專利名稱：磁盤存儲(chǔ)裝置及其控制方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種磁盤存儲(chǔ)裝置，典型的為磁盤裝置，更具體地說(shuō)，涉及一種排除由于受振動(dòng)影響的錯(cuò)誤寫(xiě)入的技術(shù)，該振動(dòng)由配置磁盤存儲(chǔ)裝置的部件的熱變形所引起。
背景技術(shù)：
在由每個(gè)具有不同熱膨脹系數(shù)的多個(gè)部件配置的磁盤裝置中，這些部件之間的熱膨脹系數(shù)的差異對(duì)部件的連接部分引起應(yīng)力，也就是熱變形。如果由該熱變形引起的應(yīng)力被集中在特定的部分，那么這將導(dǎo)致稱作“顫振”或“粘-滑”的振動(dòng)。眾所周知隨著快速溫度變化超過(guò)固定溫度梯度，容易發(fā)生源于熱變形的粘-滑。這里該溫度梯度意思是每單位時(shí)間的溫度變化量。因?yàn)樽罱愿呙芏葔嚎s用于記錄的磁盤裝置，因此即使輕微的粘-滑，記錄磁頭也易于振動(dòng)，且因此產(chǎn)生偏離-磁道寫(xiě)入。因此有引起任意相鄰磁道中記錄的數(shù)據(jù)的毀壞的問(wèn)題。
為了減小源于組成部件當(dāng)中的熱膨脹系數(shù)差異引起的熱變形的目的，例如，專利文獻(xiàn)1描述了通過(guò)減小由用于磁盤裝置的鎂合金制成的支撐架的熱膨脹系數(shù)，以及通過(guò)減小由用于組合使用的其他材料的熱膨脹系數(shù)差異引起的熱應(yīng)力和熱變形，提供一種可靠性高的支撐架的技術(shù)。
專利文獻(xiàn)1中描述的技術(shù)實(shí)際上提供減小熱變形的效果。但是，隨著高度-壓縮用于記錄的磁盤裝置，存在即使輕微的粘-滑，也引起記錄數(shù)據(jù)毀壞的可能性，以及具有完全防止由于熱變形而發(fā)生的粘-滑的困難，因?yàn)樵摯疟P裝置由多個(gè)部件構(gòu)成。因此仍然留下由于粘-滑導(dǎo)致記錄數(shù)據(jù)毀壞的可能性。
另一方面，關(guān)于用于磁盤裝置的典型即磁盤存儲(chǔ)裝置的技術(shù)，迄今為止已經(jīng)提交了很多項(xiàng)專利申請(qǐng)，旨在保護(hù)記錄數(shù)據(jù)和增加裝置可靠性，而與溫度環(huán)境無(wú)關(guān)。例如，專利文獻(xiàn)2描述了這樣的技術(shù)設(shè)置有溫度傳感器，其用于檢測(cè)磁盤裝置內(nèi)的溫度，并根據(jù)該溫度是否在用于磁盤裝置的操作保證溫度范圍內(nèi)來(lái)改變寫(xiě)處理的方法。更詳細(xì)地，當(dāng)磁盤裝置的溫度不屬于操作保證溫度的范圍內(nèi)時(shí)，在對(duì)磁盤進(jìn)行寫(xiě)入之后進(jìn)行驗(yàn)證，以查看該寫(xiě)入是否用正常方法進(jìn)行。當(dāng)通過(guò)這種驗(yàn)證發(fā)現(xiàn)任意誤差時(shí)，再次重試該寫(xiě)入，以及該重試被進(jìn)行預(yù)定次數(shù)之后，該寫(xiě)入處理被禁止。
專利文獻(xiàn)3描述了，為了防止訪問(wèn)時(shí)間被延長(zhǎng)，檢測(cè)磁盤裝置的周圍環(huán)境中的溫度(下面，被稱為環(huán)境溫度)，以及當(dāng)該溫度等于或高于固定值時(shí)，停止長(zhǎng)時(shí)間的尋找操作，減小用于信號(hào)處理IC的傳送率，以及當(dāng)該溫度等于或高于固定值時(shí)，禁止該寫(xiě)操作。專利文獻(xiàn)3還描述了基于關(guān)于該溫度變化的過(guò)去記錄預(yù)測(cè)在片刻之后達(dá)到的溫度，以及基于此，在近距離范圍內(nèi)對(duì)風(fēng)扇和加熱器進(jìn)行控制，以及執(zhí)行對(duì)于磁盤裝置的控制。更詳細(xì)地，當(dāng)溫度被預(yù)測(cè)較高時(shí)，對(duì)磁盤裝置和風(fēng)扇進(jìn)行控制，以及當(dāng)該溫度被預(yù)測(cè)較低時(shí)，對(duì)加熱器進(jìn)行控制。注意利用高溫預(yù)測(cè)在磁盤裝置上進(jìn)行控制應(yīng)用的特定細(xì)節(jié)類似于利用高溫檢測(cè)的控制應(yīng)用，例如，寫(xiě)禁止、長(zhǎng)期-尋找操作的禁止和其他。
但是，利用每個(gè)由具有不同熱膨脹系數(shù)的多個(gè)部件配置的磁盤存儲(chǔ)裝置，即使當(dāng)該溫度在用于該裝置的操作保證溫度的范圍內(nèi)時(shí)，如果溫度迅速地變化，即，大于固定溫度梯度，那么發(fā)生粘-滑。專利文獻(xiàn)2和3中描述的技術(shù)都是檢測(cè)用于磁盤裝置的操作的補(bǔ)償溫度的技術(shù)，并不考慮由熱變形引起的粘-滑。因此，在其中沒(méi)有描述用于防止由于粘-滑引起的偏離-磁道寫(xiě)入的方法。
因而，利用用于檢測(cè)磁盤裝置的操作保證溫度的專利文獻(xiàn)2和3所描述的先前技術(shù)，不可能有效地防止由粘-滑引起的偏離-磁道寫(xiě)入的產(chǎn)生。
JP-A-6-325508[專利文獻(xiàn)2]JP-A-2003-297025[專利文獻(xiàn)3]JP-A-10-199120發(fā)明內(nèi)容[本發(fā)明解決的問(wèn)題]如上文所述，利用由多個(gè)每個(gè)具有不同熱膨脹系數(shù)的部件配置的磁盤存儲(chǔ)裝置，即使當(dāng)該溫度在用于該裝置的操作保證溫度范圍內(nèi)時(shí)，如果溫度迅速地變化，即，大于固定溫度梯度，那么由于熱變形會(huì)發(fā)生粘-滑，由此通過(guò)偏離-磁道寫(xiě)入，容易導(dǎo)致記錄數(shù)據(jù)的毀壞。
考慮到上述問(wèn)題提出了本發(fā)明，以及其目的是提供一種磁盤存儲(chǔ)裝置及用于該磁盤存儲(chǔ)裝置的控制方法，其能夠防止由熱變形所導(dǎo)致的粘-滑引起的偏離-磁道寫(xiě)入。
本發(fā)明的磁盤存儲(chǔ)裝置是一種磁盤裝置，包括記錄磁盤；用于對(duì)記錄磁盤進(jìn)行寫(xiě)入的磁頭；以及檢測(cè)該裝置內(nèi)部的溫度的溫度傳感器。該裝置的特征在于，基于由溫度傳感器檢測(cè)的測(cè)量溫度和使用該測(cè)量溫度計(jì)算的溫度變化量，改變判定條件，該判定條件用來(lái)判定是否禁止磁頭對(duì)記錄磁盤進(jìn)行寫(xiě)入。
由該測(cè)量溫度和溫度變化量，可以判定由熱變形引起粘-滑的可能性。因此，利用上述結(jié)構(gòu)，當(dāng)測(cè)量溫度和溫度變化量顯示環(huán)境由熱變形容易引起粘-滑時(shí)，可以改變用于寫(xiě)入的禁止條件。例如，當(dāng)熱變形容易引起粘-滑時(shí)，關(guān)于寫(xiě)禁止的判定條件可以被如此改變，當(dāng)與磁頭的位置波動(dòng)具有相關(guān)性的測(cè)量量沒(méi)有變化那么多時(shí)，禁止該寫(xiě)入。這樣，在粘-滑的最初發(fā)生階段，即使測(cè)量量很輕微地變化，記錄磁盤也可以被禁止寫(xiě)入，以便可以防止由于粘-滑而產(chǎn)生的偏離-磁道寫(xiě)入。
上面的磁盤存儲(chǔ)裝置也可以被配置為，由該測(cè)量溫度和溫度變化量，計(jì)算預(yù)期在將來(lái)將達(dá)到的估計(jì)溫度，以及當(dāng)該測(cè)量溫度高于第一基準(zhǔn)溫度時(shí)，以及當(dāng)該估計(jì)溫度高于第二基準(zhǔn)溫度時(shí)，改變?cè)撆卸l件，該第二基準(zhǔn)溫度高于第一基準(zhǔn)溫度。當(dāng)溫度在其中溫度等于或高于預(yù)定溫度的高溫區(qū)中迅速地增加時(shí)，常常發(fā)生粘-滑。利用以上結(jié)構(gòu)，通過(guò)該測(cè)量溫度和第一基準(zhǔn)溫度之間的比較，判定溫度區(qū)是否可能引起粘-滑，以及通過(guò)該估計(jì)溫度和第二基準(zhǔn)溫度之間的比較，估計(jì)其中的溫度增加，如果有的話，是否是快速的。以此方式，可以肯定地判定該區(qū)域是由于熱變形容易引起粘-滑的高溫區(qū)，以及可以為寫(xiě)入改變?cè)摻箺l件。這有效地防止偏離-磁道發(fā)生。
