具有用于存儲配置信息的保留扇區(qū)的存儲器單元陣列的制作方法
【專利說明】具有用于存儲配置信息的保留扇區(qū)的存儲器單元陣列
[0001]背景
[0002]領(lǐng)域
[0003]各種特征涉及存儲器設(shè)備，尤其涉及存儲器單元陣列，其具有用于存儲該存儲器單元陣列的配置信息(包括故障地址信息)的保留扇區(qū)。
【背景技術(shù)】
[0004]圖1解說了存儲器設(shè)備的典型單元陣列。在一個示例中，該存儲器設(shè)備可以是包括一個或多個單元陣列的非易失性存儲器設(shè)備。單元陣列102可包括可從單個解碼器103或諸分別的解碼器訪問的第一單元陣列1la和/或第二單元陣列101b。單元陣列102可包括一個或多個字線(WL) 104以及與字線104交叉/相交的一個或多個位線105，以及被置于字線104與位線105之間的交叉處并能夠存儲多個位(例如，每位單元一位)的電可重寫且非易失性存儲器單元107。解碼器103可起到解碼輸入地址并選擇相應(yīng)的恰適字線和位線(例如，列和行)的作用。即，字線和位線組合的選擇允許在特定地址處存儲位。單元陣列102還可包括冗余系統(tǒng)以通過使用經(jīng)由字線冗余模塊106訪問的一個或多個冗余字線(RWL) 108來“修復(fù)”故障字線。一旦檢測到故障字線109，與該故障字線109相對應(yīng)的(諸)地址就被映射、指派和/或重定向到冗余字線108。該冗余系統(tǒng)還可包括內(nèi)部或外部熔絲塊110 (例如，一次性可編程或非易失性存儲)，其存儲單元陣列102的故障地址信息以及異(EX)或模塊112。EXOR模塊112可將輸入地址116與熔絲塊110中的(諸)故障地址進行比較。一旦發(fā)生對單元陣列102的讀/寫操作，輸入地址116就被提供給EXOR模塊112。如果在熔絲塊110中找到輸入地址116，則寫/讀操作被路由至單元陣列102中的冗余字線(RWL) 108。
[0005]圖2解說了該存儲器設(shè)備的典型單元陣列102還可以出于其它目的而使用熔絲塊202a,202b和202c。對于正當(dāng)?shù)拇鎯ζ髟O(shè)備操作而言，需要某些信息，諸如芯片標(biāo)識符、定時修整、和/或電壓修整。此種信息經(jīng)常被存儲在存儲器設(shè)備的內(nèi)部和/或外部的熔絲塊中。除了故障地址信息(例如，行/列和/或1修復(fù))外，附加熔絲塊202a,202b,202c還可起到存儲以下各項的作用:(a)芯片標(biāo)識符(ID)信息、(b)定時和/或電壓/電流選項、和/或(C)其它功能選項。
[0006]存儲器設(shè)備的內(nèi)部或外部熔絲塊的使用具有若干問題。例如，內(nèi)部熔絲塊(例如，與單元陣列在相同的半導(dǎo)體管芯上)增加了芯片尺寸，因為熔絲塊相對較大。使用外部熔絲塊(例如，在相同的基板或封裝上)來存儲故障地址信息要求從外部熔絲塊到單元陣列的信號總線。
[0007]因此，存在對將熔絲塊用于存儲器設(shè)備中的單元陣列的替換方案的需要。
[0008]概述
[0009]根據(jù)第一特征，提供了一種存儲器設(shè)備，包括:單元陣列和耦合至該單元陣列的易失性存儲器存儲。單元陣列可包括:(a)多個字線，(b)多個位線，其中字線和位線的選擇定義存儲器單元地址，(C)非易失性保留字線，用于存儲該單元陣列的配置信息，和/或(d)冗余字線，其被映射以替代該多個字線中的故障字線。易失性存儲設(shè)備(例如，一個或多個易失性觸發(fā)器)可以是來自非易失性保留字線的在該存儲器設(shè)備的上電或初始化之際被復(fù)制到易失性存儲設(shè)備的配置信息。在一些實現(xiàn)中，該易失性存儲設(shè)備可被集成為該單元陣列的一部分(例如，在相同的半導(dǎo)體管芯或封裝內(nèi))。
[0010]在一個示例中，該非易失性保留字線可以存儲與以下至少一者有關(guān)的信息:(a)來自該多個字線的故障字線地址，(b)來自該多個字線和位線的故障存儲器單元地址，和/或(c)來自該多個字線中的故障字線與該單元陣列內(nèi)的冗余字線之間的映射或重定向。
[0011]在一個示例中，該單元陣列的配置信息可包括以下至少一者:(a)該單元陣列的芯片標(biāo)識符，(b)該單元陣列的定時修整信息，和/或(c)該單元陣列的電壓修整信息。
[0012]在一種實現(xiàn)中，該非易失性保留字線可以是該單元陣列內(nèi)可從該多個字線分開訪問的保留扇區(qū)的一部分。該非易失性保留字線可以提供:(a)只讀非易失性存儲和/或(b)一次性可編程存儲。該單元陣列可以是非易失性存儲設(shè)備(例如，該多個字線是非易失性存儲)。
[0013]該存儲器設(shè)備還可以包括耦合至該單元陣列的控制電路，并且其被配置成:(a)在上電事件或傳遞命令之際從該非易失性保留字線讀取配置信息，(b)將該配置信息存儲到該易失性存儲設(shè)備中，和/或(C)使用該配置信息來配置對該單元陣列的訪問。
