專利名稱：具有受限電荷擴(kuò)散的電荷捕集存儲器及其形成方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本文中所揭示的標(biāo)的物涉及快閃存儲器，且更特定來說涉及一種電荷捕集存儲器及一種用以形成所述電荷捕集存儲器的工藝流程。
背景技術(shù)：
快閃存儲器甚至在斷電條件下通常保持所存儲的信息。在此些存儲器中，為了改變單元的邏輯狀態(tài)(例如，位)，可通過將電位施加到所述單元的各個部分來改變存在于所述單元的存儲層中的電荷。舉例來說，“0”狀態(tài)通常對應(yīng)于帶負(fù)電荷的存儲層且“1”狀態(tài)通常對應(yīng)于帶正電荷的存儲層。如所打算，非易失性存儲器可隨時間保持所存儲的信息，但此存儲器保持此所存儲的信息的可靠性可受(舉例來說)甚至在相對低的電場下可觀察到的泄漏電流或電荷擴(kuò)散的限制。此些低等級電荷損失及/或電荷增益機(jī)制(其可導(dǎo)致信息損失)是不期望的，因為期望快閃存儲器裝置能夠?qū)⑿畔⒋鎯Υ蠹s至少幾年。


將參照以下各圖描述非限制性及非窮舉性實(shí)施例，其中除非另有規(guī)定，各圖中相同參考編號指代相同部件。圖1到5是根據(jù)一實(shí)施例的存儲器裝置的部分的橫截面圖。圖6是根據(jù)一實(shí)施例的存儲器陣列的橫截面圖。圖7是根據(jù)一實(shí)施例的用以形成存儲器裝置的工藝的流程圖。圖8是根據(jù)一實(shí)施例的計算系統(tǒng)及存儲器裝置的示意圖。
具體實(shí)施例方式此說明書通篇所提及的“一個實(shí)施例”或“一實(shí)施例”意指結(jié)合所述實(shí)施例描述的特定特征、結(jié)構(gòu)或特性包括在所請求的標(biāo)的物的至少一個實(shí)施例中。因此，在此說明書通篇的各個地方出現(xiàn)的片語“在一個實(shí)施例中”或“一實(shí)施例”未必全部指代相同實(shí)施例。此外， 可將所述特定特征、結(jié)構(gòu)或特性組合在一個或一個以上實(shí)施例中。在一實(shí)施例中，存儲器裝置可具有特定配置以通過減小從一個存儲器單元到鄰近存儲器單元的泄漏電流而提供益處，例如改善的存儲器保持性。舉例來說，此存儲器裝置可包含電荷捕集存儲器單元陣列，例如電荷捕集NAND快閃存儲器單元。此些存儲器單元可包含襯底上的經(jīng)隔離區(qū)(例如，淺溝槽隔離(STI)區(qū))、形成于STI區(qū)上的半導(dǎo)體材料線、保形地覆蓋所述半導(dǎo)體線的作用電介質(zhì)堆疊及至少部分地覆蓋所述作用電介質(zhì)堆疊的導(dǎo)電層。 在一個實(shí)施方案中，作用電介質(zhì)堆疊可導(dǎo)致存儲層內(nèi)部的電荷的修改以修改單元的邏輯狀態(tài)。舉例來說，此作用電介質(zhì)堆疊可包含包括待用作存儲層的氮化硅層的雙二氧化硅層。在一特定實(shí)施方案中，作用電介質(zhì)堆疊可包含氧化物-氮化物-氧化物(ONO)堆疊，但所請求的標(biāo)的物不受限于此。舉例來說，用于形成于STI區(qū)上的線的半導(dǎo)體材料可包含多晶或結(jié)晶硅、砷化鎵及/或鍺。僅舉幾個實(shí)例，導(dǎo)電層可包含多晶硅、鈦、氮化鈦、氮化鉭(TaN)、鎢(W)、氮化鎢 (WN)、硅化鎢(WSU)及/或其組合。當(dāng)然，此些材料僅為實(shí)例，且所請求的標(biāo)的物不受限于此。在此配置中，所述導(dǎo)電層的至少若干部分可延伸到大致低于所述半導(dǎo)體線處。在一個實(shí)施方案中，此配置可從在導(dǎo)致上述半導(dǎo)體線的形成的圖案化工藝期間過蝕刻半導(dǎo)體薄膜而產(chǎn)生。