專利名稱：用于垂直記錄的具有非巨磁致電阻分路的磁頭及制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明總地涉及磁存儲(chǔ)器，更特別地，涉及用于垂直記錄的具有非GMR分路(shunt)的磁頭及其制造方法。
背景技術(shù)：
現(xiàn)代的計(jì)算機(jī)需要其中能迅速存儲(chǔ)和取回?cái)?shù)字?jǐn)?shù)據(jù)的介質(zhì)。已經(jīng)證實(shí)盤上的可磁化(硬)層是用于快速和準(zhǔn)確的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)和取回的可靠介質(zhì)。因此從硬盤讀數(shù)據(jù)且向其寫數(shù)據(jù)的盤驅(qū)動(dòng)器已經(jīng)成為計(jì)算機(jī)系統(tǒng)的流行部件。在這樣的器件中，讀寫頭用來(lái)寫數(shù)據(jù)在相鄰旋轉(zhuǎn)硬或柔性盤上或者從其讀取數(shù)據(jù)。
頭/盤組件通常包括一個(gè)或更多公共驅(qū)動(dòng)磁數(shù)據(jù)存儲(chǔ)盤，其繞公共主軸(spindle)可旋轉(zhuǎn)。至少一個(gè)頭致動(dòng)器相對(duì)于盤徑向移動(dòng)一個(gè)或更多磁讀/寫頭從而可以在盤的選定環(huán)形同心道上讀和/或?qū)憯?shù)據(jù)。每個(gè)磁頭懸吊得非常接近記錄盤之一且通過(guò)安裝到柔性懸臂的氣墊滑塊被支承。懸臂又附著到定位致動(dòng)器。
正常運(yùn)行期間，盤旋轉(zhuǎn)提供頭和記錄介質(zhì)之間的相對(duì)移動(dòng)，同時(shí)致動(dòng)器動(dòng)態(tài)地將所述頭定位于期望的道之上。該相對(duì)移動(dòng)提供沿滑塊的面對(duì)介質(zhì)的表面的氣流，產(chǎn)生舉力。該舉力被公知的懸臂負(fù)載平衡，使得滑塊被支承在氣墊上。氣流進(jìn)入滑塊的前導(dǎo)邊緣且從尾邊緣離開。頭通常朝向尾端定位，與前導(dǎo)邊緣相比其趨于接近記錄表面飛行。
現(xiàn)有的磁存儲(chǔ)系統(tǒng)使用磁致電阻(MR)頭來(lái)從磁介質(zhì)讀數(shù)據(jù)且使用感應(yīng)頭來(lái)寫數(shù)據(jù)到磁介質(zhì)上。MR盤驅(qū)動(dòng)器使用具有同心數(shù)據(jù)道的可旋轉(zhuǎn)盤，該同心數(shù)據(jù)道含有用戶數(shù)據(jù)；讀/寫頭，可包括用于寫和讀各個(gè)道上的數(shù)據(jù)的感應(yīng)寫頭和MR讀頭；數(shù)據(jù)讀回和檢測(cè)通道，耦接到MR頭用于處理磁記錄于盤上的數(shù)據(jù)；致動(dòng)器，連接到用于所述頭的載具以將所述頭移至所需數(shù)據(jù)道且在讀或?qū)懖僮髌陂g將其維持于所述道中線之上。
通常有多個(gè)盤堆疊于被盤驅(qū)動(dòng)心軸馬達(dá)旋轉(zhuǎn)的轂(hub)上。外殼支承驅(qū)動(dòng)馬達(dá)和頭致動(dòng)器且包圍所述頭和盤從而為頭-盤界面提供基本密封的環(huán)境。頭載具通常是氣墊滑塊，當(dāng)盤以其運(yùn)行速度旋轉(zhuǎn)時(shí)其在盤表面之上騎在氣墊上。滑塊通過(guò)懸臂維持為非常接近于盤表面，懸臂將滑塊連接到致動(dòng)器?；瑝K和盤表面之間的間距稱為飛行高度，其精確值對(duì)于讀和寫過(guò)程的正常功能是關(guān)鍵的。
感應(yīng)寫頭和MR讀頭構(gòu)圖在滑塊的尾端上，其是滑塊的最接近于盤表面飛行的部分。滑塊或者通過(guò)來(lái)自懸臂的小彈力被偏置朝向盤表面，和/或借助于滑塊上的“負(fù)壓”氣墊面“自加載”到盤表面。
