背景技術(shù):
本節(jié)旨在提供與理解本文所述的各種技術(shù)相關(guān)的信息。正如本節(jié)的標(biāo)題所暗示的,這是對相關(guān)技術(shù)的討論,其絕不意味著它是現(xiàn)有技術(shù)。通常,相關(guān)技術(shù)可能被認(rèn)為是也可能不被認(rèn)為是現(xiàn)有技術(shù)。因此,應(yīng)當(dāng)理解,本節(jié)中的任何陳述應(yīng)當(dāng)從這個(gè)角度來閱讀,而不是作為對現(xiàn)有技術(shù)的任何承認(rèn)。
集成電路(ic)可以由一個(gè)或多個(gè)輸入/輸出設(shè)備、標(biāo)準(zhǔn)設(shè)備、存儲(chǔ)設(shè)備等的布置形成。在一種情況下,存儲(chǔ)器設(shè)備可包括存儲(chǔ)器陣列,存儲(chǔ)器陣列被布置成存儲(chǔ)器單元和相關(guān)聯(lián)的電路,以將數(shù)據(jù)寫到存儲(chǔ)器單元并從存儲(chǔ)器單元讀取數(shù)據(jù)。具體地,存儲(chǔ)器陣列(例如隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(ram)陣列)的存儲(chǔ)器單元可以被組織為行和列。各個(gè)存儲(chǔ)器單元內(nèi)的邏輯鎖存器可用于存儲(chǔ)表示邏輯“1”或“0”的數(shù)據(jù)位。這些存儲(chǔ)器單元也可通過字線(wl)和互補(bǔ)位線(bl)對進(jìn)行互連。
在一些情況下,可以使用具有雙端口的存儲(chǔ)器設(shè)備。這些設(shè)備的存儲(chǔ)器陣列可針對每個(gè)存儲(chǔ)器單元具有兩個(gè)互補(bǔ)位線對和兩個(gè)字線,每個(gè)端口控制相應(yīng)的字線和互補(bǔ)位線對。在這些情況下,雙端口存儲(chǔ)器陣列可以允許通過使用這些不同的端口、字線和位線在同一存儲(chǔ)器時(shí)鐘周期中訪問兩個(gè)存儲(chǔ)器單元。
在另一情況下,存儲(chǔ)器陣列可能易容易發(fā)生錯(cuò)誤。例如,在某些條件下,例如當(dāng)存儲(chǔ)器陣列可以在較低電壓、較高速度和/或較小拓?fù)洳季窒鹿ぷ鲿r(shí),在存儲(chǔ)器陣列中可能發(fā)生寫入故障和/或讀取故障。為了避免這樣的故障,可以將一個(gè)或多個(gè)寫入輔助或讀取輔助機(jī)制與存儲(chǔ)器陣列一起使用。
附圖說明
在下文中將參照附圖描述各種技術(shù)的實(shí)現(xiàn)。然而,應(yīng)當(dāng)理解,附圖僅示出了本文所描述的各種實(shí)現(xiàn),并且不意味著限制本文所描述的各種技術(shù)的范圍。
圖1示出了根據(jù)本文描述的各種實(shí)現(xiàn)的靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(sram)單元的框圖。
圖2-圖3示出了根據(jù)本文所描述的各種實(shí)現(xiàn)的存儲(chǔ)器設(shè)備的框圖。
圖4示出了根據(jù)本文所描述的各種實(shí)現(xiàn)的第一控制電路的框圖。
圖5示出了根據(jù)本文所描述的各種實(shí)現(xiàn)的第二控制電路的框圖。
圖6說明了根據(jù)本文中所描述的各種實(shí)現(xiàn)的存儲(chǔ)器設(shè)備的時(shí)序圖。
圖7示出了根據(jù)本文描述的各種實(shí)現(xiàn)的在存儲(chǔ)器設(shè)備中使用端口模式信號(hào)的方法的過程流程圖。
具體實(shí)施方式
本文中描述的各種實(shí)現(xiàn)可指向且可涉及將端口模式與存儲(chǔ)器一起使用。例如,在一個(gè)實(shí)現(xiàn)中,存儲(chǔ)器設(shè)備可以包括具有多個(gè)存儲(chǔ)器單元的存儲(chǔ)器陣列,其中,存儲(chǔ)器單元被配置為使用多個(gè)第一字線和多個(gè)第二字線來訪問。存儲(chǔ)器設(shè)備可包括多個(gè)訪問端口,例如第一訪問端口和第二訪問端口,其中,第一訪問端口被配置為接收第一地址信號(hào),并且第二訪問端口被配置為接收第二地址信號(hào)。存儲(chǔ)器設(shè)備可包括:訪問控制電路,用于基于第一地址信號(hào)選擇性地激活所述多個(gè)第一字線中的一個(gè)第一字線,且用于基于所指派的地址信號(hào)選擇性地激活所述多個(gè)第二字線中的一個(gè)第二字線。訪問控制電路可包括:地址選擇電路,被配置為基于端口模式信號(hào)選擇所指派的地址信號(hào),其中,當(dāng)端口模式信號(hào)指示單端口模式時(shí),地址選擇電路選擇第一地址信號(hào)作為所指派的地址信號(hào),而當(dāng)端口模式信號(hào)指示雙端口模式時(shí),地址選擇電路選擇第二地址信號(hào)作為所指派的地址信號(hào)。
現(xiàn)在將參考圖1-圖7更詳細(xì)地描述將端口模式與存儲(chǔ)器一起使用的各種實(shí)現(xiàn)。
如上所述,集成電路(ic)可以由一個(gè)或多個(gè)輸入/輸出設(shè)備、標(biāo)準(zhǔn)設(shè)備、存儲(chǔ)設(shè)備和/或其他設(shè)備的布置形成。輸入/輸出設(shè)備可以用于在ic的連接引腳與布置在ic內(nèi)的標(biāo)準(zhǔn)設(shè)備和存儲(chǔ)器設(shè)備之間提供信號(hào)。標(biāo)準(zhǔn)設(shè)備可以是觸發(fā)器、算術(shù)邏輯單元、復(fù)用器、保持觸發(fā)器、氣囊式觸發(fā)器、鎖存器、邏輯門等的電路實(shí)現(xiàn)。
存儲(chǔ)器設(shè)備可包括存儲(chǔ)器陣列,存儲(chǔ)器陣列被布置成存儲(chǔ)器單元和相關(guān)聯(lián)的電路,以將數(shù)據(jù)寫到存儲(chǔ)器單元并從存儲(chǔ)器單元讀取數(shù)據(jù)。具體地,存儲(chǔ)器陣列可以包括多個(gè)單獨(dú)的存儲(chǔ)器單元,其中,存儲(chǔ)器陣列可被組織為行和列。陣列可以具有n行和m列,且因此可以具有n×m個(gè)單獨(dú)的存儲(chǔ)器單元。每個(gè)存儲(chǔ)器單元可用于存儲(chǔ)表示邏輯“1”或“0”的數(shù)據(jù)位。
此外,存儲(chǔ)器設(shè)備可包括多端口存儲(chǔ)器陣列,例如雙端口存儲(chǔ)器陣列。這種設(shè)備的存儲(chǔ)器陣列可針對每列存儲(chǔ)器單元具有兩個(gè)互補(bǔ)位線對且針對每行存儲(chǔ)器單元具有兩個(gè)字線。在一個(gè)實(shí)現(xiàn)中,每個(gè)端口可控制每行的具體字線和每列的具體互補(bǔ)位線對。因此,如本領(lǐng)域中已知的,雙端口存儲(chǔ)器陣列可以允許通過使用這些不同的端口、字線和位線在同一存儲(chǔ)器時(shí)鐘周期中訪問兩個(gè)存儲(chǔ)器單元。存儲(chǔ)器陣列可以是隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(ram)陣列(例如靜態(tài)ram(sram)陣列、動(dòng)態(tài)ram(dram)陣列、電子相關(guān)ram(ceram)陣列、鐵電ram(feram)陣列)和/或本領(lǐng)域技術(shù)人員已知的任何其它實(shí)現(xiàn)。
例如,存儲(chǔ)器陣列可以是由雙端口sram單元(例如圖1的sram單元100)組成的雙端口sram陣列,圖1示出了根據(jù)本文描述的各種實(shí)現(xiàn)的sram單元100的框圖。如圖所示,sram單元100可以是八晶體管存儲(chǔ)器單元。然而,雙端口sram陣列可以由具有本領(lǐng)域技術(shù)人員已知的任何晶體管配置的雙端口sram單元組成。
