專利名稱：非易失存儲器的過擦除處理方法和處理系統(tǒng)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體存儲器技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種非易失存儲器的過擦除處理方法和處理系統(tǒng)。
背景技術(shù)：
為了驗證存儲器產(chǎn)品的正確性，在產(chǎn)品出廠前會進行一連串的測試流程。這些存儲產(chǎn)品可以包括非揮發(fā)性存儲器產(chǎn)品(例如，快閃存儲器Flash，或是可電除可編程只讀存儲器EEPROM等)，也可以包括一次性可編程OTP類存儲器。一般的測試流程可以包括產(chǎn)品接腳(Pin)的短路/斷路測試、邏輯功能測試、電擦除特性測試(以判斷該揮發(fā)性存儲器內(nèi)的資料是否可以被電擦除且再寫入新資料)、程序碼測試(將寫入該非揮發(fā)性存儲器的程序碼讀出并與該寫入程序碼作比對，以判斷該非揮發(fā)性存儲器的讀寫動作是否正確)等
坐 寸o在進行電擦除特性測試過程中，以閃存(Flash Memory)為例，它是一種基于半導(dǎo)體的存儲器，具有系統(tǒng)掉電后仍可保留內(nèi)部信息、在線擦寫等功能特點，閃存通過熱電子注入機制實現(xiàn)對器件編程，采用隧道效應(yīng)實現(xiàn)擦除。為了加快擦除步驟的過程，一般都會施加較強的擦除條件來進行擦除(erase)操作，在這種情況下，邏輯塊(block)中的一些存儲單元(cell)則可能出現(xiàn)過擦除(over-erase)的狀態(tài)。過擦除狀態(tài)形成的主要原因為假設(shè)在一閃存的柵極G端施加-8V的電壓，源極S端和襯底施加+7V的電壓，漏極D端不加電壓，單個擦除脈沖的持續(xù)時間從幾毫秒到幾十毫秒。在擦除過程中，一個邏輯塊中只要有存儲單元沒有達到擦除狀態(tài)，則需要重新向整個邏輯塊施加擦除脈沖。由于一個邏輯塊中每個存儲單元的FG上電子數(shù)都不同，因此各個存儲單元受擦除脈沖的影響也不同。即向某個邏輯塊施加擦除脈沖時，這個邏輯塊中每個存儲單元的FG上的電子向襯底遷移的數(shù)目也不同，在多次施加擦除脈沖直至邏輯塊中所有存儲單元都達到擦除狀態(tài)時，那些電子遷移數(shù)目較多的存儲單元的閾值電壓(Vt)可能就會低于擦除狀態(tài)范圍，此時，這些閾值電壓低于擦除狀態(tài)范圍存儲單元就處于過擦除狀態(tài)。通常情況下，在邏輯塊的擦除狀態(tài)完成后(即指erase_verify校驗擦除操作成功后)，采用較強的軟編程條件把處于過擦除狀態(tài)的存儲單元恢復(fù)到正常的擦除狀態(tài)。即向這些過擦除的存儲單元不斷施加編程脈沖，直到把這些存儲單元恢復(fù)到正常的擦除狀態(tài)。然而，由于經(jīng)過較強擦除條件的擦除操作，會導(dǎo)致邏輯塊中存儲單元的閾值電壓分布范圍很廣，有些存儲單元的閾值電壓過低，甚至低于0V。在這種情況下，經(jīng)過軟編程操作，仍然還會有部分存儲單元的閾值電壓低于OV或者只是稍大于0V，無法恢復(fù)到正常的擦除狀態(tài)。因此，通常情況下，會進行二次編程處理，即將經(jīng)過一次過擦除處理后閾值電壓仍然低于OV或者稍大于OV的存儲單元的字線施加電壓，直到恢復(fù)到正常的擦除狀態(tài)。但是二次編程只是對部分存儲單元進行操作，當(dāng)需要施加電壓時，需要根據(jù)該部分存儲單元所在地址一個一個的進行，因此所花費的時間較長，降低了測試的整體效率。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是提供一種非易失存儲器的過擦除處理方法和處理系統(tǒng)，能夠快速的使所有的存儲單元恢復(fù)到正常的擦除狀態(tài)，節(jié)省了過擦除處理的時間，提高了測試的效率。為了解決上述問題，本發(fā)明公開了一種非易失存儲器的過擦除處理方法，包括以下步驟在邏輯塊中所有存儲單元的字線上施加大于目標閾值電壓的處理電壓；校驗所有存儲單元的閾值電壓是否大于等于目標閾值電壓，若是，則結(jié)束操作，反之，則進行下一步驟；對校驗后所有閾值電壓小于目標閾值電壓的存儲單元進行軟編程操作，并返回上
