專利名稱：：高分子基電路保護裝置及其制法的制作方法
技術領域：
：本發(fā)明涉及一種高分子基電路保護裝置的結構及其制法，尤指一種表面安裝型的高分子基電路保護裝置的結構及其制法。其利用高導電復合材料，作為裝置內(nèi)部金屬電極間的電流導通媒介，制成熱敏電阻裝置結構與其制法。熱敏電阻裝置已被廣泛應用于溫度檢測、安全控制、溫度補償?shù)阮I域。以往，熱敏電阻裝置主要是以陶瓷為材料，但陶瓷需要較高溫度制造，制造溫度多在攝氏九百度以上，需要消耗大量的能源，工藝也比較復雜。而后，高分子基的熱敏電阻裝置被開發(fā)出來，由于高分子基材的熱敏阻抗裝置，制造溫度在攝氏三百度以下，加工、成型比較容易，能源消耗較少，工藝簡單，成本低廉，因此應用領域日漸寬廣。美國Raychem公司利用導電填充材填充的高分子復合材料，制成一系列的可恢復型正溫度系數(shù)熱敏電阻裝置(ResettablePolymericPositiveTemperatureCoefficieniDevice，以下簡稱PPTC)。PPTC裝置在常溫時為低電阻狀態(tài)，當流經(jīng)PPTC裝置的電流過大造成PPTC裝置的溫度達到一定切換溫度(SwitchingTemperature，Ts)時，PPTC裝置的電阻迅速上升，而可以應用于電流過載保護裝置以及溫度開關裝置的設計。這是因為PPTC裝置中的導電填充材填充的高分子復合材料，在常溫時，高分子復合材料中的導電填充粒子，處于相互連通的導電狀態(tài)。當PPTC裝置溫度升高至切換溫度Ts以上時，因高分子復合材料中的樹脂基材體積膨脹，使高分子復合材料中的導電填充材由相互連通狀態(tài)，撐斷變成不連續(xù)的狀態(tài)，造成PPTC裝置電阻的迅速上升，從而切斷電流，達到電流過載保護以及溫度控制開關的目的。為配合PPTC裝置應用于印刷電路板表面安裝(surfacemount)組裝的需要，PPTC裝置亦朝表面安裝型裝置(SurfaceMountDevice，以下簡稱SMD)來發(fā)展。SMD型PPTC裝置和傳統(tǒng)插件型不同的地方，在于SMD型PPTC必須把裝置的電極都制作在PPTC裝置的同一平面上，使SMD型PPTC裝置能夠直接將PPTC的表面，安裝至印刷電路板上。Ravchem公司利用印刷電路板鍍穿孔法(Plate-Through-Hole)將PPTC裝置上下兩面的電極導引至同一平面，再利用印刷電路板的工藝，制作同一面電極間的阻絕層。Littelfuse公司則提出另一種SMD型PPTC裝置結構及工藝。利用電鍍的方法使PPTC裝置兩側形成上下導通的端電極，再使用印刷電路板工藝，來制作同一平面電極間的阻絕層。上述兩種結構所形成的SMD型PPTC裝置，在上下層金屬電極之間的導通，都是經(jīng)由電鍍方式形成的金屬導電層。這種電鍍金屬導電層的熱膨脹系數(shù)，與正溫度系數(shù)導電復合材料的熱膨脹系數(shù)，兩者差異太大。在電流過載，造成PPTC裝置發(fā)熱膨脹時，上下金屬電極間的電鍍金屬導電層，很容易被PPTC導電復合材料膨脹撐開而斷裂破壞。再則，當PPTC裝置因電流過載或受熱膨脹時，由于上下層金屬電極間的電鍍金屬導通層的熱膨脹系數(shù)，遠小于PPTC裝置的導電復合材料的熱膨脹系數(shù)，因此電鍍金屬導通層，會限制到導電復合材料基板部分的熱膨脹，使導電復合材料無法完全自由膨脹，達到最高的電阻狀態(tài)，影響了SMD型PPTC裝置電流過載時的斷電特性。本發(fā)明目的之一，在于提供一種高分子基電路保護裝置及其制法，使其在電流過載或因外界加熱而膨脹時，使熱敏阻抗特性的導電復合材料基材能充分膨脹，讓相連接的導電填充粒子得以撐斷成為不連通的斷電或是高阻抗的狀態(tài)，發(fā)揮保護電路的最大效能。