專利名稱：用于控制非易失性存儲(chǔ)器檢測(cè)時(shí)間的方法及裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及非易失性存儲(chǔ)器，特別涉及用于讀取非易失性存儲(chǔ)器的檢測(cè)放大器的脈沖。
背景技術(shù)：
非易失性存儲(chǔ)器的測(cè)量通常依靠檢測(cè)放大器以比較來自該非易失性存儲(chǔ)器的電壓或電流與參考電壓或電流。讀取參考電平通常將會(huì)被置于將該檢測(cè)區(qū)間保持在一個(gè)邏輯間的級(jí)別。例如，假如較低范圍的臨界電壓代表第一邏輯值，例如是″1″，以及較高范圍的臨界電壓代表第二邏輯值，例如是″0″，則該讀取參考電平可以被置于在該較高和較低范圍的區(qū)間之內(nèi)。然而，更新參考電平可以被置于該讀取參考電平和該較高范圍的最小值之間；以及另一更新參考電平可以被置于該讀取參考電平和該較低范圍的最大值之間。利用該讀取參考電平和該更新參考電平測(cè)量的不一致顯示在更新存儲(chǔ)單元時(shí)，該存儲(chǔ)單元可以儲(chǔ)存對(duì)應(yīng)該較高范圍或該較低范圍的邏輯值的需要。編程檢查參考電平可以被置于該最高范圍的最小值。存儲(chǔ)檢查參考電平可以被置于該最低范圍的最大值。
此外，假如非易失性存儲(chǔ)單元儲(chǔ)存許多位，則存在多于兩個(gè)的臨界電壓范圍。因此，由多級(jí)儲(chǔ)存所特征化的非易失性存儲(chǔ)單元，具有讀取參考電平、更新參考電平、編程檢查電平，以及存儲(chǔ)檢查電平，用于介于任兩個(gè)相鄰臨界電壓范圍內(nèi)的每一邏輯電平間的區(qū)間。
許多依臨界值測(cè)量類型而變(例如，臨界值區(qū)間敏感度以及邏輯電平間的寬度)的不同參考電平的存在，使檢測(cè)放大器電路的設(shè)計(jì)變得復(fù)雜，因其對(duì)應(yīng)每一參考電平的參考電路都必須被連接至該檢測(cè)放大器電路。
因此，有需要簡(jiǎn)化用于檢測(cè)放大器電路的不同參考電平的產(chǎn)生電路。

發(fā)明內(nèi)容
該技術(shù)的一個(gè)特征是非易失性存儲(chǔ)器集成電路，其包含用以儲(chǔ)存數(shù)據(jù)的非易失性存儲(chǔ)器陣列，測(cè)量電路，以及控制電路。該測(cè)量電路連接至該非易失性存儲(chǔ)器陣列以測(cè)量檢測(cè)節(jié)點(diǎn)所代表的數(shù)據(jù)，以及包含至少一個(gè)檢測(cè)放大器。該控制電路連接至該至少一個(gè)檢測(cè)放大器。該控制電路產(chǎn)生至少該多重脈沖信號(hào)的一個(gè)脈沖信號(hào)，以及該控制電路選擇該多脈沖信號(hào)的一個(gè)脈沖信號(hào)，以控制儲(chǔ)存在非易失性存儲(chǔ)器陣列中的數(shù)據(jù)檢測(cè)放大器所執(zhí)行的測(cè)量。許多的臨界電壓測(cè)量類型特征化該多重脈沖信號(hào)，以及每一該臨界電壓的測(cè)量類型對(duì)應(yīng)至該多重脈沖信號(hào)的至少一個(gè)脈沖信號(hào)的一個(gè)特定的脈沖。
該技術(shù)的另一特征是一種用于操作非易失性存儲(chǔ)器檢測(cè)放大器電路的方法，其包含選取多重脈沖信號(hào)的一個(gè)脈沖信號(hào)，以控制儲(chǔ)存在非易失性存儲(chǔ)器陣列中的數(shù)據(jù)檢測(cè)放大器所執(zhí)行的測(cè)量。多重臨界電壓測(cè)量類型特征化該多重脈沖信號(hào)，以及每一臨界電壓測(cè)量類型對(duì)應(yīng)至該多重脈沖信號(hào)的至少一個(gè)脈沖信號(hào)的一個(gè)特定的脈沖。
在某些實(shí)施例中，該特定的脈沖控制一個(gè)檢測(cè)節(jié)點(diǎn)所代表該數(shù)據(jù)的放電時(shí)間。
在某些實(shí)施例中，該檢測(cè)放大器通過比較共同的參考電壓，執(zhí)行該多重臨界電壓測(cè)量類型。
在某些實(shí)施例中，該多重臨界電壓測(cè)量的類型由許多的邏輯間電平區(qū)間特征化。例如，三個(gè)邏輯間電平區(qū)間分割四個(gè)邏輯電平，因此，該非易失性存儲(chǔ)器陣列的每一特定位置儲(chǔ)存四個(gè)邏輯電平中的一個(gè)。在一實(shí)施例中，每一邏輯電平寬度小于400mV。
在某些實(shí)施例中，該多重臨界電壓測(cè)量類型是由許多的臨界電壓區(qū)間敏感度所特征化的。例如，決定是否更新該數(shù)據(jù)的第一敏感度，以及決定該數(shù)據(jù)的邏輯值的第二敏感度。在另一示例中，第一敏感度與該數(shù)據(jù)編程檢查相關(guān)而且第二敏感度決定該數(shù)據(jù)的邏輯值。在另一示例中，第一敏感度與該數(shù)據(jù)存儲(chǔ)檢查相關(guān)，而且第二敏感度決定該數(shù)據(jù)的邏輯值。在另一示例中，第一敏感度與該數(shù)據(jù)檢測(cè)區(qū)間的高邊界相關(guān)，以及第二敏感度與該數(shù)據(jù)檢測(cè)區(qū)間的低邊界相關(guān)，以及第三敏感度決定該數(shù)據(jù)的邏輯值。在另一示例中，第一敏感度與該數(shù)據(jù)編程檢查值相關(guān)，第二敏感度與該數(shù)據(jù)存儲(chǔ)檢查值相關(guān)，以及第三敏感度決定該數(shù)據(jù)的邏輯值。
在某些實(shí)施例中，該數(shù)據(jù)由臨界電壓特征化該非易失性存儲(chǔ)器陣列的特定的位置所代表。
在某些實(shí)施例中，該集成電路開機(jī)后，執(zhí)行更新檢測(cè)和更新至少部分的該陣列。
該技術(shù)的另一特征是非易失性存儲(chǔ)器集成電路，其包含用以儲(chǔ)存數(shù)據(jù)的非易失性存儲(chǔ)器陣列，測(cè)量電路，以及控制電路。該測(cè)量電路連接至該非易失性存儲(chǔ)器陣列以測(cè)量檢測(cè)節(jié)點(diǎn)所代表的數(shù)據(jù)，以及包含至少檢測(cè)放大器。該控制電路連接至該至少一個(gè)檢測(cè)放大器。該控制電路以許多的脈沖信號(hào)控制儲(chǔ)存在該非易失性存儲(chǔ)器陣列一個(gè)特定位置中的數(shù)據(jù)的多重檢測(cè)放大器測(cè)量。多重臨界電壓區(qū)間敏感度特征化該多重檢測(cè)放大器的測(cè)量，以及每一多重臨界電壓區(qū)間敏感度對(duì)應(yīng)至該多重脈沖信號(hào)的至少一個(gè)脈沖信號(hào)的一個(gè)特定的脈沖。