MR傳感器通過(guò)磁材料制成的磁致電阻元件的電阻變化檢測(cè)磁場(chǎng)，所述電阻變化是通過(guò)該元件檢測(cè)的磁通的強(qiáng)度和方向的函數(shù)。MR傳感器可應(yīng)用于磁記錄系統(tǒng)中，因?yàn)楫?dāng)來(lái)自被記錄磁介質(zhì)的外磁場(chǎng)(信號(hào)場(chǎng))導(dǎo)致MR讀頭中磁化方向改變時(shí)，可以從磁介質(zhì)讀取所記錄的數(shù)據(jù)。MR讀頭中磁化方向的改變又導(dǎo)致MR讀頭中的電阻變化和相應(yīng)的檢測(cè)電流或電壓的變化。磁記錄系統(tǒng)中使用的常規(guī)MR傳感器基于各向異性磁致電阻(AMR)效應(yīng)運(yùn)行，其中元件電阻的分量隨著元件中的磁化與流過(guò)元件的檢測(cè)或偏置電流的方向之間的角度的余弦的平方而改變。
已經(jīng)在多種磁多層結(jié)構(gòu)中發(fā)現(xiàn)了稱為巨磁致電阻(GMR)的不同且更顯著的磁致電阻，所述磁多層結(jié)構(gòu)的本質(zhì)特征在于至少兩鐵磁金屬層通過(guò)非鐵磁金屬層分隔開。在所有類型的GMR結(jié)構(gòu)中物理本性是相同的外磁場(chǎng)的應(yīng)用導(dǎo)致相鄰鐵磁層的磁化的相對(duì)取向改變。這又導(dǎo)致傳導(dǎo)電子的自旋相關(guān)散射改變且因此結(jié)構(gòu)的電阻的改變。因此當(dāng)鐵磁層的磁化的相對(duì)定向改變時(shí)結(jié)構(gòu)的電阻改變。GMR的特別有用的應(yīng)用是包括通過(guò)非磁金屬間隔層分隔開的兩個(gè)基本不耦合的鐵磁層的三明治結(jié)構(gòu)，其中鐵磁層之一的磁化“被釘扎”，且因此被防止在存在外磁場(chǎng)時(shí)旋轉(zhuǎn)。此類MR傳感器被稱為“自旋閥”傳感器。
讀傳感器設(shè)置在屏蔽件之間。屏蔽件是導(dǎo)電的，與讀傳感器及其接觸形成電容器。電容取決于屏蔽件和讀傳感器之間的伸展面積以及絕緣材料。運(yùn)行期間，電荷會(huì)積累在導(dǎo)電屏蔽件上且通過(guò)讀傳感器和屏蔽件之間的瞬間傳導(dǎo)路徑突然放電。
已經(jīng)進(jìn)行嘗試以通過(guò)制成讀傳感器與屏蔽件之間的短路電路連接來(lái)防止電荷累積。不幸的是，這樣的分路利用GMR材料形成。然而，具有GMR分路的讀頭的傳遞曲線(transfer curve)不是完全線性的。GMR分路導(dǎo)致在零磁場(chǎng)附近包括“彎曲(kink)”的傳遞曲線。
因此可以看出，需要一種用于垂直記錄的具有非GMR分路的磁頭及其制造方法。

發(fā)明內(nèi)容
為了克服上述現(xiàn)有技術(shù)中的限制，且為了克服閱讀和理解本說(shuō)明之后將變得明顯的其他限制，本發(fā)明公開一種用于垂直記錄的具有非GMR分路的磁頭以及制造用于垂直記錄的具有非GMR分路的磁頭的方法。
通過(guò)提供分路用于從讀傳感器分流電荷，本發(fā)明解決了上述問(wèn)題。該分路與讀傳感器共面地形成且利用非GMR材料制成。
根據(jù)本發(fā)明的原理制造用于垂直記錄的具有非GMR分路的磁頭的方法包括形成傳感器；在該傳感器之上沉積具有預(yù)定形狀的光致抗蝕劑層；去除通過(guò)該光致抗蝕劑層暴露的該傳感器的一部分從而形成空缺(void)；用非GMR材料再填充該空缺；以及去除該光致抗蝕劑層。
在本發(fā)明的另一實(shí)施例中，提供一種讀頭。該讀頭包括讀傳感器及與該讀傳感器共面形成的分路，其中該分路包括非GMR材料。
在本發(fā)明的另一實(shí)施例中，提供一種存儲(chǔ)器件。該存儲(chǔ)器件包括磁記錄介質(zhì)，用于在其上記錄數(shù)據(jù)；滑塊，具有耦合到該滑塊的垂直讀/寫頭，該讀頭包括讀傳感器；馬達(dá)，耦接到該磁記錄介質(zhì)，用于移動(dòng)該磁記錄介質(zhì)；以及致動(dòng)器，耦接到具有所述垂直讀/寫頭的所述滑塊，用于相對(duì)于該磁記錄介質(zhì)移動(dòng)該垂直讀/寫頭，其中該垂直讀/寫頭還包括與該讀頭的讀傳感器共面且包括非GMR材料的分路。
