專利名稱：：用于數(shù)據(jù)儲(chǔ)存設(shè)備的非易失性雙存儲(chǔ)晶片的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及存儲(chǔ)設(shè)備。特別地，本發(fā)明涉及雙區(qū)存儲(chǔ)晶片。
背景技術(shù)：
：圖1描繪了本領(lǐng)域已知的、包括主機(jī)110和非易失性存儲(chǔ)器(NVM)數(shù)據(jù)儲(chǔ)存設(shè)備120的系統(tǒng)100。諸如數(shù)據(jù)卡、USB棒或其它儲(chǔ)存設(shè)備的數(shù)據(jù)儲(chǔ)存設(shè)備通常將NVM數(shù)據(jù)閃存130和控制器140整合到單一封裝120中。當(dāng)連接到主機(jī)設(shè)備110，例如個(gè)人計(jì)算機(jī)或筆記本計(jì)算機(jī)時(shí)，數(shù)據(jù)儲(chǔ)存卡和主機(jī)設(shè)備之間開始通信。數(shù)據(jù)儲(chǔ)存設(shè)備120內(nèi)的控制器140通過作為寫入和讀出閃存器130的兩個(gè)數(shù)據(jù)傳輸方向上的網(wǎng)關(guān)來管理主機(jī)和閃存器130之間的數(shù)據(jù)傳輸。數(shù)據(jù)由用戶數(shù)據(jù)和管理數(shù)據(jù)及文件組成。管理文件包括地址更新和文件命名。使主機(jī)和數(shù)據(jù)儲(chǔ)存設(shè)備之間能夠通信的操作系統(tǒng)是基于DOS(磁盤操作系統(tǒng))的。圖2示意性地描繪本領(lǐng)域已知的、主機(jī)的文件系統(tǒng)的相關(guān)元件。它由主引導(dǎo)記錄(MBR)、分引導(dǎo)記錄(PBR)、文件夾信息、和文件分配表(FAT)組成。MBR包含有關(guān)包括FAT位置和尺寸的數(shù)據(jù)儲(chǔ)存設(shè)備的信息以及根目錄的位置。它的位置始終是邏輯地址0，其由控制器轉(zhuǎn)化成存儲(chǔ)晶片中的物理地址。根目錄具有恒定的表的尺寸，即包括512行，每行具有對(duì)存在于磁盤中的文件或文件夾的描述。它包括文件(文件或目錄)的名稱、尺寸、第一塊位置和類型。FAT位于存儲(chǔ)器陣列130中，但由主機(jī)110管轄。它是最初由BillGates和MarcMcDonald研發(fā)的計(jì)算機(jī)文件系統(tǒng)架構(gòu)。它是用于包括DR-DOS、OpenDOS、freeDOS、MS-DOS、0S/2(vl.1)和MicrosoftWindows(直到WindowsMe)的各種操作系統(tǒng)的基本文件系統(tǒng)。對(duì)于軟盤(沒有長(zhǎng)文件名支持的FAT12和FAT16)，F(xiàn)AT已被標(biāo)準(zhǔn)化為ECMA-107和ISO/IEC9293.,具有FAT的長(zhǎng)文件名的使用被部分專利化。FAT文件系統(tǒng)得到了幾乎所有現(xiàn)有的、用于個(gè)人計(jì)算機(jī)的操作系統(tǒng)的支持。這使得它成為用于固態(tài)存儲(chǔ)卡的理想格式，并成為在操作系統(tǒng)之間共享數(shù)據(jù)的便捷方式。FAT包括在存儲(chǔ)磁盤中的所有塊的地址。FAT記錄可由16個(gè)比特組成，F(xiàn)AT16(也使用FAT12和FAT32)因此指示最大216個(gè)地址位置。假設(shè)磁盤容量<2GB(16(ib)，每個(gè)地址具有最大的217(64KB)個(gè)區(qū)塊的大小。FAT通過隨時(shí)具有兩個(gè)副本FATl和FAT2來進(jìn)行備份。指定用于2GB磁盤的情況中的FAT的磁盤大小是2X16X216=256KB。圖3示意性地描繪了根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的、當(dāng)讀取操作開始時(shí)發(fā)生的事件的順序的實(shí)例。上電時(shí)，并且可能地將存儲(chǔ)卡連接到主機(jī)或每當(dāng)用戶請(qǐng)求訪問存儲(chǔ)卡時(shí)，MBR被尋址，主機(jī)在其存儲(chǔ)器中產(chǎn)生FAT的副本并靠近根目錄，在該根目錄中有關(guān)文件的信息被提取(或者位于根文件夾本身中，或者更典型地在與出現(xiàn)在根目錄中的文件夾相關(guān)聯(lián)的子文件夾中)。一旦所請(qǐng)求的文件的第一塊位置被識(shí)別，其余的塊由FAT順序指出。FAT由控制器擁有并且它使用邏輯地址，邏輯地址到物理地址的轉(zhuǎn)化由控制器完成，該控制器在存儲(chǔ)器陣列內(nèi)具體物理位置中分配數(shù)據(jù)和FAT。塊的尺寸通常由主機(jī)確定，其具有最小的尺寸以便使得磁盤中塊的最大數(shù)量不超過216=65，536(假設(shè)使用FAT16)。以下部分示意性地描繪通過本領(lǐng)域的方法使用的、FAT條目與陣列中的物理塊的關(guān)聯(lián)。當(dāng)主機(jī)Iio啟動(dòng)讀取序列(尋址MBR、根目錄，等等)時(shí)，它也啟動(dòng)由控制器140執(zhí)行的例行程序，其中使用存在于控制器中的、邏輯地址到物理地址的映射表讀取所需的物理塊(在該控制器中存在有限的存儲(chǔ)器的容量以用于此目的)。使用適當(dāng)?shù)膮f(xié)議(SD、MMC、USB,等等)時(shí)，控制器允許在主機(jī)110和存儲(chǔ)晶片130之間的指令和數(shù)據(jù)傳送。在典型的情況中，F(xiàn)AT中的8個(gè)條目可被映射到單個(gè)擦除扇區(qū)(ES)，即存儲(chǔ)器陣列中的特定物理位置。通常，對(duì)于存儲(chǔ)器陣列中的每個(gè)物理扇區(qū)(PS)，存在至少單個(gè)的、被留出空白的備用ES。以下部分描繪了通過如本領(lǐng)域的方法使用的、將用戶數(shù)據(jù)寫入閃存的過程。在寫入操作的過程中，其中，例如新的圖片或文件，具有例如1MB的大小，通過主機(jī)110寫入到存儲(chǔ)器陣列130中，事件的序列類似于前面描述的過程。主要的區(qū)別在于，相關(guān)文件、根目錄、FAT和數(shù)據(jù)文件被修改。每當(dāng)新的數(shù)據(jù)加載時(shí)，在根目錄下的子文件夾的一個(gè)中生成新的文件條目。