本發(fā)明涉半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，更具體地，涉及一種具有去耦的讀/寫路徑的存儲元件。

背景技術(shù)：
日益頻繁需求具有更大存儲容量的更小器件。作為一種在更小的空間創(chuàng)建更大存儲容量的機(jī)制，已在電阻存儲器領(lǐng)域中發(fā)起一些努力。電阻存儲系統(tǒng)使用能夠基于所施加的條件來改變并且維持其電阻值的電阻元件。例如，可使用高電阻狀態(tài)表示邏輯“1”而使用低電阻狀態(tài)來表示邏輯“0”。這樣的電阻存儲元件經(jīng)常構(gòu)建為存儲元件的陣列，并且每個(gè)元件被布置在交叉?zhèn)鲗?dǎo)線上。為了設(shè)置或讀出陣列中特定存儲元件的狀態(tài)，選擇連接至該存儲元件的傳導(dǎo)線。所選擇的線可具有各種所施加的電氣條件以便設(shè)置或讀出目標(biāo)存儲元件的電阻狀態(tài)。例如，可施加電壓至適當(dāng)?shù)膫鲗?dǎo)線以讀出目標(biāo)存儲元件的狀態(tài)。該電壓導(dǎo)致電流流過目標(biāo)存儲元件?；谠撾娏髦担軌虼_定存儲元件的電阻狀態(tài)。然而，電流也將流過傳導(dǎo)線至未選擇的存儲元件，并會不利地影響對流過目標(biāo)存儲元件的電流值進(jìn)行測量的感測操作。該電流通常被稱作潛行電流(sneakcurrent)。亟需設(shè)計(jì)避免潛行電流問題的存儲元件和陣列結(jié)構(gòu)。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：
為了解決現(xiàn)有技術(shù)中所存在的問題，根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，提供了一種具有去耦的讀/寫路徑的存儲元件，所述存儲元件包括：開關(guān)，包括柵極、與第一線連接的第一端子以及與第二線連接的第二端子；電阻開關(guān)裝置，連接在所述開關(guān)的柵極和第三線之間；以及傳導(dǎo)路徑，位于所述開關(guān)的柵極和所述第二線之間。在可選實(shí)施例中，所述電阻開關(guān)裝置包括金屬-絕緣體-金屬開關(guān)裝置。在可選實(shí)施例中，所述電阻開關(guān)裝置包括磁阻式隧道結(jié)(MTJ)裝置。在可選實(shí)施例中，所述存儲元件的讀路徑與所述存儲元件的寫路徑取道所述存儲元件中的不同路徑。在可選實(shí)施例中，所述存儲元件進(jìn)一步包括選擇性地施加在所述第二線和所述第三線之間的電壓源，使得電流流過所述傳導(dǎo)路徑但并不流過所述開關(guān)。在可選實(shí)施例中，所述存儲元件進(jìn)一步包括選擇性地施加在所述第一線和所述第三線之間的電壓源，使得電流流過所述傳導(dǎo)路徑和所述開關(guān)。在可選實(shí)施例中，所述第一線和所述第三線之間施加的電壓值使得所述電阻開關(guān)裝置的狀態(tài)可被感測放大器讀出。根據(jù)本發(fā)明的另一方面，還提供了一種存儲陣列，包括：多條位線；多條字線；多條電源線；以及多個(gè)存儲元件，每個(gè)所述存儲元件都包括：開關(guān)，包括：柵極；與電源線連接的第一端子；和與字線連接的第二端子；電阻開關(guān)裝置，連接在所述開關(guān)的柵極和位線之間；以及傳導(dǎo)路徑，位于所述開關(guān)的柵極和字線之間。在可選實(shí)施例中，所述電阻開關(guān)裝置包括金屬-絕緣體-金屬開關(guān)裝置。在可選實(shí)施例中所述電阻開關(guān)裝置包括磁阻式隧道結(jié)(MTJ)裝置。在可選實(shí)施例中，所述存儲元件的讀路徑與所述存儲元件的寫路徑取道所述存儲元件中的不同路徑。在可選實(shí)施例中，所述存儲陣列進(jìn)一步包括選擇性地施加在字線和位線之間的電壓源，使得電流流過所述傳導(dǎo)路徑而非所述字線和所述位線之間的交叉點(diǎn)處的存儲元件的所述開關(guān)。