專利名稱：增強(qiáng)eeprom持久性的方法和裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉 及存儲(chǔ)器電路設(shè)計(jì)領(lǐng)域，更具體地說，涉及一種增強(qiáng)EEPROM持久性的方 法和裝置。
背景技術(shù)：
電可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器(EEPROM)通常采用浮柵隧道氧化物 (FL0T0X, floating gate tunneling oxide)結(jié)構(gòu)，如圖 1 所示。FLOTOX 結(jié)構(gòu)采用 F-N(Fowler-Nordheim)隧道效應(yīng)產(chǎn)生的電子流對(duì)浮柵進(jìn)行數(shù)據(jù)擦寫。在電壓差作用下， 硅和氧化層之間的勢(shì)壘寬度變薄，使得電子透過勢(shì)壘層在硅導(dǎo)帶和氧化層的導(dǎo)帶間進(jìn)行穿 越，實(shí)現(xiàn)對(duì)浮柵的電子注入和擦除。電子注入和擦除的過程分別如圖2a和圖2b所示。其 中，EEPROM持久性T與柵氧化層上的電場(chǎng)強(qiáng)度E關(guān)系如公式(1)所示，其中β為電場(chǎng)強(qiáng)度 加速因子T exp (- β Ε)(1)因此，將柵氧化層上的電場(chǎng)強(qiáng)度控制在一個(gè)合理的范圍內(nèi)，降低其峰值，可以增強(qiáng) EEPROM的持久性。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明要解決的技術(shù)問題在于，針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)的EEPROM的持久性不足的缺陷， 提供一種可將柵氧化層上的電場(chǎng)強(qiáng)度控制在一個(gè)合理的范圍內(nèi)，降低其峰值，進(jìn)而增強(qiáng) EEPROM的持久性的方法。本發(fā)明解決其技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是構(gòu)造一種增強(qiáng)EEPROM的持久性的 方法，包括對(duì)于采用浮柵隧道氧化物結(jié)構(gòu)的EEPR0M，在其擦除或?qū)懭肫陂g采用可控高壓信 號(hào)將柵氧化層的電場(chǎng)強(qiáng)度控制在lOMV/cm 15MV/cm之間。在本發(fā)明所述的增強(qiáng)EEPROM的持久性的方法中，所述方法包括在EEPROM的擦除 期間，通過調(diào)節(jié)控制柵上電壓的上升速度來控制柵氧化層的電場(chǎng)強(qiáng)度；在EEPROM的寫入期 間，通過調(diào)節(jié)漏極電壓的上升速度來控制柵氧化層的電場(chǎng)強(qiáng)度。在本發(fā)明所述的增強(qiáng)EEraOM的持久性的方法中，當(dāng)柵氧化層的電場(chǎng)強(qiáng)度小于 lOMV/cm時(shí)，所述可控高壓信號(hào)以第一速度上升；否則，所述可控高壓信號(hào)以第二速度上升 并將柵氧化層的電場(chǎng)強(qiáng)度控制在lOMV/cm 15MV/cm之間，其中所述第二速度低于第一速度。在本發(fā)明所述的增強(qiáng)EEPROM的持久性的方法中，所述可控高壓信號(hào)由電荷泵產(chǎn)生。在本發(fā)明所述的增強(qiáng)EEPROM的持久性的方法中，通過調(diào)節(jié)所述電荷泵的負(fù)載或 電荷泵的輸入頻率來調(diào)節(jié)所述可控高壓信號(hào)。本發(fā)明解決其技術(shù)問題采用的另一方法是，構(gòu)造一種增強(qiáng)EEPROM的持久性的裝 置包括