隨后，也通過尋找主機(jī)中的空白條目并將它們分配給要記錄在存儲(chǔ)晶片上的圖片或文件來更新FAT，在存儲(chǔ)晶片中，通常4KB大小的塊可由FAT條目Q56個(gè)空白條目對(duì)應(yīng)1MB的文件)指出。寫入命令被發(fā)送到控制器，指示它寫入用戶數(shù)據(jù)，隨后還通過給控制器命令來更新FAT條目。該更新對(duì)應(yīng)于由控制器執(zhí)行的邏輯到物理地址表的重新映射。通常根據(jù)新的映射表，通過在不同的物理位置上重新生成FAT來對(duì)其進(jìn)行更新。在存儲(chǔ)器130中儲(chǔ)存了舊FAT的、以前的物理位置通常被擦除并作為備用ES的一部分。在標(biāo)準(zhǔn)的數(shù)據(jù)卡中，當(dāng)卡在物理上已滿時(shí)，(即其所有的存儲(chǔ)器之前已經(jīng)被使用過，但在邏輯上具有使用空白存儲(chǔ)器的、被指定為“刪除”的數(shù)據(jù))，通過首先刪除包含了被刪除的圖片或文件的寫擦除扇區(qū)來加載新的圖片或文件。如上所暗示的，在FAT和根目錄中指明的邏輯地址通常被鏈接到在每次數(shù)據(jù)傳輸中改變的不同物理位置。然而，可將管理文件的邏輯地址鏈接到多于一個(gè)的數(shù)據(jù)傳輸中的相同的物理位置，所述數(shù)據(jù)傳輸具有的頻率取決于不同的應(yīng)用，比如晶片尺寸、控制器的算法，等等。因此，即使是對(duì)于數(shù)據(jù)儲(chǔ)存設(shè)備的單個(gè)編程操作，相關(guān)的管理塊(根目錄、FAT，等等)也可承受更大數(shù)量的編程和擦除循環(huán)。例如，根據(jù)每次每張圖片單個(gè)的編程序列，可以在不同的情況下獲得超過40張圖片，以一次性完全填充U8MB的數(shù)據(jù)卡，比如相機(jī)數(shù)據(jù)卡。相關(guān)的物理到邏輯的映射操作通常貫穿這40個(gè)序列發(fā)生變化，但是，管理塊的相同映射可以重復(fù)其本身?？偫ǘ裕诂F(xiàn)有技術(shù)中，標(biāo)準(zhǔn)的數(shù)據(jù)儲(chǔ)存設(shè)備必須支持最小量的若干編程和擦除循環(huán)，以允許物理到邏輯地址之間的重復(fù)映射，即使當(dāng)數(shù)據(jù)儲(chǔ)存設(shè)備用于一次性編程(OTP)的應(yīng)用中也是如此。閃存晶片通常由最大指定數(shù)量的編程和擦除循環(huán)規(guī)定，所述編程和擦除循環(huán)在5和100，000個(gè)循環(huán)之間的范圍內(nèi)變化。注意，在數(shù)據(jù)閃存中，以頁(yè)面模式(0.5-4KB)執(zhí)行編程操作，同時(shí)在32-U8KB大小的擦除扇區(qū)(ES)中執(zhí)行擦除操作?？刂破魇褂肊S塊管理閃存中的數(shù)據(jù)。在典型的操作模式中，當(dāng)新的數(shù)據(jù)加載時(shí)，F(xiàn)AT和文件夾數(shù)據(jù)被修改，并在舊的那些FAT和文件夾數(shù)據(jù)被擦除之前被實(shí)際寫入存儲(chǔ)器區(qū)域中的另一位置?！芭f”的位置不一定被立即刪除(擦除)。典型的是，備用擦除扇區(qū)可用于由控制器執(zhí)行的管理操作。雖然OTP數(shù)據(jù)卡可以包括具有多重編程和擦除循環(huán)能力的數(shù)據(jù)閃存器，但僅以(OTP)能力進(jìn)行編程的其它技術(shù)也可用于形成OTP數(shù)據(jù)卡。OTP存儲(chǔ)器超過閃存器的優(yōu)勢(shì)是每比特的成本被顯著降低。這是可能的，因?yàn)槭褂肙TP技術(shù)的給定存儲(chǔ)密度的制造成本低于使用標(biāo)準(zhǔn)數(shù)據(jù)閃存技術(shù)兩倍。其中，可能將與本領(lǐng)域現(xiàn)階段水平相比顯著降低加工成本的每單元4比特的NROM技術(shù)、NAND類型、基于每單元2比特的多級(jí)單元(MLC)數(shù)據(jù)閃存或每單元1比特的單級(jí)單元(SLC)數(shù)據(jù)閃存的數(shù)據(jù)閃存器用作OTP技術(shù)。這種優(yōu)勢(shì)被進(jìn)一步強(qiáng)調(diào)為，當(dāng)考慮用于數(shù)據(jù)儲(chǔ)存設(shè)備的低密度存儲(chǔ)晶片(<2(ib)時(shí)，使用在90納米技術(shù)節(jié)點(diǎn)及以下的NAND數(shù)據(jù)閃存的最吸引人的方法是SLC。SLCNAND優(yōu)于上述情況下的MLCNAND，原因在于與外圍電路相關(guān)的設(shè)計(jì)復(fù)雜性更加簡(jiǎn)單并在晶片尺寸方面成本更合算?；贠TP存儲(chǔ)器的數(shù)據(jù)儲(chǔ)存卡可被用在單一內(nèi)容的加載序列(即整個(gè)卡容量或它的一部分只加載一次)中，或者可選地用在多個(gè)加載序列中，其中晶片的管理部分被大大擴(kuò)展以避免管理文件到相同的物理地址的重新映射。例如，典型的FAT區(qū)域需要在標(biāo)準(zhǔn)數(shù)據(jù)閃存中的256KB的存儲(chǔ)器大小，而在OTP存儲(chǔ)器中，它可能在每次每個(gè)數(shù)據(jù)傳輸序列消耗相同的存儲(chǔ)大小，即假設(shè)在不同的序列獲得40張照片消耗的存儲(chǔ)大小為10MB(40X256KB)。在具有U8MB存儲(chǔ)晶片容量的典型的數(shù)據(jù)儲(chǔ)存設(shè)備中，它消耗數(shù)據(jù)卡容量的10%。Barrett·入的IS為“Systemforupdatingdatastoredonaflash-erasable,programmable,read-onlymemory(FEPROM)baseduponpredeterminedbitvalueofindicatingpointers”的第5，392，427號(hào)美國(guó)專利公開了用于更新儲(chǔ)存在計(jì)算機(jī)儲(chǔ)存設(shè)備上的數(shù)據(jù)的方法和系統(tǒng)。該數(shù)據(jù)被包含在記錄或條目中。每個(gè)記錄或條目都有主要指針和指示符。該指示符最初使每個(gè)比特設(shè)置為預(yù)定的比特值。當(dāng)數(shù)據(jù)被更新(并且因此，包含該數(shù)據(jù)的記錄或條目將被取代)時(shí)，指示符的至少一個(gè)比特從預(yù)定的比特值變化到另一比特值，以指向新的記錄或條目，并指示在新的記錄或條目中的數(shù)據(jù)是被取代的記錄或條目中數(shù)據(jù)的更新。