在可選實(shí)施例中，所述存儲陣列進(jìn)一步包括要選擇性地施加在電源線和位線之間的電壓源，使得電流流過所述傳導(dǎo)路徑以及所述位線和所述電源線之間的交叉點(diǎn)處的存儲元件的所述開關(guān)。在可選實(shí)施例中，所述電源線和所述位線之間施加的電壓值使得所述電阻開關(guān)裝置的狀態(tài)能夠被感測放大器讀出。在可選實(shí)施例中，所述存儲陣列的結(jié)構(gòu)使得：相比于流過被選擇的存儲元件的所述電阻開關(guān)裝置的電流，由感測放大器所感測的因潛行電流產(chǎn)生的電流是微不足道的。根據(jù)本發(fā)明的另一方面，還提供了一種操作具有去耦的讀/寫路徑的存儲元件的方法，所述方法包括：為了對所述存儲元件進(jìn)行寫入，在與所述存儲元件中的電阻開關(guān)裝置的第一端子連接的位線和與所述存儲元件中的開關(guān)的第一端子連接的字線之間施加電壓，所述開關(guān)的柵極連接至所述電阻開關(guān)裝置的第二端子；以及為了讀出所述存儲元件的狀態(tài)，在所述位線和與所述開關(guān)的第二端子連接的所述電源線之間施加電壓，其中，所述存儲元件包括位于所述電阻開關(guān)裝置的第二端子和所述開關(guān)的第一端子之間的傳導(dǎo)路徑。在可選實(shí)施例中，在對所述存儲元件進(jìn)行寫入時(shí)，電流流過所述傳導(dǎo)路徑但不流過所述開關(guān)。在可選實(shí)施例中，在對所述存儲元件進(jìn)行寫入時(shí)，電流流過所述傳導(dǎo)路徑和所述開關(guān)。在可選實(shí)施例中，所述電阻開關(guān)裝置包括金屬-絕緣體-金屬開關(guān)裝置。在可選實(shí)施例中，所述電阻開關(guān)裝置包括磁阻式隧道結(jié)(MTJ)裝置。附圖說明當(dāng)結(jié)合附圖進(jìn)行閱讀時(shí)，根據(jù)下面詳細(xì)的描述可以更好地理解本發(fā)明。應(yīng)該強(qiáng)調(diào)的是，根據(jù)工業(yè)中的標(biāo)準(zhǔn)實(shí)踐，各種部件沒有被按比例繪制并且僅僅用于說明的目的。實(shí)際上，為了清楚的討論，各種部件的數(shù)量和尺寸可以被任意增加或減少。圖1是示出根據(jù)本文描述的原理的一個(gè)實(shí)例的具有去耦讀/寫路徑的示例性存儲元件的圖。圖2是示出根據(jù)本文描述的原理的一個(gè)實(shí)例的用于具有去耦讀/寫路徑的存儲元件的示例性寫處理的圖。圖3是示出根據(jù)本文描述的原理的一個(gè)實(shí)例的用于具有去耦讀/寫路徑的存儲元件的示例性讀處理的圖。圖4是示出根據(jù)本文描述的原理的一個(gè)實(shí)例的用于具有去耦讀/寫路徑的存儲元件的示例性操作的表。圖5是示出根據(jù)本文描述的原理的一個(gè)實(shí)例的流過存儲元件陣列的示例性潛行電流的圖。圖6是示出根據(jù)本文描述的原理的一個(gè)實(shí)例的用于具有去耦讀/寫路徑的存儲元件的讀操作的示例性定時(shí)的圖表。圖7是示出根據(jù)本文描述的原理的一個(gè)實(shí)例的具有去耦讀/寫路徑的存儲元件的示例性存儲陣列的圖。圖8是示出根據(jù)本文描述的原理的一個(gè)實(shí)例的用于操作具有去耦讀/寫路徑的存儲元件的示例性方法的流程圖。具體實(shí)施方式可以理解，下面公開的內(nèi)容提供了許多不同的實(shí)施例或者實(shí)例，用以實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的不同特征。下面描述組件或者布置的具體實(shí)例以簡化本發(fā)明。當(dāng)然它們僅為舉例說明而并不旨在限制本發(fā)明。