本發(fā)明涉及電子技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種信息處理方法及存儲設(shè)備。

背景技術(shù)：

存儲型閃存Nand Flash是一種非易失性存儲介質(zhì)，相對于機械硬盤具有讀寫速度快的特點；但是可能存在的問題是：容易產(chǎn)生錯誤，需要較為負載的糾錯碼以及其他配到機制對用戶數(shù)據(jù)記性處理，以確保存儲的可靠性。

在向Nand Flash進行寫數(shù)據(jù)時，需要向Nand Flash中的晶體管進行充電，接收晶體管反饋充電后的電壓閾值Vth(threshold Voltage)；在從Nand Flash讀數(shù)據(jù)時，通過向晶體管所在的電路施加參考電壓Vref(reference Voltage)，利用Vref的電壓作用于電路，看電路的導通狀況，確定出所述Vth，從而獲得Vth對應的數(shù)據(jù)。但是后續(xù)發(fā)現(xiàn)寫入Nand Flash的電壓會發(fā)生偏移，導致這種偏移的現(xiàn)象有很多種，例如溫度等。這樣的話，就會導致在讀取Nand Flash發(fā)生錯誤，導致存儲的可靠性低。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

有鑒于此，本發(fā)明實施例期望提供的信息處理方法及存儲設(shè)備，至少解決上述問題之一。

為達到上述目的，本發(fā)明的技術(shù)方案是這樣實現(xiàn)的：

本發(fā)明實施例第一方面提供一種信息處理方法，包括：

檢測寫入數(shù)據(jù)時存儲介質(zhì)的第一參數(shù)的第一參數(shù)值；其中，所述第一參數(shù)包括導致所述存儲介質(zhì)的存儲特性變化的環(huán)境參數(shù)；

基于所述第一參數(shù)值，向所述存儲介質(zhì)施加與待寫入數(shù)據(jù)對應的第一電壓；

檢測讀取數(shù)據(jù)時所述存儲介質(zhì)的所述第一參數(shù)的第二參數(shù)值；

基于所述第二參數(shù)值，確定用于從所述存儲介質(zhì)讀取數(shù)據(jù)的第二電壓；

向所述存儲介質(zhì)施加所述第二電壓，并基于所述第二電壓的壓值獲得所需讀取的數(shù)據(jù)。

基于上述方案，所述方法還包括：

預先確定所述第一參數(shù)的不同參數(shù)值與作用于所述存儲介質(zhì)的作用電壓之間的映射關(guān)系信息；

所述基于所述第一參數(shù)值，向所述存儲介質(zhì)施加與待寫入數(shù)據(jù)對應的第一電壓，包括：

基于所述第一參數(shù)值查詢所述映射關(guān)系信息，確定所述第一電壓；

所述基于所述第二參數(shù)值，確定用于從所述存儲介質(zhì)讀取數(shù)據(jù)的第二電壓，包括：

基于所述第二參數(shù)值，查詢所述映射關(guān)系信息，確定所述第二電壓。

基于上述方案，所述映射關(guān)系信息包括：以第三參數(shù)值為基準參數(shù)值時，對應于所述第一參數(shù)值的第一預設(shè)電壓信息，及以所述第三參數(shù)值為基準參數(shù)值時，對應于所述第二參數(shù)值的第二預設(shè)電壓信息；

所述基于所述第一參數(shù)值查詢所述映射關(guān)系信息，確定所述第一電壓，包括：

以所述第一參數(shù)值查詢依據(jù)，查詢所述第一預設(shè)電壓信息，確定所述第一電壓；

向所述存儲介質(zhì)施加所述第一電壓；

所述基于所述第二參數(shù)值，查詢所述映射關(guān)系信息，確定所述第二電壓，包括:

以所述第二參數(shù)值查詢依據(jù)，查詢所述第二預設(shè)電壓信息，確定所述第二電壓。

基于上述方案，所述映射關(guān)系信息包括：以第三參數(shù)值為基準參數(shù)值設(shè)定的第一預設(shè)電壓偏移信息；

所述基于所述第一參數(shù)值，向所述存儲介質(zhì)施加與待寫入數(shù)據(jù)對應的第一電壓，包括：

以所述第一參數(shù)值查詢依據(jù)，查詢所述第一預設(shè)電壓偏移信息，確定第一電壓偏移量；

查詢以所述第三參數(shù)值為基準參數(shù)值設(shè)定的與所述待寫入數(shù)據(jù)對應的第三電壓；

基于所述第三電壓與所述第一電壓偏移量，確定所述第一電壓；

向所述存儲介質(zhì)施加所述第一電壓；

所述基于所述第二參數(shù)值，查詢所述映射關(guān)系信息，確定所述第二電壓，包括：

以所述第二參數(shù)值為查詢依據(jù)，查詢以所述第一預設(shè)電壓偏移信息，確定第二電壓偏移量；

查詢以所述第三參數(shù)值為基準參數(shù)值設(shè)定的第四電壓；

基于第二電壓偏移量和所述第四電壓，確定所述第二電壓。

基于上述方案，所述第一參數(shù)包括溫度和濕度的至少其中之一。

本發(fā)明實施例第二方面提供一種存儲設(shè)備，包括存儲介質(zhì)、控制器和傳感器；

所述傳感器，用于檢測寫入數(shù)據(jù)時所述存儲介質(zhì)的第一參數(shù)的第一參數(shù)值；其中，所述第一參數(shù)包括導致所述存儲介質(zhì)的存儲特性變化的環(huán)境參數(shù)；

所述控制器，用于基于所述第一參數(shù)值，向所述存儲介質(zhì)施加與待寫入數(shù)據(jù)對應的第一電壓；

所述傳感器，還用于檢測讀取數(shù)據(jù)時所述存儲介質(zhì)的所述第一參數(shù)的第二參數(shù)值；

所述控制器，還用于基于所述第二參數(shù)值，確定用于從所述存儲介質(zhì)讀取數(shù)據(jù)的第二電壓；向所述存儲介質(zhì)施加所述第二電壓，并基于所述第二電壓的壓值獲得所需讀取的數(shù)據(jù)。

基于上述方案，所述控制器，還用于預先確定所述第一參數(shù)的不同參數(shù)值與作用于所述存儲介質(zhì)的作用電壓之間的映射關(guān)系信息；

所述控制器，具體用于基于所述第一參數(shù)值，查詢所述映射關(guān)系信息，確定所述第一電壓；并基于所述第二參數(shù)值，查詢所述映射關(guān)系信息，確定所述第二電壓。

基于上述方案，所述映射關(guān)系信息包括：以第三參數(shù)值為基準參數(shù)值時，對應于所述第一參數(shù)值的第一預設(shè)電壓信息，及以所述第三參數(shù)值為基準參數(shù)值時，對應于所述第二參數(shù)值的第二預設(shè)電壓信息；

所述控制器，具體用于以所述第一參數(shù)值查詢依據(jù)，查詢所述第一預設(shè)電壓信息，確定所述第一電壓；向所述存儲介質(zhì)施加所述第一電壓；

所述控制器，還用于以所述第二參數(shù)值查詢依據(jù)，查詢所述第二預設(shè)電壓信息，確定所述第二電壓。

基于上述方案，所述映射關(guān)系信息包括：以第三參數(shù)值為基準參數(shù)值設(shè)定的第一電壓偏移信息；

所述控制器，具體用于以所述第一參數(shù)值查詢依據(jù)，查詢所述第一預設(shè)電壓偏移信息，確定第一電壓偏移量；查詢以所述第三參數(shù)值為基準參數(shù)值設(shè)定的與所述待寫入數(shù)據(jù)對應的第三電壓；基于所述第三電壓與所述第一電壓偏移量，確定所述第一電壓；向所述存儲介質(zhì)施加所述第一電壓；

所述控制器，還用于以所述第二參數(shù)值為查詢依據(jù)，查詢以所述預設(shè)電壓偏移信息，確定第二電壓偏移量；查詢以所述第三參數(shù)值為基準參數(shù)值設(shè)定的第四電壓；基于第二電壓偏移量和所述第四電壓，確定所述第二電壓。

基于上述方案，所述第一參數(shù)包括溫度和濕度的至少其中之一。

本發(fā)明實施例提供的信息處理方法及存儲設(shè)備，在進行數(shù)據(jù)存儲及讀取的時候，均會檢測當前的第一參數(shù)的參數(shù)值，而第一參數(shù)是會影響存儲介質(zhì)的存儲特性的環(huán)境參數(shù)，在寫入數(shù)據(jù)時根據(jù)當前第一參數(shù)值確定向介質(zhì)施加的第一電壓，在讀取數(shù)據(jù)時根據(jù)當前的第二參數(shù)值，向存儲介質(zhì)施加第二電壓，這樣可以減少因第一參數(shù)的影響，導致存儲介質(zhì)的存儲特性的變化，而導致的作用于存儲介質(zhì)作用電壓的變更，進而導致的存儲數(shù)據(jù)錯誤或讀取的數(shù)據(jù)錯誤，從而提升數(shù)據(jù)存儲及讀取的精確性，從而提升了存儲設(shè)備整體存儲的可靠性。

附圖說明

圖1為本發(fā)明實施例提供的第一種信息處理方法的流程示意圖；

圖2為本發(fā)明實施例提供的一種電子設(shè)備的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3為本發(fā)明實施例提供的第二種信息處理方法的流程示意圖。

