專利名稱：垂直磁記錄介質(zhì)和使用該磁記錄介質(zhì)的磁存儲(chǔ)器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及能記錄大容量信息的磁記錄介質(zhì)，更具體地說，涉及一種適合于高密度磁記錄的磁記錄介質(zhì)和使用它的磁存儲(chǔ)器。
背景技術(shù)：
最近，因?yàn)樵诖笕萘看疟P設(shè)備不僅被安裝在個(gè)人電腦上而且被安裝在家用電器設(shè)備上的情況下，對(duì)于制造具有大容量的磁存儲(chǔ)器的需求是強(qiáng)烈的，因此要求磁存儲(chǔ)器具有增加的記錄密度。為了處理該問題，正在努力地研制磁頭、磁記錄介質(zhì)等等。但是，使用目前已投入實(shí)際使用的縱向磁記錄提高記錄密度是困難的。于是，正在研究垂直磁記錄作為代替縱向磁記錄方法的方法。考慮到在垂直磁記錄的情況下，互相鄰近的磁化矢量不互相相反，由此高密度記錄狀態(tài)是穩(wěn)定的；因此，它本質(zhì)上是適合于高密度記錄的方法。而且，在該記錄方法中，通過將單磁極型的寫磁頭和具有軟底層的雙層垂直磁記錄介質(zhì)結(jié)合，可以增加記錄效率，以及該方法與記錄膜增加的矯頑力是兼容的。但是，為了借助于垂直磁記錄實(shí)現(xiàn)高密度紀(jì)錄，必須研制一種垂直磁記錄介質(zhì)，該磁記錄介質(zhì)是低噪聲的以及高度地阻止熱退磁。
作為垂直磁記錄介質(zhì)的記錄層，迄今為止正在研究CoCrPt-基合金薄膜，該CoCrPt-基合金薄膜已經(jīng)投入實(shí)際用于縱向磁記錄介質(zhì)。為了使用該CoCrPt-基合金薄膜獲得低噪聲特性，必須使用晶粒邊界上的Cr偏析(segregation)減小磁晶粒之間的磁交換耦合，以便使磁化反轉(zhuǎn)單元(magnetization reversal unit)較小。但是，在Cr量不足夠的情況下，在記錄層的形成工序中，該晶粒易于相互接合以擴(kuò)大或晶粒之間的磁交換耦合的減少變得不充足，由此不能獲得低噪聲特性。另一方面，在Cr量增加的情況下，在晶粒中剩下大量Cr，這降低磁晶粒的磁各向異性能量，由此不能獲得阻止熱退磁的充分抵抗性。
為了克服這種問題，以獲得低噪聲特性，如日本專利特許-公開申請(qǐng)JP 2003-178413A所示，已經(jīng)開始積極地研究由具有其中添加的氧化物CoCrPt合金構(gòu)成的粒狀型記錄層。在使用該粒狀型記錄層的情況下，由于通過形成氧化物的晶粒層，使得它圍繞磁晶粒，減小了磁晶粒之間的磁交換耦合，因此可以使用具有高磁各向異性能量的材料作為CoCrPt合金，而與Cr濃度無關(guān)。而且，由于氧化物的晶粒層是與磁晶粒結(jié)晶地間斷，以及具有一定數(shù)量的厚度，因此不容易發(fā)生記錄層形成工序中的晶粒接合。因此，由具有其中添加的氧化物的CoCrPt合金構(gòu)成的粒狀型垂直磁記錄介質(zhì)作為垂直磁記錄介質(zhì)的候選物而引起注意，該垂直磁記錄介質(zhì)是低噪聲的以及阻止熱退磁的。
直到現(xiàn)在已經(jīng)大致地研究了垂直磁記錄介質(zhì)的晶種層和中間層。例如，在IEEE Transactions on Magnetics，Vol.38，No.5，p.1976(2002)中報(bào)道了發(fā)現(xiàn)Ru適用于氧化物粒狀型的垂直磁記錄介質(zhì)的中間層。而且，在IEEE Transactions on Magnetics，Vol.38，No.5，p.1979(2002)中報(bào)道了發(fā)現(xiàn)通過Ta晶種層可以改進(jìn)Ru中間層的晶體取向。
IEEE Transactions on Magnetics，Vol.38，No.5，p.1976(2002)[非專利文獻(xiàn)2]IEEE Transactions on Magnetics，Vol.38，No.5，p.1979(2002)發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明解決的問題至今，考慮與垂直磁記錄介質(zhì)有關(guān)的晶種層，僅僅關(guān)注中間層Ru的晶體取向的改進(jìn)，迄今為止沒有完全研究抗腐蝕性。然后，使用可獲得高介質(zhì)S/N的Ta晶種層和Ru中間層，在氧化物粒狀型的垂直磁記錄介質(zhì)周圍進(jìn)行抗腐蝕性測(cè)試，觀察到許多腐蝕點(diǎn)，表明存在抗腐蝕性問題。另一方面，在使用眾所周知的作為常規(guī)縱向磁記錄介質(zhì)的中間層的非磁性CoCr合金用于中間層的情況下，已發(fā)現(xiàn)盡管抗腐蝕性被提高，但是介質(zhì)S/N被顯著地降低。亦即，發(fā)明人已經(jīng)揭示至今已知的中間層材料和晶種層材料的結(jié)合存在問題，高介質(zhì)S/N和抗腐蝕性不能彼此兼容。
本發(fā)明的第一目的是通過選擇中間層和晶種層的材料以及關(guān)于垂直磁記錄介質(zhì)的材料組合，實(shí)現(xiàn)一種具有高介質(zhì)S/N和優(yōu)異抗腐蝕性的介質(zhì)。
本發(fā)明的第二目的是提供一種充分利用該垂直磁記錄介質(zhì)的性能的磁存儲(chǔ)器。
解決問題的方法為了實(shí)現(xiàn)上述目的，在基底上至少順序地層疊軟層、晶種層、中間層、磁記錄層以及上敷層的這種垂直磁記錄介質(zhì)中，該晶種層被規(guī)定為具有雙層結(jié)構(gòu)；其下層由包含Cr的非晶合金構(gòu)成，以及其上層由結(jié)晶合金構(gòu)成，該結(jié)晶合金主要由具有面心立方晶格(fcc)結(jié)構(gòu)的Ni構(gòu)成。
