專利名稱：非易失存儲器的測試校驗(yàn)方法和系統(tǒng)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體存儲器技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種非易失存儲器的過擦除中的測試校驗(yàn)方法和測試校驗(yàn)系統(tǒng)。
背景技術(shù)：
為了驗(yàn)證存儲器產(chǎn)品的正確性，在產(chǎn)品出廠前會進(jìn)行一連串的測試流程。這些存儲產(chǎn)品可以包括非揮發(fā)性存儲器產(chǎn)品(例如，快閃存儲器Flash，或是可電除可編程只讀存儲器EEPROM等)，也可以包括一次性可編程OTP類存儲器。一般的測試流程可以包括產(chǎn)品接腳(Pin)的短路/斷路測試、邏輯功能測試、電擦除特性測試(以判斷該揮發(fā)性存儲器內(nèi)的資料是否可以被電擦除且再寫入新資料)、程序碼測試(將寫入該非揮發(fā)性存儲器的程序碼讀出并與該寫入程序碼作比對，以判斷該非揮發(fā)性存儲器的讀寫動作是否正確)等 坐寸ο在進(jìn)行電擦除特性測試過程中，以閃存(Flash Memory)為例，它是一種基于半導(dǎo)體的存儲器，具有系統(tǒng)掉電后仍可保留內(nèi)部信息、在線擦寫等功能特點(diǎn)，閃存通過熱電子注入機(jī)制實(shí)現(xiàn)對器件編程，采用隧道效應(yīng)實(shí)現(xiàn)擦除。為了加快擦除步驟的過程，一般都會施加較強(qiáng)的擦除條件來進(jìn)行擦除(erase)操作，在這種情況下，邏輯塊(block)中的一些存儲單元(cell)則可能出現(xiàn)過擦除(over-erase)的狀態(tài)。通常情況下，在邏輯塊的擦除狀態(tài)完成后，會采用較強(qiáng)的軟編程條件把處于過擦除狀態(tài)的存儲單元恢復(fù)到正常的擦除狀態(tài)。在整個擦除測試的過程中，因?yàn)橥粋€邏輯塊中有較多的存儲單元，每一步操作后，各存儲單元所處的狀態(tài)可能會有所不同。例如，在進(jìn)行擦除操作后，可能會有部分存儲單元會處于正常的擦除狀態(tài)，而有部分存儲單元會處于過擦除或者其他的非正常擦除狀態(tài)，因此需要通過校驗(yàn)檢測來找出這些處于非正常擦除狀態(tài)的存儲單元。又如，在對處于過擦除狀態(tài)的存儲單元進(jìn)行軟編程等過擦除處理后，還是需要通過校驗(yàn)檢測來確定這些存儲單元是否處于正常的擦除狀態(tài)。在目前常采用的校驗(yàn)方法為，采用邏輯控制的方法進(jìn)行校驗(yàn)，即，控制器首先發(fā)出校驗(yàn)命令給某一地址的存儲單元，根據(jù)校驗(yàn)的結(jié)果來進(jìn)行后續(xù)處理，例如，經(jīng)過校驗(yàn)后得出該存儲單元處于非正常擦除狀態(tài)，則需要對該存儲單元進(jìn)行處理并再次進(jìn)行校驗(yàn)，直到該存儲單元處于正常擦除狀態(tài)為止。然后控制器會自動將校驗(yàn)命令發(fā)送給下一地址的存儲單元進(jìn)行校驗(yàn)，直到所有的存儲單元都恢復(fù)到正常擦除狀態(tài)后，即最后一個地址的存儲單元恢復(fù)到正常擦除狀態(tài)后，控制器停止發(fā)送校驗(yàn)命令，校驗(yàn)操作結(jié)束。此種校驗(yàn)檢測的方法，因?yàn)橐淮沃荒苄ｒ?yàn)檢測一個存儲單元，而且需要該校驗(yàn)檢測結(jié)果恢復(fù)到正常狀態(tài)后才能進(jìn)行下一個地址存儲單元的校驗(yàn)，因此所花費(fèi)的時間較長，降低了測試的整體效率。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是提供一種非易失存儲器的測試校驗(yàn)方法和校驗(yàn)系統(tǒng)，能夠快速的對存儲單元進(jìn)行校驗(yàn)檢測，節(jié)省校驗(yàn)檢測的時間，提高測試的效率。
