最小以及最大脈沖數(shù)量允許這樣的調(diào)整。因此，在一些實(shí)施例中，“在該磁區(qū)中所施加的該脈沖數(shù)量被存儲下來”意指該最小以及最大脈沖數(shù)量(對于在該磁區(qū)中所有的位元)被存儲下來。在其他的實(shí)施例中這可能以別的方法完成。
[0056]現(xiàn)代的半導(dǎo)體裝置通常生產(chǎn)為在半導(dǎo)體材料的襯底的表面上制造的集成電路。該制程由長成一晶圓開始，這通常使用柴可斯基法(Czochralski process)來完成。各種裝置使用一系列的步驟形成在該晶圓上，一系列的步驟包括沉積、移除制程(例如蝕刻)、圖案化以及摻雜。一些步驟或是數(shù)百種這樣的步驟可使用在各種設(shè)計中。該圖案化步驟可由光刻法(photolithography)或是其他平版印刷(lithographic)方法執(zhí)行。舉例來說，該晶圓可以光阻劑來涂布，此曝露出的裝置曝露在通過光遮罩的光線下，該晶圓的曝露部分并未由該光遮罩遮擋光線。曝露部分被移除使得光阻劑僅保留未暴露在光線下的區(qū)域。這允許一個層根據(jù)在該光遮罩上的該圖案被蝕刻。在該裝置形成在該晶圓上之后，執(zhí)行各種后端制程以及封裝，包括適當(dāng)?shù)幕ミB該裝置以及引進(jìn)金屬線至該晶片邊緣用以附加為導(dǎo)線。
[0057]設(shè)計者根據(jù)該制造者所提供的一組設(shè)計規(guī)則產(chǎn)生該裝置設(shè)計，并且基于該設(shè)計產(chǎn)生一系列的設(shè)計檔案。各種設(shè)計工具可由該設(shè)計者使用在產(chǎn)生設(shè)計、模擬該設(shè)計以及檢查該設(shè)計對于布局規(guī)則的違反當(dāng)中。當(dāng)完成時，該設(shè)計檔案被提供至該制造者，其用以產(chǎn)生光遮罩以使用在制造該裝置中。該設(shè)計檔案可用各種不同的方式溝通，包括在網(wǎng)路上。
[0058]圖4的記憶體裝置400的實(shí)施例可合并進(jìn)各種組件及/或系統(tǒng)中的任何一種，包括舉例來說，處理器以及其他組件或這類組件的系統(tǒng)。圖5顯示系統(tǒng)590的一個實(shí)施例，其中可合并記憶體520，其為圖4的記憶體裝置400的一實(shí)施例。記憶體520可直接地或間接地連接至處理器592、輸入裝置593及/或輸出裝置594中的任何一個。于一實(shí)施例中，記憶體520可配置為可從系統(tǒng)590移除。于另一實(shí)施例中，記憶體520可永久性的連接至該組件或者是系統(tǒng)590的該組件的一部分。
[0059]在許多實(shí)施例中，系統(tǒng)590的記憶體520、處理器592、輸入裝置593及/或輸出裝置594配置成與更大系統(tǒng)的一部分功能結(jié)合。舉例來說，系統(tǒng)590可合并進(jìn)手機(jī)、手持裝置、筆記型計算機(jī)、個人計算機(jī)及/或伺服器裝置。額外或可替換的，系統(tǒng)590可執(zhí)行任何各種程序、控制器及/或數(shù)據(jù)存儲功能，例如相關(guān)聯(lián)于感測、成像或其他功能。因此，系統(tǒng)590可合并進(jìn)任何廣泛種類的運(yùn)用這類功能的裝置(例如數(shù)字?jǐn)z影機(jī)、MP3播放器、GPS部件等等)O
[0060]上文的說明書，范例以及數(shù)據(jù)提供了本發(fā)明的制成品的描述以及組成的使用。即使本發(fā)明的多種實(shí)施例在不悖離本發(fā)明的精神與范圍下可達(dá)成，但本發(fā)明也保留至所附的權(quán)利要求書內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種記憶體裝置，包括: 記憶體單元區(qū)，包括多個磁區(qū)，其中，該多個磁區(qū)中的每一個磁區(qū)包括多個記憶體單元; 記憶體控制器，配置以借由控制動作來控制程序運(yùn)算以及對該記憶體單元抹除運(yùn)算，包括: 執(zhí)行在該多個磁區(qū)的第一個磁區(qū)上的抹除運(yùn)算，其中，在該第一磁區(qū)上執(zhí)行該抹除運(yùn)算包括: 編程在該第一磁區(qū)中的每一個記憶體單元，其中，編程在該第一磁區(qū)中的每一個單元包括: 對于在未編程的該第一磁區(qū)中的每一個記憶體單元，施加至少一個編程脈沖于一程序電壓，直到程序驗(yàn)證通過；以及 存儲直到該程序驗(yàn)證通過所施加的編程脈沖的數(shù)量；以及基于直到該程序驗(yàn)證通過所施加的該編程脈沖的數(shù)量，調(diào)整該程序電壓；以及 對于在該第一磁區(qū)中的至少一個位元執(zhí)行程序運(yùn)算，其中，該程序運(yùn)算包括施加至少一個編程脈沖至該至少一個位元于該調(diào)整過的程序電壓。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的記憶體裝置，其中: 該記憶體控制器配置以基于直到該程序驗(yàn)證通過所施加的該編程脈沖的數(shù)量，調(diào)整該程序電壓，以便若該程序電壓的數(shù)量小于一預(yù)定的編程脈沖的目標(biāo)數(shù)量時減少該程序電壓。