上面的磁盤存儲(chǔ)裝置也可以被配置為，由該測(cè)量溫度和溫度梯度計(jì)算預(yù)期在將來(lái)將達(dá)到的估計(jì)溫度，以及當(dāng)該測(cè)量溫度低于第三基準(zhǔn)溫度時(shí)，以及當(dāng)該估計(jì)溫度低于第四基準(zhǔn)溫度時(shí)，改變?cè)撆卸l件，該第四基準(zhǔn)溫度低于第三基準(zhǔn)溫度。對(duì)于溫度下降的情況，當(dāng)溫度在其中溫度等于或低于預(yù)定溫度的低溫區(qū)中迅速地減小時(shí)，粘-滑常常發(fā)生。利用以上結(jié)構(gòu)，通過(guò)該測(cè)量溫度和第三基準(zhǔn)溫度之間的比較，該溫度區(qū)被判定它是否可能引起粘-滑，以及通過(guò)該估計(jì)溫度和第四基準(zhǔn)溫度之間的比較，估計(jì)其中的溫度下降，如果有的話，是否是快速的。以此方式，可以肯定地判定該區(qū)域是容易由于熱變形引起粘-滑的低溫區(qū)，以及可以為寫(xiě)入改變?cè)摻箺l件。這有效地防止偏離-磁道發(fā)生。
在上面的磁盤存儲(chǔ)裝置中，通過(guò)在閾值和與磁頭的位置波動(dòng)具有相關(guān)性的測(cè)量量之間進(jìn)行比較，判定是否禁止對(duì)磁盤進(jìn)行寫(xiě)入，以及通過(guò)改變?cè)撻撝蹈淖冊(cè)撆卸l件。
而且，上面的磁盤存儲(chǔ)裝置也可以被配置為包括支撐磁頭的支撐架；檢測(cè)機(jī)械沖擊的沖擊傳感器；用沖擊傳感器的輸出反映的驅(qū)動(dòng)電壓或驅(qū)動(dòng)電流驅(qū)動(dòng)，并將支撐架置于搖動(dòng)的音圈電機(jī)；以及檢測(cè)該驅(qū)動(dòng)電壓或驅(qū)動(dòng)電流的檢測(cè)部分。在該裝置中，根據(jù)由檢測(cè)部分檢測(cè)到的電壓是否超過(guò)閾值，判定是否禁止對(duì)磁盤進(jìn)行寫(xiě)入，以及通過(guò)改變用于與該電壓比較的閾值，改變?cè)撆卸l件。音圈電機(jī)的驅(qū)動(dòng)電壓或驅(qū)動(dòng)電流常常經(jīng)受粘-滑振動(dòng)，比磁頭更快，以由于粘-滑來(lái)改變位置。因此，監(jiān)視音圈電機(jī)的驅(qū)動(dòng)電壓的任何變化，以及當(dāng)判定粘-滑可能發(fā)生時(shí)，對(duì)驅(qū)動(dòng)電壓觀察到的輕微變化被用作提示，以停止寫(xiě)入，以便與檢測(cè)位置誤差信號(hào)或表示磁頭位置變化的其它信號(hào)的情況相比，可以更早地檢測(cè)到粘-滑。因此這能夠可靠地防止產(chǎn)生偏離-磁道寫(xiě)入。
本發(fā)明的另一實(shí)施例的磁盤存儲(chǔ)裝置是一種磁盤存儲(chǔ)裝置，包括記錄磁盤；用于對(duì)記錄磁盤進(jìn)行寫(xiě)入的磁頭；檢測(cè)該裝置內(nèi)的溫度的溫度傳感器；判定處理部分，其用于檢測(cè)與磁頭的位置波動(dòng)具有相關(guān)性的測(cè)量量的波動(dòng)，以及判定是否禁止磁頭對(duì)記錄磁盤進(jìn)行寫(xiě)入；以及改變應(yīng)用于判定處理部分的判定條件的條件變化處理部分。在該裝置中，基于由溫度傳感器檢測(cè)到的測(cè)量溫度和使用該測(cè)量溫度計(jì)算的溫度變化量，該條件變化處理部分判定該裝置是否處于可能由熱變形引起振動(dòng)的溫度區(qū)中，以及當(dāng)判定該裝置處于由熱變形高度可能地引起振動(dòng)的溫度區(qū)時(shí)，改變?cè)撆卸l件。
利用這種結(jié)構(gòu)，可以判定由于熱變形而引起粘-滑的可能性，以及基于該判定結(jié)果，可以改變寫(xiě)禁止條件。例如，如果判定由于熱變形可能發(fā)生粘-滑，那么當(dāng)測(cè)量量沒(méi)有變化那么多時(shí)，由判定處理部分使用的判定條件可以改變以禁止該寫(xiě)入。這樣，在粘-滑的最初發(fā)生階段，即使測(cè)量量略微地變化，記錄磁盤也可以被禁止寫(xiě)入，以便可以防止由于粘-滑而產(chǎn)生偏離-磁道寫(xiě)入。如果它判定由于熱變形不大可能發(fā)生粘-滑，那么用于寫(xiě)禁止的判定條件可以被設(shè)為較不嚴(yán)格，由此能夠停止粘-滑振動(dòng)或其它振動(dòng)的錯(cuò)誤檢測(cè)。
優(yōu)選，該判定處理部分檢測(cè)在兩個(gè)或更多的測(cè)量中觀察到的任意波動(dòng)，以及基于該檢測(cè)結(jié)果，判定是否禁止磁頭對(duì)記錄磁盤進(jìn)行寫(xiě)入?；趦蓚€(gè)或更多測(cè)量量中觀察到的任意波動(dòng)進(jìn)行這種判定，當(dāng)一個(gè)測(cè)量量不能檢測(cè)到任意波動(dòng)時(shí)，測(cè)量的剩余量仍然可以進(jìn)行波動(dòng)檢測(cè)，以便可以判定是否禁止寫(xiě)入。因而，可以用較好的精確度進(jìn)行判定。
該磁盤存儲(chǔ)裝置還可以設(shè)有能檢測(cè)由熱變形引起的振動(dòng)的沖擊傳感器。在該裝置中，當(dāng)通過(guò)沖擊傳感器檢測(cè)到振動(dòng)時(shí)，該溫度傳感器的測(cè)量溫度被存儲(chǔ)，以及該存儲(chǔ)的測(cè)量溫度被用作基礎(chǔ)，以改變用來(lái)判定該裝置是否處于可能由熱變形引起振動(dòng)的溫度區(qū)的邊界溫度條件。利用這種結(jié)構(gòu)，可以優(yōu)化判定，以查看該裝置是否處于可能由熱變形引起振動(dòng)的溫度區(qū)。
一種用于本發(fā)明的磁盤存儲(chǔ)裝置的控制方法涉及一種用于磁盤存儲(chǔ)裝置的控制方法，該磁盤存儲(chǔ)裝置包括記錄磁盤；用于對(duì)記錄磁盤進(jìn)行寫(xiě)入的磁頭；以及檢測(cè)該裝置內(nèi)部的溫度的溫度傳感器。在該裝置中，由使用通過(guò)溫度傳感器檢測(cè)到的測(cè)量溫度的過(guò)去溫度記錄計(jì)算溫度變化量，以及基于該測(cè)量溫度和溫度變化量，改變用來(lái)判定是否禁止磁頭對(duì)記錄磁盤進(jìn)行寫(xiě)入的判定條件。
如上文所述，由該測(cè)量溫度和溫度變化量，可以判定由熱變形引起的粘-滑的可能性。因此，利用上述控制方法，當(dāng)測(cè)量溫度和溫度變化量表示環(huán)境由熱變形容易引起粘-滑時(shí)，可以改變用于寫(xiě)入的禁止條件。例如，當(dāng)熱變形容易引起粘-滑時(shí)，用于寫(xiě)禁止的判定條件可以被如此改變，使得當(dāng)與磁頭的位置波動(dòng)具有相關(guān)性的測(cè)量量沒(méi)有改變那么多時(shí)，禁止該寫(xiě)入。這樣，在粘-滑的最初發(fā)生階段，即使測(cè)量量略微地變化，該記錄磁盤也可以被禁止寫(xiě)入，以便可以防止由于粘-滑而產(chǎn)生的偏離-磁道寫(xiě)入。
在選擇性的方法中，在該控制方法中，可以由測(cè)量溫度和溫度變化量計(jì)算預(yù)期在將來(lái)將達(dá)到的估計(jì)溫度，以及當(dāng)該測(cè)量溫度高于第一基準(zhǔn)溫度時(shí)，以及當(dāng)估計(jì)溫度高于第二基準(zhǔn)溫度時(shí)，改變?cè)撆卸l件，該第二基準(zhǔn)溫度高于第一基準(zhǔn)溫度。以此方式，在其中由于熱變形容易發(fā)生粘-滑的高溫區(qū)中，能夠改變寫(xiě)禁止條件，以便偏離-磁道寫(xiě)入的產(chǎn)生可以被有效地阻止。