具體實施方式

以下結(jié)合說明書附圖及具體實施例對本發(fā)明的技術(shù)方案做進一步的詳細闡述。

實施例一：

如圖1所示，本實施例提供一種信息處理方法，包括：

步驟S110：檢測寫入數(shù)據(jù)時存儲介質(zhì)的第一參數(shù)的第一參數(shù)值；其中，所述第一參數(shù)包括導致所述存儲介質(zhì)的存儲特性變化的環(huán)境參數(shù)；

步驟S120：基于所述第一參數(shù)值，向所述存儲介質(zhì)施加與待寫入數(shù)據(jù)對應的第一電壓；

步驟S130：檢測讀取數(shù)據(jù)時所述存儲介質(zhì)的所述第一參數(shù)的第二參數(shù)值；

步驟S140：基于所述第二參數(shù)值，確定用于從所述存儲介質(zhì)讀取數(shù)據(jù)的第二電壓；

步驟S150：向所述存儲介質(zhì)施加所述第二電壓，并基于所述第二電壓的壓值獲得所需讀取的數(shù)據(jù)。

本實施例提供了一種信息處理方法，可用于控制存儲介質(zhì)中數(shù)據(jù)的精確讀寫，例如，控制Nand Flash等非易失性存儲介質(zhì)的數(shù)據(jù)讀寫。

在本實施例中所述第一參數(shù)為能夠影響所述存儲介質(zhì)的存儲特性的環(huán)境參數(shù)。所述環(huán)境參數(shù)可包括溫度和濕度等其中的一個或多個，所述溫度可為所述存儲介質(zhì)表明的溫度，所述濕度可為所述存儲介質(zhì)周圍的濕度。通常若一個存儲介質(zhì)位于一個空間內(nèi)，該空間內(nèi)的空氣濕度大致等于所述存儲介質(zhì)所在環(huán)境的濕度。存儲介質(zhì)在工作工程中，可能伴隨著數(shù)據(jù)的不斷的讀和寫，就可能會出現(xiàn)存儲介質(zhì)的表面溫度高于其所在空間的大環(huán)境的溫度。

在本實施例中在進行數(shù)據(jù)寫入時，會檢測數(shù)據(jù)寫入時存儲介質(zhì)的第一參數(shù)的第一參數(shù)值，當所述第一參數(shù)為溫度時，所述第一參數(shù)值可為第一溫度值。當所述第一參數(shù)為濕度時，所述第一參數(shù)值為所述第一濕度值。

不同的環(huán)境參數(shù)存儲介質(zhì)表征一個數(shù)據(jù)的存儲特性不同。在步驟S120中將根據(jù)第一參數(shù)值向存儲介質(zhì)施加第一電壓。當所述存儲介質(zhì)是由浮柵晶體管陣列構(gòu)成的時，所述浮柵晶體管在不同溫度下表征1和0所需注入的電子數(shù)不同，通常對應的施加的電壓也可以不同。在本實施例中，步驟S120將基于第一參數(shù)值來施加所述第一電壓，不會如現(xiàn)有技術(shù)中一樣，不管當前存儲介質(zhì)處于什么樣的環(huán)境中都采用電壓作用于存儲介質(zhì)。

當需要讀取存儲介質(zhì)中的數(shù)據(jù)時，也會檢測存儲介質(zhì)當前第一參數(shù)的第二參數(shù)值，第二參數(shù)值為讀取數(shù)據(jù)時刻的參數(shù)值，第一參數(shù)值為寫入數(shù)據(jù)時刻的參數(shù)值，這兩個參數(shù)值可能相同也可能不同。

在步驟S140中將根據(jù)第二參數(shù)值，確定讀取數(shù)據(jù)的第二電壓。

在步驟S150中通過向存儲介質(zhì)施加所述第二電壓，最終讀取出寫在所述存儲介質(zhì)中的數(shù)據(jù)。例如，讀取存儲介質(zhì)中的某一個比特時，該比特中寫入的數(shù)據(jù)可能是“0”，也與可能是“1”，為“0”和為“1”時對應的讀取電壓不同，故此時將有兩個或兩個以上的第二電壓，在步驟S150中分別向存儲介質(zhì)施加所述第二電壓，通過第二電壓的施加，檢測該比特的存儲單元的電特性的變化，例如，檢測該存儲單元的電子的輸出，從而確定出當前該比特存儲的是“0”還是“1”。

在本實施例中所述第二電壓是基于當前第一參數(shù)的第二參數(shù)值確定的，是充分考慮了第一參數(shù)對存儲介質(zhì)的存儲特性的影響的，從而避免了不考慮溫度和/或濕度等環(huán)境參數(shù)對存儲介質(zhì)的存儲特性影響，直接在不管是什么溫度或什么濕度情況下，都采用同一寫入電壓及讀取電壓導致的數(shù)據(jù)存儲精確度低、數(shù)據(jù)讀取精確度低的問題。