一步驟。進一步地，所述處理電壓的選取方法為確定目標閾值電壓及過驅(qū)動電壓；所述處理電壓的取值為目標閾值電壓與過驅(qū)動電壓之和。進一步地，所述目標閾值電壓的取值為正常擦除狀態(tài)下閾值電壓范圍的最小值。進一步地，所述目標閾值電壓的取值范圍為0. 5V-1V。進一步地，所述校驗所有存儲單元的閾值電壓是否大于等于目標閾值電壓包括以下步驟選擇一個參考存儲單元，所述參考存儲單元的閾值電壓為目標閾值電壓，并給該存儲單元的字線施加一個參考電壓，獲得預(yù)定的參考電流；給待校驗的各存儲單元的字線施加一個正電壓，得出該待校驗存儲單元中的測量電流；比較參考電流和各測量電流，若測量電流大于參考電流，則存儲單元的閾值電壓小于目標閾值電壓，反之，則大于等于目標閾值電壓。進一步地，所述預(yù)定的參考電流根據(jù)邏輯塊的大小確定，邏輯塊越大，預(yù)定的參考電流越大。進一步地,所述預(yù)定的參考電流的取值范圍為10iiA-20liA。進一步地，給待校驗的存儲單元的字線施加的正電壓的值為該待校驗的存儲單元的目標閾值電壓與過驅(qū)動電壓之和。進一步地，所述過驅(qū)動電壓與所述目標閾值電壓之和不大于所述存儲器處于正常擦除狀態(tài)時的閾值電壓的上限。進一步地，所述過驅(qū)動電壓的取值范圍為0. IV至0. 3V之間。進一步地，所述校驗所有存儲單元的閾值電壓是否大于等于目標閾值電壓還包括在給待校驗的存儲單元的字線施加一個正電壓的時候，給與所述待校驗的存儲單元同一位線上的其它存儲單元的字線上施加一個負電壓。為了解決上述問題，本發(fā)明還公開了非易失存儲器的過擦除處理系統(tǒng)，包括電壓施加模塊，對邏輯塊中所有存儲單元的字線施加大于目標閾值電壓的處理電壓；
校驗?zāi)K，用于校驗經(jīng)過電壓施加后的各存儲單元的閾值電壓是否大于等于目標閾值電壓；軟編程模塊，用于對閾值電壓小于目標閾值電壓的存儲單元進行軟編程操作。進一步地，所述校驗?zāi)K包括電壓施加子模塊，對參考存儲單元及各存儲單元施加電壓； 電流測量子模塊，對參考存儲單元的參考電流及各存儲單元的測量電流進行測量;比較子模塊，對參考存儲單元中產(chǎn)生的參考電流及各存儲單元的測量電流進行比較；若測量電流大于參考電流，則存儲單元的閾值電壓小于目標閾值電壓，反之，則大于等于目標閾值電壓。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明具有以下優(yōu)點本發(fā)明的非易失存儲器的過擦除處理方法和處理系統(tǒng)通過通過對邏輯塊中的所有存儲單元同時施加大于目標閾值電壓的方式，可以使大部分存儲單元快速的恢復(fù)到正常擦除狀態(tài)。然后對剩余的閾值電壓小于目標閾值電壓的存儲單元同時進行軟編程操作，直到所有的存儲單元都恢復(fù)到正常擦除狀態(tài)。在處理過程中，可以同時對多個存儲單元進行操作，無需按照存儲單元的地址來一個一個操作，因此節(jié)省了過擦除的處理時間，從而提高了測試的效率。進一步地，在校驗所有存儲單元的閾值電壓是否大于等于目標閾值電壓中，對于待校驗的存儲單元的字線上施加正電壓同時對同一位線上的其余存儲單元的字線上施加負電壓，可以避免在位線上產(chǎn)生漏電流而影響測量電流的準確性，提高了校驗過程的準確性。