本發(fā)明的另一目的，在于提供一種高分子基電路保護裝置及其制法，其于二金屬電極間，使用二種不同導電系數(shù)的材料制成，而該二種導電材料，具有相近膨脹系數(shù)，在電流過載、造成PPTC裝置發(fā)熱膨脹時，上下金屬電極間的導電層，不易因正溫度系數(shù)導電復合材料膨脹而撐開斷裂。本發(fā)明的再一目的，在于提供一種高分子基電路保護裝置及其制法，其使裝置的制作加工更為簡單。為達到上述目的，本發(fā)明所提供的高分子基電路保護裝置，包括一具有PTC(PositiveTemperatureCoefficient)特性的導電性復合材料構件，及一第一高導電性復合材料構件。該第一高導電性復合材料與該具有PTC特性的導電性復合材料構件，構成一基材，而該第一高導電復合材料構件的導電性，為該具有PTC特性的導電性復合材料構件的導電性至少二十倍。在該基材的一第一表面上，設有一第一電極，該第一電極包括不連續(xù)的第一部份與第二部份，而且，該第一電極第一部份，與該第一高導電性復合材料構件構成電連接。另外，該基材的一第二表面上，設有一第二電極，且該第二電極，與該第一高導電性復合材料構件構成電連接。而該第一電極的第一部份與該第二部份的不連續(xù)部份，設有絕緣層阻隔。本發(fā)明所提供的高分子基電路保護裝置制法，包括下述步驟首先制作一基材，該基材包含一具有PTC特性的第一導電性材料部，及一第二導電性材料部，且該第二導電性材料部的導電性，大于第一導電性材料部二十倍以上。而后，在該基材上的一第一表面上設一第一電極，以及在該基材第二表面上，設置第二電極，覆蓋該基材。在該第一電極上，設一第一部份及第二部份，使該第一電極的第一部份，以覆蓋于該第一電極下方的第二導電性材料部，與該第二電極連接。去除該第一電極的第一部份與該第二部份以外的部份，使該第一部份與該第二部份，形成不導電的不連續(xù)部份。再于該第一電極第一部份與該第一電極第二部份的該不連續(xù)部份，設絕緣層阻隔。由于本發(fā)明第一電極與第二電極，是設于導電復合材料二個表面之間，在電流過載或因外界加熱而膨脹時，使具有熱敏阻抗特性的導電復合材料基材，能充分膨脹，不會受限，讓樹脂基材之間的導電填充粒子，得以撐斷成為不連通的斷電或是高阻抗的狀態(tài)，發(fā)揮保護電路的最大效能。而且，本發(fā)明第一電極與第二電極之間的基材，是使用二種導電復合材料，二者的熱膨脹系數(shù)接近，得以使保護電路裝置在電流過載、PPTC裝置發(fā)熱膨脹時，上下金屬電極間的導電層，不易因PTC導電復合材料膨脹而破壞斷裂。再則，本發(fā)明所提供的高分子基電路保護裝置制法，使用高導電復合材料，取代傳統(tǒng)導通的電鍍金屬導電層，不需要鉆孔、電鍍制作二金屬電極之間的導電層，使得裝置的制作加工，更為簡單。以下僅以實施例，說明本發(fā)明的特征及其他功效如下圖面的簡單說明圖1為本發(fā)明第一實施例復合材料的平面圖；圖2為圖1沿A-A’線所得復合材料的剖面圖；圖3為本發(fā)明第一實施例的三明治結構板材的剖面圖；圖4為本發(fā)明第一實施例的電路保護裝置的一制作過程剖面圖；圖5為本發(fā)明第一實施例的電路保護裝置的另一制作過程剖面圖；圖6為本發(fā)明第一實施例的電路保護裝置的再一制作過程剖面圖；圖7為本發(fā)明第一實施例的電路保護裝置的剖面圖；圖8為本發(fā)明第二實施例的電路保護裝置的一制作過程剖面圖；圖9為本發(fā)明第二實施例的電路保護裝置的另一制作過程剖面圖；圖10為本發(fā)明第二實施例的電路保護裝置的剖面圖；圖11為本發(fā)明第三實施例復合材料的平面圖；圖12為圖11沿B-B’線所得復合材料的剖面圖；圖13為本發(fā)明第三實施例的三明治結構板材的剖面圖；圖14為本發(fā)明第三實施例的電路保護裝置的一制作過程剖面圖；圖15為本發(fā)明第三實施例的電路保護裝置的另一制作過程剖面圖；圖16為本發(fā)明第三實施例的電路保護裝置的再一制作過程剖面圖案；圖17為本發(fā)明第三