用以減少相變存儲(chǔ)器的讀取錯(cuò)誤的讀取偏置管理的制作方法
【專(zhuān)利摘要】本文中所揭示的標(biāo)的物涉及一種存儲(chǔ)器裝置，且更明確地說(shuō)涉及相變存儲(chǔ)器的讀取性能。
【專(zhuān)利說(shuō)明】用以減少相變存儲(chǔ)器的讀取錯(cuò)誤的讀取偏置管理
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本文中所揭示的標(biāo)的物涉及一種存儲(chǔ)器裝置，且更明確地說(shuō)涉及相變存儲(chǔ)器的讀取性能。
【背景技術(shù)】
[0002]相變存儲(chǔ)器(PCM)可至少部分地基于一或多種特定相變材料(例如硫?qū)倩衔锖辖鸺?或碲化鍺銻(GST)，僅舉幾個(gè)實(shí)例)的行為及性質(zhì)操作。此類(lèi)材料的結(jié)晶及非晶狀態(tài)可具有不同的電阻率，因此呈現(xiàn)可借以存儲(chǔ)信息的基礎(chǔ)。此類(lèi)材料的非晶、高電阻狀態(tài)可表示所存儲(chǔ)第一二進(jìn)制狀態(tài)，且此類(lèi)材料的結(jié)晶、低電阻狀態(tài)可表示所存儲(chǔ)第二二進(jìn)制狀態(tài)。當(dāng)然，所存儲(chǔ)信息的此二進(jìn)制表示僅為實(shí)例=PCM還可用于存儲(chǔ)(舉例來(lái)說(shuō))由不同程度的相變材料電阻率表示的多個(gè)存儲(chǔ)器狀態(tài)。
[0003]PCM單元可通過(guò)將偏置信號(hào)施加到所述存儲(chǔ)器單元而從非晶狀態(tài)轉(zhuǎn)變?yōu)榻Y(jié)晶狀態(tài)。偏置信號(hào)的特性(例如(舉例來(lái)說(shuō))，峰值量值及/或脈沖寬度)可經(jīng)選擇以允許到結(jié)晶狀態(tài)的轉(zhuǎn)變。讀取PCM單元的狀態(tài)可通過(guò)將偏置電流或電壓施加到所述PCM單元以檢測(cè)所述單元的電阻率來(lái)執(zhí)行。
[0004]隨時(shí)間，PCM單元的各種參數(shù)可因改變PCM溫度、相變材料的重新結(jié)晶、漂移及/或循環(huán)(僅舉幾個(gè)實(shí)例)而漂移或改變。此些效應(yīng)可導(dǎo)致PCM單元的讀取錯(cuò)誤。
【專(zhuān)利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0005]將參考以下各圖描述非限制性及非窮盡性實(shí)施例，其中除非另外規(guī)定，否則遍及各圖相似元件符號(hào)指代相似部件。
[0006]圖1是根據(jù)一實(shí)施例的偏置信號(hào)波形的特性的曲線圖。
[0007]圖2是根據(jù)一實(shí)施例的參考電流或電壓值的特性的曲線圖。
[0008]圖3是根據(jù)一實(shí)施例的用以讀取存儲(chǔ)器陣列的內(nèi)容的讀取過(guò)程的流程圖。
[0009]圖4是根據(jù)另一實(shí)施例的用以讀取存儲(chǔ)器陣列的內(nèi)容的讀取過(guò)程的流程圖。
[0010]圖5是圖解說(shuō)明計(jì)算系統(tǒng)的示范性實(shí)施例的示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0011]遍及本說(shuō)明書(shū)對(duì)“一個(gè)實(shí)施例”或“一實(shí)施例”的提及意指結(jié)合所述實(shí)施例所描述的特定特征、結(jié)構(gòu)或特性包含于所主張標(biāo)的物的至少一個(gè)實(shí)施例中。因此，遍及本說(shuō)明書(shū)的各個(gè)地方出現(xiàn)的短語(yǔ)“在一個(gè)實(shí)施例中”或“一實(shí)施例”未必全部指代同一實(shí)施例。此外，可將所述特定特征、結(jié)構(gòu)或特性組合于一或多個(gè)實(shí)施例中。
[0012]本文中所描述的實(shí)施例包含涉及管理相變存儲(chǔ)器(PCM)裝置的讀取偏置條件的過(guò)程及/或電子架構(gòu)。如下文所詳細(xì)解釋?zhuān)诵┳x取偏置條件可包括施加到PCM單元以確定PCM單元的狀態(tài)的電壓或電流。管理PCM單元的讀取偏置條件可用于避免可能原本因(舉例來(lái)說(shuō))可隨時(shí)間發(fā)生的PCM單元的狀態(tài)分布的移位而引起的讀取錯(cuò)誤及/或減少此些讀取錯(cuò)誤的數(shù)目，如下文所描述。舉例來(lái)說(shuō)，存儲(chǔ)器單元的狀態(tài)分布可對(duì)應(yīng)于一或多個(gè)閾值電壓，所述一或多個(gè)閾值電壓對(duì)應(yīng)于由存儲(chǔ)器單元存儲(chǔ)的若干狀態(tài)或邏輯電平。換句話說(shuō)，此些狀態(tài)或邏輯電平可對(duì)應(yīng)于由一或多個(gè)閾值電壓分離的電壓范圍。舉例來(lái)說(shuō)，第一邏輯電平可對(duì)應(yīng)于第一電壓范圍，且第二邏輯電平可對(duì)應(yīng)于第二電壓范圍。此些邏輯電平可對(duì)應(yīng)于I位數(shù)據(jù)，例如(舉例來(lái)說(shuō))，針對(duì)第一邏輯電平為“O”且針對(duì)第二邏輯電平為“I”。
[0013]為了描述若干種技術(shù)當(dāng)中的一種方法，可至少部分地基于用于先前將PCM單元編程的同一或相同多個(gè)參考單元電流而讀取且確定存儲(chǔ)于PCM單元中的此些邏輯電平?？赏ㄟ^(guò)跨越PCM單元施加讀取電壓(例如，讀取偏置條件，如下文所描述)而產(chǎn)生讀取過(guò)程期間的單元電流，使得所述讀取過(guò)程期間的所述單元電流可至少部分地取決于所述PCM單元的電阻。因此，可通過(guò)將讀取過(guò)程期間的此單元電流與在較早將PCM單元的狀態(tài)或邏輯值(例如，電阻電平)編程時(shí)施加的參考單元電流進(jìn)行比較而確定所述狀態(tài)或邏輯值。然而，隨時(shí)間，跨越PCM單元施加的特定電壓的單元電流可由于(舉例來(lái)說(shuō))PCM單元的物理性質(zhì)的改變(例如，電阻及/或溫度改變)而漂移或改變。舉例來(lái)說(shuō)，此些改變可由各種物理現(xiàn)象的改變(例如PCM材料的電阻率漂移、溫度改變、保留等等)導(dǎo)致。此些改變可在讀取存儲(chǔ)器單元之前的時(shí)間跨度期間發(fā)生。在一個(gè)實(shí)施方案中，讀取錯(cuò)誤可為此改變的表現(xiàn)。舉例來(lái)說(shuō)，讀取錯(cuò)誤可在存儲(chǔ)器單元的改變的物理性質(zhì)繼續(xù)以使存儲(chǔ)器單元的閾值電壓上移或下移時(shí)越來(lái)越多地發(fā)生。因此，在一實(shí)施例中，讀取在特定編程電流或電壓下編程的存儲(chǔ)器單元的方法可包含修改一或多個(gè)讀取偏置條件以補(bǔ)償存儲(chǔ)器單元的物理性質(zhì)的此些改變。
