專利名稱：半導(dǎo)體試驗裝置以及半導(dǎo)體存儲器的試驗方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體試驗裝置，例如，涉及對如NAND型閃爍存儲器 等可按塊改寫的數(shù)據(jù)存儲型存儲器進(jìn)行試驗的半導(dǎo)體試驗裝置。
背景技術(shù)：
半導(dǎo)體存儲器試驗裝置包括定時產(chǎn)生器、模式產(chǎn)生器、波形整形器 以及邏輯比較器。定時產(chǎn)生器根據(jù)從模式產(chǎn)生器輸出的定時設(shè)置信號(以 下稱為TS信號)所指定的定時數(shù)據(jù)來產(chǎn)生周期時鐘以及延遲時鐘。模式
產(chǎn)生器按照來自定時產(chǎn)生器的周期時鐘，輸出賦予被試驗存儲器(MUT (Memory Under Tester))的試驗?zāi)Ｊ綌?shù)據(jù)。試驗?zāi)Ｊ綌?shù)據(jù)被賦予波形整 形器，波形整形器利用延遲時鐘，整形為試驗所需的定時的波形，并向被 試存儲器施加整形后的試驗信號。從被試驗存儲器輸出的結(jié)果信號被賦予 邏輯比較器。邏輯比較器對來自模式產(chǎn)生器的期待值數(shù)據(jù)和來自被試驗存 儲器的結(jié)果信號進(jìn)行比較，基于二者的一致/不一致來進(jìn)行被試驗存儲器的 良否判定。
現(xiàn)有的半導(dǎo)體存儲器試驗裝置包括不良塊存儲器(BBM (Bad Block Memory)),其中存儲有不良塊信息。不良塊信息是在晶片工序中已經(jīng)被 判明為不良的塊的地址信息。因此，BBM至少是具有存儲塊地址數(shù)量的 容量的存儲器。BBM為了將不良塊排除在試驗對象外，根據(jù)不良塊信息， 向波形整形器送出禁止向被試驗存儲器寫入的動作的命令，并且，向邏輯 比較器送出禁止結(jié)果信號的比較動作的命令。由此，無需執(zhí)行向不良塊內(nèi) 的存儲單元的寫入以及來自不良塊內(nèi)的存儲單元的結(jié)果信號的比較，因 此，縮短了存儲器的試驗時間(參照專利文獻(xiàn)l)。
可是，雖然向不良塊的寫入以及結(jié)果信號的比較均被禁止，但是仍然 會執(zhí)行針對不良塊內(nèi)的各頁的訪問。各訪問時間比針對良好塊的通常的試驗時間短，但由于訪問是針對不良塊內(nèi)的各頁執(zhí)行的，因此相當(dāng)耗時。
尤其是，NAND型閃爍存儲器的容量近年以每年兩倍的比例增大，因 此伴隨于此的試驗時間也存在增大的趨勢。所以，訪問不需要的不良塊會 導(dǎo)致增大測試成本的結(jié)果。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明為解決上述課題，提供一種可省略訪問不良塊的時間來縮短試 驗時間的半導(dǎo)體試驗裝置。
根據(jù)本發(fā)明實施方式的半導(dǎo)體試驗裝置對被試驗存儲器進(jìn)行試驗，所 述被試驗存儲器將多個存儲單元中存儲的多個位作為頁，具備可按多個所 述頁所構(gòu)成的塊來改寫數(shù)據(jù)的塊功能，所述半導(dǎo)體試驗裝置包括模式產(chǎn) 生部，其生成所述頁的地址信息，產(chǎn)生試驗?zāi)Ｊ剑徊ㄐ握尾?，其對所?試驗?zāi)Ｊ竭M(jìn)行整形，向由所述地址信息確定的頁內(nèi)的所述存儲單元輸出基 于該試驗?zāi)Ｊ降脑囼炐盘?；比較部，其將從接受了所述試驗信號的所述被 試驗存儲器輸出的結(jié)果信號與期待值進(jìn)行比較；和不良塊存儲器，其預(yù)先 存儲所述被試驗存儲器的不良塊的信息，在由所述地址信息確定的所述頁 包含在所述不良塊內(nèi)的情況下輸出不良信號，該不良信號用于使所述地址 信息跳到該不良塊的下一個試驗對象塊中含有的頁的地址信息。
