技術(shù)編號:6755463
提示:您尚未登錄,請點 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉 及存儲器電路設(shè)計領(lǐng)域,更具體地說,涉及一種增強EEPROM持久性的方 法和裝置。背景技術(shù)電可擦除可編程只讀存儲器(EEPROM)通常采用浮柵隧道氧化物 (FL0T0X, floating gate tunneling oxide)結(jié)構(gòu),如圖 1 所示。FLOTOX 結(jié)構(gòu)采用 F-N(Fowler-Nordheim)隧道效應(yīng)產(chǎn)生的電子流對浮柵進行數(shù)據(jù)擦寫。在電壓差作用下, 硅和氧化層之間的勢壘寬度變薄,使得電子透過勢壘層在硅導(dǎo)帶和氧化層的導(dǎo)帶間進行...
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