實施例二：

如圖1所示，本實施例提供一種信息處理方法，包括：

步驟S110：檢測寫入數(shù)據(jù)時存儲介質(zhì)的第一參數(shù)的第一參數(shù)值；其中，所述第一參數(shù)包括導致所述存儲介質(zhì)的存儲特性變化的環(huán)境參數(shù)；

步驟S120：基于所述第一參數(shù)值，向所述存儲介質(zhì)施加與待寫入數(shù)據(jù)對應的第一電壓；

步驟S130：檢測讀取數(shù)據(jù)時所述存儲介質(zhì)的所述第一參數(shù)的第二參數(shù)值；

步驟S140：基于所述第二參數(shù)值，確定用于從所述存儲介質(zhì)讀取數(shù)據(jù)的第二電壓；

步驟S150：向所述存儲介質(zhì)施加所述第二電壓，并基于所述第二電壓的壓值獲得所需讀取的數(shù)據(jù)。

所述方法還包括：預先確定所述第一參數(shù)的不同參數(shù)值與作用于所述存儲介質(zhì)的作用電壓之間的映射關(guān)系信息。所述作用電壓可包括前述的第一電壓和所述第二電壓。值得注意的是在本實施例中所述不同參數(shù)值與作用電壓之間的映射關(guān)系信息可為直接映射關(guān)系信息，也可以是間接映射關(guān)系信息。所述直接映射關(guān)系可包括不同參數(shù)值與作用電壓之間的直接關(guān)系，所述間接映射關(guān)系可包括不同參數(shù)值相對于基準參數(shù)值之間的作用電壓之間的偏移量，或不同參數(shù)值之間對應于同一數(shù)據(jù)的不同作用電壓之前的偏移量。這里預先去頂所述映射關(guān)系信息，可包括從本地數(shù)據(jù)庫中讀取，也包括從其他電子設(shè)備中接收。

所述步驟S120可包括：基于所述第一參數(shù)值查詢所述映射關(guān)系信息，確定所述第一電壓；

所述步驟S140可包括：基于所述第二參數(shù)值，查詢所述映射關(guān)系信息，確定所述第二電壓。

在本實施例中可以通過查詢上述關(guān)系，簡便的確定出所述第一電壓和第二電壓，不僅能夠提升數(shù)據(jù)存儲和讀取的精確度，同時還具有實現(xiàn)簡便的特點。

實施例三：

如圖1所示，本實施例提供一種信息處理方法，包括：

步驟S110：檢測寫入數(shù)據(jù)時存儲介質(zhì)的第一參數(shù)的第一參數(shù)值；其中，所述第一參數(shù)包括導致所述存儲介質(zhì)的存儲特性變化的環(huán)境參數(shù)；

步驟S120：基于所述第一參數(shù)值，向所述存儲介質(zhì)施加與待寫入數(shù)據(jù)對應的第一電壓；

步驟S130：檢測讀取數(shù)據(jù)時所述存儲介質(zhì)的所述第一參數(shù)的第二參數(shù)值；

步驟S140：基于所述第二參數(shù)值，確定用于從所述存儲介質(zhì)讀取數(shù)據(jù)的第二電壓；

步驟S150：向所述存儲介質(zhì)施加所述第二電壓，并基于所述第二電壓的壓值獲得所需讀取的數(shù)據(jù)。

所述方法還包括：預先確定所述第一參數(shù)的不同參數(shù)值與作用于所述存儲介質(zhì)的作用電壓之間的映射關(guān)系信息；所述步驟S120可包括：基于所述第一參數(shù)值查詢所述映射關(guān)系信息，確定所述第一電壓；所述步驟S140可包括：基于所述第二參數(shù)值，查詢所述映射關(guān)系信息，確定所述第二電壓。

在本實施例中，所述映射關(guān)系信息包括：以第三參數(shù)值為基準參數(shù)值時，對應于所述第一參數(shù)值的第一預設(shè)電壓信息，及以所述第三參數(shù)值為基準參數(shù)值時，對應于所述第二參數(shù)值的第二預設(shè)電壓信息。對應的，所述步驟S120可包括：以所述第一參數(shù)值查詢依據(jù)，查詢所述第一預設(shè)電壓信息，確定所述第一電壓；向所述存儲介質(zhì)施加所述第一電壓。所述步驟S140可包括:以所述第二參數(shù)值查詢依據(jù)，查詢所述第二預設(shè)電壓信息，確定所述第二電壓。

在本實施例中存儲第一預設(shè)電壓信息，該電壓信息是以第三參數(shù)值為基準參數(shù)值時，對應于不同參數(shù)值的電壓信息。這樣的話，例如，所述基準參數(shù)值為室溫25攝氏度。在所述第一預設(shè)電壓信息中包括以25攝氏度為基準溫度值的各個參數(shù)值的電壓值。