這種方法和系統(tǒng)特別適合于用在一次性寫入的計(jì)算機(jī)儲(chǔ)存設(shè)備中。Gordons的題為“Methodofwritinginanon-volatilememory,notablyinamemorycardemployingmemoryallocationstrategiesonsizeandoccupancybasis，，的第5，568，634號(hào)美國(guó)專利公開了用于非易失性存儲(chǔ)器的管理的系統(tǒng)，其中為避免在寫入的過程中信息的丟失，關(guān)鍵的寫入序列被鎖定。備份的信息單元在關(guān)鍵部分執(zhí)行之前被儲(chǔ)存。鎖定由分配表中指定被保存的備份信息的位置的比特來指定。鎖定在正常的寫序列的末尾被擦除。如果寫入操作在關(guān)鍵部分的過程中存在異常中斷，那么鎖定保持被鎖狀態(tài)。這在再次接通電源時(shí)被檢測(cè)，并且利用被保存的信息元素恢復(fù)寫入。鎖定和被保存的信息元素在存儲(chǔ)器的可變區(qū)域中，從而防止在大強(qiáng)度使用的情況下存儲(chǔ)器的疲勞。此外，存儲(chǔ)器的管理是原來的，因?yàn)閮蓚€(gè)不同的存儲(chǔ)器分配策略被用來使得能夠通過分配表檢測(cè)其位置未知的信息元素的存在。Holzhammer等人的題為“Diskemulationforanon-volatilesemiconductormemoryutilizingamappingtable”的第5，630，093號(hào)美國(guó)專利公開了在塊中擦除的非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)器。非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)器包括用于儲(chǔ)存第一數(shù)據(jù)的作用塊(activeblock)和用于儲(chǔ)存第二數(shù)據(jù)的儲(chǔ)備塊(reserveblock)。第二數(shù)據(jù)是第一數(shù)據(jù)的副本。在作用塊的擦除之前，在清除操作的過程中產(chǎn)生副本。非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)器還包括用于將分配單元的邏輯地址映射到非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)器內(nèi)扇區(qū)的物理地址的映射表。Krueger等人白勺題為"Methodandsystemforfilesystemmanagementusingaflash-erasable,programmable,read-onlymemory，，的第6,256,642號(hào)美國(guó)專禾丨J公開了用于塊可擦除的Flash-EPROM的存儲(chǔ)器管理的方法和系統(tǒng)。該系統(tǒng)包括FEPROM管理器和文件系統(tǒng)。FEPROM管理器管理FEPROM的存儲(chǔ)器分配和釋放。文件系統(tǒng)是分層目錄系統(tǒng)并使用FEPROM管理器分配和釋放存儲(chǔ)器。在優(yōu)選的實(shí)施方式中，本發(fā)明的FEPROM管理器規(guī)定在塊可擦除的FEPROM中的自由空間分配、已分配空間的釋放以及被釋放空間的重新分配。FEPROM的每塊包含塊分配結(jié)構(gòu)、數(shù)據(jù)區(qū)域和自由空間。塊分配結(jié)構(gòu)包含分配數(shù)組，其描述了數(shù)據(jù)區(qū)域的分配。Huang、Kan_Chuan的題為"Digitalstoragemediawithone-timeprogrammablereadonlymemory”的第20030204659號(hào)美國(guó)專利申請(qǐng)公開了一種數(shù)字儲(chǔ)存媒體，其連接到用于存儲(chǔ)從電子設(shè)備傳送的數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)的電子設(shè)備。數(shù)字儲(chǔ)存媒體包括用于控制在電子設(shè)備和數(shù)字儲(chǔ)存媒體之間接口的接口控制電路、用于儲(chǔ)存數(shù)字儲(chǔ)存媒體的程序代碼的第一存儲(chǔ)器、和用于存儲(chǔ)從電子設(shè)備傳送的數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)的第二存儲(chǔ)器。數(shù)字儲(chǔ)存媒體還包括在接口控制電路和用于儲(chǔ)存從接口控制電路傳送進(jìn)入第二存儲(chǔ)器的數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)的第二存儲(chǔ)器之間電連接的存儲(chǔ)器控制電路，以及用于控制數(shù)字儲(chǔ)存媒體的操作的處理器。為了儲(chǔ)存從電子設(shè)備傳送的數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)，第二存儲(chǔ)器具有金屬-絕緣體-半導(dǎo)體晶體管。Moore>ChristopherS.入的H為“Methodandapparatusforusingaone-timeorfew-timeprogrammablememorywithahostdevicedesignedforerasable/rewriteablememory”的第20070208908號(hào)美國(guó)專利申請(qǐng)公開了一種方法，該方法能用于使一次性或幾次性的可編程存儲(chǔ)器能夠與現(xiàn)有的消費(fèi)電子設(shè)備一起工作(如與可快速擦除的、非易失性存儲(chǔ)器一起工作的那些設(shè)備)，而無需固件升級(jí)，從而提供向后兼容性，同時(shí)最小化對(duì)用戶的影響。因此，這些實(shí)施方式是使一次性或幾次性的可編程存儲(chǔ)器與具有閃存卡插槽的現(xiàn)有消費(fèi)電子設(shè)備橋接的可行方式。這些實(shí)施方式也允許未來的消費(fèi)電子設(shè)備被設(shè)計(jì)而無需更新固件，以包括為一次性或幾次性的可編程存儲(chǔ)器定制的文件系統(tǒng)。