每個(gè)sram單元100可以包括反饋回路120,其中反饋回路120可以用于在每個(gè)sram單元100中保存數(shù)據(jù)值。sram單元100可以包括由第一字線wla控制的兩個(gè)傳輸門晶體管110、112和由第二字線wlb控制的兩個(gè)傳輸門晶體管114、116。第一字線wla可以激活傳輸門晶體管110、112以將sram單元100連接到第一互補(bǔ)位線對bla、nbla。類似地,第二字線wlb可以激活傳輸門晶體管114、116以將sram單元100連接到第二個(gè)互補(bǔ)位線對blb、nblb。
因此,雙端口sram陣列可以包括針對陣列的每一行的第一字線wla和第二字線wlb,并且可以包括針對陣列的每一列的第一位線對bla、nbla和第二位線對blb、nblb。因此,例如,在具有n行和m列sram單元100的雙端口sram陣列中,陣列可包括n個(gè)第一字線wla和n個(gè)第二字線wlb以及m個(gè)第一位線對和m個(gè)第二位線對。
在操作中,如本領(lǐng)域技術(shù)人員所知,雙端口sram陣列可以被配置為允許通過不同的端口、字線和位線來在相同的存儲(chǔ)器時(shí)鐘周期中訪問陣列的兩個(gè)sram單元100。當(dāng)允許通過這種方式訪問兩個(gè)存儲(chǔ)器單元時(shí),存儲(chǔ)器陣列可被認(rèn)為在雙端口模式下工作。
對于在雙端口模式下工作的存儲(chǔ)器陣列,存儲(chǔ)器設(shè)備的每個(gè)端口可控制針對陣列的每行的具體字線和針對陣列的每列的具體互補(bǔ)位線對。例如,對于在雙端口模式下工作的sram單元100的雙端口sram陣列,存儲(chǔ)器設(shè)備的第一端口(以下稱為“端口a”)可以控制針對每列的第一互補(bǔ)位線對bla、nbla以及針對每行的第一字線wla。類似地,存儲(chǔ)器設(shè)備的第二端口(以下稱為“端口b”)可控制針對每列的第二互補(bǔ)位線對blb、nblb以及針對每行的第二字線wlb。
當(dāng)雙端口sram陣列在雙端口模式下工作時(shí),在端口a處接收到的地址可以指示要訪問第一sram單元100。為了訪問第一sram單元100,可以對與第一sram單元100相對應(yīng)的第一互補(bǔ)位線對bla、nbla進(jìn)行預(yù)充電。在預(yù)充電之后,可以激活對應(yīng)于第一sram單元100的第一字線wla,以將第一sram單元100的反饋回路120連接到第一互補(bǔ)位線對bla、nbla。在讀取操作期間,存儲(chǔ)在第一sram單元100的反饋回路120中的值可以被傳送到連接的位線對。在寫操作期間,要寫入第一sram單元100的值可以被傳送到連接的位線對,并且該值然后可以從連接的位線對傳送到第一sram單元100的反饋回路120。
在相同的存儲(chǔ)器時(shí)鐘周期期間,在端口b處接收到的地址可以指示要訪問陣列的第二sram單元100。為了訪問第二sram單元100,可以對與第二sram單元100相對應(yīng)的第二互補(bǔ)位線對blb、nblb進(jìn)行預(yù)充電。在預(yù)充電之后,可以激活對應(yīng)于第二sram單元100的第二字線wlb,以將第二sram單元100的反饋回路120連接到第二互補(bǔ)位線對blb、nblb。在讀取操作期間,存儲(chǔ)在第二sram單元100的反饋回路120中的值可以被傳送到連接的位線對。在寫操作期間,要寫入第二sram單元100的值可以被傳送到連接的位線對,并且該值然后可以從連接的位線對傳送到第二sram單元100的反饋回路120。
在另一實(shí)現(xiàn)中,當(dāng)在雙端口模式下工作時(shí),存儲(chǔ)器陣列可當(dāng)在單個(gè)存儲(chǔ)器時(shí)鐘周期中對陣列的一個(gè)或多個(gè)存儲(chǔ)器單元執(zhí)行讀取操作時(shí)采用讀取輔助機(jī)制。
例如,對于在雙端口模式下工作的sram單元100的雙端口sram陣列,可以執(zhí)行對第一sram單元100和第二sram單元100的讀取操作,其中第一sram單元100和第二sram單元100位于sram陣列中的相同行上。對應(yīng)于該兩個(gè)單元100的互補(bǔ)位線對可以在一開始被預(yù)充電。在這樣的示例中,與該兩個(gè)sram單元100相關(guān)聯(lián)的第一字線wla可被激活,允許將存儲(chǔ)在第一sram單元100中的值傳送給相應(yīng)的位線對。此外,可以采用讀取輔助機(jī)制,其中,僅在從第一字線wla被激活時(shí)起經(jīng)過一時(shí)間延遲之后,與兩個(gè)sram單元100相關(guān)聯(lián)的第二字線wlb才可被激活,從而允許將存儲(chǔ)在第二sram單元100中的值傳送給對應(yīng)的位線對。
在這樣的示例中,在不采用在wla和wlb的激活之間有時(shí)間延遲的讀取輔助機(jī)制的情況下,在與第一sram單元100和第二sram單元100位于相同行中的存儲(chǔ)器單元中可能發(fā)生所存儲(chǔ)的值的損壞。因?yàn)樵谏鲜鰧戄o助操作期間,第一字線wla和第二字線blb二者都被激活,所以沿著相同行的其它單元100將變?yōu)檫B接到它們的位線,這可導(dǎo)致電荷被注入到這些單元中。如果電荷足夠高,則不是被寫入的單元100可能使其存儲(chǔ)值受到干擾。為了最小化這種干擾的發(fā)生,在一些實(shí)現(xiàn)中,存儲(chǔ)器設(shè)備可在激活第二字線wlb之前引入時(shí)間延遲。
這種讀取輔助機(jī)制可以用于操作在存儲(chǔ)值很可能會(huì)損壞的環(huán)境中的存儲(chǔ)器設(shè)備。具體地,這樣的環(huán)境可以包括以較低電壓、較高速度和/或較小拓?fù)洳季譃樘卣鞯哪切┉h(huán)境。
在一些實(shí)現(xiàn)中,雙端口存儲(chǔ)器陣列可被配置為在單端口模式下工作。在單端口模式中,為了訪問單個(gè)存儲(chǔ)器單元,雙端口存儲(chǔ)器陣列可使用與存儲(chǔ)器單元相關(guān)聯(lián)的兩個(gè)互補(bǔ)位線對和兩個(gè)字線。例如,雙端口存儲(chǔ)器陣列可以采用寫輔助機(jī)制來針對存儲(chǔ)器單元使用兩個(gè)互補(bǔ)位線對和兩個(gè)字線,以將一個(gè)值寫到單元。這種寫輔助機(jī)制可以用于增加對單元的成功寫操作的概率(即,增加單元的可寫性)。寫輔助機(jī)制可以用于工作在很可能發(fā)生寫入故障的環(huán)境中的存儲(chǔ)器設(shè)備。具體地,這樣的環(huán)境可以包括以較低電壓、較高速度和/或較小拓?fù)洳季譃樘卣鞯哪切┉h(huán)境。在共同轉(zhuǎn)讓的美國專利no.8,582,389中進(jìn)一步詳細(xì)描述了寫輔助操作的實(shí)現(xiàn),其全部公開內(nèi)容通過引用并入本文。
例如,對于在單端口模式下工作的sram單元100的雙端口sram陣列,對第一sram單元100的寫輔助操作可以一開始包括對與第一sram單元100相對應(yīng)的第一互補(bǔ)位線對bla、nbla和第二互補(bǔ)位線對blb、nblb二者的預(yù)充電。然后,也可以激活第一字線wla和第二字線blb二者。因此,在寫輔助操作期間,要寫入第一sram單元100的值可以被傳送到第一互補(bǔ)位線對bla,nbla和第二互補(bǔ)位線對blb,nblb兩者,并且該值然后可以從兩個(gè)互補(bǔ)位線對傳送到第一sram單元100的反饋回路120。