實施例的電路保護裝置的剖面圖；圖18為本發(fā)明第四實施例復合材料和溝槽的平面圖；圖19為圖18沿C-C’線所得復合材料和溝槽的剖面圖；圖20為本發(fā)明第四實施例的復合材料的剖面圖；圖21為本發(fā)明第四實施例的三明治結構板材的剖面圖22為本發(fā)明第四實施例的電路保護裝置的一制作過程剖面圖；圖23為本發(fā)明第四實施例的電路保護裝置的另一制作過程剖面圖；圖24為本發(fā)明第四實施例的電路保護裝置的再一制作過程剖面圖；圖25為本發(fā)明第四實施例的電路保護裝置的剖面圖；圖26為本發(fā)明第五實施例的電路保護裝置的一制作過程剖面圖；圖27為本發(fā)明第五實施例的電路保護裝置的另一制作過程剖面圖；圖28為本發(fā)明第五實施例的電路保護裝置的剖面圖。附圖中附圖標記的簡單說明1、附圖中附圖標記10本發(fā)明第一實施例具有PTC特性的高分子復合材料。2、附圖中附圖標記11本發(fā)明第一實施例高導電復合材料。3、附圖中附圖標記13本發(fā)明第一實施例第一電極。4、圖式中編媽15本發(fā)明第一實施例第二電極。5、附圖中附圖標記17本發(fā)明第一實施例三明治結構板材。6、附圖中附圖標記13a，13b本發(fā)明第一實施例第一電極第一部份與該第一電極第二部份。7、附圖中附圖標記130本發(fā)明第一實施例第一電極第一部份與該第一電極第二部份隔離槽。8、附圖中附圖標記15a，15b本發(fā)明第一實施例第二電極第一部份與該第二電極第二部份。9、附圖中附圖標記150本發(fā)明第一實施例第二電極第一部份與該第二電極第二部份隔離槽。10、附圖中附圖標記19a本發(fā)明第一實施例第一電極第一部份與該第一電極第二部份間絕緣層。11、附圖中附圖標記190a，190c本發(fā)明第一實施例絕緣層隔離槽孔。12、附圖中附圖標記19b本發(fā)明第一實施例第二電極第一部份與該第二電極第二部份間絕緣層。13、附圖中附圖標記190b，190d本發(fā)明第一實施例絕緣層隔離槽孔。14、附圖中附圖標記21a，21c本發(fā)明第一實施例第一電極表面安裝用金屬焊點。15、附圖中附圖標記21b，21d本發(fā)明第一實施例第二電極表面安裝用金屬焊點。16、附圖中附圖標記100第一實施例的電路保護裝置。17、附圖中附圖標記29a本發(fā)明第二實施例第一電極第一部份與該第一電極第二部份間絕緣層。18、附圖中附圖標記290本發(fā)明第二實施例絕緣層隔離槽孔。19、附圖中附圖標記29b本發(fā)明第二實施例第二電極第一部份與該第二電極第二部份間絕緣層。20、附圖中附圖標記23a，23b本發(fā)明第二實施例第一電極表面安裝用金屬焊點。21、附圖中附圖標記200本發(fā)明第二實施例的電路保護裝置。22、附圖中附圖標記30本發(fā)明第三實施例具有PTC特性高分子復合材料。23、附圖中附圖標記31本發(fā)明第三實施例高導電性復合材料。24、附圖中附圖標記33本發(fā)明第三實施例第一電極。25、附圖中附圖標記35本發(fā)明第三實施例第二電極。26、附圖中附圖標記37本發(fā)明第三實施例三明治結構板材。27、附圖中附圖標記33a，33b本發(fā)明第三實施例第一電極第一部份與該第一電極第二部份。28、附圖中附圖標記330本發(fā)明第三實施例第一電極第一部份與該第一電極第二部份隔離槽。29、附圖中附圖標記39a本發(fā)明第三實施例第一電極第一部份與該第一電極第二部份間絕緣層。30、附圖中附圖標記390本發(fā)明第三實施例絕緣層隔離槽孔。31、附圖中附圖標記39b本發(fā)明第三實施例第二電極絕緣層。32、附圖中附圖標記38a，38b本發(fā)明第三實施例第一電極表面安裝用金屬焊點。33、附圖中附圖標記300第三實施例電路保護裝置300。34、附圖中附圖標記40本發(fā)明第四實施例具有PTC特性高分子復合材料。