為了解決上述問題，本發(fā)明公開了一種非易失存儲器的測試校驗(yàn)方法，包括以下步驟步驟101，對所有存儲單元同時進(jìn)行校驗(yàn)；步驟102,將所有的校驗(yàn)結(jié)果存入寄存|旲塊內(nèi)；步驟103，從寄存模塊內(nèi)逐一取出校驗(yàn)結(jié)果，對存儲單元進(jìn)行校驗(yàn)結(jié)果是否全部通過的判斷，若通過，則結(jié)束測試校驗(yàn)操作，反之，則 對未通過校驗(yàn)的存儲單元進(jìn)行相應(yīng)的處理，并在對所有未通過校驗(yàn)的存儲單元都進(jìn)行相應(yīng)的處理后，返回步驟101。進(jìn)一步地，所述對所有存儲單元同時進(jìn)行校驗(yàn)包括對同一頁內(nèi)的所有存儲單元同時進(jìn)行校驗(yàn)。進(jìn)一步地，所述從寄存模塊內(nèi)逐一取出校驗(yàn)結(jié)果，對存儲單元進(jìn)行校驗(yàn)結(jié)果是否通過的判斷，并對未通過校驗(yàn)的存儲單元進(jìn)行相應(yīng)的處理包括取出一個字節(jié)里的所有校驗(yàn)結(jié)果，判斷該字節(jié)里的所有存儲單元是否通過校驗(yàn)，若是，則取出下一個字節(jié)里的所有校驗(yàn)結(jié)果，反之，則對該字節(jié)里未通過校驗(yàn)的存儲單元進(jìn)行相應(yīng)的處理后再取出下一個字節(jié)里所有的校驗(yàn)結(jié)果。進(jìn)一步地，所述從寄存模塊內(nèi)逐一取出校驗(yàn)結(jié)果，對存儲單元進(jìn)行校驗(yàn)結(jié)果是否通過的判斷，并對未通過校驗(yàn)的存儲單元進(jìn)行相應(yīng)的處理包括若包含有未通過校驗(yàn)的存儲單元，則觸發(fā)對該未通過校驗(yàn)的存儲單元進(jìn)行處理；當(dāng)對所有未通過校驗(yàn)的存儲單元進(jìn)行相應(yīng)的處理后，觸發(fā)對所有存儲單元的再次校驗(yàn)。進(jìn)一步地，所述對所有存儲單元同時進(jìn)行校驗(yàn)包括對編程操作、擦除操作或過擦除處理操作后的校驗(yàn)。進(jìn)一步地,所述對未通過校驗(yàn)的存儲單元進(jìn)行相應(yīng)的處理包括對未通過編程操作校驗(yàn)的存儲單元的編程處理；或?qū)ξ赐ㄟ^擦除操作校驗(yàn)的存儲單元的擦除處理；或?qū)ξ赐ㄟ^過擦除處理操作校驗(yàn)的存儲單元的編程處理。進(jìn)一步地,所述方法還包括將再次校驗(yàn)的校驗(yàn)結(jié)果存儲寄存模塊，并覆蓋原來的校驗(yàn)結(jié)果。為了解決上述問題，本發(fā)明還公開了一種非易失存儲器的測試校驗(yàn)系統(tǒng)，包括校驗(yàn)?zāi)K、寄存模塊、狀態(tài)機(jī)及處理模塊；其中校驗(yàn)?zāi)K與寄存模塊及狀態(tài)機(jī)連接，用于對存儲單元進(jìn)行校驗(yàn)；寄存模塊，與校驗(yàn)?zāi)K、狀態(tài)機(jī)及處理模塊連接，用于存儲所有存儲單元的校驗(yàn)結(jié)果;狀態(tài)機(jī)，控制處理模塊從寄存模塊內(nèi)逐一取出校驗(yàn)結(jié)果，對處理模塊及校驗(yàn)?zāi)K發(fā)出相應(yīng)的信號；處理模塊，對存儲單元進(jìn)行校驗(yàn)結(jié)果是否全部通過的判斷，若通過，則結(jié)束測試校驗(yàn)操作，反之，則處理模塊結(jié)合處理信號觸發(fā)對未通過校驗(yàn)的存儲單元的處理，在處理模塊對所有未通過校驗(yàn)的存儲單元都進(jìn)行相應(yīng)的處理后，狀態(tài)機(jī)生成觸發(fā)校驗(yàn)?zāi)K再次進(jìn)行校驗(yàn)的信號。進(jìn)一步地，所述狀態(tài)機(jī)包括