Schulze等人的題為“Memorycardhavingone-timeprogrammablememory，，的第6，836，834號(hào)美國(guó)專利公開了具有一次性可編程存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)卡，所述一次性可編程存儲(chǔ)器儲(chǔ)存多個(gè)儲(chǔ)存分配表，并與主機(jī)設(shè)備兼容。存儲(chǔ)卡構(gòu)造和操作的細(xì)節(jié)可以在該專利中找到。NROM單元在包括第6，649，972號(hào)美國(guó)專利的許多項(xiàng)專利中有所描述，其中NROM技術(shù)采用具有密十字形的字線和比特線的虛擬接地陣列架構(gòu)。美國(guó)專利7，4059，69涉及標(biāo)準(zhǔn)的單級(jí)單元(SLC)氮化物只讀存儲(chǔ)器(NROM)和多(MLC)NR0M。Eitan、Boaz白勺||》“Non_vol￡itilememorycellandnon-volatilememorydevices"的專利公開了能夠儲(chǔ)存二比特信息的非易失性電可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器(EEPROM)，其具有非傳導(dǎo)性的電荷俘獲電介質(zhì)，比如氮化硅，其被公開夾在作為絕緣體的兩個(gè)二氧化硅層之間。該發(fā)明包括編程、讀取和擦除二比特EEPROM設(shè)備的方法。Lusky^AWIS^"AdvancedNROMstructureandmethodoffabrication"^第20060084219號(hào)美國(guó)專利申請(qǐng)公開了能夠制造雙存儲(chǔ)器NROM存儲(chǔ)晶片的方法。
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明涉及用于在以一次性編程(OTP)非易失性存儲(chǔ)器(NVM)為基礎(chǔ)的數(shù)據(jù)儲(chǔ)存設(shè)備中管理文件的裝置、系統(tǒng)和方法。本發(fā)明的一個(gè)方面涉及使得以O(shè)TP為基礎(chǔ)的數(shù)據(jù)儲(chǔ)存設(shè)備與標(biāo)準(zhǔn)主機(jī)應(yīng)用能夠有兼容性，而晶片尺寸損失與擴(kuò)展的管理區(qū)無關(guān)的結(jié)構(gòu)和方法。根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，存儲(chǔ)晶片以雙存儲(chǔ)器特征為特色，其包括兩個(gè)不同的區(qū)域數(shù)據(jù)區(qū)和代碼區(qū)，它們具有隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(RAM)能力·數(shù)據(jù)區(qū)的區(qū)域用于主機(jī)的數(shù)據(jù)儲(chǔ)存·代碼區(qū)的區(qū)域是用于管理目的；存儲(chǔ)并處理和管理有關(guān)的信息根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施方式，非易失性存儲(chǔ)晶片被提供包括代碼區(qū)和數(shù)據(jù)區(qū)，其中所述數(shù)據(jù)區(qū)的存儲(chǔ)容量大于所述代碼區(qū)的存儲(chǔ)容量，并且所述代碼區(qū)的存取比所述數(shù)據(jù)區(qū)的存取更精細(xì)，并且使用在相同晶片上的相同單元結(jié)構(gòu)形成所述代碼和數(shù)據(jù)區(qū)。上述特征以超過現(xiàn)有技術(shù)的顯著優(yōu)勢(shì)為特色，因?yàn)樗谔幚砉芾頂?shù)據(jù)時(shí)，通過節(jié)省出于數(shù)據(jù)管理目的所需的晶片區(qū)域能夠提高效率。在提出的發(fā)明中，由于代碼區(qū)的可用性，其中甚至單個(gè)的比特都能被訪問，而不是用于數(shù)據(jù)卡的標(biāo)準(zhǔn)OTP存儲(chǔ)器中的最小512-4K個(gè)字節(jié)，所消耗的管理區(qū)域可小至256KB。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的設(shè)備和方法可以使得OTP存儲(chǔ)器與標(biāo)準(zhǔn)閃存器能夠有兼容性，而沒有與現(xiàn)有技術(shù)OTP存儲(chǔ)器中的擴(kuò)展管理區(qū)相關(guān)的晶片尺寸損失。為了實(shí)現(xiàn)雙存儲(chǔ)器的概念，可以利用各種技術(shù)，例如NROM技術(shù)。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式，包括代碼和數(shù)據(jù)這兩個(gè)區(qū)的整個(gè)存儲(chǔ)器可使用相同技術(shù)和在相同晶片上的相同單元結(jié)構(gòu)來制造。NROM包括用作電荷俘獲區(qū)的氧化物-氮化物-氧化物(0N0)堆疊電介質(zhì)；由彼此互相垂直的埋入式比特線和字線組成的對(duì)稱陣列；以及溝道熱電子注入編程。根據(jù)本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式提供非易失性存儲(chǔ)晶片，其包括代碼區(qū)，其具有第一存儲(chǔ)容量和代碼區(qū)存取分辨率；以及數(shù)據(jù)區(qū)，其具有第二存儲(chǔ)容量和數(shù)據(jù)區(qū)存取分辨率；其中，所述第二存儲(chǔ)容量大于所述第一存儲(chǔ)容量，并且其中所述代碼區(qū)存取分辨率比所述數(shù)據(jù)區(qū)存取分辨率更精細(xì)，并且其中使用在晶片上的相同單元結(jié)構(gòu)形成代碼和數(shù)據(jù)區(qū)。此外并且根據(jù)本發(fā)明的另一優(yōu)選實(shí)施方式，代碼和數(shù)據(jù)區(qū)只能夠被編程一次。此外并且根據(jù)本發(fā)明的另一優(yōu)選實(shí)施方式，所述單元結(jié)構(gòu)是NROM結(jié)構(gòu)。此外并且根據(jù)本發(fā)明的另一優(yōu)選實(shí)施方式，所述NROM單元包括氧化物-氮化物-氧化物(0N0)堆疊電介質(zhì)，其用作電荷俘獲區(qū)；對(duì)稱陣列，其由彼此互相垂直的埋入式比特線和字線組成；以及溝道熱電子注入編程。此外并且根據(jù)本發(fā)明的另一優(yōu)選實(shí)施方式，所述代碼區(qū)中的NROM單元密度包括每單元1比特。