圖I是本發(fā)明一種非易失存儲器的過擦除處理方法實施例的流程圖；圖2是本發(fā)明一種非易失存儲器的過擦除處理方法實施例中的校驗存儲單元的閾值電壓的方法實施例一的流程圖；圖3是本發(fā)明一種非易失存儲器的過擦除處理方法實施例中的校驗存儲單元的閾值電壓的方法實施例二的流程圖；圖4是本發(fā)明一種非易失存儲器的過擦除處理系統(tǒng)實施例一的結(jié)構(gòu)示意圖；圖5是本發(fā)明一種非易失存儲器的過擦除處理系統(tǒng)實施例二的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實施例方式為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點能夠更加明顯易懂，下面結(jié)合附圖和具體實施方式
對本發(fā)明作進一步詳細的說明。為使本領(lǐng)域技術(shù)人員更好地理解本發(fā)明，以下簡單介紹非易失存儲器的構(gòu)成原理。非易失存儲器由存儲單元(cell)組成，cell包括電容和晶體管，cell中的數(shù)據(jù)取決于存儲在電容中的電荷，晶體管的開關(guān)控制數(shù)據(jù)的存取。一般而言，一個cell可以包括源極(source, S)，漏極(drain, D)，柵極(gate, G)，以及浮動?xùn)艠O(floating gate, FG)，浮動?xùn)艠OFG可用于接電壓VG。若VG為正電壓，浮動?xùn)艠OFG與漏極D之間產(chǎn)生隧道效應(yīng)，使電子注入浮動?xùn)艠OFG，即編程寫入；擦除則可以在襯底加電壓(正電壓或負電壓)，利用浮動?xùn)艠OFG與源極S之間的隧道效應(yīng)，把注入至浮動?xùn)艠OFG的電荷(負電荷或正電荷)吸引到襯底。cell數(shù)據(jù)是O或I取決于浮動?xùn)艠OFG中是否有電子。若浮動?xùn)艠OFG有電子，源極S和漏極D之間感應(yīng)出正的導(dǎo)電溝道，使MOS管導(dǎo)通，即表示存入O。若浮動?xùn)艠OFG中無電子，則不形成導(dǎo)電溝道，MOS管不導(dǎo)通，即存入I。參考圖1，示出本發(fā)明的一種非易失存儲器的過擦除處理方法實施例一，包括以下步驟步驟101，在邏輯塊中所有存儲單元的字線(wordline，WL)上施加大于目標閾值電壓的處理電壓。通過在邏輯塊中所有存儲單元的字線上施加大于目標閾值電壓的處理電壓，可以提升存儲單元的閾值電壓，同時操作可以縮短一個邏輯塊的整體的過擦除處理的時間，從 而提高過擦除處理的效率。其中，處理電壓的大小為目標閾值電壓和過驅(qū)動電壓之和來確定。目標閾值電壓為一個工藝流程中滿足正常擦除狀態(tài)下閾值電壓范圍的最小值。例如，將屬于過擦除范疇的“小于0或者靠近0附近”的閾值調(diào)整到“大于0. 5V”的滿足正常擦除的閾值電壓大小。則該0. 5V為目標閾值電壓。通常情況下目標閾值電壓的取值范圍為0. 5V-1V之間。過驅(qū)動電壓是為了提高過擦除的效果而設(shè)置的一個值，是為了使經(jīng)過電壓施加步驟后，更多的存儲單元處于正常的擦除狀態(tài)。因為存儲單元的閾值電壓需要在一個取值范圍區(qū)間內(nèi)，這個存儲單元才屬于處于正常狀態(tài)的存儲單元，因此，過驅(qū)動電壓的取值不能太大，否則會使電壓施加后的存儲單元容易超過閾值電壓所允許的范圍，所以過驅(qū)動電壓與目標閾值電壓之和應(yīng)該小于存儲器處于正常擦除狀態(tài)時的閾值電壓的上限。同樣，過驅(qū)動電壓的取值也不能太小，如果太小，在電壓施加的時候所起的作用較小，需要更多的脈沖才能使存儲單元恢復(fù)到正常擦除狀態(tài)。所以，在一般的處理過程中，過驅(qū)動電壓的取值為0. IV至0.3V之間。步驟102，校驗所有存儲單元的閾值電壓是否大于等于目標閾值電壓，若是，則結(jié)束操作，反之，則進行步驟103。在電壓施加后需要進行校驗操作，以判斷經(jīng)過電壓施加后的存儲單元是否恢復(fù)到正常擦除狀態(tài)。如果校驗后，所有的存儲單元都恢復(fù)到正常擦除狀態(tài)，即閾值電壓都大于或者等于目標閾值電壓，那么就說明過擦除處理已經(jīng)完成，此項測試已經(jīng)結(jié)束，可以進行過擦除處理后的其他操作。如果還有部分存儲單元的閾值電壓小于目標閾值電壓，則說明過擦除處理還沒完成，需要進行后續(xù)操作。