時(shí)鐘產(chǎn)生驅(qū)動(dòng)電路，用于生成時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)信號(hào)；電荷泵，用于根據(jù)所述時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)信號(hào)產(chǎn)生可控高壓信號(hào)；其中所述可控高壓信號(hào)用于在采用浮柵隧道氧化物結(jié)構(gòu)的EEPROM的擦除或?qū)懭肫陂g 將其柵氧化層的電場(chǎng)強(qiáng)度控制在lOMV/cm 15MV/cm之間。在本發(fā)明所述的增強(qiáng)EEPROM的持久性的裝置中，進(jìn)一步包括信號(hào)調(diào)節(jié)裝置，當(dāng)柵 氧化層的電場(chǎng)強(qiáng)度小于lOMV/cm時(shí)，所述信號(hào)調(diào)節(jié)裝置調(diào)節(jié)所述可控高壓信號(hào)以第一速度 上升；否則，所述信號(hào)調(diào)節(jié)裝置調(diào)節(jié)所述可控高壓信號(hào)以第二速度上升并將柵氧化層的電 場(chǎng)強(qiáng)度控制在lOMV/cm 15MV/cm之間，其中所述第二速度低于第一速度。在本發(fā)明所述的增強(qiáng)EEPROM的持久性的裝置中，所述信號(hào)調(diào)節(jié)裝置是與電荷泵 連接的負(fù)載。在本發(fā)明所述的增強(qiáng)EEPROM的持久性的裝置中，所述負(fù)載是可調(diào)電阻或可控電 流阱。在本發(fā)明所述的增強(qiáng)EEPROM的持久性的裝置中，所述信號(hào)調(diào)節(jié)裝置包括電壓偏 置電路，用于提供不同的電壓偏置信號(hào)；計(jì)時(shí)器，用于產(chǎn)生計(jì)時(shí)信號(hào)；多路選擇器，用于根 據(jù)所述計(jì)時(shí)信號(hào)選擇不同的電壓偏置信號(hào)以提供給時(shí)鐘產(chǎn)生驅(qū)動(dòng)電路；所述時(shí)鐘產(chǎn)生驅(qū)動(dòng)電路根據(jù)所述電壓偏置信號(hào)產(chǎn)生不同的時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)信號(hào)以提供 給電荷泵，從而控制所述可控高壓信號(hào)的上升速度。實(shí)施本發(fā)明的增強(qiáng)EEPROM的持久性的方法的裝置，通過將柵氧化層上的電場(chǎng)強(qiáng) 度控制在一個(gè)合理的范圍內(nèi)，降低其峰值，從而有效地增強(qiáng)了其持久性，并且通過采用不同 的可控高壓信號(hào)上升速度，還能縮短寫入和擦除時(shí)間。


下面將結(jié)合附圖及實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步說明，附圖中圖1是EEPROM存儲(chǔ)管的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2是對(duì)EEPROM進(jìn)行擦除操作(閾值電壓增加)；圖3是對(duì)EEPROM進(jìn)行寫入操作(閾值電壓降低)；圖4是本發(fā)明的增強(qiáng)EEPROM的持久性的方法的第一實(shí)施例的流程圖；圖5是本發(fā)明的增強(qiáng)EEPROM的持久性的裝置的第一實(shí)施例的原理框圖；圖6是本發(fā)明的增強(qiáng)EEPROM的持久性的裝置的第二實(shí)施例的原理框圖；圖7是本發(fā)明的增強(qiáng)EEPROM的持久性的裝置的第三實(shí)施例的原理框圖；圖8是根據(jù)本發(fā)明的增強(qiáng)EEPROM的持久性的裝置的可控高壓信號(hào)上升速度示意 圖；圖9是根據(jù)本發(fā)明的增強(qiáng)EEPROM的持久性的裝置的隧道氧化層的電場(chǎng)強(qiáng)度變化 示意圖；圖10是EEPROM存儲(chǔ)管的等效電容模型。
具體實(shí)施方式

