專利名稱：硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器懸架走線電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明總體涉及硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器設(shè)計(jì)工程和處理優(yōu)化，更具體
地涉及用于石更盤(pán)驅(qū)動(dòng)器滑塊懸架(Hard Disk Drive slidergimbals) 的銅殘余應(yīng)力松弛(residual stress relaxation)
的減小。
背景技術(shù)：
硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器(Hard Disk Drives, HDD)通常被用作各種計(jì)算機(jī)和消費(fèi)電子應(yīng)用中的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)單元。 一般地，HDD通過(guò)
在多個(gè)堆疊的旋轉(zhuǎn)磁盤(pán)上讀寫(xiě)數(shù)字化信息來(lái)操作。該讀寫(xiě)通過(guò)嵌入在"滑塊"(slider)上的磁換能器"頭"來(lái)完成，該滑塊典型地由鋁鈦碳(ALTIC)制成，并被安裝在"懸掛機(jī)構(gòu)"(suspension )上。
讀/寫(xiě)磁頭組件典型地結(jié)合通過(guò)空氣軸承滑塊來(lái)飛行的電磁換能器。該滑塊與沿著旋轉(zhuǎn)磁盤(pán)拖動(dòng)的空氣薄層以協(xié)同流體動(dòng)力的關(guān)系動(dòng)作，從而與磁盤(pán)面保持極小間隔關(guān)系地飛行磁頭組件。為了維持萬(wàn)茲頭組件和/磁盤(pán)之間的合理飛4亍關(guān)系，^茲頭組件被安裝至磁頭懸掛機(jī)構(gòu)并被磁頭懸掛機(jī)構(gòu)支撐。滑塊和懸掛機(jī)構(gòu)的整體結(jié)構(gòu)通常被稱為磁頭懸架組件(head gimbalassembly, HGA)。在典型的設(shè)計(jì)中，懸架可能包括不銹鋼懸架支架(strut),該不銹鋼懸架支架安裝有柔性懸架電路板，柔性懸架電路板由聚酰亞胺層和銅層構(gòu)成，用于將電信號(hào)載運(yùn)至電磁換能器并從電磁換能器載運(yùn)電信號(hào)。
在典型的HDD中，電磁換能器在磁盤(pán)驅(qū)動(dòng)器表面上方的恒定飛行高度對(duì)于H D D的數(shù)據(jù)讀和寫(xiě)操作的長(zhǎng)期可靠性非常重要。另一方面，HDD的懸架電路板的銅層中的殘余應(yīng)力可能引起懸架的俯仰靜態(tài)姿勢(shì)(pitch static attitude )的長(zhǎng)期偏移，不利地影響電磁換能器在磁盤(pán)表面上方的飛行高度。這反過(guò)來(lái)不利地影響由HDD所執(zhí)行的讀/寫(xiě)操作的可靠性。
因此，需要用于減小HDD懸架電路板中的殘余應(yīng)力或殘余塑性應(yīng)變的大小的新方法。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明構(gòu)思涉及一種基本克服關(guān)于傳統(tǒng)技術(shù)中懸架的俯仰姿勢(shì)隨著時(shí)間、溫度和處理工藝(包括超聲波清潔)的不穩(wěn)定性的上面和其他問(wèn)題中的 一個(gè)或多個(gè)問(wèn)題的方法和系統(tǒng)。
本發(fā)明的一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例可以提供用于減小HDD懸架電路中殘余應(yīng)力或者更具體為殘余塑性應(yīng)變的大小的裝置。