此外并且根據(jù)本發(fā)明的另一優(yōu)選實(shí)施方式，所述代碼區(qū)中的NROM單元密度包括每單元2比特。此外并且根據(jù)本發(fā)明的另一優(yōu)選實(shí)施方式，所述數(shù)據(jù)區(qū)中的NROM單元密度包括每單元至少2比特。此外并且根據(jù)本發(fā)明的另一優(yōu)選實(shí)施方式，所述數(shù)據(jù)區(qū)中的NROM單元密度包括每單元至少4比特。此外并且根據(jù)本發(fā)明的另一優(yōu)選實(shí)施方式，可在所述代碼區(qū)中存取的一個(gè)命令的最小數(shù)據(jù)尺寸最多為64比特。此外并且根據(jù)本發(fā)明的另一優(yōu)選實(shí)施方式，可在所述代碼區(qū)中存取的一個(gè)命令的最小數(shù)據(jù)尺寸最多為16比特。此外并且根據(jù)本發(fā)明的另一優(yōu)選實(shí)施方式，可在所述代碼區(qū)中存取的一個(gè)命令的最小數(shù)據(jù)尺寸最多為8比特。此外并且根據(jù)本發(fā)明的另一優(yōu)選實(shí)施方式，可在所述代碼區(qū)中存取的一個(gè)命令的最小數(shù)據(jù)尺寸是1比特。此外并且根據(jù)本發(fā)明的另一優(yōu)選實(shí)施方式，可在所述數(shù)據(jù)區(qū)中存取的最小數(shù)據(jù)尺寸在一個(gè)命令中是至少512字節(jié)。此外并且根據(jù)本發(fā)明的另一優(yōu)選實(shí)施方式，所述第一存儲(chǔ)器的最小容量不超過所述第二存儲(chǔ)容量的1%。此外并且根據(jù)本發(fā)明的另一優(yōu)選實(shí)施方式，所述第一存儲(chǔ)容量不超過256K字節(jié)而所述第二存儲(chǔ)容量是至少64M字節(jié)(假定使用FAT16時(shí)塊大小是IK字節(jié))。此外并且根據(jù)本發(fā)明的另一優(yōu)選實(shí)施方式，所述第一存儲(chǔ)容量不超過256K字節(jié)而所述第二存儲(chǔ)容量不超過2G字節(jié)(假定使用FAT16時(shí)塊大小是3字節(jié))。此外并且根據(jù)本發(fā)明的另一優(yōu)選實(shí)施方式，所述代碼區(qū)能夠被編程和擦除而所述數(shù)據(jù)區(qū)只能夠被編程一次。此外并且根據(jù)本發(fā)明的另一優(yōu)選實(shí)施方式，所述晶片被并入數(shù)據(jù)儲(chǔ)存設(shè)備內(nèi)，所述數(shù)據(jù)儲(chǔ)存設(shè)備包括在主機(jī)和非易失性存儲(chǔ)晶片之間連接的控制器。此外并且根據(jù)本發(fā)明的另一優(yōu)選實(shí)施方式，在不同晶片上加工所述控制器和非易失性存儲(chǔ)晶片。另外并且根據(jù)本發(fā)明的另一優(yōu)選實(shí)施方式，在相同晶片上加工所述控制器和非易失性存儲(chǔ)晶片。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的設(shè)備和方法可以用于需要一次地、可能分階段地寫入數(shù)據(jù)的應(yīng)用中，以及可以用于其中存儲(chǔ)空間很少或從不需要通過在已經(jīng)被寫入的存儲(chǔ)空間上擦除并重新寫入新的數(shù)據(jù)來重新使用的應(yīng)用中。這些應(yīng)用可以是備份應(yīng)用，其中數(shù)據(jù)被記錄以反映情況的時(shí)間表。醫(yī)療數(shù)據(jù)記錄、法律資料、犯罪記錄和財(cái)務(wù)交易記錄是數(shù)據(jù)不應(yīng)刪除而只添加新記錄的情況的實(shí)例。對(duì)于足夠大的容量，諸如MP3播放器的音樂播放器可以使用本發(fā)明，并且用戶可以添加更多的音樂并且如果有的話，極少刪除舊的音樂。同樣，游戲和其他軟件可被購(gòu)買并安裝在根據(jù)本發(fā)明的設(shè)備上，或者可選地安裝在終端用戶的計(jì)算機(jī)上，或在插入用戶的計(jì)算機(jī)時(shí)保持移動(dòng)使用。在數(shù)碼相機(jī)和其他記錄設(shè)備中，本發(fā)明可以被用為捕捉“數(shù)字電影”和保留所記錄的圖像或數(shù)據(jù)，這與由于用戶錯(cuò)誤使用而可能會(huì)被刪除的當(dāng)前閃存器卡相反。除非另有界定，本文所使用的所有技術(shù)和科學(xué)術(shù)語(yǔ)具有與本發(fā)明所屬領(lǐng)域中的普通技術(shù)人員普遍所理解的相同的含義。雖然與本文所述的那些類似或等效的方法和材料能夠被用來實(shí)踐或測(cè)試本發(fā)明，但是下面描述合適的方法和材料。在抵觸的情況中，包括定義的專利說明書將控制。另外，材料、方法和實(shí)例僅是說明性的而無意于是限制性的。附圖簡(jiǎn)述參考附圖，本文僅通過舉例的方式描述本發(fā)明?，F(xiàn)具體參考詳細(xì)的附圖，要強(qiáng)調(diào)的是，所示的詳細(xì)說明是通過舉例的方式并僅是出于示意性討論本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式的目的并被呈現(xiàn)，其目的是為了提供什么被視為是最有用的以及容易理解本發(fā)明的原理和概念方面的描述。在這點(diǎn)上，除對(duì)本發(fā)明的基本理解有必要的外，并不試圖示出本發(fā)明更詳細(xì)的結(jié)構(gòu)細(xì)節(jié)，結(jié)合附圖的描述，對(duì)本領(lǐng)域的技術(shù)人員來說明顯的是如何將本發(fā)明的若干形式在實(shí)踐中實(shí)施。在附圖中圖1描繪本領(lǐng)域已知的、包括主機(jī)和數(shù)據(jù)儲(chǔ)存設(shè)備的系統(tǒng)。圖2示意性地描繪本領(lǐng)域已知的、主機(jī)的文件系統(tǒng)的相關(guān)元件。圖3示意性地描繪當(dāng)根據(jù)本領(lǐng)域中的方法的讀取操作開始時(shí)發(fā)生的事件的序列的實(shí)例。圖4示意性地描繪根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施方式的、包括管理存儲(chǔ)器和用戶數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器的雙功能閃存器。