在再一可選擇的方法中，在該控制方法中，可以由該測(cè)量溫度和溫度變化量計(jì)算預(yù)期在將來(lái)將達(dá)到的估計(jì)溫度，以及當(dāng)該測(cè)量溫度低于第三基準(zhǔn)溫度時(shí)，以及當(dāng)估計(jì)溫度低于第四基準(zhǔn)溫度時(shí)，改變?cè)撆卸l件，該第四基準(zhǔn)溫度低于第三基準(zhǔn)溫度。以此方式，在其中由于熱變形容易發(fā)生粘-滑的低溫區(qū)中，能夠改變寫(xiě)禁止條件，以便偏離-磁道寫(xiě)入的產(chǎn)生可以被有效地阻止。
在又一可選擇的方法中，在該控制方法中，當(dāng)該測(cè)量溫度高于基準(zhǔn)溫度時(shí)，當(dāng)溫度變化量是正的，以及當(dāng)該溫度變化量的絕對(duì)值大于基準(zhǔn)量時(shí)，可以改變判定條件。以此方式，在其中由于熱變形容易發(fā)生粘-滑的高溫區(qū)中，能夠改變寫(xiě)禁止條件，以便偏離-磁道寫(xiě)入的產(chǎn)生可以被有效地阻止。
在又一可選擇的方法中，在該控制方法中，當(dāng)該測(cè)量溫度低于基準(zhǔn)溫度時(shí)，當(dāng)溫度變化量是負(fù)的，以及當(dāng)該溫度變化量的絕對(duì)值大于基準(zhǔn)量時(shí)，可以改變判定條件。以此方式，在其中由于熱變形容易發(fā)生粘-滑的低溫區(qū)中，能夠改變寫(xiě)禁止條件，以便偏離-磁道寫(xiě)入的產(chǎn)生可以被有效地阻止。
根據(jù)本發(fā)明，提供一種磁盤存儲(chǔ)裝置和用于該磁盤存儲(chǔ)裝置的控制方法，該磁盤存儲(chǔ)裝置能夠阻止由熱變形引起的粘-滑所導(dǎo)致的偏離-磁道寫(xiě)入產(chǎn)生的。


圖1為示出本發(fā)明的磁盤裝置的結(jié)構(gòu)的視圖。
圖2為示出在本發(fā)明中的改變寫(xiě)禁止條件的過(guò)程的流程圖。
圖3為示出在本發(fā)明中的估計(jì)溫度計(jì)算的過(guò)程的流程圖。
圖4為示出在本發(fā)明中的估計(jì)溫度計(jì)算結(jié)果的曲線圖。
圖5為示出本發(fā)明中的估計(jì)溫度計(jì)算結(jié)果的曲線圖。
圖6為示出在本發(fā)明中的計(jì)算該估計(jì)溫度的過(guò)程的流程圖。
圖7為示出在寫(xiě)禁止條件被改變時(shí)的示例性判定條件的視圖。
圖8是用于說(shuō)明改變寫(xiě)禁止條件的過(guò)程的特定例子的曲線圖。
圖9為示出本發(fā)明的磁盤裝置中的主要部件的結(jié)構(gòu)視圖。
圖10是說(shuō)明本發(fā)明的磁盤裝置的操作時(shí)序圖。
圖11為示出本發(fā)明的磁盤裝置的主要布局的視圖。
圖12為示出本發(fā)明的磁盤裝置的布局視圖。
圖13為示出改變本發(fā)明的判定條件的過(guò)程的流程圖。
具體實(shí)施例方式
在下面，通過(guò)參考附圖，詳細(xì)描述本發(fā)明應(yīng)用的特定實(shí)施例。在附圖中，任意相同的元件提供有相同的參考數(shù)字，為了清楚地描述，如果適宜不再進(jìn)行任意相同的描述。這里注意，在下面描述的實(shí)施例中，本發(fā)明被應(yīng)用于一種磁盤裝置。
第一實(shí)施例。
圖1示出了本實(shí)施例的磁盤裝置1的結(jié)構(gòu)。在圖1中，磁盤裝置1裝備有用作記錄介質(zhì)的磁盤10，其用于數(shù)據(jù)的記錄。磁盤10是一種非易失性存儲(chǔ)器，通過(guò)磁層的磁化，可用來(lái)記錄數(shù)據(jù)。磁盤10被固定到SPM 16的集線器上。SPM 16用預(yù)定速度旋轉(zhuǎn)磁盤10。
磁頭11包括根據(jù)到磁盤10的記錄數(shù)據(jù)將電信號(hào)轉(zhuǎn)變?yōu)榇艌?chǎng)的記錄元件，以及將來(lái)自磁盤10的磁場(chǎng)轉(zhuǎn)變?yōu)殡娦盘?hào)的再現(xiàn)元件。磁頭11被保持在支撐架13的尖端部分。
支撐架13被固定到音圈電機(jī)(VCM)14。VCM 14是用于將磁頭11移動(dòng)到磁盤10的任意磁道上的傳動(dòng)機(jī)構(gòu)。當(dāng)VCM 14被置于搖動(dòng)時(shí)，磁頭11在磁盤10上移動(dòng)。電機(jī)控制電路17根據(jù)來(lái)自微處理器(MPU)18的控制信號(hào)驅(qū)動(dòng)VCM 14和SPM 16。
R/W控制電路12經(jīng)歷解調(diào)處理、串并行轉(zhuǎn)換處理或其它處理，以將數(shù)據(jù)寫(xiě)到磁盤10，并通過(guò)寫(xiě)驅(qū)動(dòng)器(未示出)發(fā)送寫(xiě)信號(hào)到磁頭11。R/W控制電路12對(duì)通過(guò)磁頭11從磁盤10讀出的再現(xiàn)信號(hào)施加解調(diào)處理，并輸出該恢復(fù)的讀數(shù)據(jù)到MPU 18。
MPU 18是在整個(gè)磁盤裝置1上進(jìn)行控制的處理器，以及負(fù)責(zé)磁頭11的定位控制，允許寫(xiě)數(shù)據(jù)到R/W控制電路12中/從R/W控制電路12讀取數(shù)據(jù)、誤差管理或類似。該實(shí)施例的MPU 18通過(guò)A/D轉(zhuǎn)換器21接收溫度傳感器20的輸出，以及可以獲得磁盤裝置1內(nèi)的溫度。而且，MPU 18使用獲得的溫度數(shù)據(jù)計(jì)算溫度梯度以及預(yù)期在將來(lái)將達(dá)到的磁盤裝置1內(nèi)部的估計(jì)溫度，并對(duì)磁盤10施加改變寫(xiě)禁止條件的處理。之后將描述這種處理的細(xì)節(jié)。
接口控制電路19利用外部提供到裝置的高端系統(tǒng)或利用任意其他磁盤裝置實(shí)現(xiàn)對(duì)于接口的控制。通過(guò)I/F控制電路19經(jīng)由MPU 18接收來(lái)自磁盤裝置1外面的寫(xiě)數(shù)據(jù)，以及通過(guò)R/W控制電路12由磁頭11寫(xiě)入磁盤10。磁盤10中存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)被磁頭11讀取，以及通過(guò)I/F控制電路19被輸出到外面。
沖擊傳感器22是可以檢測(cè)施加到磁盤裝置1的機(jī)械沖擊的傳感器。沖擊傳感器22是例如通過(guò)檢測(cè)位移、速度或加速度來(lái)檢測(cè)沖擊的傳感器。沖擊傳感器22的輸出被輸入到電機(jī)控制電路17，以及被反映到VCM 14的驅(qū)動(dòng)電壓。
接下來(lái)描述通過(guò)MPU 18執(zhí)行以改變寫(xiě)禁止條件的過(guò)程。圖2示出了改變寫(xiě)禁止條件的過(guò)程的流程圖。首先，在步驟S11中，獲得溫度傳感器20的輸出值，以及該獲得的輸出值，即，當(dāng)前溫度的值，用于計(jì)算估計(jì)溫度，該估計(jì)溫度是通過(guò)估計(jì)在將來(lái)將達(dá)到的溫度而得出。
這里，圖3示出了估計(jì)溫度計(jì)算過(guò)程的示例性流程。首先，在步驟S21中，獲得溫度傳感器20的輸出值。在步驟S22中，使用在步驟S21中獲得的溫度傳感器的輸出值，即，當(dāng)前溫度，以及在存儲(chǔ)部分如MPU 18中裝備的或外部地連接到MPU 18的RAM(未示出)中存儲(chǔ)的過(guò)去溫度記錄，計(jì)算溫度梯度。更具體地說(shuō)，例如，通過(guò)計(jì)算當(dāng)前溫度和過(guò)去溫度之間的差值得出的結(jié)果是溫度梯度，其單位時(shí)間是溫度取得的時(shí)間周期。在步驟S23中，使用當(dāng)前溫度和溫度梯度，計(jì)算該估計(jì)溫度。