根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一個(gè)方面，提供了一種硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器(HDD)懸架走線電路，其減小了殘余應(yīng)力或殘余塑性應(yīng)變的大小。本發(fā)明的走線電路包括多個(gè)走線，該多個(gè)走線形成走線結(jié)構(gòu)；以及支架，其被構(gòu)造成支撐換能器。在發(fā)明的電路中，走線結(jié)構(gòu)在高應(yīng)變區(qū)附近具有從下面群中選取的特征形狀，該群由外繞圏形狀、雙外繞圈形狀、波動(dòng)且變窄形狀、向外凸出(jog)、帶有槽口的局部向外凸出、雙凸出和內(nèi)走線交迭構(gòu)成。根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的另一方面，提供了一種硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器(HDD)懸架走線電路，其特征在于，減小了殘余應(yīng)力或殘余塑性應(yīng)變的大小。本發(fā)明的走線電路包括多個(gè)走線，所述多個(gè)走線形成走線結(jié)構(gòu)；以及支架，其被構(gòu)造成支撐換能器。在本發(fā)明的電路中，所述走線結(jié)構(gòu)中的走線在高應(yīng)變區(qū)附近變窄或者加寬。
根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的另一個(gè)方面，提供了一種硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器(HDD)懸架走線電路，其減小了殘余應(yīng)力或殘余塑性應(yīng)變的大小。本發(fā)明的走線電路包括多個(gè)走線，所述多個(gè)走線形成 走線結(jié)構(gòu)；支架，其被構(gòu)造成支撐換能器；以及至少一個(gè)應(yīng)力 抑制器。在本發(fā)明的電路中，所述至少一個(gè)應(yīng)力抑制件為所述 支架的突出部(protrusion)或者為島結(jié)構(gòu)，所述應(yīng)力抑制件在 高應(yīng)變區(qū)附近被設(shè)置在所述多個(gè)走線的下方。
關(guān)于本發(fā)明的其它方面將部分地在下面緊接著的說(shuō)明書(shū)中 陳述，部分地從說(shuō)明中變得顯而易見(jiàn)，或者可以通過(guò)本發(fā)明的 實(shí)施來(lái)獲悉。本發(fā)明的方面可以通過(guò)在下面的詳細(xì)i兌明和隨附 的權(quán)利要求中所特別指出的元素以及各個(gè)元素和方面的組合來(lái) 實(shí)現(xiàn)和獲得。
應(yīng)該理解的是，前述和下面的說(shuō)明均僅僅是示例性和解釋 性的，且無(wú)論如何不是想要以任何方式對(duì)所要求保護(hù)的發(fā)明或 其應(yīng)用進(jìn)行限制。


結(jié)合在本發(fā)明的說(shuō)明書(shū)中并構(gòu)成說(shuō)明書(shū)的一部分的附圖示 例性說(shuō)明了本發(fā)明的實(shí)施例，并與說(shuō)明書(shū)一起用于解釋和說(shuō)明 發(fā)明技術(shù)的原理。具體而言
圖l示出了從驅(qū)動(dòng)器臂的上方觀察的磁盤(pán)驅(qū)動(dòng)器懸掛機(jī)構(gòu) 的示例性部件。
圖2示出了從磁盤(pán)驅(qū)動(dòng)器的表面觀察的磁盤(pán)驅(qū)動(dòng)器懸掛機(jī) 構(gòu)的部件。
圖3示出了撓曲件舌、銅走線電路和SST支架的局部半對(duì)稱
模型，SST支架提供了懸架剛度的主要部分。
圖4示出了與圖3相同的結(jié)構(gòu)，除了隱去了覆蓋層之外。 圖5示出了制造懸掛機(jī)構(gòu)組件所需的相關(guān)處理步驟，其中
的至少一個(gè)步驟可以引起銅走線塑性變形。圖6示出外引走線電路和SST支架的典型傳統(tǒng)構(gòu)造、將走線 的路徑向外繞圏從而減小殘余塑性應(yīng)變分量的本發(fā)明的實(shí)施 例、將走線變窄從而減小殘余塑性應(yīng)變分量的實(shí)施例以及將 SST支撐構(gòu)件戰(zhàn)略性地置于走線下方從而減小殘余塑性應(yīng)變分 量的本發(fā)明的實(shí)施例。
圖7示出了外引走線電路和SST支架的典型傳統(tǒng)構(gòu)造、將走 線的路徑向外繞圈兩次從而減小殘余塑性應(yīng)變分量的本發(fā)明的 實(shí)施例、使走線變窄且具有波形從而減小殘余塑性應(yīng)變分量的 本發(fā)明的實(shí)施例以及將兩個(gè)S S T支撐構(gòu)件戰(zhàn)略性地置于走線下 方從而減小殘余塑性應(yīng)變分量的本發(fā)明的實(shí)施例。
圖8示出了外引走線電路和SST支架的典型傳統(tǒng)構(gòu)造，以及 將五個(gè)SST支撐構(gòu)件戰(zhàn)略性地置于走線下方從而減小殘余塑性 應(yīng)變分量的本發(fā)明的實(shí)施例。