此外，說明書中所跟隨的第二處理之前的第一處理的執(zhí)行可包括在第一處理之后立即執(zhí)行第二處理的實(shí)施例，也可以包括在第一和第二處理之間執(zhí)行另外的處理的實(shí)施例。為了簡化和清楚起見，各種部件也可以以不同的比例任意繪制。此外，第一部件形成在第二部件上方或者在第二部件上可以包括第一部件與第二部件形成為直接接觸的實(shí)施例，也可以包括在第一部件和第二部件之間形成另外部件以使得第一部件和第二部件不直接接觸的實(shí)施例。此外，在此可使用諸如“在…之下”、“在…下面”、“下面的”、“在…上面”、以及“上面的”等的空間關(guān)系術(shù)語，以容易地描述如圖中所示的一個(gè)元件或部件與另一元件或部件的關(guān)系。除圖中所示的方位之外，空間關(guān)系術(shù)語將包括使用或操作中的裝置的各種不同的方位。例如，如果翻轉(zhuǎn)圖中所示的裝置，則被描述為在其他元件或部件“下面”或“之下”的元件將被定位為在其他元件或部件的“上面”。因此，示例性術(shù)語“在…下面”能夠包括在上面和在下面的方位。裝置可以以其它方式定位(旋轉(zhuǎn)90度或在其他方位)，并且通過在此使用的空間關(guān)系描述符進(jìn)行相應(yīng)地解釋。圖1是示出具有去耦的讀/寫路徑的示例性存儲元件的圖。根據(jù)本實(shí)例，存儲元件100包括開關(guān)102和電阻開關(guān)裝置110。開關(guān)102可為諸如金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)的晶體管。電阻開關(guān)裝置110可為金屬-絕緣體-金屬電阻裝置或磁阻式隧道結(jié)(MTJ)裝置。存儲元件100設(shè)置在字線122和位線124之間的交叉點(diǎn)處。電源線120也與字線122平行延伸。存儲元件通常被組織為以多行和多列布置的陣列。字線驅(qū)動器將選擇性地維持(assert)字線，該字線與存儲元件的一行連接，其中該行存儲元件中的每個(gè)都存儲一些信息。當(dāng)字線被維持時(shí)，每個(gè)所連接的存儲元件提供其存儲的有關(guān)一條或多條位線的信息。位線提供給感測放大器，感測放大器用于選擇陣列的一列或多列并相應(yīng)地對所存儲的信息進(jìn)行放大。此處所描述的位線和字線的構(gòu)造僅僅是存儲陣列的一個(gè)實(shí)施例。根據(jù)本實(shí)例，開關(guān)102的第一端子106連接至電源線120。此外，開關(guān)102的第二端子108連接至字線122。開關(guān)102的柵極104連接至電阻開關(guān)裝置的第一端子112。而且，傳導(dǎo)路徑118在第二端子108和柵極104之間延伸。傳導(dǎo)路徑118是獨(dú)立于開關(guān)的路徑，其允許電流在不流過開關(guān)102的端子106、108的情況下流過存儲元件。在本實(shí)例中，開關(guān)102是NMOS裝置。當(dāng)向柵極104施加高電壓時(shí)，該裝置處于ON狀態(tài)。當(dāng)處于ON狀態(tài)時(shí)，電流允許通過通常被稱作源端子和漏端子的兩個(gè)端子106、108之間。當(dāng)向柵極104施加相對低的電壓信號時(shí)，則NMOS開關(guān)102處于OFF狀態(tài)。在該狀態(tài)下，電流被禁止在兩個(gè)端子106、108之間流動。電阻開關(guān)裝置110設(shè)置在開關(guān)102和位線124之間。具體地，電阻開關(guān)裝置110的第一端子112與開關(guān)102的柵極104相連接。電阻開關(guān)裝置110的第二端子114與位線124相連接。在一些實(shí)例中，電阻開關(guān)裝置110是金屬-絕緣體-金屬電阻開關(guān)裝置。該裝置顯現(xiàn)出基于當(dāng)前和過去電氣條件兩者的電阻狀態(tài)。例如，所施加的特定電壓可將電壓開關(guān)裝置110設(shè)為高電阻狀態(tài)。