專利名稱：非互易電路器件和使用它的通信設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及諸如在例如微波帶的高頻帶中使用的隔離器或環(huán)行器的非互易電路器件，還涉及使用它的通信設(shè)備。
通常，諸如集中常數(shù)(concentrated-constant)型隔離器或環(huán)行器被用于通信設(shè)備等中，利用了它的在信號(hào)的傳輸方向上表現(xiàn)出很低的衰減同時(shí)在相反的方向上表現(xiàn)出很高的衰減的特性圖9是表示傳統(tǒng)隔離器的分解透視圖，

圖10表示其內(nèi)部結(jié)構(gòu)。在這個(gè)隔離器中，樹脂制成的外殼7被設(shè)置于具有左右側(cè)壁8b和底壁8a的U狀下軛部8上，磁性組件5包括中央導(dǎo)體51、52和53以及磁體55，用于匹配的電容器C1、C2和C3以及終端電阻器R被提供在終端外殼7中，永磁體3設(shè)置于其上，箱狀上軛部2被安裝于下外殼8上以整體覆蓋上面部分。上軛部2和下軛部8在上軛部2的相對(duì)的側(cè)壁和下軛部8的兩個(gè)側(cè)壁8b處被連接一起，形成具有頂壁、底壁和與頂壁、底壁連接的兩個(gè)側(cè)壁的大致方筒狀軛部。這些上軛部2和下軛部8以及永磁體構(gòu)成了閉合磁路。
所有的中央導(dǎo)體51到53被設(shè)置成其公共接地部分靠接磁體55的底表面，這些中央導(dǎo)體在磁體55的頂表面上以大致120度的角度相互交叉，通過磁體55的側(cè)表面。各個(gè)中央導(dǎo)體51和52的接口P1和P2被連接于形成在終端外殼7中的輸入/輸出終端71和72以及電容器C1和C2。中央導(dǎo)體53的接口P3被連接于電容器C3和終端電阻器R，所有電容器C1到C3和終端電阻器R的一側(cè)端被連接于階段終端73。所有的中央導(dǎo)體51到53的公共接地部分被連接于下軛部8的底壁8a。
一個(gè)中央導(dǎo)體53被設(shè)置成與上軛部2和下軛部8的相對(duì)的側(cè)壁8b正交，另外的中央導(dǎo)體51和52被設(shè)置成以大致120度的角度與中央導(dǎo)體53交叉。
在這種非互易電路器件中，如圖11所示，流經(jīng)各個(gè)中央導(dǎo)體(圖11中僅示出非互易電路器件53)的電流i從接地部分被分割為上下兩路。此時(shí)，如果使用具有相同導(dǎo)體寬度和導(dǎo)體間距的中央導(dǎo)體51到53，從設(shè)置成與下軛部8的側(cè)壁8b正交的中央導(dǎo)體53流向上軛部2的電流將大于從另外兩個(gè)中央導(dǎo)體51和52流向上軛部2的電流，而從中央導(dǎo)體53流向下軛部8的電流將小于從另外兩個(gè)中央導(dǎo)體51和52流向下軛部8的電流。這是因?yàn)橹醒雽?dǎo)體53設(shè)置得比另外兩個(gè)中央導(dǎo)體51和52更靠近軛部的側(cè)壁8b，并且因?yàn)樵谏宪棽?上的電流路徑變短。結(jié)果，通過磁體55的由于正交于軛部的側(cè)壁8b的中央導(dǎo)體53的電流i3引起的磁通變得小于通過磁體55的由于另外的中央導(dǎo)體51和52的每一個(gè)的電流i1和i2的每一個(gè)引起的磁通。因此，正交于軛部的側(cè)壁8b的中央導(dǎo)體53與另外的中央導(dǎo)體51和52的耦合變?nèi)?，從而在中央?dǎo)體53的接口處的阻抗(以后稱為“接口阻抗”)變得高于另外的兩個(gè)中央導(dǎo)體51和52的阻抗。
通常，使用這些非互易電路器件的電路中的輸入/輸出部分的阻抗具有預(yù)定值(通常是50*)，在非互易電路器件的中的各個(gè)接口處阻抗也被設(shè)置為預(yù)定值。