在本發(fā)明的另一實(shí)施例中，提供另一讀頭。該讀頭包括用于檢測(cè)記錄在磁介質(zhì)上的數(shù)據(jù)的裝置和用于從所述檢測(cè)數(shù)據(jù)的裝置分流電荷的裝置，所述用于分流的裝置與所述檢測(cè)數(shù)據(jù)的裝置共面且包括非GMR材料。
在本發(fā)明的另一實(shí)施例中，提供另一存儲(chǔ)器件。該存儲(chǔ)器件包括用于在其上記錄數(shù)據(jù)的裝置；用于使垂直讀/寫裝置飛行的裝置，該垂直讀/寫裝置包括用于檢測(cè)寫在用于記錄數(shù)據(jù)的裝置上的數(shù)據(jù)的裝置；裝置，耦接到用于記錄數(shù)據(jù)的裝置，用于移動(dòng)所述記錄數(shù)據(jù)的裝置；以及裝置，耦接到所述用于飛行的裝置，用于相對(duì)于所述記錄數(shù)據(jù)的裝置移動(dòng)所述用于飛行的裝置，其中該讀/寫裝置還包括用于從所述用于檢測(cè)數(shù)據(jù)的裝置分流電荷的裝置，所述用于分流的裝置與所述用于檢測(cè)數(shù)據(jù)的裝置共面且包括非GMR材料。
利用所附的且形成本發(fā)明一部分的權(quán)利要求中的特征指出了賦予本發(fā)明特色的這些和其他新穎的優(yōu)點(diǎn)和特征。然而，為了更好地理解本發(fā)明、其優(yōu)點(diǎn)、以及使用本發(fā)明所達(dá)到的目的，請(qǐng)參考形成本發(fā)明另一部分的附圖及其相應(yīng)描述，其中示出和描述了根據(jù)本發(fā)明的設(shè)備的特定示例。


現(xiàn)在參照附圖，附圖中相似的附圖標(biāo)記始終表示相應(yīng)的部件圖1示出根據(jù)本發(fā)明的存儲(chǔ)系統(tǒng)；圖2示出根據(jù)本發(fā)明的存儲(chǔ)系統(tǒng)的一個(gè)特定實(shí)施例；圖3示出根據(jù)本發(fā)明的存儲(chǔ)系統(tǒng)；圖4是用于支承其上安裝有磁頭的滑塊的懸臂系統(tǒng)的立體圖；圖5是根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的垂直磁頭的側(cè)剖視圖；圖6是具有利用GMR材料形成的分路的磁頭的傳遞曲線的曲線圖；圖7示出根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的包括非GMR分路的垂直頭的結(jié)構(gòu)；圖8A-D示出用于制造根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的傳感器的方法；圖9A-B示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的用于垂直記錄的非GMR分路的結(jié)構(gòu)；圖10示出根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的GMR分路的形成；圖11A和11B示出用于根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的非GMR分路的兩種形狀；圖12A-B示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的非GMR分路相對(duì)于Al2O3層的水平；以及圖13是根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的用于形成具有非GMR分路的磁頭的方法的流程圖。
具體實(shí)施例方式
在下面的對(duì)實(shí)施例的描述中，請(qǐng)參考形成其一部分的附圖，附圖以示例方式示出可以實(shí)踐本發(fā)明的特定實(shí)施例。將理解，可以利用其他實(shí)施例，因?yàn)榭梢赃M(jìn)行結(jié)構(gòu)改變而不偏離本發(fā)明的范圍。
本發(fā)明提供一種用于垂直記錄的具有非GMR分路的磁頭以及制造用于垂直記錄的具有非GMR分路的磁頭的方法。提供分路用于從讀傳感器分流電荷。該分路與讀傳感器共面且利用非GMR材料形成。