邏輯控制模塊，用于控制按照存儲地址一次取出一個字節(jié)的校驗(yàn)結(jié)果，并觸發(fā)處理模塊對該字節(jié)未通過校驗(yàn)的存儲單元進(jìn)行相應(yīng)的處理后再取出下一地址的一個字節(jié)的校驗(yàn)結(jié)果。進(jìn)一步地，所述校驗(yàn)?zāi)K為編程操作校驗(yàn)?zāi)K；或擦除操作校驗(yàn)?zāi)K；或過擦除處理操作校驗(yàn)?zāi)K。進(jìn)一步地，所述處理模塊為編程模塊，用于對未通過編程操作校驗(yàn)或過擦除處理操作的存儲單元進(jìn)行編程處 理；或擦除模塊，用于對未通過擦除操作校驗(yàn)的存儲單元的擦除處理。進(jìn)一步地，所述寄存模塊為寄存器。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明具有以下優(yōu)點(diǎn)本發(fā)明的非易失存儲器的測試校驗(yàn)方法和系統(tǒng)通過將校驗(yàn)結(jié)果存入寄存模塊的方式，可以同時對多個存儲單元進(jìn)行校驗(yàn)，在逐一取出校驗(yàn)結(jié)果進(jìn)行后續(xù)處理，從而縮短了校驗(yàn)檢測的時間，以及縮短了擦除操作的時間，提高了擦除測試的整體效率。另外，在寄存模塊存入校驗(yàn)結(jié)果后，會逐一取出校驗(yàn)結(jié)果，如果所取出的校驗(yàn)結(jié)果為未通過校驗(yàn)，則會對該存儲單元進(jìn)行處理，當(dāng)取出所有校驗(yàn)結(jié)果并根據(jù)校驗(yàn)結(jié)果進(jìn)行處理后，會再次對所有的存儲單元進(jìn)行校驗(yàn)，并將再次校驗(yàn)的結(jié)果再次存入寄存模塊內(nèi)，并覆蓋原來的校驗(yàn)結(jié)果。采用此種方法，可以保證所有的存儲單元都通過校驗(yàn)后，即寄存模塊內(nèi)存入的校驗(yàn)結(jié)果都為“I”時，才表示校驗(yàn)通過，可以進(jìn)行下一步驟，從而保證了校驗(yàn)的完整性。


圖I是本發(fā)明一種非易失存儲器的測試校驗(yàn)方法實(shí)施例的流程圖；圖2是本發(fā)明一種非易失存儲器的測試校驗(yàn)系統(tǒng)實(shí)施例一的結(jié)構(gòu)示意圖；圖3是本發(fā)明一種非易失存儲器的測試校驗(yàn)系統(tǒng)實(shí)施例二的結(jié)構(gòu)示意圖；圖4是本發(fā)明的一種非易失存儲的測試校驗(yàn)系統(tǒng)實(shí)例的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施例方式為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更加明顯易懂，下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施方式
對本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)的說明。為使本領(lǐng)域技術(shù)人員更好地理解本發(fā)明，以下簡單介紹非易失存儲器的構(gòu)成原理。非易失存儲器由存儲單元(cell)組成，cell包括電容和晶體管，cell中的數(shù)據(jù)取決于存儲在電容中的電荷，晶體管的開關(guān)控制數(shù)據(jù)的存取。一般而言，一個cell可以包括源極(source, S)，漏極(drain, D)，柵極(gate, G)，以及浮動?xùn)艠O(floating gate, FG)，浮動?xùn)艠OFG可用于接電壓VG。若VG為正電壓，浮動?xùn)艠OFG與漏極D之間產(chǎn)生隧道效應(yīng)，使電子注入浮動?xùn)艠OFG，即編程寫入；擦除則可以在襯底加電壓(正電壓或負(fù)電壓)，利用浮動?xùn)艠OFG與源極S之間的隧道效應(yīng)，把注入至浮動?xùn)艠OFG的電荷(負(fù)電荷或正電荷)吸引到襯底。