此外，相反極性的足夠的電壓可將電壓開關(guān)裝置設(shè)為相對低的電壓狀態(tài)。金屬-絕緣體-金屬電阻開關(guān)裝置可包括位于頂部電極和底部電極之間的介電層。電極可由諸如金屬或金屬氮化物等的多種導(dǎo)電材料制成。介電層可由幾種金屬氧化物中的一種(諸如二氧化鈦(TiO2))形成。在一些實(shí)例中，電阻開關(guān)裝置110為MTJ裝置，其基于裝置內(nèi)的磁性材料的狀態(tài)改變其電阻狀態(tài)。MTJ裝置包括位于兩個(gè)鐵磁層之間的薄電阻層。一個(gè)磁性層可被稱為基準(zhǔn)層。另一個(gè)磁性層可被稱為自由層。基準(zhǔn)層的磁矩通常維持相同的方向。相反地，通過在結(jié)兩端施加電壓，自由層的磁矩的方向可被反轉(zhuǎn)。當(dāng)基準(zhǔn)層和自由層的磁矩方向是相同時(shí)，電子可以更容易地以隧道方式穿透薄電阻層。在此狀態(tài)下，結(jié)具有相對較低的電阻率。通過施加具有相反極性的電壓，自由層的磁矩可被轉(zhuǎn)換為與基準(zhǔn)層的磁矩方向相反。在此狀態(tài)下，電子以隧道方式穿透電阻層更加困難，從而導(dǎo)致結(jié)具有相對較高的電阻率。不同的電阻狀態(tài)可用于存儲邏輯值。圖2是示出用于具有去耦的讀/寫路徑的存儲元件的示例性寫處理的圖。在一個(gè)實(shí)例中，可通過對字線122施加寫電壓202并同時(shí)將位線124接地以將電阻開關(guān)裝置110的狀態(tài)設(shè)置為邏輯“0”。這樣做將導(dǎo)致電流206流過傳導(dǎo)路徑118并且流過電阻開關(guān)裝置110。因?yàn)閷戨妷?02的施加使開關(guān)102設(shè)置為ON狀態(tài)，所以電源線120被設(shè)置為浮置。這確保了電流206不會流過開關(guān)102并且替代地將會流過電阻開關(guān)裝置110。因?yàn)殡娏?06不流經(jīng)晶體管，所以在寫路徑中具有更小的電阻，并因而可以獲得更大的寫電流。為了使電阻開關(guān)裝置110的狀態(tài)設(shè)置為表示邏輯“1”，將寫電壓204施加至位線124并同時(shí)將字線122接地。電源線120保持浮置。在此情況下，電流206將從位線124流出，經(jīng)過電阻開關(guān)裝置110和經(jīng)過傳導(dǎo)路徑118，并流入字線122。因?yàn)殡娏?06以相反方向流動，因此將會將電阻開關(guān)裝置設(shè)置為不同的狀態(tài)，高電阻狀態(tài)或低電阻狀態(tài)，這取決于存儲元件100的設(shè)計(jì)。圖3是示出用于具有去耦的讀/寫路徑的存儲元件的示例性讀處理的圖。根據(jù)本實(shí)例，可通過施加讀電壓302至位線并將電源線120接地來確定電阻開關(guān)裝置110的狀態(tài)。字線122被留為浮置。讀電壓302的值可大致小于寫電壓的值。在施加讀電壓302的情況下，電流306流過位線124并流過電阻開關(guān)裝置110。該電流306也將開關(guān)102設(shè)置為ON狀態(tài)。因?yàn)樽志€122是浮置的并且電壓線120接地，所以電流306流過傳導(dǎo)路徑118并接著流過開關(guān)102的端子106、108至電源線120。這樣，相比于寫操作期間，電流306在讀操作期間經(jīng)由不同的路徑。因此，讀路徑與寫路徑是去耦的。電流值取決于電阻開關(guān)裝置的電阻狀態(tài)。具體地，如果電阻開關(guān)裝置110處于低電阻狀態(tài)，則讀電流306將會相對高。相反地，如果電阻開關(guān)裝置110處于高電阻狀態(tài)，則讀電流306將會相對低?？墒褂酶袦y放大器來測量讀電流306并確定電阻開關(guān)裝置110的狀態(tài)，并進(jìn)而確定存儲在存儲元件100中的邏輯值。圖4是示出用于具有去耦的讀/寫路徑的存儲元件的示例性操作的操作表400。