圖1示出根據(jù)本發(fā)明的存儲(chǔ)系統(tǒng)100。在圖1中，換能器140處于致動(dòng)器148的控制之下。致動(dòng)器148控制換能器140的位置。換能器140寫和讀磁介質(zhì)134上的數(shù)據(jù)，磁介質(zhì)134被主軸132旋轉(zhuǎn)。換能器140安裝在被懸臂144和致動(dòng)器臂146支承的滑塊142上。懸臂144和致動(dòng)器臂146定位滑塊142，使得磁頭140與磁盤134的表面處于換能關(guān)系(transducingrelationship)。
圖2示出根據(jù)本發(fā)明的存儲(chǔ)系統(tǒng)200的一個(gè)特定實(shí)施例。圖2中，示出硬盤驅(qū)動(dòng)器230。驅(qū)動(dòng)器230包括支承和旋轉(zhuǎn)磁盤234的主軸232。安裝在外殼255內(nèi)在框架254上、通過(guò)馬達(dá)控制器238被控制的馬達(dá)236旋轉(zhuǎn)主軸232。結(jié)合的讀和寫磁頭安裝在滑塊242上，滑塊242通過(guò)懸臂244和致動(dòng)器臂246被支承。處理電路250與頭交換表示信息的信號(hào)，提供用于旋轉(zhuǎn)磁盤234的馬達(dá)驅(qū)動(dòng)信號(hào)，且提供用于移動(dòng)滑塊到各個(gè)道的控制信號(hào)。在大容量直接存取存儲(chǔ)器(DASD)中可以采用多個(gè)盤234、滑塊242和懸臂244。
當(dāng)馬達(dá)236旋轉(zhuǎn)盤234時(shí)，滑塊242被支承在盤234的表面與氣墊面(ABS)248之間的薄的空氣墊(氣墊)上。這樣磁頭可用來(lái)寫信息到盤234的表面上的多個(gè)環(huán)形道上，以及用來(lái)從其讀取信息。
圖3示出根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例使用基于MR元件的電阻改變檢測(cè)MR頭與記錄介質(zhì)之間的接觸的MR傳感器的存儲(chǔ)系統(tǒng)300。在圖3中，換能器310處于致動(dòng)器320的控制之下。致動(dòng)器320控制換能器310的位置。換能器310寫和讀磁介質(zhì)330上的數(shù)據(jù)。讀/寫信號(hào)傳送到數(shù)據(jù)通道340。信號(hào)處理系統(tǒng)350控制致動(dòng)器320且處理數(shù)據(jù)通道340的信號(hào)。另外，致動(dòng)器控制器360通過(guò)信號(hào)處理系統(tǒng)350被控制從而使讀/寫換能器310相對(duì)于磁介質(zhì)330移動(dòng)。但是，本發(fā)明不意圖限制存儲(chǔ)系統(tǒng)300的特定類型或存儲(chǔ)系統(tǒng)300中使用的介質(zhì)330的類型。
圖4是用于支承其上安裝有磁頭的滑塊442的懸臂系統(tǒng)400的立體圖。在圖4中，第一和第二焊料連接404和406將來(lái)自傳感器440的引線連接到懸臂444上的引線412和424，第三和第四焊料連接416和418將線圈連接到懸臂444上的引線414和426。然而，連接的具體位置可根據(jù)頭設(shè)計(jì)而改變。
圖5是根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的垂直磁頭500的側(cè)剖視圖。寫頭510包括從ABS延伸到背間隙部分516的主極512和返回極514，背間隙部分516凹進(jìn)在頭中。主極512包括縫合極片(stitched pole piece)518。位于主極512與返回極之間的是絕緣層520，其從ABS延伸到背間隙層516且具有嵌入在其中的至少一個(gè)寫線圈層522。讀頭540包括傳感器542以及屏蔽件S1 544和S2 546。第一屏蔽層544和第二屏蔽層546保護(hù)傳感器542免于受雜散磁場(chǎng)影響。為了保護(hù)讀傳感器542，設(shè)置分路560。然而，如圖6所示，利用GMR材料形成的分路導(dǎo)致不完全線性的傳遞曲線600。在圖6中，除了零磁場(chǎng)620附近的“彎曲610”之外，傳遞曲線600是線性的。在圖5中，讀傳感器542耦接到非GMR材料560，非GMR材料560用作讀傳感器542的分路。在圖5中，非GMR材料560僅示出為在讀傳感器542右邊，因?yàn)榕c讀傳感器542的側(cè)面相鄰的非GMR材料560在該垂直磁頭500的剖視圖中未示出。