但是，在傳統(tǒng)的中央導(dǎo)體中，如上所述，由于設(shè)置成正交于軛部的側(cè)壁的中央導(dǎo)體具有比另外兩個(gè)中央導(dǎo)體更高的接口阻抗，會(huì)出現(xiàn)這個(gè)中央導(dǎo)體的接口的反射特性惡化的問題。
日本未審查專利申請(qǐng)公開No.7-307603已經(jīng)公開了一種非互易電路器件，其中對(duì)每個(gè)接口設(shè)置三個(gè)中央導(dǎo)體的導(dǎo)體寬度和導(dǎo)體間距，但是對(duì)于這個(gè)非互易電路器件不處理這些中央導(dǎo)體與軛部的側(cè)壁之間的配置關(guān)系。本發(fā)明研究了中央導(dǎo)體與軛部的側(cè)壁之間的配置關(guān)系來解決上述問題。
因此，本發(fā)明的一個(gè)目的是提供一種設(shè)置成與軛部的側(cè)壁正交的中央導(dǎo)體的接口具有改善的反射特性的非互易電路器件，并提供一種使用這種非互易電路器件的通信設(shè)備。
為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供一種非互易電路器件，包括具有頂壁、底壁和與所述頂壁和所述底壁連接的兩個(gè)相對(duì)側(cè)壁的軛部，所述軛部容納永磁體和磁體，其中磁體包括設(shè)置成以預(yù)定的角度相互交叉的彼此電絕緣地提供的三個(gè)中央導(dǎo)體，并且三個(gè)導(dǎo)體之一被設(shè)置成大致與軛部的側(cè)壁正交。在這個(gè)非互易電路器件中，設(shè)置成大致與軛部的側(cè)壁正交的中央導(dǎo)體的導(dǎo)體寬度被設(shè)置為寬于另外兩個(gè)中央導(dǎo)體的每一個(gè)的寬度。而且，當(dāng)中央導(dǎo)體的每一個(gè)由大量導(dǎo)體構(gòu)成時(shí)，設(shè)置成大致與軛部的側(cè)壁正交的中央導(dǎo)體的導(dǎo)體間距被設(shè)置成寬于另外兩個(gè)中央導(dǎo)體的每一個(gè)的導(dǎo)體間距。
根據(jù)這種結(jié)構(gòu)，設(shè)置成大致與軛部的側(cè)壁正交的中央導(dǎo)體的接口阻抗降低，從而這個(gè)中央導(dǎo)體的反射特性可被改善。尤其，在本發(fā)明中，為使設(shè)置成大致與軛部的側(cè)壁正交的中央導(dǎo)體的接口阻抗接近另外兩個(gè)中央導(dǎo)體的阻抗，設(shè)置成大致與軛部的側(cè)壁正交的中央導(dǎo)體的導(dǎo)體寬度或?qū)w間距被設(shè)置為寬于另外兩個(gè)中央導(dǎo)體的每一個(gè)的導(dǎo)體寬度或?qū)w間距。這使得每個(gè)接口實(shí)現(xiàn)適當(dāng)?shù)淖杩蛊ヅ?，其結(jié)果導(dǎo)致在中央導(dǎo)體的每一個(gè)的接口處有改善的反射特性。
最好是中央導(dǎo)體的每一個(gè)由兩個(gè)導(dǎo)體構(gòu)成。這使得由于結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單而使插入損耗降低。
而且，最好是終端電阻器被連接于中央導(dǎo)體的任何一個(gè)，以形成隔離器。在這種情況下，由于設(shè)置成大致與軛部的側(cè)壁正交的中央導(dǎo)體的接口具有一個(gè)接口阻抗，該阻抗比另外的中央導(dǎo)體的接口阻抗更易于偏離，因此這個(gè)中央導(dǎo)體的接口適合于可由具有任一電阻值的電阻器終止的隔離接口。因此，優(yōu)選地把終止接口連接于這個(gè)接口。
而且，根據(jù)本發(fā)明的通信設(shè)備是通過包括具有上述特征的非互易電路器件來實(shí)現(xiàn)的。從而得到具有優(yōu)異特性的通信設(shè)備。