返回參考圖2，在步驟S12中，判定是否需要改變寫(xiě)禁止條件。更詳細(xì)地，當(dāng)在步驟S11中計(jì)算的溫度梯度和估計(jì)溫度處于由熱變形引起的粘-滑可能高度地導(dǎo)致偏離-磁道寫(xiě)入的區(qū)域中，該寫(xiě)禁止條件將變得更嚴(yán)格。另一方面，如果它們偏離很可能產(chǎn)生偏離-磁道寫(xiě)入的區(qū)域，那么該寫(xiě)禁止條件被變?yōu)檩^不嚴(yán)格的通常條件。
在步驟S13中，當(dāng)在步驟S12中判定改變寫(xiě)禁止條件時(shí)，寫(xiě)禁止條件由此被改變。通過(guò)在建立的時(shí)間間隔中重復(fù)從步驟S11至S13的過(guò)程，可以基于用于溫度的條件適應(yīng)地改變?cè)搶?xiě)禁止條件。
這里，寫(xiě)禁止條件是是否允許或禁止對(duì)磁盤10進(jìn)行寫(xiě)入的閾值條件。在本說(shuō)明書(shū)中，這種閾值條件被稱為寫(xiě)禁止條件，但是有時(shí)也稱為寫(xiě)允許條件。而且，該寫(xiě)禁止條件是嚴(yán)格的，意味著通過(guò)將用作轉(zhuǎn)變?yōu)閷?xiě)禁止?fàn)顟B(tài)的基礎(chǔ)的閾值設(shè)置得更小，通過(guò)其轉(zhuǎn)變?yōu)閷?xiě)禁止的狀態(tài)的條件是容易得到的。被設(shè)置作為寫(xiě)禁止條件的閾值條件可以在條件上進(jìn)行改變。例如，該寫(xiě)禁止條件可以是基于如下參數(shù)而設(shè)置的閾值例如觀察到的VCM 14的驅(qū)動(dòng)電壓的波動(dòng)量、觀察到的VCM 14的電流的波動(dòng)量、表示磁盤10的磁道中心和磁頭11之間的位移的位置誤差信號(hào)的大小、由磁盤裝置的內(nèi)部設(shè)置的沖擊傳感器揀測(cè)到的振動(dòng)振幅的大小等等。這些可以被多個(gè)地結(jié)合用作寫(xiě)禁止條件。簡(jiǎn)而言之，如果當(dāng)磁頭11通過(guò)粘-滑振動(dòng)主要在距磁盤1的磁道中心的位置位移時(shí)，如果該寫(xiě)操作在進(jìn)行中，那么這導(dǎo)致產(chǎn)生偏離-磁道寫(xiě)入。因此，以上描述的條件不是唯一可能的，以及寫(xiě)禁止條件可以是相對(duì)于與磁頭11的位置波動(dòng)直接或間接相關(guān)的測(cè)量數(shù)而設(shè)置的閾值條件。
注意如下可以實(shí)現(xiàn)通過(guò)參考圖2和3描述的改變寫(xiě)禁止條件的過(guò)程。亦即，在諸如MPU 18的內(nèi)部裝備的或外部地連接到MPU 18的ROM或閃存存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)部分中存儲(chǔ)寫(xiě)有改變寫(xiě)禁止條件的處理過(guò)程的固件程序。由MPU 18執(zhí)行該固件程序，以及由MPU 18與溫度傳感器20、電機(jī)控制電路17、R/W控制電路12上進(jìn)行的控制合作執(zhí)行該計(jì)算處理。
下面通過(guò)參考圖4至8描述前述的估計(jì)溫度計(jì)算處理的具體例子。在該例子中，使用每五分鐘從溫度傳感器20獲得的當(dāng)前溫度Tnow以及5分鐘中的溫度變化量ΔT，通過(guò)下面所示的一元方程如公式(1)計(jì)算預(yù)計(jì)在將來(lái)將達(dá)到的估計(jì)溫度Testimate。而且，ΔT由(2)表示。
Testimate＝Tnow+C×ΔT (1)ΔT＝Tnow-Tprevious(2)其中系數(shù)C是溫度變化量ΔT的權(quán)重系數(shù)，以及Tprevious是當(dāng)前溫度Tnow的取得時(shí)間之前五分鐘由溫度傳感器20獲得的溫度。
在該例子中，基于ΔT的值決定公式(1)的系數(shù)C，以便適用于表示磁盤裝置的實(shí)際溫度變化的圖4和5中的Tnow的曲線。更具體地說(shuō)，當(dāng)ΔT的絕對(duì)值，即，|ΔT|是0.8以上時(shí)，C將是2.0，以及當(dāng)|ΔT|小于0.8時(shí)，C將是1.0。當(dāng)C是2.0時(shí)，它表示將來(lái)的溫度變化率，即，將來(lái)的溫度梯度被假定為是過(guò)去五分鐘的兩倍。當(dāng)C是1.0時(shí)，它表示將來(lái)的溫度梯度被假定為與過(guò)去五分鐘的溫度梯度相同。
由圖4中的實(shí)線表示的Tnow是，通過(guò)在低溫(5度)環(huán)境下布置磁盤裝置時(shí)繪制每五分鐘取得的特定磁盤裝置的內(nèi)部溫度而取得的曲線。圖4中的虛線是通過(guò)使用上述公式(1)繪制每五分鐘計(jì)算的估計(jì)溫度Testimate而取得的曲線。如從圖4知道，根據(jù)公式(1)，在低溫環(huán)境下布置磁盤裝置之后第一20分鐘左右，特別地，該估計(jì)溫度被過(guò)高估計(jì)。這是因?yàn)橹?.0被選為上述公式(1)中的C的系數(shù)值。通過(guò)過(guò)高估計(jì)該估計(jì)溫度或?qū)?lái)的溫度梯度，可以使寫(xiě)禁止條件變得更嚴(yán)格。鑒于阻止偏離-磁道寫(xiě)入，這被有效的考慮。當(dāng)Tnow的值收斂時(shí)，ΔT變得更接近零，以便Testimate類似于Tnow收斂。
另一方面，由圖5中的實(shí)線表示的Tnow是，當(dāng)在高溫(55度)環(huán)境下布置磁盤裝置時(shí)，通過(guò)繪制每五分鐘獲得的特定磁盤裝置內(nèi)部的溫度而得到的曲線。圖5中的虛線是通過(guò)使用上述公式(1)繪制每五分鐘計(jì)算的估計(jì)溫度Testimate而得到的曲線。在此情況下，類似于圖4，根據(jù)公式(1)，在高溫環(huán)境下布置磁盤裝置之后的第一個(gè)20分鐘左右，特別地，該估計(jì)溫度被過(guò)高估計(jì)。
接下來(lái)，在圖6的流程圖中示出了每五分鐘使用公式(1)計(jì)算該估計(jì)溫度Testimate的示例性過(guò)程。圖6示出了圖3所示的估計(jì)溫度計(jì)算處理的特定例子。首先，在步驟S31中，變量Tnow表示存儲(chǔ)溫度傳感器20的輸出值的當(dāng)前溫度。在步驟S32中，使用存儲(chǔ)溫度傳感器的5-分鐘-老輸出值的變量Tprevious，以及表示當(dāng)前溫度的變量Tnow，計(jì)算溫度變化量ΔT。在步驟S33至S35中，基于為ΔT計(jì)算的絕對(duì)值大小確定系數(shù)C。如上文所述，在該例子中，當(dāng)絕對(duì)值|ΔT|是0.8以上時(shí)，C將是2.0，以及當(dāng)|ΔT|小于0.8時(shí)，C將是1.0。在步驟S36中，使用前述的公式(1)，計(jì)算估計(jì)溫度Testimate。在步驟S37中，為了計(jì)算下一個(gè)預(yù)定時(shí)間(5分鐘)過(guò)去之后的估計(jì)溫度，變量Tnow的值被存儲(chǔ)到變量Tprevious，表示過(guò)去(5分鐘之前)的溫度。
接下來(lái)通過(guò)參考圖7和8，描述基于由上述特定的估計(jì)溫度計(jì)算處理計(jì)算的估計(jì)溫度、溫度梯度以及當(dāng)前溫度改變寫(xiě)禁止條件的具體例子。
圖7是限定寫(xiě)禁止條件與當(dāng)前溫度Tnow、估計(jì)溫度Testimate以及溫度變化量(溫度梯度)ΔT的關(guān)系的圖表，所有數(shù)值是在圖6的流程圖中的處理之后得到。在該例子中，當(dāng)系數(shù)C是2.0時(shí)，即，當(dāng)過(guò)去5分鐘中的溫度變化是0.8度以上，當(dāng)ΔT是負(fù)的，當(dāng)當(dāng)前溫度是32度或以下，以及當(dāng)估計(jì)溫度Testimate是28度或以下時(shí)，寫(xiě)禁止條件變得更嚴(yán)格。當(dāng)系數(shù)C是2.0時(shí)，即，當(dāng)過(guò)去5分鐘中的溫度變化是0.8度以上，當(dāng)ΔT是正的，當(dāng)當(dāng)前溫度是40度或以上，以及當(dāng)估計(jì)溫度Testimate是50度或以上時(shí)，寫(xiě)禁止條件也變得更嚴(yán)格。在圖7的表中，兩個(gè)陰影區(qū)是使寫(xiě)禁止條件更嚴(yán)格的區(qū)域。圖7中的非-陰影區(qū)是相對(duì)于具有正常設(shè)置的寫(xiě)禁止條件的磁盤裝置進(jìn)行寫(xiě)操作的區(qū)域。
