)明的缺陷檢查處方作成方法的一個(gè)實(shí)施形態(tài)的流程圖。另外，作為使用在本實(shí)施形態(tài)中作成的處方的缺陷檢查裝置，沒有什么特別限定，例如既可以是使用激光束等的光學(xué)系統(tǒng)的缺陷檢查裝置，也可以是使用電子束的帶電散射束系統(tǒng)的缺陷檢查裝置。
首先，如圖12所示，與其模擬缺陷數(shù)據(jù)一起準(zhǔn)備模擬缺陷晶片1(參看圖1和圖2)(步驟S1)，任意地選擇暫定的處方參數(shù)(步驟S2)，作成暫定的缺陷檢查處方(步驟S3)。處方參數(shù)，相應(yīng)于檢查工序或檢查對(duì)象晶片的種類有多個(gè)參數(shù)，例如，有光電系統(tǒng)(電子光學(xué)系統(tǒng))中的焦距、要取得的缺陷圖象的象素(pixel)的大小，用來(lái)除去噪聲的圖象濾波器的強(qiáng)度等。
其次，用所作成的暫定缺陷檢查處方，對(duì)模擬缺陷晶片1進(jìn)行缺陷檢查，檢測(cè)模擬缺陷(步驟S4)。
其次，對(duì)用暫定缺陷檢查處方檢測(cè)出來(lái)的缺陷數(shù)據(jù)和預(yù)先準(zhǔn)備的模擬缺陷數(shù)據(jù)進(jìn)行對(duì)照(步驟S5)，計(jì)算缺陷檢測(cè)率(步驟S6)。
其次，使所得到的缺陷檢測(cè)率與所希望的檢測(cè)率進(jìn)行比較判定(步驟S7)。在本實(shí)施形態(tài)中，設(shè)該所希望的檢測(cè)率為80％。
在所得到的缺陷檢測(cè)率不滿足判定基準(zhǔn)的情況下(步驟S7)，就邊變更暫定處方參數(shù)的值(步驟S8)，邊反復(fù)進(jìn)行上邊所說(shuō)的步驟S3到S7的流程，一直到找到滿足判定基準(zhǔn)的處方參數(shù)為止。另一方面，在滿足了判定基準(zhǔn)的情況下，就把該時(shí)的處方參數(shù)當(dāng)作缺陷檢查處方用的參數(shù)(步驟S9)，登錄到數(shù)據(jù)庫(kù)內(nèi)(步驟S10)。
其次，如圖13所示，準(zhǔn)備作為實(shí)際的檢查對(duì)象的晶片(步驟S11)，在上述步驟S10中，選擇性地從數(shù)據(jù)庫(kù)內(nèi)取出在已經(jīng)登錄在數(shù)據(jù)庫(kù)中的處方參數(shù)之內(nèi)被認(rèn)為適合于檢查對(duì)象的晶片的處方參數(shù)(步驟S12)，再次作成暫定的缺陷檢查處方(步驟S13)。
其次，對(duì)在上邊所說(shuō)的步驟S11中準(zhǔn)備的檢查對(duì)象晶片，實(shí)際進(jìn)行缺陷檢查和缺陷觀察(步驟S14)，確認(rèn)在檢查結(jié)果內(nèi)是否存在著異常(步驟S15)。在這里，所謂檢查結(jié)果中的異常，主要是噪聲，例如可以舉出這樣的噪聲如果是光學(xué)系統(tǒng)的缺陷檢查裝置，則是來(lái)自晶片的反射光的光強(qiáng)度分布中的噪聲，如果是帶電射束系統(tǒng)的缺陷檢查裝置，則是由從晶片檢測(cè)出來(lái)的2次電子等形成的電子束圖象的濃淡分布中的噪聲等。在檢查結(jié)果中發(fā)現(xiàn)了異常的情況下(步驟S15)，就要根據(jù)異常的程度進(jìn)行處方參數(shù)的修改。如果異常的程度是輕微的，通過(guò)調(diào)整可以消除(步驟S16)，則調(diào)整處方參數(shù)的值(步驟S17)，再次作成暫定缺陷檢查處方，用同一檢查對(duì)象反復(fù)進(jìn)行確認(rèn)(步驟S13～S15)，直到異常消除為止。