專利名稱：磁性記錄介質(zhì)和磁性存儲(chǔ)設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
一般地說本發(fā)明涉及磁性記錄介質(zhì)和磁性存儲(chǔ)設(shè)備，更具體地說，涉及具有通過非磁性隔離層反鐵磁性地耦合的磁性層的磁性記錄介質(zhì)以及使用這種磁性記錄介質(zhì)的磁性記錄設(shè)備。
背景技術(shù)：
由于介質(zhì)噪聲的降低、高靈敏度的自旋閥磁頭的發(fā)展和強(qiáng)磁化的寫磁頭的緣故，縱向磁性記錄介質(zhì)的存儲(chǔ)容量迅速地增加。已經(jīng)演示了高于100Gbit/inch2的記錄密度，并且這種高記錄密度即將用于商用硬盤驅(qū)動(dòng)器。然而，為執(zhí)行更好的計(jì)算，對(duì)更高記錄密度的需求顯示出了對(duì)記錄介質(zhì)和其它的部件設(shè)計(jì)的日益增強(qiáng)的挑戰(zhàn)。
降低介質(zhì)噪聲涉及在磁性層中寫更加尖銳的磁性過渡。這一般通過增加介質(zhì)矯頑力、降低磁性層的厚度、降低磁性層的顆粒尺寸和顆粒尺寸分布以及磁性地隔離磁性層的顆粒來實(shí)現(xiàn)。然而，降低介質(zhì)厚度或顆粒尺寸對(duì)記錄介質(zhì)的熱穩(wěn)定性有不利的影響。磁性層的熱穩(wěn)定性通常通過系數(shù)KuV/kT的大小來表示，這里Ku表示磁各向異性，V表示顆粒的體積，T表示溫度，以及k表示稱為玻耳茲曼常數(shù)的物理常數(shù)。
為了使其具有熱穩(wěn)定的小顆粒，磁各向異性Ku必須增加。磁各向異性場(chǎng)Hk定義為Hk＝2Ku/Ms，這里Ms表示飽和磁化強(qiáng)度。較大的磁各向異性場(chǎng)意味著在納秒方式下的較大的矯頑力Hc，對(duì)于具有較高的數(shù)據(jù)傳輸率的高密度介質(zhì)，正常情況下寫入信息在這種納秒方式下進(jìn)行。在寫頻率下的高矯頑力Hc對(duì)寫頭施加了嚴(yán)格的限制，因?yàn)橐筝^大的寫電流以將信息寫在這種介質(zhì)上。由于研制高磁矩寫頭中的困難，嚴(yán)重限制了通過寫頭產(chǎn)生的寫電流。重寫性能，即將新的數(shù)據(jù)寫到先前寫的數(shù)據(jù)中的能力，對(duì)于具有更高的磁各向異性場(chǎng)Hk的記錄介質(zhì)來說是更槽糕的。具有更高的磁各向異性Ku的記錄介質(zhì)增加了磁各向異性場(chǎng)Hk，由此限制了重寫性能。
如上文所述，需要減小磁性層的顆粒尺寸和磁性層的厚度以實(shí)現(xiàn)較低的介質(zhì)噪聲，由此實(shí)現(xiàn)較高的記錄密度。然而，這種顆粒尺寸和磁性層的厚度的減小劣化了記錄介質(zhì)的熱穩(wěn)定性。為了改善熱穩(wěn)定性而不影響重寫性能，如Abarra等人在Applied Physics Letters，Vol.77，Page 2581，October 2000中已經(jīng)提出并示出了合成鐵磁性介質(zhì)(SFM)。
合成鐵磁性介質(zhì)(SFM)具有至少一對(duì)磁性層，該磁性層由Ru等制成的非磁性隔離物間隔開。上部磁性層的磁化強(qiáng)度部分地被起到初始穩(wěn)定層作用的下部磁性層抵消。雖然讀頭僅對(duì)有效磁化強(qiáng)度敏感，但是兩個(gè)磁性層的總的體積對(duì)熱穩(wěn)定性有作用。使用這種SFM的原理，極大地改善了記錄介質(zhì)的信號(hào)噪聲比(SNR)和熱穩(wěn)定性。然而，理想的是進(jìn)一步改善熱穩(wěn)定性以便實(shí)現(xiàn)更高的記錄密度。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明的一般目的是提供一種新穎且有用的磁性記錄介質(zhì)和磁性存儲(chǔ)設(shè)備，其中解決了上述的問題并且滿足需要。