本發(fā)明關(guān)鍵在于對(duì)于采用浮柵隧道氧化物結(jié)構(gòu)的EEPR0M，在其擦除或?qū)懭肫陂g采 用可控高壓信號(hào)將柵氧化層的電場(chǎng)強(qiáng)度控制在lOMV/cm 15MV/cm之間。對(duì)于該高壓可控信號(hào)，其上升的速度，具體的大小可以根據(jù)實(shí)際情況來確定。在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，當(dāng)柵氧化層的電場(chǎng)強(qiáng)度小于lOMV/cm時(shí)，所述可控高 壓信號(hào)以第一速度上升；當(dāng)所述柵氧化層的電場(chǎng)強(qiáng)度等于lOMV/cm時(shí)，所述可控高壓信號(hào) 以第二速度上升并將柵氧化層的電場(chǎng)強(qiáng)度控制在lOMV/cm 15MV/cm之間，其中所述第二 速度低于第一速度在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，可以是每隔設(shè)定的時(shí)間就對(duì)柵氧化層的電場(chǎng) 強(qiáng)度進(jìn)行采樣判斷一次。在本發(fā)明的又一實(shí)施例中，也可直接以柵氧化層的電場(chǎng)強(qiáng)度等于lOMV/cm為分界 點(diǎn)，當(dāng)柵氧化層的電場(chǎng)強(qiáng)度等于lOMV/cm以前，控制可控高壓信號(hào)以第一速度上升，當(dāng)柵氧 化層的電場(chǎng)強(qiáng)度等于和大于lOMV/cm時(shí)，控制可控高壓信號(hào)以第二速度上升。本領(lǐng)域技術(shù) 人員可以根據(jù)實(shí)際情況自行對(duì)所述第一速度和第二速度進(jìn)行設(shè)定，只要使得所述第一速度 大于所述第二速度即可。在本發(fā)明的一個(gè)優(yōu)選實(shí)施例中，為了縮短時(shí)間，第一速度可設(shè)置地越快越好；第二 速度則可根據(jù)采用的電子元器件的參數(shù)，實(shí)時(shí)電場(chǎng)強(qiáng)度進(jìn)行設(shè)置。在本發(fā)明后續(xù)的實(shí)施例 中，示出了該第二速度的設(shè)置公式。在本發(fā)明的其他實(shí)施例中，還可包括其他的組合和變化，只要該可控高壓信號(hào)將 柵氧化層的電場(chǎng)強(qiáng)度控制在lOMV/cm 15MV/cm之間即可。例如，當(dāng)氧化層的電場(chǎng)強(qiáng)度 小于lOMV/cm時(shí)，控制可控高壓信號(hào)以第一速度上升；當(dāng)氧化層的電場(chǎng)強(qiáng)度位于lOMV/cm 到12MV/cm之間時(shí)，控制可控高壓信號(hào)以第二速度上升；當(dāng)氧化層的電場(chǎng)強(qiáng)度等于和大于 12MV/cm時(shí)，控制可控高壓信號(hào)以第三速度上升，其中第一速度>第二速度>第三速度。在本發(fā)明的又一實(shí)施例中，當(dāng)氧化層的電場(chǎng)強(qiáng)度小于9MV/cm時(shí)，控制可控高壓信 號(hào)以第三速度上升，當(dāng)氧化層的電場(chǎng)強(qiáng)度位于9MV/cm到lOMV/cm之間時(shí)，控制可控高壓信 號(hào)以第一速度上升，當(dāng)柵氧化層的電場(chǎng)強(qiáng)度等于和大于lOMV/cm時(shí)，控制可控高壓信號(hào)以 第二速度上升。其中第三速度>第一速度>第二速度。在本發(fā)明的其他實(shí)施例中，還可以采用其他的速度組合的形式。在本發(fā)明的教導(dǎo) 下，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解并能采用這樣的組合形式。圖4是本發(fā)明的增強(qiáng)EEPR0M的持久性的方法的第一實(shí)施例的流程圖。如圖4所 示，該方法流程始于步驟S1，在步驟S2，判斷所述柵氧化層的電場(chǎng)強(qiáng)度是否小于lOMV/cm， 如果是則執(zhí)行步驟S3，控制所述可控高壓信號(hào)以第一速度上升時(shí)間tl，并返回步驟S2，再 次進(jìn)行判斷。