其中腐蝕變?yōu)榇怪贝判越橘|(zhì)中的主要問題的層是用于軟底層的Co合金層。Co合金的抗腐蝕性不是優(yōu)異的，此外，因?yàn)樗谒芤涵h(huán)境中具有極其小的貴電勢(shì)(noble potentional)，所以在本身和相鄰的Ru或Ru合金之間導(dǎo)致電化腐蝕(各種金屬之間的腐蝕)。由于Ru或Ru合金因?yàn)槭琴F金屬，具有極其高電位，因此Co合金和Ru合金(或Ru)之間的電位差高達(dá)約1.0V；因此，與單體的腐蝕相比較，Co合金的腐蝕被電化腐蝕顯著地促進(jìn)。在使用粒狀型氧化物用于磁記錄層的情況下，Ru或Ru合金是中間層，底下的層必須制成具有優(yōu)異的晶體取向和大表面不均勻度，以便加速氧化物偏析到記錄層的晶粒邊界。由于在這種結(jié)構(gòu)中，在腐蝕方面存在許多缺陷，該層沒有顯示出抑制軟層的腐蝕的保護(hù)效果，盡管Ru或Ru合金具有優(yōu)異的抗腐蝕性。因?yàn)檫@點(diǎn)，晶種層的任務(wù)變得重要，以便抑制軟底層的腐蝕。
從腐蝕的觀點(diǎn)要求晶種層的性能如下(1)用于晶種層的金屬或合金在水溶液中容易被鈍化，以及其氧化物在水溶液中是穩(wěn)定的和高度抗腐蝕的。
(2)金屬或合金的電位處于中間層和軟層之間的中點(diǎn)，如有可能，具有電位梯度。
(3)形成的薄膜是光滑的和致密的。
(4)分別被布置為晶種層的上和下層的中間層和軟層的剝離(Debond)能量，與晶種層相比較高，以及該兩個(gè)層具有優(yōu)異的粘性。腐蝕環(huán)境基本上是水溶液。但是，由于潤(rùn)滑劑的分解、氯化物的混合等，存在可能發(fā)生酸化或堿化的可能性，由此要求晶種層在寬的pH范圍的環(huán)境中是抗腐蝕的。
發(fā)明人發(fā)現(xiàn)作為滿足這種需要的晶種層的構(gòu)成，一種雙層結(jié)構(gòu)的晶種層，其上層是主要由Ni構(gòu)成的合金層，下層是包含Cr的非晶層，該雙層結(jié)構(gòu)可以實(shí)現(xiàn)高抗腐蝕性，同時(shí)該結(jié)構(gòu)允許作為中間層的Ru的晶體取向被最優(yōu)化。
考慮上述項(xiàng)(1)，通過甫爾拜圖可以估計(jì)對(duì)每個(gè)層的鈍化和氧化物的穩(wěn)定性的敏感性。就Ni而言，由于其氧化物在中性至堿性范圍中是穩(wěn)定的，因此認(rèn)為在這些范圍中抗腐蝕性變高。在酸范圍中，由于Ni在酸范圍中不形成穩(wěn)定的氧化物或氫氧化物，如果氧化劑共存，它腐蝕。進(jìn)一步提高抗Ni層的腐蝕性的一種方法是加入合金成分。作為對(duì)于所有比率的Ni形成固體溶液的金屬，有Co、Cu和Fe。作為具有30％或以上的固溶度的金屬，有Cr、Mo、W、Pt、Ta、V等。在這些金屬當(dāng)中，Cr被認(rèn)為能通過其添加極大地提高抗腐蝕性。該原因可能是通過添加Cr至氧化酸而形成充分的鈍化。除Cr之外，由于Ta在寬的pH范圍中也鈍化Ni，可預(yù)計(jì)Ta與Cr一樣提高抗腐蝕性。W和Mo盡管鈍化范圍是窄的，但是在酸范圍至中性范圍中形成穩(wěn)定的氧化物。V與Ni一樣，在堿性范圍中形成穩(wěn)定的氧化物，盡管從甫爾拜圖估計(jì)，可能的范圍比Ni的更寬。因此，可以認(rèn)為通過添加這些金屬來形成合金，在提高抗腐蝕性方面具有可識(shí)別的效果，盡管與添加Cr相比提高度較低。
另一方面，據(jù)預(yù)計(jì)，由于Cr在從弱酸范圍至堿性范圍的寬pH范圍中形成穩(wěn)定的氧化物或氫氧化物，Cr對(duì)提高抗腐蝕性是有利的。Cr通過形成合金可以進(jìn)一步擴(kuò)大鈍化范圍。作為用于形成合金的添加元素，可以列舉Ti、Zr、Ta、Mo、W、Ni、Ru等。由于這些金屬當(dāng)中的Ti、Ta等等示出在寬的pH范圍中的鈍化范圍，因此可以認(rèn)為任意這些金屬的添加進(jìn)一步提高抗腐蝕性。本發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，尤其作為添加元素的Ta，當(dāng)Ta的比率被增加到50％以上時(shí)，對(duì)于提高抗腐蝕性是極其優(yōu)異的。而且，添加元素的Ti具有在常溫附近的氯化物水溶液中不會(huì)引起點(diǎn)狀腐蝕(局部腐蝕)的特性。這是因?yàn)門i離子不形成絡(luò)合物，而是直接水解為TiO2。
本發(fā)明人發(fā)現(xiàn)在其中預(yù)計(jì)垂直磁記錄介質(zhì)被暴露的水溶液中金屬的電位從高金屬按以下順序排列Ru、Ru合金＞Ni、Ni合金和Cr、Cr合金＞Co、Co合金。而且，本發(fā)明人發(fā)現(xiàn)在其中混合氯化物的水溶液中，Ni的電位高于Cr的電位。因此，它表示Ni、Ni合金、Cr和Cr合金滿足上述需要(2)。
而且，在酸性環(huán)境中，Ni合金的電位變得幾乎等于軟底層的電位，變得低于Cr合金的電位。在此情況下，由于Ni合金充當(dāng)包含Cr的合金的犧牲陽極，保護(hù)軟底層，因此可以提高Cr合金的抗腐蝕性，因此它變得可以防止軟底層的腐蝕。從上面的性能，認(rèn)為通過層疊Ni-基合金和Cr基合金，可以構(gòu)成在寬的pH范圍中具有抗腐蝕性的層，以及通過布置Ni-基合金作為上層和布置Cr-基合金作為下層，可以抑制中間層和軟底層之間的電化腐蝕。
考慮上述項(xiàng)(3)，Cr晶化并且其表面的不均勻性變大。由于晶種層僅僅幾納米厚度，可以想象到由覆蓋度減小引起的抗腐蝕性退化。與它相反，據(jù)發(fā)現(xiàn)，其中添加了50％的Ti的Cr-Ti合金變?yōu)榉蔷ЫY(jié)構(gòu)，光滑度優(yōu)秀。在Ni-基合金中，當(dāng)V、Cr、Ta等等被添加時(shí)，它在光滑度方面是優(yōu)秀的，以及用它均勻地覆蓋基底的表面。