本發(fā)明的上面和其它的目的、特征和優(yōu)點(diǎn)從下面聯(lián)系附圖的對(duì)本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例的具體描述中變得更清楚。
圖1是表示根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施例的隔離器的整體結(jié)構(gòu)的分解透視圖；圖2是表示根據(jù)第一實(shí)施例的隔離器的平面圖，從中移開了永磁體和上軛部；圖3是表示第一實(shí)施例的結(jié)構(gòu)和傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)中的反射損耗的曲線；圖4是表示根據(jù)第二實(shí)施例的隔離器的平面圖，從中移開了永磁體和上軛部；圖5是表示第二實(shí)施例的結(jié)構(gòu)和傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)中的反射損耗的曲線；圖6是表示根據(jù)第三實(shí)施例的隔離器的平面圖，從中移開了永磁體和上軛部；圖7是表示第三實(shí)施例的結(jié)構(gòu)和傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)中的反射損耗的曲線；圖8是表示根據(jù)本發(fā)明的第四實(shí)施例的通信設(shè)備的框圖；圖9是表示傳統(tǒng)隔離器的整體結(jié)構(gòu)的分解透視圖；圖10是表示傳統(tǒng)隔離器的平面圖，從中移開了永磁體和上軛部；圖11是表示圖10所示的隔離器的剖面簡(jiǎn)圖。
根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施例的非互易電路器件的結(jié)構(gòu)將參考圖1和2來描述。圖1是表示隔離器的整體結(jié)構(gòu)的分解透視圖，圖2是表示隔離器的平面圖，從其中移開了永磁體和上軛部。
根據(jù)該實(shí)施例的隔離器中，終端外殼7被設(shè)置于大致U狀下軛部8上。磁性組件5包括中央導(dǎo)體51、52和53以及磁體55。磁性組件5、用于匹配的電容器C1到C3以及終端電阻器R被提供在終端外殼7中，永磁體3設(shè)置于其上，箱狀上軛部2被安裝于下軛部8上以整體覆蓋上面部分。DC磁場(chǎng)被永磁體3施加于磁性組件5。
上軛部2和下軛部8通過模壓諸如軟鐵的磁性金屬并通過彎折模壓板來形成。上軛部2具有頂壁和4個(gè)側(cè)壁，下軛部具有底壁8a和相對(duì)的左右側(cè)壁8b。上軛部2和下軛部8使用焊料、導(dǎo)電粘結(jié)劑等在上軛部2的兩個(gè)相對(duì)的側(cè)壁和下軛部8的兩個(gè)側(cè)壁8b處連接一起。在由這些上軛部2和下軛部8構(gòu)成的軛部中，頂壁和底壁在下軛部的側(cè)壁側(cè)是彼此連續(xù)的，頂壁和底壁構(gòu)成筒狀結(jié)構(gòu)，其中頂壁和底壁在與這些側(cè)壁側(cè)正交的側(cè)上是彼此不連續(xù)的。從而軛部構(gòu)成閉合磁路，還執(zhí)行用于容納所有組件的外殼的功能。