圖9示出了具有SST支架的各種外引走線電路。
圖10示出了對(duì)于塑性應(yīng)變與施加的SST支架形成力矩的各 種FEM結(jié)果。
圖ll示出了成形后的殘余塑性應(yīng)變的各種FEM結(jié)果。 圖12示出了與傳統(tǒng)技術(shù)相比本發(fā)明關(guān)于SST支撐支架構(gòu)件 及其位置的各種實(shí)施例。
具體實(shí)施例方式
在下面的詳細(xì)說(shuō)明中，將參考附圖，其中相同的功能元件 表示為相同的名稱。上述附圖僅通過(guò)示例的方式示出，并非通 過(guò)限制的方式示出，具體的實(shí)施例和實(shí)現(xiàn)形式與本發(fā)明的精神 一致。充分詳細(xì)地說(shuō)明這些實(shí)現(xiàn)形式，以Y吏本領(lǐng)域的普通技術(shù) 人員能夠?qū)嵤┍景l(fā)明，并且應(yīng)該理解的是，可以利用其他的實(shí) 現(xiàn)形式，并且可以對(duì)各個(gè)元件進(jìn)行結(jié)構(gòu)改變和/或替換，而不背離本發(fā)明的范圍和精神。因此，下面的詳細(xì)說(shuō)明不能以限制的 意義進(jìn)行解釋。
本發(fā)明的一個(gè)方面的目的是克服HDD懸架的俯仰姿態(tài)隨 著時(shí)間、溫度和處理的不穩(wěn)定性。上述HDD懸架的俯仰姿態(tài)的 不穩(wěn)定性導(dǎo)致電磁換能器在磁盤(pán)的表面上方的飛行高度的不穩(wěn) 定性，因此，降低了由HDD所執(zhí)行的讀/寫(xiě)操作的可靠性。因 此，實(shí)現(xiàn)上述懸架俯仰姿態(tài)的穩(wěn)定性是提高HDD的性能可靠性 的關(guān)鍵。
根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的 一個(gè)實(shí)施例，開(kāi)發(fā)了 一種應(yīng)力松弛的仿 真方法，使用該仿真方法來(lái)揭露懸架電路板結(jié)構(gòu)中的塑性應(yīng)變 的具體位置。接著，想出幾種方法通過(guò)局部的幾何設(shè)計(jì)來(lái)繞過(guò) 塑性應(yīng)變，開(kāi)放了包括對(duì)形成懸架的聚酰亞胺、銅和不銹鋼層 中的任何一個(gè)或全部進(jìn)行改變的設(shè)計(jì)空間。第三，運(yùn)用上述仿 真工具，以發(fā)現(xiàn)哪種懸架設(shè)計(jì)方案對(duì)于克服殘余應(yīng)力問(wèn)題最有 效。這產(chǎn)生了對(duì)于克服殘余應(yīng)力情況最有效的懸架設(shè)計(jì)。下面 參考改進(jìn)的懸架配置的具體示例性實(shí)施例及示出的附圖，對(duì)結(jié) 果進(jìn)行說(shuō)明。
4吏用本發(fā)明的一個(gè)或多個(gè)方面，可以減輕殘余應(yīng)力問(wèn)題的 后果，并且能夠?qū)崿F(xiàn)滑塊和讀/寫(xiě)換能器的更恒定和穩(wěn)定的飛行 高度。另外，由于懸架的俯仰靜姿態(tài)是一個(gè)頻繁測(cè)量(檢查) 的參數(shù)，因此，由于懸架組件的固有穩(wěn)定性的改進(jìn)可以提高 HDD的制造產(chǎn)量。
圖l示出了從驅(qū)動(dòng)器臂的上方觀察的硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器懸桂機(jī)構(gòu) 的示例性部件。換能器(未示出)面朝下方，且在該視圖中被 隱去。懸掛機(jī)構(gòu)的典型結(jié)構(gòu)包括四個(gè)部件基板101、鉸鏈102、 負(fù)載梁103和走線(trace) /懸架(或撓曲件電路)104。 一些 設(shè)計(jì)涉及三個(gè)組件結(jié)構(gòu)，如所示出的，將鉸鏈和負(fù)載梁組合為一個(gè)部件。這種結(jié)構(gòu)還可以包括具有向下的圓頂凸起105的負(fù) 載梁微凹部(dimple)和提升臺(tái)(lift tab) 106。
圖2示出了從磁盤(pán)的表面觀察的硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器懸掛機(jī)構(gòu)的部 件。滑塊201在空氣軸承面(Air Bearing Surface, ABS )的 后緣202容納讀/寫(xiě)換能器。撓曲件焊接部203將電路板連接至 負(fù)載梁103。虛線204和懸架支架205 (優(yōu)選由不銹鋼制作)標(biāo) 記了本發(fā)明的各個(gè)實(shí)施例的重點(diǎn)區(qū)域。