所述不良塊存儲器也可在由所述地址信息確定的所述存儲單元包含 在所述不良塊中的情況下，向所述波形整形部輸出禁止所述試驗信號的輸 出動作的命令，并且，向所述比較部輸出禁止所述結(jié)果信號與所述期待it 的比較動作的命令。
該半導(dǎo)體試驗裝置還包括條件分支命令變更部，其從所述模式生成部 接受變更所述地址信息的生成模式的條件分支命令，基于所述不良信號對 條件分支命令進(jìn)行變更。
所述不良信號也可在所述模式生成部中生成，并作為變更所述地址信 息的生成模式的條件分支命令而被輸出到所述模式產(chǎn)生部。
該半導(dǎo)體試驗裝置還可包括匹配檢測部，其將從所述被試驗存儲器輸 出的結(jié)果信號與期待值進(jìn)行比較，輸出表示該結(jié)果信號與該期待值一致或 不一致的匹配信號，所述條件分支命令變更部包括多路轉(zhuǎn)接器，其選擇所述不良信號或所述匹配檢測部的任一個作為所述條件分支命令。
根據(jù)本發(fā)明的實施方式的試驗方法，利用半導(dǎo)體試驗裝置對被試驗存 儲器進(jìn)行試驗，所述被試驗存儲器將多個存儲單元中存儲的多個位作為 頁，具備可按多個所述頁所構(gòu)成的塊來改寫數(shù)據(jù)的塊功能，所述半導(dǎo)體試 驗裝置包括模式產(chǎn)生部，其生成所述頁的地址信息，產(chǎn)生試驗?zāi)Ｊ剑徊?形整形部，其對所述試驗?zāi)Ｊ竭M(jìn)行整形，向由所述地址信息確定的頁內(nèi)的 所述存儲單元輸出基于該試驗?zāi)Ｊ降脑囼炐盘枺槐容^部，其將從接受了所 述試驗信號的所述被試驗存儲器輸出的結(jié)果信號與期待值進(jìn)行比較；和不 良塊存儲器，其預(yù)先存儲所述被試驗存儲器的不良塊的信息；該方法包括 在由所述地址信息確定的所述頁包含在所述不良塊中的情況下輸出不良 信號的步驟，該不良信號用于使所述地址信息跳到該不良塊的下一個試驗 對象塊中含有的頁的地址信息。
所述不良塊存儲器可在所述不良信號輸出步驟中，向所述波形整形部 輸出禁止所述試驗信號的輸出動作的命令，并且，向所述比較部輸出禁止 所述結(jié)果信號與所述期待值的比較動作的命令。
該方法也可還包括在所述模式生成部中生成所述不良信號，并將其作 為變更所述地址信息的生成模式的條件分支命令而輸出到所述模式產(chǎn)生 部的步驟。
本發(fā)明的半導(dǎo)體試驗裝置可省略訪問不良塊的時間，從而能縮短試驗 時間。


圖1是按照本發(fā)明的實施方式的半導(dǎo)體存儲器試驗裝置100的概略権
圖2是表示數(shù)據(jù)存儲型閃爍存儲器的內(nèi)部結(jié)構(gòu)的概念圖； 圖3是表示本實施方式的裝置100的動作的流程圖。
具體實施例方式
下面，參照附圖，對本發(fā)明的實施方式進(jìn)行說明。本實施方式并非用 于限定本發(fā)明。圖1是按照本發(fā)明的實施方式的半導(dǎo)體存儲器試驗裝置100 (以下稱 為裝置100)的概略框圖。裝置100具備定時產(chǎn)生器TG、模式產(chǎn)生器 ALPG、波形整形器FC、邏輯比較器LC、失效位存儲器FM、塊地址選擇 部BAS、匹配檢測部MD以及條件分支命令變更部BCC。
模式產(chǎn)生器ALPG向定時產(chǎn)生器TG輸出定時設(shè)置信號(TS信號)。 定時產(chǎn)生器TG接受TS信號，產(chǎn)生基于由器件試驗程序記述的定時設(shè)置 而規(guī)定的、各種多個通道的定時邊沿。由此，定時產(chǎn)生器TG產(chǎn)生周期時 鐘以及延遲時鐘。模式產(chǎn)生器ALPG生成被試驗存儲器MUT內(nèi)的存儲單 元的地址信息，按照周期時鐘，輸出賦予該存儲單元的試驗?zāi)Ｊ綌?shù)據(jù)。
波形整形器FC根據(jù)延遲時鐘將試驗?zāi)Ｊ綌?shù)據(jù)整形為試驗中需要的定 時的波形，并按照地址信息將整形后的試驗?zāi)Ｊ剑┘拥奖辉囼灤鎯ζ?MUT上。