考慮上述項(xiàng)(4)，使用分子動(dòng)力學(xué)模擬，計(jì)算中間層和晶種層之間的界面以及晶種層和軟底層之間界面的剝離強(qiáng)度。Cr的特點(diǎn)在于對(duì)于中間層的Ru以及對(duì)于軟底層的Co合金具有低剝離強(qiáng)度，并且不具有高粘性。但是，如果Ti、Mo、W、Co等等被加到Cr，剝離強(qiáng)度，特別與軟層的剝離強(qiáng)度增加以及粘性增加。而且，據(jù)發(fā)現(xiàn)剝離強(qiáng)度，特別與Ru的剝離強(qiáng)度，隨Ta、Cr、Mo、W等添加到Ni而增加。在粘性方面，晶種層被分為兩個(gè)層；在上層和下層中分別布置Ni-基合金和Cr-基合金，與抑制電化腐蝕的情況中一樣。通過該結(jié)構(gòu)，介質(zhì)可以形成為具有高粘性的垂直磁記錄介質(zhì)。
即使金屬單獨(dú)，如Ta和Zr，在甫爾拜圖中的寬pH范圍中也形成穩(wěn)定的氧化物。但是，由于這些金屬，不能滿足以上項(xiàng)(3)和(4)，因此認(rèn)為它們不能被用作晶種層。
發(fā)明的效果根據(jù)該發(fā)明，通過選擇由包含Cr的非晶合金和主要由具有面心立方晶格(fcc)結(jié)構(gòu)的Ni構(gòu)成的結(jié)晶合金構(gòu)成的晶種層，該結(jié)晶合金形成在非晶合金上，可以實(shí)現(xiàn)具有高介質(zhì)S/N和優(yōu)異抗腐蝕性的雙層垂直磁記錄介質(zhì)。
此外，本發(fā)明通過構(gòu)成一磁存儲(chǔ)器，可以實(shí)現(xiàn)具有25Gbit/cm2或以上的記錄密度的磁存儲(chǔ)器，該磁存儲(chǔ)器具有上述發(fā)明的垂直磁記錄介質(zhì)，用于在記錄方向上驅(qū)動(dòng)磁記錄介質(zhì)的裝置，由記錄單元和再現(xiàn)單元構(gòu)成的磁頭，用于相對(duì)于磁記錄介質(zhì)移動(dòng)磁頭的裝置，以及用于波形-處理到磁頭的輸入信號(hào)和來自磁頭的輸出信號(hào)的信號(hào)處理裝置。


圖1示出了本發(fā)明的垂直磁記錄介質(zhì)的構(gòu)成例子。
圖2示出了本發(fā)明的垂直磁記錄介質(zhì)的介質(zhì)S/N和腐蝕點(diǎn)數(shù)目與第一晶種歲層的薄膜厚度的關(guān)系。
圖3示出了磁存儲(chǔ)器的剖面示意圖，該磁存儲(chǔ)器是本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例。
圖4示出了磁頭和磁記錄介質(zhì)之間的關(guān)系示意圖。
具體實(shí)施例方式
使用ANELVA濺射系統(tǒng)(C3010)制造垂直磁記錄介質(zhì)。該濺射系統(tǒng)用十個(gè)處理室和一個(gè)基底引入室構(gòu)成，以及每個(gè)室被獨(dú)立地抽成真空。所有室的抽氣能力是6×10-6Pa或更好。
本發(fā)明的垂直磁記錄介質(zhì)是這樣的在基底上形成粘附層，在粘附層上形成軟底層，在軟底層上形成晶種層，在晶種層上形成中間層，以及在中間層上形成垂直記錄層。
對(duì)于粘附層的材料，該材料不被具體地限制，只要它與基底的粘性和表面光滑度優(yōu)秀。但是，該粘附層由包含選自Ni、Al、Ti、Ta、Cr、Zr、Co、Hf、Si以及B當(dāng)中的至少兩種金屬的合金構(gòu)成是合符需要的。更具體地說，可以使用NiTa、AlTi、AlTa、CrTi、CoTi、NiTaZr、NiCrZr、CrTiAl、CrTiTa、CoTiNi、CoTiAl等等。
對(duì)于軟底層的材料，該材料不被具體地限制，只要滿足以下條件飽和磁通密度(Bs)至少是1T或以上，磁盤基底在其徑向上給出單軸各向異性，磁頭運(yùn)行方向上測(cè)量的矯頑力是1.6kA/m或以下，以及其表面光滑度是優(yōu)異的。具體地，當(dāng)使用主要由其中添加有Ta、Hf、Nb、Zr、Si、B、C等等的Co或Fe構(gòu)成的非晶合金時(shí)，容易獲得上述性能。使用20nm或以上厚度的薄膜允許矯頑力被控制較小，以及使用150nm或以下厚度的薄膜允許尖峰噪聲的控制被控制，以及能夠提高浮動(dòng)磁阻。
為了進(jìn)一步減小軟底層的噪聲，非磁性層被插入軟底層中，以及通過該非磁性層，用反鐵磁性的方法結(jié)合上和下軟層。優(yōu)選如果非磁性層上的上-側(cè)軟層和磁層下面的下-側(cè)軟層的磁矩被制成相等，那么在該兩層之間建立閉合磁通量，以及兩層的磁疇狀態(tài)更穩(wěn)定。使用Ru、Cr或Cu作為非磁性層的材料是理想的。
為了穩(wěn)妥地給予軟底層單軸各向異性，期望在磁場(chǎng)中進(jìn)行冷卻處理。優(yōu)選在基底的徑向上施加磁場(chǎng)。由于必需在徑向上的軟層的飽和磁化，在磁盤基底上磁場(chǎng)的大小必須是至少4kA/m或以上。至于冷卻溫度，盡管需要將軟層冷卻到常溫，但是，當(dāng)考慮縮短介質(zhì)制造工序的時(shí)間時(shí)，降溫到約60-100℃是理想現(xiàn)實(shí)的。而且，何時(shí)應(yīng)該進(jìn)行冷卻處理時(shí)的時(shí)間未必在軟層的形成之后，該時(shí)間取決于介質(zhì)形成工序。在中間層或記錄層的形成之后，可以執(zhí)行該工序。