中央導(dǎo)體51、52和53通過模壓諸如銅的金屬導(dǎo)體形成，整體連接在構(gòu)成公共接地端的接地部分，并突出到外部。磁性組件5具有這樣一種結(jié)構(gòu)，其中磁體55被放置在公共接地部分54上，所有的中央導(dǎo)體51到53被設(shè)置在磁體55的頂表面上以通過折疊這些中央導(dǎo)體來卷繞磁體55，同時(shí)把絕緣板(未示出)插入在這些中央導(dǎo)體之間來彼此形成大致120度的角度。構(gòu)成各個(gè)中央導(dǎo)體51到53的頂部分的接口P1到P3的每一個(gè)具有適合于與其它部件相連接的形狀，并且將其形成為從磁體55的外周邊突出到外部。中央導(dǎo)體51到53的每一個(gè)由兩個(gè)導(dǎo)體構(gòu)成，中央導(dǎo)體53被設(shè)置成與下軛部8的相對(duì)的側(cè)壁8b正交的，中央導(dǎo)體51和52被設(shè)置成以大致120度的角度與中央導(dǎo)體53相互交叉。
在這個(gè)實(shí)施例中，把設(shè)置成與軛部的側(cè)壁正交的的中央導(dǎo)體53的的導(dǎo)體寬度A3的每一個(gè)做得比另外的中央導(dǎo)體51和52的每一個(gè)的寬度A1和A2的每一個(gè)寬。即，在這個(gè)實(shí)施例中，構(gòu)成設(shè)置成軛部的側(cè)壁正交的中央導(dǎo)體53的兩個(gè)導(dǎo)體的的導(dǎo)體寬度A3被設(shè)置成寬于另外的中央導(dǎo)體51和52的每一個(gè)的導(dǎo)體寬度A1和A2。這里，各個(gè)中央導(dǎo)體51、52和53的導(dǎo)體間距B1、B2和B3具有相同的尺寸。
終端外殼7由電絕緣材料構(gòu)成并且通過整體形成底壁7b和矩形框架狀側(cè)壁7a來構(gòu)成。輸入/輸出終端71和72以及接地終端73被部分地嵌入樹脂中，插入孔7c被形成于底壁7b的大致中央部分，大量凹部被提供在插入孔7c的周圍邊緣的預(yù)定位置處。
在形成于在插入孔7c的周圍邊緣上的凹部中，提供有用于匹配的電容器C1到C3和終端電阻器R。磁性組件5被插入到插入孔7c并且永磁體被設(shè)置在磁性組件5上面。磁性組件5的底壁上的公共接地部分54被連接于下軛部8的底壁8a。用于匹配的電容器C1到C3的下表面電極和終端電阻器R的一端側(cè)電極被各自連接于接地終端73。中央導(dǎo)體51到53的接口P1到P3被分別連接于用于匹配的電容器C1到C3的上表面電極，終端電阻器R的另一端側(cè)被連接于接口p3。
接著，參考圖3描述第一實(shí)施例的結(jié)構(gòu)的效果。圖3是表示第一實(shí)施例的結(jié)構(gòu)和傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)(所有中央導(dǎo)體被形成為具有相同的導(dǎo)體寬度和相同的導(dǎo)體間距)的在設(shè)置成正交于軛部的側(cè)壁的中央導(dǎo)體53的接口中的反射特性曲線。傳統(tǒng)示例和本發(fā)明的第一實(shí)施例的每一個(gè)的磁體尺寸都是3.0mm直徑和0.5mm厚。傳統(tǒng)示例中使用的中央導(dǎo)體53具有0.3mm的導(dǎo)體寬度和0.2mm的導(dǎo)體間距，用作傳統(tǒng)示例中的所有導(dǎo)體51到53和用在該實(shí)施例中的中央導(dǎo)體51和52具有0.15mm的導(dǎo)體寬度和0.2mm的導(dǎo)體間距。飽和磁化強(qiáng)度被設(shè)置為0.1T，測(cè)量系統(tǒng)的阻抗是50*。在傳統(tǒng)示例中，在中央頻率處相應(yīng)于接口P3的接口阻抗大約是60*，而在中央頻率處實(shí)施例的接口P3的接口阻抗大約是50*。在中央頻率處其它接口的阻抗每一個(gè)大約是50*。
如圖3所示，在要求的頻帶中這個(gè)實(shí)施例的接口P3處反射特性明顯優(yōu)于傳統(tǒng)的示例。例如，在中央頻率(900MHz)，該實(shí)施例的反射損耗是46.6dB，相比之下，傳統(tǒng)示例是19.1dB。即，該實(shí)施例表現(xiàn)出明顯比傳統(tǒng)示例改善的反射特性。