故在步驟S110中檢測當前溫度為27攝氏度，則以所述27攝氏度為查詢所述第一預設(shè)電壓信息的檢索依據(jù)，查詢與27攝氏度對應的第一電壓，在步驟S120向存儲介質(zhì)中存儲陣列的某一個或多個存儲單元施加所述第一電壓。

在讀取數(shù)據(jù)時，首先檢測數(shù)據(jù)讀取時刻的第一參數(shù)的第二參數(shù)值。例如，當前讀取的溫度為35攝氏度，則以35攝氏度為查詢依據(jù)，查詢所述第一預設(shè)電壓信息，確定出讀取數(shù)據(jù)的第二電壓。當前查詢的電壓可能包括至少兩個，一個為對應于1個比特為“0”的第二電壓，另一個為對應于1個比特為“1”的第二電壓，分別嘗試向該比特的存儲單元施加兩個第二電壓，通過檢測第二電壓施加該比特的存儲單元之后存儲單元反映，確定該比特存儲的為“1”還是“0”。

總之，在本實施例中所述第一預設(shè)電壓信息中存儲了以第三參數(shù)值為基準參數(shù)值對應的各個參數(shù)值的電壓信息。在執(zhí)行所述步驟S120和步驟S140時，可以通過查詢以當前的參數(shù)值為查詢依據(jù)，簡便的獲得所述第一電壓和所述第二電壓，具有實現(xiàn)簡便的特點。

實施例四：

如圖1所示，本實施例提供一種信息處理方法，包括：

步驟S110：檢測寫入數(shù)據(jù)時存儲介質(zhì)的第一參數(shù)的第一參數(shù)值；其中，所述第一參數(shù)包括導致所述存儲介質(zhì)的存儲特性變化的環(huán)境參數(shù)；

步驟S120：基于所述第一參數(shù)值，向所述存儲介質(zhì)施加與待寫入數(shù)據(jù)對應的第一電壓；

步驟S130：檢測讀取數(shù)據(jù)時所述存儲介質(zhì)的所述第一參數(shù)的第二參數(shù)值；

步驟S140：基于所述第二參數(shù)值，確定用于從所述存儲介質(zhì)讀取數(shù)據(jù)的第二電壓；

步驟S150：向所述存儲介質(zhì)施加所述第二電壓，并基于所述第二電壓的壓值獲得所需讀取的數(shù)據(jù)。

所述方法還包括：預先確定所述第一參數(shù)的不同參數(shù)值與作用于所述存儲介質(zhì)的作用電壓之間的映射關(guān)系信息；所述步驟S120可包括：基于所述第一參數(shù)值查詢所述映射關(guān)系信息，確定所述第一電壓；所述步驟S140可包括：基于所述第二參數(shù)值，查詢所述映射關(guān)系信息，確定所述第二電壓。

在本實施例中，所述映射關(guān)系信息包括：以第三參數(shù)值為基準參數(shù)值設(shè)定的第一預設(shè)電壓偏移信息；則所述步驟S120可包括：以所述第一參數(shù)值查詢依據(jù)，查詢所述第一預設(shè)電壓偏移信息，確定第一電壓偏移量；查詢以所述第三參數(shù)值為基準參數(shù)值設(shè)定的與所述待寫入數(shù)據(jù)對應的第三電壓；基于所述第三電壓與所述第一電壓偏移量，確定所述第一電壓；向所述存儲介質(zhì)施加所述第一電壓。當然所述映射關(guān)系信息還可包括所述第三參數(shù)值與第三電壓的對應股權(quán)安溪。對應地，所述步驟S140可包括：以所述第二參數(shù)值為查詢依據(jù)，查詢以所述第一預設(shè)電壓偏移信息，確定第二電壓偏移量；查詢以所述第三參數(shù)值為基準參數(shù)值設(shè)定的第四電壓；基于第二電壓偏移量和所述第四電壓，確定所述第二電壓。

在本實施例中存儲的第一預設(shè)電壓偏移量信息，再結(jié)合基準參數(shù)值的第三電壓，就可以知道任意一個所述第一參數(shù)的不同參數(shù)值對應的電壓。從而也能夠簡便的確定出所述第一電壓和所述第二電壓，本實施例提供的所述第一預設(shè)電壓偏移量信息為存儲電壓不同參數(shù)值相對于基準參數(shù)值的電壓偏移量的信息，是一種間接映射關(guān)系。

同樣的本實施例提供的信息處理方法，同樣具有數(shù)據(jù)存儲和讀取簡便的特點的同時，還具有實現(xiàn)簡便的特點。

實施例五：

如圖2所示，本實施例提供一種存儲設(shè)備，包括存儲介質(zhì)110、控制器120和傳感器130；

所述傳感器130，用于檢測寫入數(shù)據(jù)時所述存儲介質(zhì)110的第一參數(shù)的第一參數(shù)值；其中，所述第一參數(shù)包括導致所述存儲介質(zhì)110的存儲特性變化的環(huán)境參數(shù)；