35、附圖中附圖標記46本發(fā)明第四實施例條型溝槽。36、附圖中附圖標記41本發(fā)明第四實施例高導電復合材料。37、附圖中附圖標記43本發(fā)明第四實施例第一電極。38、附圖中附圖標記45本發(fā)明第四實施例第二電極。39、附圖中附圖標記47本發(fā)明第四實施例三明治結構板材。40、附圖中附圖標記43a，43b本發(fā)明第四實施例第一電極第一部份與該第一電極第二部份。41、附圖中附圖標記430a，430b本發(fā)明第四實施例第一電極第一部份與該第一電極第二部份隔離槽。42、附圖中附圖標記45a，45b本發(fā)明第四實施例第二電極第一部份與該第二電極第二部份。43、附圖中附圖標記450a，450b本發(fā)明第四實施例第二電極第一部份與該第二電極第二部份隔離槽。44、附圖中附圖標記49a本發(fā)明第四實施例第一電極第一部份與該第一電極第二部份間絕緣層。45、附圖中附圖標記490a本發(fā)明第四實施例絕緣層隔離槽孔。46、附圖中附圖標記49b本發(fā)明第四實施例第二電極第一部份與該第二電極第二部份間絕緣層。47、附圖中附圖標記490b本發(fā)明第四實施例絕緣層隔離槽孔。48、圖式中編媽48a，48c本發(fā)明第四實施例第一電極金屬表面安裝用金屬焊點。49、附圖中附圖標記48b，48d本發(fā)明第四實施例第二電極金屬表面安裝用金屬焊點。50、附圖中附圖標記400第四實施例電路保護裝置。51、附圖中附圖標記59a本發(fā)明第五實施例第一電極第一部份與該第一電極第二部份間絕緣層。52、附圖中附圖標記59b本發(fā)明第五實施例第二電極第一部份與該第二電極第二部份間絕緣層。53、附圖中附圖標記590a本發(fā)明第五實施例絕緣層隔離槽孔。54.附圖中附圖標記590b本發(fā)明第五實施例絕緣層隔離槽孔。55.附圖中附圖標記58a，58c本發(fā)明第五實施例第一電極表面安裝用金屬焊點。56.附圖中附圖標記58b，58d本發(fā)明第五實施例第二電極表面安裝用金屬焊點。57.附圖中附圖標記500第五實施例電路保護裝置。請參考圖1至圖7，為本發(fā)明第一實施例的制作程序圖。請參考圖1，為本發(fā)明第一實施例的基材，其是由一具有PTC特性的導電性復合材料10(為具有正溫度系數(shù)熱敏阻抗特性、并有導電填充物填充的高分子復合材料)，及一第一高導電性復合材料構件11所構成。該第一高導電復合材料11的導電性，為該導電性復合材料10的導電性二十倍以上，更佳為五十倍以上。在本實施例中，該導電性復合材料，是為聚乙烯(PE)PetrotheneLB832(此為美國Equistar公司商品)和碳黑Raven450(此為美國Columbian公司商品)以重量比例一比一混練而成板狀材料。而該第一高導電復合材料11，則為重量百分比占15％的PELH606(此為臺灣聚合公司商品)摻入重量百分比占85％的導電金屬鎳粉混練而成的板狀材料。將該導電性復合材料10，及第一高導電性復合材料構件11，兩種復合材料板狀材料，依序堆排成一整塊板材，如圖1所示。若將該整塊板材，沿AA’線剖開，可得剖面圖如圖2。請參閱圖3，在該復合材料板材上面及下面，各加上金屬銅箔13及15作為元件的電極。亦可以使用其他金屬箔如鎳箔等作為元件的電極。經(jīng)過熱壓成型(壓合)，得到上下層為銅箔、中間層為PTC特性復合材料10及高導電復合材料11的三明治結構板材17。將該三明治結構板材17，使用劑量為20Mrads的鈷六十伽瑪射線照射交聯(lián)，使三明治結構板材17中間層的PTC特性復合材料10及高導電的復合材料11具有形狀記憶性。請參考圖4，對三明治結構板材17上下兩層的金屬銅箔電極層13及15，利用印刷電路板蝕刻工藝，對該金屬銅箔電極層13及15，進行曝光、微影、蝕刻，做出上層電極13a及13b、上層隔離槽130、下層電極15a及15b，以及下層隔離槽150的形狀。