基本上，在其中溫度增加到預(yù)定溫度或以上的高溫部分中，以及在其中溫度減少到預(yù)定溫度或以下的低溫部分中，由于熱變形容易發(fā)生粘-滑。因此，當(dāng)在這種環(huán)境下布置該裝置時(shí)，可以使用于應(yīng)用的寫(xiě)禁止條件更嚴(yán)格。因此，在該例子中，如上文所述，當(dāng)該當(dāng)前溫度高于第一基準(zhǔn)溫度(例如，40度)時(shí)，以及當(dāng)使用溫度梯度計(jì)算的估計(jì)溫度等于或高于第二基準(zhǔn)溫度(例如，50度)時(shí)，寫(xiě)禁止條件變得更嚴(yán)格，該第二基準(zhǔn)溫度高于第一基準(zhǔn)溫度。當(dāng)該當(dāng)前溫度低于第三基準(zhǔn)溫度(例如，32度)時(shí)，以及當(dāng)使用該溫度梯度計(jì)算的估計(jì)溫度等于或低于第四基準(zhǔn)溫度(例如，28度)時(shí)，寫(xiě)禁止條件也變得更嚴(yán)格，該第四基準(zhǔn)溫度低于第三基準(zhǔn)溫度。第一和第三基準(zhǔn)溫度表示其中容易發(fā)生粘-滑的溫度區(qū)中的邊界溫度。而且，第一和第二基準(zhǔn)溫度之間的差值以及第三和第四基準(zhǔn)溫度之間的差值表示容易造成粘-滑的溫度梯度。
圖8示出了表示，當(dāng)根據(jù)圖7的上述圖表改變寫(xiě)禁止條件時(shí)，在溫度周期環(huán)境下用于磁盤裝置1的應(yīng)用的寫(xiě)禁止條件更嚴(yán)格的區(qū)域。圖中的實(shí)線表示通過(guò)溫度傳感器20得到的測(cè)量值Tnow，以及附圖中的虛線表示估計(jì)溫度Testimate。在圖中的R1和R3的區(qū)域中，當(dāng)前內(nèi)部溫度是高的(40度或以上)，預(yù)計(jì)5分鐘之后的估計(jì)溫度更加高(50度以上)，以及溫度梯度的絕對(duì)值是大的(估計(jì)系數(shù)＝2.0)，以便寫(xiě)禁止條件變得更嚴(yán)格。在圖中的R2的區(qū)域中，當(dāng)前溫度是低的(32度或以下)，預(yù)計(jì)5分鐘之后的估計(jì)溫度更加低(28度或以上)，以及溫度梯度的絕對(duì)值是大的(估計(jì)系數(shù)＝2.0)，以便寫(xiě)禁止條件也變得更嚴(yán)格。
如上文所述，可能使用的寫(xiě)禁止條件是基于VCM 14的驅(qū)動(dòng)電壓中觀察的波動(dòng)量、VCM 14的電流中觀察的波動(dòng)量、表示磁盤10的磁道中心和磁頭11之間位移的位置誤差信號(hào)(PES)的大小、由磁盤裝置內(nèi)設(shè)置的沖擊傳感器檢測(cè)到的振幅大小而設(shè)置的閾值條件。該位置誤差信號(hào)是表示磁頭11從磁道中心位移的信號(hào)，以及主要是用于磁頭11的定位控制的信號(hào)。
在此，對(duì)于寫(xiě)禁止條件，為了阻止由粘-滑引起的偏離-磁道寫(xiě)入，也可以將在每一溫度環(huán)境下閾值條件設(shè)置為一直是嚴(yán)格的。但是，如果利用一直嚴(yán)格的閾值條件，振動(dòng)的錯(cuò)誤檢測(cè)的頻率增加，由此導(dǎo)致?lián)p害磁盤裝置的訪問(wèn)能力的問(wèn)題。
另一方面，如同該實(shí)施例的磁盤裝置1，只有當(dāng)該裝置處于由于熱變形容易引起粘-滑的溫度區(qū)時(shí)，應(yīng)用嚴(yán)格的寫(xiě)禁止條件，以及，在其它情況下，將應(yīng)用的寫(xiě)禁止條件比通常應(yīng)用的寫(xiě)禁止條件更不嚴(yán)格。由此這能夠阻止源于粘-滑引起的偏離-磁道寫(xiě)入，以及保持磁盤裝置1的訪問(wèn)能力優(yōu)良。
下面，描述特定的示例性寫(xiě)禁止條件和對(duì)寫(xiě)禁止條件進(jìn)行的特定示例性條件改變。在下面，具體描述其中寫(xiě)禁止條件是設(shè)為VCM 14的驅(qū)動(dòng)電壓振幅(下面，稱為VCM電壓)的閾值條件的情況，以及當(dāng)VCM電壓超過(guò)閾值和大量波動(dòng)時(shí)，禁止對(duì)磁盤10進(jìn)行寫(xiě)入。圖9示出在這樣的情況下的磁盤裝置1中的主要部件的結(jié)構(gòu)。
在圖9中，裝備在電機(jī)控制電路17中的VCM驅(qū)動(dòng)部分171提供電流到VCM 14的線圈，并驅(qū)動(dòng)該VCM 14。通過(guò)MPU 18中裝備的位置控制處理部分181輸出的控制信號(hào)經(jīng)由D/A轉(zhuǎn)換器172輸入到VCM驅(qū)動(dòng)部分171，控制到VCM 14的驅(qū)動(dòng)電流。而且，如圖9所示，從位置控制處理部分185提供到VCM驅(qū)動(dòng)部分171的控制信號(hào)與沖擊傳感器22的輸出信號(hào)疊加，以及以此方式控制VCM驅(qū)動(dòng)電壓，以便消除由沖擊傳感器22檢測(cè)到的沖擊引起的振動(dòng)。因而，利用由沖擊傳感器22檢測(cè)到的沖擊反映由VCM驅(qū)動(dòng)部分171提供給VCM 14的電流和驅(qū)動(dòng)電壓。因此，通過(guò)監(jiān)控VCM電壓的波動(dòng)，可以檢測(cè)該沖擊。
VCM驅(qū)動(dòng)電壓檢測(cè)部分173檢測(cè)VCM 14(VCM電壓)的驅(qū)動(dòng)電壓。VCM驅(qū)動(dòng)電壓檢測(cè)部分173的輸出通過(guò)AD轉(zhuǎn)換器174輸入到MPU。
MPU 18中裝備的位置控制處理部分181在磁頭11上進(jìn)行定位控制。磁頭11上的定位控制如下大致地進(jìn)行。首先，通過(guò)磁頭11的再現(xiàn)元件從磁盤10讀出的數(shù)據(jù)被輸入到R/W控制電路12，以便檢測(cè)伺服數(shù)據(jù)，且由這里獲得的檢測(cè)到的伺服數(shù)據(jù)，得到磁頭位置信息。位置控制處理部分181接收由R/W控制電路獲得的磁頭位置信息并使用該磁頭位置信息計(jì)算磁頭位置和磁頭速度。而且，位置控制處理部分181基于該計(jì)算的磁頭位置和提供給VCM驅(qū)動(dòng)部分13的磁頭速度確定控制信號(hào)。這里注意，類似于常規(guī)控制方法進(jìn)行由磁盤裝置11的磁頭定位控制，因此沒(méi)有給出詳細(xì)描述。
當(dāng)由VCM驅(qū)動(dòng)電壓檢測(cè)部分173檢測(cè)到的VCM電壓的波動(dòng)量超過(guò)閾值時(shí)，閾值判定處理部分182輸出寫(xiě)禁止信號(hào)到R/W控制電路12，并禁止對(duì)磁盤10進(jìn)行寫(xiě)入。亦即，因?yàn)殚撝迪鄬?duì)于適用于閾值處理部分182的VCM電壓的波動(dòng)量的被減小，將容易允許該條件轉(zhuǎn)變?yōu)閷?xiě)禁止的狀態(tài)。因此，對(duì)應(yīng)于將寫(xiě)禁止條件變得更嚴(yán)格，減小應(yīng)用于閾值判定處理部分182的閾值。