cell數(shù)據(jù)是O或I取決于浮動?xùn)艠OFG中是否有電子。若浮動?xùn)艠OFG有電子，源極S和漏極D之間感應(yīng)出正的導(dǎo)電溝道，使MOS管導(dǎo)通，即表示存入O。若浮動?xùn)艠OFG中無電子，則不形成導(dǎo)電溝道，MOS管不導(dǎo)通，即存入I。參考圖1，示出本發(fā)明的一種非易失存儲器的測試校驗(yàn)方法實(shí)施例一，包括以下步驟步驟101，對所有存儲單元同時進(jìn)行校驗(yàn)。在整個擦除過程中，會進(jìn)行很多的操作，例如編程操作、擦除操作、過擦除處理操作等等，在每一項(xiàng)操作后都需要對存儲單元進(jìn)行相應(yīng)的校驗(yàn)，以判斷對應(yīng)的操作是否成功。例如，編程操作后，需要對存儲單元的閾值電壓進(jìn)行校驗(yàn)，看閾值電壓是否達(dá)到預(yù)定范圍內(nèi)。過擦除處理操作后，也需要對存儲單元的閾值電壓進(jìn)行校驗(yàn)，看閾值電壓是否達(dá)到預(yù)定 范圍內(nèi)。對所有的存儲單元同時進(jìn)行校驗(yàn)是指對同一頁(page)內(nèi)的所有存儲單元同時進(jìn)行校驗(yàn)?？梢酝ㄟ^狀態(tài)機(jī)對同一頁內(nèi)的所有存儲單元同時發(fā)出校驗(yàn)指令，從而實(shí)現(xiàn)同時校驗(yàn)。例如，假設(shè)同一頁內(nèi)具有8個字節(jié)(byte)，一個字節(jié)具有16比特(bit)，那么同時校驗(yàn)，則是對8X16 = 128個存儲單元同時進(jìn)行校驗(yàn)。步驟102，將所有的校驗(yàn)結(jié)果存入寄存模塊內(nèi)。寄存模塊的容量可以根據(jù)一次所需要校驗(yàn)的存儲單元數(shù)量來設(shè)置。例如，需要同時校驗(yàn)的存儲單元為128個，則可以選擇能存儲128個結(jié)果的寄存模塊。其中，校驗(yàn)結(jié)果包括通過校驗(yàn)和未通過校驗(yàn)兩種，在寄存模塊中可以分別用“I”和“O”來表示。例如，通過校驗(yàn)，則在寄存模塊中對應(yīng)的位置存入“1”，未通過校驗(yàn)，則在寄存模塊中對應(yīng)的位置存入“O”。步驟103，從寄存模塊內(nèi)逐一取出校驗(yàn)結(jié)果，對存儲單元進(jìn)行校驗(yàn)結(jié)果是否全部通過的判斷，若通過，則結(jié)束測試校驗(yàn)操作，反之，則對未通過校驗(yàn)的存儲單元進(jìn)行相應(yīng)的處理，并在對所有未通過校驗(yàn)的存儲單元都進(jìn)行相應(yīng)的處理后，返回步驟101。其中，從寄存模塊逐一取出校驗(yàn)結(jié)果可以是一次取出一個校驗(yàn)結(jié)果，也可以按照存儲地址一次取出一個字節(jié)的校驗(yàn)結(jié)果，判斷該字節(jié)中的所有存儲單元是否都通過校驗(yàn)后，并對其中未通過校驗(yàn)的存儲單元進(jìn)行相應(yīng)處理后再取出下一字節(jié)的校驗(yàn)結(jié)果。若一次取出的一個字節(jié)中的有一個或者多個存儲單元沒有通過校驗(yàn)，則會觸發(fā)相應(yīng)的處理信號對該一個或多個存儲單元進(jìn)行相應(yīng)的處理。具體的處理過程需要根據(jù)校驗(yàn)的是何種操作來確定。例如，如果是編程操作或者過擦除處理操作的校驗(yàn)，那么相應(yīng)的處理，則是對存儲單元再次進(jìn)行編程操作，若果是擦除操作的校驗(yàn)，那么相應(yīng)的處理則是對存儲單元再次進(jìn)行擦除操作。當(dāng)該頁內(nèi)所有字節(jié)的校驗(yàn)結(jié)果都已經(jīng)取出，并經(jīng)過判斷后，在對所有未通過校驗(yàn)的存儲單元進(jìn)行相應(yīng)處理后，則需要觸發(fā)對所有存儲單元的再次校驗(yàn)，即返回步驟102，并重復(fù)后續(xù)操作，直到該頁內(nèi)每一個字節(jié)里的存儲單元都通過校驗(yàn)后，結(jié)束操作。