本發(fā)明的另一目的和更具體的目的是提供一種具有改善的SNR、改善的重寫性能和改善的熱穩(wěn)定性的磁性記錄介質(zhì)和磁性存儲(chǔ)設(shè)備。
本發(fā)明的進(jìn)一步的目的是提供一種磁性記錄介質(zhì)，該磁性記錄介質(zhì)包括下部磁性層；設(shè)置在下部磁性層上的非磁性隔離層；和設(shè)置在非磁性隔離層上的上部磁性層，這里上部和下部磁性層都反鐵磁性地耦合，下部磁性層包括穩(wěn)定層和設(shè)置在穩(wěn)定層和非磁性隔離層之間的下部增強(qiáng)層，該穩(wěn)定層和下部增強(qiáng)層鐵磁性地交換耦合，穩(wěn)定層和下部增強(qiáng)層都由CoCr合金制成以使穩(wěn)定層的Pt含量高于下部增強(qiáng)層的Pt含量。根據(jù)本發(fā)明的磁性記錄介質(zhì)，可以實(shí)現(xiàn)改善的SNR、改善的重寫性能和改善的熱穩(wěn)定性。
本發(fā)明的進(jìn)一步目的是提供一種磁性記錄介質(zhì)，該磁性記錄介質(zhì)包括下部磁性層；設(shè)置在下部磁性層上的非磁性隔離層；和設(shè)置在非磁性隔離層上的上部磁性層，這里上部和下部磁性層都反鐵磁性地耦合，上部磁性層包括設(shè)置在非磁性隔離層上的上部增強(qiáng)層和設(shè)置在上部增強(qiáng)層上的記錄層，該記錄層和上部增強(qiáng)層都鐵磁性地交換耦合，記錄層和上部增強(qiáng)層都由CoCr合金制成以使記錄層的Pt含量高于上部增強(qiáng)層的Pt含量。根據(jù)本發(fā)明的磁性記錄介質(zhì)，可以實(shí)現(xiàn)改善的SNR、改善的重寫性能和改善的熱穩(wěn)定性。
本發(fā)明的另一目的是提供一種磁性存儲(chǔ)設(shè)備，該磁性存儲(chǔ)設(shè)備包括至少一個(gè)磁性記錄介質(zhì)和在磁性記錄介質(zhì)上記錄信息和從其中再現(xiàn)信息的頭，這里磁性記錄介質(zhì)包括下部磁性層；設(shè)置在下部磁性層上的非磁性隔離層；和設(shè)置在非磁性隔離層上的上部磁性層，這里上部和下部磁性層都反鐵磁性地耦合，下部磁性層包括穩(wěn)定層和設(shè)置在穩(wěn)定層和非磁性隔離層之間的下部增強(qiáng)層，該穩(wěn)定層和下部增強(qiáng)層鐵磁性地交換耦合，穩(wěn)定層和下部增強(qiáng)層都由CoCr合金制成以使穩(wěn)定層的Pt含量高于下部增強(qiáng)層的Pt含量。根據(jù)本發(fā)明的磁性存儲(chǔ)設(shè)備，可以實(shí)現(xiàn)改善的SNR、改善的重寫性能和改善的熱穩(wěn)定性。