估計(jì)溫度計(jì)算處理部分183通過(guò)A/D轉(zhuǎn)換器21接收由溫度傳感器20提供的溫度檢測(cè)信號(hào)，以及經(jīng)歷參考圖3或6描述的估計(jì)溫度計(jì)算處理，以計(jì)算溫度梯度和估計(jì)溫度。使用由估計(jì)溫度計(jì)算處理部分183計(jì)算的溫度梯度和估計(jì)溫度，以及由溫度傳感器20檢測(cè)到的當(dāng)前溫度，條件變化處理部分184判定是否改變圖2的步驟S12或S13的寫(xiě)禁止條件。當(dāng)判定改變?cè)搶?xiě)禁止條件時(shí)，該條件變化處理部分184指示閾值判定處理部分182改變?cè)撻撝怠８敿?xì)地，當(dāng)判定該溫度區(qū)容易引起由于粘-滑而導(dǎo)致的偏離-磁道寫(xiě)入時(shí)，該條件改變處理部分184指示閾值判定處理部分182改變閾值，以便如果在VCM電壓中觀察到較小波動(dòng)，禁止寫(xiě)入。反之，當(dāng)判定該溫度區(qū)幾乎不引起由于粘-滑的偏離-磁道寫(xiě)入時(shí)，它指示閾值判定處理部分182改變?cè)撻撝担员阍试SVCM電壓觀察到更大的波動(dòng)。
在此，如上所述，通過(guò)由MPU 18執(zhí)行固件程序可以實(shí)現(xiàn)閾值判定處理部分182、估計(jì)溫度計(jì)算處理部分183以及條件改變處理部分184。
圖10示出了在發(fā)生粘-滑時(shí)通過(guò)沖擊傳感器22的沖擊檢測(cè)、VCM電壓、位置誤差信號(hào)(PES)以及通過(guò)MPU 18輸出到R/W控制電路12的寫(xiě)禁止信號(hào)之間的關(guān)系的概念視圖。由箭頭表示的PES信號(hào)的位置表示作為粘-滑的結(jié)果由于振動(dòng)磁頭11使得PES大量波動(dòng)的時(shí)間。這種PES波動(dòng)以下被稱為PES跳動(dòng)。如果當(dāng)觀察到PES跳動(dòng)時(shí)，磁頭11處于寫(xiě)過(guò)程，那么發(fā)生偏離-磁道寫(xiě)入。
這里假定為正常操作中的VCM電壓波動(dòng)量而設(shè)置的閾值是圖10的Th2。當(dāng)基于通過(guò)溫度傳感器20的測(cè)量溫度和由此得出的溫度梯度，該溫度區(qū)被判定為容易引起粘-滑時(shí)，那么用于VCM電壓的波動(dòng)量的閾值轉(zhuǎn)變?yōu)閳D10的Th1。因而，通過(guò)改變根據(jù)粘-滑的可能發(fā)生用來(lái)判定是否禁止寫(xiě)入的VCM電壓的閾值，利用比PES跳動(dòng)的發(fā)生更早的寫(xiě)禁止信號(hào)的輸出(圖10的T1)，可以通過(guò)R/W控制電路12和磁頭11停止對(duì)磁盤10進(jìn)行寫(xiě)操作。
因而，該實(shí)施例的磁盤裝置1包括根據(jù)VCM電壓的檢測(cè)值禁止寫(xiě)入和基于通過(guò)溫度傳感器20的測(cè)量溫度和由此計(jì)算的溫度梯度動(dòng)態(tài)地改變用來(lái)禁止該寫(xiě)入的閾值的機(jī)構(gòu)。亦即，與幾乎不產(chǎn)生由于粘-滑的偏離-磁道寫(xiě)入的溫度區(qū)相比較，對(duì)于由于粘-滑容易產(chǎn)生偏離-磁道寫(xiě)入的溫度區(qū)，響應(yīng)VCM電壓中觀察到的任意較小的波動(dòng)，閾值被轉(zhuǎn)變以禁止寫(xiě)入。這能夠更快地檢測(cè)到粘-滑振動(dòng)和更早地轉(zhuǎn)變?yōu)閷?xiě)禁止?fàn)顟B(tài)，以便偏離-磁道寫(xiě)入的產(chǎn)生可以被抑制。相反地，對(duì)于幾乎不引起由于粘-滑而導(dǎo)致偏離-磁道寫(xiě)入的溫度區(qū)，閾值被如此改變，以至允許VCM電壓觀察到較大的波動(dòng)。以此方式，使通過(guò)VCM電壓的振動(dòng)檢測(cè)條件較不嚴(yán)格，可以增加訪問(wèn)能力。
與通過(guò)檢測(cè)位置誤差信號(hào)中觀察到的波動(dòng)來(lái)禁止寫(xiě)入的先前通用的方法相比較，鑒于能夠更早地進(jìn)行寫(xiě)禁止，通過(guò)檢測(cè)VCM電壓的波動(dòng)，禁止對(duì)磁盤10進(jìn)行寫(xiě)入的上述方法被認(rèn)為是有效的。位置誤差信號(hào)是在磁頭11讀取伺服數(shù)據(jù)之后被輸出的信號(hào)，且因此時(shí)間滯后是較大的，直到在輸出值中出現(xiàn)振動(dòng)效果。另一方面，因?yàn)閂CM電壓可以用更直接的方法檢測(cè)振動(dòng)的效果，與檢測(cè)位置誤差信號(hào)的波動(dòng)的情況相比較，可以更快地檢測(cè)振動(dòng)的發(fā)生。因而，通過(guò)檢測(cè)VCM電壓的波動(dòng)以禁止該寫(xiě)入，以及通過(guò)基于由粘-滑引起的偏離-磁道寫(xiě)入的發(fā)生改變用于判定VCM電壓的波動(dòng)的閾值，可以更加快地檢測(cè)通過(guò)粘-滑的振動(dòng)。這能夠用更有效的方法阻止偏離-磁道寫(xiě)入。作為VCM電壓的波動(dòng)的選擇性方法，可以檢測(cè)VCM 14的驅(qū)動(dòng)電流的波動(dòng)。此外在此情況下，與在檢測(cè)位置誤差信號(hào)的波動(dòng)之后禁止寫(xiě)入的方法相比較，可以更早地禁止該寫(xiě)入。
在下面，作為另一特定的例子，描述具有兩個(gè)閾值條件的情況，其中該寫(xiě)禁止條件的閾值條件被設(shè)為VCM 14的驅(qū)動(dòng)電壓的振幅(VCM電壓)，以及其中該寫(xiě)禁止條件的閾值條件被設(shè)為位置誤差信號(hào)的大小。圖11示出了在此情況下磁盤裝置1中的主要部件的結(jié)構(gòu)圖。除圖9所示的結(jié)構(gòu)之外，進(jìn)一步提供閾值判定部分185，以通過(guò)接收來(lái)自R/W通道12的位置誤差信號(hào)，執(zhí)行閾值判定處理。對(duì)于寫(xiě)禁止條件的改變，條件變化處理部分183指示閾值判定處理部分182和185改變?cè)撻撝怠?br> 例如，在由于粘-滑不容易引起偏離-磁道寫(xiě)入的狀態(tài)中，當(dāng)磁頭位置位于距磁道中心±40nm的范圍時(shí)，該寫(xiě)入被允許。在此情況下，利用該閾值設(shè)置位置誤差信號(hào)，以當(dāng)磁頭和磁道中心之間的距離超過(guò)±40nm時(shí)，禁止該寫(xiě)入。另一方面，在由于粘-滑容易引起偏離-磁道寫(xiě)入的狀態(tài)中，通過(guò)該條件用于寫(xiě)允許的范圍變得更嚴(yán)格。例如，對(duì)于寫(xiě)允許的范圍變?yōu)榫啻诺乐行淖冋痢?0nm，據(jù)此，改變位置誤差信號(hào)的閾值。
在VCM電壓示出改變之前，用粘-滑觀察的磁盤裝置中的某些位置或粘-滑的某些振動(dòng)大小可能導(dǎo)致位置誤差信號(hào)的波動(dòng)?？紤]其設(shè)置兩種類型的條件，也就是用于VCM電壓的寫(xiě)禁止條件和用于位置誤差信號(hào)的寫(xiě)禁止條件，以便即使在VCM電壓示出改變之前也可以更加快地禁止該寫(xiě)入。這與使用一種類型的條件來(lái)判定是否禁止該寫(xiě)入的情況相比較，能夠更可靠性排除由于粘-滑引起的偏離-磁道寫(xiě)入。
在此，如果溫度傳感器20檢測(cè)到響應(yīng)于粘-滑的發(fā)生可能引起偏離-磁道寫(xiě)入的任意部件的溫度，以及該部件周圍的溫度，那么它是優(yōu)選的。例如，當(dāng)配置傳動(dòng)機(jī)構(gòu)如支撐架13或VCM 14的任意部件發(fā)生粘-滑時(shí)，這些部件對(duì)磁頭位置的波動(dòng)造成大的影響。因此，如果這種部件的溫度或該部件周圍的環(huán)境溫度被測(cè)量，那么它可以起到很好的效果。