此一使用印刷電路板工藝，對金屬銅箔電極層進行曝光、微影、蝕刻，以得到所欲的形狀，對于本領域技術人員而言，是屬于已知技術，在此即不予贅述。請參考圖5，對蝕刻好的三明治結構板材17，利用印刷電路板工藝分別印上防焊綠漆(SolderMask，亦可使用厚膜陶瓷絕緣材料，其目的在于電絕緣)，作為上層金屬電極13a、13b之間，以及下層金屬電極15a、15b之間的絕緣層19a、19b，其蓋住上層隔離槽130，及下層隔離槽150，并空出絕緣層槽190a、190b、190c、190d。請參考圖6，再經(jīng)由無電解電鍍、電鍍以及上焊錫工藝，在絕緣層槽190a、190b、190c、190d位置，制作表面安裝用的金屬焊點21a、21b、21c、21d。請參考圖7，最后，使用鉆石刀在金屬焊點21a、21b、21c、21d位置，將元件裁切成PPTC裝置100。而使用時，可用金屬焊點21a、21c，或是金屬焊點21b、21d，作為接點，而得到兩面皆可使用的表面安裝型高分子基電路保護裝置。請參閱圖8至圖10，其為本發(fā)明第二實施例。其是承續(xù)圖1至圖4的工藝后，修改而得。在圖4中，三明治結構板材17的上下電極層已分得出上層電極13a及13b、上層隔離槽130、下層電極15a及15b，以及下層隔離槽150的形狀。而后，接續(xù)至圖8的工藝。請再參圖8，對蝕刻好的三明治結構板材17，利用印刷電路板工藝分別印上防焊綠漆(SolderMask)，作為上層金屬電極13a、13b之間，以及下層金屬電極15a、15b之間的絕緣層29a、29b，其蓋住上層隔離槽130，及下層隔離槽150，并在上方空出絕緣層槽290。請參閱圖9，經(jīng)由無電解電鍍、電鍍以及上焊錫工藝，在絕緣層槽290位置，制作表面安裝用的金屬焊點23。請參閱圖10，最后，使用鉆石刀在金屬焊點23位置，將元件裁切成PPTC裝置200。由于作為端電極的金屬焊點23a、23b在同一面上，此即為單面型的表面安裝型高分子基電路保護裝置。圖11至圖17，為本發(fā)明第三實施例。請參閱圖11，在此實施例中，使用聚乙烯(PE)PetrotheneLB832(此為美國Equistar公司商品)和碳黑Raven450(此為美國Columbian公司商品)，以重量比例一比一混練，作成具有PTC特性的板狀導電性復合材料30。同時，使用重量百分比占15％的PELH606(此為臺灣聚合公司商品)摻入重量百分比占85％的導電金屬鎳粉混練，作為板狀高導電復合材料31。將該導電性復合材料30，及高導電性復合材料構件31，兩種復合材料板狀材料，置入模具中，并予以交錯排列，使之形成基材，如圖11所示。將該整塊板材，沿BB’線剖開，可得復合材料拼板剖面圖如圖12。請參閱圖13，在復合材料拼板上面及下面各加上一片金屬銅箔33及35，作為電極。經(jīng)由熱壓成型為上下層為銅箔，中間層為PPTC特性導電性復合材料30，以及高導電復合材料31，構成三明治結構板材37。使用劑量為20Mrads的鈷六十伽瑪射線照射交聯(lián)三明治結構板材37，使三明治結構板材37中間層的PPTC特性導電復合材料30及高導電復合材料31具有形狀記憶性。請參閱圖14，對三明治結構板材上層金屬銅箔電極層33，使用印刷電路板蝕刻工藝，進行曝光、微影、蝕刻，做出上層電極33a，33b及上層隔離槽330的形狀。請參閱圖15，對蝕刻好的三明治結構板材37的上表面與下表面，使用印刷電路板工藝，分別印上防焊綠漆(SolderMask)，制作上層金屬電極33a與33b之間的絕緣層39a、上層絕緣層隔離孔390，以及下層金屬電極的絕緣層39b。請參閱圖16，再經(jīng)由無電解電鍍、電鍍及上焊錫工藝，在上層絕緣層隔離孔390及上層絕緣層的相對位置上，制作出上層金屬電極表面安裝用的金屬焊點38a，38b。