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靈敏放大器以及存儲(chǔ)器的制造方法

文檔序號(hào):9752241閱讀:607來源:國(guó)知局
靈敏放大器以及存儲(chǔ)器的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及存儲(chǔ)器電路技術(shù)領(lǐng)域,特別是涉及一種靈敏放大器以及存儲(chǔ)器。
【背景技術(shù)】
[0002]靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(SRAM, Static Random Access Memory)嵌入到幾乎所有的大規(guī)模集成電路中,并且在要求高速、高集成度、低功耗、低電壓、低成本、短周期的應(yīng)用中起到了關(guān)鍵性的作用。SRAM可包括不同數(shù)目的晶體管,并經(jīng)常根據(jù)晶體管的數(shù)目而命名,例如,6晶體管(6-T)SRAM、8晶體管(8_T) SRAM等等。
[0003]SRAM主要包括存儲(chǔ)陣列和外圍輔助電路兩部分。存儲(chǔ)陣列是SRAM的核心組成部分,起著存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的作用;存儲(chǔ)陣列的結(jié)構(gòu)相對(duì)固定,性能一般由集成電路制造工藝水平?jīng)Q定。外圍輔助電路包括靈敏放大器(SA,Sense Amplifier)、譯碼電路、輸入輸出電路、時(shí)序產(chǎn)生電路等等。其中,靈敏放大器是外圍輔助電路的一個(gè)重要組成部分,靈敏放大器性能的優(yōu)劣對(duì)SRAM的速度等性能的提升有重要影響。
[0004]在現(xiàn)有技術(shù)中,靈敏放大器感應(yīng)位線(bit-line)上的小信號(hào)變化并通過放大所述小信號(hào)變化來得到存儲(chǔ)陣列中存儲(chǔ)單元上儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)。然而,采用現(xiàn)有技術(shù)的靈敏放大器,存儲(chǔ)單元很容易受干擾。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明的目的在于,提供一種靈敏放大器以及存儲(chǔ)器,有利于減小存儲(chǔ)單元間的干擾。
[0006]為解決上述技術(shù)問題,本發(fā)明提供一種靈敏放大器,包括:
[0007]控制單元,接收一輸入信號(hào)和一時(shí)鐘信號(hào),在所述時(shí)鐘信號(hào)為高電位時(shí),所述控制單元輸出一與所述輸入信號(hào)相同的控制信號(hào),在所述時(shí)鐘信號(hào)為低電位時(shí),所述控制單元不輸出所述控制信號(hào);
[0008]變換器,將所述控制信號(hào)轉(zhuǎn)換為相反的反相控制信號(hào);
[0009]第一電流鏡單元,所述第一電流鏡單元的輸入端連接一第一參考節(jié)點(diǎn),所述第一電流鏡單元的輸出端連接一第一輸出節(jié)點(diǎn);
[0010]第一分壓?jiǎn)卧?,接收所述控制信?hào),在所述控制信號(hào)為高電位時(shí),拉低所述第一輸出節(jié)點(diǎn)的電壓;
[0011]第二分壓?jiǎn)卧?,接收所述反相控制信?hào),在所述反相控制信號(hào)為低電位時(shí),所述第一參考節(jié)點(diǎn)充電;
[0012]第二電流鏡單元,所述第二電流鏡單元的輸入端連接一第二參考節(jié)點(diǎn),所述第二電流鏡單元的輸出端連接一第二輸出節(jié)點(diǎn);
[0013]第三分壓?jiǎn)卧?,接收所述控制信?hào),在所述控制信號(hào)為高電位時(shí),拉低所述第二輸出節(jié)點(diǎn)的電壓;以及
[0014]第四分壓?jiǎn)卧?,接收所述反相控制信?hào),在所述反相控制信號(hào)為低電位時(shí),所述第二參考節(jié)點(diǎn)充電。
[0015]可選的,所述靈敏放大器還包括:
[0016]第一預(yù)充電單元,接收所述時(shí)鐘信號(hào),在所述時(shí)鐘信號(hào)為低電位時(shí),所述第一預(yù)充電單元對(duì)所述第一輸出節(jié)點(diǎn)充電;
[0017]第二預(yù)充電單元,接收所述時(shí)鐘信號(hào),在所述時(shí)鐘信號(hào)為低電位時(shí),所述第二預(yù)充電單元對(duì)所述第二輸出節(jié)點(diǎn)充電。
[0018]可選的,所述第一預(yù)充電單元包括一第一 PMOS管,所述第一 PMOS管的柵極接收所述時(shí)鐘信號(hào),所述第一 PMOS管的源極接工作電壓,所述第一 PMOS管的漏極連接所述第一輸出節(jié)點(diǎn)。
[0019]可選的,所述第二預(yù)充電單元包括一第二 PMOS管,所述第二 PMOS管的柵極接收所述時(shí)鐘信號(hào),所述第二 PMOS管的源極接工作電壓,所述第二 PMOS管的漏極連接所述第二輸出節(jié)點(diǎn)。