圖3示出了撓曲件舌301、具有支撐用聚酰亞胺支架304和 SST支架305的銅走線電路的局部半對(duì)稱模型，該SST支架305 為懸架的整體剛度提供了主要貢獻(xiàn)。將暴露的銅焊墊和走線 303焊接連接到滑塊/磁頭(未示出)。在銅走線之上存在聚酰亞 胺覆蓋層302,用于保護(hù)的目的。
圖4示出了與圖3中相同的結(jié)構(gòu)，除了隱去了覆蓋層之外。 還示出了成形夾401 ( forming jigs ),該成形夾用于機(jī)械調(diào)節(jié) 處理的仿真，并且由于有限的微凹部高度，該成形夾是必需的。 懸架撓曲件舌以成角度的方式與負(fù)載梁間隔開(kāi)，間隔量等于微 凹部高度，典型為50至70微米。這限定了滑塊所結(jié)合到的撓曲 件舌的自然俯仰角。成形夾401中的一個(gè)是固定的，而另一個(gè) 可旋轉(zhuǎn)，從而永久地彎折圖3中的SST支架305。
圖5示出了對(duì)于懸掛機(jī)構(gòu)組件所需的相關(guān)處理步驟，該步 驟引起銅走線的塑性變形。首先，將扁平撓曲件放置在負(fù)載梁 上(501 )。在該步驟期間，撓曲件舌將經(jīng)歷自然俯仰角。然后， 將撓曲件點(diǎn)焊接至負(fù)載梁(502 )。然后，機(jī)械地粗調(diào)節(jié)SST支 架，以抵消自然俯仰角(503 ),并且銅將會(huì)呈現(xiàn)某種永久塑性 行為。激光微調(diào)節(jié)SST支架，從而設(shè)置最終最佳俯仰角/橫擺角 (504),其中殘余銅應(yīng)力/應(yīng)變大量存在(prevail)。從該步驟 起，俯仰/橫擺靜態(tài)姿勢(shì)(PSA/RSA)必須相對(duì)于處理、溫度和時(shí)間穩(wěn)定。然后，對(duì)撓曲件進(jìn)行超聲波清洗(505)。
懸架極其局部的塑性應(yīng)變行為是由SST支架的機(jī)械成形引 起。用于研究該行為的仿真細(xì)節(jié)超出本說(shuō)明書(shū)的范圍。機(jī)械懸 架成形處理的有限元建模(Finite Element Model, FEM )消 除自然俯仰角。目的是使俯仰角松弛對(duì)于局部區(qū)域的幾何形態(tài) 較不敏感。
減小CU對(duì)于PSA穩(wěn)定性的貢獻(xiàn)的基本思想通過(guò)下面的處 理概述出來(lái)。首先，通過(guò)仿真獲悉銅塑性變形的部位。然后， 根據(jù)情況，將走線局部地變寬或變窄。接著，走線可能需要改 變路線為外繞環(huán)或者為其他形狀，從而減小銅中的塑性行為。
當(dāng)檢查時(shí)，塑性應(yīng)變分量是非彈性的，并且引起對(duì)相對(duì)于 處理、超聲波清潔、溫度和時(shí)間的不期望的俯仰角松弛有貢獻(xiàn) 的有限殘余應(yīng)變分量。
圖6示出了外引(outrigger)走線電路和SST支架的典型 傳統(tǒng)構(gòu)造601;將走線605的路線向外繞圈(606)從而減小銅 殘余塑性應(yīng)變分量的本發(fā)明的實(shí)施例602;將走線605變窄 (607 )從而減小銅殘余塑性應(yīng)變分量的實(shí)施例603;以及將 SST支撐構(gòu)件戰(zhàn)略性地置于走線605下方(608)從而減小殘余 塑性應(yīng)變分量的本發(fā)明的實(shí)施例604。這些構(gòu)造示出為示例， 但是不應(yīng)該限制可能包含在本發(fā)明的精神之內(nèi)的可采用的材料 或形狀的范圍?？梢詥为?dú)或在多種組合中相互結(jié)合的方式實(shí)施 這些結(jié)構(gòu)。
圖7示出了外引走線電路和SST支架的典型傳統(tǒng)構(gòu)造701; 將走線的路徑向外繞圏兩次從而減小殘余塑性應(yīng)變分量的本發(fā) 明的實(shí)施例702;將走線705變窄且具有波形(707 )從而減小 銅殘余塑性應(yīng)變分量的本發(fā)明的實(shí)施例703;以及將兩個(gè)SST 支撐構(gòu)件708戰(zhàn)略性地置于走線705下方從而減小銅殘余塑性應(yīng)變分量的本發(fā)明的實(shí)施例704。