晶種層具有由從基底側(cè)至外側(cè)命名的第一晶種層和第二晶種層構(gòu)成的雙層結(jié)構(gòu)。在基底側(cè)上形成的第一晶種層主要形成用于抑制軟底層的腐蝕，以及為此可以使用包含Cr的非晶合金。這里，“非晶”意味著在X射線衍射譜中不示出除暈圈圖案以外的明顯衍射峰的材料狀態(tài)，或從用高分辨電子顯微鏡拍攝的晶格圖像獲得的平均晶粒尺寸不超過5nm的狀態(tài)。具體地，第一晶種層由包含選自Ta、Ti、Nb、Al和Si當(dāng)中的一種或多種元素與Cr結(jié)合的合金構(gòu)成是合符需要的。更具體地說，使用CrTi、CrTa、CrNb、CrTiNb、CrTiSi、CrTiAl、TaCrNb或TaCrSi是合符需要的。在記錄層側(cè)上形成的第二晶種層旨在控制中間層的取向和控制中間層的晶粒尺寸。為此，可以使用主要由具有面心立方晶格(fcc)結(jié)構(gòu)的Ni構(gòu)成的結(jié)晶合金。具體地，第二晶種層由包含選自Ta、Ti、Nb、W、Cr、V、Mo和Cu當(dāng)中的一種或多種元素與Ni結(jié)合的合金構(gòu)成。更具體地說，使用NiW、NiCr、NiTa、NiTi、NiV、NiMo、NiCu、NiCrTa、NiCrNb、NiCrW、NiTiNb、NiCuNb等等是合符需要的。
對(duì)于中間層，可以使用Ru的純金屬、主要由Ru構(gòu)成具有六方密堆積(hcp)結(jié)構(gòu)或面心立方晶格(fcc)結(jié)構(gòu)的合金或具有粒狀結(jié)構(gòu)的合金。而且，中間層可以是單層薄膜，或可以使用其晶體結(jié)構(gòu)相互不同的材料的多層膜。
對(duì)于垂直記錄層，可以使用至少包含Co和Pt的合金。而且，可以使用主要由其中添加有氧化物的CoCrPt構(gòu)成的具有粒狀結(jié)構(gòu)的合金，具體地CoCrPt-SiO2、CoCrPt-MgO、CoCrPt-TaO等。此外，可以使用人造晶格薄膜如(Co/Pd)多層、(CoB/Pd)多層、(Co/Pt)多層、(CoB/Pt)多層。
需要形成主要由碳構(gòu)成的、具有2nm或以上且8nm或以下厚度的薄膜作為垂直記錄層的上覆層，以及進(jìn)一步，需要使用潤(rùn)滑劑層如全氟代烷基聚醚。通過這些選擇，可以獲得高度可靠的垂直磁記錄介質(zhì)。
對(duì)于基底，可以使用玻璃基底、其上涂覆有NiP電鍍膜的Al合金基底、陶瓷基底以及在其表面上通過紋理處理形成同心圓形溝槽的基底。
使用旋轉(zhuǎn)支架評(píng)估介質(zhì)的記錄和再現(xiàn)性能。用于評(píng)估的磁頭是復(fù)合磁頭，由使用具有55nm的屏蔽間隙長(zhǎng)度和120nm的磁道寬度的巨磁阻的讀傳感器和具有170nm的磁道寬度的單磁極寫元件構(gòu)成。在10m/s的圓周速度、0°的斜角以及約15nm的磁間隔的條件下，測(cè)量再現(xiàn)輸出和噪聲。介質(zhì)S/N被計(jì)算作為用1970fr/mm的磁道記錄密度記錄信號(hào)時(shí)的孤波再現(xiàn)輸出與記錄23620fr/mm的磁道記錄密度的信號(hào)時(shí)的累積噪聲的比率。
為了評(píng)估抗腐蝕性采取以下過程。首先，在60℃或以上的溫度和90％RH或以上的相對(duì)濕度的高溫高濕度的條件下，暴露樣品96小時(shí)。接下來，使用光學(xué)表面分析器計(jì)算從14mm至25mm的半徑范圍內(nèi)存在的腐蝕點(diǎn)，樣品被放入下列等級(jí)中。計(jì)算小于50的樣品被評(píng)價(jià)作為等級(jí)A，計(jì)算從50(包括50)至200(不包括200)的樣品被評(píng)估作為等級(jí)B，計(jì)算從200(包括200)至500(不包括500)的樣品評(píng)估作為等級(jí)C，以及計(jì)算500或以上的樣品評(píng)估作為等級(jí)D。從實(shí)際觀點(diǎn)，等級(jí)B或更高是合符需要的。
此后，將參考附圖描述應(yīng)用本發(fā)明的具體實(shí)施例。
第一實(shí)施例圖1示出了該實(shí)施例的垂直磁記錄介質(zhì)的層結(jié)構(gòu)。在其表面上形成同心圓形溝槽的0.63mm厚度和6.5mm直徑的玻璃磁盤基底(2.5-英寸型)被用作基底11。在基底11上，通過濺射方法，順次形成粘附層12、軟底層13、第一晶種層141、第二晶種層142、中間層15、垂直記錄層16以及上覆層17。表1概述了在該實(shí)施例中使用的目標(biāo)成分、Ar氣壓以及薄膜厚度。
表1


首先，在基底11上順次地形成具有各種厚度的以下層10nm厚度的NiTa，是粘附層12；10nm厚度的CoTaZr(at％)，是第一軟層131，0.8nm厚度的Ru，是非磁性層132；以及0.8nm厚度的CoTaZr(at％)，是第二軟層133。然后，在磁場(chǎng)中，基底11被冷卻至約80℃。接下來，在其上形成以下層2nm厚度的50Cr-50Ti，是第一晶種層141；5nm厚度的94Ni-6W(at％)，是第二晶種層142；16nm厚度的Ru，是中間層15；16nm厚度的CoCrPt-SiO2，是記錄層16；以及5nm厚度的碳，是上覆層17。然后，施加用碳氟化合物材料稀釋的全氟烷基聚醚系統(tǒng)材料的潤(rùn)滑劑，以及用消沒(vanishing)處理其表面，以制造垂直磁記錄介質(zhì)1-1，也就是是該實(shí)施例。當(dāng)形成磁記錄層時(shí)，Ar被用作濺射氣體，以及在其處添加具有20mPa的分壓的氧氣。當(dāng)形成上覆層17時(shí)，在薄膜形成的時(shí)候，利用50mPa的分壓添加氮?dú)庵?.6Pa的Ar壓力。