圖5示意性地描繪根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施方式的虛擬文件系統(tǒng)文件的結(jié)構(gòu)。圖6示意性地描繪根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施方式的、虛擬文件系統(tǒng)文件如FAT中條目的結(jié)構(gòu)。圖7示意性地描繪根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施方式的、響應(yīng)主機(jī)的請(qǐng)求對(duì)文件的反向查詢。優(yōu)選實(shí)施方式的描述本發(fā)明涉及用于在以一次性編程(OTP)非易失性存儲(chǔ)器(NVM)為基礎(chǔ)的數(shù)據(jù)儲(chǔ)存設(shè)備中管理文件的裝置、系統(tǒng)和方法。在詳細(xì)解釋本發(fā)明的至少一個(gè)實(shí)施方式之前，應(yīng)當(dāng)理解的是，在本發(fā)明的應(yīng)用中，本發(fā)明不限于在下面的描述中所陳述的或在附圖中所示出的構(gòu)造細(xì)節(jié)和部件布置。本發(fā)明能夠有其它的實(shí)施方式，或能夠按照各種方式實(shí)踐或執(zhí)行。此外，應(yīng)當(dāng)理解的是，本文所采用的措詞和術(shù)語(yǔ)是出于描述的目的，而不應(yīng)被視為是限制性的。在對(duì)本文下面所描述的不同附圖的討論中，相同的數(shù)字指代相同的部分。附圖通常是不按比例繪制的。為了清楚起見，從一些附圖中省略了非基本的元件。本發(fā)明的一個(gè)方面涉及的結(jié)構(gòu)和方法，其使以一次性編程(OTP)、非易失性存儲(chǔ)器(NVM)為基礎(chǔ)的數(shù)據(jù)儲(chǔ)存設(shè)備與標(biāo)準(zhǔn)主機(jī)應(yīng)用能夠有兼容性，而沒有出于管理目的消耗的晶片面積損失。與帶有擦除功能的數(shù)據(jù)閃存所組成的現(xiàn)有技術(shù)的設(shè)備相反，以O(shè)TPNVM為基礎(chǔ)的數(shù)據(jù)儲(chǔ)存設(shè)備能夠僅有編程操作，其中可按照單個(gè)或多重序列將數(shù)據(jù)傳輸?shù)綌?shù)據(jù)儲(chǔ)存設(shè)備，直到存儲(chǔ)容量填滿為止。對(duì)整個(gè)存儲(chǔ)器陣列或它的單個(gè)部分的擦除操作是不可能的。然而，通過將相同的邏輯地址重新映射到新的物理位置的邏輯擦除是可能的。根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，存儲(chǔ)晶片包括兩個(gè)不同的區(qū)域數(shù)據(jù)區(qū)和代碼區(qū)。圖4描繪根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施方式的、包括了連接到數(shù)據(jù)儲(chǔ)存設(shè)備820的主機(jī)110的系統(tǒng)800。數(shù)據(jù)儲(chǔ)存設(shè)備820在單個(gè)封裝中包括雙功能OTP存儲(chǔ)器830和控制器840。根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施方式，存儲(chǔ)晶片830包括兩個(gè)專用的不同區(qū)域用戶數(shù)據(jù)存儲(chǔ)部分860和管理代碼存儲(chǔ)部分850。優(yōu)選地，數(shù)據(jù)區(qū)860和代碼區(qū)850用相同的存儲(chǔ)單元技術(shù)制作。因此，可使用相同的傳感電路和驅(qū)動(dòng)電路以對(duì)數(shù)據(jù)區(qū)860和代碼區(qū)850這兩者進(jìn)行寫入和讀取。然而，可選地，數(shù)據(jù)區(qū)860和代碼區(qū)850使用不同的架構(gòu)和邏輯布置，以允許代碼區(qū)850中有與數(shù)據(jù)區(qū)860相比更小的塊。用戶數(shù)據(jù)存儲(chǔ)部分860是數(shù)據(jù)區(qū)，并被用于用戶數(shù)據(jù)儲(chǔ)存。在此部分中儲(chǔ)存諸如數(shù)據(jù)文件、音樂文件或圖片的信息。能夠利用NROM技術(shù)，以允許與數(shù)據(jù)區(qū)中0.5_4K字節(jié)的可存取性相比，代碼區(qū)中能夠有1比特或字節(jié)的可存取性的隨機(jī)存取能力。NROM技術(shù)結(jié)合虛擬接地陣列架構(gòu)，并允許用于代碼應(yīng)用的RAM(隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)能力，和用于數(shù)據(jù)應(yīng)用的近似每單元4比特的高密度。代碼區(qū)可以支持例如代碼區(qū)850中較短的字線，以便由于這些線的較低容量允許加快的讀取和寫入的時(shí)間。另外，用于指定代碼區(qū)850中單元的較短地址可允許加快的讀取和寫入的時(shí)間。另外或者可選地，可以不同地設(shè)置傳感參數(shù)和/或驅(qū)動(dòng)參數(shù)以優(yōu)化對(duì)代碼區(qū)850和數(shù)據(jù)區(qū)860的寫入和讀取?？蛇x地，對(duì)于不同的存儲(chǔ)區(qū)域，可使用不同的傳感電路和/或驅(qū)動(dòng)電路。諸如MBR、PBR、根目錄和FAT的管理信息被儲(chǔ)存在代碼區(qū)850中。根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施方式，優(yōu)選在具有32K-256K字節(jié)的存儲(chǔ)大小的晶片內(nèi)的專用迷你陣列中形成代碼區(qū)850，在所述晶片中，用戶數(shù)據(jù)部分860的容量可以是64M-2G字節(jié)或更多。根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施方式，代碼區(qū)850內(nèi)的最小更新塊是單字節(jié)或單比特，而數(shù)據(jù)區(qū)860內(nèi)的最小更新區(qū)域是512-8K字節(jié)的頁(yè)面大小。根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施方式，代碼區(qū)850和數(shù)據(jù)區(qū)860的單元結(jié)構(gòu)是相同的。