此處，“過蝕刻”多層裝置是指向下蝕刻穿過第一層且至少部分地蝕刻到下伏于所述第一層下的第二層中的工藝。因此，此過蝕刻可產(chǎn)生延伸到STI區(qū)中大致低于半導(dǎo)體線處的深溝槽。作用電介質(zhì)堆疊可延伸到大致低于所述半導(dǎo)體線處。因此，用導(dǎo)電層至少部分地填充此些深溝槽可接著產(chǎn)生上覆導(dǎo)電層的延伸到大致低于所述半導(dǎo)體線處的至少若干部分。此處，“大致低于”結(jié)構(gòu)及/或?qū)邮侵傅陀谒鼋Y(jié)構(gòu)及/或?qū)拥谋砻娴脑试S存儲器裝置的特定特征或益處的距離，如下文所描述。在一個實(shí)施方案中，過蝕刻深度可大于作用電介質(zhì)厚度且小于溝槽可不由導(dǎo)電層填充的深度。如下文更詳細(xì)地闡釋，導(dǎo)電材料及/或作用電介質(zhì)堆疊的若干部分低于半導(dǎo)體線而駐留可提供益處，例如在存儲器單元的操作期間的改善的溝道控制及/或增加的隧道電場。此外，導(dǎo)電材料及/或作用電介質(zhì)堆疊的若干部分低于半導(dǎo)體線而駐留可產(chǎn)生針對在鄰近存儲器單元之間擴(kuò)散的電荷粒子的增加的路徑長度。因此，此增加的路徑長度可通過減小從一個存儲器單元到鄰近存儲器單元的泄漏電流而提供益處，例如改善的存儲器保持性。當(dāng)然，此存儲器裝置的益處并不限于上文所描述的那些益處，且所請求的標(biāo)的物也不受限于此。在一實(shí)施例中，制作如上文所描述的存儲器裝置的工藝可包含在襯底上形成外圍電路及/或淺溝槽隔離(STI)區(qū)?？山又练e第一半導(dǎo)體層以至少部分地覆蓋所述外圍電路及所述STI區(qū)。接下來，可執(zhí)行在所述STI區(qū)上方過蝕刻第一半導(dǎo)體層以形成溝槽，從而暴露且蝕刻所述STI區(qū)。舉例來說，此過蝕刻可包含在所述溝槽的底部處蝕刻所述STI區(qū)以將所述溝槽加深到大致低于所述第一半導(dǎo)體層處。在一實(shí)施方案中，制作此存儲器裝置的工藝可進(jìn)一步包含在所述經(jīng)蝕刻的第一半導(dǎo)體層及所述加深到大致低于所述第一半導(dǎo)體層處的溝槽的表面上保形地形成作用電介質(zhì)堆疊。隨后，可用第二導(dǎo)電層至少部分地填充所述經(jīng)加深溝槽以填充成大致低于所述第一半導(dǎo)體層，從而形成存儲器單元陣列。再次， 如下文更詳細(xì)地闡釋，導(dǎo)電材料及/或作用電介質(zhì)堆疊的若干部分低于半導(dǎo)體線而駐留可提供益處，例如在包含單元溝道的存儲器單元的操作期間的改善的溝道控制。此外，半導(dǎo)體材料及/或作用電介質(zhì)堆疊的若干部分低于半導(dǎo)體線而駐留可允許增加的路徑長度，從而通過減小從一個存儲器單元到鄰近存儲器單元的泄漏電流而提供益處，例如改善的存儲器保持性。當(dāng)然，制作存儲器裝置的此工藝僅為實(shí)例，且所請求的標(biāo)的物不受限于此。在一實(shí)施例中，制作存儲器裝置的工藝可進(jìn)一步包含在STI區(qū)上形成存儲器陣列，其中所述存儲器裝置包含三維存儲器裝置。在此實(shí)施例中，三維存儲器結(jié)構(gòu)可包含用以覆蓋外圍電路的層間電介質(zhì)層(ILD)及形成于所述ILD上的兩個或兩個以上存儲器單元陣列層級。此種ILD可包含(舉例來說)使用各種技術(shù)(包括低壓化學(xué)氣相沉積(LPCVD)、化學(xué)氣相沉積(CVD)及/或原子層沉積(ALD))沉積的氧化硅。舉例來說，此外圍電路(舉例來說)可包含用以選擇及/或操作柵極線、位線及/或漏極-源極線的控制電路。此外圍電路還可包含感測放大器電路，但所請求的標(biāo)的物不受限于此。不管名字如何，外圍電路不需要駐留于存儲器結(jié)構(gòu)的外圍上。