該技術(shù)的另一特征是一種用于操作非易失性存儲(chǔ)器檢測(cè)放大器電路的方法，其包含控制，以及多重脈沖信號(hào)，許多檢測(cè)放大器測(cè)量?jī)?chǔ)存在非易失性存儲(chǔ)器陣列中特定位置的數(shù)據(jù)。多重臨界電壓區(qū)間敏感度特征化該多重檢測(cè)放大器測(cè)量，以及每一多重臨界電壓區(qū)間敏感度對(duì)應(yīng)至多重脈沖信號(hào)的至少一個(gè)脈沖信號(hào)的一個(gè)特定的脈沖。
在某些實(shí)施例中，該特定的脈沖控制檢測(cè)節(jié)點(diǎn)所代表該數(shù)據(jù)的放電時(shí)間。
在某些實(shí)施例中，該多重檢測(cè)放大器的測(cè)量是通過執(zhí)行比較共同的參考電壓，而不論該多重臨界電壓區(qū)間敏感度。
在許多的示例中，該多重敏感度執(zhí)行下列許多的功能。第一敏感度決定是否更新該數(shù)據(jù)，以及第二敏感度決定該數(shù)據(jù)的邏輯值。第一敏感度與該數(shù)據(jù)編程檢查相關(guān)，以及第二敏感度決定該數(shù)據(jù)的邏輯值。第一敏感度與該數(shù)據(jù)存儲(chǔ)檢查相關(guān)，以及第二敏感度決定該數(shù)據(jù)的邏輯值。第一敏感度和第二敏感度決定是否更新該數(shù)據(jù)，以及第三敏感度決定該數(shù)據(jù)的邏輯值。第一敏感度與該數(shù)據(jù)檢測(cè)區(qū)間的高邊界相關(guān)，以及第二敏感度與該數(shù)據(jù)檢測(cè)區(qū)間的低邊界相關(guān)，以及第三敏感度決定該數(shù)據(jù)的邏輯值。第一敏感度與該數(shù)據(jù)編程檢查值相關(guān)，第二敏感度與該數(shù)據(jù)存儲(chǔ)檢查值相關(guān)，以及第三敏感度以定該數(shù)據(jù)的邏輯值。
在某些實(shí)施例中，該臨界電壓區(qū)間敏感度與邏輯間電平區(qū)間相關(guān)。此外，該多重臨界電壓區(qū)間敏感度與許多的邏輯間電平區(qū)間相關(guān)。
在某些實(shí)施例中，該數(shù)據(jù)由臨界電壓特征化該非易失性存儲(chǔ)器陣列的特定的位置所代表。
在某些實(shí)施例中，該數(shù)據(jù)是由在四個(gè)邏輯電平其中的一個(gè)且每一至少400mV寬的區(qū)間的臨界電壓所表示。
在某些實(shí)施例中，該非易失性存儲(chǔ)器陣列的該特定的位置是電荷陷獲存儲(chǔ)單元的數(shù)據(jù)儲(chǔ)存位置。在一示例中，該特定的位置是存儲(chǔ)單元的數(shù)據(jù)儲(chǔ)存位置。在另一示例中，該特定的位置是可編程電阻存儲(chǔ)單元的數(shù)據(jù)儲(chǔ)存位置。
在某些實(shí)施例中，至少一個(gè)檢測(cè)放大器包含一個(gè)檢測(cè)放大器，執(zhí)行該檢測(cè)放大器的測(cè)量。此外，至少一個(gè)檢測(cè)放大器包含多重檢測(cè)放大器，執(zhí)行該檢測(cè)放大器的測(cè)量。
在某些實(shí)施例中，在晶片開機(jī)時(shí)，完成該更新檢測(cè)和更新操作。


圖1描述使用normal_Iref和monitor_Iref的用于具有較窄電荷損失邊界的非易失性存儲(chǔ)單元的臨界電壓設(shè)計(jì)算法。
圖2描述使用normal_Iref、monitor_Iref1和monitor_Iref2的用于具有較窄電荷損失邊界以及較窄CM+RT+RD邊界的非易失性存儲(chǔ)單元的臨界電壓分布。
圖3描述結(jié)合該開機(jī)更新的方法A和方法B。
圖4描述用于圖3方法A儲(chǔ)存該更新標(biāo)記的步驟。
圖5A描述相似于圖2用于非易失性存儲(chǔ)單元的臨界電壓分布。
圖5B描述結(jié)合圖5A檢測(cè)時(shí)間對(duì)應(yīng)檢測(cè)節(jié)點(diǎn)電壓的圖形。
圖5C描述結(jié)合圖5A和5B，用于該較高和較低臨界電壓區(qū)間的正常檢測(cè)脈沖和更新檢測(cè)脈沖的電壓波形。
圖6A類似圖5B，描述用于多級(jí)單元應(yīng)用的檢測(cè)時(shí)間對(duì)應(yīng)檢測(cè)節(jié)點(diǎn)電壓的圖形。
圖6B類似圖5C，結(jié)合圖6A描述用于多級(jí)單元應(yīng)用的正常檢測(cè)脈沖的電壓波形。
圖6C類似圖5A，結(jié)合圖6A和圖6B描述用于多級(jí)單元應(yīng)用的臨界電壓分布。
圖7A類似圖5B和6A，描述用于更新次數(shù)和編程檢查次數(shù)，在多級(jí)單元應(yīng)用中的檢測(cè)時(shí)間對(duì)應(yīng)檢測(cè)節(jié)點(diǎn)電壓的圖形。
圖7B類似圖6B和5C，結(jié)合圖7A，描述用于更新次數(shù)和編程檢查次數(shù)，在多級(jí)單元應(yīng)用中的電壓波形。
圖8描述具有可變檢測(cè)放大器脈沖的集成電路的示例方框圖。
圖9描述用于執(zhí)行平行檢測(cè)以決定是否執(zhí)行具有正常檢測(cè)脈沖和更新檢測(cè)脈沖的該更新功能的區(qū)塊圖。正常檢測(cè)脈沖鎖住該正常數(shù)據(jù)，以及更新檢測(cè)脈沖鎖住該更新參考數(shù)據(jù)。
主要元件符號(hào)說明110存儲(chǔ)單元的初始分布111初始臨界電壓的中間值115該初始臨界電壓的高邊界120低臨界電壓循環(huán)的邊界
125循環(huán)裕量130臨界電壓在室溫下漂移和讀取的分布135變動(dòng)后低臨界電壓分布的低邊界141正常電流參考的邊界D1142監(jiān)測(cè)電流參考邊界D2145變動(dòng)后高臨界電壓分布的低邊界155高臨界電壓分布的低邊界160被編程單元的臨界電壓165高臨界電壓分布的高邊界201低臨界電壓分布的低邊界B1202低臨界電壓分布的高邊界B2203變動(dòng)后低臨界電壓分布的低邊界204變動(dòng)后高臨界電壓分布的低邊界205高臨界電壓分布的低邊界B3206高臨界電壓分布的高邊界B4207正常電流參考208監(jiān)測(cè)電流參考1209監(jiān)測(cè)電流參考2210高臨界電壓?jiǎn)卧碾姾蓳p失邊界D1211低臨界電壓?jiǎn)卧碾姾稍黾舆吔鏒2212較窄的檢測(cè)邊界D1’213較寬的檢測(cè)邊界D2’214初始臨界電壓分布215高臨界電壓分布216較寬的檢測(cè)邊界D1”217較窄的檢測(cè)邊界D2”301晶片開機(jī)303正常和更新讀取305更新是否需要307更新