[0014]第二特征提供了一種用于在存儲器單元陣列的保留扇區(qū)內(nèi)存儲該存儲器單元陣列的配置信息的方法。一種單元陣列可被形成為包括:(a)多個字線，(b)多個位線，其中字線和位線的選擇定義存儲器單元地址，和/或(C)非易失性保留字線。該非易失性保留字線可以是該單元陣列內(nèi)可從該多個字線分開訪問的保留扇區(qū)的一部分。該單元陣列的配置信息可被存儲(例如，在該存儲器單元陣列的制造期間或測試之際)在該非易失性保留字線中。該單元陣列的配置信息可包括以下至少一者:(a)該單元陣列的芯片標(biāo)識符，(b)該單元陣列的定時修整信息，和/或(C)該單元陣列的電壓修整信息。
[0015]還可以形成易失性存儲設(shè)備并將其耦合至該單元陣列。來自該非易失性保留字線的配置信息可在該存儲器設(shè)備的上電或初始化之際被復(fù)制到該易失性存儲設(shè)備。該多個字線可在制造階段期間被測試以查明這些字線內(nèi)的一個或多個故障地址。結(jié)果，故障地址可被存儲為該非易失性保留字線中的配置信息的一部分。
[0016]冗余字線也可被形成為該單元陣列的一部分，其中該冗余字線被映射以替代來自該多個字線的故障字線。該非易失性保留字線可以存儲與以下至少一者有關(guān)的信息:(a)來自該多個字線的故障字線地址，(b)來自該多個字線和位線的故障存儲器單元地址，和/或(C)來自該多個字線的故障字線與該單元陣列內(nèi)的冗余字線之間的映射或重定向。
[0017]另一特征提供了一種存儲器設(shè)備，其包括單元陣列、易失性存儲器存儲、和控制電路。該單元陣列可包括:(a)多個字線，(b)多個位線，其中字線和位線的選擇定義存儲器單元地址，和/或(C)包含該單元陣列的配置信息的非易失性保留字線。該易失性存儲設(shè)備可被耦合至該單元陣列。該控制電路可被耦合至該單元陣列，并且可被配置成:(a)在上電事件或傳遞命令之際從該非易失性保留字線讀取配置信息，(b)將該配置信息存儲到該易失性存儲設(shè)備中，和/或(C)使用該配置信息來配置對該單元陣列的訪問。
[0018]該單元陣列可進一步包括被映射以替代來自該多個字線的故障字線的冗余字線。該非易失性保留字線可以存儲與以下至少一者有關(guān)的信息:(a)來自該多個字線的故障字線地址，(b)來自該多個字線和位線的故障存儲器單元地址，和/或(C)來自該多個字線中的故障字線與該單元陣列內(nèi)的冗余字線之間的映射或重定向。在一種實現(xiàn)中，該單元陣列可以是非易失性存儲設(shè)備，例如，非易失性保留字線可以提供只讀非易失性存儲或一次性可編程存儲。
[0019]又一特征提供了一種用于使用存儲器單元陣列的保留扇區(qū)內(nèi)的該存儲器單元陣列的配置信息的方法。配置信息可在上電事件或傳遞命令之際從該存儲器單元陣列內(nèi)的非易失性保留字線讀取。該配置信息可被存儲在易失性存儲設(shè)備中。該配置信息可隨后被用于配置對該存儲器單元陣列的訪問。該非易失性保留字線可以存儲與以下至少一者有關(guān)的信息:(a)來自該多個字線的故障字線地址，(b)來自該多個字線和位線的故障存儲器單元地址，和/或(C)來自該多個字線的故障字線與該單元陣列內(nèi)的冗余字線之間的映射或重定向。
[0020]使用配置信息來配置對該存儲器單元陣列的訪問可包括:(a)接收用于在該單元陣列上進行讀或?qū)懖僮鞯妮斎氲刂罚?b)確定該輸入地址是否對應(yīng)于故障字線或故障存儲器單元，和/或(C)如果該輸入地址對應(yīng)于故障字線或故障存儲器單元，則將此讀或?qū)懖僮髦囟ㄏ蛑猎摯鎯ζ鲉卧嚵袃?nèi)的冗余字線。在一個示例中，該單元陣列的配置信息可包括以下至少一者:(a)該單元陣列的芯片標(biāo)識符，(b)該單元陣列的定時修整信息，和/或(C)該單元陣列的電壓修整信息。
[0021]附圖
[0022]在結(jié)合附圖理解下面闡述的詳細(xì)描述時，各種特征、本質(zhì)和優(yōu)點會變得明顯，在附圖中，相像的附圖標(biāo)記貫穿始終作相應(yīng)標(biāo)識。
[0023]圖1解說了存儲器設(shè)備的典型單元陣列。
[0024]圖2解說了存儲器設(shè)備的典型單元陣列還可以出于其它目的而使用熔絲塊。
[0025]圖3解說了具有一個或多個單元陣列的存儲器設(shè)備，該一個或多個單元陣列包括具有一個或多個保留和/或?qū)Ｓ米志€的保留扇區(qū)。
[0026]圖4解說了將信息存儲到保留扇區(qū)中。
[0027]圖5解說了將來自單元陣列中的專用扇區(qū)的信息傳遞到易失性存儲設(shè)備中的過程。
[0028]圖6解說了使用被復(fù)制到易失性存儲設(shè)備中的信息的正常讀/寫操作。
[0029]圖7是解說包括被配置有非易失性存儲的保留扇區(qū)的多個存儲器單元陣列的半導(dǎo)體存儲器設(shè)備的一個示例的框圖。
[0030]圖8解說了一種制造存儲器設(shè)備的方法，該存儲器設(shè)備包括包含用于存儲該存儲器單元陣列的配置信息的非易失性存儲的保留扇區(qū)的多個存儲