如果在步驟S2中判定所述柵氧化層的電場(chǎng)強(qiáng)度大于或等于lOMV/cm，控制所 述可控高壓信號(hào)以第二速度上升并將柵氧化層的電場(chǎng)強(qiáng)度控制在lOMV/cm 15MV/cm之 間。在本發(fā)明的具體實(shí)施例中，所述時(shí)間tl和所述第一速度和第二速度可根據(jù)需要設(shè)定。 在本發(fā)明的一個(gè)優(yōu)選實(shí)施例中，所述間tl、所述第一速度、第二速度均可調(diào)，且所述第一速 度大于所述第二速度。圖5是本發(fā)明的增強(qiáng)EEPR0M的持久性的裝置的第一實(shí)施例的原理框圖。如圖5 所示，該裝置包括時(shí)鐘產(chǎn)生驅(qū)動(dòng)電路501，用于生成時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)信號(hào)。電荷泵502，用于根據(jù)所 述時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)信號(hào)產(chǎn)生可控高壓信號(hào)；其中所述可控高壓信號(hào)用于在采用浮柵隧道氧化物結(jié) 構(gòu)的EEPR0M的擦除或?qū)懭肫陂g將其柵氧化層的電場(chǎng)強(qiáng)度控制在lOMV/cm 15MV/cm之間。圖6是本發(fā)明的增強(qiáng)EEPR0M的持久性的裝置的第二實(shí)施例的原理框圖。如圖6 所示，該裝置包括時(shí)鐘產(chǎn)生驅(qū)動(dòng)電路601，用于生成時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)信號(hào)。電荷泵602，用于根據(jù)所述時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)信號(hào)產(chǎn)生可控高壓信號(hào)；以及信號(hào)調(diào)節(jié)裝置603，當(dāng)柵氧化層的電場(chǎng)強(qiáng)度小 于lOMV/cm時(shí)，所述信號(hào)調(diào)節(jié)裝置調(diào)節(jié)所述可控高壓信號(hào)以第一速度上升；否則所述信號(hào) 調(diào)節(jié)裝置調(diào)節(jié)所述可控高壓信號(hào)以第二速度上升并將柵氧化層的電場(chǎng)強(qiáng)度控制在10MV/ cm 15MV/cm之間，其中所述第二速度低于第一速度。圖7是本發(fā)明的增強(qiáng)EEPR0M的持久性的裝置的第三實(shí)施例的原理框圖。如圖7 所示，在該實(shí)施例中，該裝置包括時(shí)鐘產(chǎn)生驅(qū)動(dòng)電路701，用于生成時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)信號(hào)。電荷泵 702，用于根據(jù)所述時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)信號(hào)產(chǎn)生可控高壓信號(hào)；以及信號(hào)調(diào)節(jié)裝置；其中所述信號(hào)調(diào) 節(jié)裝置包括電壓偏置電路705，用于提供不同的電壓偏置信號(hào)；計(jì)時(shí)器707，用于產(chǎn)生計(jì)時(shí) 信號(hào)；多路選擇器706，用于根據(jù)所述計(jì)時(shí)信號(hào)選擇不同的電壓偏置信號(hào)以提供給時(shí)鐘產(chǎn) 生驅(qū)動(dòng)電路701 ；所述時(shí)鐘產(chǎn)生驅(qū)動(dòng)電路701根據(jù)所述電壓偏置信號(hào)產(chǎn)生不同的時(shí)鐘驅(qū)動(dòng) 信號(hào)以提供給電荷泵702從而控制所述可控高壓信號(hào)的上升速度。其原理如下，對(duì)于某一固定的電荷泵702，在保持其時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)信號(hào)頻率不變的情況下，改變時(shí)鐘 驅(qū)動(dòng)信號(hào)的電壓擺幅，可以調(diào)節(jié)電荷泵702輸出的可控高壓信號(hào)的上升速度。