[0014]在一實(shí)施例中，如上文所描述，可響應(yīng)于下文所詳細(xì)描述的錯(cuò)誤校正碼(ECC)溢出事件而執(zhí)行對(duì)存儲(chǔ)器單元的物理性質(zhì)的改變的補(bǔ)償。此ECC溢出事件可由ECC引擎指示。在一個(gè)實(shí)施方案中，此ECC引擎可位于包含存儲(chǔ)器單元的存儲(chǔ)器裝置中。舉例來(lái)說(shuō)，位于存儲(chǔ)器裝置中的存儲(chǔ)器控制器可包含ECC引擎。在另一實(shí)施方案中，此ECC引擎可位于存儲(chǔ)器裝置外部(例如在處理器、操作系統(tǒng)及/或應(yīng)用程序中，僅舉幾個(gè)實(shí)例)。在后一種實(shí)施方案中，ECC引擎可從存儲(chǔ)器控制器(舉例來(lái)說(shuō)，在存儲(chǔ)器裝置中)接收讀取數(shù)據(jù)且給存儲(chǔ)器控制器提供錯(cuò)誤校正碼，如下文所描述。
[0015]ECC引擎可作為過(guò)程的一部分產(chǎn)生ECC以確認(rèn)從存儲(chǔ)器讀取的數(shù)據(jù)的有效性(例如，正確性)及/或在發(fā)現(xiàn)錯(cuò)誤的情況下校正此讀取數(shù)據(jù)。舉例來(lái)說(shuō)，讀取過(guò)程可包含從存儲(chǔ)器讀取數(shù)據(jù)、至少部分地基于所讀取數(shù)據(jù)產(chǎn)生ECC及使用ECC來(lái)檢測(cè)讀取錯(cuò)誤(如果有的話)。在經(jīng)檢測(cè)讀取錯(cuò)誤的情形中，可使用ECC來(lái)校正此些讀取錯(cuò)誤。在另一實(shí)例中，寫(xiě)入過(guò)程可包含將數(shù)據(jù)寫(xiě)入到存儲(chǔ)器、從存儲(chǔ)器讀取剛剛寫(xiě)入的數(shù)據(jù)以確認(rèn)數(shù)據(jù)被正確地寫(xiě)入、至少部分地基于所讀取數(shù)據(jù)產(chǎn)生ECC及使用ECC來(lái)檢測(cè)寫(xiě)入錯(cuò)誤(如果有的話)。在經(jīng)檢測(cè)寫(xiě)入錯(cuò)誤的情形中，可使用ECC來(lái)校正此些寫(xiě)入錯(cuò)誤?？舍槍?duì)用以校正數(shù)據(jù)中的特定數(shù)目個(gè)錯(cuò)誤的能力來(lái)設(shè)計(jì)ECC引擎。ECC溢出事件可在于數(shù)據(jù)中檢測(cè)到的錯(cuò)誤的數(shù)目超過(guò)此能力的情況下產(chǎn)生，其中可能不校正數(shù)據(jù)中的此些錯(cuò)誤。明確地說(shuō)，讀取存儲(chǔ)器單元的方法可包含至少部分地基于ECC技術(shù)及/或讀取錯(cuò)誤的發(fā)生而修改讀取偏置條件的過(guò)程。詳細(xì)來(lái)說(shuō)，可使用偏置條件(例如讀取電壓或讀取電流)讀取存儲(chǔ)器裝置的內(nèi)容。可將由讀取存儲(chǔ)器裝置的內(nèi)容導(dǎo)致的讀取錯(cuò)誤計(jì)數(shù)。接著，可在讀取錯(cuò)誤數(shù)目超過(guò)特定數(shù)目的情況下修改讀取偏置條件。在一個(gè)實(shí)施方案中，此特定數(shù)目可至少部分地基于用以校正錯(cuò)誤的ECC能力。舉例來(lái)說(shuō)，相對(duì)適度ECC實(shí)施方案可具有用以校正兩個(gè)錯(cuò)誤的能力，而相對(duì)穩(wěn)健ECC實(shí)施方案可具有用以校正四個(gè)或四個(gè)以上錯(cuò)誤的能力。因此，讀取偏置條件可經(jīng)修改以便嘗試防止讀取錯(cuò)誤數(shù)目超過(guò)ECC實(shí)施方案的校正能力。當(dāng)然，ECC實(shí)施方案的此些數(shù)目及細(xì)節(jié)僅為實(shí)例，且所主張標(biāo)的物不限于此。
[0016]在一個(gè)實(shí)施方案中，如果經(jīng)編程(或?qū)懭?數(shù)據(jù)的一或多個(gè)位變得被毀壞，那么可使用ECC過(guò)程來(lái)用包含用于待重新建構(gòu)的數(shù)據(jù)的充足額外信息的奇偶位來(lái)補(bǔ)充所述數(shù)據(jù)。此ECC過(guò)程可至少部分地基于經(jīng)編程數(shù)據(jù)、經(jīng)編程數(shù)據(jù)的奇偶性、ECC過(guò)程的細(xì)節(jié)等等而產(chǎn)生經(jīng)編碼數(shù)據(jù)(例如，碼字)。舉例來(lái)說(shuō)，可在讀取所存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的過(guò)程及/或?qū)懭霐?shù)據(jù)后檢驗(yàn)的過(guò)程期間應(yīng)用表示所存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的此經(jīng)編碼數(shù)據(jù)。在特定實(shí)施方案中，經(jīng)編碼數(shù)據(jù)可至少部分地基于并行編碼與解碼技術(shù)。此類(lèi)技術(shù)可涉及2位錯(cuò)誤校正二進(jìn)制博斯-喬赫里-霍昆黑姆(Bose-Chaudhur1-Hocquenghem(BCH))碼、里德-所羅門(mén)(Reed-Solomon)碼或卷積碼(僅舉幾個(gè)實(shí)例)。
