專利名稱：磁盤裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種利用玻璃或陶瓷作為盤基質(zhì)的磁盤裝置，更具體地說涉及一種能顯著降低來自裝置中磁頭的串?dāng)_噪聲的磁盤裝置。
傳統(tǒng)上一般都使用鋁作為磁盤基板。近來，在硬磁盤裝置領(lǐng)域內(nèi)，大容量與小型化是人們所希望的。取得大容量的方法之一就是使用玻璃或陶瓷作為磁盤基板。當(dāng)使用這種磁基時，由于其優(yōu)良的表面特性等優(yōu)點，可很容易地取得較低的磁頭懸浮量，因此增進(jìn)了記錄密度。
在使用鋁基質(zhì)的傳統(tǒng)的磁盤裝置中，一對上下磁頭之間的電磁耦合由于其間放置的鋁基板磁盤可得到屏敝，但是用玻璃作為磁盤基板的情況下，上述的上下磁頭之間的電磁耦合不能被屏敝，結(jié)果串?dāng)_噪聲增強(qiáng)，產(chǎn)生了信號再生時信號劣化的問題。例如，從分別使用1.27mm厚的玻璃和鋁基板的磁盤，由下表面的磁頭記錄一個4MHZ的信號，再由上表面的磁頭再生中測量串?dāng)_噪聲，經(jīng)測量(4MH8輸出電平)后發(fā)現(xiàn)玻璃基板磁盤的串?dāng)_噪聲比鋁基板磁盤的串?dāng)_噪聲大+8.9dB。在玻璃基板磁盤情況下，將再生信號的衰減定義為f′4M/f4M，串?dāng)_噪聲為f′1.5M/f′4M，對f4M′f′4M及f′1.5M進(jìn)行測量。于是得到衰減值和串?dāng)_噪聲值分別為-1.73dB和-46.4dB。對于鋁基板磁盤，以與玻璃基板磁盤同樣的方法測量f4M，f′4M和f′1.5M，則衰減值和串?dāng)_噪聲分別為-0.38dB和-60.6dB。很明顯對于玻璃基板磁盤，信號減和串?dāng)_噪聲都很大。f4M為下表面磁頭執(zhí)行記錄之前由上表面磁頭再生的4MHZ信號電平。f′4M為下表面磁頭進(jìn)行記錄后由上表面磁頭再生的4MHZ信號電平。f′1.5M為下部磁頭執(zhí)行記錄后由上部磁頭再生的1.5MHZ信號電平。
在實驗中使用的磁盤的記錄層的磁特性如下對于鋁基板，Hc＝1×103Oe，M
t≌4.2×10-3em
/cm2。對于玻璃基磁盤，Hc≌1.25×103Oe.Mγt≌4.0×103emu/cm3。
所使用的磁頭的縫隙長度為0.6μm，磁道寬度為Tw≌10μm。在本例中，磁頭懸浮量為8μ。如上所述，當(dāng)使用鋁基磁盤時，上下磁頭的電磁耦合可被鋁基板屏敝，因此串?dāng)_噪聲并不構(gòu)成嚴(yán)重的問題。
而對于使用玻璃基板的磁盤裝置，串?dāng)_噪聲則構(gòu)成一個嚴(yán)重的問題，如上所述，因為上下磁頭之間的耦合并不能被屏敝掉。
對于如上所述的傳統(tǒng)的使用玻璃基板磁盤的磁盤裝置，存在著因設(shè)置在磁盤兩側(cè)的一對上下磁頭之間的電磁耦合而產(chǎn)生的串?dāng)_噪聲的問題。
本發(fā)明的目的就是只移動一對上下磁頭的位置而不必在磁盤基板上形成屏敝層而達(dá)到降低上述的電磁信號的串?dāng)_，得到一種能降低串?dāng)_噪聲及信號輸出衰減的磁盤裝置。
本發(fā)明的磁盤裝置是這樣設(shè)計的，將玻璃基板的兩側(cè)的一對上、下磁頭裝置布置在錯開的位置上。
根據(jù)本發(fā)明，通過將玻璃基板兩側(cè)的一對上下磁頭以錯開的位置布置，串?dāng)_噪聲及信號輸出的衰減被降低。


圖1顯示了根據(jù)本發(fā)明的實施例從磁盤的旋轉(zhuǎn)方向看到的磁頭與磁盤的位置關(guān)系;
圖2是本發(fā)明的磁盤裝置的整體結(jié)構(gòu)圖;
圖3是磁致動器的結(jié)構(gòu)圖;
圖4為顯示從現(xiàn)有技術(shù)的方法及本發(fā)明得到的信號輸出的衰減及串?dāng)_噪聲值的表。
1…磁盤，2a…第一磁頭，2b…第二磁頭，3a…第一滑塊，3b…第二滑塊，6…基座，8致動器，9…線圈，10…軛鐵，11…永久磁鐵。
在描述圖1的實施例之前，首先對照圖2及圖3描述本發(fā)明的磁盤裝置的整體結(jié)構(gòu)。磁盤裝置包括基座6及上蓋7。在基座6上通過軸12安裝有致動器8，在致動器8上安裝有處在每個磁盤的上面及下面的滑塊3a及3b。在致動器8相對于軸12的對側(cè)安裝有線圈9。在線圈9之上，上軛鐵10a固定在基座6之上并離線圈9一個予定的間隙。在線圈9之下，下軛鐵10b被固定在基座6上離線圈9有一個予定的間隙。在面對線圈9的上軛鐵10a及下軛鐵10b的一側(cè)固定永久磁鐵11a及11b。線圈9及永久磁鐵11a及11b構(gòu)成音圈電機(jī)，它通過在永久磁鐵產(chǎn)生的磁場中的線圈中通入電流而產(chǎn)生一個力，來使致動器8運動，致動器8的運動方向由流經(jīng)線圈9的電流情況決定。