也就是說，在再次校驗(yàn)的時候，需要對同一頁內(nèi)所有的存儲單元都進(jìn)行校驗(yàn)，無論再前次校驗(yàn)中該存儲是否通過校驗(yàn)。當(dāng)再次校驗(yàn)后，再次校驗(yàn)的校驗(yàn)結(jié)果再次存入寄存模塊中，并覆蓋原來的校驗(yàn)結(jié)果。本發(fā)明的非易失存儲器的測試校驗(yàn)方法實(shí)施例通過對同一頁的所有存儲單元進(jìn)行校驗(yàn)后，再將校驗(yàn)結(jié)果存入寄存模塊的方式，可以同時對多個存儲單元進(jìn)行校驗(yàn)，從而縮短了校驗(yàn)檢測的時間以及縮短了整個擦除操作的時間，提高了擦除測試的整體效率。另外，在寄存模塊存入校驗(yàn)結(jié)果后，會按照地址取出一個字節(jié)里的所有校驗(yàn)結(jié)果，如果所取出的校驗(yàn)結(jié)果有未通過校驗(yàn)的，則會對對應(yīng)的存儲單元進(jìn)行處理，當(dāng)所有字節(jié)的校驗(yàn)結(jié)果都取出并對未通過校驗(yàn)的存儲單元進(jìn)行處理后，再次對同一頁所有的存儲單元進(jìn)行校驗(yàn)，并將再次校驗(yàn)的結(jié)果再次存入寄存模塊內(nèi)，并覆蓋原來的校驗(yàn)結(jié)果。采用此種方法，可以保證該頁內(nèi)所有的存儲單元都通過校驗(yàn)后，即寄存模塊內(nèi)存入的校驗(yàn)結(jié)果都為“I”時，才表示校驗(yàn)通過，可以進(jìn)行下一步驟，從而保證了校驗(yàn)的完整性。參照圖2，示出本發(fā)明實(shí)施例一的非易失存儲器的測試校驗(yàn)系統(tǒng)包括校驗(yàn)?zāi)K10、寄存模塊20、狀態(tài)機(jī)30及處理模塊40。校驗(yàn)?zāi)K10，與寄存模塊20及狀態(tài)機(jī)30連接，用于對存儲單元進(jìn)行校驗(yàn)。校驗(yàn)?zāi)K10在接收到來自狀態(tài)機(jī)30的校驗(yàn)指令后對同一頁面中的所有存儲單元同時進(jìn)行校驗(yàn)，并將校驗(yàn)結(jié)果10存入寄存模塊20中。校驗(yàn)?zāi)K10可以是編程操作校驗(yàn)?zāi)K，或擦除操作 校驗(yàn)?zāi)K，或過擦除處理操作校驗(yàn)?zāi)K，分別用于對存儲單元進(jìn)行編程操作校驗(yàn)，或擦除操作校驗(yàn)，或過擦除處理操作校驗(yàn)。寄存模塊20，與校驗(yàn)?zāi)K10、狀態(tài)機(jī)30及處理模塊40連接，用于存儲所有存儲單元的校驗(yàn)結(jié)果。校驗(yàn)結(jié)果包括通過和未通過兩種，在寄存模塊中可以分別用用“I”和“O”來表示。例如，通過校驗(yàn)，則在寄存模塊中對應(yīng)的位置存入“ I ”，未通過校驗(yàn)，則在寄存模塊中對應(yīng)的位置存入“O”。本實(shí)施例中，寄存模塊為寄存器。狀態(tài)機(jī)30，控制處理模塊40從寄存模塊20內(nèi)逐一取出校驗(yàn)結(jié)果，向處理模塊40及校驗(yàn)?zāi)K10分別輸出處理信號和校驗(yàn)使能信號。處理模塊40，對存儲單元進(jìn)行校驗(yàn)結(jié)果是否通過的判斷，若通過，則結(jié)束處理，反之，則處理模塊40結(jié)合狀態(tài)機(jī)30的處理信號觸發(fā)對未通過校驗(yàn)的存儲單元的處理，在處理模塊40對所有未通過校驗(yàn)的存儲單元都進(jìn)行相應(yīng)的處理后，狀態(tài)機(jī)30生成觸發(fā)校驗(yàn)?zāi)K10再次進(jìn)行校驗(yàn)的指令。