如上所述，在這個(gè)實(shí)施例中，當(dāng)所有中央導(dǎo)體被形成來與傳統(tǒng)示例的情況一樣具有相等的導(dǎo)體寬度時(shí)，具有最高接口阻抗的中央導(dǎo)體，即設(shè)置成正交于軛部的側(cè)壁8b的中央導(dǎo)體53提供有比另外的中央導(dǎo)體51和52的每一個(gè)的導(dǎo)體寬度A1和A2更寬的導(dǎo)體寬度A3。因此，這個(gè)中央導(dǎo)體53的接口阻抗降低，從而這個(gè)中央導(dǎo)體53的接口的反射特性被改善了。尤其中央導(dǎo)體53的接口阻抗通過把導(dǎo)體寬度A3設(shè)置得更寬而被降低了，從而中央導(dǎo)體53的接口阻抗更接近于電路系統(tǒng)的阻抗，即采用與另外的中央導(dǎo)體51和52的阻抗值基本相同的阻抗值。這使得所有中央導(dǎo)體的接口阻抗被設(shè)置成與電路系統(tǒng)的阻抗匹配。因此，如果上述實(shí)施例的磁性組件被使用，當(dāng)設(shè)置成正交于軛部的側(cè)壁的中央導(dǎo)體的接口被用作輸入/輸出接口時(shí)插入損耗可被降低，當(dāng)設(shè)置成正交于軛部的側(cè)壁的中央導(dǎo)體的接口被用作隔離接口時(shí)隔離特性被改善。
在上述實(shí)施例中，隔離器通過把終端電阻器R連接于設(shè)置成正交于軛部的側(cè)壁的中央導(dǎo)體53而形成，但是形成隔離器的方法并不限于此。反而可通過把終端電阻器R連接于中央導(dǎo)體51和52之一而形成隔離器。優(yōu)選地終端電阻器R被連接與中央導(dǎo)體53，其接口阻抗比中央導(dǎo)體51和52的接口阻抗更易于偏離，如上所述。準(zhǔn)確地匹配終端電阻器R的電阻值和中央導(dǎo)體53的接口阻抗值進(jìn)一步改善了隔離特性。
接著，參考圖4描述根據(jù)第二實(shí)施例的隔離器的結(jié)構(gòu)。在圖4所示的隔離器中，中央導(dǎo)體51到53的每一個(gè)由兩個(gè)導(dǎo)體構(gòu)成，把設(shè)置成正交于軛部的側(cè)壁8b的中央導(dǎo)體53的導(dǎo)體間距B3做得比另外的中央導(dǎo)體51和52的每一個(gè)的導(dǎo)體間距B1和B2寬。即，在這個(gè)實(shí)施例中，構(gòu)成設(shè)置成正交于軛部的側(cè)壁8b的中央導(dǎo)體53的兩個(gè)導(dǎo)體的導(dǎo)體間距B3被設(shè)置成寬于另外的中央導(dǎo)體51和52的每一個(gè)的導(dǎo)體間距B1和B2。這里，各個(gè)中央導(dǎo)體51、52和53的導(dǎo)體寬度A1、A2和A3具有相同的尺寸。
圖5是表示第二實(shí)施例的結(jié)構(gòu)和傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)的在設(shè)置成正交于軛部的側(cè)壁的中央導(dǎo)體53的接口中的反射特性的曲線。該實(shí)施例使用的中央導(dǎo)體53具有0.15mm的導(dǎo)體寬度和0.5mm的導(dǎo)體間距。其它尺寸和測(cè)量條件與在上述第一實(shí)施例中的相同。在這個(gè)實(shí)施例中，在中央頻率處接口P3的接口阻抗大約是55*。在中央頻率處其它接口的阻抗每一個(gè)大約是50*。
如圖5所示，在要求的頻帶中這個(gè)實(shí)施例的接口P3處反射特性明顯優(yōu)于傳統(tǒng)的示例。例如，在中央頻率，該實(shí)施例的反射損耗是26.3dB，相比之下，傳統(tǒng)示例是19.1dB。即，該實(shí)施例表現(xiàn)出明顯比傳統(tǒng)示例改善的反射特性。