被試驗存儲器MUT接受試驗信號，向存儲單元寫入規(guī)定的數(shù)據(jù)，再 讀出該數(shù)據(jù)。從被試驗存儲器MUT讀出的信號被提供給邏輯比較器LC。 邏輯比較器LC對來自模式產(chǎn)生器ALPG的期待值數(shù)據(jù)與從被試驗存儲器 MUT輸出的結(jié)果信號進(jìn)行比較，根據(jù)其一致、不一致來進(jìn)行被試驗存儲 器MUT的良否判定。邏輯比較器LC中的比較結(jié)果被按地址存儲到失效 位(fail bit)存儲器FM內(nèi)的不良分析存儲器AFM中。不良分析存儲器 AFM構(gòu)成為可存儲被試驗存儲器MUT的全部位的良否判定結(jié)果。不良分 析存儲器AFM被用在根據(jù)被試驗存儲器MUT內(nèi)的不良單元數(shù)或不良塊 數(shù)來判斷被試驗存儲器是否可修復(fù)的處理中。
塊地址選擇部BAS接受來自模式產(chǎn)生器ALPG的頁地址信息，輸出 包含由該地址信息確定的試驗對象頁的塊地址。不良塊存儲器BBM按被 試驗存儲器MUT的各塊來存儲表示該塊良否的數(shù)據(jù)。例如，表示塊良否 的數(shù)據(jù)可用l位數(shù)據(jù)表示。因此，不良塊存儲器BBM具有與被試驗存儲 器的塊數(shù)同等以上的存儲容量，由按每個塊地址具有1位以上的容量的存 儲器構(gòu)成即可。
不良塊存儲器BBM輸出不良標(biāo)識信號BAD。不良標(biāo)識信號BAD用 二進(jìn)制數(shù)據(jù)"0"或"1"中的一個表示不良塊，用另一個表示良好塊。不 良標(biāo)識信號BAD在對試驗?zāi)Ｊ降漠a(chǎn)生序列進(jìn)行變更中使用。例如，當(dāng)由塊地址確定的塊是不良塊時，不良標(biāo)識信號BAD用于使地址跳到該不良 塊的下一塊地址。不良塊存儲器BBM與不良標(biāo)識信號BAD同時，向波形 整形器FC輸出禁止試驗數(shù)據(jù)的寫入動作的寫入禁止命令，并向邏輯比較 器LC輸出禁止結(jié)果信號與基準(zhǔn)值比較的比較禁止命令。 '
匹配檢測部MD構(gòu)成為檢測來自被試驗存儲器MUT的結(jié)果信號與 期待值的一致/不一致，輸出匹配標(biāo)識信號MATCH。匹配標(biāo)識信號是表示 結(jié)果信號與期待值一致/不一致的信號，可基于空白狀態(tài)的塊內(nèi)的數(shù)據(jù)，用 二進(jìn)制數(shù)據(jù)中的一個表示不良塊，用另一個表示良好塊。匹配標(biāo)識信號與 不良標(biāo)識信號BAD同樣，在對試驗?zāi)Ｊ降漠a(chǎn)生序列進(jìn)行變更時使用。
條件分支命令變更部BCC包括AND門電路Gl、 G2以及多路轉(zhuǎn)接器 (multiplexer) MUX。 AND門電路Gl執(zhí)行來自不良塊存儲器BBM的不 良標(biāo)識信號BAD與來自模式產(chǎn)生器ALPG的FLAG讀出命令的AND運 算，并將其結(jié)果輸出到多路轉(zhuǎn)接器MUX。 AND門電路G2執(zhí)行來自匹配 檢測部MD的匹配標(biāo)識信號MATCH與FLAG讀出命令的AND運算，并 將其結(jié)果輸出到多路轉(zhuǎn)接器MUX。多路轉(zhuǎn)接器MUX構(gòu)成為輸入來自 模式產(chǎn)生器ALPG的標(biāo)識讀出選擇信號，基于該標(biāo)識讀出選擇信號MUT 來選擇不良信號BAD或匹配信號MATCH中的任一信號。由多路轉(zhuǎn)接器 MUX選擇的信號被輸出到模式產(chǎn)生器ALPG，作為條件分支命令。由此， 多路轉(zhuǎn)接器MUX按每個測試周期(試驗周期)選擇不良信號BAD或匹 配信號MATCH中的任一信號作為條件分支命令。