309方法B終止311讀取該更新標(biāo)記信息313更新315存儲(chǔ)該更新標(biāo)記317方法A終止401建立該更新標(biāo)記403讀取模式命令405正常讀取和更新讀取407更新是否需要409編程更新標(biāo)記411讀取模式終止501低臨界電壓分布的低邊界B1502低臨界電壓分布的高邊界B2505高臨界電壓分布的低邊界B3506高臨界電壓分布的高邊界B4507正常電流參考電平508監(jiān)測(cè)電流參考電平1509監(jiān)測(cè)電流參考電平2512監(jiān)測(cè)電流參考電平1有較窄的檢測(cè)邊界514低臨界電壓分布515高臨界電壓分布517監(jiān)測(cè)電流參考電平2有較窄的檢測(cè)邊界551、552、555、556檢測(cè)時(shí)間561、565檢測(cè)時(shí)間的范圍581正常檢測(cè)脈沖582檢測(cè)低臨界電壓高邊界B2的檢測(cè)脈沖583檢測(cè)高臨界電壓低邊界B3的檢測(cè)脈沖613初始臨界電壓范圍614、615、616、617臨界電壓范圍661Level_1分布檢測(cè)時(shí)間范圍
665Level_2分布檢測(cè)時(shí)間范圍669Level_3分布檢測(cè)時(shí)間范圍673Level_4分布檢測(cè)時(shí)間范圍681、682、683檢測(cè)脈沖741、742、743檢測(cè)波形751、752、753檢測(cè)波形761、762、763檢測(cè)波形764Level_1分布765Level_2分布766Level_3分布767Level_4分布771、772、773檢測(cè)脈沖781、782、783檢測(cè)脈沖791、792、793檢測(cè)脈沖820檢測(cè)放大器電路830集成電路831正常檢測(cè)數(shù)據(jù)鎖832更新檢測(cè)數(shù)據(jù)鎖833比較邏輯840脈沖發(fā)生器841正常檢測(cè)脈沖組842更新檢測(cè)脈沖組850非易失性存儲(chǔ)器陣列900集成電路901行解碼器902字線903列解碼器904位線905總線906正常檢測(cè)放大器，監(jiān)測(cè)檢測(cè)放大器，比較區(qū)塊，數(shù)據(jù)輸入結(jié)構(gòu)，以及多脈沖電路區(qū)塊907數(shù)據(jù)總線908供應(yīng)電壓909讀取/存儲(chǔ)/編程狀態(tài)機(jī)911數(shù)據(jù)輸入線912數(shù)據(jù)輸出線950存儲(chǔ)器陣列具體實(shí)施方式
圖1描述用于具有較窄電荷損失邊界的非易失性存儲(chǔ)單元的臨界電壓設(shè)計(jì)算法。155是該數(shù)據(jù)陣列的臨界電壓分布的低邊界。110是該單元的初始分布。111是該初始臨界電壓的中間值。115是該初始臨界電壓的高邊界。120是該低臨界電壓循環(huán)的邊界。130是該臨界電壓在室溫下漂移和讀取的分布。155是該高臨界電壓分布的低邊界。160是該被編程單元的臨界電壓。165是該高臨界電壓分布的高邊界。141是該正常電流參考的邊界D1，其對(duì)應(yīng)較寬的電荷損失邊界。142是該監(jiān)測(cè)電流參考邊界D2，其具有比該正常電流參考電平141窄的區(qū)間。因此，可以更快的檢測(cè)電荷保存失效。該較窄的邊界因此控制該存儲(chǔ)單元的更新時(shí)間。下表顯示沿著該電壓軸對(duì)應(yīng)不同點(diǎn)的該臨界電壓。依據(jù)該算法，數(shù)據(jù)單元并不需要長(zhǎng)時(shí)間保持大的電荷損失邊界。以該算法，該數(shù)據(jù)單元可以保持較小的循環(huán)邊界以及改善該非易失性存儲(chǔ)單元的操作區(qū)間。Monitor_Iref_2電平可以被調(diào)整以監(jiān)測(cè)該C.M.和R.T.+R.D.區(qū)間，以縮小該區(qū)間以及改善該操作區(qū)間。該更新動(dòng)作包含編程和存儲(chǔ)功能，其依據(jù)是否該被編程的單元有電荷損失以及該被存儲(chǔ)的單元有電荷增加。
參考號(hào)碼 邊界模式15毫安培 目標(biāo)元件1毫安培 臨界電壓111 3.05伏特 1.90伏特115 3.45伏特 2.3伏特125 3.85伏特 2.7伏特135 4.0伏特 2.85伏特
1454.7伏特3.55伏特1554.9伏特3.75伏特1655.6伏特4.45伏特圖2描述存儲(chǔ)單元的臨界電壓分布。201是該低臨界電壓分布的低邊界B1。202是該低臨界電壓分布的高邊界B2。205是該高臨界電壓分布的低邊界B3。206是該高臨界電壓分布的高邊界B4。正常的檢測(cè)放大器將會(huì)使用normal_Iref207檢測(cè)該存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，以及對(duì)高臨界電壓?jiǎn)卧碾姾蓳p失有邊界D1 210，和對(duì)低臨界電壓?jiǎn)卧碾姾稍黾佑羞吔鏒2 211。若是沒有該更新機(jī)制，該存儲(chǔ)器需要保留大的區(qū)間以使存儲(chǔ)單元可以有電荷損失或電荷增加，例如在10K循環(huán)以及10年之后。該設(shè)計(jì)受到寬電路檢測(cè)區(qū)間的困擾，特別是用于多級(jí)單元中。具有monitor_Iref1 208和monitor_Iref2 209的存儲(chǔ)器檢測(cè)可以縮小該存儲(chǔ)單元的臨界電壓邊界。例如，monitor_Iref1 208比D1 210有較窄的檢測(cè)邊界D1’212，且比D2 211有較寬的檢測(cè)邊界D2’213，因此，monitor_Iref1對(duì)高臨界電壓?jiǎn)卧休^小的檢測(cè)區(qū)間，以及對(duì)低臨界電壓?jiǎn)卧休^大的檢測(cè)區(qū)間。因?yàn)樵趍onitor_Iref1高臨界電壓?jiǎn)卧鹊团R界電壓?jiǎn)卧菀资?，monitor_Iref1被用來檢測(cè)該高臨界電壓邊界。在該高臨界電壓存儲(chǔ)單元有一些電荷損失后，以monitor_Iref1的檢測(cè)會(huì)失效，但是以normal_Iref的檢測(cè)依然成功。假如以normal_Iref檢測(cè)的該邏輯數(shù)據(jù)是高臨界電壓，則由normal_Iref所檢測(cè)的該邏輯數(shù)據(jù)是與由monitor_Iref1所檢測(cè)的該第一邏輯數(shù)據(jù)進(jìn)行比較。假如該比較的結(jié)果不相符，則該存儲(chǔ)器知道該存儲(chǔ)單元所在的存儲(chǔ)器區(qū)塊需要執(zhí)行更新。