圖8示出了外引走線電路和SST支架800的典型傳統(tǒng)構(gòu)造， 并且還示出了將五個(gè)SST支撐構(gòu)件戰(zhàn)略性地置于走線下方從而 減小殘余塑性應(yīng)變分量的本發(fā)明的實(shí)施例801 。該SST支撐構(gòu) 件包括不銹鋼。將任何數(shù)量的SST島置于銅高應(yīng)變區(qū)的下方， 例如4、 5、 6個(gè)或更多SST島，將與本發(fā)明的各個(gè)實(shí)施例的構(gòu) 思和精神一致。
圖9示出了具有SST支架的各種外引走線電路配置。配置 901示出了外引走線電路和SST支架的典型傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)。配置902 示出了外引走線電路和SST支架的典型傳統(tǒng)構(gòu)造，但是以更簡(jiǎn) 化視圖的形式示出。配置903示出了具有覆蓋層開(kāi)口窗908從而 減小殘余塑性應(yīng)變分量的本發(fā)明的實(shí)施例。配置904示出了走 線的路徑為向外的凸出909形式從而減小銅殘余塑性應(yīng)變分量 的本發(fā)明的實(shí)施例。配置905示出了一些走線的路徑為向外的 凸出910形式從而減小銅殘余塑性應(yīng)變分量的本發(fā)明的實(shí)施 例。聚酰亞胺層窗口 911起到將這些走線與內(nèi)走線分開(kāi)的作用。 配置906示出了將走線變窄(912)從而減小銅殘余塑性應(yīng)變分 量的本發(fā)明的實(shí)施例。如示出的，還可以將SST支架913變寬 并逐漸變細(xì)到更窄的尺寸。配置907示出了一些走線的路徑為 向外的凸出形式、但是內(nèi)走線的路徑向內(nèi)(914)走到SST支 架上，即內(nèi)走線交迭結(jié)構(gòu)，從而減小銅殘余塑性應(yīng)變分量的本 發(fā)明的實(shí)施例。聚酰亞胺層窗口 915起到將這些走線與內(nèi)走線 分開(kāi)的作用。
圖IO示出了對(duì)于塑性應(yīng)變與施加的SST支架成形力矩的各 種FEM結(jié)果。右手y軸示出了在4步驟時(shí)間順序中施加力矩的大 小。圖4的成形夾401是該力矩加載的接受者，繪出三角形的實(shí) 線1001示出為該力矩是從零直升(ramp)至一定值，然后回到零。左手y軸1002表示圖3中的銅走線303中的最大塑性應(yīng)變 分量，從而對(duì)于任何設(shè)計(jì)圖中的值為當(dāng)力矩載荷釋放或者變?yōu)?零或者加載步驟弁4之后時(shí)的殘余塑性應(yīng)變。提供了兩個(gè)示例。
圖ll概括了成形之后對(duì)于銅殘余塑性應(yīng)變的各FEM結(jié)果。 y軸1101與圖IO中所述的相同。
圖12示出了關(guān)于SST支撐構(gòu)件及其位置的本發(fā)明的各種實(shí) 施例。配置1201示出了將一 個(gè)圓形SST支撐構(gòu)件1205戰(zhàn)略性地 置于走線高應(yīng)變區(qū)的下方從而減小殘余塑性應(yīng)變分量的本發(fā)明 的一個(gè)實(shí)施例。配置1202示出了將一個(gè)矩形SST支撐構(gòu)件1206 戰(zhàn)略性地置于高應(yīng)變區(qū)的銅走線的下方/人而減小殘余塑性應(yīng)變 分量的本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例。配置1203示出了將一個(gè)矩形SST 支撐構(gòu)件12 0 7戰(zhàn)略性地置于走線高應(yīng)變區(qū)的下方從而減小殘 余塑性應(yīng)變分量的本發(fā)明的 一 個(gè)實(shí)施例。該矩形島不像12 0 2中 作為孤立島，而是連接至內(nèi)部SST支架。配置1204示出了將兩 個(gè)矩形SST支撐構(gòu)件1208戰(zhàn)略性地放置成跨置于走線高應(yīng)變 區(qū)從而減小殘余塑性應(yīng)變分量的本發(fā)明的 一個(gè)實(shí)施例。這些矩 形島不是孤立的，而是連接至內(nèi)部SST支架。該配置的一種顯 而易見(jiàn)的變型是將一個(gè)島連接至支架，而另一個(gè)不連接，反之 亦然。
本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)該理解的是，在考慮這里公開(kāi)的 本發(fā)明的說(shuō)明書(shū)和實(shí)施之后，本發(fā)明的其它實(shí)現(xiàn)形式將變得清 楚。所述的實(shí)施例的各個(gè)方面和/或部件可以單獨(dú)或以任意組合 的方式使用在用于減少懸架走線電路中的殘余應(yīng)力的結(jié)構(gòu)中。 本意在于說(shuō)明書(shū)和示例僅應(yīng)該認(rèn)為是示例性的，本發(fā)明的真正 范圍和精神由隨附的權(quán)利要求及其等同來(lái)指示。