模式產(chǎn)生器ALPG基于該條件分支命令，來變更試驗?zāi)Ｊ降漠a(chǎn)生序列。 例如，當(dāng)試驗對象塊是良好塊時，設(shè)塊標(biāo)識信號BAD是數(shù)據(jù)"0"，或者, 設(shè)匹配標(biāo)識信號MATCH是數(shù)據(jù)"1"。此時，模式產(chǎn)生器ALPG進(jìn)行該塊 的試驗序列(NOP命令)。
另一方面，當(dāng)試驗對象的塊是良好塊時，設(shè)不良標(biāo)識信號BAD是數(shù) 據(jù)"1"，或者，設(shè)匹配標(biāo)識信號MATCH是數(shù)據(jù)"0"。此時，模式產(chǎn)生器 ALPG不執(zhí)行該塊的試驗序列，使地址跳到下一塊內(nèi)的頁(JUMP命令)。
圖2是表示數(shù)據(jù)存儲型閃爍存儲器的內(nèi)部構(gòu)成的概念圖。閃爍存儲器 由多個頁所構(gòu)成的塊構(gòu)成，各頁由存儲在多個存儲單元中的多個位構(gòu)成。 在數(shù)據(jù)寫入動作以及數(shù)據(jù)讀出動作中，在存儲器內(nèi)設(shè)置的頁寄存器和存儲單元陣列之間以頁為單位進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸。數(shù)據(jù)擦除/改寫動作以塊為單位執(zhí) 行。
數(shù)據(jù)存儲型存儲器與以NOR型閃爍存儲器為代表的代碼存儲型存儲 器相比，構(gòu)造上容易集成化。因此，數(shù)據(jù)存儲型存儲器每一位的成本比較 低。
另一方面，數(shù)據(jù)存儲型存儲器與代碼存儲型存儲器相比，數(shù)據(jù)的可靠 性低。因此，在數(shù)據(jù)存儲型存儲器中，若只有全部存儲單元動作時才為良 品，則成品率會非常差。所以，例如，當(dāng)芯片內(nèi)的塊的98%為良好塊時就 判斷為良品芯片。因此，在數(shù)據(jù)存儲型存儲器中，必須在芯片出廠時對存 儲單元是否可使用迸行標(biāo)記。不可使用的塊被稱為不良塊，可使用的塊被 稱為良好塊。在存儲器出廠時，向不良塊寫入數(shù)據(jù)"0"，向良好塊寫入數(shù) 據(jù)"1"。將該狀態(tài)稱為空白(blank)狀態(tài)。
圖2表示空白狀態(tài)的閃爍存儲器的內(nèi)部構(gòu)造。本實施方式的存儲器的 塊有1024個，可由塊地址0 1023分別確定。例如，由塊地址3確定的 塊是不良塊，該塊內(nèi)所有頁的存儲單元都被寫入了數(shù)據(jù)"0"。由塊地址1022 確定的塊是良好塊，該塊內(nèi)所有頁的存儲單元都被寫入了數(shù)據(jù)"1"。
圖3是表示本實施方式的裝置100的動作的流程圖。裝置100執(zhí)行圖 2所示的空白狀態(tài)的存儲器的試驗。首先，向不良塊存儲器BBM載入空 白狀態(tài)下的各塊的良否信息(SIO)。不良塊存儲器BBM按每個塊存儲其 良否信息。例如，由塊地址3確定的塊是不良塊，因此，不良塊存儲器 BBM將塊地址3所對應(yīng)的位設(shè)為數(shù)據(jù)"0"。由塊地址1022確定的塊是良 好塊，因此，不良塊存儲器BBM將塊地址1022所對應(yīng)的位設(shè)為數(shù)據(jù)"1"。