該實(shí)施例的介質(zhì)1-1的介質(zhì)S/N和抗腐蝕性的檢查揭示了獲得了18dB以上的高介質(zhì)S/N以及等級(jí)A的優(yōu)異抗腐蝕性。
接下來，通過改變第一晶種層CrTi的薄膜厚度，分別檢查抗腐蝕性和介質(zhì)S/N的關(guān)系。圖2A示出了介質(zhì)S/N和CrTi的薄膜厚度之間的關(guān)系，CrTi是第一晶種層，以及圖2B示出了腐蝕點(diǎn)的數(shù)目和CrTi的薄膜厚度之間的關(guān)系。這里，NiW的薄膜厚度被固定為5nm，NiW是第二晶種層。對(duì)于高達(dá)7nm的每個(gè)薄膜厚度，獲得高介質(zhì)S/N以及獲得接近18dB的特性值，與薄膜厚度的增加無關(guān)。但是，如果薄膜厚度變?yōu)?nm或以上，那么介質(zhì)S/N變得退化。考慮到這些原因，通過增加晶種層的薄膜厚度來減小記錄效率。另一方面，如果CrTi的薄膜厚度是1nm或以上，則獲得等級(jí)B的優(yōu)異抗腐蝕性。發(fā)現(xiàn)隨著增加的薄膜厚度，腐蝕計(jì)數(shù)減小和抗腐蝕性增加。
此外，制造具有NW的第二晶種層的幾個(gè)介質(zhì)，每個(gè)具有不同的薄膜厚度，以及評(píng)估介質(zhì)S/N和抗腐蝕性。表2示出了該結(jié)果。這里，CrTi的薄膜厚度被固定為2nm，CrTi是第一晶種層。對(duì)于介質(zhì)2-1至2-4的每一個(gè)，獲得約18dB的高介質(zhì)S/N，但是介質(zhì)2-5的介質(zhì)S/N退化。這是因?yàn)楫?dāng)為第二晶種層的NiW的薄膜厚度變厚時(shí)，表面不均勻性變大，由此記錄層的性能退化，導(dǎo)致降低介質(zhì)S/N。關(guān)于抗腐蝕性，每個(gè)介質(zhì)位于等級(jí)A中。
表2

接下來，針對(duì)第一晶種層和第二晶種層的不同成分，研究介質(zhì)S/N和抗腐蝕性的關(guān)系。表3示出了結(jié)果。這里，CrTi的第一晶種層的薄膜厚度和NiW的第二晶種層的薄膜厚度分別被設(shè)為2nm和5nm。首先，關(guān)注CrTi的Cr含量。對(duì)于介質(zhì)3-1至3-3的每個(gè)，獲得18dB或以上的高介質(zhì)S/N和等級(jí)A的優(yōu)異抗腐蝕性，與Cr含量無關(guān)。具有70at％的Cr含量的介質(zhì)3-4具有增加的腐蝕計(jì)數(shù)和抗腐蝕性退化。在每種成分周圍執(zhí)行X射線衍射測(cè)量，以及檢查CrTi的晶體結(jié)構(gòu)。該結(jié)果顯示具有20-55at％的Cr含量的CrTi是非晶結(jié)構(gòu)以及70Cr-30Ti具有混合有體心立方晶格(bcc)的晶體結(jié)構(gòu)。
研究CrTi上形成的NiW的晶體結(jié)構(gòu)表明，每個(gè)NiW層具有面心立方晶格(fcc)晶體結(jié)構(gòu)，但是其介質(zhì)S/N退化的70Cr-30Ti，與其他成分相比較，具有差的NiW(111)取向。亦即，用于獲得具有高介質(zhì)S/N和優(yōu)異抗腐蝕性的介質(zhì)的CrTi成分中的比率被確定處于這樣的范圍允許CrTi具有非晶結(jié)構(gòu)和使得在其上形成的NiW的面心立方晶格(fcc)(111)取向優(yōu)異。
接下來，關(guān)注NiW的W含量，NiW是第二晶種層。介質(zhì)3-5至3-7的每一個(gè)實(shí)現(xiàn)約18dB的高介質(zhì)S/N和優(yōu)異的抗腐蝕性，與W含量無關(guān)。如在介質(zhì)3-8中所示，20％的W含量導(dǎo)致介質(zhì)S/N減少。通過X射線衍射研究晶體結(jié)構(gòu)，如上所述，表明具有15at％或以下的W含量的NiW具有面心立方晶格(fcc)晶體結(jié)構(gòu)，而80Ni-20W具有混合有體心立方晶格(bcc)的晶體結(jié)構(gòu)。亦即，發(fā)現(xiàn)當(dāng)NiW合金具有面心立方晶格(fcc)晶體結(jié)構(gòu)時(shí)，可以獲得高介質(zhì)S/N。從這些發(fā)現(xiàn)，發(fā)現(xiàn)為了制成互相兼容的高介質(zhì)S/N和優(yōu)異的抗腐蝕性，需要在基底側(cè)上形成非晶合金作為第一晶種層和在其上形成具有面心立方晶格(fcc)結(jié)構(gòu)的結(jié)晶合金作為第二晶種層。
表3

在該實(shí)施例中，具有以下條件的介質(zhì)是最佳的為第一晶種層的CrTi的薄膜厚度是1nm至7nm(包括7nm)，Cr含量小于70at％；以及為第二晶種層的NiW的薄膜厚度小于20nm，W含量小于20at％。
但是，根據(jù)記錄層和中間層的材料和材料厚度以及它們與用于評(píng)估的磁頭的組合，上面所示的最佳薄膜厚度和成分可能變得不同。
第二實(shí)施例制造具有與第一實(shí)施例的介質(zhì)1-1相同的層結(jié)構(gòu)但是具有不同晶種層的介質(zhì)，以及用與第一實(shí)施例中使用的相同的技術(shù)來評(píng)估其介質(zhì)S/N和抗腐蝕性。除晶種層之外，每個(gè)層的成分、薄膜厚度和薄膜形成工序與介質(zhì)1-1的相同。這里，用于第一晶種層的每個(gè)材料是非晶合金，用于第二晶種層的每個(gè)材料是具有面心立方晶格(fcc)結(jié)構(gòu)的結(jié)晶合金。薄膜厚度分別被設(shè)為2nm和5nm。
表4