根據(jù)本發(fā)明的此示例性實(shí)施方式，單元結(jié)構(gòu)優(yōu)選是NROM單元，其中·每單元一個(gè)比特或兩個(gè)比特可被儲(chǔ)存在代碼區(qū)850中，以提高在該代碼區(qū)中使用單級(jí)單元(SLC)方法的可靠性；而同時(shí)每單元四個(gè)比特可以被儲(chǔ)存在數(shù)據(jù)區(qū)860中，該數(shù)據(jù)區(qū)中使用多級(jí)單元(MLC)方法。根據(jù)本發(fā)明的另一示例性實(shí)施方式，可制作代碼區(qū)850以允許在代碼區(qū)850中進(jìn)行編程操作和擦除操作，而不需要標(biāo)準(zhǔn)擦除電路。在代碼區(qū)中，在編程操作過程中所產(chǎn)生的電壓可經(jīng)輕微修改以用來擦除數(shù)據(jù)內(nèi)容。雖然通過施加負(fù)電壓到字線(晶體管的柵極)和施加正電壓到比特線(晶體管的源極或漏極)來實(shí)現(xiàn)NROM單元中的最佳擦除操作，但是使字線接地并只施加正電壓到比特線導(dǎo)致對(duì)沿比特線的所有單元進(jìn)行擦除操作。這樣的擦除操作和最佳操作之間的主要差異是兩個(gè)方案中的脈沖長(zhǎng)度即分別為1毫秒比100微秒和1秒比100微秒。僅對(duì)于相對(duì)較小的管理區(qū)域可以接受這樣一種在擦除操作中的損失?；谏厦嫣岢龅慕Y(jié)構(gòu)，因此提出一種方法，其中調(diào)整控制器的固件以處理用戶數(shù)據(jù)和管理數(shù)據(jù)1)識(shí)別由主機(jī)的操作系統(tǒng)使用的格式化方法。2)識(shí)別和區(qū)分管理與數(shù)據(jù)文件。3)實(shí)現(xiàn)有效的管理方法通過采用新方法避免OTP存儲(chǔ)器中出于管理目的的晶片大小的過度消耗，其中在從主機(jī)到存儲(chǔ)晶片的每個(gè)數(shù)據(jù)傳輸序列中，只有管理文件中的變化被更新。在每次更新中，日志條目被寫入以提供關(guān)于最近更新的群集的信息(圖5)。這些日志條目的內(nèi)容是索引，其指示了在FAT條目上哪一個(gè)進(jìn)行了更新，并指示此條目的新內(nèi)容。換句話說，當(dāng)在數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)備的格式化操作(包括在此階段的幾乎空白的表格)的過程中創(chuàng)建的原FAT被修改時(shí)，此修改的細(xì)節(jié)被儲(chǔ)存為日志條目。通過生成相應(yīng)的按時(shí)間順序的日志條目類似地儲(chǔ)存隨后的修改。根據(jù)主機(jī)的請(qǐng)求，由在查找所請(qǐng)求的FAT條目時(shí)尋址日志條目的控制器虛擬地生成FAT。因此，F(xiàn)AT是虛擬實(shí)體，并且它由位于代碼區(qū)中的日志條目表示。圖6示意性地描繪根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施方式的、在諸如FAT的虛擬文件系統(tǒng)文件中的條目的結(jié)構(gòu)。根據(jù)此示例性實(shí)施方式，每個(gè)日志條目包括索引部分和校正部分，其對(duì)應(yīng)于被更新的FAT的條目索引和條目?jī)?nèi)容。在該非限制性的實(shí)例中，索引部分和校正部分中的每一個(gè)為16比特長(zhǎng)?？蛇x地，校正部分采用標(biāo)準(zhǔn)FAT代碼。例如，用于指定的代碼空塊、文件中下一塊的位置、文件結(jié)束(EOF)，等等。在現(xiàn)有技術(shù)中，當(dāng)讀取操作開始時(shí)，主機(jī)對(duì)其中所請(qǐng)求的文件的第一塊被指出的FAT條目進(jìn)行尋址。將(索引所指出的)第一塊的內(nèi)容提取到主機(jī)，同時(shí)使用該條目的內(nèi)容來分配下一塊。類似地，在所請(qǐng)求的文件中包含的其余的塊由對(duì)其它FAT條目依次指出。如上所述類似地將這些塊的內(nèi)容提取到主機(jī)。根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施方式，如圖7中表明的，隨著主機(jī)(110)請(qǐng)求FAT(其指示在所請(qǐng)求文件的某些塊的位置上)中的條目m，控制器840通過反向搜索尋找日志條目中此條目的最后更新，所述反向搜索開始于最后的日志條目η并朝著第一條目“1”搜索。當(dāng)?shù)谝淮斡龅桨饕齧的條目時(shí)，向主機(jī)提交此條目的內(nèi)容。將與所請(qǐng)求的文件相關(guān)聯(lián)的其余的塊通過與上面所述的相同序列提取到主機(jī)。根據(jù)本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式，由卡820的控制器840執(zhí)行對(duì)日志條目文件中的搜索?？刂破?40搜索日志條目文件850，并向主機(jī)傳送與主機(jī)110請(qǐng)求的文件有關(guān)的最后更新的條目。主機(jī)110接受最后更新的日志條目，猶如其來自于FAT，雖然這樣的FAT不存在于控制器存儲(chǔ)器中或存儲(chǔ)卡數(shù)據(jù)中。注意，如果代碼區(qū)有擦除功能，因而具有多重編程和擦除能力，那么上面所描述的方法可能不是必要的。通常情況下，存儲(chǔ)器陣列的擦除操作在OTP晶片中是不可能的。然而，在NROM技術(shù)中，將在編程操作的過程中使用的正偏壓施加到比特線(BL)，并保持字線(WL)接地，使得能夠?qū)崿F(xiàn)代碼區(qū)中的擦除功能。通過應(yīng)用這種方法，能夠?qū)Υa區(qū)中的存儲(chǔ)單元進(jìn)行編程和擦除。應(yīng)當(dāng)注意，如圖4所描繪的、具有在代碼區(qū)850中的擦除能力的雙存儲(chǔ)器830可被用于目前使用閃存的標(biāo)準(zhǔn)應(yīng)用中，而不需要出于管理目的的過大晶片面積，并且不依靠虛擬FAT辦法。對(duì)于用戶來說，存儲(chǔ)器可以表現(xiàn)為標(biāo)準(zhǔn)的閃存或磁盤設(shè)備。因此，可刪除和/或修改數(shù)據(jù)，然而，如果它的數(shù)據(jù)區(qū)860沒有刪除能力，那么一旦數(shù)據(jù)區(qū)860被寫滿，在邏輯上刪除數(shù)據(jù)就不會(huì)釋放存儲(chǔ)空間，并且不可寫入新的數(shù)據(jù)以及不可更改數(shù)據(jù)。