特定來說，此外圍電路可安置于其上構(gòu)建有所述外圍電路的襯底與兩個或兩個以上存儲器單元陣列層級之間。在一個實(shí)施方案中，此種三維存儲器結(jié)構(gòu)可包含NAND快閃存儲器，但所請求的標(biāo)的物不受此方面的限制。在另一實(shí)施例中，用以制作三維存儲器結(jié)構(gòu)的工藝流程可通過在襯底上形成外圍電路而開始。在用絕緣材料及/或ILD覆蓋外圍電路之后，可使用過蝕刻技術(shù)形成第一存儲器陣列層級，如上所述。特定來說，將第一半導(dǎo)體層過蝕刻到下伏STI區(qū)中可形成延伸到所述STI區(qū)中的深溝槽?？山又米饔秒娊橘|(zhì)堆疊及導(dǎo)電層至少部分地填充此些深溝槽， 以填充成低于所述第一半導(dǎo)體層。在用另外的絕緣材料及/或ILD覆蓋第一存儲器陣列層級之后，可形成另一存儲器陣列層級，等等。當(dāng)然，用以制作三維存儲器結(jié)構(gòu)的工藝的此些細(xì)節(jié)僅為實(shí)例，且所請求的標(biāo)的物不受限于此。圖7是根據(jù)一特定實(shí)施例的用以形成存儲器裝置的工藝700的流程圖。將結(jié)合圖 1到5的說明來描述此工藝，圖1到5是根據(jù)一實(shí)施例的存儲器裝置的部分的橫截面圖。如圖1及工藝700的框710中所示，可在半導(dǎo)體襯底中形成外圍電路區(qū)170及陣列區(qū)180?？尚纬哨?閾值植入、作用氧化物及/或經(jīng)隔離(例如，STI)區(qū)120。特定來說，此植入可產(chǎn)生例如ρ阱區(qū)110、p阱區(qū)130、n阱區(qū)150及介入場氧化物區(qū)140。可在阱區(qū)上形成低電壓(LV)氧化物165及高電壓(HV)氧化物160?？墒褂醚趸锾畛浼昂罄m(xù)化學(xué)-機(jī)械拋光(CMP)來界定STI區(qū)120，但所請求的標(biāo)的物不受限于此界定技術(shù)。圖2是根據(jù)一實(shí)施例的存儲器裝置200的一部分的橫截面圖。在框720處，可沉積相對薄的半導(dǎo)體層210以至少部分地覆蓋外圍電路區(qū)170及陣列區(qū)180。半導(dǎo)體層210 可包含未經(jīng)摻雜半導(dǎo)體或具有相對低摻雜的半導(dǎo)體。舉例來說，半導(dǎo)體層210可用于密封電路且可包含晶體管柵極的底部層。在陣列區(qū)180中，可選擇性地蝕刻(例如，經(jīng)由遮掩工藝)半導(dǎo)體層210以界定單元溝道區(qū)220。特定來說，在框730處，可在STI區(qū)120上方蝕刻半導(dǎo)體層210以便在溝槽230的底部處暴露STI區(qū)120的若干部分。在一特定實(shí)施方案中，在框740處，此蝕刻工藝可包含過蝕刻工藝，其中可將半導(dǎo)體層210向下蝕刻到STI區(qū) 120的表面且超出所述表面，以便也蝕刻STI區(qū)120的一部分M0。因此，從此過蝕刻工藝產(chǎn)生的額外蝕刻深度可給溝槽230提供低于STI區(qū)120的表面的溝槽底部。圖3是根據(jù)一實(shí)施例的存儲器裝置300的一部分的橫截面圖。在框750處，可在半導(dǎo)體層210上沉積電荷捕集作用電介質(zhì)層350。在一特定實(shí)施方案中，此些電介質(zhì)層可包含保形地沉積到半導(dǎo)體層210上的作用電介質(zhì)堆疊。舉例來說，此作用電介質(zhì)堆疊可包含例如隧道氧化物621 (例如，氧化硅)、捕集電介質(zhì)層623(例如，氮化硅)及阻擋電介質(zhì)層 628(例如，氧化硅)，如圖6中所示，但所請求的標(biāo)的物不受限于此。對應(yīng)于溝槽230的低于STI區(qū)120的表面301的下部部分，電介質(zhì)層350的部分 340可低于STI區(qū)120的表面301而駐留。