技術(shù)編號:6764567
提示:您尚未登錄,請點 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本文中所揭示的標(biāo)的物涉及一種存儲器裝置,且更明確地說涉及相變存儲器的讀取性能。專利說明用以減少相變存儲器的讀取錯誤的讀取偏置管理[0001]本文中所揭示的標(biāo)的物涉及一種存儲器裝置,且更明確地說涉及相變存儲器的讀取性能。背景技術(shù)[0002]相變存儲器(PCM)可至少部分地基于一或多種特定相變材料(例如硫?qū)倩衔锖辖鸺?或碲化鍺銻(GST),僅舉幾個實例)的行為及性質(zhì)操作。此類材料的結(jié)晶及非晶狀態(tài)可具有不同的電阻率,因此呈現(xiàn)可借以存儲信息的基礎(chǔ)。此類材料的非晶...
注意:該技術(shù)已申請專利,請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識儲備,不適合論文引用。
該類技術(shù)無源代碼,用于學(xué)習(xí)原理,如您想要源代碼請勿下載。