如上所述，在這個(gè)實(shí)施例中，當(dāng)所有中央導(dǎo)體被形成來與傳統(tǒng)示例的情況一樣具有相等的導(dǎo)體間距時(shí)，具有最高接口阻抗的中央導(dǎo)體，即設(shè)置成正交于軛部的側(cè)壁的中央導(dǎo)體53提供有比另外的中央導(dǎo)體51和52的每一個(gè)的導(dǎo)體間距B1和B2更寬的導(dǎo)體間距B3。因此，這個(gè)中央導(dǎo)體53的接口阻抗降低，從而這個(gè)中央導(dǎo)體的接口的反射特性被改善。尤其，中央導(dǎo)體53的接口阻抗通過把導(dǎo)體間距B3設(shè)置得更寬而被降低了，從而接口阻抗更接近于電路系統(tǒng)的阻抗。因此，如果該實(shí)施例的結(jié)構(gòu)被使用，當(dāng)設(shè)置成正交于軛部的側(cè)壁的中央導(dǎo)體的接口被用作輸入/輸出接口時(shí)插入損耗可被降低，當(dāng)設(shè)置成正交于軛部的側(cè)壁的中央導(dǎo)體的接口被用作隔離接口時(shí)隔離特性被改善。
接著，參考圖6描述根據(jù)第三實(shí)施例的隔離器的結(jié)構(gòu)。在圖6所示的隔離器中，中央導(dǎo)體51到53的每一個(gè)由兩個(gè)導(dǎo)體構(gòu)成，把設(shè)置成正交于軛部的側(cè)壁8b的中央導(dǎo)體53的導(dǎo)體寬度A3的每一個(gè)做得比另外的中央導(dǎo)體51和52的每一個(gè)的導(dǎo)體寬度A1和A2寬，并且把設(shè)置成正交于軛部的側(cè)壁8b的中央導(dǎo)體53的導(dǎo)體間距B3做得比另外的中央導(dǎo)體51和52的每一個(gè)的導(dǎo)體間距B1和B2寬。即，在這個(gè)實(shí)施例中，構(gòu)成設(shè)置成正交于軛部的側(cè)壁8b的中央導(dǎo)體53的兩個(gè)導(dǎo)體的導(dǎo)體寬度A3和導(dǎo)體間距B3的每一個(gè)都被設(shè)置成寬于另外的中央導(dǎo)體51和52的每一個(gè)的導(dǎo)體寬度A1和A2以及導(dǎo)體間距B1和B2。
圖7是表示第三實(shí)施例的結(jié)構(gòu)(圖8所示的結(jié)構(gòu))和傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)的在設(shè)置成設(shè)置成正交于軛部的側(cè)壁8b的中央導(dǎo)體53的接口中的反射特性的曲線。該實(shí)施例使用的中央導(dǎo)體53具有0.25mm的導(dǎo)體寬度和0.3mm的導(dǎo)體間距。其它尺寸和測(cè)量條件與在上述第一實(shí)施例中的相同。在這個(gè)實(shí)施例中，在中央頻率處接口P3的接口阻抗大約是50*。在中央頻率處其它接口的阻抗每一個(gè)大約是50*。
如圖7所示，在要求的頻帶中這個(gè)實(shí)施例的接口P3的反射特性明顯優(yōu)于傳統(tǒng)的示例。例如，在中央頻率(900MHz)，該實(shí)施例的反射損耗是38.7dB，相比之下，傳統(tǒng)示例是19.1dB。即，該實(shí)施例表現(xiàn)出明顯比傳統(tǒng)示例改善的反射特性。
如上所述，在這個(gè)實(shí)施例中，當(dāng)所有中央導(dǎo)體被形成來與傳統(tǒng)示例的情況一樣具有相等的導(dǎo)體寬度和相等的導(dǎo)體間距時(shí)，具有最高接口阻抗的中央導(dǎo)體，即設(shè)置成設(shè)置成正交于軛部的側(cè)壁的中央導(dǎo)體53提供有比另外的中央導(dǎo)體51和52的每一個(gè)的導(dǎo)體寬度A1和A2以及導(dǎo)體間距B1和B2更寬的導(dǎo)體寬度A3和導(dǎo)體間距B3。