步驟103，對校驗后的所有閾值電壓小于目標閾值電壓的存儲單元進行軟編程操作，并返回上一步驟。因為經(jīng)過步驟101的操作后，大部分存儲單元都能恢復(fù)到正常的擦除狀態(tài)，還處于過擦除狀態(tài)的存儲單元只是一小部分，而且該部分的存儲單元的閾值電壓也得到了適當(dāng)?shù)奶嵘?，所以，在此時對剩下的存儲單元進行軟編程操作，便可以使這些存儲單元恢復(fù)到正常擦除狀態(tài)。其中，軟編程操作基于位線(bit line,BL)進行，無需根據(jù)存儲單元的地址一個一個進行，從而可以縮短軟編程操作的時間，提高效率。在進行一次軟編程操作后，可能還會有部分存儲單元處于過擦除狀態(tài)，在校驗之后便可以再次進行軟編程操作，如此重復(fù)，直到所有的存儲單元恢復(fù)到正常的擦除狀態(tài)。參照圖2，前述的校驗存儲單元的閾值電壓Vt是否大于等于目標閾值電壓可以采用如下步驟D1，選擇一個參考存儲單元，所述參考存儲單元的閾值電壓為目標閾值電壓，并給該存儲單元的字線施加一個參考電壓，獲得預(yù)定的參考電流。D2，給待校驗的各存儲單元的字線施加一個正電壓，得出該待校驗存儲單元中的測量電流，其中，該正電壓的值為待校驗的存儲單元的目標閾值電壓與過驅(qū)動電壓之和。D3，比較參考電流和測量電流，若測量電流大于參考電流，則存儲單元的閾值電壓小于目標閾值電壓，反之，則大于等于目標閾值電壓。
其中，參考存儲單元的字線的參考電壓可以根據(jù)所需的參考電流及參考存儲單元的閾值電壓來確定。通常情況下，所需的參考電流值根據(jù)所需測試的邏輯塊的大小來確定，邏輯塊越大，所需的參考電流也就越大，反之，則越小。對于正常大小的邏輯塊來說，所需的參考電流取值一般在10 ii A-20 ii A之間。對于一般的參考存儲單兀來說,施加的參考電壓與參考存儲單元的閾值電壓的差值在OV 3V之間時通常能夠得到這樣的參考電流。例如，如果參考存儲單元的閾值電壓為IV，預(yù)定的參考電流為IOii A，如果對于當(dāng)前的參考存儲單元來說，將參考電壓設(shè)置為3V能夠得到IOy A的電流，那么參考電壓則設(shè)置為3V。另夕卜，為了保護存儲器上的各元件，參考電壓盡量采取較小的值。例如，3V或者4V。過驅(qū)動電壓的確定與前述方法中的過驅(qū)動電壓的確定方法相同，也是通常取0. IV至0. 3V之間。下面結(jié)合實例對前述的校驗存儲單元的閾值電壓Vt是否大于等于目標閾值電壓進行詳細說明。假設(shè)目標閾值電壓為0. 5V，則參考存儲單元的閾值電壓也為0. 5V。經(jīng)過電壓施加后，仍然有部分的存儲單元的閾值電壓Vt小于目標閾值電壓，且該部分的閾值電壓Vt的分布范圍在-0. 8V 0. 2V之間。那么，在校驗的過程中，預(yù)定的參考電流為IOii A，此預(yù)定的參考電流與對待校驗存儲單元的字線施加的正電壓與待校驗存儲單元的閾值電壓的差值為驅(qū)動電壓時該待校驗存儲單元上產(chǎn)生的電流相同。通過計算，此時施加的參考電壓為2V就可以得到預(yù)定的參考電流，那么就可以給參考存儲單元施加2V的參考電壓。。如前所述，在待校驗的存儲單元的字線上施加目標閾值電壓與過驅(qū)動電壓之和的正電壓，即0. 6 0. 8V的正電壓。假設(shè)，過驅(qū)動電壓為0. 2V，那么所加的正電壓為0. 7V，此時如果該待校驗的存儲單元的閾值電壓Vt小于目標閾值電壓，那么施加在該待校驗的存儲單元的字線上的電壓與該待校驗的存儲單元的閾值電壓之間的電壓差值會大于過驅(qū)動電壓。所以，如果電壓差值大于過驅(qū)動電壓，則此時待校驗的存儲單元的字線上的測量電流會大于參考電流，因此，此時可以判定該待校驗存儲單元的閾值電壓小于目標閾值電壓0. 5V，此時存在過擦除。反之，則可以判斷該待校驗存儲單元的閾值電壓大于等于目標閾值電壓。參照圖3，進一步地，上述步驟D2中還可以給與存儲單元同一位線上的其他的存儲單元字線上施加一個負電壓。