陣列區(qū)180因此可包含包括由作用電介質(zhì)堆疊覆蓋的半導(dǎo)體線的所得結(jié)構(gòu)，所述半導(dǎo)體線界定由低于溝道區(qū)220而延伸的溝槽230分離的溝道區(qū)220。因此，下伏STI區(qū)120的至少一部分在溝槽230的底部處被蝕刻。當(dāng)然，存儲器裝置的材料及配置的此些細(xì)節(jié)僅為實(shí)例，且所請求的標(biāo)的物不受限于此。圖4是根據(jù)一實(shí)施例的存儲器裝置400的一部分的橫截面圖?？稍诖鎯ζ餮b置400 的一部分上沉積第二導(dǎo)電層460以至少部分地覆蓋外圍電路區(qū)170及陣列區(qū)180。此導(dǎo)電層460可包含(舉例來說)多晶硅、鈦、氮化鈦、氮化鉭(TaN)、鎢(W)、氮化鎢(WN)、硅化鎢 (WSU)及/或其組合。當(dāng)然，此些材料僅為實(shí)例，且所請求的標(biāo)的物不受限于此。另外，在框760處，導(dǎo)電層460可至少部分地填充溝道區(qū)220之間的溝槽230。因此，導(dǎo)電層460的至少若干部分465可低于STI區(qū)120的表面301而駐留。換句話說，導(dǎo)電層460的部分465 可低于溝道區(qū)220而延伸。在一個實(shí)施方案中，可在外圍電路區(qū)170與陣列區(qū)180之間移除電介質(zhì)層350的一部分480以便通過低電阻金屬層470使導(dǎo)電層460電短路?？沙练e低電阻金屬層470以至少部分地覆蓋包括所得存儲器單元490的導(dǎo)電層 460。此金屬層可包含(舉例來說)鈦、氮化鈦、鎢(W)、氮化鎢(WN)、硅化鎢(WSU)及/或其組合。當(dāng)然，此些材料僅為實(shí)例，且所請求的標(biāo)的物不受限于此。此低電阻金屬層470可提供陣列柵極180及電路柵極(未顯示)的電阻率值的降低。在一特定實(shí)施方案中，但未顯示，可將可包含例如氧化物的層間電介質(zhì)層(ILD)保形地沉積到低電阻金屬層470上。額外的保形氮化物層(未顯示)可覆蓋此ILD且因此形成用以制作后續(xù)存儲器陣列層級(未顯示)的基礎(chǔ)，以制作三維存儲器結(jié)構(gòu)，如在框770處。圖5是根據(jù)一實(shí)施例的存儲器裝置500的一部分的橫截面圖?？赏ㄟ^在經(jīng)圖案化半導(dǎo)體層510 (例如，用于電路)、經(jīng)圖案化導(dǎo)電層560及460及經(jīng)圖案化低電阻金屬層570 及470中形成溝槽550及/或450的蝕刻工藝來界定晶體管柵極及/或陣列柵極555及 455。圖6是根據(jù)一實(shí)施例的存儲器裝置600的一部分的橫截面圖。如上文所描述，包含單元溝道620的半導(dǎo)體線形成于STI區(qū)120上。單元溝道620可保形地覆蓋有包含(例如)隧道氧化物層621、捕集電介質(zhì)層623及阻擋電介質(zhì)層628的作用電介質(zhì)堆疊，但所請求的標(biāo)的物不受限于此。分離所得單元溝道620的溝槽625可至少部分地填充有導(dǎo)電層460。作用電介質(zhì)堆疊及/或?qū)щ妼?60的若干部分可低于單元溝道620(例如，低于單元溝道620與STI區(qū)120之間的界面695)而駐留。與其中作用電介質(zhì)堆疊及/或半導(dǎo)體層不低于單元溝道620而駐留的配置相比，此配置可產(chǎn)生針對從一個單元溝道620向鄰近單元溝道620擴(kuò)散的帶電荷粒子670的增加的路徑長度。因此，此增加的路徑長度可通過減小從一個存儲器單元到鄰近存儲器單元的泄漏電流而提供益處，例如改善的存儲器保持性。此配置可提供益處，例如存儲器單元的操作期間的改善的溝道控制及/或增加的隧道電場。