專利名稱：圓形玻璃鈍化二極體晶粒的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及圓形玻璃鈍化二極體晶粒的制造方法，特指一種圓形玻璃鈍化二極體晶粒的制程中，將圓鐵片粘貼在晶片上的方法。該方法是一晶片制成多數(shù)個(gè)晶粒的制程進(jìn)行至圓鐵片定位膠合步驟前，圓鐵片通過治具粘貼至膠帶上，令膠帶粘貼至晶片上時(shí)，圓鐵片恰可平貼在晶片欲形成晶粒的位置上。
一般傳統(tǒng)的圓形玻璃鈍化二極體晶粒的制造流程，參閱

圖1所示，包括在一晶片進(jìn)行涂布光阻劑、曝光及顯影、蝕刻溝槽、去除光阻劑、柵層清洗、柵層被覆玻璃粉、高溫玻璃化、鍍鎳及燒結(jié)、襯片、圓鐵片粘結(jié)在膠帶上、投影及定位膠合、吹砂及分離圓晶粒等制程，令晶片形成多數(shù)個(gè)晶粒。傳統(tǒng)方法的具體制程主要是在一晶片表面披覆一層光阻劑，經(jīng)曝光顯影后，以酸液蝕刻未感光部分直至晶片下層N+部分，再以混合液將光阻劑去除，以溶劑清洗，使柵層顯現(xiàn)，后以玻璃漿填實(shí)被蝕刻凹入的溝槽，再置入石英管內(nèi)高溫完成玻璃鈍化后，晶片上再施予電鍍，再置入石英管內(nèi)燒結(jié)，再施予電鍍，將晶片放置在具有適當(dāng)溫度的玻璃襯片上，以使玻璃襯片的白蠟包覆整個(gè)晶片，再將膠帶上若干小圓鐵片粘貼在該晶片欲形成晶粒的位置上(即該晶片P面未填入玻璃漿的端面)，該晶片冷卻后，將膠帶撕去并送入吹砂機(jī)內(nèi)，以對(duì)粘貼有圓鐵片的一面進(jìn)行吹砂，形成圓鐵片大小的晶粒后，浸泡于三氯乙烷中清洗，并以磁鐵將圓鐵片吸出，即告完成。
其中將圓鐵片粘貼在晶片上的方法，是在圓鐵片定位膠合在晶片前，圓鐵片必須先分別粘貼在一膠帶的適當(dāng)位置上，圓鐵片完全粘貼在膠帶上后，膠帶再通過一投影機(jī)投影，將膠帶上的圓鐵片的陰影分別對(duì)準(zhǔn)晶片上末填入玻璃漿的位置上，再將膠帶粘貼在晶片上，圓鐵片將分別平貼在晶片上未填入玻璃漿的位置，再將晶片送入吹砂及分離圓晶粒的步驟中。其主要缺陷在于1、圓鐵片粘貼在膠帶上的位置若有偏斜時(shí)，投影機(jī)就無(wú)法將圓鐵片的陰影分別對(duì)準(zhǔn)晶片上未填入玻璃漿的位置上，如此，晶片所能制造出來(lái)的優(yōu)良品的晶粒數(shù)量將大幅減少，即無(wú)法擴(kuò)大產(chǎn)量及增加市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力。
2、當(dāng)圓鐵片全部粘貼在膠帶上的正確位置，并無(wú)任何的偏斜時(shí)，由于投影機(jī)所投影出在膠帶上的圓鐵片的陰影，經(jīng)常在一圓鐵片的陰影已對(duì)準(zhǔn)晶片上未填入玻璃漿的位置，而其余的圓鐵片的陰影尚未對(duì)準(zhǔn)晶片上末填入玻璃漿的位置，使圓鐵片的陰影無(wú)法立即快速地分別對(duì)準(zhǔn)晶片上未填入玻璃漿的位置，而必須反覆移動(dòng)膠帶，直至圓鐵片的陰影對(duì)準(zhǔn)晶片上未填入玻璃漿的位置，如此，將造成制造時(shí)間的浪費(fèi)，而無(wú)法快速生產(chǎn)。
針對(duì)上述缺點(diǎn)，本發(fā)明人經(jīng)過長(zhǎng)久努力研究與實(shí)驗(yàn)，終于開發(fā)設(shè)計(jì)出本發(fā)明的技術(shù)方案。