同樣地，monitor_Iref2 209比D1 210有較寬的檢測(cè)邊界D1”216，且比D2 211有較窄的檢測(cè)邊界D2”217，因此，monitor_Iref2對(duì)低臨界電壓?jiǎn)卧休^小的檢測(cè)區(qū)間，以及對(duì)高臨界電壓?jiǎn)卧休^大的檢測(cè)區(qū)間。因?yàn)樵趍onitor_Iref2低臨界電壓?jiǎn)卧雀吲R界電壓?jiǎn)卧菀资?，monitor_Iref2被用來檢測(cè)該低臨界電壓邊界。在該低臨界電壓存儲(chǔ)單元有電荷增加后，以monitor_Iref2的檢測(cè)會(huì)失效，但是以normal_Iref的檢測(cè)依然成功。假如以normal_Iref檢測(cè)的該邏輯數(shù)據(jù)是低臨界電壓，則由normal_Iref所檢測(cè)的該邏輯數(shù)據(jù)是與由monitor_Iref2所檢測(cè)的該第二邏輯數(shù)據(jù)進(jìn)行比較。假如該比較的結(jié)果不相符，則該存儲(chǔ)器知道該存儲(chǔ)單元所在的存儲(chǔ)器區(qū)塊需要執(zhí)行更新。Monitor_Iref1和monitor_Iref2可以同時(shí)或分開使用。例如假如該數(shù)據(jù)＝“1”，則與該第一邏輯數(shù)據(jù)進(jìn)行比較，假如該數(shù)據(jù)＝“0”，則與該第二邏輯數(shù)據(jù)進(jìn)行比較。該敘述描述自高臨界電壓?jiǎn)卧碾姾蓳p失，以及在低臨界電壓?jiǎn)卧械碾姾稍黾印?br> 圖3和4描述用于晶片開機(jī)時(shí)控制該更新功能的步驟流程圖。圖3描述2個(gè)方法，方法A和B。在方法B中，晶片開機(jī)301隨后是正常和更新讀取303，以及是否需要更新的測(cè)試305。假如不需要更新的話，則方法B終止于309。假如需要更新的話則進(jìn)行更新307，隨后方法B終止于309。在方法A中，晶片開機(jī)301隨后是讀取該更新標(biāo)記信息311，進(jìn)行更新313，消除該更新標(biāo)記315，以及結(jié)束方法A317。圖4描述關(guān)于圖3方法A的更新標(biāo)記的額外信息。建立該更新標(biāo)記401后是跟隨讀取模式命令403，正常讀取和更新讀取405，以及是否需要更新的測(cè)試407。假如不需要更新的話，則讀取模式終止411。假如需要更新的話，則該更新標(biāo)記被編程409，隨后讀取模式終止411。
圖5A-5C，6A-6C，以及7A-7B圖描述用于檢測(cè)放大器決定由該檢測(cè)放大器所執(zhí)行的該測(cè)量類型的特定脈沖信號(hào)的時(shí)序。
圖5A描述類似于圖2用于非易失性存儲(chǔ)單元的臨界電壓分布。顯示2個(gè)邏輯狀態(tài)，一個(gè)對(duì)應(yīng)該低臨界電壓分布514，以及另一個(gè)對(duì)應(yīng)該高臨界電壓分布515。501是該低臨界電壓分布的低邊界B1。502是該低臨界電壓分布的高邊界B2。505是該高臨界電壓分布的低邊界B3。506是該高臨界電壓分布的高邊界B4。正常檢測(cè)放大器將會(huì)使用normal_Iref 507檢測(cè)該存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。Monitor_Iref1 508和monitor_Iref2 509縮小該存儲(chǔ)單元的該臨界電壓的邊界。Monitor_Iref1 508有較窄的檢測(cè)邊界D1’512，因此monitor_Iref1 508對(duì)高臨界電壓?jiǎn)卧休^小的檢測(cè)區(qū)間。Monitor_Iref1 508被用來檢測(cè)該高臨界電壓的邊界。在存儲(chǔ)單元的該高臨界電壓有一些電荷損失之后，以monitor_Iref1的檢測(cè)會(huì)失效，但是以normal_Iref的檢測(cè)依然成功。假如以normal_Iref檢測(cè)的該邏輯數(shù)據(jù)是高臨界電壓，則由normal_Iref所檢測(cè)的該邏輯數(shù)據(jù)是與由monitor_Iref1所檢測(cè)的該第一邏輯數(shù)據(jù)進(jìn)行比較。假如該比較的結(jié)果不相符，則該存儲(chǔ)器知道該存儲(chǔ)單元所在的存儲(chǔ)器區(qū)塊需要執(zhí)行更新。同樣地，monitor_Iref2 509有較窄的檢測(cè)邊界D2”517，因此，monitor_Iref2對(duì)低臨界電壓?jiǎn)卧休^小的檢測(cè)區(qū)間。因?yàn)樵趍onitor_Iref2低臨界電壓?jiǎn)卧雀吲R界電壓?jiǎn)卧菀资?，monitor_Iref2被用來檢測(cè)該低臨界電壓邊界。在該低臨界電壓存儲(chǔ)單元有電荷增加之后，以monitor_Iref2的檢測(cè)會(huì)失效，但是以normal_Iref的檢測(cè)依然成功。假如以normal_Iref檢測(cè)的該邏輯數(shù)據(jù)是低臨界電壓，則由normal_Iref所檢測(cè)的該邏輯數(shù)據(jù)是與由monitor_Iref2所檢測(cè)的該第二邏輯數(shù)據(jù)進(jìn)行比較。假如該比較的結(jié)果不相符，則該存儲(chǔ)器知道該存儲(chǔ)單元所在的存儲(chǔ)器區(qū)塊需要執(zhí)行更新。Monitor_Iref1和monitor_Iref2可以同時(shí)或分開使用。例如假如該數(shù)據(jù)＝“1”，則與該第一邏輯數(shù)據(jù)進(jìn)行比較，假如該數(shù)據(jù)＝“0”，則與該第二邏輯數(shù)據(jù)進(jìn)行比較。該段敘述描述自高臨界電壓?jiǎn)卧碾姾蓳p失，以及在低臨界電壓?jiǎn)卧械碾姾稍黾印?br> 圖5B顯示，結(jié)合圖5A，檢測(cè)時(shí)間對(duì)應(yīng)檢測(cè)節(jié)點(diǎn)電壓的圖形。在每一檢測(cè)放大器測(cè)量前，被該檢測(cè)放大器所測(cè)量節(jié)點(diǎn)的節(jié)點(diǎn)電壓被充電至為V_sensing_begin的電壓。在測(cè)量期間，流經(jīng)該被測(cè)量非易失性單元的電流將該檢測(cè)節(jié)點(diǎn)電壓改變至目標(biāo)值V_ref。流經(jīng)該被測(cè)量非易失性單元的電流振幅，代表特征化該被測(cè)量非易失性單元的臨界電壓。