[0017]在一實(shí)施例中，經(jīng)編碼數(shù)據(jù)可包括多個(gè)邏輯I位或O位?？蓪⑻囟‥CC字的I的數(shù)目及O的數(shù)目計(jì)數(shù)。從此些計(jì)數(shù)，可做出關(guān)于經(jīng)編碼數(shù)據(jù)是否與O相比包括更多I或反之亦然的確定。此情況可稱(chēng)作“位失衡”。在若干個(gè)ECC實(shí)施方案中，位失衡可指示一或多個(gè)存儲(chǔ)器單元的閾值電壓及/或電阻率從將存儲(chǔ)器單元編程的時(shí)間漂移。舉例來(lái)說(shuō)，如果經(jīng)編碼數(shù)據(jù)與O相比包括更多1，那么存儲(chǔ)器單元的閾值電壓可能已從編程期間的存儲(chǔ)器單元的閾值電壓電平向上漂移。在此情形中，可減小讀取偏置條件(例如讀取電壓或讀取電流)以補(bǔ)償閾值電壓的此向上漂移。另一方面，如果經(jīng)編碼數(shù)據(jù)與I相比包括更多0，那么閾值電壓可能已從編程期間的存儲(chǔ)器單元的閾值電壓電平向下漂移。在此情形中，可增加讀取偏置條件(例如讀取電壓或讀取電流)以補(bǔ)償閾值電壓的此向下漂移。如下文所詳細(xì)描述，可逐步執(zhí)行此增加或減小讀取偏置電壓或電流，同時(shí)反復(fù)地確定后續(xù)讀取錯(cuò)誤事件是否減少。當(dāng)然，描述讀取偏置條件補(bǔ)償?shù)拇诵┘?xì)節(jié)僅為實(shí)例，且所主張標(biāo)的物不限于此。
[0018]圖1是根據(jù)一實(shí)施例的可用于將PCM單元編程的偏置信號(hào)波形的特性的曲線圖100?？赏ㄟ^(guò)經(jīng)由施加相對(duì)高振幅、相對(duì)短持續(xù)時(shí)間電編程脈沖或偏置信號(hào)120使相變材料熔化而對(duì)PCM單元進(jìn)行復(fù)位。在復(fù)位狀態(tài)中，相變材料的有源區(qū)域可包括(舉例來(lái)說(shuō))鄰近于PCM單元中的加熱器元件安置的為圓頂形狀的非晶區(qū)域。已結(jié)晶相變材料可環(huán)繞此非晶區(qū)域。在此狀態(tài)中，PCM單元可具有相對(duì)高電阻。在后續(xù)過(guò)程中，可通過(guò)使圓頂形狀的非晶區(qū)域結(jié)晶使得相變材料的實(shí)質(zhì)上整個(gè)區(qū)域可為晶體而設(shè)定PCM單元。此過(guò)程可涉及使施加到PCM單元的相對(duì)低振幅、相對(duì)長(zhǎng)持續(xù)時(shí)間偏置信號(hào)110的電壓及/或電流斜降以使PCM單元的相變材料結(jié)晶。在此狀態(tài)中，PCM單元可具有相對(duì)低電阻。在一實(shí)施方案中，特定偏置信號(hào)120可經(jīng)選擇以將PCM單元設(shè)定為對(duì)應(yīng)于特定電阻范圍的特定狀態(tài)。舉例來(lái)說(shuō)，可減小偏置信號(hào)120的持續(xù)時(shí)間及/或振幅。然而，此特定電阻范圍可從將PCM單元編程的時(shí)間到讀取PCM單元的時(shí)間變化或漂移。舉例來(lái)說(shuō)，PCM單元可包括(尤其在材料的結(jié)晶不完全的情況下)可朝向較高電阻率漂移的非晶材料，例如在多電平應(yīng)用中使用的PCM單元中。PCM單元可包括可朝向可涉及熱力較低能量狀態(tài)的結(jié)晶狀態(tài)演變的非晶材料。另外，循環(huán)通過(guò)PCM單元的狀態(tài)還可影響讀取電流或閾值的分布。當(dāng)然，PCM單元的此些細(xì)節(jié)僅為實(shí)例，且所主張標(biāo)的物不限于此。
[0019]圖2是根據(jù)一實(shí)施例的存儲(chǔ)器陣列的讀取偏置電流或電壓值的特性的曲線圖200。詳細(xì)來(lái)說(shuō)，曲線圖200包括讀取偏置電流或電壓隨讀取存儲(chǔ)器陣列的過(guò)程中的讀取反復(fù)的數(shù)目而變的曲線圖。為了清楚起見(jiàn)，讀取偏置電流或電壓將在下文中稱(chēng)為讀取電壓或讀取偏置。然而，可用涉及電流的說(shuō)明替換涉及電壓的說(shuō)明，其中所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員清楚任一恰當(dāng)改變。在任一情形中，所主張標(biāo)的物不限于此方面。曲線圖210包括可反復(fù)地施加到一或多個(gè)存儲(chǔ)器單元的讀取電壓的增加的步長(zhǎng)。舉例來(lái)說(shuō)，讀取電壓212可在過(guò)程的一個(gè)反復(fù)期間施加到一或多個(gè)存儲(chǔ)器單元以讀取存儲(chǔ)器單元的內(nèi)容，而讀取電壓216可在后續(xù)反復(fù)期間施加到存儲(chǔ)器單元。類(lèi)似地，如由曲線圖220展示，讀取電壓222可在過(guò)程的一個(gè)反復(fù)期間施加到一或多個(gè)存儲(chǔ)器單元以讀取存儲(chǔ)器單元的內(nèi)容，而讀取電壓226可在后續(xù)反復(fù)期間施加到存儲(chǔ)器單元。舉例來(lái)說(shuō)，此些反復(fù)可包括讀取過(guò)程、將讀取錯(cuò)誤(如果有的話)計(jì)數(shù)及/或至少部分地基于經(jīng)計(jì)數(shù)讀取錯(cuò)誤數(shù)目確定是增加讀取電壓還是減小讀取電壓。從一個(gè)讀取電壓值到后續(xù)讀取電壓值的步長(zhǎng)大小230可從一個(gè)實(shí)施方案到另一實(shí)施方案變化。舉例來(lái)說(shuō)，在一個(gè)實(shí)施方案中，步長(zhǎng)大小230可從一個(gè)反復(fù)步驟到另一反復(fù)步驟變化。在另一實(shí)施方案中，步長(zhǎng)大小230可從一個(gè)反復(fù)步驟到另一反復(fù)步驟保持不變。舉例來(lái)說(shuō)，步長(zhǎng)大小可包括在數(shù)十毫伏到數(shù)百毫伏的范圍內(nèi)的電壓。雖然曲線圖200展示特定反復(fù)數(shù)目，但此反復(fù)數(shù)目可從一個(gè)實(shí)施方案到另一實(shí)施方案變化。舉例來(lái)說(shuō)，此反復(fù)數(shù)目可至少部分地基于步長(zhǎng)大小230、增加或減小偏置電壓對(duì)讀取錯(cuò)誤事件的數(shù)目的結(jié)果、用于從存儲(chǔ)器讀取的特定算法等等。舉例來(lái)說(shuō)，一種特定算法可涉及確定錯(cuò)誤事件因步進(jìn)通過(guò)讀取電壓的值而減少的速率。另一特定算法可步進(jìn)通過(guò)讀取電壓的值特定次數(shù)而無(wú)論對(duì)所得讀取錯(cuò)誤的影響如何。當(dāng)然，可涉及任一數(shù)目個(gè)算法，且所主張標(biāo)的物不限于此。