請參閱圖17，最后再經(jīng)由鉆石刀，裁切金屬焊點，成為表面安裝型電路保護裝置300。請參考圖18至圖25，其為本發(fā)明第四實施例的制法程序圖。在圖18中，具有PTC特性的高分子復合材料40，為聚乙烯(PE)PetrotheneLB832(此為美國Equistar公司商品)和碳黑Raven450(此為美國Columbian公司商品)，以重量比例一比一混練而成的板狀材料，并沖壓成適當寬度的條型溝槽46。圖19則為圖18的板狀材料在CC’方向的剖面示意圖。使用重量百分比占15％的PELH606(此為臺灣聚合公司商品)，摻入重量百分比占85％的導電金屬鎳粉，混練而成復合材料，制成高導電復合材料41，并將此高導電復合材料41嵌入條型溝槽46中，成為如圖20所示的剖面示意圖。請參閱圖21，在該復合材料嵌板上面及下面，各加上一片金屬銅箔43及45。并經(jīng)由熱壓成型為上下層為銅箔，而中間層為PPTC特性復合材料40及高導電復合材料41的三明治結構板材47。再使用劑量為20Mrads的鈷六十伽瑪射線，照射交聯(lián)三明治結構板材47，使三明治結構板材中間層的復合材料40及高導電的復合材料41，具有形狀記憶性。請參閱圖22，對三明治結構板材上下兩層的金屬銅箔電極層43及45，利用印刷電路板蝕刻工藝，做出上層電極43a、43b及上層隔離槽430a、430b和下層電極45a、45b及下層隔離槽450a、450b的形狀。請參閱圖23，對蝕刻好的三明治結構板材47，利甲印刷電路板工藝，分別印上防焊綠漆(SolderMask)制作上層金屬電極間的絕緣層49a、絕緣層隔離孔490a、下層金屬電極的絕緣層49b，以及絕緣層隔離孔490b。請參閱圖24，再經(jīng)由無電解電鍍、電鍍及上焊錫工藝制作上層金屬電極表面安裝用的金屬焊點48a，48c和下層金屬電極表面安裝用的金屬焊點48b，48d。最后使用鉆石刀，裁切金屬焊點48a、48b、48c、48d，成為表面安裝型電路保護裝置400，如圖25所示。在此實施例中，金屬接點48a、高導電復合材料41部份，以及金屬接點48b，不在同一線上。圖26至圖28，為本發(fā)明第五實施例。此實施例承續(xù)圖18至圖22的工藝，然后，接著圖26的制法程序。請參閱圖26，本實施例對蝕刻好的三明治結構板材47，利用印刷電路板工藝，分別印上防焊綠漆，制作上層金屬電極間的絕緣層59a、絕緣層隔離孔590a、下層金屬電極的絕緣層59b，以及絕緣層隔離孔590b。請參考圖27，再使用無電解電鍍，電鍍及上焊錫工藝，制作上層金屬電極表面安裝用的金屬焊點58a，58c，以及下層金屬電極表面安裝用的金屬焊點58b，58d。請參考圖28，最后再經(jīng)由鉆石刀裁切430b及450b成為表面安裝型電路保護裝置500。在此實施例中，金屬接點58c、高導電復合材料41部份，以及金屬接點58d，是在同一線上。而本發(fā)明還可改變關鍵元件材料，得出不同特性的元件。例如，在第一實施例中，具有PTC特性的高分子復合材料10，選用重量百分比占55％的聚乙烯LH606(臺灣聚合公司產(chǎn)品)與重量百分比占45％的碳黑Raven420(美國Columbian公司產(chǎn)品)混練而成的板狀材料。而高導電復合材料11則選重量百分比13％的環(huán)氧樹脂與重量百分比占87％的金屬銀粉，混合成半固化型(B-stage)混合物板材。其中環(huán)氧樹脂配方為100份重量比的環(huán)氧樹脂Epon1001(ShellChemical公司產(chǎn)品)，加4份重量比的二氰胺硬化劑(Dicyanodiamide，Merck公司產(chǎn)品)，再加0.2份重量比的芐基二甲胺促進劑(Benzyldimetliylamine，Merck公司產(chǎn)品)。