該檢測(cè)節(jié)點(diǎn)電壓改變至V_ref，假如該被測(cè)量的非易失性單元是被圖5A中的臨界電壓所特征化，以及流經(jīng)該被測(cè)量非易失性單元的電流持續(xù)有如圖5B中所示的檢測(cè)時(shí)間。假如在該特定檢測(cè)時(shí)間消逝后，該檢測(cè)節(jié)點(diǎn)電壓與V_ref的比較顯示該節(jié)點(diǎn)電壓介于V_sensing_begin和V_ref之間，則流經(jīng)該被測(cè)量非易失性單元的電流是低于預(yù)期的，以及特征化該被測(cè)量非易失性單元的臨界電壓的振幅是高于預(yù)期的。相同地，假如在該特定檢測(cè)時(shí)間消逝之后，該檢測(cè)節(jié)點(diǎn)電壓與V_ref的比較顯示該節(jié)點(diǎn)電壓的變化大于|V_sensing_begin-V_ref|，則流經(jīng)該被測(cè)量非易失性單元的電流是高于預(yù)期的，以及特征化該被測(cè)量非易失性單元的臨界電壓的振幅是低于預(yù)期的。臨界電壓的范圍514和515，分別對(duì)應(yīng)檢測(cè)時(shí)間的范圍561和565。檢測(cè)時(shí)間551和552，分別對(duì)應(yīng)該臨界電壓501和502。檢測(cè)時(shí)間555和556，分別對(duì)應(yīng)該臨界電壓505和506。
圖5C顯示結(jié)合圖5B和5A，用于該較高和較低臨界電壓區(qū)間的正常檢測(cè)脈沖和更新檢測(cè)脈沖的電壓波形。正常檢測(cè)脈沖581對(duì)應(yīng)至正常Iref電平507，以及決定是否該被測(cè)量非易失性單元有邏輯值對(duì)應(yīng)至該低臨界電壓分布514，或是該高臨界電壓分布515。檢測(cè)脈沖582檢測(cè)對(duì)應(yīng)至監(jiān)測(cè)Iref_2電平509的低臨界電壓VT高邊界B2。檢測(cè)脈沖583檢測(cè)對(duì)應(yīng)至監(jiān)測(cè)Iref_1電平508的高臨界電壓VT低邊界B3。
圖6A類似圖5B，但是顯示用于多級(jí)單元應(yīng)用的檢測(cè)時(shí)間對(duì)應(yīng)檢測(cè)節(jié)點(diǎn)電壓的圖形。圖6B類似圖5C，結(jié)合圖6A，顯示用于多級(jí)單元應(yīng)用的正常檢測(cè)脈沖的電壓波形。圖6C類似圖5A，結(jié)合圖6A和6B，顯示用于多級(jí)單元應(yīng)用的臨界電壓分布。臨界電壓范圍614、615、616和617分別對(duì)應(yīng)至檢測(cè)時(shí)間范圍661、665、669和673。該臨界電壓范圍是由邏輯間電平區(qū)間所區(qū)隔。該檢測(cè)脈沖681、682和683分別對(duì)應(yīng)不同的邏輯間電平區(qū)間。檢測(cè)脈沖681對(duì)應(yīng)臨界電壓RD1，因此分布在臨界電壓分布614，以及臨界電壓分布615、616、和617之間。檢測(cè)脈沖682對(duì)應(yīng)至臨界電壓RD2，因此分布在臨界電壓分布614和615，以及臨界電壓分布616和617之間。檢測(cè)脈沖683對(duì)應(yīng)臨界電壓RD3，因此分布在臨界電壓分布614、615、和616，以及臨界電壓分布617之間。圖6C同時(shí)描述每一邏輯間電平區(qū)間的寬度是250mV，以及每一該臨界電壓分布615、616、和617的寬度是400mV。臨界電壓分布614的高邊界是EV1，低于RD1 150mV。臨界電壓分布615的低邊界是PV1，高于RD1 100mV。臨界電壓分布615的高邊界是EV2，低于RD2 125mV。臨界電壓分布616的低邊界是PV2，高于RD2 125mV。臨界電壓分布616的高邊界是EV3，低于RD3100mV。臨界電壓分布617的低邊界是PV3，高于RD3 150mV。更新脈沖在此并沒有顯示，但是顯示在另一個(gè)實(shí)施例中。
圖7A類似圖5B和6A，顯示用于更新次數(shù)和編程檢查次數(shù)，在多級(jí)單元應(yīng)用中的檢測(cè)時(shí)間對(duì)應(yīng)檢測(cè)節(jié)點(diǎn)電壓的圖形。圖7B類似圖6B和5C，結(jié)合圖7A，顯示用于更新次數(shù)和編程檢查次數(shù)，在多級(jí)單元應(yīng)用中的電壓波形。檢測(cè)波形741、742和743，以及對(duì)應(yīng)的檢測(cè)脈沖771、772和773被用來區(qū)別在圖6A-6C中所討論的臨界電壓分布。4個(gè)不同的臨界電壓分布是由Level_1分布764，Level_2分布765，Level_3分布766，和Level_4分布767所代表。檢測(cè)波形741對(duì)應(yīng)檢測(cè)脈沖Iref_1 771，其脈沖邊緣在Read1時(shí)間。檢測(cè)波形742對(duì)應(yīng)檢測(cè)脈沖Iref_2 772，其脈沖邊緣在Read2時(shí)間。檢測(cè)波形743對(duì)應(yīng)檢測(cè)脈沖Iref_3 773，其脈沖邊緣在Read3時(shí)間。檢測(cè)波形751對(duì)應(yīng)檢測(cè)脈沖Iref_1’781，其脈沖邊緣在Refresh1時(shí)間。檢測(cè)波形752對(duì)應(yīng)檢測(cè)脈沖Iref_2’782，其脈沖邊緣在Retresh2時(shí)間。檢測(cè)波形753對(duì)應(yīng)檢測(cè)脈沖Iref_3’783，其脈沖邊緣在Refresh3時(shí)間。檢測(cè)波形761、762和763，以及對(duì)應(yīng)的檢測(cè)脈沖791、792和793被用來編程檢查。檢測(cè)波形761對(duì)應(yīng)檢測(cè)脈沖I_PV1 791，其脈沖邊緣在PV1時(shí)間。檢測(cè)波形762對(duì)應(yīng)檢測(cè)脈沖I_PV2 792，其脈沖邊緣在PV2時(shí)間。檢測(cè)波形763對(duì)應(yīng)檢測(cè)脈沖I_PV3 793，其脈沖邊緣在PV3時(shí)間。用于電荷增加的存儲(chǔ)檢查脈沖和更新脈沖在此并沒有顯示，但是其中的1或2個(gè)是顯示在另一個(gè)實(shí)施例中。