接著，開始進(jìn)行被試驗存儲器MUT的試驗。定時產(chǎn)生器TG接受TS 信號，向模式產(chǎn)生器ALPG輸出周期時鐘，并且向波形整形器FC輸出延 遲時鐘等控制信號(S20)。模式產(chǎn)生器ALPG生成被試驗存儲器的地址信 息，向失效存儲器FM以及塊地址選擇部BAS輸出該地址信息(S30)。 塊地址選擇部BAS確定包括通過來自模式產(chǎn)生器ALPG的地址信息所確 定的試驗對象的存儲單元的塊地址,將該塊地址輸出到不良塊存儲器BBM (S40)。不良塊存儲器BBM判定來自塊地址選擇部BAS所確定的試驗對 象塊的良否(S50)。當(dāng)試驗對象塊是良好塊時，不良塊存儲器BBM使不良標(biāo)識信號BAD、 寫入禁止命令以及比較禁止命令為非活性狀態(tài)(S55)。由此，波形整形器 FC向被試驗存儲器MUT輸出試驗信號(S60)。邏輯比較器LC輸入來自 被試驗存儲器MUT的試驗結(jié)果，將其與期待值進(jìn)行比較(S70)。作為比 較結(jié)果的良否數(shù)據(jù)按地址被存儲到不良分析存儲器AFM中(S80)。
當(dāng)?shù)刂凡皇亲罱K頁時，使頁地址信息增加(S82)，重復(fù)進(jìn)行試驗(S60 S80)。這樣，對試驗對象塊內(nèi)的所有頁執(zhí)行步驟S55 S80。
當(dāng)?shù)刂繁硎臼亲罱K頁時，在該頁的讀出結(jié)束之后，模式產(chǎn)生器ALPG 使塊地址增加(S83)。由此，裝置100執(zhí)行下一塊的試驗。
當(dāng)試驗對象的塊是不良塊時，不良塊存儲器BBM使不良標(biāo)識信號 BAD、寫入禁止命令以及比較禁止命令活性化(S90)。由此，波形整形器 FC停止輸出試驗信號，并且，邏輯比較器LC停止從不良塊讀出的數(shù)據(jù)的 比較動作。另一方面，匹配檢測部MD檢測從不良塊讀出的數(shù)據(jù)與期待值 的一致/不一致，并進(jìn)行輸出(S91)。此時，如參照圖2說明的那樣，由于 不良塊內(nèi)的數(shù)據(jù)為"0"，因此，當(dāng)期待值為"0"時表示一致(例如"0")， 當(dāng)期待值為"1"時表示不一致(例如"l")。即，不僅可根據(jù)不良標(biāo)識信 號BAD,還可根據(jù)匹配信號MATCH來檢測是否為不良塊。
條件分支命令變更部BCC輸入不良標(biāo)識信號BAD以及匹配信號 MATCH,在標(biāo)識讀出命令時使這些信號有效(S95)。由此，不良標(biāo)識信 號BAD以及匹配信號MATCH被輸入到多路轉(zhuǎn)接器MUX。
多路轉(zhuǎn)接器MUX可基于MUT信號來選擇不良標(biāo)識信號BAD或匹配 信號MATCH的任一信號(SIOO)。例如，當(dāng)MUT信號選擇了不良標(biāo)識信 號BAD時，多路轉(zhuǎn)接器MUX向模式產(chǎn)生器ALPG輸出不良標(biāo)識信號BAD 作為條件分支命令。由此，模式產(chǎn)生器ALPG可識別出作為試驗對象的塊 是不良塊。模式產(chǎn)生器ALPG改變試驗?zāi)Ｊ降漠a(chǎn)生序列(SllO)，以使不 執(zhí)行該塊的試驗，而使地址信息跳到下一塊內(nèi)的存儲單元的地址信息。艮口， 當(dāng)試驗對象塊是不良塊時，前進(jìn)到步驟S83，模式產(chǎn)生器ALPG使塊地址 增加。
當(dāng)MUT信號選擇了匹配信號時，多路轉(zhuǎn)接器MUX向模式產(chǎn)生器 ALPG輸出匹配標(biāo)識信號作為條件分支命令。模式產(chǎn)生器ALPG也可根據(jù)匹配信號識別出作為試驗對象的塊是不良塊。因此，模式產(chǎn)生器ALPG根 據(jù)匹配標(biāo)識信號也能執(zhí)行步驟S110。此外，MUT信號的設(shè)定可由用戶任 意設(shè)定。例如，MUT信號可設(shè)定為按每個測試周期選擇不良標(biāo)識信號或 匹配標(biāo)識信號中的任一個。
當(dāng)塊地址表示最終塊時，裝置100結(jié)束試驗。