所述控制器120，用于基于所述第一參數(shù)值，向所述存儲介質(zhì)110施加與待寫入數(shù)據(jù)對應的第一電壓；

所述傳感器130，還用于檢測讀取數(shù)據(jù)時所述存儲介質(zhì)的所述第一參數(shù)的第二參數(shù)值；

所述控制器120，還用于基于所述第二參數(shù)值，確定用于從所述存儲介質(zhì)讀取數(shù)據(jù)的第二電壓；向所述存儲介質(zhì)施加所述第二電壓，并基于所述第二電壓的壓值獲得所需讀取的數(shù)據(jù)。

所述存儲介質(zhì)可為flash等各種類型的存儲介質(zhì)。本實施例提供的傳感器130可為各種能夠檢測所述存儲介質(zhì)的所在環(huán)境的環(huán)境參數(shù)的傳感器，例如，溫度傳感器。所述控制器可對應于處理器或處理電路。所述處理器可包括中央處理器CPU、數(shù)字信號處理器DSP、可編程陣列PLC、應用處理器AP或微處理器MCU等各種類型的處理器，所述處理電路可包括專用集成電路。在本實施例中所述控制器120、傳感器130及所述存儲介質(zhì)110可通過數(shù)據(jù)總線和/或控制總線等通信總線連接。這里的通信總線可包括PCI總線或IIC總線等。所述控制器120將根據(jù)所述傳感器130檢測到第一參數(shù)的參數(shù)值，確定作用于存儲介質(zhì)的第一電壓和第二電壓，這樣可以實現(xiàn)數(shù)據(jù)存儲及讀取的精確性控制，且具有實現(xiàn)簡便的特點。

在本實施例中所述第一參數(shù)可包括溫度和/或濕度的至少其中之一。當然在具體實現(xiàn)時，不局限于溫度和濕度這兩個環(huán)境參數(shù)，還可以是會影響存儲介質(zhì)110的存儲特性的其他環(huán)境參數(shù)。

實施例六：

如圖2所示，本實施例提供一種存儲設(shè)備，包括存儲介質(zhì)110、控制器120和傳感器130；

所述傳感器130，用于檢測寫入數(shù)據(jù)時所述存儲介質(zhì)110的第一參數(shù)的第一參數(shù)值；其中，所述第一參數(shù)包括導致所述存儲介質(zhì)110的存儲特性變化的環(huán)境參數(shù)；

所述控制器120，用于基于所述第一參數(shù)值，向所述存儲介質(zhì)110施加與待寫入數(shù)據(jù)對應的第一電壓；

所述傳感器130，還用于檢測讀取數(shù)據(jù)時所述存儲介質(zhì)的所述第一參數(shù)的第二參數(shù)值；

所述控制器120，還用于基于所述第二參數(shù)值，確定用于從所述存儲介質(zhì)讀取數(shù)據(jù)的第二電壓；向所述存儲介質(zhì)施加所述第二電壓，并基于所述第二電壓的壓值獲得所需讀取的數(shù)據(jù)。

所述控制器120，還用于預先確定所述第一參數(shù)的不同參數(shù)值與作用于所述存儲介質(zhì)的作用電壓之間的映射關(guān)系信息；

所述控制器120，具體用于基于所述第一參數(shù)值，查詢所述映射關(guān)系信息，確定所述第一電壓；并基于所述第二參數(shù)值，查詢所述映射關(guān)系信息，確定所述第二電壓。

在本實施例中所述控制器120可通過讀取本地存儲介質(zhì)110，來確定所述映射關(guān)系信息，也可以通過存儲設(shè)備的外部通信接口從其他設(shè)備接收所述映射關(guān)系信息。

所述控制器120通過查詢所述映射關(guān)系，確定所述第一電壓和第二電壓，具有實現(xiàn)簡便的特點。

實施例七：

如圖2所示，本實施例提供一種存儲設(shè)備，包括存儲介質(zhì)110、控制器120和傳感器130；

所述傳感器130，用于檢測寫入數(shù)據(jù)時所述存儲介質(zhì)110的第一參數(shù)的第一參數(shù)值；其中，所述第一參數(shù)包括導致所述存儲介質(zhì)110的存儲特性變化的環(huán)境參數(shù)；

所述控制器120，用于基于所述第一參數(shù)值，向所述存儲介質(zhì)110施加與待寫入數(shù)據(jù)對應的第一電壓；

所述傳感器130，還用于檢測讀取數(shù)據(jù)時所述存儲介質(zhì)的所述第一參數(shù)的第二參數(shù)值；

所述控制器120，還用于基于所述第二參數(shù)值，確定用于從所述存儲介質(zhì)讀取數(shù)據(jù)的第二電壓；向所述存儲介質(zhì)施加所述第二電壓，并基于所述第二電壓的壓值獲得所需讀取的數(shù)據(jù)。

