技術(shù)特征：
1.一種具有去耦的讀/寫(xiě)路徑的存儲(chǔ)元件，所述存儲(chǔ)元件包括：開(kāi)關(guān)，包括柵極、與電源線連接的第一端子以及與字線連接的第二端子；電阻開(kāi)關(guān)裝置，連接在所述開(kāi)關(guān)的柵極和位線之間；以及傳導(dǎo)路徑，位于所述開(kāi)關(guān)的柵極和所述字線之間。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)元件，其中，所述電阻開(kāi)關(guān)裝置包括金屬-絕緣體-金屬開(kāi)關(guān)裝置。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)元件，其中，所述電阻開(kāi)關(guān)裝置包括磁阻式隧道結(jié)(MTJ)裝置。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)元件，其中，所述存儲(chǔ)元件的讀路徑與所述存儲(chǔ)元件的寫(xiě)路徑取道所述存儲(chǔ)元件中的不同路徑。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)元件，進(jìn)一步包括選擇性地施加在所述字線和所述位線之間的電壓源，使得電流流過(guò)所述傳導(dǎo)路徑但并不流過(guò)所述開(kāi)關(guān)。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)元件，進(jìn)一步包括選擇性地施加在所述電源線和所述位線之間的電壓源，使得電流流過(guò)所述傳導(dǎo)路徑和所述開(kāi)關(guān)。7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)元件，其中，所述電源線和所述位線之間施加的電壓值使得所述電阻開(kāi)關(guān)裝置的狀態(tài)可被感測(cè)放大器讀出。8.一種存儲(chǔ)陣列，包括：多條位線；多條字線；多條電源線；以及多個(gè)存儲(chǔ)元件，每個(gè)所述存儲(chǔ)元件都包括：開(kāi)關(guān)，包括：柵極；與電源線連接的第一端子；和與字線連接的第二端子；電阻開(kāi)關(guān)裝置，連接在所述開(kāi)關(guān)的柵極和位線之間；以及傳導(dǎo)路徑，位于所述開(kāi)關(guān)的柵極和字線之間。9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的存儲(chǔ)陣列，其中，所述電阻開(kāi)關(guān)裝置包括金屬-絕緣體-金屬開(kāi)關(guān)裝置。10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的存儲(chǔ)陣列，其中，所述電阻開(kāi)關(guān)裝置包括磁阻式隧道結(jié)(MTJ)裝置。11.根據(jù)權(quán)利要求8所述的存儲(chǔ)陣列，其中，所述存儲(chǔ)元件的讀路徑與所述存儲(chǔ)元件的寫(xiě)路徑取道所述存儲(chǔ)元件中的不同路徑。12.根據(jù)權(quán)利要求8所述的存儲(chǔ)陣列，進(jìn)一步包括選擇性地施加在字線和位線之間的電壓源，使得電流流過(guò)所述傳導(dǎo)路徑而非所述字線和所述位線之間的交叉點(diǎn)處的存儲(chǔ)元件的所述開(kāi)關(guān)。13.根據(jù)權(quán)利要求8所述的存儲(chǔ)陣列，進(jìn)一步包括要選擇性地施加在電源線和位線之間的電壓源，使得電流流過(guò)所述傳導(dǎo)路徑以及所述位線和所述電源線之間的交叉點(diǎn)處的存儲(chǔ)元件的所述開(kāi)關(guān)。14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的存儲(chǔ)陣列，其中，所述電源線和所述位線之間施加的電壓值使得所述電阻開(kāi)關(guān)裝置的狀態(tài)能夠被感測(cè)放大器讀出。15.根據(jù)權(quán)利要求13所述的存儲(chǔ)陣列，其中，所述存儲(chǔ)陣列的結(jié)構(gòu)使得：相比于流過(guò)被選擇的存儲(chǔ)元件的所述電阻開(kāi)關(guān)裝置的電流，由感測(cè)放大器所感測(cè)的因潛行電流產(chǎn)生的電流是微不足道的。16.一種操作具有去耦的讀/寫(xiě)路徑的存儲(chǔ)元件的方法，所述方法包括：為了對(duì)所述存儲(chǔ)元件進(jìn)行寫(xiě)入，在與所述存儲(chǔ)元件中的電阻開(kāi)關(guān)裝置的第一端子連接的位線和與所述存儲(chǔ)元件中的開(kāi)關(guān)的第一端子連接的字線之間施加電壓，所述開(kāi)關(guān)的柵極連接至所述電阻開(kāi)關(guān)裝置的第二端子；以及為了讀出所述存儲(chǔ)元件的狀態(tài)，在所述位線和與所述開(kāi)關(guān)的第二端子連接的電源線之間施加電壓，其中，所述存儲(chǔ)元件包括位于所述電阻開(kāi)關(guān)裝置的第二端子和所述開(kāi)關(guān)的第一端子之間的傳導(dǎo)路徑。17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，其中，在對(duì)所述存儲(chǔ)元件進(jìn)行寫(xiě)入時(shí)，電流流過(guò)所述傳導(dǎo)路徑但不流過(guò)所述開(kāi)關(guān)。18.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，其中，在對(duì)所述存儲(chǔ)元件進(jìn)行讀取時(shí)，電流流過(guò)所述傳導(dǎo)路徑和所述開(kāi)關(guān)。19.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，其中，所述電阻開(kāi)關(guān)裝置包括金屬-絕緣體-金屬開(kāi)關(guān)裝置。20.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，其中，所述電阻開(kāi)關(guān)裝置包括磁阻式隧道結(jié)(MTJ)裝置。