應(yīng)理解，為清楚起見，在分離的實(shí)施方式的背景中所描述的本發(fā)明的某些特征，也可以在單個(gè)實(shí)施方式中結(jié)合提供。相反，為簡(jiǎn)便起見，在單個(gè)實(shí)施方式的背景中所描述的本發(fā)明的各種特征，也可被單獨(dú)地提供或以任何合適的子組合提供。雖然已結(jié)合本發(fā)明的具體實(shí)施方式描述了本發(fā)明，但是應(yīng)明白，對(duì)于本領(lǐng)域的技術(shù)人員來說，明顯有許多替代方案、修改和變化。因此，本文旨在包含落在所附的權(quán)利要求的精神和廣泛范圍之內(nèi)的所有這樣的替代方案、修改和變化。在本說明書中提及的所有出版物、專利和專利申請(qǐng)由此通過對(duì)其全部?jī)?nèi)容的引用并入到該說明書中，猶如在相同的程度上對(duì)每個(gè)單獨(dú)的出版物、專利或?qū)＠暾?qǐng)明確地且單獨(dú)地進(jìn)行指示以由此通過引用并入。另外，在該申請(qǐng)中的任何參考的引文或標(biāo)識(shí)不應(yīng)被解釋為承認(rèn)這種參考可作為關(guān)于本發(fā)明的現(xiàn)有技術(shù)。權(quán)利要求1.一種非易失性存儲(chǔ)晶片，包括代碼區(qū)，其具有第一存儲(chǔ)容量和代碼區(qū)存取分辨率；以及數(shù)據(jù)區(qū)，其具有第二存儲(chǔ)容量和數(shù)據(jù)區(qū)存取分辨率；其中，所述第二存儲(chǔ)容量大于所述第一存儲(chǔ)容量，并且其中所述代碼區(qū)存取分辨率比所述數(shù)據(jù)區(qū)存取分辨率更精細(xì)，并且其中所述代碼區(qū)和所述數(shù)據(jù)區(qū)使用所述晶片上的相同單元結(jié)構(gòu)形成。2.如權(quán)利要求1所述的非易失性存儲(chǔ)晶片，其中，所述代碼區(qū)和所述數(shù)據(jù)區(qū)能夠被編程一次。3.如權(quán)利要求1所述的非易失性存儲(chǔ)晶片，其中，所述單元結(jié)構(gòu)是NROM結(jié)構(gòu)。4.如權(quán)利要求3所述的非易失性存儲(chǔ)晶片，其中，所述NROM單元包括用作電荷俘獲區(qū)的氧化物-氮化物-氧化物(ONO)堆疊電介質(zhì)；由彼此互相垂直的埋入式比特線和字線組成的對(duì)稱陣列；以及溝道熱電子注入編程。5.如權(quán)利要求3所述的非易失性存儲(chǔ)晶片，其中，所述代碼區(qū)中的NROM單元密度包括每單元1比特。6.如權(quán)利要求3所述的非易失性存儲(chǔ)晶片，其中，所述代碼區(qū)中的NROM單元密度包括每單元2比特。7.如權(quán)利要求3所述的非易失性存儲(chǔ)晶片，其中，所述數(shù)據(jù)區(qū)中的NROM單元密度包括每單元至少2比特。8.如權(quán)利要求7所述的非易失性存儲(chǔ)晶片，其中，所述數(shù)據(jù)區(qū)中的NROM單元密度包括每單元至少4比特。9.如權(quán)利要求1所述的非易失性存儲(chǔ)晶片，其中，在所述代碼區(qū)中可存取的一個(gè)命令的最小數(shù)據(jù)尺寸最多為64比特。10.如權(quán)利要求9所述的非易失性存儲(chǔ)晶片，其中，在所述代碼區(qū)中可存取的一個(gè)命令的最小數(shù)據(jù)尺寸最多為16比特。11.如權(quán)利要求10所述的非易失性存儲(chǔ)晶片，其中，在所述代碼區(qū)中可存取的一個(gè)命令的最小數(shù)據(jù)尺寸最多為8比特。12.如權(quán)利要求11所述的非易失性存儲(chǔ)晶片，其中，在所述代碼區(qū)中可存取的一個(gè)命令的最小數(shù)據(jù)尺寸是1比特。13.如權(quán)利要求1所述的非易失性存儲(chǔ)晶片，其中，在所述數(shù)據(jù)區(qū)中可存取的最小數(shù)據(jù)尺寸在一個(gè)命令中是至少512字節(jié)。14.如權(quán)利要求1所述的非易失性存儲(chǔ)晶片，其中，所述第一存儲(chǔ)容量不超過所述第二存儲(chǔ)容量的1%。15.如權(quán)利要求1所述的非易失性存儲(chǔ)晶片，其中，所述第一存儲(chǔ)容量不超過256K字節(jié)而所述第二存儲(chǔ)容量是至少64M字節(jié)。16.如權(quán)利要求15所述的非易失性存儲(chǔ)晶片，其中，所述第一存儲(chǔ)容量不超過256K字節(jié)而所述第二存儲(chǔ)容量不超過2G字節(jié)。17.如權(quán)利要求1所述的非易失性存儲(chǔ)晶片，其中，所述代碼區(qū)能夠被編程和擦除而所述數(shù)據(jù)區(qū)只能夠被編程一次。18.如權(quán)利要求1所述的非易失性存儲(chǔ)晶片，其中，所述晶片被并入數(shù)據(jù)儲(chǔ)存設(shè)備內(nèi)，所述數(shù)據(jù)儲(chǔ)存設(shè)備包括在主機(jī)和所述非易失性存儲(chǔ)晶片之間連接的控制器。19.如權(quán)利要求18所述的非易失性存儲(chǔ)晶片，其中，所述控制器和所述非易失性存儲(chǔ)晶片在不同晶片上加工。20.如權(quán)利要求18所述的非易失性存儲(chǔ)晶片，其中，所述控制器和所述非易失性存儲(chǔ)晶片在相同晶片上加工。全文摘要公開了由新穎的OTP(一次性編程)NVM(非易失性存儲(chǔ)器)晶片組成的OTP數(shù)據(jù)儲(chǔ)存晶片和設(shè)備。OTP數(shù)據(jù)儲(chǔ)存設(shè)備能夠用在使用標(biāo)準(zhǔn)的接口協(xié)議和文件系統(tǒng)的典型主機(jī)應(yīng)用中。該新穎的OTP存儲(chǔ)器是具有RAM(隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)能力和類似NAND閃存的接口的雙存儲(chǔ)器。這些特征使得能夠?qū)崿F(xiàn)關(guān)于OTP數(shù)據(jù)儲(chǔ)存設(shè)備的有效管理能力和密集陣列。文檔編號(hào)G11C5/06GK102203865SQ200980143911公開日2011年9月28日申請(qǐng)日期2009年7月29日優(yōu)先權(quán)日2008年9月10日發(fā)明者伊萊·拉斯凱,約阿夫·約格夫申請(qǐng)人:茵芬尼特麥默里有限公司