[0020]圖3是根據(jù)一實(shí)施例的用以讀取存儲(chǔ)器陣列的內(nèi)容的讀取過(guò)程300的流程圖。此讀取過(guò)程可由存儲(chǔ)器控制器響應(yīng)于接收到來(lái)自處理器的讀取請(qǐng)求而執(zhí)行。舉例來(lái)說(shuō)，處理器可執(zhí)行形成引導(dǎo)到可執(zhí)行讀取過(guò)程300的存儲(chǔ)器控制器的讀取請(qǐng)求的應(yīng)用程序，但所主張標(biāo)的物不限于此。讀取過(guò)程300可涉及用以檢測(cè)及/或校正讀取錯(cuò)誤的ECC引擎，如上文所描述。因此，在讀取存儲(chǔ)器陣列的內(nèi)容之后，可使用此ECC引擎來(lái)校正可能已發(fā)生的讀取錯(cuò)誤。然而，ECC引擎可在其能力上限于校正超出特定數(shù)目個(gè)錯(cuò)誤。ECC溢出可在讀取錯(cuò)誤數(shù)目超過(guò)此特定數(shù)目的情況下發(fā)生。在菱形框310處，可做出關(guān)于是否已發(fā)生此ECC溢出的確定。如果否，那么過(guò)程300可進(jìn)行到框315，其中讀取過(guò)程300可以讀取錯(cuò)誤(如果有的話)由有能力的ECC引擎校正完成。然而，如果已發(fā)生ECC溢出，那么ECC引擎不能夠校正導(dǎo)致ECC溢出的讀取錯(cuò)誤中的任一或所有讀取錯(cuò)誤。在此情形中，過(guò)程300可進(jìn)行到框320，其中可從(舉例來(lái)說(shuō))ECC引擎檢索經(jīng)編碼數(shù)據(jù)。如上文所論述，此經(jīng)編碼數(shù)據(jù)可包括多個(gè)邏輯I位或O位。在一實(shí)施方案中，可通過(guò)組合數(shù)據(jù)字與通過(guò)借助(舉例來(lái)說(shuō))確定性算法處理數(shù)據(jù)字獲得的奇偶碼位而產(chǎn)生經(jīng)編碼數(shù)據(jù)。如果從存儲(chǔ)器陣列檢索了經(jīng)編碼數(shù)據(jù)，那么可將這些奇偶碼位與對(duì)應(yīng)于原始數(shù)據(jù)的奇偶碼位進(jìn)行比較。如果兩組奇偶碼位不匹配，那么可相應(yīng)地改變數(shù)據(jù)字直到奇偶位匹配為止。因此，可校正存在于數(shù)據(jù)字中的錯(cuò)誤。在框330中，可將特定ECC字的I的數(shù)目及O的數(shù)目計(jì)數(shù)。從此些計(jì)數(shù)，可做出關(guān)于ECC字是否包括位失衡(與O相比具有更多I或反之亦然)的確定。在框340處，可至少部分地基于ECC字是否包括位失衡而確定用以對(duì)ECC溢出做出響應(yīng)的策略。如果如此，那么過(guò)程300可進(jìn)行到菱形框350，其中可做出關(guān)于ECC字是否與I位相比包括更大數(shù)目個(gè)O位的確定。如果如此，那么過(guò)程300可進(jìn)行到框370，其中可增加讀取電壓。此增加可補(bǔ)償存儲(chǔ)器陣列的閾值電壓可能已從編程期間的存儲(chǔ)器陣列的閾值電壓電平向下漂移的可能性，如上文所論述。此讀取電壓增加可類(lèi)似于(舉例來(lái)說(shuō))由圖2中所展示的步長(zhǎng)大小230表示的電壓增加。在框373處，可再次執(zhí)行用以讀取存儲(chǔ)器陣列的內(nèi)容的過(guò)程，此次使用比前一次讀取(例如，在菱形框310之前執(zhí)行)中所使用的讀取電壓高的讀取電壓。此讀取過(guò)程可導(dǎo)致讀取錯(cuò)誤，所述讀取錯(cuò)誤可使用由所述讀取過(guò)程中所涉及的ECC引擎產(chǎn)生的ECC字來(lái)檢測(cè)。在一種情形中，所述讀取錯(cuò)誤數(shù)目可少于由前一次讀取導(dǎo)致的讀取錯(cuò)誤數(shù)目。雖然此讀取錯(cuò)誤數(shù)目可較少，但所述讀取錯(cuò)誤數(shù)目仍可超過(guò)ECC弓I擎的錯(cuò)誤校正能力。此情形可因此涉及ECC溢出，如在菱形框376處確定。如果發(fā)生ECC溢出，那么過(guò)程300可返回到框370且可再次增加讀取電壓以進(jìn)一步嘗試補(bǔ)償存儲(chǔ)器陣列的閾值電壓可能已從編程期間的存儲(chǔ)器陣列的閾值電壓電平向下漂移的可能性。因此，過(guò)程300可循環(huán)通過(guò)以下反復(fù)過(guò)程:增加讀取電壓、讀取存儲(chǔ)器陣列的內(nèi)容、確定所得讀取錯(cuò)誤數(shù)目是否超過(guò)ECC引擎的錯(cuò)誤校正能力且如果如此，那么重復(fù)所述反復(fù)過(guò)程。另一方面，如果所得讀取錯(cuò)誤數(shù)目在ECC引擎的錯(cuò)誤校正能力內(nèi)，那么過(guò)程300可進(jìn)行到框380，其中可刷新ECC字。此可意指在與上文針對(duì)ECC引擎操作所描述的程序類(lèi)似或相同的程序之后產(chǎn)生新數(shù)據(jù)代碼。新編程階段可恢復(fù)經(jīng)校正內(nèi)容，因此使可能已針對(duì)(舉例來(lái)說(shuō))一些或所有位發(fā)生的漂移無(wú)效。
[0021]另一方面，返回到菱形框350，如果ECC字與O相比包括更多1，那么過(guò)程300可進(jìn)行到框360，其中可減小讀取電壓。此減小可補(bǔ)償存儲(chǔ)器陣列的閾值電壓可能已從編程期間的存儲(chǔ)器陣列的閾值電壓電平向上漂移的可能性，如上文所論述。此讀取電壓減小可類(lèi)似于(舉例來(lái)說(shuō))圖2中所展示的步長(zhǎng)大小230。在框363處，可再次執(zhí)行用以讀取存儲(chǔ)器陣列的內(nèi)容的過(guò)程，此次使用比前一次讀取(例如，在菱形框310之前執(zhí)行)中所使用的讀取電壓低的讀取電壓。此讀取過(guò)程可導(dǎo)致讀取錯(cuò)誤，所述讀取錯(cuò)誤可使用由所述讀取過(guò)程中所涉及的ECC引擎產(chǎn)生的ECC字來(lái)檢測(cè)。在一種情形中，所述讀取錯(cuò)誤數(shù)目可少于由前一次讀取導(dǎo)致的讀取錯(cuò)誤數(shù)目。雖然此讀取錯(cuò)誤數(shù)目可較少，但所述讀取錯(cuò)誤數(shù)目仍可超過(guò)ECC引擎的錯(cuò)誤校正能力。此情形可因此涉及ECC溢出，如在菱形框366處確定。如果發(fā)生ECC溢出，那么過(guò)程300可返回到框360，且可再次減小讀取電壓以進(jìn)一步嘗試補(bǔ)償存儲(chǔ)器陣列的閾值電壓可能已從編程期間的存儲(chǔ)器陣列的閾值電壓電平向上漂移的可能性。因此，過(guò)程300可循環(huán)通過(guò)以下反復(fù)過(guò)程:減小讀取電壓、讀取存儲(chǔ)器陣列的內(nèi)容、確定所得讀取錯(cuò)誤數(shù)目是否超過(guò)ECC引擎的錯(cuò)誤校正能力且如果如此，那么重復(fù)所述反復(fù)過(guò)程。另一方面，如果所得讀取錯(cuò)誤數(shù)目在ECC引擎的錯(cuò)誤校正能力內(nèi)，那么過(guò)程300可進(jìn)行到框380，其中可由ECC引擎產(chǎn)生新經(jīng)編碼數(shù)據(jù)，如先前所解釋。當(dāng)然，過(guò)程300的此些細(xì)節(jié)僅為實(shí)例，且所主張的標(biāo)的物不限于此。