電壓偏置電 路705提供多個(gè)偏置電壓，并輸入到多路選擇器706。多路選擇器706在計(jì)時(shí)器707的控 制下，在不同的時(shí)間段選擇不同的偏置電壓傳送給時(shí)鐘產(chǎn)生驅(qū)動(dòng)電路701。時(shí)鐘產(chǎn)生驅(qū)動(dòng) 電路701在不同的偏置電壓控制下，給出不同電壓擺幅的時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)信號(hào)以驅(qū)動(dòng)電荷泵702。 最終，達(dá)到控制電荷泵702在不同時(shí)間段輸出電平上升速度的目的。電荷泵輸出電平的上升速度可以根據(jù)需要分為多個(gè)階段。通?？梢赃x擇如圖8所 示的模式在浮柵和漏極之間的電場(chǎng)強(qiáng)度未達(dá)到lOMV/cm即隧穿效應(yīng)未產(chǎn)生前，選擇較高 的電壓偏置，使時(shí)鐘產(chǎn)生驅(qū)動(dòng)電路輸出的可控高壓信號(hào)的電壓擺幅較大，驅(qū)動(dòng)電荷泵的輸 出Vpp以較快的速度上升，以節(jié)省擦寫時(shí)間。在電場(chǎng)強(qiáng)度超過lOMV/cm即隧穿電流產(chǎn)生后， 選擇較低的電壓偏置，使時(shí)鐘產(chǎn)生驅(qū)動(dòng)電路輸出的時(shí)鐘信號(hào)電壓擺幅較小，驅(qū)動(dòng)電荷泵的 輸出Vpp以緩慢的速度上升，以控制電場(chǎng)強(qiáng)度在lOMV/cm 15MV/cm之間，從而增強(qiáng)EEPR0M 存儲(chǔ)管的持久性。在該實(shí)施例中，隧道氧化層的電場(chǎng)強(qiáng)度變化如圖9所示。在本發(fā)明的又一優(yōu)選實(shí)施例中，可以通過直接對(duì)電荷泵進(jìn)行調(diào)節(jié)來控制其輸出的 可控高壓信號(hào)，例如通過調(diào)節(jié)所述電荷泵的負(fù)載大小或輸入頻率來對(duì)所述可控高壓信號(hào)進(jìn) 行控制。在該實(shí)施例中，所述信號(hào)調(diào)節(jié)裝置是與電荷泵連接的負(fù)載。所述負(fù)載是可調(diào)電阻 或可控電流阱。圖10是EEPR0M存儲(chǔ)管的等效電容模型。調(diào)節(jié)電荷泵的輸出Vpp的上升速度，可 以控制EEPR0M存儲(chǔ)管的柵氧化層的電場(chǎng)強(qiáng)度，從而增強(qiáng)其持久性。柵氧化層的電場(chǎng)強(qiáng)度和 電荷泵的輸出Vpp的關(guān)系，可以由EEPR0M存儲(chǔ)管的等效電容模型推導(dǎo)出來。在圖10中，G 是控制柵，B是接地襯底，Cpp是兩層多晶硅之間的電容，Cd和Ct之和等效為浮柵和漏區(qū)之 間的電容。其中，Ct是反映隧道氧化層部分的電容，Cs是浮柵和源區(qū)之間的電容，Cg為浮 柵和襯底溝道之間的電容。進(jìn)行擦除操作時(shí)，控制柵接Vpp，漏極和源極接零電位。因此，浮 柵電壓主要是由控制柵電壓以及控制柵和浮柵之間的電容耦合作用決定的。當(dāng)浮柵上無電 荷時(shí)，浮柵電壓即施加在隧道氧化層上的電壓為 其中，總電容cT = cpp+cd+cs+ct+cg0當(dāng)有電荷Q(t)在浮柵上積累時(shí)，浮柵電壓變 為
(3) 設(shè)浮柵和漏極之間的電場(chǎng)強(qiáng)度為