在執(zhí)行如上所述的寫輔助的一些情況下,存儲(chǔ)值的損壞可發(fā)生在位于與第一sram單元100相同行中的存儲(chǔ)器單元100中。因?yàn)樵谏鲜鰧戄o助操作期間,第一字線wla和第二字線blb二者都被激活,所以沿著相同行的其它單元100將變?yōu)檫B接到它們的位線,這可導(dǎo)致電荷被注入到這些單元中。如果電荷足夠高,則未被寫入的單元100可能使其存儲(chǔ)值受到干擾。為了最小化這種干擾的發(fā)生,在一些實(shí)現(xiàn)中,存儲(chǔ)器設(shè)備可在寫輔助操作期間在激活單元100的第二字線wlb之前引入時(shí)間延遲,在共同轉(zhuǎn)讓的美國專利no.8,582,389中也對此進(jìn)行了更詳細(xì)討論。結(jié)果,對于與所寫入到的單元100連接到相同字線的其它單元100,與這些單元的第二互補(bǔ)位線對blb、nblb相關(guān)聯(lián)的電荷可能經(jīng)歷衰減。因此,通過在激活第二字線時(shí)提供時(shí)間延遲,這些其它單元100可避免注入高到足以干擾所存儲(chǔ)的值的電荷。類似地,在用于避免干擾所存儲(chǔ)的值的其它實(shí)現(xiàn)中,存儲(chǔ)器設(shè)備可激活第二字線wlb,且隨后在執(zhí)行寫輔助操作時(shí)在激活第一字線wla之前引入時(shí)間延遲。
在另一示例中,可以采用讀取輔助機(jī)制,其中,在單個(gè)存儲(chǔ)器時(shí)鐘周期中,可以不針對存儲(chǔ)器陣列中的單元100的行執(zhí)行兩個(gè)讀取操作。例如,對于在單端口模式下工作的sram單元100的雙端口sram陣列,可以執(zhí)行對第一sram單元100的讀取操作。對應(yīng)于第一sram單元100的互補(bǔ)位線對可以在一開始被預(yù)充電。在這樣的示例中,可以激活與第一sram單元100相關(guān)聯(lián)的第一字線wla或第二字線wlb,但不是兩者都被激活,從而允許將存儲(chǔ)在第一sram單元100中的值傳送給相應(yīng)的位線對。通過僅執(zhí)行從包含第一sram單元100的行進(jìn)行讀取的一個(gè)讀取操作,可以僅激活一個(gè)字線。因此,可以最小化與第一sram單元在相同行中的存儲(chǔ)器單元中的存儲(chǔ)值的損壞。
因此,在單端口模式下工作的存儲(chǔ)器陣列可經(jīng)由與存儲(chǔ)器單元相關(guān)聯(lián)的兩個(gè)互補(bǔ)位線對和兩個(gè)字線來訪問單個(gè)存儲(chǔ)器單元,例如當(dāng)在存儲(chǔ)器單元上執(zhí)行寫輔助時(shí)。該存儲(chǔ)器陣列可以例如用于寫失敗的風(fēng)險(xiǎn)可能較高的低電壓應(yīng)用中。另一方面,在雙端口模式下工作的存儲(chǔ)器陣列可以允許通過不同的端口、字線和位線來在同一存儲(chǔ)器時(shí)鐘周期中訪問陣列的兩個(gè)存儲(chǔ)器單元。這樣的存儲(chǔ)器陣列可用于例如涉及將同時(shí)訪問存儲(chǔ)器陣列的兩個(gè)處理器的應(yīng)用中。
鑒于以上所述,本文所描述的各種實(shí)現(xiàn)可用于為存儲(chǔ)器設(shè)備的雙端口存儲(chǔ)器陣列選擇端口模式。具體地,端口模式信號(hào)可以用于將雙端口存儲(chǔ)器陣列在單端口模式和雙端口模式之間切換(即,調(diào)換)。
在一個(gè)實(shí)現(xiàn)中,存儲(chǔ)器設(shè)備可以包括存儲(chǔ)器陣列和訪問控制電路,其中,訪問控制電路可以用于基于端口模式信號(hào)在單端口模式和雙端口模式之間切換存儲(chǔ)器陣列。圖2示出根據(jù)本文中所描述的各種實(shí)現(xiàn)的存儲(chǔ)器設(shè)備200的框圖。如圖所示,存儲(chǔ)器設(shè)備200可以包括雙端口存儲(chǔ)器陣列210和訪問控制電路220。雖然下面的討論是關(guān)于雙端口存儲(chǔ)器陣列的,但是本領(lǐng)域技術(shù)人員將會(huì)理解將以下實(shí)現(xiàn)應(yīng)用于任何配置的多端口存儲(chǔ)器陣列。
雙端口存儲(chǔ)器陣列210可以類似于上述的存儲(chǔ)器陣列。雙端口存儲(chǔ)器陣列210可以是ram陣列,例如sram陣列、dram陣列、ceram陣列、feram陣列和/或本領(lǐng)域技術(shù)人員已知的任何其他實(shí)現(xiàn)。在另一實(shí)現(xiàn)中,雙端口存儲(chǔ)器陣列210可由上文關(guān)于圖1所描述的雙端口sram單元100組成。如上所述,可使用八晶體管配置或本領(lǐng)域技術(shù)人員已知的任何其它晶體管配置來構(gòu)建這些雙端口sram單元100。
如圖2中所示,存儲(chǔ)器設(shè)備200可以包括兩個(gè)端口,端口a和端口b,其他設(shè)備等可以通過這兩個(gè)端口與存儲(chǔ)器設(shè)備200通信。例如,兩個(gè)處理器可以經(jīng)由端口a和端口b與存儲(chǔ)器設(shè)備200通信。在另一實(shí)現(xiàn)中,并且如本領(lǐng)域技術(shù)人員已知的,端口a和端口b可以均被配置為接收相應(yīng)的存儲(chǔ)器陣列地址信號(hào)和數(shù)據(jù)輸入信號(hào),并被配置為傳送相應(yīng)的數(shù)據(jù)輸出信號(hào)。每個(gè)端口還可被配置為接收相應(yīng)的時(shí)鐘信號(hào)。經(jīng)由端口a接收的地址信號(hào)在下文中可以被稱為地址信號(hào)aa,且經(jīng)由端口b接收的地址信號(hào)在下文中可以被稱為地址信號(hào)ab。地址信號(hào)aa和ab可以各自指示陣列210中要被訪問的存儲(chǔ)器單元的位置。
經(jīng)由端口a接收的數(shù)據(jù)輸入信號(hào)在下文中可以被稱為數(shù)據(jù)輸入信號(hào)da,而經(jīng)由端口b接收的數(shù)據(jù)輸入信號(hào)在下文中可以被稱為數(shù)據(jù)輸入信號(hào)db。經(jīng)由端口a傳送的數(shù)據(jù)輸出信號(hào)在下文中可以被稱為數(shù)據(jù)輸出信號(hào)qa,而經(jīng)由端口b傳送的數(shù)據(jù)輸出信號(hào)在下文中可以被稱為數(shù)據(jù)輸出信號(hào)qb。。類似地,經(jīng)由端口a接收的時(shí)鐘信號(hào)在下文中可以被稱為時(shí)鐘信號(hào)clka,而經(jīng)由端口b接收的時(shí)鐘信號(hào)在下文中可以被稱為時(shí)鐘信號(hào)clkb。如下面進(jìn)一步描述的,時(shí)鐘信號(hào)clka和clkb可以用于控制對陣列210的存儲(chǔ)器單元的訪問的定時(shí)。
如下面進(jìn)一步描述的,訪問控制電路220可以用于控制對陣列210的存儲(chǔ)器單元的訪問。具體地,訪問控制電路220可以用于基于端口模式(pm)信號(hào)230在單端口模式和雙端口模式之間切換存儲(chǔ)器陣列210。在一個(gè)實(shí)現(xiàn)中,并且如下面進(jìn)一步描述的,訪問控制電路220可以包括在訪問存儲(chǔ)器單元時(shí)使用的地址解碼器電路和定時(shí)電路。
訪問控制電路220可直接接收pm信號(hào)230。如圖所示,pm信號(hào)230可由存儲(chǔ)器設(shè)備200接收,例如經(jīng)由存儲(chǔ)器設(shè)備200的引腳配置中的輸入引腳接收。在另一實(shí)現(xiàn)中,pm信號(hào)230可由存儲(chǔ)器設(shè)備200基于其它信號(hào)(例如,內(nèi)部存儲(chǔ)器時(shí)鐘、存儲(chǔ)器使能信號(hào)、寫入使能信號(hào)和/或本領(lǐng)域技術(shù)人員已知的任何其它信號(hào))導(dǎo)出。然后,導(dǎo)出的pm信號(hào)230可被傳送給訪問控制電路220。
圖3示出根據(jù)本文中所描述的各種實(shí)現(xiàn)的存儲(chǔ)器設(shè)備200的更詳細(xì)的框圖。如圖所示,除了雙端口存儲(chǔ)器陣列210和訪問控制電路220之外,存儲(chǔ)器設(shè)備200還可以包括字線驅(qū)動(dòng)器235和輸入/輸出電路240。