[0022]圖4是根據(jù)另一實(shí)施例的用以讀取存儲(chǔ)器陣列的內(nèi)容的讀取過(guò)程400的流程圖。過(guò)程400可涉及用以檢測(cè)及/或校正讀取錯(cuò)誤的ECC引擎，如上文所描述。類(lèi)似于過(guò)程300的情形，在讀取存儲(chǔ)器陣列的內(nèi)容之后，可使用此ECC引擎來(lái)校正可能已發(fā)生的讀取錯(cuò)誤。然而，ECC溢出可在讀取錯(cuò)誤數(shù)目超過(guò)ECC弓I擎校正此些讀取錯(cuò)誤的能力的情況下發(fā)生。過(guò)程400在橢圓形框410處以此ECC溢出開(kāi)始。在框420處，可確定用以對(duì)此ECC溢出做出響應(yīng)的策略。舉例來(lái)說(shuō)，在一個(gè)實(shí)施方案中，執(zhí)行應(yīng)用程序的處理器可確定此策略(例如，反復(fù)的數(shù)目、電壓步長(zhǎng)等)。在另一實(shí)施方案中，存儲(chǔ)器控制器可確定此策略。在任一此類(lèi)情形中，此確定可至少部分地基于ECC溢出的程度(例如，超出ECC引擎的錯(cuò)誤校正能力的讀取錯(cuò)誤數(shù)目)及/或至少部分地基于由ECC引擎產(chǎn)生的ECC字是否包括位失衡。[0023]舉例來(lái)說(shuō)，如果已發(fā)生超出ECC引擎的錯(cuò)誤校正能力的僅幾個(gè)讀取錯(cuò)誤，那么用以對(duì)ECC溢出做出響應(yīng)的策略可包含實(shí)施比第一 ECC引擎(其導(dǎo)致ECC溢出)更穩(wěn)健的另一 ECC引擎(例如，能夠校正更多讀取錯(cuò)誤)。然而，實(shí)施此相對(duì)穩(wěn)健ECC引擎可涉及以下代價(jià):此穩(wěn)健ECC引擎可利用存儲(chǔ)器及/或處理資源的相對(duì)大部分。舉例來(lái)說(shuō)，存儲(chǔ)器陣列的相對(duì)大部分可由ECC過(guò)程中所涉及的數(shù)據(jù)占據(jù)以及由構(gòu)成ECC引擎自身的可執(zhí)行代碼占據(jù)。另外，相對(duì)穩(wěn)健ECC引擎可花費(fèi)相對(duì)長(zhǎng)時(shí)間來(lái)校正讀取錯(cuò)誤。因此，用以對(duì)ECC溢出做出響應(yīng)的策略不需要涉及較穩(wěn)健ECC引擎。
[0024]如上文所提及，用以對(duì)ECC溢出做出響應(yīng)的策略可至少部分地基于ECC字是否包括位失衡來(lái)確定。如果包括位失衡，那么過(guò)程400可進(jìn)行到框430以開(kāi)始修改讀取偏置的過(guò)程。在一實(shí)施方案中，為了確定是將增加還是將減小讀取偏置，舉例來(lái)說(shuō)，可將特定ECC字的I的數(shù)目及O的數(shù)目計(jì)數(shù)。如果ECC字與I位相比包括較大數(shù)目個(gè)O位，那么過(guò)程400可進(jìn)行到框450，其中可將讀取電壓增加特定量。如上文所論述，此增加可補(bǔ)償存儲(chǔ)器陣列的閾值電壓可能已從編程期間的存儲(chǔ)器陣列的閾值電壓電平向下漂移的可能性。在框452處，可再次執(zhí)行用以讀取存儲(chǔ)器陣列的內(nèi)容的過(guò)程，此次使用比前一次讀取(例如，在橢圓形框410的ECC溢出之前執(zhí)行)中所使用的讀取電壓高的讀取電壓。此讀取過(guò)程可導(dǎo)致讀取錯(cuò)誤，所述讀取錯(cuò)誤可使用通過(guò)所述讀取過(guò)程產(chǎn)生的ECC字來(lái)檢測(cè)。如可在下文描述的菱形框456處確定，所述讀取錯(cuò)誤數(shù)目可少于由前一次讀取過(guò)程導(dǎo)致的讀取錯(cuò)誤數(shù)目。雖然此讀取錯(cuò)誤數(shù)目可較少，但所述讀取錯(cuò)誤數(shù)目仍可超過(guò)ECC引擎的錯(cuò)誤校正能力。此情形可因此涉及ECC溢出，如在菱形框454處確定。如果不發(fā)生溢出，那么過(guò)程400可進(jìn)行到框460，其中可刷新經(jīng)編碼數(shù)據(jù)。另一方面，如果發(fā)生ECC溢出，那么過(guò)程400可進(jìn)行到菱形框456，其中可做出關(guān)于讀取錯(cuò)誤數(shù)目雖然足以導(dǎo)致ECC溢出但是否已從在于框450處增加讀取電壓之前發(fā)生的讀取錯(cuò)誤數(shù)目減小的確定。如果已發(fā)生此讀取錯(cuò)誤數(shù)目的減小，那么過(guò)程400可返回到框450，其中可針對(duì)修改讀取電壓的另一反復(fù)過(guò)程再次增加讀取電壓。因此，可在菱形框454處再次做出關(guān)于是否因最近增加的讀取電壓而發(fā)生ECC溢出的確定。如果未發(fā)生ECC溢出，那么過(guò)程400可進(jìn)行到框460以執(zhí)行刷新操作，如上文所描述。另一方面，過(guò)程400可再次進(jìn)行到菱形框456，其中可做出關(guān)于讀取錯(cuò)誤數(shù)目是否已從在于框450處增加讀取電壓之前發(fā)生的讀取錯(cuò)誤數(shù)目減小的確定。如上文所描述，如果已發(fā)生此讀取錯(cuò)誤數(shù)目的減小，那么過(guò)程400可再次返回到框450，其中可針對(duì)修改讀取電壓的另一反復(fù)過(guò)程再次增加讀取電壓。然而，如果尚未發(fā)生此讀取錯(cuò)誤數(shù)目的減小，那么過(guò)程400可返回到框420，其中可重新訪問(wèn)用以確定對(duì)ECC溢出做出響應(yīng)的策略的決策過(guò)程。如上文所論述，策略選項(xiàng)可包含:實(shí)施較穩(wěn)健ECC引擎或若干種可能性當(dāng)中的任一其它策略(例如，改變步長(zhǎng)大小、重復(fù)讀取過(guò)程、應(yīng)用多數(shù)表決方案、從寫(xiě)入到陣列(其可能已經(jīng)歷類(lèi)似于讀取單元的漂移的漂移，此漂移可為存儲(chǔ)器控制器已知以提供用于(舉例來(lái)說(shuō))校正算法的信息)中的已知樣式獲取信息)。