例如，只要當(dāng)從寄存模塊20中取出的校驗(yàn)結(jié)果為“I”時，才會結(jié)束操作，否則，則會通過處理模塊40對未通過校驗(yàn)的存儲單元進(jìn)行相應(yīng)的處理，然后觸發(fā)校驗(yàn)?zāi)K10對所有的存儲單元重新校驗(yàn)，并將再次校驗(yàn)的結(jié)果再次存入寄存模塊20中并覆蓋原有的校驗(yàn)結(jié)果，直到所有的存儲單元都通過校驗(yàn)。其中，處理模塊40為編程模塊或擦除模塊。這根據(jù)校驗(yàn)?zāi)K10對何種操作進(jìn)行校驗(yàn)來確定。當(dāng)校驗(yàn)?zāi)K10是編程操作校驗(yàn)?zāi)K或過擦除處理操作校驗(yàn)?zāi)K時，那么處理模塊40則為編程模塊，用于對未通過編程操作校驗(yàn)或過擦除處理操作的存儲單元進(jìn)行編程處理。當(dāng)校驗(yàn)?zāi)K10為擦除操作校驗(yàn)?zāi)K時，那么處理模塊40則為擦除模塊，用于對未通過擦除操作校驗(yàn)的存儲單元的擦除處理。參照圖3，非易失存儲器的測試校驗(yàn)系統(tǒng)的狀態(tài)機(jī)30還包括邏輯控制模塊31，用于控制狀態(tài)機(jī)30按照存儲地址一次取出一個字節(jié)的校驗(yàn)結(jié)果。邏輯控制模塊31根據(jù)從寄存模塊20所取出的校驗(yàn)結(jié)果來控制狀態(tài)機(jī)10。若從寄存模塊20中取出的一個字節(jié)中的所有校驗(yàn)結(jié)果都為“I”時，邏輯控制模塊31便會給出指令，使?fàn)顟B(tài)機(jī)30取出下一地址的一個字節(jié)的所有校驗(yàn)結(jié)果。若從寄存模塊20中取出的校驗(yàn)結(jié)果有一個或者多個為“O”時，處理模塊40便會觸發(fā)處理指令，對該一個或者多個存儲單元進(jìn)行相應(yīng)處理，然后邏輯控制模塊31再通知狀態(tài)機(jī)30取出下一地址的一個字節(jié)的校驗(yàn)結(jié)果。參照圖4，下面結(jié)合具體實(shí)例對本發(fā)明的測試校驗(yàn)方法和系統(tǒng)進(jìn)行說明，本實(shí)例中，假設(shè)需要校驗(yàn)的是編程操作是否通過，那么處理模塊為編程模塊，一次校驗(yàn)一頁存儲單元(一頁=8字節(jié)*16比特/字節(jié)=128比特)，具體過程如下步驟I :校驗(yàn)地址〈7:0>為全'H'，校驗(yàn)?zāi)K同時進(jìn)行一頁所有存儲單元的校驗(yàn)。步驟2 :校驗(yàn)結(jié)果〈127:0〉同時傳送給寄存模塊。步驟3 :狀態(tài)機(jī)通過編程地址〈7:0> —次選擇I個字節(jié)的校驗(yàn)結(jié)果(共16個)與編程使能信號結(jié)合。其中，對于校驗(yàn)結(jié)果與編程使能信號的結(jié)合可以預(yù)先設(shè)定結(jié)合方式，從而使編程模塊根據(jù)校驗(yàn)結(jié)果的不同來決定是否觸發(fā)重新編程操作。本實(shí)例中，若校驗(yàn)結(jié)果為“未通過校驗(yàn)”，即校驗(yàn)結(jié)果值為“O”時，編程模塊則會根據(jù)校驗(yàn)結(jié)果和編程使能信號的結(jié)合來獲取觸發(fā)編程操作的邏輯值，從而觸發(fā)編程模塊對存儲單元執(zhí)行編程操作，若校驗(yàn)結(jié) 果為“通過校驗(yàn)”，那么校驗(yàn)結(jié)果和編程使能信號的結(jié)合獲取的邏輯值，則會觸發(fā)狀態(tài)機(jī)取出下一地址的校驗(yàn)結(jié)果，再次與編程使能信號結(jié)合。步驟4 :遍歷8個字節(jié)編程地址，即連續(xù)進(jìn)行8次步驟3，直至完成一頁存儲單元的編程修改。步驟5 :完成編程修改后，狀態(tài)機(jī)發(fā)出校驗(yàn)使能信號，對一頁的存儲單元重新進(jìn)行校驗(yàn)。