字線驅(qū)動(dòng)器235可以用于驅(qū)動(dòng)存儲(chǔ)器陣列210的字線。如圖所示,雙端口存儲(chǔ)器陣列210可以由雙端口sram單元100組成,因此可以使用字線驅(qū)動(dòng)器235來驅(qū)動(dòng)陣列210的第一字線wla和第二字線wlb。如本領(lǐng)域技術(shù)人員已知的,輸入/輸出電路240可以包括列復(fù)用器、讀出放大器(senseamplifier)和寫驅(qū)動(dòng)器。具體地,列復(fù)用器可以用于將列中的互補(bǔ)位線對(例如,bla和nbla,或blb和nblb)復(fù)用到單個(gè)讀出放大器中。讀出放大器可用于在讀取操作期間放大互補(bǔ)位線之間的差分電壓信號(hào)。這些小的差分電壓信號(hào)可以表示存儲(chǔ)在具體的單獨(dú)sram單元100中的數(shù)據(jù)值,并且可以由讀出放大器放大到可識(shí)別的邏輯電平,以使得數(shù)據(jù)值可被存儲(chǔ)器陣列210外部的邏輯所正確解譯。此外,如本領(lǐng)域技術(shù)人員所知的,寫驅(qū)動(dòng)器可以與列復(fù)用器結(jié)合使用,以響應(yīng)于寫請求將數(shù)據(jù)值驅(qū)動(dòng)到位線上。
如圖所示,訪問控制電路220還可以包括第一控制電路222和第二控制電路224.第一控制電路222可以與字線驅(qū)動(dòng)器235結(jié)合使用,以基于地址信號(hào)aa選擇性地激活陣列210的第一字線wla中的一個(gè)第一字線。第一控制電路222可以與字線驅(qū)動(dòng)器235結(jié)合使用,以基于時(shí)鐘信號(hào)clka選擇性地激活第一字線wla中的一個(gè)第一字線。
圖4示出根據(jù)本文中所描述的各種實(shí)現(xiàn)的第一控制電路222的更詳細(xì)的框圖。如圖所示,第一控制電路222可以包括行解碼器410和定時(shí)電路420。行解碼器410可以被配置為接收和解碼地址信號(hào)aa,其中地址信號(hào)可以在經(jīng)由端口a接收時(shí)被編碼。行解碼器410的輸出430可以包括已解碼地址信號(hào)aa,并且輸出430可以由字線驅(qū)動(dòng)器235使用來激活陣列210的第一字線wla中的一個(gè)第一字線。
定時(shí)電路420可以響應(yīng)于時(shí)鐘信號(hào)clka,其中,定時(shí)電路420可以使用時(shí)鐘信號(hào)clka來產(chǎn)生脈沖,該脈沖繼而可被用于控制行解碼器410的激活。因此,定時(shí)電路420可以使用時(shí)鐘信號(hào)clka來控制第一字線wla的選擇性激活的定時(shí)。
在另一實(shí)現(xiàn)中,第一控制電路222可以包括列解碼器(未示出),其也可以被配置為接收和解碼地址信號(hào)aa。如本領(lǐng)域技術(shù)人員已知的,列解碼器的輸出310可以由輸入/輸出電路240用來選擇性地激活陣列210的第一互補(bǔ)位線對bla、nbla中的一個(gè)第一互補(bǔ)位線對。此外,第一控制電路222還可以包括列定時(shí)電路(未示出),以基于時(shí)鐘信號(hào)clka來控制列解碼器的激活。
回到圖3,第二控制電路224可結(jié)合字線驅(qū)動(dòng)器235使用,以選擇性地激活陣列210的第二字線wlb中的一個(gè)第二字線。具體地,如下面進(jìn)一步描述的,基于pm信號(hào)230,第二控制電路224可以從地址信號(hào)aa或地址信號(hào)ab中選擇地址信號(hào)(以下稱為“指派的地址信號(hào)”)。繼而,第二控制電路224然后可以與字線驅(qū)動(dòng)器235結(jié)合使用,以基于指派的地址信號(hào)選擇性地激活陣列210的第二字線wlb中的一個(gè)第二字線。在另一實(shí)現(xiàn)中,如下所述,基于pm信號(hào)230,第二控制電路224可以從時(shí)鐘信號(hào)clka或時(shí)鐘信號(hào)clkb中選擇時(shí)鐘信號(hào)(以下稱為“指派的時(shí)鐘信號(hào)”)。第二控制電路224然后可以與字線驅(qū)動(dòng)器235結(jié)合使用,以基于指派的時(shí)鐘信號(hào)選擇性地激活陣列210的第二字線wlb中的一個(gè)第二字線。
圖5示出根據(jù)本文中所描述的各種實(shí)現(xiàn)的第二控制電路224的更詳細(xì)的框圖。如圖所示,第二控制電路224可以包括行解碼器510和定時(shí)電路520。第二控制電路224還可以包括地址選擇電路530和時(shí)鐘選擇電路540。
地址選擇電路530可以用于基于pm信號(hào)230來選擇指派的地址信號(hào)。如圖所示,地址選擇電路530可以是2對1復(fù)用器。也可以將本領(lǐng)域技術(shù)人員所知的其他實(shí)現(xiàn)用于地址選擇電路530。因此,如圖所示,如果pm信號(hào)是邏輯“0”值,則地址選擇電路530可以選擇地址信號(hào)aa作為指派的地址信號(hào)。相反,如果pm信號(hào)是邏輯“1”值,則地址選擇電路530可以選擇地址信號(hào)ab作為指派的地址信號(hào)。
行解碼器510可以被配置為在然后接收和解碼所指派的地址信號(hào)。行解碼器510的輸出550可以包括已解碼的指派的地址信號(hào),并且輸出550可以由字線驅(qū)動(dòng)器235使用來激活陣列210的第二字線wlb中的一個(gè)第二字線。
因此,為了將存儲(chǔ)器陣列210切換到單端口模式,pm信號(hào)可以被設(shè)置為將使得地址選擇電路530選擇地址信號(hào)aa來作為指派的地址信號(hào)的值(例如,圖5中的邏輯“0”值),因?yàn)樵谶@種情況下,字線驅(qū)動(dòng)器235將基于相同的地址(即,地址信號(hào)aa)選擇性地激活第一字線wla和第二字線wlb,因?yàn)橛勺志€驅(qū)動(dòng)器使用的輸出430和550二者會(huì)包括已解碼的地址信號(hào)aa。因此,針對陣列210中的相同行的存儲(chǔ)器單元100,將會(huì)激活第一字線wla和第二字線wlb,從而允許陣列210在單端口模式下工作(例如,執(zhí)行針對單個(gè)存儲(chǔ)器單元100的寫輔助操作,如上所述)。
類似地,為了將存儲(chǔ)器陣列210切換到雙端口模式,pm信號(hào)可被設(shè)置為將使得地址選擇電路530選擇地址信號(hào)ab來作為指派的地址信號(hào)的值(例如,圖5中的邏輯“1”值),因?yàn)樵谶@種情況下,字線驅(qū)動(dòng)器235將基于來自行解碼器410的已解碼的地址信號(hào)aa來選擇性地激活第一字線wla中的一個(gè)第一字線,并且基于來自行解碼器510的已解碼的地址信號(hào)ab來選擇性地激活第二字線wlb中的一個(gè)第二字線。因此,針對陣列210中的不同行的存儲(chǔ)器單元100,可以激活第一字線wla和第二字線wlb,從而允許陣列210在雙端口模式下工作(即,允許同時(shí)訪問陣列的兩個(gè)存儲(chǔ)器單元100)。
在另一實(shí)現(xiàn)中,時(shí)鐘選擇電路540可以用于基于pm信號(hào)230選擇指派的時(shí)鐘信號(hào)。如圖所示,時(shí)鐘選擇電路540可以是2對1復(fù)用器。也可以將本領(lǐng)域技術(shù)人員所知的其他實(shí)現(xiàn)用于時(shí)鐘選擇電路540。因此,如果pm信號(hào)是邏輯“0”值,則時(shí)鐘選擇電路530可以選擇時(shí)鐘信號(hào)clka作為指派的時(shí)鐘信號(hào)。相反,如果pm信號(hào)是邏輯“1”值,則時(shí)鐘選擇電路530可以選擇時(shí)鐘信號(hào)clkb作為指派的時(shí)鐘信號(hào)。