在其他的存儲單元字線上施加負電壓可以保證位線上不會產(chǎn)生漏電流，避免對存儲單元中的測量電流產(chǎn)生影響，保證存儲單元的測量電流的準確性。該負電壓也可以根據(jù)剩下的閾值電壓Vt小于目標閾值電壓的存儲單元的閾值電壓Vt的分布范圍來確定。為了保證有效性，通常施加的負電壓等于或者小于剩下的閾值電壓Vt的最小值。例如，若最小的閾值電壓Vt = -IV，則施加的負電壓可以為-IV，也可以小于-IV。參照圖4，示出本發(fā)明的一種非易失存儲器的過擦除處理系統(tǒng)100，包括電壓施加模塊10、校驗?zāi)K30和軟編程模塊50。電壓施加模塊10，對邏輯塊中所有存儲單元的字線施加大于目標閾值電壓的處理電壓。因此需要對所有存儲單元的字線同 時施加處理電壓，因此電壓施加模塊10可以通過處理器控制的方式來實現(xiàn)對所有存儲單元的電壓的施加。校驗?zāi)K30，用于校驗經(jīng)過電壓施加后的各存儲單元的閾值電壓是否大于等于目標閾值電壓。軟編程模塊50，用于對于閾值電壓小于目標閾值電壓的存儲單元進行軟編程操作，通過在存在過擦除的存儲單元上施加一定時間的正電壓來提高存儲單元的閾值電壓，使存儲單元恢復(fù)到正常的擦除狀態(tài)。參照圖5，進一步，該校驗?zāi)K30中還包括電壓施加子模塊31、電流測量子模塊32和比較子模塊33。首先通過電壓施加子模塊31給一個參考的存儲單元施加一定的參考電壓，然后給閾值電壓小于目標閾值電壓的存儲單元施加一個目標閾值電壓與過驅(qū)動電壓之和的正電壓。其中可以米用多個電壓施加子模塊31,每一個待施加電壓的位置設(shè)置一個電壓施加子模塊31，以方便對所需要的電壓進行調(diào)節(jié)。電流測量子模塊32用于對參考存儲單元的參考電流及各存儲單元的測量電流進行測量，并將測量的結(jié)果傳遞給比較模塊33。比較子模塊33對參考存儲單元中產(chǎn)生的參考電流及各存儲單元的測量電流進行比較，若測量電流大于參考電流，則說明存儲單元的閾值電壓小于目標閾值電壓，反之，則大于等于目標閾值電壓。本實施例中，比較子模塊33可以是一個Sense Amplifier (讀出放大器)電路，通過Sense Amplifier電路對存儲單元的測量電流和參考單元的參考電流進行比較，然后輸出比較結(jié)果，如“I”(代表測量電流小于參考電流)或“0”(代表測量電流大于參考電流)。本說明書中的各個實施例均采用遞進的方式描述，每個實施例重點說明的都是與其他實施例的不同之處，各個實施例之間相同相似的部分互相參見即可。對于系統(tǒng)實施例而言，由于其與方法實施例基本相似，所以描述的比較簡單，相關(guān)之處參見方法實施例的部分說明即可。以上對本發(fā)明所提供的一種非易失存儲器的過擦除處理方法和處理系統(tǒng)進行了詳細介紹，本文中應(yīng)用了具體個例對本發(fā)明的原理及實施方式進行了闡述，以上實施例的說明只是用于幫助理解本發(fā)明的方法及其核心思想；同時，對于本領(lǐng)域的一般技術(shù)人員，依據(jù)本發(fā)明的思想，在具體實施方式
及應(yīng)用范圍上均會有改變之處，綜上所述，本說明書內(nèi)容不應(yīng)理解為對本發(fā)明的限制。
權(quán)利要求
1.一種非易失存儲器的過擦除處理方法，包括以下步驟 在邏輯塊中所有存儲單元的字線上施加大于目標閾值電壓的處理電壓； 校驗所有存儲單元的閾值電壓是否大于等于目標閾值電壓，若是，則結(jié)束操作，反之，則進行下一步驟； 對校驗后所有閾值電壓小于目標閾值電壓的存儲單元進行軟編程操作，并返回上一步驟。
2.如權(quán)利要求I所述的方法，其特征在于，所述處理電壓的選取方法為 確定目標閾值電壓及過驅(qū)動電壓； 所述處理電壓的取值為目標閾值電壓與過驅(qū)動電壓之和。
3.如權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述目標閾值電壓的取值為正常擦除狀態(tài)下閾值電壓范圍的最小值。