因此，這個(gè)中央導(dǎo)體53的接口阻抗降低，從而這個(gè)中央導(dǎo)體53的接口的反射特性被改善。尤其，中央導(dǎo)體53的接口阻抗通過把導(dǎo)體寬度A3和導(dǎo)體間距B3設(shè)置得更寬而被降低了，從而接口阻抗更接近于電路系統(tǒng)的阻抗。因此，如果該實(shí)施例的結(jié)構(gòu)被使用，當(dāng)設(shè)置成設(shè)置成正交于軛部的側(cè)壁的中央導(dǎo)體的接口被用作輸入/輸出接口時(shí)插入損耗可被降低，當(dāng)設(shè)置成設(shè)置成正交于軛部的側(cè)壁的中央導(dǎo)體的接口被用作隔離接口時(shí)隔離特性被改善。
在上述實(shí)施例中，中央導(dǎo)體51、52和53的每一個(gè)被描述為由兩個(gè)導(dǎo)體構(gòu)成的中央導(dǎo)體，但是形成中央導(dǎo)體的方法并不限于此。這些中央導(dǎo)體51、52和53的每一個(gè)可用一個(gè)導(dǎo)體形成或由三個(gè)或更多個(gè)導(dǎo)體構(gòu)成。
而且，在上述實(shí)施例中，中央導(dǎo)體的每一個(gè)被描述為具有這樣一種結(jié)構(gòu)，其中金屬板形成的中央導(dǎo)體的每一個(gè)被折疊并被設(shè)置在磁體上，但是中央導(dǎo)體的結(jié)構(gòu)并不限于此。中央導(dǎo)體的每一個(gè)的結(jié)構(gòu)可以是這樣一種結(jié)構(gòu)，其中中央導(dǎo)體由電絕緣體或磁體的內(nèi)部或表面上的電極膜構(gòu)成。而且，永磁體3的形狀并不限制于環(huán)形，而可以使用諸如平面圖中的四邊形的多邊形。
而且，在上述實(shí)施例中，通過例示的方式解釋了把終端電阻器連接于一個(gè)接口P3的隔離器。但是，本發(fā)明還可以被應(yīng)用于把接口P3用作第三輸入/輸出接口而不把終端電阻器R連接于接口P3的環(huán)行器。
而且，在上述實(shí)施例中，通過連接上軛部和下軛部而形成的軛部，但是形成軛部的方法并不限于此。也可使用應(yīng)用一種材料單一形成的大致方筒狀軛部。
接著，根據(jù)第四實(shí)施例的通信設(shè)備的結(jié)構(gòu)在圖8中示出。在這個(gè)通信設(shè)備中，天線ANT被連接于雙工器DPX的天線端，該雙工器包括發(fā)射濾波器TX和接收濾波器RX，隔離器ISO被連接與發(fā)射濾波器TX的輸入端與發(fā)射電路之間，接收電路被連接于接收濾波器RX的輸出端。從發(fā)射電路發(fā)射的信號(hào)從天線ANT經(jīng)隔離器ISO和發(fā)射濾波器TX被發(fā)射出去。在天線ANT接收到的接收信號(hào)經(jīng)接收濾波器RX被輸入到接收電路。
這里，作為隔離器ISO，上述實(shí)施例的每一個(gè)的隔離器均可被使用。通過使用根據(jù)本發(fā)明的具有改善的反射特性的非互易電路器件，可得到具有優(yōu)異特性的通信設(shè)備。
從上面的描述顯然看到，根據(jù)本發(fā)明的非互易電路器件，由于把設(shè)置成設(shè)置成正交于軛部的側(cè)壁的中央導(dǎo)體的導(dǎo)體寬度和/或?qū)w間距做得比另外的中央導(dǎo)體的每一個(gè)的導(dǎo)體寬度和/或?qū)w間距寬，設(shè)置成設(shè)置成正交于軛部的側(cè)壁的中央導(dǎo)體的接口阻抗降低，從而這個(gè)中央導(dǎo)體的接口的反射特性被改善。因此，本發(fā)明使得具有低插入損耗和優(yōu)異隔離特性的非互易電路器件能夠?qū)崿F(xiàn)。
而且，通過安裝根據(jù)本發(fā)明的非互易電路器件，可實(shí)現(xiàn)具有優(yōu)異特性的通信設(shè)備。