在上述的特定例子中，描述了其中寫(xiě)禁止條件被設(shè)為相對(duì)于VCM電壓的波動(dòng)或位置誤差信號(hào)的波動(dòng)的閾值條件以及這些判定閾值被改變的特定例子。另外，如上文所述，任意其他寫(xiě)禁止條件可以被使用，例如，VCM 14的電流波動(dòng)量、由沖擊傳感器22檢測(cè)到的加速度的波動(dòng)量等等。簡(jiǎn)而言之，本實(shí)施例的磁盤裝置提供有用于直接或間接地檢測(cè)引起磁頭11的位置波動(dòng)的振動(dòng)大小的檢測(cè)裝置，通過(guò)使閾值判定相對(duì)于由該檢測(cè)方法檢測(cè)到的振動(dòng)大小禁止對(duì)磁盤進(jìn)行寫(xiě)入的裝置，以及基于磁盤裝置的內(nèi)部溫度和溫度變化量在該閾值判定的時(shí)候改變閾值的裝置。
例如，如果MPU 18的處理量是適當(dāng)?shù)?，那么沖擊傳感器22的輸出可以通過(guò)A/D轉(zhuǎn)換器被傳送到MPU 18，以及可以相對(duì)于由沖擊傳感器22檢測(cè)到的加速度的任意波動(dòng)進(jìn)行閾值判定，如果有的話。通過(guò)相對(duì)于沖擊傳感器22的輸出信號(hào)進(jìn)行閾值判定，可以直接檢測(cè)粘-滑振動(dòng)，與監(jiān)視VCM電壓的情況相比較，可以更早地檢測(cè)到粘-滑振動(dòng)的發(fā)生。
本發(fā)明的第二實(shí)施例。
圖12示出了本實(shí)施例的磁盤裝置2的結(jié)構(gòu)。磁盤裝置2在該方面不同于本發(fā)明的第一實(shí)施例的磁盤裝置1其中沖擊傳感器22的輸出通過(guò)A/D轉(zhuǎn)換器23被發(fā)送到MPU 18，以及通過(guò)MPU 18改變使用的判定條件，以根據(jù)由沖擊傳感器22得出的沖擊檢測(cè)結(jié)果，改變寫(xiě)禁止條件。本實(shí)施例的沖擊傳感器22可以通過(guò)VCM電壓或位置誤差信號(hào)(PES)檢測(cè)振動(dòng)的發(fā)生。
通過(guò)參考圖13的流程圖，描述將由MPU 18執(zhí)行的判定條件改變處理。在步驟S41中，使用沖擊傳感器22的輸出，檢測(cè)粘-滑振動(dòng)的發(fā)生。在步驟S42中，使用振動(dòng)檢測(cè)作為提示獲得溫度傳感器20的測(cè)量溫度，以及從由此獲得的測(cè)量溫度和過(guò)去的溫度記錄來(lái)計(jì)算溫度梯度。該測(cè)量溫度和溫度梯度都被存儲(chǔ)在RAM(未示出)或其它存儲(chǔ)器中。在步驟S43中，基于步驟S42中存儲(chǔ)的測(cè)量溫度和溫度梯度改變?cè)撆卸l件。以此方式，當(dāng)在應(yīng)用有嚴(yán)格的寫(xiě)禁止條件的區(qū)域外面的區(qū)域中檢測(cè)到粘-滑時(shí)，使用步驟842中存儲(chǔ)的值更新用作用于改變寫(xiě)禁止條件的邊界的溫度和溫度梯度。以此方式，該判定條件可以被優(yōu)化，以及可以更可靠地阻止偏離-磁道寫(xiě)入。
相反地，當(dāng)僅僅在應(yīng)用有嚴(yán)格的寫(xiě)禁止條件的窄區(qū)域中檢測(cè)到粘-滑時(shí)，通過(guò)步驟S42中存儲(chǔ)的值更新用作用于改變寫(xiě)禁止條件的界限的溫度和溫度梯度。以此方式，可以增加磁盤裝置2的訪問(wèn)能力。
任意其他實(shí)施例在上述的第一實(shí)施例中，圖7示出了寫(xiě)禁止條件被改變時(shí)的判定條件的特定例子。但是，判定條件和用于進(jìn)行判定的參數(shù)可以被不同地修改。由于熱變形而發(fā)生的粘-滑取決于發(fā)生時(shí)的溫度以及直到達(dá)到該溫度值的溫度梯度。由此，更直接地，可以對(duì)在將來(lái)將預(yù)計(jì)達(dá)到的估計(jì)溫度，以及直到該溫度達(dá)到將來(lái)的估計(jì)溫度時(shí)將預(yù)計(jì)形成的溫度梯度進(jìn)行估計(jì)，以及可以基于該結(jié)果值改變?cè)搶?xiě)禁止條件。但是，這些不是限制性的，以及類似于其處的任意其他參數(shù)可以用來(lái)間接地估計(jì)預(yù)計(jì)在將來(lái)將達(dá)到的估計(jì)溫度，以及直到溫度達(dá)到將來(lái)的估計(jì)溫度時(shí)形成的溫度梯度。例如，可以基于以下參數(shù)的組合進(jìn)行決定，如(1)當(dāng)前溫度和直到達(dá)到當(dāng)前溫度的溫度梯度，(2)當(dāng)前溫度和預(yù)計(jì)在將來(lái)將形成的溫度梯度，(3)當(dāng)前溫度和預(yù)期在將來(lái)將達(dá)到的估計(jì)溫度，以及(4)當(dāng)前溫度、預(yù)計(jì)在將來(lái)將達(dá)到的估計(jì)溫度以及直到達(dá)到將來(lái)的估計(jì)溫度的估計(jì)溫度梯度。這里注意，為了計(jì)算將來(lái)的估計(jì)溫度和將來(lái)的估計(jì)溫度梯度，需要使用該溫度的過(guò)去記錄，包括通過(guò)溫度傳感器20獲得的當(dāng)前溫度以及由此計(jì)算的溫度梯度的過(guò)去記錄。
此外，本發(fā)明不限于如上所述的實(shí)施例，很清楚在不脫離本發(fā)明范圍的條件下，可以設(shè)計(jì)許多其他改進(jìn)。
1，2磁盤裝置10磁盤11磁頭12R/W控制電路13支撐架14VCM16SPM17電機(jī)控制電路18微處理器(MPU)19I/F控制電路20溫度傳感器21，23A/D轉(zhuǎn)換器22沖擊傳感器171VCM驅(qū)動(dòng)部分172D/A轉(zhuǎn)換器173VCM驅(qū)動(dòng)電壓檢測(cè)部分174A/D轉(zhuǎn)換器181位置控制處理部分182，185閾值判定處理部分183估計(jì)溫度計(jì)算處理部分184條件改變處理部分
權(quán)利要求
1.一種磁盤存儲(chǔ)裝置，包括記錄磁盤；用于對(duì)該記錄磁盤進(jìn)行寫(xiě)入的磁頭；以及檢測(cè)該裝置內(nèi)部的溫度的溫度傳感器，其中基于由溫度傳感器檢測(cè)到的測(cè)量溫度和使用該測(cè)量溫度計(jì)算的溫度變化量，改變用來(lái)判定是否對(duì)記錄磁盤進(jìn)行寫(xiě)入的判定條件。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的磁盤存儲(chǔ)裝置，其中由該測(cè)量溫度和溫度變化量，計(jì)算預(yù)計(jì)在將來(lái)將達(dá)到的估計(jì)溫度，以及當(dāng)測(cè)量溫度高于第一基準(zhǔn)溫度時(shí)，以及當(dāng)該估計(jì)溫度高于第二基準(zhǔn)溫度時(shí)，改變?cè)撆卸l件，該第二基準(zhǔn)溫度高于第一基準(zhǔn)溫度。
3.根據(jù)權(quán)利要求1的用于磁盤存儲(chǔ)裝置的控制方法，其中由該測(cè)量溫度和溫度梯度，計(jì)算預(yù)計(jì)在將來(lái)將達(dá)到的估計(jì)溫度，以及當(dāng)該測(cè)量溫度低于第三基準(zhǔn)溫度時(shí)，以及當(dāng)該估計(jì)溫度低于第四基準(zhǔn)溫度時(shí)，改變?cè)撆卸l件，該第四基準(zhǔn)溫度低于第三基準(zhǔn)溫度。
4.根據(jù)權(quán)利要求1的磁盤存儲(chǔ)裝置，其中通過(guò)在閾值和與磁頭的位置波動(dòng)具有相關(guān)性的測(cè)量量之間的比較，判定是否禁止對(duì)磁盤進(jìn)行寫(xiě)入，以及通過(guò)改變?cè)撻撝?，改變?cè)撆卸l件。
5.根據(jù)權(quán)利要求1的磁盤存儲(chǔ)裝置，還包括支撐磁頭的支撐架；檢測(cè)機(jī)械沖擊的沖擊傳感器；由用沖擊傳感器的輸出反映的驅(qū)動(dòng)電壓或驅(qū)動(dòng)電流驅(qū)動(dòng)，并將支撐架置于搖擺的音圈電機(jī)；以及檢測(cè)該驅(qū)動(dòng)電壓或驅(qū)動(dòng)電流的檢測(cè)部分，其中根據(jù)由檢測(cè)部分檢測(cè)到的驅(qū)動(dòng)電壓或驅(qū)動(dòng)電流是否超過(guò)閾值，決定是否禁止對(duì)磁盤寫(xiě)入，以及通過(guò)改變用于與電壓比較的閾值，改變?cè)撆卸l件。