介質(zhì)4-1至4-8是這樣的介質(zhì)它們的第一晶種層被固定到CrTi，它們的第二晶種層的材料被改變。此外，介質(zhì)4-9至4-15是這樣的介質(zhì)它們的第二晶種層被固定到NiW，而它們的第一晶種層的材料被改變。如表4所示，發(fā)現(xiàn)每個(gè)介質(zhì)顯示出18dB或以上的高介質(zhì)S/N和等級(jí)A的優(yōu)異抗腐蝕性。而且，利用除在該實(shí)施例中所示的組合以外的組合，可以獲得相同的效果，只要滿足第一晶種層是包含Cs的非晶合金并且第二晶種層是主要由具有面心立方晶格(fcc)結(jié)構(gòu)的Ni構(gòu)成結(jié)晶合金的條件。如果滿足以上條件，利用除該實(shí)施例中所示的成分以外的成分，可以獲得相同的效果。
第三實(shí)施例制造具有與第一實(shí)施例的介質(zhì)1-1相同的層結(jié)構(gòu)但是具有不同于那些介質(zhì)的記錄層的幾個(gè)介質(zhì)，以及使用與第一實(shí)施例中使用的相同技術(shù)來評(píng)估它們的介質(zhì)S/N和抗腐蝕性。除記錄層之外，每個(gè)層的成分、薄膜厚度和薄膜形成工序與介質(zhì)1-1的相同。介質(zhì)5-1由具有粒狀結(jié)構(gòu)的記錄層構(gòu)成，粒狀結(jié)構(gòu)由其中添加有Ta氧化物的CoCrPt構(gòu)成。介質(zhì)5-2和介質(zhì)5-3的記錄層分別由Co和Pd的多層和Co和Pt的多層構(gòu)成。
如表5所示，每個(gè)的抗腐蝕性是優(yōu)異的，且處于等級(jí)A中。在介質(zhì)S/N方面，介質(zhì)5-1是最好的。因此，發(fā)現(xiàn)即使Co/Pd或Co/Pt多層用于該記錄層，用本發(fā)明的晶種層也可獲得優(yōu)異的介質(zhì)S/N以及對(duì)于具有由其中添加有氧化物的CoCrPt-基合金構(gòu)成的粒狀結(jié)構(gòu)的記錄層給出最好的效果。
表5

第四實(shí)施例圖3示出了磁存儲(chǔ)器的剖面示意圖，該磁存儲(chǔ)器是本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例。磁記錄介質(zhì)30具有與該試驗(yàn)性例子的介質(zhì)1-1相同的層結(jié)構(gòu)。該磁存儲(chǔ)器由用于驅(qū)動(dòng)該磁記錄介質(zhì)30的驅(qū)動(dòng)器31、由記錄單元和再現(xiàn)單元構(gòu)成的磁頭、用于相對(duì)于磁記錄介質(zhì)移動(dòng)磁頭的裝置33以及用于輸出信號(hào)到磁頭和從磁頭輸入信號(hào)的裝置34構(gòu)成。磁頭32的磁浮動(dòng)高度被確定為15nm。再現(xiàn)單元使用磁阻效應(yīng)，而記錄單元的主磁極使用單磁極型磁頭。利用該裝置結(jié)構(gòu)，通過將每厘米磁道記錄密度設(shè)置為354600位和將每平方厘米的磁道密度設(shè)置為78740磁道，成功地檢查27.9Gbit/cm2的操作。
第五實(shí)施例圖3示出了磁存儲(chǔ)器的剖面示意圖，該磁存儲(chǔ)器是本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例。磁記錄介質(zhì)30具有與本試驗(yàn)性例子的介質(zhì)1-1相同的層結(jié)構(gòu)。該磁存儲(chǔ)器由用于驅(qū)動(dòng)該磁記錄介質(zhì)30的驅(qū)動(dòng)器31、由記錄單元和再現(xiàn)單元構(gòu)成的磁頭32、用于相對(duì)于磁記錄介質(zhì)移動(dòng)磁頭的裝置33以及用于輸出信號(hào)到磁頭和從磁頭輸入信號(hào)的裝置34構(gòu)成。圖4示出了磁頭32和磁記錄介質(zhì)30之間的關(guān)系。磁頭32的磁浮動(dòng)高度被確定為15nm。使用巨磁阻(GMR)元件用于再現(xiàn)單元40的讀傳感器41，以及磁頭具有圍繞記錄單元42的主磁極43形成的環(huán)繞屏蔽件44。因此，通過使用磁頭使記錄磁場(chǎng)的斜率陡峭，以致圍繞記錄單元的主磁極形成屏蔽件。同時(shí)，在通過使用其上形成有第三記錄層的磁記錄介質(zhì)保持高介質(zhì)S/N的同時(shí)，可以提高重寫性能。即，通過將每厘米的磁道記錄密度設(shè)置為374100位和將每平方厘米的磁道密度設(shè)置為86620磁道，成功地檢查32.4Gbit/cm2的操作。
而且，使用除巨磁阻效應(yīng)的讀傳感器41以外的隧道磁阻(TMR)元件(CPP)可以獲得相同的效果，如圖4所示。
比較例子作為比較例子，制備介質(zhì)6-1和介質(zhì)6-2，其中介質(zhì)6-1的晶種層14僅僅是由2nm厚度的CrTi構(gòu)成的第一晶種層，介質(zhì)6-2的晶種層14僅僅是由5nm厚度的NiW構(gòu)成的第二晶種層142。此外，制備其中在軟底層13上形成5nm厚度的NiW和在其上形成2nm厚度的CrTi的介質(zhì)6-3，制備其中在軟底層13上形成具有2nm厚度的體心立方晶格(bcc)結(jié)構(gòu)的Cr和在其上形成5nm厚度的NiW的介質(zhì)6-4，以及制備其中在CrTi(2nm)上形成5nm厚度的非晶合金NiTa的介質(zhì)6-5。此外附加地，制備其中形成不包含2nm厚度的Cr的非晶合金NiTa作為第一晶種層的介質(zhì)6-6，制備其中形成具有面心立方晶格(fcc)晶體結(jié)構(gòu)的5nmb厚度的Pt作為第二晶種層的介質(zhì)6-7，以及制備其中形成5nm厚度的PtNi的介質(zhì)6-8。在介質(zhì)6-6中，形成5nm厚度的NiW作為第二晶種層；在介質(zhì)6-7和介質(zhì)6-8中，分別形成2nm厚度的CrTi作為第一晶種層。層結(jié)構(gòu)的其他部分與實(shí)施例的介質(zhì)1-1的對(duì)應(yīng)部分相同。