在異常的程度是顯著的，似乎不能通過(guò)調(diào)整消除的情況下(步驟S16)，就再次準(zhǔn)備模擬缺陷晶片1來(lái)代替檢查對(duì)象(步驟S18)，變更處方參數(shù)(步驟S19)，一直到異常消除為止反復(fù)進(jìn)行上邊所說(shuō)的步驟S13～S17。在檢查結(jié)果中未發(fā)現(xiàn)異常的情況下，或者通過(guò)上述一連串的處理確認(rèn)異常消失的情況下(步驟S15)，就把該時(shí)的處方參數(shù)定為最終的處方參數(shù)(步驟S20)。
然后，把最終決定的處方參數(shù)登錄到數(shù)據(jù)庫(kù)內(nèi)(步驟S21)，再把該時(shí)的暫定檢查處方定為檢查處方登錄在缺陷檢查裝置內(nèi)(步驟S22)，結(jié)束缺陷檢查處方作成。
倘采用本實(shí)施形態(tài)，由于使用具備對(duì)于模擬正常圖形具有高度方向的變化和在平面形狀上的變化的模擬缺陷圖形的模擬缺陷晶片1，借助于與該模擬缺陷晶片1的模擬缺陷數(shù)據(jù)之間的對(duì)照，使暫定處方的檢測(cè)靈敏度定量化，故可以作成可以檢測(cè)所希望的全部缺陷種類的處方文件。此外，由于用檢查對(duì)象的晶片實(shí)際進(jìn)行缺陷檢查，驗(yàn)證噪聲等的異常的有無(wú)，故可以作成最佳的處方文件。
在上邊所說(shuō)的實(shí)施形態(tài)的缺陷檢查處方的制作方法中，雖然作成了用來(lái)檢測(cè)所希望的全部的缺陷種類的處方文件，但是在半導(dǎo)體的制造工序中，也有時(shí)候只要僅僅檢測(cè)例如位于距襯底表面規(guī)定的位置上的缺陷種類等特定的缺陷種類的有無(wú)即可。在這樣的情況下，在上邊所說(shuō)的一連串的處理之內(nèi)進(jìn)行處方參數(shù)的選擇、調(diào)整和變更的處理(圖12的步驟S2、S8，圖13的S12、S17、S19)時(shí)，僅僅對(duì)與所希望的缺陷種類對(duì)應(yīng)的處方參數(shù)進(jìn)行處理即可。借助于此，可以作成大幅度地提高缺陷檢查的效率的缺陷檢查處方。
權(quán)利要求
1. 一種模擬缺陷晶片，具備在半導(dǎo)體襯底上邊，被形成為其上表面從上述半導(dǎo)體襯底的表面算起具有第1高度的模擬正常圖形；在上述半導(dǎo)體襯底上邊，被形成為其上表面從上述半導(dǎo)體襯底的表面算起具有與上述第1高度不同的第2高度的第1模擬缺陷圖形。
2. 權(quán)利要求1所述的模擬缺陷晶片，上述第1模擬缺陷圖形，包括在上述模擬正常圖形上邊形成的圖形。
3. 權(quán)利要求1所述的模擬缺陷晶片，還具備在上述半導(dǎo)體襯底上邊形成為具有與上述模擬正常圖形不同的平面形狀的第2模擬缺陷圖形。
4. 權(quán)利要求3所述的模擬缺陷晶片，上述第1模擬缺陷圖形，包括在上述模擬正常圖形上邊形成的圖形。