圖8描繪具有可變檢測(cè)放大器脈沖的集成電路的示例方塊圖。非易失性存儲(chǔ)器陣列850包含非易失性存儲(chǔ)單元，其通過施加適當(dāng)?shù)碾妷涸谧志€WL和位線BL上讀取。在該被測(cè)量單元一端的位線接地。在該被測(cè)量單元另一端的位線被連接至檢測(cè)節(jié)點(diǎn)，以及被施加開始檢測(cè)電壓V_sensing_begin。脈沖電路例如脈沖發(fā)生器840決定流經(jīng)該被測(cè)量單元的電流的時(shí)間長(zhǎng)短。在脈沖發(fā)生器840決定檢測(cè)時(shí)間之后，檢測(cè)放大器電路820比較該檢測(cè)節(jié)點(diǎn)電壓與參考電壓V_ref。該檢測(cè)是以正常的檢測(cè)脈沖組841來執(zhí)行，以及將該結(jié)果儲(chǔ)存在正常檢測(cè)數(shù)據(jù)鎖831中，以及輸出至Dout_0或Dout_1。該檢測(cè)是以更新檢測(cè)脈沖組842來執(zhí)行，以及將該結(jié)果儲(chǔ)存在更新檢測(cè)數(shù)據(jù)鎖832中。比較邏輯833比較儲(chǔ)存在正常檢測(cè)數(shù)據(jù)鎖831中和更新檢測(cè)數(shù)據(jù)鎖832中的該結(jié)果。假如該結(jié)果相符，則該比較邏輯833輸出信號(hào)Refresh_need。
圖9是具有非易失性存儲(chǔ)單元和該更新電路的集成電路的簡(jiǎn)化的附圖。該集成電路900包含存儲(chǔ)器陣列950，是由數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器單元在半導(dǎo)體襯底上實(shí)施而成。該存儲(chǔ)單元陣列950可以是個(gè)別的單元，陣列間的相互連接，或多重陣列間相互的連接。行解碼器901連接至許多的字線902，該字線在存儲(chǔ)器陣列950中沿著行的方向安排。列解碼器903連接至許多的位線904，該位線在存儲(chǔ)器陣列950中沿著列的方向安排。位址經(jīng)由總線905傳送至列解碼器903和行解碼器901。在區(qū)塊906中的正常檢測(cè)放大器，監(jiān)測(cè)檢測(cè)放大器，比較區(qū)塊，數(shù)據(jù)輸入結(jié)構(gòu)，以及多脈沖電路經(jīng)由數(shù)據(jù)總線907連接至列解碼器903。數(shù)據(jù)是來自在該集成電路900上的輸入輸出端口經(jīng)由該數(shù)據(jù)輸入線911，或是來自該集成電路900內(nèi)部或外部其他數(shù)據(jù)來源，傳送至該數(shù)據(jù)輸入結(jié)構(gòu)區(qū)塊906。在區(qū)塊906中的多脈沖電路控制供給檢測(cè)放大器的不同的脈沖。數(shù)據(jù)是自區(qū)塊906中的檢測(cè)放大器經(jīng)由該數(shù)據(jù)輸出線912傳送至該集成電路900上的輸入輸出端口，或是至該集成電路900內(nèi)部或外部其他數(shù)據(jù)目的地。
本發(fā)明參照以上該些最佳實(shí)施例和詳細(xì)描述的示例而公開，可以了解的是，這些示例僅只是用來描述而非限制本發(fā)明?？梢粤私獾氖潜绢I(lǐng)域的技術(shù)人員可以容易的修改和組合本發(fā)明，而不會(huì)超出隨后的權(quán)利要求書所主張的范圍。
權(quán)利要求
1.一種非易失性存儲(chǔ)器集成電路，其包含非易失性存儲(chǔ)器陣列，用以儲(chǔ)存數(shù)據(jù)；測(cè)量電路，連接至該非易失性存儲(chǔ)器陣列以測(cè)量檢測(cè)節(jié)點(diǎn)所代表的數(shù)據(jù)，包含至少一個(gè)檢測(cè)放大器；以及控制電路，連接至該至少一個(gè)檢測(cè)放大器，該控制電路產(chǎn)生多個(gè)脈沖信號(hào)的至少一個(gè)脈沖信號(hào)，以及該控制電路選擇多個(gè)脈沖信號(hào)的一個(gè)脈沖信號(hào)，以控制由該檢測(cè)放大器執(zhí)行測(cè)量?jī)?chǔ)存在該非易失性存儲(chǔ)器陣列中的數(shù)據(jù)，其中多個(gè)臨界電壓測(cè)量類型特征化該多個(gè)脈沖信號(hào)，以及該多個(gè)臨界電壓測(cè)量類型的每一臨界電壓的測(cè)量類型對(duì)應(yīng)該多個(gè)脈沖信號(hào)的至少一個(gè)脈沖信號(hào)的特定的脈沖。
2.如權(quán)利要求1所述的電路，其中該特定的脈沖控制檢測(cè)節(jié)點(diǎn)所代表該數(shù)據(jù)的放電時(shí)間。
3.如權(quán)利要求1所述的電路，其中該檢測(cè)放大器通過比較共同參考電壓，來執(zhí)行該多個(gè)臨界電壓測(cè)量類型。
4.如權(quán)利要求1所述的電路，其中該多個(gè)臨界電壓測(cè)量類型由多個(gè)邏輯間電平區(qū)間所特征化。
5.如權(quán)利要求1所述的電路，其中該多個(gè)臨界電壓測(cè)量類型由三個(gè)邏輯間電平區(qū)間區(qū)分四個(gè)邏輯電平所特征化，其中該非易失性存儲(chǔ)器陣列的每一特定位置儲(chǔ)存該四個(gè)邏輯電平之一。
6.如權(quán)利要求1所述的電路，其中該多個(gè)臨界電壓測(cè)量類型是由三個(gè)邏輯間電平區(qū)間區(qū)分四個(gè)邏輯電平所特征化，其中該非易失性存儲(chǔ)器陣列的每一特定位置儲(chǔ)存該四個(gè)邏輯電平之一，以及該四個(gè)邏輯電平的每一區(qū)間寬度小于400mV。
7.如權(quán)利要求1所述的電路，其中該多個(gè)臨界電壓測(cè)量類型由多個(gè)臨界電壓區(qū)間敏感度所特征化。
8.如權(quán)利要求1所述的電路，其中該多個(gè)臨界電壓測(cè)量類型由決定是否更新該數(shù)據(jù)的第一敏感度，以及決定該數(shù)據(jù)的邏輯值的第二敏感度所特征化。
9.如權(quán)利要求1所述的電路，其中該多個(gè)臨界電壓測(cè)量類型由伴隨該數(shù)據(jù)編程檢查的第一敏感度，以及決定該數(shù)據(jù)的邏輯值的第二敏感度所特征化。
10.如權(quán)利要求1所述的電路，其中該多個(gè)臨界電壓測(cè)量類型由伴隨該數(shù)據(jù)存儲(chǔ)檢查的第一敏感度，以及決定該數(shù)據(jù)的邏輯值的第二敏感度所特征化。
11.如權(quán)利要求1所述的電路，其中該數(shù)據(jù)是臨界電壓特征化該非易失性存儲(chǔ)器陣列的特定的位置所代表。
12.如權(quán)利要求1所述的電路，其中在該集成電路開機(jī)后，執(zhí)行更新檢測(cè)和更新至少部分的該陣列。