該表示例說明了被選擇的和未被選擇的線如何連接以對具有在此描述的存儲元件的存儲陣列進(jìn)行各種操作。操作表400包括寫“1”列402，寫“0”列404，以及讀列406。每列被分為被選擇列和未被選擇列。具體地，寫“1”列402包括被選擇列414以及未被選擇列416。同樣地，寫“0”列404包括被選擇列418和未被選擇列420。讀列406也包括被選擇列422和未被選擇列424。例如寫“1”操作可將電阻開關(guān)裝置置于高電壓狀態(tài)。如上文所述，上述操作可通過施加低電壓至與目標(biāo)存儲元件連接的字線并且施加高電壓至與目標(biāo)存儲元件連接的位線來實(shí)現(xiàn)。此外，將電源線設(shè)置為浮置。未被選擇的線，即連接至除目標(biāo)存儲元件之外的存儲元件的線，也如操作表400中定義的那樣設(shè)置。具體地，非目標(biāo)存儲元件的字線和位線連接至中間電壓電平。這減少了被選擇的線和未被選擇的線之間的電壓差并因而減小了可能不利影響未被選擇的存儲元件的電阻狀態(tài)的潛行電流。在一個(gè)實(shí)例中，高電壓可為VDD或集成電路的操作電壓，存儲陣列為所述集成電路的一部分。此外，低電壓可接地。中間電平電壓可為大約高電壓電平或VDD的一半。寫“0”操作與寫“1”操作類似。不同之處在于連接至目標(biāo)存儲元件的字線具有連接的高電壓，同時(shí)連接至目標(biāo)存儲元件的位線具有連接的低電壓。這產(chǎn)生與寫“1”操作期間流過電阻開關(guān)裝置的電流的方向相反的流過電阻開關(guān)裝置的電流。對于讀操作，連接至被選擇的存儲元件的字線現(xiàn)被設(shè)置為浮置。位線連接至中間電壓電平而電源線連接至低電壓電平。如上文所述，這會導(dǎo)致電流流過電阻開關(guān)裝置、流過傳導(dǎo)路徑，并且流過開關(guān)端子。未選擇的線都設(shè)置為浮置。圖5是示出流過存儲元件陣列的示例性潛行電流的圖。如上文所述，潛行電流可能導(dǎo)致讀處理期間的問題。圖5示例了用于說明潛行路徑的簡化陣列。根據(jù)本實(shí)例，將讀電壓施加至被選擇的存儲元件502的位線516。這導(dǎo)致期望的電流506流過被選擇的存儲元件502并沿著被選擇的存儲元件502的被選擇的線510。作為未預(yù)料到的結(jié)果，施加讀電壓也導(dǎo)致潛行電流508流過未被選擇的存儲元件504以及未被選擇的線512、514。如果潛行電流不被計(jì)算在內(nèi)，則會不利地影響讀電流506的測量，并且這會使得難以確定被選擇的存儲元件502的電阻狀態(tài)。體現(xiàn)本文描述的原理的存儲元件具有受潛行電流較小影響的更高性能。具體地，因?yàn)樽x路徑穿過開關(guān)端子，所以該路徑具有更高的RC時(shí)間常數(shù)。即，相比于讀電流506，潛行電流508需要更長的時(shí)間對被選擇的存儲元件502的開關(guān)的柵極進(jìn)行充電。因此，如果讀操作被合適地定時(shí)，則潛行電流不會成為重要問題。圖6是示出用于具有去耦的讀/寫路徑的存儲元件的讀操作的示例性定時(shí)的定時(shí)圖600。定時(shí)圖600的縱軸602表示被選擇的存儲元件的開關(guān)柵極處的電壓電平。橫軸604表示時(shí)間。第一線606表示因潛行電流而產(chǎn)生的柵極處的電壓。第二線608表示因流過處于高電阻狀態(tài)的被選擇的存儲元件的讀電流而產(chǎn)生的柵極處的電壓。第三線610表示因流過處于低電阻狀態(tài)的被選擇的存儲元件的讀電流而產(chǎn)生的柵極處的電壓。虛線612表示通過感測放大器測量讀電流的值時(shí)的時(shí)間或定時(shí)。在施加讀電壓之后的足夠長時(shí)間但在潛行電流有足以對柵極過度充電并不利影響該測量的時(shí)間之前來完成該操作。圖7是示出具有去耦的讀/寫路徑的存儲元件的示例性存儲陣列700的圖。