5. 一種在半導(dǎo)體缺陷檢查裝置中使用的處方文件的作成方法，具備任意地設(shè)定處方參數(shù)的參數(shù)設(shè)定工序；根據(jù)上述處方參數(shù)作成第1暫定缺陷檢查處方的第1暫定處方作成工序；用上述第1暫定缺陷檢查處方對(duì)于已預(yù)先得到了作為與缺陷種類有關(guān)的數(shù)據(jù)的模擬缺陷數(shù)據(jù)的模擬缺陷晶片檢查缺陷的模擬缺陷檢查工序；核對(duì)所檢查到的缺陷數(shù)據(jù)和上述模擬缺陷數(shù)據(jù)，計(jì)算上述第1暫定缺陷檢查處方的缺陷檢測(cè)率的缺陷檢測(cè)率計(jì)算工序；使計(jì)算出來(lái)的上述缺陷檢測(cè)率與所希望的缺陷檢測(cè)率進(jìn)行比較，判定上述第1暫定缺陷檢測(cè)靈敏度的檢測(cè)靈敏度判定工序；在計(jì)算出來(lái)的上述缺陷檢測(cè)率低于上述所希望缺陷檢測(cè)率的情況下，變更上述處方參數(shù)，一直到可以得到上述所希望的缺陷檢測(cè)率為止，反復(fù)進(jìn)行上述第1暫定缺陷處方作成工序到上述缺陷檢測(cè)靈敏度判定工序的第1暫定處方修正工序；把得到了上述所希望的缺陷檢測(cè)靈敏度的上述處方參數(shù)定為上述半導(dǎo)體缺陷檢查裝置的處方參數(shù)的處方?jīng)Q定工序。
6. 權(quán)利要求5所述的處方文件作成方法，上述模擬缺陷晶片，具備在半導(dǎo)體襯底上邊，被形成為其上表面從上述半導(dǎo)體襯底的表面算起具有第1高度的模擬正常圖形；在上述半導(dǎo)體襯底上邊，被形成為其上表面從上述半導(dǎo)體襯底的表面算起具有與上述第1高度不同的第2高度的第1模擬缺陷圖形。
7. 權(quán)利要求6所述的處方文件的作成方法，上述模擬缺陷晶片所具備的上述第1模擬缺陷圖形，包括在上述模擬正常圖形上邊形成的圖形。
8. 權(quán)利要求6所述的處方文件的作成方法，上述模擬缺陷晶片還具備在上述半導(dǎo)體襯底上邊形成為具有與上述模擬正常圖形不同的平面形狀的第2模擬缺陷圖形。
9. 權(quán)利要求8所述的處方文件作成方法，上述第1模擬缺陷圖形所具備的第1模擬缺陷圖形，包括在上述模擬正常圖形上邊形成的圖形。
10. 權(quán)利要求6所述的處方文件的作成方法，上述處方參數(shù)包括在上述半導(dǎo)體缺陷檢查裝置的光學(xué)系統(tǒng)或電子光學(xué)系統(tǒng)中的可以變更的焦距，上述參數(shù)設(shè)定工序，包括在上述半導(dǎo)體晶片的表面垂直的方向上設(shè)定與可以在所希望的位置上存在的上述缺陷種類對(duì)應(yīng)的上述焦距的工序。
11. 權(quán)利要求5所述的缺陷檢查處方的作成方法，還具備用已決定的上述處方參數(shù)作成第2暫定缺陷檢查處方的第2暫定處方作成工序；用上述第2暫定缺陷檢查處方對(duì)檢查對(duì)象的半導(dǎo)體晶片實(shí)際進(jìn)行檢查的實(shí)際檢查工序；對(duì)于對(duì)上述半導(dǎo)體晶片的檢查結(jié)果驗(yàn)證是否存在著異常的異常驗(yàn)證工序；在上述缺陷檢查的結(jié)果中存在著異常的情況下，調(diào)整上述處方參數(shù)，一直到消除上述異常為止反復(fù)進(jìn)行上述第2暫定處方作成工序到上述異常驗(yàn)證工序的第2暫定處方修正工序。
12. 權(quán)利要求11所述的處方文件作成方法，上述模擬缺陷晶片，具備在半導(dǎo)體襯底上邊，被形成為其上表面從上述半導(dǎo)體襯底的表面算起具有第1高度的模擬正常圖形；在上述半導(dǎo)體襯底上邊，被形成為其上表面從上述半導(dǎo)體襯底的表面算起具有與上述第1高度不同的第2高度的第1模擬缺陷圖形。