再則，本發(fā)明還可使用重量百分比占55％的聚乙烯(PE)LH606(臺灣聚合公司產(chǎn)品)，與重量百分比占45％的碳黑Raven420(美國Columbian公司產(chǎn)品)混練而成的板狀材料，作為具有PTC特性的高分子復合材料10(請再參考第一實施例)。而使用重量百分比45％的環(huán)氧樹脂，與重量百分比占45％的鍍銀中空玻璃球Conduct-O-FilSH400S33(美國Potters公司產(chǎn)品)，以及重量百分比占10％的碳黑XC-72(美國Cabot公司產(chǎn)品)，混合成半固化型(B-stage)混合物板材，作為高導電復合材料11，得出不同特性的元件。其中環(huán)氧樹脂配方為100份重量比的環(huán)氧樹脂Epon1001(ShellChemical公司產(chǎn)品)加4份重量比的二氰胺硬化劑(Dicyanodiamide，Merck公司產(chǎn)品)再加0.2份重量比的芐基二甲胺促進劑(Benzyldimethylamine，Merck公司產(chǎn)品)。雖然本發(fā)明以上述的實施例作說明，但并不表示本發(fā)明的保護范圍以上述的說明為限。對于本領域技術人員而言，可進行各種修改，例如，改變選擇的的高分子材料，或添加不同的導電粒子，或是改變組成重量比率，而可達到相同的功效。但此類修改，應未超出本發(fā)明的精神，仍屬于本發(fā)明的保護范圍內(nèi)。本發(fā)明的保護范圍，仍應視權利要求所述為主。權利要求1.一種高分子基電路保護裝置結構的制法，包括下述步驟提供一具有PTC特性的導電性復合材料，及一高導電性材料，而該高導電性材料的導電性，大于該導電性復合材料至少二十倍；將該導電性復合材料與該高導電性材料置入模具中，并予以交錯排列，使之形成基材；在該基材一第一表面及一第二表面，分別設有第一導電層與第二導電層，而該高導電性材料，介于該第一導電層與該第二導電層之間，可導通第一導電層與第二導電層；對該第一導電層、該第二導電層、該導電性復合材料及該高導電性材料進行壓合、交聯(lián)；利用印刷電路板工藝，對該第一導電層與該第二導電層，進行曝光、微影、蝕刻，使該第一導電層與該第二導電層，分別形成第一不連續(xù)部份與第二不連續(xù)部份；而第一導電層分為第一導電層第一部份、第一導電層第二部份；且第二導電層分為第二導電層第一部份與第二導電層第二部份；而該第一導電層第一部份，以該高導電性材料與該第二導電層第一部份連接；在該第一導電層、該第二導電層、該第一不連續(xù)部份及該第二不連續(xù)部份的外側，設置絕緣層，并于該第一導電層第一部份與該第一導電層第二部份，分別空出接點區(qū)；在該第一導電層第一部份與該第一導電層第二部份的接點區(qū)，分別設置導電接點。2.如權利要求1的高分子基電路保護裝置結構的制法，其中該導電性復合材料是由聚乙烯與碳黑所構成。3.如權利要求1的高分子基電路保護裝置結構的制法，其中該導電性復合材料是百分之五十與百分之五十之重量比的聚乙烯與碳黑。4.如權利要求1的高分子基電路保護裝置結構的制法，其中該第一表面與該第二表面是上表面與下表面。5.如權利要求1的高分子基電路保護裝置結構的制法，其中該第一不連續(xù)部份是一溝槽。6.如權利要求1的高分子基電路保護裝置結構的制法，其中該絕緣層是防焊綠漆。7.一種高分子基電路保護裝置，包括一具有PTC特性的導電性復合材料構件；一第一高導電性復合材料構件，與該具有PTC特性的導電性復合材料構件，構成一基材；而該第一高導電復合材料構件的導電性，至少為該具有PTC特性的導電性復合材料構件的導電性的二十倍；該基材的一第一表面上，設有一第一電極，該第一電極包括不連續(xù)的第一部份與第二部份；而且，該第一電極第一部份與該第一高導電性復合材料構件構成電連接；該基材的一第二表面上，設有一第二電極，且該第二電極與該第一高導電性復合材料構件構成電連接；而該第一電極的第一部份與該第二部份的不連續(xù)部分，設有絕緣層阻隔。8.