，其中\(zhòng)是隧道氧化層的厚度，可以得 到浮柵和漏極之間的電場(chǎng)強(qiáng)度為￡ =(4)其中，Q(t) = It = Jst,F-N電流密度與電場(chǎng)強(qiáng)度的關(guān)系為J = AE2exp (-B/E), s 為隧道氧化層面積。假設(shè)電場(chǎng)強(qiáng)度不隨時(shí)間變化，將式(4)對(duì)時(shí)間求導(dǎo)可得到Vpp上升速 度與電場(chǎng)強(qiáng)度的關(guān)系 由上式可見，調(diào)節(jié)Vpp的上升速度，可以控制EEPR0M存儲(chǔ)管的柵氧化層的電場(chǎng)強(qiáng) 度。對(duì)于寫入操作，同理可以得到上述結(jié)論。本領(lǐng)域技術(shù)人員知悉當(dāng)氧化層的電場(chǎng)強(qiáng)度小于lOMV/cm時(shí)，可控制電荷泵的輸出 Vpp以盡可能快的速度上升，進(jìn)而節(jié)省時(shí)間。當(dāng)氧化層的電場(chǎng)強(qiáng)度大于lOMV/cm時(shí)，可控制 電荷泵的輸出Vpp按照公式(5)上升。因此，實(shí)施本發(fā)明的增強(qiáng)EEPR0M的持久性的方法的裝置，通過將柵氧化層上的電 場(chǎng)強(qiáng)度控制在一個(gè)合理的范圍內(nèi)，降低其峰值，從而有效地增強(qiáng)了其持久性，并且通過采用 不同的可控高壓信號(hào)上升速度，還能縮短寫入和擦除時(shí)間。雖然本發(fā)明是通過具體實(shí)施例進(jìn)行說明的，本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)明白，在不脫離 本發(fā)明范圍的情況下，還可以對(duì)本發(fā)明進(jìn)行各種變換及等同替代。因此，本發(fā)明不局限于所 公開的具體實(shí)施例，而應(yīng)當(dāng)包括落入本發(fā)明權(quán)利要求范圍內(nèi)的全部實(shí)施方式。
權(quán)利要求
一種增強(qiáng)EEPROM的持久性的方法，其特征在于，包括對(duì)于采用浮柵隧道氧化物結(jié)構(gòu)的EEPROM，在其擦除或?qū)懭肫陂g采用可控高壓信號(hào)將柵氧化層的電場(chǎng)強(qiáng)度控制在10MV/cm～15MV/cm之間。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的增強(qiáng)EEPR0M的持久性的方法，其特征在于，所述方法包括 在EEPR0M的擦除期間，通過調(diào)節(jié)控制柵上電壓的上升速度來控制柵氧化層的電場(chǎng)強(qiáng)度；在 EEPR0M的寫入期間，通過調(diào)節(jié)漏極電壓的上升速度來控制柵氧化層的電場(chǎng)強(qiáng)度。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的增強(qiáng)EEPR0M的持久性的方法，其特征在于，當(dāng)柵氧化層的電 場(chǎng)強(qiáng)度小于lOMV/cm時(shí)，所述可控高壓信號(hào)以第一速度上升；否則所述可控高壓信號(hào)以第 二速度上升并將柵氧化層的電場(chǎng)強(qiáng)度控制在lOMV/cm 15MV/cm之間，其中所述第二速度 低于第一速度。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的增強(qiáng)EEPR0M的持久性的方法，其特征在于，所述可控高壓信號(hào)由電荷泵產(chǎn)生。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的增強(qiáng)EEPR0M的持久性的方法，其特征在于，通過調(diào)節(jié)所述電 荷泵的負(fù)載或電荷泵的輸入頻率來調(diào)節(jié)所述可控高壓信號(hào)。
6.一種增強(qiáng)EEPR0M的持久性的裝置，其特征在于，包括時(shí)鐘產(chǎn)生驅(qū)動(dòng)電路，用于生成時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)信號(hào)；電荷泵，用于根據(jù)所述時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)信號(hào)產(chǎn)生可控高壓信號(hào)；其中所述可控高壓信號(hào)用于在采用浮柵隧道氧化物結(jié)構(gòu)的EEPR0M的擦除或?qū)懭肫陂g將其 柵氧化層的電場(chǎng)強(qiáng)度控制在lOMV/cm 15MV/cm之間。