13.一種用于操作非易失性存儲(chǔ)器檢測(cè)放大器電路的方法，其包含選取多個(gè)脈沖信號(hào)的一個(gè)脈沖信號(hào)，以控制由檢測(cè)放大器執(zhí)行儲(chǔ)存在非易失性存儲(chǔ)器陣列中的數(shù)據(jù)的測(cè)量，其中多個(gè)臨界電壓測(cè)量類型特征化該多個(gè)脈沖信號(hào)，以及該多個(gè)臨界電壓測(cè)量類型的每一臨界電壓的的測(cè)量類型對(duì)應(yīng)多個(gè)脈沖信號(hào)的至少一個(gè)脈沖信號(hào)的一個(gè)特定的脈沖。
14.如權(quán)利要求13所述的方法，其中該特定的脈沖控制檢測(cè)節(jié)點(diǎn)代表該數(shù)據(jù)的放電時(shí)間。
15.如權(quán)利要求13所述的方法，其中該檢測(cè)放大器通過比較共同的參考電壓執(zhí)行該多個(gè)臨界電壓測(cè)量類型。
16.如權(quán)利要求13所述的方法，其中該多個(gè)臨界電壓測(cè)量類型由多個(gè)邏輯間電平區(qū)間所特征化。
17.如權(quán)利要求13所述的方法，其中該多個(gè)臨界電壓測(cè)量類型由三個(gè)邏輯間電平區(qū)間區(qū)分四個(gè)邏輯電平所特征化，其中該非易失性存儲(chǔ)器陣列的每一特定位置儲(chǔ)存該四個(gè)邏輯電平之一。
18.如權(quán)利要求13所述的方法，其中該多個(gè)臨界電壓測(cè)量類型由三個(gè)邏輯間電平區(qū)間區(qū)分四個(gè)邏輯電平所特征化，其中該非易失性存儲(chǔ)器陣列的每一特定位置儲(chǔ)存該四個(gè)邏輯電平之一，以及該四個(gè)邏輯電平的每一區(qū)間寬度小于400mV。
19.如權(quán)利要求13所述的方法，其中該多個(gè)臨界電壓測(cè)量類型由多個(gè)臨界電壓區(qū)間敏感度所特征化。
20.如權(quán)利要求13所述的方法，其中該多個(gè)臨界電壓測(cè)量類型由決定是否更新該數(shù)據(jù)的第一敏感度，以及決定該數(shù)據(jù)的邏輯值的第二敏感度所特征化。
21.如權(quán)利要求13所述的方法，其中該多個(gè)臨界電壓測(cè)量類型由與該數(shù)據(jù)編程檢查相關(guān)的第一敏感度，以及決定該數(shù)據(jù)的邏輯值的第二敏感度所特征化。
22.如權(quán)利要求13所述的方法，其中該多個(gè)臨界電壓測(cè)量類型由伴隨該數(shù)據(jù)存儲(chǔ)檢查的第一敏感度，以及決定該數(shù)據(jù)的邏輯值的第二敏感度所特征化。
23.如權(quán)利要求13所述的方法，其中該數(shù)據(jù)由臨界電壓特征化該非易失性存儲(chǔ)器陣列的特定位置所代表。
24.如權(quán)利要求13所述的方法，其中該多個(gè)臨界電壓測(cè)量類型由與該數(shù)據(jù)檢測(cè)區(qū)間的高邊界相關(guān)的第一敏感度，以及該數(shù)據(jù)檢測(cè)區(qū)間的低邊界的第二敏感度，以及決定該數(shù)據(jù)的邏輯值的第三敏感度所特征化。
25.如權(quán)利要求13所述的方法，其中該多個(gè)臨界電壓測(cè)量類型是與該數(shù)據(jù)編程檢查值相關(guān)的第一敏感度，伴隨該數(shù)據(jù)存儲(chǔ)檢查值的第二敏感度，以及以決定該數(shù)據(jù)的邏輯值的第三敏感度所特征化。
26.如權(quán)利要求13所述的方法，其中在該集成電路開機(jī)后，執(zhí)行更新檢測(cè)和更新至少部分的該陣列。
27.一種非易失性存儲(chǔ)器集成電路，其包含用以儲(chǔ)存數(shù)據(jù)的非易失性存儲(chǔ)器陣列；測(cè)量電路，連接至該非易失性存儲(chǔ)器陣列以測(cè)量檢測(cè)節(jié)點(diǎn)所代表的數(shù)據(jù)，包含至少檢測(cè)放大器；以及控制電路，連接至該至少檢測(cè)放大器，該控制電路利用多個(gè)脈沖信號(hào)控制，以多個(gè)檢測(cè)放大器測(cè)量該非易失性存儲(chǔ)器陣列的特定位置所儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)，其中多個(gè)臨界電壓區(qū)間敏感度特征化該多個(gè)檢測(cè)放大器的測(cè)量，以及該多個(gè)臨界電壓區(qū)間敏感度的每一臨界電壓區(qū)間敏感度對(duì)應(yīng)多個(gè)脈沖信號(hào)的至少一個(gè)脈沖信號(hào)的一個(gè)特定的脈沖。
28.如權(quán)利要求27所述的電路，其中該特定的脈沖控制檢測(cè)節(jié)點(diǎn)所代表該數(shù)據(jù)的放電時(shí)間。
29.如權(quán)利要求27所述的電路，其中該多個(gè)檢測(cè)放大器的測(cè)量通過執(zhí)行比較共同的參考電壓，而不論該多個(gè)臨界電壓區(qū)間敏感度。
30.如權(quán)利要求27所述的電路，其中該多個(gè)臨界電壓區(qū)間敏感度包含決定是否更新該數(shù)據(jù)的第一敏感度，以及以決定該數(shù)據(jù)的邏輯值的第二敏感度。
31.如權(quán)利要求27所述的電路，其中該多個(gè)臨界電壓區(qū)間敏感度包含與該數(shù)據(jù)編程檢查相關(guān)的第一敏感度，以及決定該數(shù)據(jù)的邏輯值的第二敏感度。
32.如權(quán)利要求27所述的電路，其中該多個(gè)臨界電壓區(qū)間敏感度包含與該數(shù)據(jù)存儲(chǔ)檢查相關(guān)的第一敏感度，以及決定該數(shù)據(jù)的邏輯值的第二敏感度。
33.如權(quán)利要求27所述的電路，其中該多個(gè)臨界電壓區(qū)間敏感度與邏輯間電平區(qū)間相關(guān)。
34.如權(quán)利要求27所述的電路，其中該多個(gè)臨界電壓區(qū)間敏感度與多個(gè)邏輯間電平區(qū)間相關(guān)。
35.如權(quán)利要求27所述的電路，其中該數(shù)據(jù)由臨界電壓特征化該非易失性存儲(chǔ)器陣列的特定位置所代表。
36.如權(quán)利要求27所述的電路，其中該數(shù)據(jù)是由在四個(gè)邏輯電平之一，且每一至少寬400mV的區(qū)間的臨界電壓所表示。
37.如權(quán)利要求27所述的電路，其中該非易失性存儲(chǔ)器陣列的該特定位置是電荷陷獲存儲(chǔ)單元的數(shù)據(jù)儲(chǔ)存位置。
38.如權(quán)利要求27所述的電路，其中該非易失性存儲(chǔ)器陣列的該特定的位置是存儲(chǔ)單元的數(shù)據(jù)儲(chǔ)存位置。
39.如權(quán)利要求27所述的電路，其中該非易失性存儲(chǔ)器陣列的該特定位置是可編程電阻存儲(chǔ)單元的數(shù)據(jù)儲(chǔ)存位置。