本發(fā)明的目的在于提供一種圓形玻璃鈍化二極體晶粒的制造方法，在制程中將圓鐵片粘貼在晶片上的方法，是在圓鐵片定位膠合步驟之前，將各圓鐵片先分別放置在治具的凹穴上，在治具的凹孔分別放置定位柱，再將膠帶粘貼至治具上，令各圓鐵片和定位柱粘貼至膠帶適當(dāng)位置上，從治具上取下該膠帶，再粘貼至晶片上時(shí)，將定位柱插入晶片的定位孔，圓鐵片恰平貼在晶片未填入玻璃漿的位置上。克服現(xiàn)有技術(shù)的弊端，達(dá)到簡(jiǎn)化制程及提高優(yōu)良品率的目的。
本發(fā)明的目的是這樣實(shí)現(xiàn)的一種圓形玻璃鈍化二極體晶粒的制造方法，包括在一晶片進(jìn)行涂布光阻劑、曝光及顯影、蝕刻溝槽、去除光阻劑、柵層清洗、柵層被覆玻璃粉、高溫玻璃化、鍍鎳及燒結(jié)、襯片、圓鐵片定位膠合、吹砂及分離圓晶粒、晶片形成多數(shù)個(gè)晶粒，其特征在于該方法在圓鐵片定位膠合之前，在治具上分別蝕刻有多數(shù)個(gè)凹穴及凹孔，該凹穴的位置與該晶片欲形成晶粒的位置相同，該凹孔的位置與該晶片所設(shè)的定位孔相同，該各凹穴中分別放置一圓鐵片，在該各凹孔中分別放置一定位柱，該圓鐵片及定位柱的表面在同一水平上，通過膠帶平貼在該治具上，粘住全部的圓鐵片和定位柱，該膠帶自該治具上取下后，將該定位柱分別插接在該晶片的定位孔上，該圓鐵片恰平貼在該晶片欲形成晶粒的位置上。
該治具先罩上另一光罩，經(jīng)曝光顯影顯現(xiàn)該多數(shù)凹穴和凹孔的位置，再對(duì)該等凹穴和凹孔的位置進(jìn)行蝕刻至適當(dāng)深度。該凹孔的深度不大于該定位柱的高度。該凹穴的深度不大于該圓鐵片的高度。該凹穴直徑大于該光罩所設(shè)的透光圈的直徑。該治具位于該凹穴和凹孔的底端分別設(shè)有穿孔。
本發(fā)明的主要優(yōu)點(diǎn)是具有簡(jiǎn)化制程及提高優(yōu)良品率的功效。
下面結(jié)合較佳實(shí)施例和附圖詳細(xì)說(shuō)明。
圖1是傳統(tǒng)制造方法的流程示意圖。
圖2是本發(fā)明的制造方法的流程示意圖。
圖3是本發(fā)明將圓鐵片粘貼在晶片上的流程示意圖。
圖4是本發(fā)明方法的產(chǎn)品的分解示意圖。
圖5是本發(fā)明方法的產(chǎn)品的剖面示意圖。
圖6是本發(fā)明的膠帶粘貼至晶片上的示意圖。
圖7是本發(fā)明的晶片放置在玻璃襯片上的剖面示意圖。
圖8是本發(fā)明的晶片吹砂完畢后的剖面示意圖。
參閱圖2-圖8，本發(fā)明的圓形玻璃鈍化二極體晶粒的制造方法包括在一晶片5進(jìn)行涂布光阻劑、曝光及顯影、蝕刻溝槽、去除光阻劑、柵層清洗、柵層被覆玻璃粉、高溫玻璃化、鍍鎳及燒結(jié)、襯片、治具的凹穴中置放圓鐵片、圓鐵片定位膠合、吹砂及分離圓晶粒、及晶片5形成多數(shù)個(gè)晶粒等。其與現(xiàn)有技術(shù)的主要區(qū)別在于圓鐵片1在粘貼在晶片5上時(shí)，圓鐵片1不須通過投影的方式，即可粘貼在該晶片5欲形成晶粒的位置，其方法是在一治具2上分別蝕刻多數(shù)個(gè)凹穴20及多數(shù)個(gè)凹孔22，該等凹穴20的位置恰與該晶片5欲形成晶粒的位置相同，該等凹孔22的位置恰與該晶片5所設(shè)的定位孔52相同，在該等凹穴20中分別放置一圓鐵片1，在該等凹孔22分別放置一定位柱4，且圓鐵片1及定位柱4的表面恰在同一水平上，令一膠帶3平貼在治具2上全部的圓鐵片1和定位柱4上，該膠帶3自該治具2上取下后，該膠帶3上可粘住所有圓鐵片1和定位柱4，將該膠帶3上的定位柱4插接在該晶片5的定位孔52上時(shí)，該各圓鐵片1恰可平貼在該晶片5欲形成晶粒的凹穴20的位置上?？朔F(xiàn)有技術(shù)的對(duì)位費(fèi)時(shí)及不準(zhǔn)確的缺陷。