定時(shí)電路520可被配置為在然后接收指派的時(shí)鐘信號(hào),其中,定時(shí)電路520可以使用指派的時(shí)鐘信號(hào)來生成脈沖,該脈沖繼而可用于控制行解碼器510的激活。因此,定時(shí)電路520可以使用指派的時(shí)鐘信號(hào)來控制第二字線wlb的選擇性激活的定時(shí)。
因此,當(dāng)存儲(chǔ)器陣列210被切換到單端口模式(即,時(shí)鐘信號(hào)clka是指派的時(shí)鐘信號(hào))時(shí),第一字線wla和第二字線wlb的選擇性激活都基于時(shí)鐘信號(hào)clka。因此,針對陣列210中的相同行的存儲(chǔ)器單元100,將會(huì)同時(shí)激活第一字線wla和第二字線wlb,從而允許陣列210在單端口模式下工作(例如,執(zhí)行寫輔助操作或讀取輔助操作)。在另一實(shí)現(xiàn)中,當(dāng)對單個(gè)存儲(chǔ)器單元100執(zhí)行寫輔助操作時(shí),定時(shí)電路520可在激活行解碼器510時(shí)引入時(shí)間延遲,這因而將延遲對第二字線wlb之一的選擇性激活,從而最小化干擾該行的其他單元中的存儲(chǔ)值的風(fēng)險(xiǎn)。在另一實(shí)現(xiàn)中,當(dāng)對單個(gè)存儲(chǔ)器單元100執(zhí)行寫輔助操作時(shí),定時(shí)電路420可在激活行解碼器410時(shí)引入時(shí)間延遲,這因而將延遲對第一字線wla之一的選擇性激活,從而最小化干擾該行的其他單元中的存儲(chǔ)值的風(fēng)險(xiǎn)。
類似地,當(dāng)存儲(chǔ)器陣列210被切換到雙端口模式(即,pm信號(hào)230被設(shè)置為邏輯“1”值)時(shí),對第一字線wla之一的選擇性激活可以基于時(shí)鐘信號(hào)clka,且對第二字線wlb之一的選擇性激活可以基于來自定時(shí)電路520的時(shí)鐘信號(hào)clkb。因此,針對陣列210中的不同行的存儲(chǔ)器單元100,可以使用不同時(shí)鐘激活第一字線wla和第二字線wlb,從而允許陣列210在雙端口模式下工作(即,允許同時(shí)訪問陣列的兩個(gè)存儲(chǔ)器單元100)。
在另一實(shí)現(xiàn)中,第二控制電路224可以包括列解碼器(未示出),其也可以被配置為接收和解碼指派的地址信號(hào)。如本領(lǐng)域技術(shù)人員已知的,列解碼器的輸出320可以由輸入/輸出電路240用來選擇性地激活陣列210的第二互補(bǔ)位線對blb、nblb中的一個(gè)第二互補(bǔ)位線對。因此,當(dāng)存儲(chǔ)器陣列210被切換到單端口模式(例如,pm信號(hào)230被設(shè)置為邏輯“0”值)時(shí),輸入/輸出電路240可基于相同地址(例如,地址信號(hào)aa)選擇性地激活第一位線對和第二位線對。因此,針對陣列210中的相同列的存儲(chǔ)器單元100,將會(huì)激活第一位線對和第二位線對,從而允許陣列210在單端口模式下工作(例如,執(zhí)行對單個(gè)存儲(chǔ)器單元100的寫輔助操作,如上所述)。類似地,當(dāng)存儲(chǔ)器陣列210被切換到雙端口模式(例如,pm信號(hào)230被設(shè)置為邏輯“1”值)時(shí),輸入/輸出電路240可基于不同的地址信號(hào)激活第一位線對和第二位線對。因此,針對陣列210中的不同列的存儲(chǔ)器單元100,可以激活第一位線對和第二位線對,從而允許陣列210在雙端口模式下工作(即,允許同時(shí)訪問陣列的兩個(gè)存儲(chǔ)器單元100)。
在另一實(shí)現(xiàn)中,第一控制電路222可以包括與第二控制電路224類似的組件,包括地址選擇電路和時(shí)鐘選擇電路。盡管在圖2-圖5中未示出,但本領(lǐng)域技術(shù)人員將理解,第一控制電路222可以使用第一pm信號(hào)并且第二控制電路224可以使用第二pm信號(hào)來激活存儲(chǔ)器陣列210的字線。例如,在這種實(shí)現(xiàn)中,第一控制電路222可以基于第一pm信號(hào)從地址信號(hào)aa或地址信號(hào)ab中選擇地址信號(hào)(以下稱為“第一指派地址信號(hào)”)。繼而,第一控制電路222然后可以與字線驅(qū)動(dòng)器235結(jié)合使用,以基于第一指派地址信號(hào)選擇性地激活陣列210的第一字線wla中的一個(gè)第一字線。在另一實(shí)現(xiàn)中,基于第一pm信號(hào),第一控制電路222可以從時(shí)鐘信號(hào)clka或時(shí)鐘信號(hào)clkb中選擇時(shí)鐘信號(hào)(以下稱為“指派的時(shí)鐘信號(hào)”)。第一控制電路222然后可以與字線驅(qū)動(dòng)器235結(jié)合使用,以基于第一指派的時(shí)鐘信號(hào)選擇性地激活陣列210的第一字線wla中的一個(gè)第一字線。第二控制電路224可以類似地基于第二pm信號(hào)從地址信號(hào)aa或地址信號(hào)ab中選擇第二指派地址信號(hào)。
返回到圖2-圖5,因此,訪問控制電路220(且具體地,第二控制電路224)可以使用pm信號(hào)230來在單端口模式和雙端口模式之間切換存儲(chǔ)器陣列210。例如,圖6示出根據(jù)本文中所描述的各種實(shí)現(xiàn)的存儲(chǔ)器設(shè)備200的時(shí)序圖。
如圖所示,當(dāng)pm信號(hào)230可被設(shè)置為低(即,邏輯“0”值)時(shí),存儲(chǔ)器陣列210可被切換到單端口模式。具體地,當(dāng)處于單端口模式時(shí),字線驅(qū)動(dòng)器235可以基于相同的地址(即,地址信號(hào)aa)選擇性地激活第一字線wla和第二字線wlb,因?yàn)樽志€驅(qū)動(dòng)器所使用的輸出430和550二者將會(huì)包括已解碼的地址信號(hào)aa。由此,當(dāng)處于單端口模式時(shí),將針對陣列210中相同行的存儲(chǔ)器單元100同時(shí)激活第一字線wla和第二字線wlb。
在存儲(chǔ)器陣列210處于單端口模式的情況下,可以對具體存儲(chǔ)器單元100執(zhí)行寫輔助操作,如上所述。具體地,如上所述,在寫輔助操作期間,要寫入存儲(chǔ)器單元100的值可被傳送給與該存儲(chǔ)器單元100相關(guān)聯(lián)的第一互補(bǔ)位線對bla、nbla和第二互補(bǔ)位線對blb、nblb二者。假設(shè)存儲(chǔ)器單元100的第一字線wla和第二字線wlb被激活,則可在然后從兩個(gè)互補(bǔ)位線對向存儲(chǔ)器單元100傳送相同的值。
例如,如圖6所示,為了在單端口模式下利用存儲(chǔ)器陣列210執(zhí)行寫輔助操作,可在一開始基于已解碼的地址信號(hào)aa激活與第一存儲(chǔ)器單元100相關(guān)聯(lián)的第一字線wla,以執(zhí)行針對存儲(chǔ)器單元100的寫操作。在從第一字線wla的激活起的時(shí)間延遲之后,還可基于已解碼的地址信號(hào)aa激活與第一存儲(chǔ)器單元100相關(guān)聯(lián)的第二字線wlb,以對第一存儲(chǔ)器單元100執(zhí)行寫操作,如wlb的“writea”脈沖所示。
如先前所解釋的,時(shí)間延遲允許在關(guān)聯(lián)于其它存儲(chǔ)器單元100的互補(bǔ)位線對上的電荷衰減,該其它存儲(chǔ)器單元100與第一存儲(chǔ)器單元100在相同行上。例如,如圖6所示,未選擇的位線bla和未選擇的位線blb對應(yīng)于與第一存儲(chǔ)器單元100在相同行上的第二存儲(chǔ)器單元100。在激活第一字線wla以執(zhí)行寫操作和激活第二字線wla以執(zhí)行寫輔助操作(即,“寫入a”操作)之間的時(shí)間延遲期間,可以減少與未選擇的位線bla和未選擇的位線blb相關(guān)聯(lián)的電荷。因此,在針對“寫入a”操作的第二字線wlb的激活之前,未選擇的位線bla和未選擇的位線blb上的電荷可以衰減到以下程度:第二存儲(chǔ)器單元100避免注入將會(huì)干擾第二存儲(chǔ)器單元100中的存儲(chǔ)值的電荷。