6.一種磁盤存儲(chǔ)裝置，包括記錄磁盤；用于對(duì)記錄磁盤進(jìn)行寫(xiě)入的磁頭；檢測(cè)該裝置內(nèi)部的溫度的溫度傳感器；判定處理部分，其檢測(cè)與磁頭的位置波動(dòng)具有相關(guān)性的測(cè)量的波動(dòng)量，以及判定是否禁止磁頭對(duì)記錄磁盤進(jìn)行寫(xiě)入；以及條件改變處理部分，改變應(yīng)用于判定處理部分的判定條件，其中基于由溫度傳感器檢測(cè)到的測(cè)量溫度和使用該測(cè)量溫度計(jì)算的溫度變化量，該條件改變處理部分判定該裝置是否處于可能由熱變形引起振動(dòng)的溫度區(qū)，以及當(dāng)判定該溫度區(qū)可能通過(guò)熱變形引起振動(dòng)時(shí)，改變應(yīng)用于判定處理部分的判定條件。
7.根據(jù)權(quán)利要求6的磁盤存儲(chǔ)裝置，還包括估計(jì)溫度計(jì)算部分，其使用該測(cè)量溫度和溫度變化量計(jì)算預(yù)計(jì)在將來(lái)將達(dá)到的估計(jì)溫度，其中當(dāng)該測(cè)量溫度高于第一基準(zhǔn)溫度時(shí)，以及當(dāng)該估計(jì)溫度高于第二基準(zhǔn)溫度時(shí)，該條件改變處理部分改變?cè)撆卸l件，第二基準(zhǔn)溫度高于第一基準(zhǔn)溫度。
8.根據(jù)權(quán)利要求6的磁盤存儲(chǔ)裝置，還包括估計(jì)溫度計(jì)算部分，使用該測(cè)量溫度和溫度變化量，計(jì)算預(yù)計(jì)在將來(lái)將達(dá)到的估計(jì)溫度，其中當(dāng)該測(cè)量溫度低于第三基準(zhǔn)溫度時(shí)，以及當(dāng)該估計(jì)溫度低于第四基準(zhǔn)溫度時(shí)，該條件改變處理部分改變?cè)撆卸l件，該第四基準(zhǔn)溫度低于第三基準(zhǔn)溫度。
9.根據(jù)權(quán)利要求6的磁盤存儲(chǔ)裝置，其中該判定處理部分檢測(cè)兩個(gè)或更多的測(cè)量的波動(dòng)量，以及基于該檢測(cè)結(jié)果，判定是否禁止磁頭對(duì)記錄磁盤進(jìn)行寫(xiě)入。
10.根據(jù)權(quán)利要求6的磁盤存儲(chǔ)裝置，其中該判定處理部分通過(guò)閾值和與磁頭的位置波動(dòng)具有相關(guān)性的測(cè)量數(shù)量之間的比較，決定是否禁止對(duì)進(jìn)行寫(xiě)入，以及該條件改變處理部分通過(guò)改變閾值，改變?cè)撆卸l件。
11.根據(jù)權(quán)利要求6的磁盤存儲(chǔ)裝置，還包括支撐磁頭的支撐架；將支撐架置于搖擺的音圈電機(jī)；以及檢測(cè)該音圈電機(jī)的驅(qū)動(dòng)電壓或驅(qū)動(dòng)電流的檢測(cè)部分，其中該判定處理部分，根據(jù)由檢測(cè)部分檢測(cè)到的驅(qū)動(dòng)電壓或驅(qū)動(dòng)電流是否超過(guò)閾值，進(jìn)行是否禁止對(duì)磁盤進(jìn)行寫(xiě)入的判定，以及該條件改變處理部分通過(guò)改變用于與電壓比較的閾值，改變?cè)撆卸l件。
12.根據(jù)權(quán)利要求6的磁盤存儲(chǔ)裝置，還包括能檢測(cè)由熱變形引起的振動(dòng)的沖擊傳感器，其中當(dāng)通過(guò)沖擊傳感器檢測(cè)到振動(dòng)時(shí)溫度傳感器的測(cè)量溫度被存儲(chǔ)，以及該存儲(chǔ)的測(cè)量溫度被用作基礎(chǔ)，以改變用來(lái)判定裝置處于可能由熱變形引起振動(dòng)的溫度區(qū)的邊界溫度條件。
13.一種用于磁盤存儲(chǔ)裝置的控制方法，包括記錄磁盤；用于對(duì)該記錄磁盤進(jìn)行寫(xiě)入的磁頭；以及檢測(cè)該裝置內(nèi)部的溫度的溫度傳感器，其中使用由該溫度傳感器檢測(cè)到的測(cè)量溫度，由過(guò)去的溫度記錄，計(jì)算溫度變化量，以及基于該測(cè)量溫度和溫度變化量，改變用來(lái)判定是否禁止磁頭對(duì)記錄磁盤進(jìn)行寫(xiě)入的判定條件。
14.根據(jù)權(quán)利要求13的用于磁盤存儲(chǔ)裝置的控制方法，其中由該測(cè)量溫度和溫度變化量，計(jì)算預(yù)計(jì)在將來(lái)將達(dá)到的估計(jì)溫度，以及當(dāng)該測(cè)量溫度高于第一基準(zhǔn)溫度時(shí)，以及當(dāng)該估計(jì)溫度高于第二基準(zhǔn)溫度時(shí)，改變?cè)撆卸l件，該第二基準(zhǔn)溫度高于第一基準(zhǔn)溫度。
15.根據(jù)權(quán)利要求13的用于磁盤存儲(chǔ)裝置的控制方法，其中由該測(cè)量溫度和溫度梯度，計(jì)算預(yù)計(jì)在將來(lái)將達(dá)到的估計(jì)溫度，以及當(dāng)該測(cè)量溫度低于第三基準(zhǔn)溫度時(shí)，以及當(dāng)該估計(jì)溫度低于第四基準(zhǔn)溫度時(shí)，改變?cè)撆卸l件，該第四基準(zhǔn)溫度低于第三基準(zhǔn)溫度。
16.根據(jù)權(quán)利要求13的用于磁盤存儲(chǔ)裝置的控制方法，其中當(dāng)該測(cè)量溫度高于基準(zhǔn)溫度，當(dāng)該溫度變化量是正的，以及當(dāng)溫度變化量的絕對(duì)值大于基準(zhǔn)量時(shí)，改變?cè)撆卸l件。
17.根據(jù)權(quán)利要求13的用于磁盤存儲(chǔ)裝置的控制方法，其中當(dāng)該測(cè)量溫度低于基準(zhǔn)溫度，當(dāng)該溫度變化量是負(fù)的，以及當(dāng)溫度變化量的絕對(duì)值大于基準(zhǔn)量時(shí)，改變?cè)撆卸l件。
18.根據(jù)權(quán)利要求13的用于磁盤存儲(chǔ)裝置的控制方法，其中通過(guò)在閾值和與磁頭的位置波動(dòng)具有相關(guān)性的測(cè)量量之間的比較，進(jìn)行是否禁止對(duì)磁盤進(jìn)行寫(xiě)入的判定，以及通過(guò)改變?cè)撻撝担淖冊(cè)撆卸l件。
19.根據(jù)權(quán)利要求13的用于磁盤存儲(chǔ)裝置的控制方法，其中根據(jù)音圈電機(jī)的驅(qū)動(dòng)電壓或驅(qū)動(dòng)電流是否超過(guò)閾值，該音圈電機(jī)將支撐磁頭的支撐架置于搖擺，做出是否禁止對(duì)磁盤寫(xiě)入的判定，以及通過(guò)改變與驅(qū)動(dòng)電壓或驅(qū)動(dòng)電流比較的閾值，改變?cè)撆卸l件。
全文摘要
提供一種磁盤存儲(chǔ)裝置和用于該磁盤存儲(chǔ)裝置的控制方法，該磁盤存儲(chǔ)裝置能夠消除由熱變形引起的粘－滑所產(chǎn)生的偏離－磁道寫(xiě)入。一種磁盤裝置1設(shè)有磁盤10，對(duì)磁盤10進(jìn)行寫(xiě)入的磁頭11，以及檢測(cè)磁盤裝置1內(nèi)部的溫度的溫度傳感器20。而且，磁盤裝置1基于由溫度傳感器20檢測(cè)到的測(cè)量溫度以及使用該測(cè)量溫度計(jì)算的溫度變化量，改變用來(lái)判定是否禁止通過(guò)磁頭11對(duì)磁盤10進(jìn)行寫(xiě)入的判定條件。
文檔編號(hào)G11B33/14GK1956080SQ20061014248
公開(kāi)日2007年5月2日 申請(qǐng)日期2006年10月26日 優(yōu)先權(quán)日2005年10月27日
發(fā)明者武田澄江, 小野山勝元, 濱田洋介, 大澤弘幸 申請(qǐng)人:日立環(huán)球儲(chǔ)存科技荷蘭有限公司