圖7示出根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例包括非GMR分路710的垂直頭700的結(jié)構(gòu)。在圖7中，用于寫頭的線圈720在中心清楚可見(jiàn)。非GMR分路710示出在傳感器730附近，用于讀傳感器730的引線740示出為形成在非GMR分路710之上。圖7還示出被去除的晶片級(jí)ESD保護(hù)件760。不僅GMR材料必須被非GMR材料代替從而形成非GMR分路710，而且工藝必須與現(xiàn)有制造技術(shù)兼容。
圖8A-D示出根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例制造面內(nèi)電流(CIP)傳感器的方法。在圖8A中，形成傳感器810且沉積類金剛石碳(DLC)820和硬掩模830。光致抗蝕劑832形成在硬掩模之上從而定義傳感器的條高和分路線。圖8B示出反應(yīng)離子蝕刻(RIE)840和離子研磨850。進(jìn)行采用例如O2或CO2化學(xué)劑的反應(yīng)離子蝕刻(RIE)840從而將光圖像轉(zhuǎn)移穿過(guò)DLC層820，接著通過(guò)離子研磨850從而轉(zhuǎn)移該圖像到傳感器810中。圖8C示出氧化鋁860的沉積。然后沉積DLC層870。圖8D示出硬掩模的CMP輔助頂離(化學(xué)機(jī)械拋光)去除，圍離(fencing)，以及再沉積的材料。DLC可以被反應(yīng)離子蝕刻880。
圖8A-D中定義條高和分路線的工藝示出在圖8C中沉積了氧化鋁。然而，相同工藝可以用來(lái)定義磁讀寬度(MRW)。當(dāng)該工藝用來(lái)定義磁讀寬度(MRW)時(shí)，圖8C中的再填充材料860替代地是硬偏置和引線材料。雖然參照CIP傳感器描述了圖8A-D的工藝，但是該工藝還可以用來(lái)形成TMR(隧道磁致電阻)和CPP(電流垂直平面)傳感器。
為了用非GMR材料代替分路線，非GMR材料的選擇例如其化學(xué)、物理和電屬性是重要的。例如，非GMR材料的化學(xué)屬性應(yīng)包括在拋光期間對(duì)CMP漿是不活潑的。非GMR材料的物理屬性應(yīng)耐CMP(與傳感器類似的速率)，對(duì)DLC具有良好的粘合性，最重要的，非GMR必須具有與傳感器相等和更高的離子研磨速率。電屬性應(yīng)包括是有效分路且具有與傳感器類似的薄層電阻。為了提供這些電屬性，材料的厚度可被調(diào)節(jié)從而實(shí)現(xiàn)所需的薄層電阻或者分路面積可以設(shè)計(jì)來(lái)提供期望的薄層電阻。
圖9A-B示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的用于垂直記錄的非GMR分路的結(jié)構(gòu)。根據(jù)傳感器的厚度，非GMR分路可具有兩種結(jié)構(gòu)。非GMR分路的結(jié)構(gòu)的第一實(shí)施例可包括Ta/Cr/Ta。Ta 910以兩相存在阿爾法和貝它。阿爾法是低電阻而貝它是高電阻。在Ta(1)/Cr/Ta(2)結(jié)構(gòu)中，Cr 920使Ta(1)910處于貝它相且使Ta(2)930處于阿爾法相。調(diào)節(jié)Ta(1)910和Cr 920的厚度從而實(shí)現(xiàn)所需的薄層電阻和與傳感器類似的離子研磨速率。如果粘合不是問(wèn)題的話，Ta(2)930可以被去除，即該結(jié)構(gòu)可以是Ta/Cr。