在另一實(shí)現(xiàn)中,訪問控制電路220可以使用pm信號(hào)230來在單個(gè)存儲(chǔ)器時(shí)鐘周期期間在單端口模式與雙端口模式之間切換存儲(chǔ)器陣列210。在這樣的實(shí)現(xiàn)中,存儲(chǔ)器陣列210可以在單個(gè)存儲(chǔ)器時(shí)鐘周期期間被訪問多次。由此,在低電壓環(huán)境中操作的存儲(chǔ)器設(shè)備200可以被配置為使存儲(chǔ)器陣列210在單個(gè)存儲(chǔ)器時(shí)鐘周期期間在雙端口模式和單端口模式下二者下工作。
例如,如上所述,圖6示出了與第一存儲(chǔ)器單元100相關(guān)聯(lián)的第一字線wla,其可以在單個(gè)存儲(chǔ)器時(shí)鐘周期期間基于已解碼的地址信號(hào)aa而激活,以執(zhí)行寫操作。在一個(gè)實(shí)現(xiàn)中,第一字線wla可以每個(gè)存儲(chǔ)器時(shí)鐘周期激活一次。如上所述,在存儲(chǔ)器陣列210處于單端口模式下時(shí),第二字線wlb也可以在該單個(gè)存儲(chǔ)器時(shí)鐘周期期間基于已解碼的地址信號(hào)aa而被激活,以針對第一存儲(chǔ)器單元100執(zhí)行寫輔助操作,如wlb的“writea”脈沖所示。
在相同的單個(gè)存儲(chǔ)器時(shí)鐘周期期間,但在激活第二字線wlb以用于寫輔助操作之前,存儲(chǔ)器陣列210可以(例如在存儲(chǔ)器時(shí)鐘周期的開始處)在雙端口模式下工作。在pm信號(hào)230設(shè)置為高(即,邏輯“1”值)的情況下,字線驅(qū)動(dòng)器235可以基于地址信號(hào)aa選擇性地激活第一字線wla,并且基于地址信號(hào)ab選擇性地激活第二字線wlb。因此,可以選擇性地激活第一字線wla和第二字線wlb,以允許同時(shí)訪問陣列的兩個(gè)不同的存儲(chǔ)器單元100。
例如,如圖6所示,在單個(gè)存儲(chǔ)器時(shí)鐘周期的開始處,pm信號(hào)230可以被設(shè)置為高以將存儲(chǔ)器陣列210置于雙端口模式。此外,在該存儲(chǔ)器時(shí)鐘周期的開始處,可以基于已解碼的地址信號(hào)aa激活與第一存儲(chǔ)器單元100相關(guān)聯(lián)的第一字線wla,以對第一存儲(chǔ)器單元100執(zhí)行寫操作。此外,在該存儲(chǔ)器時(shí)鐘周期的開始處,可以基于已解碼的地址信號(hào)ab激活第二字線wlb,以執(zhí)行從第二存儲(chǔ)器單元100進(jìn)行讀取的讀取操作,如wlb的“readb”脈沖所示。已解碼的地址信號(hào)aa和ab可以對應(yīng)于存儲(chǔ)器陣列210的不同行。稍后,在該存儲(chǔ)器時(shí)鐘周期期間,pm信號(hào)230可以被設(shè)置為低以將存儲(chǔ)器陣列210置于單端口模式。在單端口模式期間,可以對第一存儲(chǔ)器單元100執(zhí)行寫輔助操作。在這樣的示例中,當(dāng)存儲(chǔ)器陣列210從雙端口模式切換到單端口模式時(shí),相同的第一字線wla可以保持激活。稍后,在該存儲(chǔ)器時(shí)鐘周期期間且在單端口模式期間,可以基于已解碼的地址信號(hào)aa來激活第二字線wlb,以對第一存儲(chǔ)器單元100執(zhí)行寫輔助操作(即,“writea”操作),如上所述。由此,可以基于已解碼的地址信號(hào)aa來激活第一字線wla和第二字線wlb,以對第一存儲(chǔ)器單元100執(zhí)行寫輔助操作。此外,在陣列210的單模式工作期間初始激活第一字線wla與在陣列210的雙模式工作期間激活第二字線wlb之間的時(shí)間段可以大于或等于在與其他存儲(chǔ)器單元100相關(guān)聯(lián)的互補(bǔ)位線對上充分衰減電荷所需的時(shí)間延遲,該其他存儲(chǔ)器單元100與第一存儲(chǔ)器單元100在相同行上。由此,使用第一字線wla和第二字線wlb對第一存儲(chǔ)器單元100執(zhí)行寫輔助操作,存儲(chǔ)器單元100可避免注入將會(huì)干擾相同行的一個(gè)或多個(gè)其它單元100中的存儲(chǔ)值的電荷。
在單個(gè)存儲(chǔ)器時(shí)鐘周期期間在單端口模式和雙端口模式之間切換存儲(chǔ)器陣列210可以允許在該存儲(chǔ)器時(shí)鐘周期期間多次激活具體的字線集合。在單個(gè)存儲(chǔ)器時(shí)鐘周期期間對具體字線集合(即,wla或wlb)訪問兩次可被稱為雙泵送(double-pumping),如以上示例的情況。
也可以執(zhí)行類似于圖6的其他示例。在一個(gè)這樣的示例中,在存儲(chǔ)器時(shí)鐘周期期間對第一存儲(chǔ)器單元100執(zhí)行寫輔助操作(即,單端口模式期間的“writea”操作)之前,可基于已解碼的地址信號(hào)aa來激活與第一存儲(chǔ)器單元100相關(guān)聯(lián)的第一字線wla,以執(zhí)行對第一存儲(chǔ)器單元100的寫操作,且在存儲(chǔ)器陣列210在雙端口模式下工作的情況下,可基于已解碼的地址信號(hào)ab來激活第二字線wlb,以執(zhí)行從第二存儲(chǔ)器單元100進(jìn)行讀取的讀取操作(即,“readb”操作)。然而,在該示例中,已解碼的地址信號(hào)aa和ab可以對應(yīng)于存儲(chǔ)器陣列210的相同行。因此,為了避免干擾相同行上的其他單元100的存儲(chǔ)值,可僅在從第一字線wla被激活以用于writea操作起已經(jīng)過去時(shí)間延遲之后,才激活第二字線wlb以用于readb操作。稍后,在該存儲(chǔ)器時(shí)鐘周期期間,pm信號(hào)230可以被設(shè)置為低以將存儲(chǔ)器陣列210置于單端口模式。在單端口模式期間,可以對第一存儲(chǔ)器單元100執(zhí)行寫輔助操作。在這樣的示例中,在存儲(chǔ)器陣列210從雙端口模式切換到單端口模式時(shí),相同的第一字線wla和相同的第二字線wlb可保持激活,因?yàn)檫@些字線已經(jīng)對應(yīng)于第一存儲(chǔ)器單元100的行。具體地,稍后,在存儲(chǔ)器時(shí)鐘周期期間且在單端口模式期間,第一字線wla和第二字線wlb可以用于基于已解碼的地址信號(hào)aa來執(zhí)行對第一存儲(chǔ)器單元100的寫輔助操作,如上所述。