本發(fā)明的另一目的是提供一種磁性存儲(chǔ)設(shè)備，該磁性存儲(chǔ)設(shè)備包括至少一個(gè)磁性記錄介質(zhì)和在磁性記錄介質(zhì)上記錄信息和從其中再現(xiàn)信息的頭，這里磁性記錄介質(zhì)包括下部磁性層；設(shè)置在下部磁性層上的非磁性隔離層；和設(shè)置在非磁性隔離層上的上部磁性層，這里上部和下部磁性層都反鐵磁性地耦合，上部磁性層包括設(shè)置在非磁性隔離層上的上部增強(qiáng)層和設(shè)置在上部增強(qiáng)層上的記錄層，該記錄層和上部增強(qiáng)層都鐵磁性地交換耦合，記錄層和上部增強(qiáng)層都由CoCr合金制成以使記錄層的Pt含量高于上部增強(qiáng)層的Pt含量。根據(jù)本發(fā)明的磁性記錄介質(zhì)，可以實(shí)現(xiàn)改善的SNR、改善的重寫性能和改善的熱穩(wěn)定性。
在結(jié)合附圖閱讀時(shí)通過下文的詳細(xì)描述將會(huì)清楚本發(fā)明的其它目的和進(jìn)一步特征。


附圖1所示為合成鐵磁性介質(zhì)的重要部分的截面剖視圖；
附圖2所示為在附圖1中所示的合成鐵磁性介質(zhì)中的下部磁性層的Pt含量對(duì)矯頑力的影響的示意圖；附圖3所示為作為在附圖1中的合成鐵磁性介質(zhì)的增加Pt含量的函數(shù)的下部磁性層的矯頑力的示意圖；附圖4所示為作為在附圖1中所示的合成鐵磁性介質(zhì)的增加Pt含量的函數(shù)的、下部和上部磁性層之間的反鐵磁性交換耦合常數(shù)的示意圖；附圖5所示為作為在附圖1中所示的合成鐵磁性介質(zhì)的下部磁性層的Pt含量x的函數(shù)、下部磁性層所受到的交換場(chǎng)Hex的示意圖；附圖6所示為根據(jù)本發(fā)明的磁性記錄介質(zhì)的第一實(shí)施例的重要部分的截面剖視圖；附圖7所示為根據(jù)本發(fā)明的磁性記錄介質(zhì)的第二實(shí)施例的重要部分的截面剖視圖；附圖8所示為根據(jù)本發(fā)明的磁性記錄介質(zhì)的第三實(shí)施例的重要部分的截面剖視圖；附圖9所示為相對(duì)于第一實(shí)施例的磁性記錄介質(zhì)和合成鐵磁性介質(zhì)所測(cè)量的各種參數(shù)的附圖；附圖10所示為根據(jù)本發(fā)明的磁性存儲(chǔ)設(shè)備的實(shí)施例的重要部分的內(nèi)部結(jié)構(gòu)的截面剖視圖；附圖11所示在附圖10中所示的磁性存儲(chǔ)設(shè)備的實(shí)施例的重要部分的平面視圖。
具體實(shí)施例方式
附圖1所示為合成鐵磁性介質(zhì)(SFM)的重要部分的截面剖視圖。磁性記錄介質(zhì)包括襯底1、Cr或Cr合金底層2、下部磁性層3-1、非磁性隔離層4、上部磁性層3-2和C或DLC涂層5，這些層如附圖所示地層疊。
附圖2所示為下部磁性層3-1的Pt含量對(duì)在附圖1中所示的合成鐵磁性介質(zhì)的矯頑力的影響的示意圖。在附圖2中，縱坐標(biāo)表示合成鐵磁性介質(zhì)的矯頑力(Oe)，橫坐標(biāo)表示下部磁性層3-1的Pt含量x(at％)。附圖2所示為由Pt含量x從0at％變化到13at％的CoCrPtxB制成的下部磁性層3-1的矯頑力。襯底1、底層2、非磁性隔離層4和上部磁性層3-2分別是玻璃、CrMo、Ru和具有11at％的Pt含量的CoCrPtBCu。從附圖2中可以看出，隨著Pt含量x變高，矯頑力增加。
已知CoCrPt合金的磁各向異性隨著Pt含量的增加而增加。Acharya等人在Applied Physics Letters，Vol.80 page 85，Jan.2002中示出了在利用更高的磁各向異性的下部磁性層時(shí)熱穩(wěn)定性改善且矯頑力增加。因此，可以認(rèn)為在附圖2中所示的由于Pt含量的增加而矯頑力增加是由于下部磁性層3-1的磁各向異性的增加的緣故。