非GMR分路的結(jié)構(gòu)的第二實(shí)施例可包括Ta/NiCr/Ta。例如，非GMR分路的結(jié)構(gòu)可以是Ta/NiCr、NiCr/Ta、Ta/NiCr/Ta或NiCr。圖9B示出具有第一Ta層960、NiCr層970和第二Ta層980的Ta/NiCr/Ta結(jié)構(gòu)。NiCr 970具有與傳感器相同的薄層電阻。添加Ta來(lái)調(diào)節(jié)其薄層電阻和相對(duì)于傳感器的離子研磨速率。如果需要的話，使用阿爾法低電阻相的Ta來(lái)調(diào)節(jié)NiCr的薄層電阻。雖然借助于圖9A和9B示出兩個(gè)實(shí)施例，但是本領(lǐng)域技術(shù)人員將意識(shí)到，本發(fā)明可包括用于垂直記錄的非GMR分路的其它結(jié)構(gòu)。
圖10示出根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例非GMR分路的形成。利用傳統(tǒng)工藝形成傳感器1010。用于形成非GMR分路的形狀的光致抗蝕劑1020形成在傳感器1010之上。暴露的傳感器材料利用例如離子研磨技術(shù)被去除，然后開口被再填充以非GMR材料1030。例如，如上所述，非GMR材料可包括NiCr/Ta或Ta/Cr/Ta。
為了使非GMR材料1030的薄層電阻和離子研磨速率與傳感器1020匹配，例如，非GMR材料1030可以被調(diào)節(jié)為具有比傳感器更高的離子研磨速率、更厚，且實(shí)現(xiàn)與傳感器相同的薄層電阻。在此情況下，離子研磨可以更深。之后，光致抗蝕劑1020被去除。例如，光致抗蝕劑可以利用起皺烘焙(wrinkle bake)和頂離(lift-off)工藝被去除。然后，額外的處理例如道寬/條高的形成及傳感器引線1040的形成，形成于非GMR分路1030之上。圖8A-B詳細(xì)描述了在非GMR分路的形成之后定義分路和條高的工藝。
圖11A和11B示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的用于非GMR分路的兩種形狀1110和1120。圖12A-B示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例非GMR分路1210相對(duì)于Al2O3層1220的水平。非GMR分路1210相對(duì)于Al2O3層1220的相對(duì)水平取決于研磨和回填步驟。非GMR分路1210可以如圖12A所示地與Al2O3層1220共面或者如圖12B所示地低于Al2O3層1220。因?yàn)榉荊MR材料應(yīng)如圖12A所示地與傳感器共面或者如圖12B所示地稍微低于傳感器，所以必須控制非GMR堆疊的厚度從而實(shí)現(xiàn)期望的薄層電阻。
圖13是根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例形成具有非GMR分路的磁頭的方法的流程圖1300。1310形成傳感器。1320在傳感器之上形成用于形成非GMR分路的形狀的光致抗蝕劑層。1330去除暴露的傳感器材料。1340開口被再填充以非GMR材料。1350光致抗蝕劑和任何過(guò)多的非GMR材料利用例如頂離工藝被去除。進(jìn)行最后的頭處理1360。
為了示例和描述已經(jīng)給出了本發(fā)明的示例性實(shí)施例的以上描述。其不意圖窮盡和限制本發(fā)明于所公開的精確形式。根據(jù)以上教導(dǎo)，許多修改和變型是可行的。本發(fā)明的范圍不限于該詳細(xì)描述，而是由所附權(quán)利要求來(lái)定義。
權(quán)利要求
1.一種制造用于垂直記錄的具有非GMR分路的磁頭的方法，包括形成傳感器；在該傳感器之上沉積具有預(yù)定形狀的光致抗蝕劑層；去除該傳感器的通過(guò)該光致抗蝕劑層暴露的部分從而形成空缺；用非GMR材料再填充該空缺；以及去除該光致抗蝕劑層。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，還包括去除該光致抗蝕劑層之后進(jìn)行最后的頭處理。