[0020]可選的,所述第一電流源單元包括一第三PMOS管和一第四PMOS管,所述第三PMOS管和第四PMOS管的柵極相連后,連接所述第一參考節(jié)點(diǎn),所述第三PMOS管的源極接工作電壓,所述第三PMOS管的漏極連接所述第一輸出節(jié)點(diǎn),所述第四PMOS管的源極接工作電壓,所述第四PMOS管的漏極連接所述第一參考節(jié)點(diǎn)。
[0021]可選的,所述第二電流源單元包括第五PMOS管和第六PMOS管,所述第五PMOS管和第六PMOS管的柵極相連后,連接所述第二參考節(jié)點(diǎn),所述第五PMOS管的源極接工作電壓,所述第五PMOS管的漏極連接所述第二輸出節(jié)點(diǎn),所述第六PMOS管的源極接工作電壓,所述第六PMOS管的漏極連接所述第二參考節(jié)點(diǎn)。
[0022]可選的,所述第一分壓?jiǎn)卧ㄒ坏谝?NMOS管,所述第一 NMOS管的柵極接收所述控制信號(hào),所述第一 NMOS管的源極接地,所述第一 NMOS管的漏極連接所述第一輸出節(jié)點(diǎn)。
[0023]可選的,所述第二分壓?jiǎn)卧ㄒ坏诙?NMOS管,所述第二 NMOS管的柵極接收所述反相控制信號(hào),所述第二 NMOS管的源極接地,所述第二 NMOS管的漏極連接所述第一參考節(jié)點(diǎn)。
[0024]可選的,所述第三分壓?jiǎn)卧ㄒ坏谌齆MOS管,所述第三NMOS管的柵極接收所述控制信號(hào),所述第三NMOS管的源極接地,所述第三NMOS管的漏極連接所述第二輸出節(jié)點(diǎn)。
[0025]可選的,所述第四分壓?jiǎn)卧ㄒ坏谒腘MOS管,所述第四NMOS管的柵極接收所述反相控制信號(hào),所述第四NMOS管的源極接地,所述第四NMOS管的漏極連接所述第二參考節(jié)點(diǎn)。
[0026]可選的,所述控制單元包括一第五NMOS管,所述第五NMOS管的柵極接收所述時(shí)鐘信號(hào),所述第五NMOS管的源極接收所述輸入信號(hào),所述第五NMOS管的漏極輸出所述控制信號(hào)。
[0027]可選的,所述變換器包括一第七PMOS管和一第六NMOS管,所述第七PMOS管的柵極和所述第六NMOS管的柵極連接,作為所述變換器的輸入端,接收所述控制信號(hào),所述第七PMOS管的源極接工作電壓,所述第六NMOS管的源極接地,所述第七PMOS管的漏極和所述第六NMOS管的漏極連接,作為所述變換器的輸出端,輸出所述反相控制信號(hào)。
[0028]可選的,所述輸入信號(hào)為讀取信號(hào)或位線信號(hào)。
[0029]根據(jù)本發(fā)明的另一面,還提供一種包含如上任意一項(xiàng)所述的靈敏放大器的存儲(chǔ)器。
[0030]與現(xiàn)有技術(shù)相比,本發(fā)明提供的靈敏放大器以及存儲(chǔ)器具有以下優(yōu)點(diǎn):
[0031]在本發(fā)明提供的靈敏放大器中,控制單元接收一輸入信號(hào)和一時(shí)鐘信號(hào),在所述時(shí)鐘信號(hào)為高電位時(shí),所述控制單元輸出一與所述輸入信號(hào)相同的控制信號(hào),在所述時(shí)鐘信號(hào)為低電位時(shí),所述控制單元不輸出所述控制信號(hào)所述第一分壓?jiǎn)卧?、第二分壓?jiǎn)卧?、第三分壓?jiǎn)卧?、第四分壓?jiǎn)卧还ぷ鳎瑥亩苊獯鎯?chǔ)單元之間的干擾。
【附圖說明】
[0032]圖1為本發(fā)明一實(shí)施例中靈敏放大器的電路圖。
【具體實(shí)施方式】
[0033]為了清楚,不描述實(shí)際實(shí)施例的全部特征。在下列描述中,不詳細(xì)描述公知的功能和結(jié)構(gòu),因?yàn)樗鼈儠?huì)使本發(fā)明由于不必要的細(xì)節(jié)而混亂。應(yīng)當(dāng)認(rèn)為在任何實(shí)際實(shí)施例的開發(fā)中,必須做出大量實(shí)施細(xì)節(jié)以實(shí)現(xiàn)開發(fā)者的特定目標(biāo),例如按照有關(guān)系統(tǒng)或有關(guān)商業(yè)的限制,由一個(gè)實(shí)施例改變?yōu)榱硪粋€(gè)實(shí)施例。另外,應(yīng)當(dāng)認(rèn)為這種開發(fā)工作可能是復(fù)雜和耗費(fèi)時(shí)間的,但是對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員來說僅僅是常規(guī)工作。
[0034]在下列段落中參照附圖以舉例方式更具體地描述本發(fā)明。根據(jù)下面說明和權(quán)利要求書,本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)和特征將更清楚。需說明的是,附圖均采用非常簡(jiǎn)化的形式且均使用非精準(zhǔn)的比例,僅用以方便、明晰地輔助說明本發(fā)明實(shí)施例的目的。
[0035]請(qǐng)參考圖1,圖1為本發(fā)明一實(shí)施例中靈敏放大器的電路圖。如圖1所示,所述靈敏放大器I包括控制單元101、變換器102,第一電流鏡單元103、第一分壓?jiǎn)卧?04、第二分壓?jiǎn)卧?05、第二電流鏡單元106、第三分壓?jiǎn)卧?07以及第四分壓?jiǎn)卧?08。
[0036]所述控制單兀101接收一輸入信號(hào)Vin和一時(shí)鐘信號(hào)CLK,其中,所述輸入信號(hào)Vin表征存儲(chǔ)單元的地
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