附圖3所示為作為增加Pt含量x的函數(shù)的下部磁性層3-1的矯頑力的示意圖。在附圖3中，縱坐標(biāo)表示下部磁性層3-1的矯頑力(Oe)，橫坐標(biāo)表示下部磁性層3-1的Pt含量x(at％)。從附圖3中可以看出，下部磁性層3-1的矯頑力隨著由于磁各向異性的增加引起的Pt含量x的增加而增加。
附圖4所示為作為下部磁性層3-1的增加Pt含量x的函數(shù)、且在下部磁性層3-1和上部磁性層3-2之間的反鐵磁性交換耦合常數(shù)J的示意圖。在附圖4中，縱坐標(biāo)表示在下部磁性層3-1和上部磁性層3-2之間的反鐵磁性交換耦合常數(shù)J(erg/cm2)，橫坐標(biāo)表示下部磁性層3-1的Pt含量x(at％)。從附圖4中可以看出，反鐵磁性交換耦合常數(shù)J的值隨著增加Pt含量x而降低。
附圖5所示為作為下部磁性層3-1的Pt含量x的函數(shù)、下部磁性層3-1所受到的交換場(chǎng)Hex的示意圖。在附圖5中，縱坐標(biāo)表示下部磁性層3-1所受到的交換場(chǎng)Hex，橫坐標(biāo)表示下部磁性層3-1的Pt含量x(at％)。交換場(chǎng)Hex的值取決于反鐵磁性交換耦合常數(shù)J，因此隨著在下部磁性層3-1增加Pt含量x而降低。
Inomata等人在IEEE Magnetics，Vol.37，page 1449，2001中示出了在交換場(chǎng)Hex和下部磁性層的矯頑力之間的關(guān)系對(duì)于獲得合成鐵磁性介質(zhì)的最佳性能是重要的。Inomata等人顯示，交換場(chǎng)Hex的值應(yīng)該完全在下部磁性層的矯頑力的值之上。
從附圖2至5，可以看出，在下部磁性層3-1中的更高的Pt含量x導(dǎo)出了合成鐵磁性介質(zhì)的更高的矯頑力和熱穩(wěn)定性。然而，由于通過在下部磁性層3-1中的更高的Pt含量x引起的反鐵磁性交換耦合常數(shù)J的降低的緣故，交換場(chǎng)Hex降低。因此，在增加下部磁性層3-1中的Pt含量x以實(shí)現(xiàn)更高的矯頑力和熱穩(wěn)定性、和抑制在下部磁性層3-1的Pt含量x的增加以不降低反鐵磁性交換耦合常數(shù)J和交換場(chǎng)Hex之間存在一種折衷方案。
根據(jù)本發(fā)明的磁性記錄介質(zhì)被設(shè)計(jì)成克服上述的折衷方案，以便可以實(shí)現(xiàn)具有優(yōu)良性能的磁性記錄介質(zhì)。
接著，參考附圖6和隨后的附圖描述根據(jù)本發(fā)明的磁性記錄介質(zhì)和磁性存儲(chǔ)設(shè)備的實(shí)施例。
附圖6所示為根據(jù)本發(fā)明的磁性記錄介質(zhì)的第一實(shí)施例的重要部分的截面剖視圖。在附圖6中，以相同的參考標(biāo)號(hào)表示與附圖1中那些對(duì)應(yīng)部件基本相同的那些部件。該記錄介質(zhì)包括由玻璃等制成的襯底1、Cr或Cr合金底層2、下部磁性層31、非磁性隔離層4、上部磁性層32和C或DLC涂層5，它們?nèi)绺綀D6中所層疊。例如，有機(jī)潤(rùn)滑劑涂敷在涂層5上。在本實(shí)施例中，下部磁性層31具有包括穩(wěn)定層311和提供在穩(wěn)定層311上的下部增強(qiáng)層312的雙層結(jié)構(gòu)。