3.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述最后的頭處理包括形成道寬、形成條高和形成傳感器引線。
4.如權(quán)利要求1所述的方法，其中去除所述光致抗蝕劑層還包括進(jìn)行起皺烘焙及然后頂離該光致抗蝕劑層。
5.如權(quán)利要求1所述的方法，其中去除所述暴露的傳感器材料還包括離子研磨所述暴露的傳感器材料。
6.如權(quán)利要求1所述的方法，其中用非GMR材料再填充該空缺還包括沉積NiCr/Ta。
7.如權(quán)利要求1所述的方法，其中用非GMR材料再填充該空缺還包括沉積Ta/Cr/Ta。
8.如權(quán)利要求1所述的方法，其中該非GMR分路形成為與Al2O3層共面。
9.如權(quán)利要求1所述的方法，其中該非GMR分路形成為低于Al2O3層。
10.如權(quán)利要求1所述的方法，其中該非GMR分路形成為延伸高于Al2O3層。
11.一種讀頭，包括讀傳感器；以及分路，與該讀傳感器共面地形成，其中該分路包括非GMR材料。
12.如權(quán)利要求11所述的讀頭，還包括形成在該非GMR分路之上的傳感器引線。
13.如權(quán)利要求1所述的方法，其中該非GMR材料還包括NiCr/Ta。
14.如權(quán)利要求1所述的方法，其中該非GMR材料還包括Ta/Cr/Ta。
15.一種存儲(chǔ)器，包括磁記錄介質(zhì)，用于在其上記錄數(shù)據(jù)；滑塊，具有耦接到該滑塊的垂直讀/寫頭，該讀頭包括讀傳感器；馬達(dá)，耦接到該磁記錄介質(zhì)，用于移動(dòng)該磁記錄介質(zhì)；以及致動(dòng)器，耦接到具有所述垂直讀/寫頭的所述滑塊，用于相對(duì)于所述磁記錄介質(zhì)移動(dòng)所述垂直讀/寫頭；其中該垂直讀/寫頭還包括與該讀頭的所述讀傳感器共面且包括非GMR材料的分路。
16.如權(quán)利要求15所述的存儲(chǔ)器，還包括形成在該非GMR分路之上的傳感器引線。
17.如權(quán)利要求15所述的存儲(chǔ)器，其中該非GMR材料還包括NiCr/Ta。
18.如權(quán)利要求15所述的存儲(chǔ)器，其中該非GMR材料還包括Ta/Cr/Ta。
19.一種讀頭，包括用于檢測(cè)記錄在磁介質(zhì)上的數(shù)據(jù)的裝置；以及用于從所述用于檢測(cè)數(shù)據(jù)的裝置分流電荷的裝置，所述用于分流的裝置與所述用于檢測(cè)數(shù)據(jù)的裝置共面且包括非GMR材料。
20.一種存儲(chǔ)器，包括用于在其上記錄數(shù)據(jù)的裝置；用于使垂直讀/寫裝置飛行的裝置，該垂直讀/寫裝置包括用于檢測(cè)寫在所述用于記錄數(shù)據(jù)的裝置上的數(shù)據(jù)的裝置；裝置，耦接到所述用于記錄數(shù)據(jù)的裝置，以用于移動(dòng)所述用于記錄數(shù)據(jù)的裝置；以及裝置，耦接到所述用于飛行的裝置，以用于相對(duì)于所述用于記錄數(shù)據(jù)的裝置移動(dòng)所述用于飛行的裝置；其中該讀/寫裝置還包括用于從所述用于檢測(cè)數(shù)據(jù)的裝置分流電荷的裝置，該用于分流的裝置與所述用于檢測(cè)數(shù)據(jù)的裝置共面且包括非GMR材料。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種用于垂直記錄的具有非GMR分路的磁頭以及制造用于垂直記錄的具有非GMR分路的磁頭的方法。設(shè)置分路用于從讀傳感器分流電荷。該分路與讀傳感器共面形成且利用非GMR材料制成。
文檔編號(hào)G11B5/235GK1949365SQ200610142349
公開日2007年4月18日 申請(qǐng)日期2006年10月10日 優(yōu)先權(quán)日2005年10月11日
發(fā)明者邁克爾·費(fèi)爾德鮑姆, 李鄺, 李顯邦, 尼爾·L·羅伯遜, 查爾斯·G·西格爾第三 申請(qǐng)人:日立環(huán)球儲(chǔ)存科技荷蘭有限公司