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用于存儲器裝置中的高級互連件的三通孔鏈的制作方法

文檔序號:40651146發(fā)布日期:2025-01-10 18:57閱讀:5來源:國知局
用于存儲器裝置中的高級互連件的三通孔鏈的制作方法

本公開的實施例大體涉及存儲器子系統(tǒng),且更具體來說,涉及一種用于存儲器子系統(tǒng)的存儲器裝置中的高級互連件實施方案的三通孔鏈。


背景技術:

1、存儲器子系統(tǒng)可包含存儲數(shù)據(jù)的一或多個存儲器裝置。存儲器裝置可為例如非易失性存儲器裝置及易失性存儲器裝置。一般來說,主機系統(tǒng)可利用存儲器子系統(tǒng)在存儲器裝置處存儲數(shù)據(jù)及從所述存儲器裝置檢索數(shù)據(jù)。


技術實現(xiàn)思路

1、在一個方面中,本申請?zhí)峁┮环N存儲器裝置,其包括:第一部分,其包括包含多個存儲器單元的存儲器陣列及用于執(zhí)行測試操作的第一通孔鏈段;第二部分,其包括處理電路系統(tǒng)及用于執(zhí)行所述測試操作的第二通孔鏈段;及互連件,其耦合所述第一部分與所述第二部分,所述互連件包括第三通孔鏈段,其中能夠獨立地選擇所述第一通孔鏈段、第二通孔鏈段及第三通孔鏈段。

2、在另一方面中,本申請?zhí)峁┮环N方法,其包括:在存儲器裝置的第一部分處選擇所述存儲器裝置的一或多個通孔鏈段中的第一通孔鏈段用于測試操作,其中所述一或多個通孔鏈段包括在所述存儲器裝置的第二部分處的第二通孔鏈段及在所述存儲器裝置的第三部分處的第三通孔鏈段;響應于選擇所述第一通孔鏈段而測試所述存儲器裝置的所述第一部分;及響應于測試所述存儲器裝置的所述第一部分而確定與所述存儲器裝置的所述第一部分相關聯(lián)的一或多個錯誤。

3、在又一方面中,本申請?zhí)峁┮环N存儲器裝置,其包括:存儲器陣列,其包括存儲器單元;及控制邏輯,其耦合到所述存儲器陣列,所述控制邏輯用于:在所述存儲器裝置的第一部分處選擇所述存儲器裝置的一或多個通孔鏈段中的第一通孔鏈段用于測試操作,其中所述一或多個通孔鏈段包括在所述存儲器裝置的第二部分處的第二通孔鏈段及在所述存儲器裝置的第三部分處的第三通孔鏈段;響應于選擇所述第一通孔鏈段而測試所述存儲器裝置的所述第一部分;及響應于測試所述存儲器裝置的所述第一部分而確定與所述存儲器裝置的所述第一部分相關聯(lián)的一或多個錯誤。



技術特征:

1.一種存儲器裝置,其包括:

2.根據(jù)權利要求1所述的存儲器裝置,其中所述第一通孔鏈段、所述第二通孔鏈段及所述第三通孔鏈段各自包括多個部分,其中所述多個部分中的一部分對應于所述存儲器裝置的一側。

3.根據(jù)權利要求2所述的存儲器裝置,其進一步包括:

4.根據(jù)權利要求1所述的存儲器裝置,其中所述第一通孔鏈段包括第一端子及第二端子,所述存儲器裝置進一步包括:

5.根據(jù)權利要求1所述的存儲器裝置,其中所述第一通孔鏈段包括第一端子及第二端子,并且其中:

6.根據(jù)權利要求1所述的存儲器裝置,其中所述第一通孔鏈段包括第一端子及第二端子,并且其中:

7.根據(jù)權利要求1所述的存儲器裝置,其進一步包括:

8.一種方法,其包括:

9.根據(jù)權利要求8所述的方法,其中測試所述存儲器裝置的所述第一部分進一步包括:

10.根據(jù)權利要求9所述的方法,其進一步包括:

11.根據(jù)權利要求9所述的方法,其進一步包括:

12.根據(jù)權利要求8所述的方法,其中測試所述存儲器裝置的所述第一部分進一步包括:

13.根據(jù)權利要求12所述的方法,其進一步包括:

14.根據(jù)權利要求8所述的方法,其中測試所述存儲器裝置的所述第一部分進一步包括:

15.根據(jù)權利要求8所述的方法,其中所述第一通孔鏈段包括多個部分,每一部分對應于所述存儲器裝置的側、段或拐角中的至少一者,所述方法進一步包括:

16.根據(jù)權利要求8所述的方法,其進一步包括:

17.一種存儲器裝置,其包括:

18.根據(jù)權利要求17所述的存儲器裝置,其中為了測試所述第一部分,所述控制邏輯用于:

19.根據(jù)權利要求18所述的存儲器裝置,其中所述控制邏輯用于:

20.根據(jù)權利要求18所述的存儲器裝置,其中所述控制邏輯用于:


技術總結
本申請涉及用于存儲器裝置中的高級互連件的三通孔鏈。存儲器裝置能夠包含第一部分,所述第一部分具有包括多個存儲器單元的存儲器陣列及用于執(zhí)行測試操作的第一通孔鏈段。所述存儲器裝置能夠包含第二部分,所述第二部分包括處理電路系統(tǒng)及用于執(zhí)行測試操作的第二通孔鏈段。所述存儲器裝置還能夠包含互連件,所述互連件耦合所述第一部分與所述第二部分,所述互連件包括第三通孔鏈段,其中能夠獨立地選擇所述第一通孔鏈段、第二通孔鏈段及第三通孔鏈段。

技術研發(fā)人員:I·T·萬貝克,J·E·戴維斯,J·D·托邁科,F·羅里,C·切拉福利,K·W·馬爾
受保護的技術使用者:美光科技公司
技術研發(fā)日:
技術公布日:2025/1/9
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