[0025]返回到菱形框430，如果ECC字與O位相比包括較大數(shù)目個(gè)I位，那么過(guò)程400可進(jìn)行到框440，其中可將讀取電壓減小特定量。如上文所論述，此減小可補(bǔ)償存儲(chǔ)器陣列的閾值電壓可能已從編程期間的存儲(chǔ)器陣列的閾值電壓電平向上漂移的可能性。在框442處，可再次執(zhí)行用以讀取存儲(chǔ)器陣列的內(nèi)容的過(guò)程，此次使用比在前一次讀取(例如，在橢圓形框410的ECC溢出之前執(zhí)行)中所使用的讀取電壓低的讀取電壓。此讀取過(guò)程可導(dǎo)致讀取錯(cuò)誤，所述讀取錯(cuò)誤可使用通過(guò)所述讀取過(guò)程產(chǎn)生的ECC字來(lái)檢測(cè)。如可在下文所描述的菱形框446處確定，所述讀取錯(cuò)誤數(shù)目可少于由前一次讀取過(guò)程導(dǎo)致的讀取錯(cuò)誤數(shù)目。雖然此讀取錯(cuò)誤數(shù)目可較少，但所述讀取錯(cuò)誤數(shù)目仍可超過(guò)ECC弓I擎的錯(cuò)誤校正能力。此情形可因此再次涉及ECC溢出，如在菱形框444處確定。如果不發(fā)生溢出，那么過(guò)程400可進(jìn)行到框460，其中可發(fā)生刷新操作。另一方面，如果發(fā)生ECC溢出，那么過(guò)程400可進(jìn)行到菱形框446，其中可做出關(guān)于讀取錯(cuò)誤數(shù)目雖然足以導(dǎo)致ECC溢出但是否已從在于框440處減小讀取電壓之前發(fā)生的讀取錯(cuò)誤數(shù)目減小的確定。如果已發(fā)生此讀取錯(cuò)誤數(shù)目的減小，那么過(guò)程400可返回到框440，其中可針對(duì)修改讀取電壓的另一反復(fù)過(guò)程再次減小讀取電壓。因此，可在菱形框444處再次做出關(guān)于是否因最近減小的讀取電壓而發(fā)生ECC溢出的確定。如果未發(fā)生ECC溢出，那么過(guò)程400可進(jìn)行到框460，其中可發(fā)生刷新操作。另一方面，過(guò)程400可再次進(jìn)行到菱形框446，其中可做出關(guān)于讀取錯(cuò)誤數(shù)目是否已從在于框440處減小讀取電壓之前發(fā)生的讀取錯(cuò)誤數(shù)目減小的確定。如上文所描述，如果已發(fā)生此讀取錯(cuò)誤數(shù)目的減小，那么過(guò)程400可再次返回到框440，其中可再次針對(duì)修改讀取電壓的另一反復(fù)過(guò)程減小讀取電壓。然而，如果尚未發(fā)生此讀取錯(cuò)誤數(shù)目的減小，那么過(guò)程400可返回到框420，其中可重新訪問(wèn)用以確定對(duì)ECC溢出做出響應(yīng)的策略的決策過(guò)程。如上文所論述，策略選項(xiàng)可包含實(shí)施較穩(wěn)健ECC引擎或若干種可能性當(dāng)中的任一其它策略。
[0026]圖5是圖解說(shuō)明包含存儲(chǔ)器裝置510的計(jì)算系統(tǒng)500的示范性實(shí)施例的示意圖。此計(jì)算裝置可包括(舉例來(lái)說(shuō))用以執(zhí)行應(yīng)用程序及/或其它代碼的一或多個(gè)處理器。舉例來(lái)說(shuō)，存儲(chǔ)器裝置510可包括PCM程序緩沖器，例如圖1中所展示的程序緩沖器710。計(jì)算裝置504可表示可為可配置以管理存儲(chǔ)器裝置510的任一裝置、器具或機(jī)器。存儲(chǔ)器裝置510可包含存儲(chǔ)器控制器515及存儲(chǔ)器522。通過(guò)舉例而非限制的方式，計(jì)算裝置504可包含:一或多個(gè)計(jì)算裝置及/或平臺(tái)，例如桌上型計(jì)算機(jī)、膝上型計(jì)算機(jī)、工作站、服務(wù)器裝置等等；一或多個(gè)個(gè)人計(jì)算或通信裝置或者器具，例如個(gè)人數(shù)字助理、移動(dòng)通信裝置等等；計(jì)算系統(tǒng)及/或相關(guān)聯(lián)的服務(wù)提供者能力，例如數(shù)據(jù)庫(kù)或數(shù)據(jù)存儲(chǔ)服務(wù)提供者/系統(tǒng)；及/或其任一組合。
[0027]應(yīng)認(rèn)識(shí)到，系統(tǒng)500中所展示的各種裝置以及如本文中進(jìn)一步描述的過(guò)程及方法的全部或一部分可使用硬件、固件、軟件或其任一組合來(lái)實(shí)施或者以其它方式包含硬件、固件、軟件或其任一組合。因此，通過(guò)舉例而非限制的方式，計(jì)算裝置504可包含通過(guò)總線540在操作上耦合到存儲(chǔ)器522的至少一個(gè)處理單元520及主機(jī)或存儲(chǔ)器控制器515。處理單元520表示可配置以執(zhí)行數(shù)據(jù)計(jì)算程序或過(guò)程的至少一部分的一或多個(gè)電路。通過(guò)舉例而非限制的方式，處理單元520可包括一或多個(gè)處理器、控制器、微處理器、微控制器、專(zhuān)用集成電路、數(shù)字信號(hào)處理器、可編程邏輯裝置、現(xiàn)場(chǎng)可編程門(mén)陣列等等或其任一組合。處理單元520可包含經(jīng)配置以與存儲(chǔ)器控制器515通信的操作系統(tǒng)。舉例來(lái)說(shuō)，此操作系統(tǒng)可產(chǎn)生將經(jīng)由總線540發(fā)送到存儲(chǔ)器控制器515的命令。在一個(gè)實(shí)施方案中，存儲(chǔ)器控制器515可包含包括用以檢測(cè)及/或校正讀取錯(cuò)誤的電路及/或可執(zhí)行代碼的ECC引擎570，如上文所論述。舉例來(lái)說(shuō)，如果經(jīng)編程數(shù)據(jù)的一或多個(gè)位變得被毀壞，那么可使用由ECC引擎570執(zhí)行的ECC過(guò)程來(lái)用包含充足額外信息以重新建構(gòu)所述數(shù)據(jù)的奇偶位來(lái)補(bǔ)充所述數(shù)據(jù)。