當(dāng)然，存儲器陣列的此些細(xì)節(jié)僅為材料及配置的實(shí)例，且所請求的標(biāo)的不受限于此。圖8是根據(jù)一實(shí)施例的計算系統(tǒng)及存儲器裝置的示意圖。此計算裝置可包含一個或一個以上處理器(舉例來說)以執(zhí)行應(yīng)用程序及/或其它代碼。舉例來說，存儲器裝置 810可包含例如圖5中所示的存儲器裝置500的存儲器裝置，其可使用本文中所描述的一個或一個以上技術(shù)來制作。計算裝置804可表示可配置以管理存儲器裝置810的任何裝置、 器具或機(jī)器。存儲器裝置810可包括存儲器控制器815及存儲器822。通過舉例而非限制的方式，計算裝置804可包括一個或一個以上計算裝置及/或平臺，例如(舉例來說)桌上型計算機(jī)、膝上型計算機(jī)、工作站、服務(wù)器裝置等；一個或一個以上個人計算或通信裝置或器具，例如(舉例來說)個人數(shù)字助理、移動通信裝置等；一計算系統(tǒng)及/或相關(guān)聯(lián)服務(wù)提供商能力，例如(舉例來說)數(shù)據(jù)庫或數(shù)據(jù)存儲服務(wù)提供商/系統(tǒng)；及/或其任一組合。 應(yīng)認(rèn)識到，系統(tǒng)800中所示的各種裝置的全部或部分可使用硬件、固件、軟件或其任一組合來實(shí)施或以其它方式包括硬件、固件、軟件或其任一組合。因此，通過舉例而非限制的方式， 計算裝置804可包括經(jīng)由總線840在操作上耦合到存儲器820的至少一個處理單元822及一主機(jī)或存儲器控制器815。處理單元820表示可配置以執(zhí)行數(shù)據(jù)計算程序或過程的至少一部分的一個或一個以上電路。通過舉例而非限制的方式，處理單元820可包括一個或一個以上處理器、控制器、微處理器、微控制器、專用集成電路、數(shù)字信號處理器、可編程邏輯裝置、現(xiàn)場可編程門陣列等或其任一組合。處理單元820可包括經(jīng)配置以與存儲器控制器 815通信的操作系統(tǒng)。此操作系統(tǒng)可(舉例來說)產(chǎn)生命令以經(jīng)由總線840發(fā)送到存儲器控制器815。此些命令可包含讀取及/或?qū)懭朊睢ｍ憫?yīng)于寫入命令，舉例來說，存儲器控制器815可提供偏壓信號，例如用以將與所述寫入命令相關(guān)聯(lián)的信息寫入到存儲器分區(qū)的設(shè)定或重設(shè)脈沖(舉例來說)。在一實(shí)施方案中，系統(tǒng)800可包含包括電荷捕集存儲器單元陣列的存儲器裝置810，所述陣列包含襯底上的STI區(qū)、形成于所述STI區(qū)上的半導(dǎo)體線、保形地覆蓋所述半導(dǎo)體線的作用電介質(zhì)堆疊及至少部分地覆蓋所述作用電介質(zhì)堆疊的導(dǎo)電層。在此情況下，所述導(dǎo)電層的至少若干部分可延伸到大致低于所述半導(dǎo)體線處。存儲器控制器815可操作存儲器裝置810，其中(舉例來說)處理單元820可代管一個或一個以上應(yīng)用程序及/或起始給存儲器控制器的寫入命令以提供對存儲器裝置810中的存儲器單元的存取。存儲器822表示任何數(shù)據(jù)存儲機(jī)構(gòu)。存儲器822可包括(舉例來說)一級存儲器擬4及/或二級存儲器826。一級存儲器擬4可包括(舉例來說)隨機(jī)存取存儲器、只讀存儲器等。雖然在此實(shí)例中圖解說明為與處理單元820分離，但應(yīng)理解，一級存儲器824的整體或部分可提供于處理單元820內(nèi)或以其它方式與處理單元820共同定位/耦合。