在另一示例中,在存儲(chǔ)器時(shí)鐘周期期間對第一存儲(chǔ)器單元100執(zhí)行寫輔助操作(即,單端口模式期間的“writea”操作)之前,可基于已解碼的地址信號(hào)aa來激活與第一存儲(chǔ)器單元100相關(guān)聯(lián)的第一字線wla,以執(zhí)行從第一存儲(chǔ)器單元100進(jìn)行讀取的讀取操作,且在存儲(chǔ)器陣列210在雙端口模式下工作的情況下,可基于已解碼的地址信號(hào)ab來激活第二字線wlb,以執(zhí)行從第二存儲(chǔ)器單元100進(jìn)行讀取的讀取操作。已解碼的地址信號(hào)aa和ab可以對應(yīng)于存儲(chǔ)器陣列210的不同行。稍后,在該存儲(chǔ)器時(shí)鐘周期期間,pm信號(hào)230可以被設(shè)置為低以將存儲(chǔ)器陣列210置于單端口模式。在單端口模式期間,可以對第一存儲(chǔ)器單元100執(zhí)行寫輔助操作。在這樣的示例中,當(dāng)存儲(chǔ)器陣列210從雙端口模式切換到單端口模式時(shí),相同的第一字線wla可以保持激活。稍后,在該存儲(chǔ)器時(shí)鐘周期期間且在單端口模式期間,可以基于已解碼的地址信號(hào)aa來激活第二字線wlb,以對第一存儲(chǔ)器單元100執(zhí)行寫輔助操作(即,“writea”操作),如上所述。由此,可以基于已解碼的地址信號(hào)aa來激活第一字線wla和第二字線wlb,以對第一存儲(chǔ)器單元100執(zhí)行寫輔助操作。此外,在陣列210的單模式工作期間初始激活第一字線wla與在陣列210的雙模式工作期間激活第二字線wlb之間的時(shí)間段可以大于或等于在與其他存儲(chǔ)器單元100相關(guān)聯(lián)的互補(bǔ)位線對上充分衰減電荷所需的時(shí)間延遲,該其他存儲(chǔ)器單元100與第一存儲(chǔ)器單元100在相同行上。由此,使用第一字線wla和第二字線wlb對第一存儲(chǔ)器單元100執(zhí)行寫輔助操作,存儲(chǔ)器單元100可避免注入將會(huì)干擾相同行的一個(gè)或多個(gè)其它單元100中的存儲(chǔ)值的電荷。
在另一示例中,在存儲(chǔ)器時(shí)鐘周期期間對第一存儲(chǔ)器單元100執(zhí)行寫輔助操作(即,單端口模式期間的“writea”操作)之前,可基于已解碼的地址信號(hào)aa來激活與第一存儲(chǔ)器單元100相關(guān)聯(lián)的第一字線wla,以執(zhí)行從第一存儲(chǔ)器單元100進(jìn)行讀取的讀取操作,且在存儲(chǔ)器陣列210在雙端口模式下工作的情況下,可基于已解碼的地址信號(hào)ab來激活第二字線wlb,以執(zhí)行從第二存儲(chǔ)器單元100進(jìn)行讀取的讀取操作。然而,在該示例中,已解碼的地址信號(hào)aa和ab可以對應(yīng)于存儲(chǔ)器陣列210的相同行。因此,為了避免干擾在相同行上的其他單元100的存儲(chǔ)值,可僅在從第一字線wla被激活起已經(jīng)過去第一時(shí)間延遲之后才激活第二字線wlb,上文關(guān)于讀取輔助機(jī)制對此進(jìn)行了討論。稍后,在該存儲(chǔ)器時(shí)鐘周期期間,pm信號(hào)230可以被設(shè)置為低以將存儲(chǔ)器陣列210置于單端口模式。在單端口模式期間,可以對第一存儲(chǔ)器單元100執(zhí)行寫輔助操作。在這樣的示例中,在存儲(chǔ)器陣列210從雙端口模式切換到單端口模式時(shí),相同的第一字線wla和相同的第二字線wlb可保持激活,因?yàn)檫@些字線已經(jīng)對應(yīng)于第一存儲(chǔ)器單元100的行。具體地,稍后,在存儲(chǔ)器時(shí)鐘周期期間且在單端口模式期間,第一字線wla和第二字線wlb可以用于基于已解碼的地址信號(hào)aa來執(zhí)行對第一存儲(chǔ)器單元100的寫輔助操作,如上所述。
在另一實(shí)例中,在存儲(chǔ)器時(shí)鐘周期期間對第一存儲(chǔ)器單元100執(zhí)行寫輔助操作(即,“writea”操作)之前,可基于已解碼的地址信號(hào)aa來激活與第一存儲(chǔ)器單元100相關(guān)聯(lián)的第一字線wla,以執(zhí)行從第一存儲(chǔ)器單元100進(jìn)行讀取的讀取操作。然而,存儲(chǔ)器陣列210可以在單端口模式下工作,其中第二字線wlb可以不被激活。由此,如上文關(guān)于讀取輔助機(jī)制所論述的,可僅使用第一字線wla來執(zhí)行讀取操作。稍后,在該存儲(chǔ)器時(shí)鐘周期期間,pm信號(hào)230可以被設(shè)置為使得存儲(chǔ)器陣列210保持在單端口模式下。具體地,稍后,在該存儲(chǔ)器時(shí)鐘周期期間且在單端口模式期間,可以對第一存儲(chǔ)器單元100執(zhí)行寫輔助操作。在這樣的示例中,當(dāng)存儲(chǔ)器陣列210從雙端口模式切換到單端口模式時(shí),相同的第一字線wla可以保持激活。稍后,在該存儲(chǔ)器時(shí)鐘周期期間且在單端口模式期間,可以基于已解碼的地址信號(hào)aa來激活第二字線wlb,以對第一存儲(chǔ)器單元100執(zhí)行寫輔助操作(即,“writea”操作),如上所述。由此,可以基于已解碼的地址信號(hào)aa來激活第一字線wla和第二字線wlb,以對第一存儲(chǔ)器單元100執(zhí)行寫輔助操作。此外,初始激活第一字線wla與激活第二字線wlb之間的時(shí)間段可以大于或等于在與其他存儲(chǔ)器單元100相關(guān)聯(lián)的互補(bǔ)位線對上充分衰減電荷所需的時(shí)間延遲,該其他存儲(chǔ)器單元100與第一存儲(chǔ)器單元100在相同行上。由此,使用第一字線wla和第二字線wlb對第一存儲(chǔ)器單元100執(zhí)行寫輔助操作,存儲(chǔ)器單元100可避免注入將會(huì)干擾相同行的一個(gè)或多個(gè)其它單元100中的存儲(chǔ)值的電荷。
如本領(lǐng)域技術(shù)人員已知的,也可以實(shí)現(xiàn)在單個(gè)存儲(chǔ)器時(shí)鐘周期期間在單端口模式和雙端口模式之間切換存儲(chǔ)器陣列210的其它類似示例。然而,應(yīng)注意,某些示例可能不由上文關(guān)于圖2-5論述的存儲(chǔ)器設(shè)備200來執(zhí)行。在一個(gè)這樣的示例中,在該存儲(chǔ)器時(shí)鐘周期期間對第一存儲(chǔ)器單元100執(zhí)行寫輔助操作(即,“writea”操作)之前,不管是對陣列210的相同行還是不同行而言,第一字線wla和第二字線wlb可以不都被用于對存儲(chǔ)器陣列210執(zhí)行寫操作。
在另一實(shí)現(xiàn)中,存儲(chǔ)器設(shè)備200可被配置為對在雙端口模式下工作的存儲(chǔ)器陣列210執(zhí)行旁路操作。在這樣的操作中,存儲(chǔ)器陣列210可被用于使用來自第一端口(例如端口a)的數(shù)據(jù)在單端口模式下對具體單元100執(zhí)行寫操作,并且用于在雙端口模式下執(zhí)行從相同單元100進(jìn)行讀取的讀取操作,以使用第二端口(例如,端口b)從設(shè)備200進(jìn)行傳送。在這種實(shí)現(xiàn)中,在單個(gè)存儲(chǔ)器時(shí)鐘周期的開始處,pm信號(hào)230可以被設(shè)置為低,以將存儲(chǔ)器陣列210置于單端口模式。此外,在該存儲(chǔ)器時(shí)鐘周期的開始處,可以基于來自端口a的已解碼的地址信號(hào)aa激活與第一存儲(chǔ)器單元100相關(guān)聯(lián)的第二字線wlb,以對第一存儲(chǔ)器單元100執(zhí)行寫操作,其中從端口a的數(shù)據(jù)輸入da接收要寫入的數(shù)據(jù)。然后,可以基于已解碼的地址信號(hào)aa激活與存儲(chǔ)器單元100相關(guān)聯(lián)的第一字線wla,以用于寫輔助操作,其中,僅在從第二字線wlb被激活起已經(jīng)過時(shí)間延遲之后才激活第一字線wla,以還將數(shù)據(jù)輸入da寫入存儲(chǔ)器單元100中。稍后,在該存儲(chǔ)器時(shí)鐘周期期間,pm信號(hào)230可以被設(shè)置為高,以將存儲(chǔ)器陣列210置于雙端口模式。由此,稍后,在該存儲(chǔ)器時(shí)鐘周期期間且在雙端口模式期間,第二字線wlb可以保持活躍且用于執(zhí)行從存儲(chǔ)器單元100進(jìn)行讀取的讀取操作,其中從存儲(chǔ)器單元100讀取出數(shù)據(jù)來作為端口b的數(shù)據(jù)輸出qb。在讀取操作期間,第一字線wla可用于執(zhí)行寫操作。也可以使用本領(lǐng)域技術(shù)人員已知的旁路操作的其他實(shí)現(xiàn)。