40.如權(quán)利要求27所述的電路，其中該至少一個(gè)檢測(cè)放大器包含一個(gè)檢測(cè)放大器執(zhí)行該多個(gè)檢測(cè)放大器測(cè)量。
41.如權(quán)利要求27所述的電路，其中該至少一個(gè)檢測(cè)放大器包含多個(gè)檢測(cè)放大器執(zhí)行該多個(gè)檢測(cè)放大器測(cè)量。
42.如權(quán)利要求27所述的電路，其中該多個(gè)臨界電壓區(qū)間敏感度包含決定是否更新該數(shù)據(jù)的第一敏感度和第二敏感度，以及決定該數(shù)據(jù)的邏輯值的第三敏感度。
43.如權(quán)利要求27所述的電路，其中該多個(gè)臨界電壓測(cè)量類型由與該數(shù)據(jù)檢測(cè)區(qū)間的高邊界相關(guān)的第一敏感度，以及與該數(shù)據(jù)檢測(cè)區(qū)間的低邊界相關(guān)的第二敏感度，以及決定該數(shù)據(jù)的邏輯值的第三敏感度所特征化。
44.如權(quán)利要求27所述的電路，其中該多個(gè)臨界電壓測(cè)量類型是由與該數(shù)據(jù)編程檢查值相關(guān)的第一敏感度，與該數(shù)據(jù)存儲(chǔ)檢查值相關(guān)的第二敏感度，以及決定該數(shù)據(jù)的邏輯值的第三敏感度所特征化。
45.如權(quán)利要求27所述的電路，其中該更新檢測(cè)和更新操作發(fā)生在晶片開機(jī)階段。
46.一種用于操作非易失性存儲(chǔ)器檢測(cè)放大器電路的方法，其包含利用多個(gè)脈沖信號(hào)控制多個(gè)檢測(cè)放大器測(cè)量?jī)?chǔ)存在非易失性存儲(chǔ)器陣列中一個(gè)特定位置的數(shù)據(jù)，其中多個(gè)臨界電壓區(qū)間敏感度特征化該多個(gè)檢測(cè)放大器測(cè)量，以及該多個(gè)臨界電壓區(qū)間敏感度的每一臨界電壓區(qū)間敏感度對(duì)應(yīng)多個(gè)脈沖信號(hào)的至少一個(gè)脈沖信號(hào)的一個(gè)特定的脈沖。
47.如權(quán)利要求46所述的方法，其中該特定的脈沖控制檢測(cè)節(jié)點(diǎn)所代表該數(shù)據(jù)的放電時(shí)間。
48.如權(quán)利要求46所述的方法，其中該許多檢測(cè)放大器的測(cè)量是通過執(zhí)行比較共同的參考電壓，而不論該多個(gè)臨界電壓區(qū)間敏感度。
49.如權(quán)利要求46所述的方法，其中該多個(gè)臨界電壓區(qū)間敏感度包含決定是否更新該數(shù)據(jù)的第一敏感度，以及決定該數(shù)據(jù)的邏輯值的第二敏感度。
50.如權(quán)利要求46所述的方法，其中該多個(gè)臨界電壓區(qū)間敏感度包含與該數(shù)據(jù)編程檢查相關(guān)的第一敏感度，以及決定該數(shù)據(jù)的邏輯值的第二敏感度。
51.如權(quán)利要求46所述的方法，其中該多個(gè)臨界電壓區(qū)間敏感度包含與該數(shù)據(jù)存儲(chǔ)檢查相關(guān)的第一敏感度，以及決定該數(shù)據(jù)的邏輯值的第二敏感度。
52.如權(quán)利要求46所述的方法，其中該多個(gè)臨界電壓區(qū)間敏感度是與邏輯間電平區(qū)間相關(guān)。
53.如權(quán)利要求46所述的方法，其中該多個(gè)臨界電壓區(qū)間敏感度是與多個(gè)邏輯間電平區(qū)間相關(guān)。
54.如權(quán)利要求46所述的方法，其中該數(shù)據(jù)是由臨界電壓特征化該非易失性存儲(chǔ)器陣列的特定位置所代表。
55.如權(quán)利要求46所述的方法，其中該數(shù)據(jù)是由在四個(gè)邏輯電平之一且每一至少寬400mV區(qū)間的臨界電壓所表示。
56.如權(quán)利要求46所述的方法，其中該非易失性存儲(chǔ)器陣列的該特定位置是電荷陷獲存儲(chǔ)單元的數(shù)據(jù)儲(chǔ)存位置。
57.如權(quán)利要求46所述的方法，其中該非易失性存儲(chǔ)器陣列的該特定位置是存儲(chǔ)單元的數(shù)據(jù)儲(chǔ)存位置。
58.如權(quán)利要求46所述的方法，其中該非易失性存儲(chǔ)器陣列的該特定位置是可編程電阻存儲(chǔ)單元的數(shù)據(jù)儲(chǔ)存位置。
59.如權(quán)利要求46所述的方法，其中該多個(gè)檢測(cè)放大器測(cè)量是由一個(gè)檢測(cè)放大器所執(zhí)行。
60.如權(quán)利要求46所述的方法，其中該多個(gè)檢測(cè)放大器測(cè)量是由多個(gè)檢測(cè)放大器所執(zhí)行。
61.如權(quán)利要求46所述的方法，其中該多個(gè)臨界電壓區(qū)間敏感度包含決定是否更新該數(shù)據(jù)的第一敏感度和第二敏感度，以及決定該數(shù)據(jù)的邏輯值的第三敏感度。
62.如權(quán)利要求46所述的方法，其中該多個(gè)臨界電壓測(cè)量類型是與該數(shù)據(jù)檢測(cè)區(qū)間的高邊界相關(guān)的第一敏感度，以及與該數(shù)據(jù)檢測(cè)區(qū)間的低邊界相關(guān)的第二敏感度，以及決定該數(shù)據(jù)的邏輯值的第三敏感度所特征化。
63.如權(quán)利要求46所述的方法，其中該多個(gè)臨界電壓測(cè)量類型是由與該數(shù)據(jù)編程檢查值相關(guān)的第一敏感度，與該數(shù)據(jù)存儲(chǔ)檢查值相關(guān)的第二敏感度，以及決定該數(shù)據(jù)的邏輯值的第三敏感度所特征化。
全文摘要
一個(gè)或多個(gè)脈沖信號(hào)被用來控制檢測(cè)放大器的測(cè)量。例如，多重臨界電壓測(cè)量類型特征化該多重脈沖信號(hào)，并且選用該適當(dāng)?shù)拿}沖信號(hào)以選擇該適當(dāng)?shù)臏y(cè)量類型。在另一示例中，多重脈沖信號(hào)控制非易失性存儲(chǔ)器的特定位置的多重測(cè)量，因此，多重脈沖信號(hào)中的一個(gè)被選定，或是該適當(dāng)?shù)拿}沖信號(hào)被產(chǎn)生以施加至適當(dāng)?shù)呐R界電壓區(qū)間敏感度。
文檔編號(hào)G11C16/28GK101013601SQ20071000375
公開日2007年8月8日 申請(qǐng)日期2007年1月24日 優(yōu)先權(quán)日2006年1月24日
發(fā)明者陳重光, 倪福隆, 施義德 申請(qǐng)人:旺宏電子股份有限公司