在本發(fā)明的一較佳實(shí)施例中，該晶片5依序設(shè)有P面50、N面54以及N+面58所構(gòu)成。
其中該涂布光阻劑步驟是在該晶片5的所有表面上涂布光阻劑；該曝光及顯影步驟是在該晶片5的P面50罩上通過精密設(shè)計(jì)的一光罩(照相板)，該光罩上設(shè)有多數(shù)個(gè)呈圓形的透光圈，以及相對(duì)該晶片5邊緣的適當(dāng)位置設(shè)有多數(shù)個(gè)定位圈，再送入一曝光機(jī)感光約10秒后，該P(yáng)面50上將感光形成多數(shù)個(gè)圓圈，再以一顯影劑經(jīng)約15秒的顯影后，再進(jìn)行蝕刻溝槽步驟；該蝕刻溝槽步驟，是將顯影后的晶片5放在一酸液槽中，該晶片5經(jīng)酸液槽中的酸液蝕刻約5分鐘，再以水沖洗10-15分鐘，反覆操作至該P(yáng)面50未感光的部分形成一溝槽56，該溝槽56必須深入至該晶片5的N+面58部分，該等定位圈處形成一定位孔52；再進(jìn)行去除光阻劑步驟，其是將該晶片5浸入一混合液中，以去除該表面上的光阻劑；再進(jìn)行該柵層清洗步驟，其是將該晶片5以一溶劑清洗該混合液，使該晶片5上的柵層顯現(xiàn)；該柵層被覆玻璃粉步驟，是待該晶片5的溶劑完全干燥后，再將一適當(dāng)成分的玻璃漿7填入該等溝槽56中；該高溫玻璃化步驟，是當(dāng)該晶片5的溝槽完成填充玻璃漿7后，將該晶片5置入石英管內(nèi)，以高溫將該玻璃漿7燒結(jié)成玻璃化；該鍍鎳及燒結(jié)步驟，是當(dāng)該高溫玻璃化步驟完成后，再于該表面施予第一次電鍍，形成一電鍍層8，再送入一具有適當(dāng)溫度的石英管內(nèi)燒結(jié)，待燒結(jié)完成后，再于該表面上施予第二次電鍍；該玻璃漿7約燒結(jié)一小時(shí)后，即可完成玻璃化該襯片是當(dāng)該表面完成第二次電鍍后，將該晶片5另一表面放置在涂設(shè)有白蠟9的玻璃襯片6上，該玻璃襯片6加熱至一適當(dāng)溫度后，該白蠟9將覆蓋該晶片5整個(gè)表面上；該治具的凹穴中置放圓鐵片，是該治具2先罩上另一光罩，經(jīng)曝光顯影，以顯現(xiàn)所需的多數(shù)凹穴20和凹孔22位置，再對(duì)該等凹穴20和凹孔22位置進(jìn)行蝕刻至適當(dāng)深度；該凹孔22和凹穴20位置分別與該晶片5上的定位孔52及欲形成晶粒而未填入玻璃漿7的位置相同，該凹穴20的深度不大于該圓鐵片1的高度，該凹孔22的深度不大于該定位柱4的高度，令該膠帶3從該治具2的同一水平高度上粘貼到所有圓鐵片1和定位柱4；該凹穴20直徑大于該光罩上所設(shè)的透光圈的直徑，以令該晶片5周圍完全被玻璃包覆。
該圓鐵片定位膠合步驟，是將膠帶3粘貼在該晶片5，令該圓鐵片1平貼在該晶片5未填入玻璃漿7的位置，待該白蠟9冷卻后，可撕除該膠帶3，該圓鐵片1是通過該白蠟9粘固在該晶片5上；該吹砂及分離圓晶粒步驟，是對(duì)該晶片5粘固有圓鐵片1的一面進(jìn)行吹砂，吹砂完成后，浸泡于三氯乙烷中清洗，并以磁鐵將該圓鐵片1和定位柱4吸出，即形成多數(shù)個(gè)呈圓形的晶粒。
該實(shí)施例中，該晶片5在進(jìn)行涂布光阻劑的步驟前，以及該晶片5曝光及顯影的步驟后，該晶片5可放置在烘烤箱內(nèi)，在100℃烘烤30分鐘，該晶片5在進(jìn)行涂布光阻劑的步驟前，該晶片5上先標(biāo)記正確的P面50及N+面58。
本實(shí)施例中，該晶片5在進(jìn)行涂布光阻劑的步驟后，該晶片5再放置該烘烤箱內(nèi)，在75℃烘烤30分鐘，再進(jìn)行曝光及顯影的步驟。
