存儲(chǔ)器測(cè)試方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及存儲(chǔ)器領(lǐng)域，尤其是一種存儲(chǔ)器測(cè)試方法。
【背景技術(shù)】
[0002]存儲(chǔ)器是各種通信電子的主要存儲(chǔ)部件，并廣泛用于其它電子設(shè)備中。對(duì)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的基本要求是高精度，大容量，低功耗、數(shù)據(jù)保存時(shí)間長，可以在無須附加電壓的條件下實(shí)現(xiàn)逐字的擦和寫。具有擦寫方便、迅速的特點(diǎn)，因此得到了廣泛的應(yīng)用。
[0003]擦寫性能(endurance)是存儲(chǔ)器可靠性性能的重要指標(biāo)之一。現(xiàn)有的存儲(chǔ)器擦寫性能的測(cè)試方法，是將測(cè)試對(duì)象(芯片chip或模塊block)進(jìn)行不斷地擦寫動(dòng)作，直到擦寫到客戶要求規(guī)格的兩倍次數(shù)或者一直擦寫到失效，這樣做雖然能準(zhǔn)確反映產(chǎn)品的擦寫性能，但是該方法最大的問題是耗時(shí)太長。如某存儲(chǔ)器產(chǎn)品要求擦寫性能保證1000K，假設(shè)每次擦寫需要5ms，那在完整的測(cè)試擦寫性能時(shí)，需要耗時(shí)5msX 1000K = 5000s，還不包括通信時(shí)間，編程時(shí)間、讀取時(shí)間等，使得測(cè)試效率低下，影響產(chǎn)能。
[0004]現(xiàn)有技術(shù)中還可以通過縮緊測(cè)試規(guī)格來縮短測(cè)試時(shí)間，一般是通過設(shè)立一個(gè)較嚴(yán)的規(guī)格，使其大于實(shí)際使用規(guī)格來進(jìn)行存儲(chǔ)器擦寫性能的測(cè)試，但是效果并不太好。因?yàn)榇鎯?chǔ)器性能測(cè)試不僅與設(shè)計(jì)有關(guān)系，還跟工藝制造有很大關(guān)系，如果采用縮緊測(cè)試方法，在工藝變化時(shí)，不能正確判斷問題所在，也就是說，當(dāng)所述存儲(chǔ)器擦寫性能測(cè)試失敗時(shí)，不能確定是所述存儲(chǔ)器的設(shè)計(jì)問題還是工藝制造問題，而且有可能得出相反的結(jié)論，這就說明單憑縮緊測(cè)試規(guī)格雖然能節(jié)約測(cè)試時(shí)間，但是不能得到準(zhǔn)確的擦寫性能評(píng)價(jià)。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明的目的在于提供一種存儲(chǔ)器測(cè)試方法，以解決存儲(chǔ)器測(cè)試中耗時(shí)長、效率低以及工藝發(fā)生變化時(shí)無法確定測(cè)試失敗原因的問題。
[0006]為了達(dá)到上述目的，本發(fā)明提供了一種存儲(chǔ)器測(cè)試方法，包括以下步驟:
[0007]測(cè)量被測(cè)存儲(chǔ)器存儲(chǔ)單元的扇區(qū)擦除時(shí)間，以找到最小擦除時(shí)間；
[0008]使用所述最小擦除時(shí)間對(duì)所述被測(cè)存儲(chǔ)器進(jìn)行擦寫性能的測(cè)試，且在測(cè)試過程中分階段測(cè)試所述被測(cè)存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)數(shù)據(jù)電流。
[0009]優(yōu)選的，在上述的存儲(chǔ)器測(cè)試方法中，采用二分法來測(cè)量所述被測(cè)存儲(chǔ)器存儲(chǔ)單元的扇區(qū)擦除時(shí)間，以找到所述最小擦除時(shí)間。
[0010]優(yōu)選的，在上述的存儲(chǔ)器測(cè)試方法中，所述二分法測(cè)量被測(cè)存儲(chǔ)器存儲(chǔ)單元的扇區(qū)擦除時(shí)間包括以下步驟:
[0011]Sll:設(shè)定一第一邊界值和一第二邊界值；
[0012]S12:以一第一擦除時(shí)間進(jìn)行擦除測(cè)試，所述第一擦除時(shí)間為一第一區(qū)間的中間值，所述第一區(qū)間的左邊界值為所述第一邊界值，所述第一區(qū)間的右邊界值為第二邊界值；