4.如權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，所述目標閾值電壓的取值范圍為0.5V-1V。
5.如權(quán)利要求I所述的方法，其特征在于，所述校驗所有存儲單元的閾值電壓是否大于等于目標閾值電壓包括以下步驟 選擇一個參考存儲單元，所述參考存儲單元的閾值電壓為目標閾值電壓，并給該存儲單元的字線施加一個參考電壓，獲得預(yù)定的參考電流； 給待校驗的各存儲單元的字線施加一個正電壓，得出該待校驗存儲單元中的測量電流； 比較參考電流和各測量電流，若測量電流大于參考電流，則存儲單元的閾值電壓小于目標閾值電壓，反之，則大于等于目標閾值電壓。
6.如權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于，所述預(yù)定的參考電流根據(jù)邏輯塊的大小確定，邏輯塊越大，預(yù)定的參考電流越大。
7.如權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，所述預(yù)定的參考電流的取值范圍為10 u A-20 u A。
8.如權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于，給待校驗的存儲單元的字線施加的正電壓的值為該待校驗的存儲單元的目標閾值電壓與過驅(qū)動電壓之和。
9.如權(quán)利要求2或8所述的方法，其特征在于，所述過驅(qū)動電壓與所述目標閾值電壓之和不大于所述存儲器處于正常擦除狀態(tài)時的閾值電壓的上限。
10.如權(quán)利要求9所述的方法，其特征在于，所述過驅(qū)動電壓的取值范圍為0.IV至0.3V之間。
11.如權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于，所述校驗所有存儲單元的閾值電壓是否大于等于目標閾值電壓還包括在給待校驗的存儲單元的字線施加一個正電壓的時候，給與所述待校驗的存儲單元同一位線上的其它存儲單元的字線上施加一個負電壓。
12.—種非易失存儲器的過擦除處理系統(tǒng)，其特征在于，包括 電壓施加模塊，對邏輯塊中所有存儲單元的字線施加大于目標閾值電壓的處理電壓；校驗?zāi)K，用于校驗經(jīng)過電壓施加后的各存儲單元的閾值電壓是否大于等于目標閾值電壓； 軟編程模塊，用于對閾值電壓小于目標閾值電壓的存儲單元進行軟編程操作。
13.如權(quán)利要求12所述的系統(tǒng)，其特征在于，所述校驗?zāi)K包括電壓施加子 模塊，對參考存儲單元及各存儲單元施加電壓； 電流測量子模塊，對參考存儲單元的參考電流及各存儲單元的測量電流進行測量；比較子模塊，對參考存儲單元中產(chǎn)生的參考電流及各存儲單元的測量電流進行比較；若測量電流大于參考電流，則存儲單元的閾值電壓小于目標閾值電壓，反之，則大于等于目標閾值電壓。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種非易失存儲器的過擦除處理方法，包括以下步驟在邏輯塊中所有存儲單元的字線上施加大于目標閾值電壓的處理電壓；校驗所有存儲單元的閾值電壓是否大于等于目標閾值電壓，若是，則結(jié)束操作，反之，則進行下一步驟；對校驗后所有閾值電壓小于目標閾值電壓的存儲單元進行軟編程操作，并返回上一步驟。本發(fā)明還提供了一種實現(xiàn)前述方法的非易失存儲器的過擦除處理系統(tǒng)。本發(fā)明的非易失存儲器的過擦除處理方法和處理系統(tǒng)，能夠快速的使所有的存儲單元恢復(fù)到正常的擦除狀態(tài)，節(jié)省了過擦除處理的時間，提高了測試的效率。
文檔編號G11C16/14GK102800362SQ20111013859
公開日2012年11月28日 申請日期2011年5月26日 優(yōu)先權(quán)日2011年5月26日
發(fā)明者蘇志強 申請人:北京兆易創(chuàng)新科技有限公司