盡管本發(fā)明參考當(dāng)前考慮優(yōu)選實(shí)施例的描述進(jìn)行了說明，應(yīng)理解在不背離本發(fā)明的情況下在更廣泛的方面可進(jìn)行各種改變和修改，因此，意在由后附的權(quán)利要求來覆蓋所有的改變和修改，其落入在本發(fā)明的真正精神和范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1．一種非互易電路器件，包括包括具有頂壁、底壁和與所述頂壁和所述底壁連接的兩個(gè)相對(duì)側(cè)壁的軛部，所述軛部容納永磁體和磁體，其中所述磁體包括設(shè)置成以預(yù)定的角度相互交叉的彼此電絕緣地提供的三個(gè)中央導(dǎo)體，并且三個(gè)導(dǎo)體之一被設(shè)置成大致與軛部的側(cè)壁正交，設(shè)置成大致與軛部的側(cè)壁正交的中央導(dǎo)體的導(dǎo)體寬度被設(shè)置為寬于另外兩個(gè)中央導(dǎo)體的每一個(gè)的寬度。
2．一種非互易電路器件，包括包括具有頂壁、底壁和與所述頂壁和所述底壁連接的兩個(gè)相對(duì)側(cè)壁的軛部，所述軛部容納永磁體和磁體，其中所述磁體包括設(shè)置成以預(yù)定的角度相互交叉的彼此電絕緣地提供的三個(gè)中央導(dǎo)體，并且三個(gè)導(dǎo)體之一被設(shè)置成大致與軛部的側(cè)壁正交，所述三個(gè)中央導(dǎo)體的每一個(gè)包括大量的導(dǎo)體，并且設(shè)置成大致與軛部的側(cè)壁正交的中央導(dǎo)體的導(dǎo)體間距被設(shè)置為寬于另外兩個(gè)中央導(dǎo)體的每一個(gè)的導(dǎo)體間距。
3．一種非互易電路器件，包括包括具有頂壁、底壁和與所述頂壁和所述底壁連接的兩個(gè)相對(duì)側(cè)壁的軛部，所述軛部容納永磁體和磁體，其中所述磁體包括設(shè)置成以預(yù)定的角度相互交叉的彼此電絕緣地提供的三個(gè)中央導(dǎo)體，并且三個(gè)導(dǎo)體之一被設(shè)置成大致與軛部的側(cè)壁正交，所述三個(gè)中央導(dǎo)體的每一個(gè)包括大量的導(dǎo)體，并且設(shè)置成大致與軛部的側(cè)壁正交的中央導(dǎo)體的導(dǎo)體寬度和導(dǎo)體間距被設(shè)置為寬于另外兩個(gè)中央導(dǎo)體的每一個(gè)的導(dǎo)體寬度和導(dǎo)體間距。
4．根據(jù)權(quán)利要求1、2或3的非互易電路器件，其中所述三個(gè)中央導(dǎo)體的每一個(gè)包括兩個(gè)導(dǎo)體。
5．根據(jù)權(quán)利要求1、2或3的非互易電路器件，其中把終端電阻器連接于所述三個(gè)中央導(dǎo)體的任何一個(gè)的接口。
6．根據(jù)權(quán)利要求5的非互易電路器件，其中把終端電阻器連接于設(shè)置成大致與軛部的側(cè)壁正交的中央導(dǎo)體的接口。
7．一種通信設(shè)備，包括權(quán)利要求1、2或3所述的非互易電路器件。
全文摘要
提供一種非互易電路器件,其被設(shè)置成與軛部的側(cè)壁正交的中央導(dǎo)體的接口具有改善的反射特性。在這個(gè)非互易電路器件中,設(shè)置成與軛部的側(cè)壁正交的一個(gè)中央導(dǎo)體的導(dǎo)體寬度被做成比另外兩個(gè)中央導(dǎo)體的每一個(gè)的導(dǎo)體寬度寬。
文檔編號(hào)H01P1/383GK1307408SQ01104709
公開日2001年8月8日 申請(qǐng)日期2001年1月19日 優(yōu)先權(quán)日2000年1月19日
發(fā)明者長(zhǎng)谷川隆 申請(qǐng)人:株式會(huì)社村田制作所