所述控制器120，還用于預先確定所述第一參數(shù)的不同參數(shù)值與作用于所述存儲介質(zhì)的作用電壓之間的映射關(guān)系信息；

所述控制器120，具體用于基于所述第一參數(shù)值，查詢所述映射關(guān)系信息，確定所述第一電壓；并基于所述第二參數(shù)值，查詢所述映射關(guān)系信息，確定所述第二電壓。

所述映射關(guān)系信息包括：以第三參數(shù)值為基準參數(shù)值時，對應于所述第一參數(shù)值的第一預設(shè)電壓信息，及以所述第三參數(shù)值為基準參數(shù)值時，對應于所述第二參數(shù)值的第二預設(shè)電壓信息。在本實施例中映射關(guān)系信息包括第一預設(shè)電壓信息和第二預設(shè)電壓，且第一預設(shè)電壓信息和第二預設(shè)電壓信息都是對應于同一個基準參數(shù)值。這樣的話，所述控制器120，具體用于以所述第一參數(shù)值查詢依據(jù)，查詢所述第一預設(shè)電壓信息，確定所述第一電壓；向所述存儲介質(zhì)施加所述第一電壓；所述控制器130，還用于以所述第二參數(shù)值查詢依據(jù)，查詢所述第二預設(shè)電壓信息，確定所述第二電壓。

所述控制器130直接根據(jù)第一參數(shù)值和第二參數(shù)值就可以通過查詢第一預設(shè)電壓信息和第二預設(shè)電壓信息，就可以便捷的確定所述第一電壓和所述第二電壓，具有實現(xiàn)簡便的特點。

實施例八：

如圖2所示，本實施例提供一種存儲設(shè)備，包括存儲介質(zhì)110、控制器120和傳感器130；

所述傳感器130，用于檢測寫入數(shù)據(jù)時所述存儲介質(zhì)110的第一參數(shù)的第一參數(shù)值；其中，所述第一參數(shù)包括導致所述存儲介質(zhì)110的存儲特性變化的環(huán)境參數(shù)；

所述控制器120，用于基于所述第一參數(shù)值，向所述存儲介質(zhì)110施加與待寫入數(shù)據(jù)對應的第一電壓；

所述傳感器130，還用于檢測讀取數(shù)據(jù)時所述存儲介質(zhì)的所述第一參數(shù)的第二參數(shù)值；

所述控制器120，還用于基于所述第二參數(shù)值，確定用于從所述存儲介質(zhì)讀取數(shù)據(jù)的第二電壓；向所述存儲介質(zhì)施加所述第二電壓，并基于所述第二電壓的壓值獲得所需讀取的數(shù)據(jù)。

所述控制器120，還用于預先確定所述第一參數(shù)的不同參數(shù)值與作用于所述存儲介質(zhì)的作用電壓之間的映射關(guān)系信息；

所述控制器120，具體用于基于所述第一參數(shù)值，查詢所述映射關(guān)系信息，確定所述第一電壓；并基于所述第二參數(shù)值，查詢所述映射關(guān)系信息，確定所述第二電壓。

所述映射關(guān)系信息包括：以第三參數(shù)值為基準參數(shù)值設(shè)定的第一電壓偏移信息；

所述控制器120，具體用于以所述第一參數(shù)值查詢依據(jù)，查詢所述第一預設(shè)電壓偏移信息，確定第一電壓偏移量；查詢以所述第三參數(shù)值為基準參數(shù)值設(shè)定的與所述待寫入數(shù)據(jù)對應的第三電壓；基于所述第三電壓與所述第一電壓偏移量，確定所述第一電壓；向所述存儲介質(zhì)施加所述第一電壓；所述控制器120，還用于以所述第二參數(shù)值為查詢依據(jù)，查詢以所述預設(shè)電壓偏移信息，確定第二電壓偏移量；查詢以所述第三參數(shù)值為基準參數(shù)值設(shè)定的第四電壓；基于第二電壓偏移量和所述第四電壓，確定所述第二電壓。

本實施例中以基準參數(shù)值對應的第三電壓為電壓基準值，在結(jié)合第一參數(shù)值和第二參數(shù)值查詢所述第一預設(shè)電壓偏移信息，也可以簡便的獲取所述第一電壓和所述第二電壓，同樣不僅具有數(shù)據(jù)存儲及讀取的精準度高，且還具有實現(xiàn)簡便的特點。