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的記憶體裝置，其中: 該記憶體控制器配置以基于直到該程序驗(yàn)證通過所施加的該編程脈沖的數(shù)量，調(diào)整該程序電壓，以便若該程序電壓的數(shù)量大于一預(yù)定的編程脈沖的目標(biāo)數(shù)量時增加該程序電壓。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的記憶體裝置，其中: 該記憶體控制器配置以基于直到該程序驗(yàn)證通過所施加的該編程脈沖的數(shù)量，調(diào)整該程序電壓，以便:若該程序電壓的數(shù)量小于一預(yù)定的編程脈沖的目標(biāo)數(shù)量時減少該程序電壓、若該程序電壓的數(shù)量大于該預(yù)定的編程脈沖的目標(biāo)數(shù)量時增加該程序電壓、以及若該程序電壓的數(shù)量等于該預(yù)定的編程脈沖的目標(biāo)數(shù)量時不改變該程序電壓。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的記憶體裝置，其中: 該程序電壓為施加至被編程的記憶體單元的字線電壓或施加至被編程的記憶體單元的位元線電壓的其中一個。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的記憶體裝置，其中: 在該記憶體單元區(qū)中的每一個記憶體單元為快閃記憶體單元。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的記憶體裝置，其中: 該記憶體控制器還配置以監(jiān)控該程序電壓中隨時間的改變，并在該程序電壓從初始值減少之后，當(dāng)該程序電壓返回至接近該程序電壓的該初始數(shù)值的數(shù)值時，提供使用期間終止的警告指示。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的記憶體裝置，其中: 在該記憶體單元區(qū)的每一個磁區(qū)中的每一個記憶體單元包括用于存儲至少一位元的工具，或其中，該記憶體控制器包括用于在該記憶體單元區(qū)上執(zhí)行編程及抹除運(yùn)算的工具。
9.一種方法，包括: 執(zhí)行在記憶體裝置的記憶體單元區(qū)的多個磁區(qū)的第一個磁區(qū)上的抹除運(yùn)算，其中，該多個磁區(qū)的每一個磁區(qū)包括多個記憶體單元，以及其中，在該第一磁區(qū)執(zhí)行該抹除運(yùn)算包括: 編程在該第一磁區(qū)中的每一個記憶體單元，其中，編程在該第一磁區(qū)中的每一個單元包括: 對于在未編程的該第一磁區(qū)中的每一個記憶體單元，施加至少一個編程脈沖于一程序電壓，直到程序驗(yàn)證通過； 存儲直到該程序驗(yàn)證通過所施加的編程脈沖的數(shù)量；以及基于直到該程序驗(yàn)證通過所施加的該編程脈沖的數(shù)量，調(diào)整該程序電壓；以及 對于在該第一磁區(qū)中的至少一個位元執(zhí)行程序運(yùn)算，其中，該程序運(yùn)算包括施加至少一個編程脈沖至該至少一個位元于該調(diào)整過的程序電壓。
10.—種制成品，包括具有處理器可執(zhí)行碼編碼在其中的處理器可讀媒體，其中，當(dāng)由一個或多個處理器執(zhí)行時，致能動作，包括: 執(zhí)行在記憶體裝置的記憶體單元區(qū)的多個磁區(qū)的第一個磁區(qū)上的抹除運(yùn)算，其中，該多個磁區(qū)的每一個磁區(qū)包括多個記憶體單元，以及其中，在該第一磁區(qū)執(zhí)行該抹除運(yùn)算包括: 編程在該第一磁區(qū)中的每一個記憶體單元，其中，編程在該第一磁區(qū)中的每一個單元包括: 對于在未編程的該第一磁區(qū)中的每一個記憶體單元，施加至少一個編程脈沖于一程序電壓，直到程序驗(yàn)證通過； 存儲直到該程序驗(yàn)證通過所施加的編程脈沖的數(shù)量；以及 基于直到該程序驗(yàn)證通過所施加的該編程脈沖的數(shù)量，調(diào)整該程序電壓；以及 對于在該第一磁區(qū)中的至少一個位元執(zhí)行程序運(yùn)算，其中，該程序運(yùn)算包括施加至少一個編程脈沖至該至少一個位元于該調(diào)整過的程序電壓。
【專利摘要】提供一種記憶體裝置的方法、設(shè)備以及制成品。記憶體裝置包括包含磁區(qū)(sectors)的記憶體單元區(qū)，其中每一個磁區(qū)包括記憶體單元(memory cell)。該記憶體裝置還包括記憶體控制器，用以控制程序運(yùn)算以及對該記憶體單元抹除運(yùn)算。在對于該記憶體單元抹除運(yùn)算期間，發(fā)生在其中每一個未編程的記憶體單元于正被抹除的該磁區(qū)中的預(yù)編程(pre-programming)，是借由施加至少一個編程脈沖于程式電壓予以編程，直到程序驗(yàn)證通過。之后，基于直到該程式驗(yàn)證通過為止所施加的編程脈沖的數(shù)量調(diào)整該程序電壓。在該磁區(qū)中隨后的(subsequent)程序運(yùn)算期間，施加有該調(diào)整過的程序電壓的編程脈沖。
【IPC分類】G11C16-10, G11C16-34
【公開號】CN104520933
【申請?zhí)枴緾N201380041113
【發(fā)明人】A·帕克
【申請人】斯班遜有限公司
【公開日】2015年4月15日
【申請日】2013年5月24日
【公告號】US8842477, US20130322181, WO2013181101A2, WO2013181101A3