以往，不良塊存儲器BBM進(jìn)行基于波形整形器FC的寫入禁止以及基 于邏輯比較器LC的比較禁止，但并不進(jìn)行試驗?zāi)Ｊ降漠a(chǎn)生序列的變更。 因此，以往的試驗裝置按不良塊的各頁進(jìn)行訪問。例如，設(shè)一次寫入訪問 時間為tl，設(shè)一次讀出時間為t2。當(dāng)一塊由64頁構(gòu)成時，在現(xiàn)有的裝置 中，訪問不良塊的時間為64X (tl+t2)。
根據(jù)本實施方式，由于從模式產(chǎn)生器ALPG輸出的試驗?zāi)Ｊ降漠a(chǎn)生序 列本身被變更，因此，可跳過對不良塊的訪問。所以，本實施方式的裝置 100可使訪問不良塊的時間大致為0。即，裝置100可省略訪問不良塊的 時間，因此能縮短試驗時間。
此外，上述裝置100是可在多個被試驗存儲器MUT之間非同步地產(chǎn) 生獨立的試驗?zāi)Ｊ降拿奎c測試器(per site tester)。由于裝置100是按位置 測試器，因此即使在并行接受試驗的某被試驗存儲器對不良塊進(jìn)行試驗的 情況下，裝置100也能跳過其他被試驗存儲器的不良塊，執(zhí)行下一塊的試 驗。
權(quán)利要求
1. 一種半導(dǎo)體試驗裝置，對被試驗存儲器進(jìn)行試驗，所述被試驗存儲 器將多個存儲單元中存儲的多個位作為頁，具備可按多個所述頁所構(gòu)成的 塊來改寫數(shù)據(jù)的塊功能，所述半導(dǎo)體試驗裝置包括模式產(chǎn)生部，其生成所述頁的地址信息，產(chǎn)生試驗?zāi)Ｊ剑徊ㄐ握尾?，其對所述試驗?zāi)Ｊ竭M(jìn)行整形，向由所述地址信息所確定 的頁內(nèi)的所述存儲單元輸出基于該試驗?zāi)Ｊ降脑囼炐盘?；比較部，其將從接受了所述試驗信號的所述被試驗存儲器輸出的結(jié)果 信號與期待值進(jìn)行比較；和不良塊存儲器，其預(yù)先存儲所述被試驗存儲器的不良塊的信息，在由 所述地址信息確定的所述頁包含在所述不良塊中的情況下輸出不良信號， 該不良信號用于使所述地址信息跳到該不良塊的下一個試驗對象塊中含 有的頁的地址信息。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體試驗裝置，其特征在于， 所述不良塊存儲器在由所述地址信息確定的所述存儲單元包含在所述不良塊中的情況下，向所述波形整形部輸出禁止所述試驗信號的輸出動 作的命令，并且，向所述比較部輸出禁止所述結(jié)果信號與所述期待值的比 較動作的命令。
3. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的半導(dǎo)體試驗裝置，其特征在于， 還包括條件分支命令變更部，其從所述模式生成部接受變更所述地址信息的生成模式的條件分支命令，基于所述不良信號對條件分支命令進(jìn)行 變更。
4. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體試驗裝置，其特征在于， 還包括條件分支命令變更部，其從所述模式生成部接受變更所述地ii信息的生成模式的條件分支命令，基于所述不良信號對條件分支命令進(jìn)行 變更。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體試驗裝置，其特征在于，所述不良信號在所述模式生成部中生成，并作為變更所述地址信息的 生成模式的條件分支命令而被輸出到所述模式產(chǎn)生部。
6. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體試驗裝置，其特征在于，所述不良信號在所述模式生成部中生成，并作為變更所述地址信息的 生成模式的條件分支命令而被輸出到所述模式產(chǎn)生部。
7. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體試驗裝置，其特征在于，所述不良信號在所述模式生成部中生成，并作為變更所述地址信息的 生成模式的條件分支命令而被輸出到所述模式產(chǎn)生部。
8. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體試驗裝置，其特征在于， 還包括匹配檢測部，其將從所述被試驗存儲器輸出的結(jié)果信號與期待值進(jìn)行比較，輸出表示該結(jié)果信號與該期待值一致或不一致的匹配信號，所述條件分支命令變更部包括多路轉(zhuǎn)接器，其選擇所述不良信號或所 述匹配檢測部的任一個作為所述條件分支命令。
9. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體試驗裝置，其特征在于， 還包括匹配檢測部，其將從所述被試驗存儲器輸出的結(jié)果信號與期待值進(jìn)行比較，輸出表示該結(jié)果信號與該期待值一致或不一致的匹配信號，所述條件分支命令變更部包括多路轉(zhuǎn)接器，其選擇所述不良信號或所 述匹配檢測部的任一個作為所述條件分支命令。
10. —種試驗方法，利用半導(dǎo)體試驗裝置對被試驗存儲器進(jìn)行試驗， 所述被試驗存儲器將多個存儲單元中存儲的多個位作為頁，具備可按多個 所述頁所構(gòu)成的塊來改寫數(shù)據(jù)的塊功能，所述半導(dǎo)體試驗裝置包括模式產(chǎn)生部，其生成所述頁的地址信息， 產(chǎn)生試驗?zāi)Ｊ?；波形整形部，其對所述試驗?zāi)Ｊ竭M(jìn)行整形，向由所述地址 信息確定的頁內(nèi)的所述存儲單元輸出基于該試驗?zāi)Ｊ降脑囼炐盘枺槐容^ 部，其將從接受了所述試驗信號的所述被試驗存儲器輸出的結(jié)果信號與期 待值進(jìn)行比較；和不良塊存儲器，其預(yù)先存儲所述被試驗存儲器的不良塊 的信息；該方法包括在由所述地址信息確定的所述頁包含在所述不良塊中的 情況下輸出不良信號的步驟，該不良信號用于使所述地址信息跳到該不^ 塊的下 一個試驗對象塊中含有的頁的地址信息。
11. 根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其特征在于，所述不良塊存儲器在所述不良信號輸出步驟中，向所述波形整形部輸 出禁止所述試驗信號的輸出動作的命令，并且，向所述比較部輸出禁止所 述結(jié)果信號與所述期待值的比較動作的命令。
12. 根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其特征在于， 還包括在所述模式生成部中生成所述不良信號，并將其作為變更所述地址信息的生成模式的條件分支命令而輸出到所述模式產(chǎn)生部的步驟。
13. 根據(jù)權(quán)利要求ll所述的方法，其特征在于， 還包括在所述模式生成部中生成所述不良信號，并將其作為變更所述地址信息的生成模式的條件分支命令而輸出到所述模式產(chǎn)生部的步驟。
全文摘要
本實施方式的試驗裝置對被試驗存儲器進(jìn)行試驗，所述被試驗存儲器將多個位作為頁，具備可按多個頁所構(gòu)成的塊來改寫數(shù)據(jù)的塊功能，所述試驗裝置包括模式產(chǎn)生部(ALPG)，其生成頁的地址信息，產(chǎn)生試驗?zāi)Ｊ?；波形整形?FC)，其對試驗?zāi)Ｊ竭M(jìn)行整形，輸出基于該試驗?zāi)Ｊ降脑囼炐盘枺槐容^部(LC)，其將從所述被試驗存儲器輸出的結(jié)果信號與期待值進(jìn)行比較；和不良塊存儲器(BBM)，其預(yù)先存儲被試驗存儲器的不良塊的信息，在由地址信息確定的頁包含在不良塊中的情況下輸出不良信號，該不良信號用于使地址信息跳到該不良塊的下一個試驗對象塊中含有的頁的地址信息。
文檔編號G11C29/56GK101313366SQ20078000021
公開日2008年11月26日 申請日期2007年4月20日 優(yōu)先權(quán)日2006年6月27日
發(fā)明者佐藤新哉, 太幡誠 申請人:株式會社愛德萬測試