本實(shí)施例中，該酸液是由適當(dāng)比例的硝酸、冰醋酸、氫氟酸及硫酸所混合而成，該酸液保持在10℃；該混合液是由適當(dāng)比例的雙氧水及硫酸所混合而成；該溶劑為一無(wú)離子水；該玻璃漿7是由適當(dāng)比例的玻璃粉、無(wú)離子水及粘著劑攪拌而成；該晶片5電鍍時(shí)，所用的電鍍液可為電鍍鎳水；該玻璃襯片6是放置在一電熱板60上加熱至適當(dāng)溫度。由于其為現(xiàn)有技術(shù)，故不詳述。
本發(fā)明中，參閱圖5所示，該治具2在該凹穴20及凹孔22的底端分別設(shè)有一穿孔24，該穿孔24分別連接至一真空機(jī)，該圓鐵片1和定位柱4分別置入該凹穴20和凹孔22后，可啟動(dòng)該真空機(jī)抽取該凹穴20和凹孔22的空氣，使該等圓鐵片1和定位柱4可平貼在該凹穴20和凹孔22內(nèi)，令該圓鐵片1和定位柱4可在同一平面上被該膠帶3粘貼。
以上所述，僅為本發(fā)明最佳的實(shí)施例，本發(fā)明的構(gòu)造特征并不局限于此，任何熟悉該項(xiàng)技藝者在本發(fā)明領(lǐng)域內(nèi)，可輕易思及的變化或修飾，皆可涵蓋在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種圓形玻璃鈍化二極體晶粒的制造方法，包括在一晶片進(jìn)行涂布光阻劑、曝光及顯影、蝕刻溝槽、去除光阻劑、柵層清洗、柵層被覆玻璃粉、高溫玻璃化、鍍鎳及燒結(jié)、襯片、圓鐵片定位膠合、吹砂及分離圓晶粒、晶片形成多數(shù)個(gè)晶粒，其特征在于該方法在圓鐵片定位膠合之前，在治具上分別蝕刻有多數(shù)個(gè)凹穴及凹孔，該凹穴的位置與該晶片欲形成晶粒的位置相同，該凹孔的位置與該晶片所設(shè)的定位孔相同，該各凹穴中分別放置一圓鐵片，在該各凹孔中分別放置一定位柱，該圓鐵片及定位柱的表面在同一水平上，通過膠帶平貼在該治具上，粘住全部的圓鐵片和定位柱，該膠帶從該治具上取下后，將該定位柱分別插接在該晶片的定位孔上，令該圓鐵片恰平貼在該晶片欲形成晶粒的位置上。
2.如權(quán)利要求1所述的圓形玻璃鈍化二極體晶粒的制造方法，其特征在于該治具先罩上另一光罩，經(jīng)曝光顯影顯現(xiàn)該多數(shù)凹穴和凹孔的位置，再對(duì)該凹穴和凹孔的位置進(jìn)行蝕刻至適當(dāng)深度。
3.如權(quán)利要求1所述的圓形玻璃鈍化二極體晶粒的制造方法，其特征在于該治具的凹孔的深度不大于該定位柱的高度。
4.如權(quán)利要求1所述的圓形玻璃鈍化二極體晶粒的制造方法，其特征在于該治具的凹穴的深度不大于該圓鐵片的高度。
5.如權(quán)利要求1所述的圓形玻璃鈍化二極體晶粒的制造方法，其特征在于該治具的凹穴直徑大于該光罩所設(shè)的透光圈的直徑。
6.如權(quán)利要求1所述的圓形玻璃鈍化二極體晶粒的制造方法，其特征在于該治具位于該凹穴和凹孔的底端分別設(shè)有穿孔。
全文摘要
一種圓形玻璃鈍化二極體晶粒的制造方法,其特點(diǎn)是在一治具上分別蝕刻有多數(shù)個(gè)與形成晶粒的位置相同的凹穴及與所設(shè)的定位孔位置相同的凹孔,在凹穴和凹孔中分別放置圓鐵片和定位柱,膠帶將治具上全部的圓鐵片和定位柱粘住,將定位柱插接在晶片的定位孔上時(shí),令圓鐵片恰平貼在晶片欲形成晶粒的位置上。具有簡(jiǎn)化制程及提高優(yōu)良品率的功效。
文檔編號(hào)H01L21/02GK1381876SQ0110958
公開日2002年11月27日 申請(qǐng)日期2001年4月20日 優(yōu)先權(quán)日2001年4月20日
發(fā)明者陳鑒章 申請(qǐng)人:陳鑒章