現(xiàn)在參照圖1描述本發(fā)明的實施例。磁盤1的基板是由玻璃制成的，在基板的上下表面通過汽化沉積有磁涂層。在磁盤1的上表面，第一磁頭2a被定位。第一磁頭2a是由第一滑塊3a支撐的。在磁盤1的上表面的磁介質(zhì)層的數(shù)據(jù)的記錄及再生通過在第一磁頭2a的線圈中通過來自驅(qū)動電路(未示出)的驅(qū)動電流來執(zhí)行的。與此類似，在磁盤1的下表面，第二磁頭2b被定位并由第2滑塊3b支撐。在磁盤1上的磁介層上的數(shù)據(jù)記錄及再生通過在第二磁頭2b的線圈中通過來自上述驅(qū)動電路的驅(qū)動電流來執(zhí)行。
第一磁頭2a及第二磁頭2b以偏離一個值為d的記錄磁道定位。這些磁頭都是與滑塊結(jié)成一體的單塊磁頭。
參見圖1，首先由第一磁頭2a在磁盤1的上表面記錄一個4MHZ信號，然后由第二磁頭2b在磁盤1的下表面記錄一個1.5MHZ信號。上面描述的f4M(在第二磁頭2b記錄信號之前，由第一磁頭2a產(chǎn)生的4MHZ再生信號電平)，f′4M(在第二磁頭2b在磁盤1的下表面記錄信號后，由第一磁頭產(chǎn)生的4MHZ再生信號電平)，及f′1.5M(在第二磁頭2b在磁盤1的下表面記錄信號后，由第一磁頭2a產(chǎn)生的1.5MHZ再生信號電平)可在第二磁頭2b記錄信號前后分別加以測量，根據(jù)得到的值，再各自計算出前邊所述的再生信號的衰減及串?dāng)_噪聲。
現(xiàn)在上述的信號衰減及串?dāng)_噪聲得到確定，當(dāng)?shù)谝淮蓬^2a及第二磁頭2b被布置在同一記錄磁道(d＝0)上及當(dāng)兩個磁頭之間在記錄磁道上有數(shù)量為d＝70的偏移時的對比結(jié)果見圖4中的表。
從圖4中可明顯看到，第一磁頭2a及第二磁頭2b在予定量d的記錄磁道位置上相對地相互偏離開，如圖1所示，則再生信號的衰減及串?dāng)_噪聲都明顯降低，分別從-1.73dB到-0.29dB及從-46.4dB到-54.6dB。本實驗中所使用的磁盤的基板的厚度及磁盤的記錄層的磁特性及磁頭特性等等都與上述的相同。
當(dāng)然，通過在磁頭旋轉(zhuǎn)方向移位磁隙的相對位置，也可降低上述實施例描述的再生信號的衰減及串?dāng)_噪聲。但是使第一磁頭及第二磁頭相對地互相偏離若干磁道布置可更有效地降低串?dāng)_噪聲及重放信號的衰減。
上述實施例是以玻璃作基板的，但是使用陶瓷也能取得上述實施例的類似的效果。
此外，在上述實施例中使用的是單塊磁頭作為磁頭，但是使用薄膜磁頭或復(fù)合磁頭也能取得上述實施例達(dá)到的效果。
另外，如果基板厚度減小，磁介質(zhì)的矯頑力(HC)降低，磁頭的懸浮也降低。本發(fā)明效果可增強(qiáng)到相同的程度。
正象所描述的那樣，本發(fā)明僅通過改變放置在磁盤兩側(cè)的上下磁頭的相對位置而不必在磁盤基板上形成屏敝層以較低成本取得使串?dāng)_噪聲及輸出信號的衰減顯著降低的效果。
權(quán)利要求
1.一種磁盤裝置，具有至少一個由沒有足夠的屏敞性能的材料作為基板而形成的磁盤，所述磁盤裝置的特征在于一個第一磁頭位于所述磁盤的上表面一側(cè)，以及一個第二磁頭位于所述磁盤的下表面一側(cè)，所述的第一及第二磁頭以錯的位置放置。
2.權(quán)利要求1的磁盤裝置，其特征在于所述的基板材料是玻璃。
3.權(quán)利要求1的一種磁盤裝置，其特征在于所述的基板材料是陶瓷。
4.權(quán)利要求1的一種磁盤裝置，其特征在于所述的磁頭是單塊磁頭。
5.權(quán)利要求1的一種磁盤裝置，其特征在于所述的磁頭是薄膜磁頭。
6.權(quán)利要求1的一種磁盤裝置，其特征在于所述的磁頭是復(fù)合磁頭。
全文摘要
本發(fā)明描述了一種具有至少一個由玻璃或陶瓷作基板的磁盤的磁盤裝置。第一磁頭位于磁盤的上邊一側(cè)，第二磁頭位于磁盤下邊一側(cè)，第一磁頭及第二磁頭以錯開的位置布置，由于串?dāng)_噪聲而造成的記錄信號的劣化得到避免并由于玻璃及陶瓷基板的優(yōu)異的表面特性可實現(xiàn)較高密度的記錄。
文檔編號G11B5/62GK1056945SQ9110312
公開日1991年12月11日 申請日期1991年5月18日 優(yōu)先權(quán)日1990年5月28日
發(fā)明者圓部義明, 松井孝夫 申請人:國際商業(yè)機(jī)器公司