步驟6 :再次獲得校驗(yàn)結(jié)果覆蓋原寄存模塊的數(shù)據(jù)。本說明書中的各個實(shí)施例均采用遞進(jìn)的方式描述，每個實(shí)施例重點(diǎn)說明的都是與其他實(shí)施例的不同之處，各個實(shí)施例之間相同相似的部分互相參見即可。對于系統(tǒng)實(shí)施例而言，由于其與方法實(shí)施例基本相似，所以描述的比較簡單，相關(guān)之處參見方法實(shí)施例的部分說明即可。以上對本發(fā)明所提供的一種非易失存儲器的測試校驗(yàn)方法和處理系統(tǒng)進(jìn)行了詳細(xì)介紹，本文中應(yīng)用了具體個例對本發(fā)明的原理及實(shí)施方式進(jìn)行了闡述，以上實(shí)施例的說明只是用于幫助理解本發(fā)明的方法及其核心思想；同時，對于本領(lǐng)域的一般技術(shù)人員，依據(jù)本發(fā)明的思想，在具體實(shí)施方式
及應(yīng)用范圍上均會有改變之處，綜上所述，本說明書內(nèi)容不應(yīng)理解為對本發(fā)明的限制。
權(quán)利要求
1.一種非易失存儲器的測試校驗(yàn)方法，其特征在于，包括以下步驟 步驟101，對所有存儲單元同時進(jìn)行校驗(yàn)； 步驟102，將所有的校驗(yàn)結(jié)果存入寄存模塊內(nèi)； 步驟103，從寄存模塊內(nèi)逐一取出校驗(yàn)結(jié)果，對存儲單元進(jìn)行校驗(yàn)結(jié)果是否全部通過的判斷，若通過，則結(jié)束測試校驗(yàn)操作，反之，則對未通過校驗(yàn)的存儲單元進(jìn)行相應(yīng)的處理，并在對所有未通過校驗(yàn)的存儲單元都進(jìn)行相應(yīng)的處理后，返回步驟101。
2.如權(quán)利要求I所述的方法，其特征在于，所述對所有存儲單元同時進(jìn)行校驗(yàn)包括 對同一頁內(nèi)的所有存儲單元同時進(jìn)行校驗(yàn)。
3.如權(quán)利要求I所述的方法，其特征在于，所述從寄存模塊內(nèi)逐一取出校驗(yàn)結(jié)果，對存儲單元進(jìn)行校驗(yàn)結(jié)果是否通過的判斷，并對未通過校驗(yàn)的存儲單元進(jìn)行相應(yīng)的處理包括 取出一個字節(jié)里的所有校驗(yàn)結(jié)果，判斷該字節(jié)里的所有存儲單元是否通過校驗(yàn)，若是，則取出下一個字節(jié)里的所有校驗(yàn)結(jié)果，反之，則對該字節(jié)里未通過校驗(yàn)的存儲單元進(jìn)行相應(yīng)的處理后再取出下一個字節(jié)里所有的校驗(yàn)結(jié)果。
4.如權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，所述從寄存模塊內(nèi)逐一取出校驗(yàn)結(jié)果，對存儲單元進(jìn)行校驗(yàn)結(jié)果是否通過的判斷，并對未通過校驗(yàn)的存儲單元進(jìn)行相應(yīng)的處理包括 若包含有未通過校驗(yàn)的存儲單元，則觸發(fā)對該未通過校驗(yàn)的存儲單元進(jìn)行處理； 當(dāng)對所有未通過校驗(yàn)的存儲單元進(jìn)行相應(yīng)的處理后，觸發(fā)對所有存儲單元的再次校驗(yàn)。
5.如權(quán)利要求I至4任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，所述對所有存儲單元同時進(jìn)行校驗(yàn)包括 對編程操作、擦除操作或過擦除處理操作后的校驗(yàn)。
6.如權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于，所述對未通過校驗(yàn)的存儲單元進(jìn)行相應(yīng)的處理包括 對未通過編程操作校驗(yàn)的存儲單元的編程處理；或 對未通過擦除操作校驗(yàn)的存儲單元的擦除處理；或 對未通過過擦除處理操作校驗(yàn)的存儲單元的編程處理。