13. 權(quán)利要求12所述的處方文件的作成方法，上述模擬缺陷晶片所具備的上述第1模擬缺陷圖形，包括在上述模擬正常圖形上邊形成的圖形。
14. 權(quán)利要求12所述的處方文件的作成方法，上述模擬缺陷晶片還具備在上述半導(dǎo)體襯底上邊形成為具有與上述模擬正常圖形不同的平面形狀的第2模擬缺陷圖形。
15. 權(quán)利要求14所述的處方文件作成方法，上述第1模擬缺陷圖形所具備的第1模擬缺陷圖形，包括在上述模擬正常圖形上邊形成的圖形。
16. 權(quán)利要求5所述的缺陷檢查處方的作成方法，還具備用已決定的上述處方參數(shù)作成第2暫定缺陷檢查處方的第2暫定處方作成工序；用上述第2暫定缺陷檢查處方對(duì)檢查對(duì)象的半導(dǎo)體晶片實(shí)際進(jìn)行檢查的實(shí)際檢查工序；對(duì)于對(duì)上述半導(dǎo)體晶片的檢查結(jié)果驗(yàn)證是否存在著異常的異常驗(yàn)證工序；在存在著異常的情況下，對(duì)上述缺陷檢查結(jié)果判定其異常程度的工序；在已判定的上述異常程度，借助于上述第2暫定缺陷檢查處方的調(diào)整，處于可以消除的范圍內(nèi)的情況下，調(diào)整上述處方參數(shù)，一直到消除上述異常為止反復(fù)進(jìn)行上述第2暫定處方作成工序到上述異常驗(yàn)證工序，在已判定的上述異常程度，超過(guò)了借助于上述第2暫定缺陷檢查處方的調(diào)整可以消除的范圍的情況下，變更上述處方參數(shù)，一直到消除上述異常為止反復(fù)進(jìn)行上述第2暫定處方作成工序到上述異常驗(yàn)證工序的工序。
17. 權(quán)利要求16所述的處方文件作成方法，上述模擬缺陷晶片，具備在半導(dǎo)體襯底上邊，被形成為其上表面從上述半導(dǎo)體襯底的表面算起具有第1高度的模擬正常圖形；在上述半導(dǎo)體襯底上邊，被形成為其上表面從上述半導(dǎo)體襯底的表面算起具有與上述第1高度不同的第2高度的第1模擬缺陷圖形。
18. 權(quán)利要求17所述的處方文件的作成方法，上述模擬缺陷晶片所具備的上述第1模擬缺陷圖形，包括在上述模擬正常圖形上邊形成的圖形。
19. 權(quán)利要求17所述的處方文件的作成方法，上述模擬缺陷晶片還具備在上述半導(dǎo)體襯底上邊形成為具有與上述模擬正常圖形不同的平面形狀的第2模擬缺陷圖形。
20. 權(quán)利要求19所述的處方文件作成方法，上述第1模擬缺陷圖形所具備的第1模擬缺陷圖形，包括在上述模擬正常圖形上邊形成的圖形。
全文摘要
用具備對(duì)于模擬正常圖形具有在高度方向上的變化和在平面形狀上的變化的模擬缺陷圖形的模擬缺陷晶片作成暫定檢查處方,對(duì)于該模擬缺陷晶片用實(shí)際的缺陷檢查裝置進(jìn)行缺陷檢查,使所檢測(cè)出來(lái)的缺陷數(shù)據(jù)與預(yù)先得到的上述模擬缺陷晶片的模擬缺陷數(shù)據(jù)進(jìn)行對(duì)照使缺陷檢測(cè)靈敏度定量化,一直到可以得到所希望的缺陷檢查率為止,變更處方參數(shù)修正暫定檢查處方,把得到了上述所希望的缺陷檢測(cè)率時(shí)的處方參數(shù)定為上述缺陷檢查裝置的處方參數(shù)。
文檔編號(hào)H01L23/544GK1326221SQ01119349
公開日2001年12月12日 申請(qǐng)日期2001年5月30日 優(yōu)先權(quán)日2000年5月30日
發(fā)明者野田智信 申請(qǐng)人:株式會(huì)社東芝