根據(jù)某一示例性實(shí)例，存儲陣列700可包括被控制電路環(huán)繞的存儲元件的設(shè)置702。用于字線的控制電路704可置于陣列700的一側(cè)。電路704包括選擇并施加信號至陣列700內(nèi)的特定字線的各種組件。根據(jù)本實(shí)例，用于電源線的控制電路706可置于陣列的與字線控制電路704相對的一側(cè)。電源線電路706包括選擇并施加某些信號至陣列內(nèi)的特定電源線的各種組件。根據(jù)本實(shí)例，用于位線的控制電路710可置于陣列的與字線控制電路704和電源線控制電路706不同的一側(cè)。位線控制電路710包括選擇并施加信號至多個(gè)位線的各種組件。此外，感測放大器708和隨附的控制電路可置于陣列的與位線控制電路710相同的一側(cè)。圖8是示出用于操作具有去耦讀/寫路徑的存儲元件的示例性方法的流程圖。根據(jù)某一示例性實(shí)例，方法包括以下步驟：為了對存儲元件進(jìn)行寫入，在與存儲元件中的電阻開關(guān)裝置的第一端子相連接的位線和與存儲元件中的開關(guān)的第一端子相連接的字線之間施加電壓的步驟802，該開關(guān)的柵極連接至電阻開關(guān)裝置的第二端子。該方法還包括：為了讀出存儲元件的狀態(tài)，在位線和與開關(guān)的第二端子相連接的電源線之間施加電壓的步驟804。存儲元件包括位于電阻開關(guān)裝置的第二端子和開關(guān)的第一端子之間的傳導(dǎo)路徑。存儲陣列包括若干位線、若干字線、若干電源線以及若干存儲元件。每個(gè)存儲元件包括開關(guān)，該開關(guān)具有連接至電源線的第一端子和連接至字線的第二端子。每個(gè)存儲元件還包括在開關(guān)的柵極和位線之間連接的電阻開關(guān)裝置。每個(gè)存儲元件還包括在開關(guān)的柵極和字線之間的傳導(dǎo)路徑。根據(jù)一些示例性實(shí)例，具有去耦的讀/寫路徑的存儲元件包括開關(guān)，其中開關(guān)包含與第一線相連接的第一端子和與第二線相連接的第二端子；在開關(guān)的柵極和第三線之間連接的電阻開關(guān)裝置；以及在開關(guān)的柵極和第二線之間的傳導(dǎo)路徑。根據(jù)一些示例性實(shí)例，用于操作具有去耦的讀/寫路徑的存儲元件的方法包括：為了對存儲元件進(jìn)行寫入，在與存儲元件中的電阻開關(guān)裝置的第一端子連接的位線和與存儲元件中的開關(guān)的第一端子連接的字線之間施加電壓，該開關(guān)的柵極連接至電阻開關(guān)裝置的第二端子。該方法還包括：為了讀出存儲元件的狀態(tài)，在位線和與開關(guān)的第二端子連接的電源線之間施加電壓。存儲元件包括位于電阻開關(guān)裝置的第二端子和開關(guān)的第一端子之間的傳導(dǎo)路徑?？梢灾?，上面列出的實(shí)施例以及步驟的各種不同組合可以以各種順序或并列使用，并且并無特別的步驟是決定性的或必須的。此外，盡管在此使用了術(shù)語“電極”，可以意識到該術(shù)語包括“電極接頭”的概念。此外，上面針對一些實(shí)施例示出或討論的特征可以與針對其他實(shí)施例示出或討論的特征相結(jié)合。因此所有此類的修改都被包括在本發(fā)明的范圍內(nèi)。上面論述了若干實(shí)施例的概述特征。本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)了解，可以很容易地使用本發(fā)明作為基礎(chǔ)來設(shè)計(jì)或更改其他用于達(dá)到與這里所介紹實(shí)施例相同的目的和/或?qū)崿F(xiàn)相同優(yōu)點(diǎn)的處理和結(jié)構(gòu)。本領(lǐng)域普通技術(shù)人員也應(yīng)該意識到，這種等效構(gòu)造并不背離本發(fā)明的精神和范圍，并且在不背離本發(fā)明的精神和范圍的情況下，可以進(jìn)行多種變化、替換以及改變。