相關(guān)申"i奮的交叉參者
本申請(qǐng)要求2008年8月22日提交的美國(guó)臨時(shí)專利申請(qǐng)?zhí)?1/091，323的優(yōu)先權(quán)，為了所有的目的，其全部?jī)?nèi)容通過(guò)引用 的方式包含于此，如同全部在這里陳述一樣。
權(quán)利要求
1.一種硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器懸架走線電路，其特征在于，減小了殘余應(yīng)力或殘余塑性應(yīng)變的大小，所述走線電路包括多個(gè)走線，所述多個(gè)走線形成走線結(jié)構(gòu)；以及支架，其被構(gòu)造成支撐換能器，其中，所述走線結(jié)構(gòu)在高應(yīng)變區(qū)附近具有從下面群中選取的特征形狀，該群由外繞圈形狀、雙外繞圈形狀、波動(dòng)且變窄形狀、向外凸出、帶有槽口的局部向外凸出、雙凸出和內(nèi)走線交迭構(gòu)成。
2. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器懸架走線電路，其特 征在于，還包括至少一個(gè)應(yīng)力抑制件，所述至少一個(gè)應(yīng)力抑制 件包括在所述高應(yīng)變區(qū)附近設(shè)置在所述多個(gè)走線的下方的至少 一個(gè)島結(jié)構(gòu)，所述至少一個(gè)應(yīng)力抑制件包括不銹鋼。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器懸架走線電路，其特 征在于，所述至少一個(gè)應(yīng)力抑制件具有圓形形狀。
4. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器懸架走線電路，其特 征在于，所述至少一個(gè)應(yīng)力抑制件具有矩形形狀。
5. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器懸架走線電路，其特 征在于，所述應(yīng)力抑制件包括至少兩個(gè)島結(jié)構(gòu)。
6. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器懸架走線電路，其特 征在于，所述應(yīng)力抑制件包括至少五個(gè)島結(jié)構(gòu)。
7. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器懸架走線電路，其特 征在于，還包括覆蓋層窗口。
8. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器懸架走線電路，其特 征在于，還包括至少一個(gè)應(yīng)力抑制件，所述至少一個(gè)應(yīng)力抑制 件包括所述支架的在所述高應(yīng)變區(qū)附近設(shè)置在所述多個(gè)走線下 方的至少一個(gè)突出部。
9. 一種硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器懸架走線電路，其特征在于，減小了殘余應(yīng)力或殘余塑性應(yīng)變的大小，所述走線電^各包括 多個(gè)走線，所述多個(gè)走線形成走線結(jié)構(gòu)；以及 支架，其被構(gòu)造成支撐換能器，其中，所述走線結(jié)構(gòu)中的走線在高應(yīng)變區(qū)附近變窄或者加寬。
10. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器懸架走線電路，其特 征在于，所述走線結(jié)構(gòu)在所述高應(yīng)變區(qū)附近具有從下面群中選 取的特征形狀，該群由外繞圈形狀、雙外繞圈形狀、波動(dòng)且變 窄形狀、向外凸出、帶有槽口的局部向外凸出、雙凸出和內(nèi)走 線交迭構(gòu)成。