舉例來(lái)說(shuō)，可在讀取所存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的過(guò)程及/或?qū)懭霐?shù)據(jù)后檢驗(yàn)的過(guò)程期間應(yīng)用表示所存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的此ECC字。[0028]存儲(chǔ)器控制器515可執(zhí)行由處理單元520起始的命令，例如讀取及/或?qū)懭朊?。響?yīng)于(舉例來(lái)說(shuō))讀取命令，存儲(chǔ)器控制器515可提供(舉例來(lái)說(shuō))包括具有從一個(gè)讀取過(guò)程到下一讀取過(guò)程依序增加或減小的個(gè)別電壓電平的一系列讀取電壓的偏置信號(hào)，例如圖2中的曲線圖210或220中所展示的偏置信號(hào)。明確地說(shuō)，存儲(chǔ)器控制器515可使用偏置條件讀取存儲(chǔ)器522的內(nèi)容，且因此將由讀取所述內(nèi)容導(dǎo)致的讀取錯(cuò)誤計(jì)數(shù)。此外，如果(舉例來(lái)說(shuō))讀取錯(cuò)誤數(shù)目超過(guò)特定閾值數(shù)目，那么存儲(chǔ)器控制器515可修改此偏置條件。在一個(gè)實(shí)施方案中，存儲(chǔ)器控制器515可通過(guò)使用ECC引擎570而確定表示存儲(chǔ)器522的所讀取內(nèi)容的碼字。在此情形中，存儲(chǔ)器控制器515可將碼字的包括第一邏輯狀態(tài)的位的數(shù)目與碼字的包括第二邏輯狀態(tài)的位的數(shù)目進(jìn)行比較。此比較可導(dǎo)致關(guān)于是增加還是減小存儲(chǔ)器522的讀取偏置條件的確定。
[0029]存儲(chǔ)器522表示任一數(shù)據(jù)存儲(chǔ)機(jī)構(gòu)。存儲(chǔ)器522可包含(舉例來(lái)說(shuō))主要存儲(chǔ)器524及/或輔助存儲(chǔ)器526。存儲(chǔ)器522可包括(舉例來(lái)說(shuō))PCM。主要存儲(chǔ)器524可包含(舉例來(lái)說(shuō))隨機(jī)存取存儲(chǔ)器、只讀存儲(chǔ)器等。盡管在此實(shí)例中圖解說(shuō)明為與處理單元520分離，但應(yīng)理解，主要存儲(chǔ)器524的整體或一部分可設(shè)置于處理單元520內(nèi)或以其它方式與處理單元520共同定位/耦合。
[0030]在一個(gè)實(shí)施例中，計(jì)算系統(tǒng)500可包括包含PCM陣列及用以存儲(chǔ)一或多個(gè)特定參考狀態(tài)的PCM參考單元部分的程序緩沖器。系統(tǒng)500還可包含控制器，所述控制器用以響應(yīng)于讀取操作而將偏置脈沖施加到PCM陣列的單元以產(chǎn)生單元電流且用以至少部分地基于由所述一或多個(gè)特定參考狀態(tài)產(chǎn)生的參考電流來(lái)修改所述單元電流。系統(tǒng)500可進(jìn)一步包含用以托管一或多個(gè)應(yīng)用程序及用以起始讀取操作的處理器。
[0031]輔助存儲(chǔ)器526可包含(舉例來(lái)說(shuō))與主要存儲(chǔ)器相同或類(lèi)似類(lèi)型的存儲(chǔ)器及/或一或多個(gè)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)裝置或系統(tǒng)，例如(舉例來(lái)說(shuō))磁盤(pán)驅(qū)動(dòng)器、光盤(pán)驅(qū)動(dòng)器、磁帶驅(qū)動(dòng)器、固態(tài)存儲(chǔ)器驅(qū)動(dòng)器等。在特定實(shí)施方案中，輔助存儲(chǔ)器526可在操作上接收計(jì)算機(jī)可讀媒體528或可以其它方式配置以耦合到計(jì)算機(jī)可讀媒體528。計(jì)算機(jī)可讀媒體528可包含(舉例來(lái)說(shuō))可載運(yùn)用于系統(tǒng)500中的裝置中的一或多者的數(shù)據(jù)、代碼及/或指令及/或使所述數(shù)據(jù)、代碼及/或指令可存取的任一媒體。
[0032]計(jì)算裝置504可包含(舉例來(lái)說(shuō))輸入/輸出532。輸入/輸出532表示可為可配置以接受或以其它方式引入人類(lèi)及/或機(jī)器輸入的一或多個(gè)裝置或者特征，及/或可為可配置以遞送或以其它方式提供人類(lèi)及/或機(jī)器輸出的一或多個(gè)裝置或者特征。通過(guò)舉例而非限制的方式，輸入/輸出裝置532可包含在操作上經(jīng)配置的顯示器、揚(yáng)聲器、鍵盤(pán)、鼠標(biāo)、軌跡球、觸摸屏、數(shù)據(jù)端口等。
[0033]盡管已圖解說(shuō)明及描述了目前被視為實(shí)例性實(shí)施例的內(nèi)容，但所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員將理解，可在不背離所主張標(biāo)的物的情況下做出各種其它修改且可替代等效物。另外，可在不背離本文中所描述的中心概念的情況下做出許多修改以使特定情況適應(yīng)所主張標(biāo)的物的教示。因此，打算所主張標(biāo)的物不限于所揭示的特定實(shí)施例，而是此所主張標(biāo)的物還可包含歸屬于所附權(quán)利要求書(shū)及其等效物的范圍內(nèi)的所有實(shí)施例。
【權(quán)利要求】
1.一種方法，其包括: 施加偏置條件以讀取存儲(chǔ)器裝置的內(nèi)容； 將所述存儲(chǔ)器裝置的所述所讀取內(nèi)容中的讀取錯(cuò)誤計(jì)數(shù)；及 響應(yīng)于所述錯(cuò)誤計(jì)數(shù)超過(guò)閾值數(shù)目而修改所述偏置條件。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其進(jìn)一步包括: 通過(guò)使用錯(cuò)誤校正碼ECC引擎而確定表示所述存儲(chǔ)器裝置的所述所讀取內(nèi)容的經(jīng)編碼數(shù)據(jù)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中所述修改所述偏置條件進(jìn)一步包括: 至少部分地基于所述經(jīng)編碼數(shù)據(jù)的在第一邏輯狀態(tài)中的位的數(shù)目與所述經(jīng)編碼數(shù)據(jù)的在第二邏輯狀態(tài)中的位的數(shù)目的比較而確定是否修改所述偏置條件。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述偏置條件包括讀取偏置電壓。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其進(jìn)一步包括: 在修改所述偏置條件之后，使用所述經(jīng)修改偏置條件讀取所述存儲(chǔ)器裝置的所述內(nèi)容； 將由所述讀取所述存儲(chǔ)器裝置的內(nèi)容導(dǎo)致的讀取錯(cuò)誤重新計(jì)數(shù)；及 響應(yīng)于所述讀取錯(cuò)誤的所述數(shù)目超過(guò)所述閾值數(shù)目而重新修改所述偏置條件。