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的增強(qiáng)EEPR0M的持久性的裝置，其特征在于，進(jìn)一步包括信號(hào) 調(diào)節(jié)裝置，當(dāng)柵氧化層的電場(chǎng)強(qiáng)度小于lOMV/cm時(shí)，所述信號(hào)調(diào)節(jié)裝置調(diào)節(jié)所述可控高壓 信號(hào)以第一速度上升；否則所述信號(hào)調(diào)節(jié)裝置調(diào)節(jié)所述可控高壓信號(hào)以第二速度上升并將 柵氧化層的電場(chǎng)強(qiáng)度控制在lOMV/cm 15MV/cm之間，其中所述第二速度低于第一速度。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的增強(qiáng)EEPR0M的持久性的裝置，其特征在于，所述信號(hào)調(diào)節(jié)裝 置是與電荷泵連接的負(fù)載。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的增強(qiáng)EEPR0M的持久性的裝置，其特征在于，所述負(fù)載是可調(diào) 電阻或可控電流阱。
10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的增強(qiáng)EEPR0M的持久性的裝置，其特征在于，所述信號(hào)調(diào)節(jié)裝 置包括電壓偏置電路，用于提供不同的電壓偏置信號(hào)；計(jì)時(shí)器，用于產(chǎn)生計(jì)時(shí)信號(hào)；多路 選擇器，用于根據(jù)所述計(jì)時(shí)信號(hào)選擇不同的電壓偏置信號(hào)以提供給時(shí)鐘產(chǎn)生驅(qū)動(dòng)電路；所述時(shí)鐘產(chǎn)生驅(qū)動(dòng)電路根據(jù)所述電壓偏置信號(hào)產(chǎn)生不同的時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)信號(hào)以提供給電 荷泵，從而控制所述可控高壓信號(hào)的上升速度。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種增強(qiáng)EEPROM持久性的方法和裝置。所述方法包括對(duì)于采用浮柵隧道氧化物結(jié)構(gòu)的EEPROM，在其擦除或?qū)懭肫陂g采用可控高壓信號(hào)將柵氧化層的電場(chǎng)強(qiáng)度控制在10MV/cm～15MV/cm之間。所述裝置包括時(shí)鐘產(chǎn)生驅(qū)動(dòng)電路，用于生成時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)信號(hào)；電荷泵，用于根據(jù)所述時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)信號(hào)產(chǎn)生可控高壓信號(hào)；其中所述可控高壓信號(hào)用于在采用浮柵隧道氧化物結(jié)構(gòu)的EEPROM的擦除或?qū)懭肫陂g將其柵氧化層的電場(chǎng)強(qiáng)度控制在10MV/cm～15MV/cm之間。實(shí)施本發(fā)明的增強(qiáng)EEPROM的持久性的方法的裝置，通過將柵氧化層上的電場(chǎng)強(qiáng)度控制在一個(gè)合理的范圍內(nèi)，降低其峰值，從而有效地增強(qiáng)了其持久性，并且通過采用不同的可控高壓信號(hào)上升速度，還能縮短寫入和擦除時(shí)間。
文檔編號(hào)G11C16/30GK101859603SQ200910106539
公開日2010年10月13日 申請(qǐng)日期2009年4月7日 優(yōu)先權(quán)日2009年4月7日
發(fā)明者劉陽, 施愛群, 胡小波, 鄧錦輝 申請(qǐng)人:輝芒微電子(深圳)有限公司