穩(wěn)定層311可以由CoCrPt合金比如CoCrPt、CoCrPtB、CoCrPtBCu、CoCrPtTa和它們的合金制成。下部增強(qiáng)層312可以由CoCrPt合金比如CoCrPt、CoCrPtB、CoCrPtBCu、CoCrPtTa和它們的合金制成。在穩(wěn)定層311中的Pt含量高于在下部增強(qiáng)層312中的Pt含量。因此，下部增強(qiáng)層311也可以由Pt＝0at％的材料制成，它可以從CoCr合金比如CoCr、CoCrB、CoCrBCu、CoCrTa和它們的合金中選擇。
例如，下部增強(qiáng)層312由0≤Pt≤8at％的CoCr合金制成，而穩(wěn)定層311可以由Pt＞8at％的CoCrPt合金制成。此外，理想的是，下部增強(qiáng)層312的Co含量高于穩(wěn)定層311的Co含量。此外，理想的是，穩(wěn)定層311的磁各向異性高于下部增強(qiáng)層312的磁各向異性。
襯底1可以以NiP層涂敷。
底層2可以從由Cr、CrMo、CrTi、CrV、CrW及其合金構(gòu)成的組中選擇的非磁性材料制成，其厚度范圍大約1納米至25納米?？商鎿Q地，底層2可以由從NiAl、RuAl及其合金構(gòu)成的組中選擇的非磁性材料制成，它的厚度范圍大致為5納米至80納米。此外，底層2可以由B2結(jié)構(gòu)的合金制成。
非磁性隔離層4可以由從Ru、Ir及其合金構(gòu)成的組中選擇的材料制成。
上部磁性層32具有單層結(jié)構(gòu)，并且可以由Co或Co合金制成。
當(dāng)然，在磁性記錄介質(zhì)中還可以提供附加的層，比如在襯底1和底層2之間的籽晶層和/或在底層4和下部磁性層31之間的中間層。中間層可以由比如厚度范圍為1納米至5納米的CoCr合金的非磁性材料制成。
根據(jù)本第一實(shí)施例，下部磁性層31和上部磁性層32反鐵磁性地耦合，并且下部磁性層31的穩(wěn)定層311和下部增強(qiáng)層312鐵磁交換地耦合。因此，上部和下部磁性層32和31的磁化方向彼此反向平行。
附圖7所示為根據(jù)本發(fā)明的磁性記錄介質(zhì)的第二實(shí)施例的重要部分的截面剖視圖。在附圖7中，以相同的參考標(biāo)號(hào)表示與附圖6中那些對(duì)應(yīng)部件相同的那些部件。在附圖7中所示的磁性記錄介質(zhì)包括下部磁性層31和具有包括上部增強(qiáng)層323和提供在上部增強(qiáng)層323上的記錄層322的雙層結(jié)構(gòu)的上部磁性層32。
上部增強(qiáng)層323可以CoCrPt合金比如CoCrPt、CoCrPtB、CoCrPtBCu、CoCrPtTa和它們的合金制成。記錄層322可以由CoCrPt合金比如CoCrPt、CoCrPtB、CoCrPtBCu、CoCrPtTa和它們的合金制成。在記錄層322中的Pt含量高于在上部增強(qiáng)層323中的Pt含量。因此，上部增強(qiáng)層323也可以由Pt＝0at％的材料制成，它可以從CoCr合金比如CoCr、CoCrB、CoCrBCu、CoCrTa和它們的合金中選擇。
例如，上部增強(qiáng)層321由0≤Pt≤8at％的CoCr合金制成。此外，理想的是，上部增強(qiáng)層321的Co含量高于記錄層322的Co含量。此外，理想的是，記錄層322的磁各向異性高于上部增強(qiáng)層321的磁各向異性。
下部磁性層31具有單層結(jié)構(gòu)，可以由Co或Co合金制成。
根據(jù)本第二實(shí)施例，下部磁性層31和上部磁性層32反鐵磁性地耦合，并且上部增強(qiáng)層323和記錄層322鐵磁交換地耦合。因此，上部和下部磁性層32和31的磁化方向彼此反向平行。