[0013]S13:若所述步驟S12擦除測(cè)試成功，則將所述第一區(qū)間的右邊界值修改為所述步驟S12中的擦除時(shí)間，然后重復(fù)所述步驟S12和步驟S13，直到找到最小的擦除時(shí)間；若所述步驟S12擦除測(cè)試失敗，則將所述第一區(qū)間的左邊界值修改為所述步驟S12中的擦除時(shí)間，然后重復(fù)所述步驟S12和步驟S13，直到找到最小的擦除時(shí)間。
[0014]優(yōu)選的，在上述的存儲(chǔ)器測(cè)試方法中，所述第一邊界值為零，所述第二邊界值為所述被測(cè)存儲(chǔ)器的擦寫時(shí)間。
[0015]優(yōu)選的，在上述的存儲(chǔ)器測(cè)試方法中，對(duì)所述被測(cè)存儲(chǔ)器進(jìn)行擦寫性能的測(cè)試，且在測(cè)試過程中分階段測(cè)試所述被測(cè)存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)數(shù)據(jù)電流包括以下步驟:
[0016]S21:對(duì)所述被測(cè)存儲(chǔ)器進(jìn)行擦除操作；
[0017]S22:對(duì)所述被測(cè)存儲(chǔ)器進(jìn)行編程操作；
[0018]S23:對(duì)所述被測(cè)存儲(chǔ)器進(jìn)行讀操作；
[0019]S24:重復(fù)所述步驟S21、所述步驟S22以及所述步驟S23，并且在重復(fù)的過程中，分階段測(cè)試所述被測(cè)存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)數(shù)據(jù)電流，直到達(dá)到所述被測(cè)存儲(chǔ)器的規(guī)定擦寫次數(shù)，或者所述存儲(chǔ)數(shù)據(jù)電流異常。
[0020]優(yōu)選的，在上述的存儲(chǔ)器測(cè)試方法中，分階段測(cè)試所述被測(cè)存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)數(shù)據(jù)電流具體為:分階段測(cè)試所述被測(cè)存儲(chǔ)器的讀操作電流。
[0021]優(yōu)選的，在上述的存儲(chǔ)器測(cè)試方法中，分階段測(cè)試所述被測(cè)存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)數(shù)據(jù)電流為:在所述被測(cè)存儲(chǔ)器的規(guī)定擦寫次數(shù)內(nèi)，多次測(cè)試所述被測(cè)存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)數(shù)據(jù)電流。
[0022]優(yōu)選的，在上述的存儲(chǔ)器測(cè)試方法中，所述編程操作為向所述被測(cè)存儲(chǔ)器中寫入數(shù)據(jù)。
[0023]優(yōu)選的，在上述的存儲(chǔ)器測(cè)試方法中，所述讀操作為從所述被測(cè)存儲(chǔ)器中讀出數(shù)據(jù)，若讀出數(shù)據(jù)與寫入數(shù)據(jù)相同，則所述被測(cè)存儲(chǔ)器工作正常。
[0024]優(yōu)選的，在上述的存儲(chǔ)器測(cè)試方法中，所述寫入數(shù)據(jù)包括:00、01、10、11。
[0025]在本發(fā)明提供的存儲(chǔ)器測(cè)試方法中，先測(cè)量被測(cè)存儲(chǔ)器存儲(chǔ)單元的扇區(qū)擦除時(shí)間，以找到最小擦除時(shí)間，在對(duì)所述被測(cè)存儲(chǔ)器進(jìn)行擦寫性能的測(cè)試過程中，用所述最小擦除時(shí)間進(jìn)行擦除，并且分階段測(cè)試所述被測(cè)存儲(chǔ)器存儲(chǔ)單元的存儲(chǔ)數(shù)據(jù)電流，形成所述存儲(chǔ)單元的電流分布圖，當(dāng)所述被測(cè)存儲(chǔ)器存儲(chǔ)單元的存儲(chǔ)數(shù)據(jù)電流異常時(shí)，則測(cè)試失敗，立即停止測(cè)試，技術(shù)人員可以通過所述電流分布圖分析出測(cè)試失敗的原因，從而可以在保障所述被測(cè)存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)單元擦寫性能準(zhǔn)確性的同時(shí)，縮短擦寫性能測(cè)試的時(shí)間，確定測(cè)試失敗的原因，提高測(cè)試效率，進(jìn)而提高產(chǎn)能。