11. 一種硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器懸架走線電路，其特征在于，減小了 殘余應(yīng)力或殘余塑性應(yīng)變的大小，所述走線電路包括多個(gè)走線，所述多個(gè)走線形成走線結(jié)構(gòu)；支架，其被構(gòu)造成支撐換能器；以及至少一個(gè)應(yīng)力抑制件，其中，所述至少一個(gè)應(yīng)力抑制件為 所述支架的突出部或者為島結(jié)構(gòu)，所述應(yīng)力抑制件在高應(yīng)變區(qū) 附近被設(shè)置在所述多個(gè)走線的下方。
12. 根據(jù)權(quán)利要求ll所述的硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器懸架走線電路，其 特征在于，還包括第二應(yīng)力抑制件，其中，所述第二應(yīng)力抑制 件為所述支架的突出部，并且所述第二應(yīng)力抑制件被布置在所 述多個(gè)走線的下方。
13. 根據(jù)權(quán)利要求ll所述的硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器懸架走線電路，其 特征在于，所述至少 一 個(gè)壓力抑制件為具有圓形形狀的島結(jié)構(gòu)。
14. 根據(jù)權(quán)利要求ll所述的硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器懸架走線電路，其 特征在于，所述至少 一個(gè)壓力抑制件為具有矩形形狀的島結(jié)構(gòu)。
15. 根據(jù)權(quán)利要求ll所述的硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器懸架走線電路，其 特征在于，如果所述應(yīng)力抑制件為設(shè)置在所述多個(gè)走線下方的島結(jié)構(gòu)，則所述應(yīng)力抑制件還包括至少 一個(gè)第二島結(jié)構(gòu)。
16. 根據(jù)權(quán)利要求ll所述的硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器懸架走線電路，其 特征在于，如果所述應(yīng)力抑制件為設(shè)置在所述多個(gè)走線下方的 島結(jié)構(gòu)，則所述應(yīng)力抑制件還包括至少四個(gè)另外的島結(jié)構(gòu)。
17. 根據(jù)權(quán)利要求ll所述的硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器懸架走線電路，其 特征在于，還包括覆蓋層窗口。
18. 根據(jù)權(quán)利要求ll所述的硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器懸架走線電路，其 特征在于，所述走線結(jié)構(gòu)在所述高應(yīng)變區(qū)附近具有從下面群中 選取的特征形狀，該群由外繞圈形狀、雙外繞圈形狀、波動(dòng)且 變窄形狀、向外凸出、帶有槽口的局部向外凸出、雙凸出和內(nèi) 走線交迭構(gòu)成。
19. 根據(jù)權(quán)利要求ll所述的硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器懸架走線電路，其 特征在于，所述走線結(jié)構(gòu)中的走線在高應(yīng)變區(qū)附近變窄或者加寬。
20. 根據(jù)權(quán)利要求ll所述的硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器懸架走線電路，其 特征在于，所述至少 一個(gè)應(yīng)力抑制件是包括不銹鋼的島結(jié)構(gòu)。
全文摘要
一種硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器懸架走線電路。本發(fā)明公開(kāi)了用于減少HDD懸架電路中的殘余應(yīng)力或更具體為殘余塑性應(yīng)變的大小的各種技術(shù)。使用懸架電路的各種走線結(jié)構(gòu)以及應(yīng)力抑制件來(lái)實(shí)現(xiàn)電路中的殘余應(yīng)力的減小。
文檔編號(hào)G11B5/48GK101656082SQ20091016238
公開(kāi)日2010年2月24日 申請(qǐng)日期2009年8月13日 優(yōu)先權(quán)日2008年8月22日
發(fā)明者亞歷克斯·安立奎·卡亞班, 杰森·阿奎德·戈麥斯, 維斯特·薩維普隆斯利波恩, 馬丁·約翰·麥卡斯林 申請(qǐng)人:日東電工株式會(huì)社