附圖8所示為根據(jù)本發(fā)明的磁性記錄介質(zhì)的第三實(shí)施例的重要部分的截面剖視圖。在附圖8中，以相同的參考標(biāo)號(hào)表示與附圖6和7中那些對(duì)應(yīng)部件相同的那些部件。在附圖8中所示的磁性記錄介質(zhì)中，下部磁性層31和上部磁性層32兩者都具有如上文所述的雙層結(jié)構(gòu)。
例如，上部和下部增強(qiáng)層321和312都由0≤Pt≤8at％的CoCr合金制成。
根據(jù)本第三實(shí)施例，下部磁性層31和上部磁性層32反鐵磁性地耦合，穩(wěn)定層311和下部增強(qiáng)層312鐵磁交換地耦合，并且上部增強(qiáng)層323和記錄層322鐵磁交換地耦合。因此，上部和下部磁性層32和31的磁化方向彼此反向平行。
附圖9所示為相對(duì)于第一實(shí)施例的、磁性記錄介質(zhì)和合成鐵磁性介質(zhì)測(cè)量的不同參數(shù)的示意圖。不同參數(shù)包括交換場(chǎng)Hex(Oe)、矯頑力Hc(Oe)、在330kfci下的信號(hào)介質(zhì)噪聲S/Nm、在330kfci下的隔離的信號(hào)介質(zhì)噪聲Siso/Nm(db)和重寫性能(db)。
在附圖9中，M1表示在附圖1中所示的合成鐵磁性介質(zhì)，該合成鐵磁性介質(zhì)具有由3-nm厚的CoCrB合金制成并且Pt的最低含量為0at％的下部磁性層3-1。M2表示在附圖1中所示的合成鐵磁性介質(zhì)，該合成鐵磁性介質(zhì)具有由3-nm厚的CoCrPtB合金制成并且具有10at％的更高Pt含量的下部磁性層3-1。合成鐵磁性介質(zhì)M1和M2的襯底1、底層2、非磁性隔離層4、上部磁性層3-2分別為玻璃、CrMo、Ru和Pt含量為11at％的CoCrPtBCu。
在附圖9中，M3表示在附圖6中所示的第一實(shí)施例的磁性記錄介質(zhì)。穩(wěn)定層311由具有10at％的Pt含量的3-nm厚的CoCrPtB制成，而下部增強(qiáng)層312由具有1-nm厚的CoCrB制成。磁性記錄介質(zhì)M3的襯底1、底層2、非磁性隔離層4和上部磁性層3-2分別為玻璃、CrMo、Ru和Pt含量為11at％的CoCrPtBCu。已經(jīng)證實(shí)，磁性記錄介質(zhì)M3顯示了比合成鐵磁性介質(zhì)M2更高的交換場(chǎng)Hex和比合成鐵磁性介質(zhì)M1更高的矯頑力。此外，已經(jīng)證實(shí)，磁性記錄介質(zhì)M3的記錄特性比如在330kfci下的信號(hào)介質(zhì)噪聲S/Nm、在330kfci下的隔離的信號(hào)介質(zhì)噪聲Siso/Nm和重寫性能也比合成鐵磁性介質(zhì)M2更好。因此，證實(shí)了磁性記錄介質(zhì)M3(即根據(jù)本發(fā)明的磁性記錄介質(zhì))顯示了合成鐵磁性介質(zhì)M1和M2兩者的優(yōu)點(diǎn)，同時(shí)克服了合成鐵磁性介質(zhì)M1和M2的相應(yīng)的缺陷。
接著，參考附圖10描述根據(jù)本發(fā)明的磁性存儲(chǔ)設(shè)備的實(shí)施例。附圖10所示為磁性存儲(chǔ)設(shè)備的這個(gè)實(shí)施例的重要部分的內(nèi)部結(jié)構(gòu)的截面剖視圖，附圖11所示為在附圖10中所示的磁性存儲(chǔ)設(shè)備的實(shí)施例的重要部分的平面視圖。