表6在一起示出了用于該實(shí)施例的介質(zhì)1-1和比較例子的介質(zhì)6-1至6-8的抗腐蝕性等級(jí)、介質(zhì)S/N以及Ru(0002)衍射的搖擺曲線的半寬度的結(jié)果。
表6


首先，關(guān)注抗腐蝕性的結(jié)果。如在實(shí)施例的介質(zhì)1-1和比較例子的介質(zhì)6-5中所示，通過使用包含Cr的非晶態(tài)材料用于第一晶種層，以及使用包含Ni的材料用于第二晶種層，該介質(zhì)顯示出等級(jí)A的優(yōu)異抗腐蝕性。但是，在僅僅形成NiW的情況下，如介質(zhì)6-2所示，以及在反轉(zhuǎn)介質(zhì)1-1的層結(jié)構(gòu)的情況下，如介質(zhì)6-3(即，在包含Ni的材料上形成包含Cr材料的情況)中所示，獲得等級(jí)C或更壞的結(jié)果。盡管其中僅僅形成CrTi的介質(zhì)6-1處于等級(jí)B中，但是與介質(zhì)1-1相比較，其抗腐蝕性略變壞。盡管使用Cr用于第一晶種層和使用包含Ni的合金用于第二晶種層，但是介質(zhì)6-4的抗腐蝕性顯示出差異。而且，盡管使用非晶合金用于第一晶種層，但是介質(zhì)6-6的抗腐蝕性處于等級(jí)C中或更壞。
這些可以如下解釋。Ni-基合金在酸性溶液中不形成具有保護(hù)效應(yīng)的氧化物或氫氧化物。而且，由于Ni-基合金呈現(xiàn)面心立方晶格(fcc)晶體結(jié)構(gòu)，在薄膜中有許多缺陷，由此抗腐蝕性是差的。與此相反，Cr-基合金形成在酸范圍中穩(wěn)定的氧化物或氫氧化物，以及因?yàn)槭欠蔷Ш辖?，具有較少的缺陷。因此，它的抗腐蝕性優(yōu)秀。當(dāng)腐蝕從介質(zhì)表面前進(jìn)并到達(dá)第二晶種層表面時(shí)，由于第二晶種層的Ni合金的抗腐蝕性不是很好，如介質(zhì)6-2所示，該腐蝕照原樣繼續(xù)前進(jìn)到第一晶種層側(cè)。當(dāng)腐蝕到達(dá)第一晶種層時(shí)，由于用于第一籽晶層的Cr合金具有一定程度的抗腐蝕性，如介質(zhì)6-1中所示，腐蝕的前進(jìn)被略微地減小。但是，在該腐蝕點(diǎn)的周圍存在Ni合金。由于與Cr合金相比較，Ni合金具有低電位，在與Cr合金接觸的部分中，Ni合金溶解和導(dǎo)致急速地減小Cr合金的腐蝕的陰極抗腐蝕狀態(tài)。因此，腐蝕的前進(jìn)幾乎停止在Cr合金，并且不到達(dá)它底下的軟底層。
如介質(zhì)6-6中所示，如果在第一晶種層中不形成Cr合金，那么腐蝕的前進(jìn)不能被抑制。如介質(zhì)6-3中所示，如果Ni合金和Cr合金的順序在它們之間改變，Ni合金的陰極抗腐蝕功能不發(fā)揮，由此不能提高抗腐蝕性。亦即，盡管Cr合金具有一定程度上的抗腐蝕性，但是這是不夠的。因此，只有當(dāng)在Cr合金層上層疊Ni合金時(shí)，介質(zhì)可以給出極其優(yōu)異的抗腐蝕性。在介質(zhì)6-4中有許多缺陷，因?yàn)榈谝痪ХN層的Cr具有晶體結(jié)構(gòu)，因此降低抗腐蝕性。
介質(zhì)6-7和介質(zhì)6-8使用Pt或Pt合金用于第二晶種層。Pt合金本身是具有優(yōu)異的抗腐蝕性的金屬。但是，如介質(zhì)6-7和介質(zhì)6-8中所示，當(dāng)它用于晶種層時(shí)，介質(zhì)的抗腐蝕性等級(jí)處于等級(jí)C。由于Pt是具有很高電位的貴金屬以及具有晶體結(jié)構(gòu)，在Pt層中有許多缺陷。正如如上所述，Ru未顯示出用于軟底層的腐蝕抑制的保護(hù)效應(yīng)一樣，Pt合金不能提高抗腐蝕性。如介質(zhì)6-8中所示，發(fā)現(xiàn)在Ni被添加到Pt的情況中，如果Ni的含量是小的，那么Ni幾乎不發(fā)揮該效果。
接下來，關(guān)注介質(zhì)S/N。盡管用該實(shí)施例的介質(zhì)1-1和介質(zhì)6-2、6-6、6-7以及6-8獲得18dB或以上的高介質(zhì)S/N，但是其他每個(gè)介質(zhì)顯示出16dB以下的低介質(zhì)S/N。對(duì)于每個(gè)介質(zhì)，使用x-射線衍射儀測(cè)量Ru(0002)衍射的搖擺曲線的半寬Δθ50。結(jié)果，事實(shí)表明，具有低介質(zhì)S/N的任意樣品具有大的Δθ50，表示Ru的壞結(jié)晶取向。如介質(zhì)6-4中所示，發(fā)現(xiàn)在用具有晶體結(jié)構(gòu)的材料形成第一晶種層的情況下，晶體取向變得特別壞。介質(zhì)6-5由由CrTi構(gòu)成的第一晶種層和由NiTa構(gòu)成的第二晶種層構(gòu)成。盡管，該層結(jié)構(gòu)幾乎與第二實(shí)施例的介質(zhì)4-4的相同，但是在兩種情況之間觀察到介質(zhì)S/N的差異。而介質(zhì)4-4的第二晶種層具有低至10at％的Ta含量，以及具有晶體結(jié)構(gòu)，介質(zhì)6-5具有大的Ta含量和非晶結(jié)構(gòu)。此外，本發(fā)明人發(fā)現(xiàn)與介質(zhì)1-1相比較，介質(zhì)6-5的Ru(0002)的搖擺曲線的半寬Δθ50略大，以及Ru的其晶體取向是壞的。因此，在具有由其中添加有氧化物的CoCrPt合金構(gòu)成的粒狀型記錄層的垂直磁記錄介質(zhì)中，為了獲得高介質(zhì)S/N(例如，18dB以上)，更需要改善Ru的晶體取向。事實(shí)表明為了實(shí)現(xiàn)這些，主要由Ni構(gòu)成的結(jié)晶合金適合于第二晶種層。