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中所述偏置條件包括讀取偏置電壓，且所述方法進(jìn)一步包括: 將所述經(jīng)編碼數(shù)據(jù)的邏輯“O”位的數(shù)目與所述經(jīng)編碼數(shù)據(jù)的邏輯“ I ”位的數(shù)目進(jìn)行比較 '及 響應(yīng)于所述邏輯“O ”位數(shù)目超過(guò)所述邏輯“ I ”位數(shù)目而減小所述偏置條件，且響應(yīng)于所述邏輯“ I ”位數(shù)目超過(guò)所述邏輯“O”位數(shù)目而增加所述偏置條件。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其進(jìn)一步包括: 反復(fù)地修改所述偏置條件直到所述讀取錯(cuò)誤的所述數(shù)目包括小于或等于所述閾值數(shù)目的數(shù)目為止。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述存儲(chǔ)器裝置包括相變存儲(chǔ)器PCM。
9.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中響應(yīng)于ECC溢出事件而執(zhí)行所述修改所述偏置條件。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其進(jìn)一步包括: 依序步進(jìn)通過(guò)所述偏置條件的多個(gè)值；及 至少部分地基于所述讀取錯(cuò)誤的所述數(shù)目是否包括小于或等于所述閾值數(shù)目的數(shù)目而確定是否繼續(xù)所述順序步進(jìn)。
11.一種設(shè)備，其包括: 控制器，其用以: 施加偏置條件以讀取存儲(chǔ)器裝置的內(nèi)容； 將所述存儲(chǔ)器裝置的所述所讀取內(nèi)容中的讀取錯(cuò)誤計(jì)數(shù)；及 響應(yīng)于所述讀取錯(cuò)誤計(jì)數(shù)超過(guò)閾值數(shù)目而修改所述偏置條件。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的設(shè)備，所述控制器用以通過(guò)使用錯(cuò)誤校正碼ECC引擎而確定表示所述存儲(chǔ)器裝置的所述所讀取內(nèi)容的碼字。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的設(shè)備，所述控制器用以: 至少部分地基于所述碼字的在第一邏輯狀態(tài)中的位的數(shù)目與所述碼字的在第二邏輯狀態(tài)中的位的數(shù)目的比較而確定是否修改所述偏置條件。
14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的設(shè)備，其中所述偏置條件包括讀取偏置電壓，且其中所述控制器適于: 將所述碼字的邏輯“O”位的數(shù)目與所述碼字的邏輯“1”位的數(shù)目進(jìn)行比較；及 響應(yīng)于所述邏輯“O ”位數(shù)目超過(guò)所述邏輯“ 1”位數(shù)目而減小所述偏置條件，且響應(yīng)于所述邏輯“ 1 ”位數(shù)目超過(guò)所述邏輯“O”位數(shù)目而增加所述偏置條件。
15.根據(jù)權(quán)利要求11所述的設(shè)備，所述控制器用以反復(fù)地修改所述偏置條件直到所述讀取錯(cuò)誤的所述數(shù)目包括小于或等于所述閾值數(shù)目的數(shù)目為止。
16.根據(jù)權(quán)利要求11所述的設(shè)備，其中所述存儲(chǔ)器裝置包括相變存儲(chǔ)器PCM。
17.—種系統(tǒng),其包括: 存儲(chǔ)器裝置，其包括相變存儲(chǔ)器PCM陣列，所述存儲(chǔ)器裝置進(jìn)一步包括存儲(chǔ)器控制器，所述存儲(chǔ)器控制器用以: 施加偏置條件以讀取所述存儲(chǔ)器裝置的內(nèi)容； 將所述存儲(chǔ)器裝置的所述所讀取內(nèi)容中的讀取錯(cuò)誤計(jì)數(shù)；及 響應(yīng)于所述讀取錯(cuò)誤計(jì)數(shù)超過(guò)閾值數(shù)目而修改所述偏置條件；及 處理器，其用以托管一或多個(gè)應(yīng)用程序且用以起始讀取所述PCM陣列的所述內(nèi)容。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的系統(tǒng)，所述控制器用以: 通過(guò)使用錯(cuò)誤校正碼ECC引擎而確定表示所述存儲(chǔ)器裝置的所述所讀取內(nèi)容的碼字。
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的系統(tǒng)，所述控制器用以: 至少部分地基于所述碼字的在第一邏輯狀態(tài)中的位的數(shù)目與所述碼字的在第二邏輯狀態(tài)中的位的數(shù)目的比較而確定是否修改所述偏置條件。
20.根據(jù)權(quán)利要求18所述的系統(tǒng)，所述控制器用以: 反復(fù)地修改所述偏置條件直到所述讀取錯(cuò)誤的所述數(shù)目包括小于或等于所述閾值數(shù)目的數(shù)目為止。
【文檔編號(hào)】G11C13/02GK103988263SQ201280061880
【公開(kāi)日】2014年8月13日 申請(qǐng)日期:2012年11月8日 優(yōu)先權(quán)日:2011年12月15日
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