二級存儲器擬6可包括(舉例來說)與一級存儲器相同或類似類型的存儲器及/ 或一個或一個以上數(shù)據(jù)存儲裝置或系統(tǒng)，例如(舉例來說)磁盤驅(qū)動器、光盤驅(qū)動器、磁帶驅(qū)動器、固態(tài)存儲器驅(qū)動器等。在某些實(shí)施方案中，二級存儲器擬6可以是在操作上可接受的計算機(jī)可讀媒體擬8或可以其它方式配置以耦合到計算機(jī)可讀媒體828。計算機(jī)可讀媒體擬8可包括(舉例來說)可攜載用于系統(tǒng)800中的裝置中的一者或一者以上的數(shù)據(jù)、代碼及/或指令及/或使得所述數(shù)據(jù)、代碼及/或指令可存取的任何媒體。計算裝置804可包括(舉例來說)輸入/輸出832。輸入/輸出832表示可配置以接受或以其它方式引入人類及/或機(jī)器輸入的一個或一個以上裝置或特征，及/或可配置以遞送或以其它方式提供人類及/或機(jī)器輸出的一個或一個以上裝置或特征。通過舉例而非限制的方式，輸入/輸出裝置832可包括在操作上配置的顯示器、揚(yáng)聲器、鍵盤、鼠標(biāo)、 軌跡球、觸摸屏、數(shù)據(jù)端口等。雖然已圖解說明及描述了目前認(rèn)為是實(shí)例性實(shí)施例的內(nèi)容，但所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)理解，在不背離所請求的標(biāo)的物的情況下可作出各種其它修改且可替代等效物。另外， 可在不背離本文中所描述的中心概念的情況下作出許多修改以使特定情形適應(yīng)所請求的標(biāo)的物的教示。因此，所請求的標(biāo)的物既定不限于所揭示的特定實(shí)施例，而是此所請求的標(biāo)的物還可包括歸屬于所附權(quán)利要求書及其等效物的范圍內(nèi)的所有實(shí)施例。
權(quán)利要求
1.一種制作存儲器裝置的方法，所述方法包含蝕刻至少部分地覆蓋襯底上的外圍電路及經(jīng)隔離區(qū)的第一半導(dǎo)體層以形成溝槽，從而暴露所述經(jīng)隔離區(qū)；及在所述溝槽的底部處蝕刻所述經(jīng)隔離區(qū)以將所述溝槽加深到大致低于所述第一半導(dǎo)體層處。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其進(jìn)一步包含在所述經(jīng)蝕刻的第一半導(dǎo)體層及所述加深到大致低于所述第一半導(dǎo)體層處的溝槽的表面上保形地形成作用電介質(zhì)堆疊。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其進(jìn)一步包含用第二導(dǎo)電層至少部分地填充所述加深到大致低于所述第一半導(dǎo)體層處的溝槽，以形成存儲器單元陣列。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其進(jìn)一步包含在所述經(jīng)隔離區(qū)上形成存儲器陣列層，其中所述存儲器裝置包含三維存儲器裝置。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述在所述經(jīng)隔離區(qū)上方蝕刻所述第一半導(dǎo)體層進(jìn)一步包含圖案化所述第一半導(dǎo)體層以形成大致平行的多個半導(dǎo)體線。
6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其中所述第一半導(dǎo)體層包含所述存儲器單元的溝道區(qū)。
7.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其中所述第二導(dǎo)電層包含所述存儲器單元的源極線及 /或柵極線。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述存儲器單元陣列包含電荷捕集NAND存儲器單元陣列。