從上文，本發(fā)明人解釋了為了制造互相兼容的高介質(zhì)S/N和優(yōu)異的抗腐蝕性，需要形成包含Cr的非晶合金作為襯底側(cè)上的第一晶種層，以及在其上形成主要由具有面心立方晶格(fcc)結(jié)構(gòu)的Ni構(gòu)成的結(jié)晶合金作為第二晶種層。
參考數(shù)字的描述11...襯底12...粘附層13...軟底層14...晶種層15...中間層16...記錄層17...上覆層131...第一軟層132...非磁性層133...第二軟層141...第一晶種層142...第二晶種層30...磁記錄介質(zhì)31...磁記錄介質(zhì)驅(qū)動(dòng)器32...磁頭33...磁頭驅(qū)動(dòng)器34...信號(hào)處理系統(tǒng)40...再現(xiàn)單元41...讀傳感器42...記錄單元43...主磁極44...環(huán)繞屏蔽件
權(quán)利要求
1.一種垂直磁記錄介質(zhì)，在襯底上順次地層疊軟層、晶種層、中間層、記錄層以及上覆層，其中籽晶層在軟層側(cè)上具有第一晶種層以及在中間層側(cè)上具有第二晶種層，第一晶種層由包含Cr的非晶合金構(gòu)成，第二晶種層由結(jié)晶合金構(gòu)成，該結(jié)晶合金主要由Ni構(gòu)成。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的垂直磁記錄介質(zhì)，其中該第一晶種層是非晶合金，包含與Cr結(jié)合的選自Ta、Ti、Nb、Si和Al當(dāng)中的一種或多種元素。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的垂直磁記錄介質(zhì)，其中該第二晶種層由具有面心立方晶格(fcc)結(jié)構(gòu)的結(jié)晶合金構(gòu)成。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的垂直磁記錄介質(zhì)，其中第二晶種層具有面心立方晶格結(jié)構(gòu)，并包含與Ni結(jié)合的選自Cr、Ta、Ti、Nb、V、W、Mo和Cu當(dāng)中的一種或多種元素。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的垂直磁記錄介質(zhì)，其中該中間層由Ru或Ru合金構(gòu)成。
6.一種磁記錄設(shè)備，包括磁記錄介質(zhì)；用于在記錄方向上驅(qū)動(dòng)該磁記錄介質(zhì)的裝置，由記錄單元和再現(xiàn)單元構(gòu)成的磁頭，用于相對(duì)于該磁記錄介質(zhì)移動(dòng)磁頭的裝置，以及用于波形-處理到磁頭的輸入信號(hào)和來自磁頭的輸出信號(hào)的信號(hào)處理裝置，其中磁記錄介質(zhì)是在襯底上順次地層疊軟層、晶種層、中間層以及上覆層，該晶種層在軟層側(cè)上具有第一晶種層并在中間層側(cè)上具有第二晶種層，該第一晶種層由包含Cr的非晶合金構(gòu)成，以及第二晶種層由結(jié)晶合金構(gòu)成，該結(jié)晶合金主要由Ni構(gòu)成。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的磁記錄設(shè)備，其中該第一晶種層是非晶合金，包含與Cr結(jié)合的選自Ta、Ti、Nb、Si和Al當(dāng)中的一種或多種元素。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的磁記錄設(shè)備，其中該第二晶種層由具有面心立方晶格(fcc)結(jié)構(gòu)的結(jié)晶合金構(gòu)成。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的磁記錄設(shè)備，其中該第二晶種層具有面心立方晶格(fcc)結(jié)構(gòu)，包含與Ni結(jié)合的選自Cr、Ta、Ti、Nb、V、W、Mo和Cu當(dāng)中的一種或多種元素。
10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的磁記錄設(shè)備，其中該中間層由Ru或Ru合金構(gòu)成。
11.根據(jù)權(quán)利要求6所述的磁記錄設(shè)備，其中該磁頭是這樣的，使得記錄單元是單磁極型以及具有用屏蔽件包圍單磁極部分的周圍的結(jié)構(gòu)。
全文摘要
本發(fā)明實(shí)現(xiàn)一種具有高介質(zhì)S/N和優(yōu)異抗腐蝕性的垂直磁記錄介質(zhì)。在通過在襯底上順次地形成粘附層、底層、晶種層、中間層以及記錄層制備的垂直磁記錄介質(zhì)中，該晶種層被規(guī)定具有由第一晶種層和第二晶種層構(gòu)成的層疊結(jié)構(gòu)。第一晶種層由包含Cr的非晶合金構(gòu)成，以及第二晶種層由主要由具有面心立方晶格(fcc)結(jié)構(gòu)的Ni構(gòu)成的非晶合金構(gòu)成。
文檔編號(hào)G11B5/738GK1996466SQ20061017016
公開日2007年7月11日 申請(qǐng)日期2006年12月25日 優(yōu)先權(quán)日2006年1月4日
發(fā)明者荒井禮子, 馬淵勝美, 正田光弘, 松本浩之, 中川宏之 申請(qǐng)人:日立環(huán)球儲(chǔ)存科技荷蘭有限公司