圖7示出了根據(jù)本文描述的各種實(shí)現(xiàn)的在存儲(chǔ)器設(shè)備中使用pm信號(hào)的方法700的過程流程圖。應(yīng)當(dāng)理解,雖然方法700指出操作的具體執(zhí)行順序,但在一些實(shí)現(xiàn)中,操作的某些部分可能以不同的順序并且在不同的系統(tǒng)上執(zhí)行。此外,在一些實(shí)現(xiàn)中,可以向該方法添加額外的操作或框。同樣地,可以省略一些操作或框。
在框710處,存儲(chǔ)器設(shè)備可被配置為經(jīng)由第一端口接收第一地址信號(hào)。例如,如圖2所示,存儲(chǔ)器設(shè)備200可被配置為經(jīng)由端口a接收地址信號(hào)aa。
在框720處,存儲(chǔ)器設(shè)備可被配置為經(jīng)由第二端口接收第二地址信號(hào)。例如,如圖2所示,存儲(chǔ)器設(shè)備200可以被配置為經(jīng)由端口b接收地址信號(hào)ab。
在框730處,存儲(chǔ)器設(shè)備可被配置為接收pm信號(hào)。如圖2所示,存儲(chǔ)器設(shè)備200可被配置為接收pm信號(hào)230。在一個(gè)實(shí)現(xiàn)中,pm信號(hào)可由存儲(chǔ)器設(shè)備(例如經(jīng)由輸入引腳)接收。在另一實(shí)現(xiàn)中,pm信號(hào)可由存儲(chǔ)器設(shè)備基于其它信號(hào)(例如,內(nèi)部存儲(chǔ)器時(shí)鐘、存儲(chǔ)器使能信號(hào)、寫入使能信號(hào)和/或本領(lǐng)域技術(shù)人員已知的任何其它信號(hào))導(dǎo)出。
在框740處,存儲(chǔ)器設(shè)備可被配置為基于第一地址信號(hào)選擇性地激活存儲(chǔ)器陣列的多個(gè)第一字線中的一個(gè)第一字線。例如,如圖3所示,訪問控制電路220可以包括第一控制電路222,其可以與字線驅(qū)動(dòng)器235結(jié)合使用,以基于地址信號(hào)aa選擇性地激活陣列210的第一字線wla中的一個(gè)第一字線。此外,輸入/輸出電路240可以使用第一控制電路222來選擇性地激活陣列210的第一互補(bǔ)位線對bla、nbla中的一個(gè)第一互補(bǔ)位線對。
在框750處,存儲(chǔ)器設(shè)備可被配置為基于指派的地址信號(hào)選擇性地激活存儲(chǔ)器陣列的多個(gè)第二字線中的一個(gè)第二字線。例如,如圖3所示,訪問控制電路220可以包括第二控制電路224,其可以與字線驅(qū)動(dòng)器235結(jié)合使用,以選擇性地激活陣列210的第二字線wlb中的一個(gè)第二字線。具體地,第二控制電路224可以包括地址選擇電路530,其可以用于基于pm信號(hào)230來選擇指派的地址信號(hào)(參見圖5)。此外,第二控制電路224可以用于選擇性地激活陣列210的第二互補(bǔ)位線對blb、nblb中的一個(gè)第二互補(bǔ)位線對。
總之,存儲(chǔ)器設(shè)備可以使用pm信號(hào)在單端口模式和雙端口模式之間切換存儲(chǔ)器陣列。因此,在低電壓環(huán)境中操作的存儲(chǔ)器設(shè)備可以包括存儲(chǔ)器陣列,該存儲(chǔ)器陣列可例如通過使用存儲(chǔ)器設(shè)備的輸入引腳輸入pm信號(hào)的值來在雙端口模式和單端口模式中操作。具體地,諸如讀取-讀取操作或讀取-寫操作的雙端口操作可在可有益于寫輔助操作的執(zhí)行的延遲時(shí)間段期間執(zhí)行。
本文提供的描述可以涉及具體實(shí)現(xiàn)。應(yīng)當(dāng)理解,本文提供的討論是為了使本領(lǐng)域普通技術(shù)人員能夠制作和使用在本文中由權(quán)利要求的主題所限定的任何主題而提供的。
應(yīng)當(dāng)意指的是,權(quán)利要求的主題不限于本文提供的實(shí)現(xiàn)和說明,而是包括這些實(shí)現(xiàn)的修改形式,包括根據(jù)權(quán)利要求的實(shí)現(xiàn)的各部分以及不同實(shí)現(xiàn)的各要素的組合。應(yīng)該理解在任何這種實(shí)現(xiàn)的開發(fā)中,如在任何工程或設(shè)計(jì)項(xiàng)目中,應(yīng)當(dāng)做出許多實(shí)現(xiàn)特定的決定以達(dá)到開發(fā)者的特定目標(biāo),例如服從與系統(tǒng)相關(guān)和業(yè)務(wù)相關(guān)的約束,這可能在實(shí)現(xiàn)之間不同。此外,應(yīng)理解這種開發(fā)嘗試可能是復(fù)雜的并消耗時(shí)間的,但依然是受益于本公開的本領(lǐng)域普通技術(shù)人員慣常的設(shè)計(jì)、制作和制造。
已經(jīng)詳細(xì)參考了各種實(shí)現(xiàn),其示例在附圖和圖中示出。在詳細(xì)描述中,闡述了許多具體細(xì)節(jié)以提供對本文所提供的公開的透徹理解。然而,本文提供的公開可以在沒有這些具體細(xì)節(jié)的情況下實(shí)施。在一些其它實(shí)例中,沒有詳細(xì)描述公知的方法、過程、組件、電路和網(wǎng)絡(luò),以免不必要地模糊實(shí)施例的細(xì)節(jié)。
還應(yīng)當(dāng)理解,盡管術(shù)語第一、第二等在本文中可以用于描述各種元素,但是這些元素不應(yīng)受這些術(shù)語限制。這些術(shù)語僅用于將一個(gè)元素與另一個(gè)元素區(qū)分開。例如,第一元素可以被稱為第二元素,并且類似地,第二元素可以被稱為第一元素。第一元素和第二元素分別都是元素,但是它們不被認(rèn)為是相同的元素。
在本文提供的本公開的描述中使用的術(shù)語是為了描述具體實(shí)現(xiàn),而不旨在限制本文提供的公開。除非上下文另有明確說明,在本文提供的本公開的描述和所附權(quán)利要求中使用的單數(shù)形式“一”、“一個(gè)”和“該”也旨在包括復(fù)數(shù)形式。本文所使用的術(shù)語“和/或”指代并包括一個(gè)或多個(gè)相關(guān)聯(lián)的所列項(xiàng)目的任何和所有可能的組合。當(dāng)在本說明書中使用時(shí),術(shù)語“包括”和/或“包含”指定所述的特征、整數(shù)、步驟、操作、元素和/或組件的存在,但不排除一個(gè)或多個(gè)其它特征、整數(shù)、步驟、操作、元素、組件和/或其組合的存在或添加。
如本文所使用的,根據(jù)上下文,術(shù)語“如果”可以被解釋為表示“在...的時(shí)候”或“在...時(shí)”或“響應(yīng)于確定...”或“響應(yīng)于檢測...”。類似地,取決于上下文,短語“如果確定”或“如果檢測到[所述的條件或事件]”可以被解釋為意指“在確定...時(shí)”或“響應(yīng)于確定..”或“在檢測到[所述條件或事件]時(shí)”或“響應(yīng)于檢測到[所述條件或事件]”。術(shù)語“上”和“下”;“更高”和“更低”;“向上”和“向下”;“下面”和“上面”;以及指示在給定點(diǎn)或元素上方或下方的相對位置的其它類似術(shù)語可結(jié)合本文所述的各種技術(shù)的一些實(shí)現(xiàn)來使用。
雖然前述內(nèi)容涉及本文所描述的各種技術(shù)的實(shí)現(xiàn),但可根據(jù)本文的公開(其可由所附權(quán)利要求書確定)來設(shè)計(jì)其它實(shí)現(xiàn)和進(jìn)一步的實(shí)現(xiàn)。盡管已經(jīng)以對結(jié)構(gòu)特征和/或方法動(dòng)作特定的語言描述了主題,但是應(yīng)當(dāng)理解的是,在所附權(quán)利要求中限定的主題不必受限于以上描述的特定特征或動(dòng)作。相反,上面描述的特定特征和動(dòng)作是作為實(shí)現(xiàn)權(quán)利要求的示例形式而公開的。