【附圖說明】
[0026]圖1為本發(fā)明實(shí)施例中存儲(chǔ)器測(cè)試方法的流程圖；
[0027]圖2為圖1中SI的流程圖；
[0028]圖3為圖1中S2的流程圖。
【具體實(shí)施方式】
[0029]下面將結(jié)合示意圖對(duì)本發(fā)明的【具體實(shí)施方式】進(jìn)行更詳細(xì)的描述。根據(jù)下列描述和權(quán)利要求書，本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)和特征將更清楚。需說明的是，附圖均采用非常簡(jiǎn)化的形式且均使用非精準(zhǔn)的比例，僅用以方便、明晰地輔助說明本發(fā)明實(shí)施例的目的。
[0030]如圖1所示，本發(fā)明提供了一種存儲(chǔ)器測(cè)試方法，包括以下步驟:
[0031]S1:測(cè)量被測(cè)存儲(chǔ)器存儲(chǔ)單元的扇區(qū)擦除時(shí)間，以找到所述最小擦除時(shí)間。較佳的，采用二分法來測(cè)量所述被測(cè)存儲(chǔ)器存儲(chǔ)單元的扇區(qū)擦除時(shí)間，可以快速準(zhǔn)確地找到所述最小擦除時(shí)間。
[0032]具體的，如圖2所示，包括以下步驟:
[0033]Sll:設(shè)定一第一邊界值和一第二邊界值。
[0034]在本實(shí)施例中所述第一邊界值為零，所述第二邊界值為所述被測(cè)存儲(chǔ)器的擦寫時(shí)間。所述擦寫時(shí)間包括所述被測(cè)存儲(chǔ)器存儲(chǔ)單元的扇區(qū)擦除時(shí)間和擦寫性能測(cè)試時(shí)間。
[0035]S12:以一第一擦除時(shí)間進(jìn)行擦除測(cè)試，所述第一擦除時(shí)間為一第一區(qū)間的中間值，所述第一區(qū)間的左邊界值為所述第一邊界值，所述第一區(qū)間的右邊界值為所述第二邊界值。
[0036]具體的，所述第一擦除時(shí)間=(所述第一邊界值+所述第二邊界值)/2 = (0+擦寫時(shí)間)/2 =擦寫時(shí)間/2。也就是說，所述第一擦除時(shí)間將所述被測(cè)存儲(chǔ)器的擦除測(cè)試時(shí)間平均分為兩個(gè)區(qū)間:(0，擦寫時(shí)間/2]和(擦寫時(shí)間/2，擦寫時(shí)間]，如果所述第一擦除時(shí)間擦除測(cè)試通過，就在(0，擦寫時(shí)間/2]范圍內(nèi)繼續(xù)測(cè)試，如果所述第一擦除時(shí)間擦除測(cè)試失敗，就在(擦寫時(shí)間/2，擦寫時(shí)間]范圍內(nèi)繼續(xù)測(cè)試，減小了所述被測(cè)存儲(chǔ)器存儲(chǔ)單元的擦除時(shí)間的范圍，加快了所述被測(cè)存儲(chǔ)器存儲(chǔ)單元的擦除時(shí)間確定的速度，提高了測(cè)試效率，在量產(chǎn)時(shí)，提高了產(chǎn)能。
[0037]S13:若所述步驟S12擦除測(cè)試成功，則將所述第一區(qū)間的右邊界值修改為所述步驟S12中的擦除時(shí)間，然后重復(fù)所述步驟S12和步驟S13，直到找到最小的擦除時(shí)間；若所述步驟S12擦除測(cè)試失敗，則將所述第一區(qū)間的左邊界值修改為所述步驟S12中的擦除時(shí)間，然后重復(fù)所述步驟S12和步驟S13，直到找到最小的擦除時(shí)間。
[0038]具體的，若所述步驟S12擦除測(cè)試成功，即以所述第一擦除時(shí)間擦除測(cè)試成功，則所述第一區(qū)間被修正為(0，擦寫時(shí)間/2]，然后重復(fù)所述步驟S12，此時(shí)，所述第一擦除時(shí)間=(0+擦寫時(shí)間/2)/2=擦寫時(shí)間/4，再進(jìn)行所述步驟S13。若本次擦除測(cè)試也通過，則所述第一區(qū)間被修正為(0，擦寫時(shí)間/4];若本次擦除測(cè)試失敗，則所述第一區(qū)間