以下結(jié)合上述實施例提供一個具體示例：

示例一：

步驟1：本示例使用溫度傳感器測量Nand Flash的表面溫度，據(jù)此調(diào)整編程時的存儲介質(zhì)中一個存儲單元Cell的閾值電壓Vth，以及讀取時的參考電壓Vref，修正溫度對讀取結(jié)果造成的影響。

步驟2：在Nand Flash的常用的溫度場景下(如室溫環(huán)境，稱為標準環(huán)境)進行Vth掃描，得到一組Vth分布(如，得到每個符號對應的Vth分布，可假設(shè)為多高斯分布)，作為Vth的標準分布，并記錄Nand Flash表面溫度與環(huán)境溫度。這里的符號可包括；”0”和“1”。在本實施例中所述室溫環(huán)境的溫度值可對應于前述的標準參數(shù)值。

步驟3：在Nand Flash標稱的工作溫度范圍內(nèi)(如-2℃～75℃)，對每一個溫度刻度，做以下實驗：在該溫度下進行編程，并隨后恢復到標準環(huán)境下進行Vth掃描，根據(jù)這次掃描結(jié)果與標準分布的差異，調(diào)整該溫度下的Vth至Vth‘，直到該溫度下以Vth’為目標的編程，在標準溫度下掃描得到的分布與標準分布相同(或差異小到不影響糾錯碼解碼)。這樣就得到了Vth依據(jù)溫度的調(diào)整方案。

步驟4：同理，在標稱的工作溫度范圍內(nèi)，對標準環(huán)境下進行編程的NandFlash做Vth掃描，得到標準環(huán)境下Vth的分布在不同溫度下的變化。當在某個工作溫度下進行讀取時，根據(jù)環(huán)境溫度設(shè)置Vref。

示例二：

如圖3所示，本示例提供一種信息處理方法包括：

步驟S1：溫度傳感器第一時刻，檢測存儲介質(zhì)的表面溫度；

步驟S2：溫度傳感器將檢測到的溫度通知處理器。

步驟S3：處理器根據(jù)檢測到的溫度，確定向存儲介質(zhì)寫數(shù)據(jù)時施加的第一電壓。

步驟S4：處理器向存儲介質(zhì)的存儲單元施加第一電壓。

步驟S5：溫度傳感器第二時刻，檢測存儲介質(zhì)的表面溫度；

步驟S6：溫度傳感器將檢測到的溫度通知處理器。

步驟S7：處理器根據(jù)檢測到的溫度，確定讀取數(shù)據(jù)的第二電壓。

步驟S8：處理器向存儲介質(zhì)的存儲單元施加第二電壓，讀取數(shù)據(jù)。

在本申請所提供的幾個實施例中，應該理解到，所揭露的設(shè)備和方法，可以通過其它的方式實現(xiàn)。以上所描述的設(shè)備實施例僅僅是示意性的，例如，所述單元的劃分，僅僅為一種邏輯功能劃分，實際實現(xiàn)時可以有另外的劃分方式，如：多個單元或組件可以結(jié)合，或可以集成到另一個系統(tǒng)，或一些特征可以忽略，或不執(zhí)行。另外，所顯示或討論的各組成部分相互之間的耦合、或直接耦合、或通信連接可以是通過一些接口，設(shè)備或單元的間接耦合或通信連接，可以是電性的、機械的或其它形式的。

上述作為分離部件說明的單元可以是、或也可以不是物理上分開的，作為單元顯示的部件可以是、或也可以不是物理單元，即可以位于一個地方，也可以分布到多個網(wǎng)絡單元上；可以根據(jù)實際的需要選擇其中的部分或全部單元來實現(xiàn)本實施例方案的目的。

另外，在本發(fā)明各實施例中的各功能單元可以全部集成在一個處理模塊中，也可以是各單元分別單獨作為一個單元，也可以兩個或兩個以上單元集成在一個單元中；上述集成的單元既可以采用硬件的形式實現(xiàn)，也可以采用硬件加軟件功能單元的形式實現(xiàn)。

本領(lǐng)域普通技術(shù)人員可以理解：實現(xiàn)上述方法實施例的全部或部分步驟可以通過程序指令相關(guān)的硬件來完成，前述的程序可以存儲于一計算機可讀取存儲介質(zhì)中，該程序在執(zhí)行時，執(zhí)行包括上述方法實施例的步驟；而前述的存儲介質(zhì)包括：移動存儲設(shè)備、只讀存儲器(ROM，Read-Only Memory)、隨機存取存儲器(RAM，Random Access Memory)、磁碟或者光盤等各種可以存儲程序代碼的介質(zhì)。

以上所述，僅為本發(fā)明的具體實施方式，但本發(fā)明的保護范圍并不局限于此，任何熟悉本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員在本發(fā)明揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，可輕易想到變化或替換，都應涵蓋在本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。因此，本發(fā)明的保護范圍應以所述權(quán)利要求的保護范圍為準。