9.一種存儲器裝置，其包含 電荷捕集存儲器單元陣列，其包含作用電介質(zhì)堆疊，其保形地覆蓋形成于襯底上的經(jīng)隔離區(qū)上的半導(dǎo)體線；及導(dǎo)電層，其至少部分地覆蓋所述作用電介質(zhì)堆疊，其中所述導(dǎo)電層的至少若干部分延伸到大致低于所述半導(dǎo)體線處。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的存儲器裝置，其中所述作用電介質(zhì)堆疊的至少若干部分延伸到大致低于所述半導(dǎo)體線處。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的存儲器裝置，其進(jìn)一步包含所述經(jīng)隔離區(qū)上的一個或一個以上存儲器陣列層，其中所述存儲器裝置包含三維存儲器裝置。
12.根據(jù)權(quán)利要求9所述的存儲器裝置，其中所述半導(dǎo)體線包含所述電荷捕集存儲器單元的溝道區(qū)。
13.根據(jù)權(quán)利要求9所述的存儲器裝置，其中所述導(dǎo)電層包含所述電荷捕集存儲器單元的源極線及/或柵極線。
14.根據(jù)權(quán)利要求9所述的存儲器裝置，其中所述電荷捕集存儲器單元陣列包含電荷捕集NAND存儲器單元陣列。
15.一種系統(tǒng)，其包含存儲器裝置，其包含 電荷捕集存儲器單元陣列，其包含作用電介質(zhì)堆疊，其保形地覆蓋形成于襯底上的經(jīng)隔離區(qū)上的半導(dǎo)體線，及導(dǎo)電層，其至少部分地覆蓋所述作用電介質(zhì)堆疊，其中所述導(dǎo)電層的至少若干部分延伸到大致低于所述半導(dǎo)體線處；及存儲器控制器，其用以操作所述存儲器裝置，及處理器，其用以代管一個或一個以上應(yīng)用程序且用以起始給所述存儲器控制器的寫入命令以提供對所述存儲器陣列中的存儲器單元的存取。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的系統(tǒng)，其中所述作用電介質(zhì)堆疊的至少若干部分延伸到所述經(jīng)隔離區(qū)中。
17.根據(jù)權(quán)利要求15所述的系統(tǒng)，其中所述系統(tǒng)進(jìn)一步包含所述襯底上的一個或一個以上存儲器陣列層，其中所述存儲器裝置包含三維存儲器裝置。
18.根據(jù)權(quán)利要求15所述的系統(tǒng)，其中所述半導(dǎo)體線包含所述電荷捕集存儲器單元的溝道區(qū)。
19.根據(jù)權(quán)利要求15所述的系統(tǒng)，其中所述導(dǎo)電層包含所述電荷捕集存儲器單元的源極線及/或柵極線。
20.根據(jù)權(quán)利要求15所述的系統(tǒng)，其中所述電荷捕集存儲器單元包含電荷捕集NAND存儲器單元。
全文摘要
本發(fā)明涉及具有受限電荷擴(kuò)散的電荷捕集存儲器及其形成方法。本文中所揭示的標(biāo)的物具體來說涉及快閃存儲器，且更特定來說涉及一種電荷捕集存儲器及一種用以形成所述電荷捕集存儲器的工藝流程。提供一種制作存儲器裝置的方法。所述方法包含蝕刻至少部分地覆蓋襯底上的外圍電路及經(jīng)隔離區(qū)的第一半導(dǎo)體層以形成溝槽，從而暴露所述經(jīng)隔離區(qū)；及在所述溝槽的底部處蝕刻所述經(jīng)隔離區(qū)以將所述溝槽加深到大致低于所述第一半導(dǎo)體層處。
文檔編號G11C16/04GK102237315SQ201110103430
公開日2011年11月9日 申請日期2011年4月20日 優(yōu)先權(quán)日2010年4月20日
發(fā)明者亞歷山德羅·格羅西 申請人:美光科技公司