如權利要求1的高分子基電路保護裝置，其中還包括一第二高導電復合材料構件；而該第二電極包括不連續(xù)的第二電極第一部份與第二電極第二部份，且該第一電極第二部份，以該第二高導電復合材料構件，與該第二電極第二部份電連接。9.如權利要求1的高分子基電路保護裝置，其中該第二電極包括不連續(xù)的第二電極第一部份與第二電極第二部份，而該第一電極第一部份，以被該一電極第一部份覆蓋于下方的第一高導電復合材料構件，與該第二電極第一部份連接，且該第一電極第一部份與該第一電極第二部份，分別設有接點；同時，第一電極第一部份上的接點，與第一高導電復合材料構件，位于同一線上。10.如申請專利范圍第九項的高分子基電路保護裝置，其中該第二電極第一部份與該第二電極第二部份，分別設有接點，且第一電極第一部份上的接點、第一高導電復合材料構件以及第二電極第一部份上的接點，位于同一線上。11.一種高分子基電路保護裝置結構，包括一基材，包含一第一導電性材料部及一第二導電性材料部；該第一導電性材料為具有PTC特性的導電性復合材料，且該第二導電性材料部的導電性，大于第一導電性材料部二十倍以上；該基材的第一表面與第二表面上，分別設有一第一電極及一第二電極，覆蓋該基材；該第一電極上，設有不連續(xù)的第一電極第一部份及第一電極第二部份，而該第一電極第一部份，以被該第一電極第一部份覆蓋于下方的第二導電性材料部，與該第二電極連接；且該第一電極第一部份與該第一電極第二部份的該不連續(xù)部份，設有絕緣層阻隔。12.如權利要求11的高分子基電路保護裝置結構，其中該第二電極包括不連續(xù)的第二電極第一部份與第二電極第二部份，而該第一電極第一部份，以被該第一電極第一部份覆蓋于下方的第二導電性材料部，與該第二電極第一部份連接。13.如權利要求12的高分子基電路保護裝置結構，其中該第一電極第二部份，以被該第一電極第二部份覆蓋于下方的第二導電性材料部，與該第二電極第二部份連接。14.如權利要求11的高分子基電路保護裝置結構，其中該第一導電性材料部是聚乙烯與碳黑的混合物。15.如權利要求11的高分子基電路保護裝置結構，其中該基材的第一表面與第二表面是上表面與下表面。16.如權利要求11的高分子基電路保護裝置結構，其中該第二電極包括不連續(xù)的第二電極第一部份與第二電極第二部份，而該第一電極第一部份，以被該第一電極第一部份覆蓋于下方的第二導電性材料部，與該第二電極第一部份連接，且該第一電極第一部份與該第一電極第二部份，分別設有接點；同時，第一電極第一部份上的接點，與被該第一電極第一部份覆蓋于下方的第二導電性材料部，位于同一線上。17.如權利要求11的高分子基電路保護裝置結構，其中該第二電極包括不連續(xù)的第二電極第一部份與第二電極第二部份，而該第一電極第一部份，以被該第一電極第一部份覆蓋于下方的第二導電性材料部，與該第二電極第一部份連接，且該第一電極第一部份與該第一電極第二部份，分別設有接點；同時，第一電極第一部份上的接點，與被該第一電極第一部份覆蓋于下方的第二導電性材料部，不在同一議上。全文摘要本發(fā)明一種高分子基電路保護裝置及其制法。其利用高導電復合材料,與具有正溫度系數(shù)熱敏阻抗特性的導電復合材料,堆排成一板狀復合材料,上下貼合金屬箔作為電極,壓合成三明治積層材料。再經(jīng)由交聯(lián)反應,將復合材料層中的樹脂基材交聯(lián)。再利用印刷電路板工藝,蝕刻電極溝槽及網(wǎng)印綠漆制作絕緣層,將裝置上同一側的不同電極隔離。而高導電復合材料的導電度,比導電復合材料的導電度高二十倍以上,以確保內(nèi)部板狀復合材料連通的電極間電流傳導,主要經(jīng)由高導電復合材料部分。文檔編號H01B1/20GK1387201SQ0111572公開日2002年12月25日申請日期2001年5月21日優(yōu)先權日2001年5月21日發(fā)明者林建榮,陳瑞盈,黃仁豪,張志夷申請人:寶電通科技股份有限公司