7.如權(quán)利要求I所述的方法，其特征在于，所述方法還包括 將再次校驗(yàn)的校驗(yàn)結(jié)果存儲寄存模塊，并覆蓋原來的校驗(yàn)結(jié)果。
8.一種非易失存儲器的測試校驗(yàn)系統(tǒng)，其特征在于，包括校驗(yàn)?zāi)K、寄存模塊、狀態(tài)機(jī)及處理模塊；其中校驗(yàn)?zāi)K與寄存模塊及狀態(tài)機(jī)連接，用于對存儲單元進(jìn)行校驗(yàn)； 寄存模塊，與校驗(yàn)?zāi)K、狀態(tài)機(jī)及處理模塊連接，用于存儲所有存儲單元的校驗(yàn)結(jié)果；狀態(tài)機(jī)，控制處理模塊從寄存模塊內(nèi)逐一取出校驗(yàn)結(jié)果，對處理模塊及校驗(yàn)?zāi)K發(fā)出相應(yīng)的信號； 處理模塊，對存儲單元進(jìn)行校驗(yàn)結(jié)果是否全部通過的判斷，若通過，則結(jié)束測試校驗(yàn)操作，反之，則處理模塊結(jié)合處理信號觸發(fā)對未通過校驗(yàn)的存儲單元的處理，在處理模塊對所有未通過校驗(yàn)的存儲單元都進(jìn)行相應(yīng)的處理后，狀態(tài)機(jī)生成觸發(fā)校驗(yàn)?zāi)K再次進(jìn)行校驗(yàn)的信號。
9.如權(quán)利要求8所述的系統(tǒng)，其特征在于，所述狀態(tài)機(jī)包括 邏輯控制模塊，用于控制按照存儲地址一次取出一個字節(jié)的校驗(yàn)結(jié)果，并觸發(fā)處理模塊對該字節(jié)未通過校驗(yàn)的存儲單元進(jìn)行相應(yīng)的處理后再取出下一地址的一個字節(jié)的校驗(yàn)結(jié)果。
10.如權(quán)利要求8所述的系統(tǒng)，其特征在于，所述校驗(yàn)?zāi)K為 編程操作校驗(yàn)?zāi)K；或 擦除操作校驗(yàn)?zāi)K；或 過擦除處理操作校驗(yàn)?zāi)K。
11.如權(quán)利要求10所述的系統(tǒng)，其特征在于，所述處理模塊為編程模塊，用于對未通過編程操作校驗(yàn)或過擦除處理操作的存儲單元進(jìn)行編程處理；或 擦除模塊，用于對未通過擦除操作校驗(yàn)的存儲單元的擦除處理。
12.如權(quán)利要求8所述的系統(tǒng)，其特征在于，所述寄存模塊為寄存器。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種非易失存儲器的測試校驗(yàn)方法，包括步驟101，對所有存儲單元同時進(jìn)行校驗(yàn)；步驟102，將所有的校驗(yàn)結(jié)果存入寄存模塊內(nèi)；步驟103，從寄存模塊內(nèi)逐一取出校驗(yàn)結(jié)果，對存儲單元進(jìn)行校驗(yàn)結(jié)果是否全部通過的判斷，若通過，則結(jié)束測試校驗(yàn)操作，反之，則對未通過校驗(yàn)的存儲單元進(jìn)行相應(yīng)的處理，并在對所有未通過校驗(yàn)的存儲單元都進(jìn)行相應(yīng)的處理后，返回步驟101。本發(fā)明還提供了一種實(shí)現(xiàn)前述測試校驗(yàn)方法的非易失存儲器的測試校驗(yàn)系統(tǒng)。本發(fā)明的一種非易失存儲器的測試校驗(yàn)方法和校驗(yàn)系統(tǒng)，能夠快速的對存儲單元進(jìn)行校驗(yàn)檢測，節(jié)省校驗(yàn)檢測的時間，提高測試的效率。
文檔編號G11C29/56GK102800365SQ201110138640
公開日2012年11月28日 申請日期2011年5月26日 優(yōu)先權(quán)日2011年5月26日
發(fā)明者蘇志強(qiáng), 胡洪, 潘榮華 申請人:北京兆易創(chuàng)新科技有限公司