如附圖10和11所示，磁性存儲(chǔ)設(shè)備一般包括殼體113。馬達(dá)114、輪轂115、多個(gè)磁性記錄介質(zhì)116、多個(gè)記錄和再現(xiàn)頭117、多個(gè)懸件118、多個(gè)臂119和致動(dòng)器單元120提供在殼體113內(nèi)。磁性記錄介質(zhì)116安裝在通過馬達(dá)114旋轉(zhuǎn)的輪轂115上。記錄和再現(xiàn)頭117由再現(xiàn)頭比如MR和GMR頭和記錄頭比如感應(yīng)頭構(gòu)成。每個(gè)記錄和再現(xiàn)頭117通過懸件118安裝在對(duì)應(yīng)的臂119的頂端上。臂119通過致動(dòng)器單元120移動(dòng)。這個(gè)磁性存儲(chǔ)設(shè)備的基本結(jié)構(gòu)是公知的，因此在本說明書中省去了對(duì)它們的詳細(xì)描述。
該磁性存儲(chǔ)設(shè)備的實(shí)施例的特征在于磁性記錄介質(zhì)116。每個(gè)磁性記錄介質(zhì)116具有如上文結(jié)合附圖6至9所描述的磁性記錄介質(zhì)的任何實(shí)施例的結(jié)構(gòu)。當(dāng)然，磁性記錄介質(zhì)116的數(shù)量并不限于3，也可以提供只一個(gè)、兩個(gè)或四個(gè)或更多的磁性記錄介質(zhì)116。
磁性存儲(chǔ)設(shè)備的基本結(jié)構(gòu)并不限于在附圖10和11中所示的結(jié)構(gòu)。此外，在本發(fā)明中使用的磁性記錄介質(zhì)并不限于磁盤，其它的磁性記錄介質(zhì)比如磁帶和磁卡也可以使用。此外，磁性記錄介質(zhì)不需要固定地提供在磁性存儲(chǔ)設(shè)備的殼體113中，并且磁性記錄介質(zhì)可以是裝入到殼體113并從其中卸下的便攜式介質(zhì)。
此外，本發(fā)明并不限于這些實(shí)施例，在不脫離本發(fā)明的范圍的前提下可以做出各種變型和改進(jìn)。
權(quán)利要求
1.一種磁性記錄介質(zhì)，包括；下部磁性層；設(shè)置在下部磁性層上的非磁性隔離層；和設(shè)置在非磁性隔離層上的上部磁性層，所說的上部和下部磁性層都反鐵磁性地耦合，所說的下部磁性層包括穩(wěn)定層和設(shè)置在穩(wěn)定層和非磁性隔離層之間的下部增強(qiáng)層，所說的穩(wěn)定層和所說的下部增強(qiáng)層鐵磁性地交換耦合，所說的穩(wěn)定層和所說的下部增強(qiáng)層都由CoCr合金制成，以使所說的穩(wěn)定層的Pt含量高于下部增強(qiáng)層的Pt含量。
2.如權(quán)利要求1所述的磁性記錄介質(zhì)，其中下部磁性層的Co含量比穩(wěn)定層的Co含量高。
3.如權(quán)利要求1或2所述的磁性記錄介質(zhì)，其中穩(wěn)定層的磁各向異性比下部增強(qiáng)層的磁各向異性更高。
4.如權(quán)利要求1至3中任一權(quán)利要求所述的磁性記錄介質(zhì)，進(jìn)一步包括在其上設(shè)置下部磁性層的非磁性底層。
5.如權(quán)利要求1至4中任一權(quán)利要求所述的磁性記錄介質(zhì)，其中下部增強(qiáng)層由具有0≤Pt≤8at％的CoCr合金制成，穩(wěn)定層由Pt＞8at％的CoCrPt合金制成。
6.如權(quán)利要求1至5中任一權(quán)利要求所述的磁性記錄介質(zhì)，其中所說的上部磁性層包括設(shè)置在非磁性隔離層上的上部增強(qiáng)層；和設(shè)置在上部增強(qiáng)層上的記錄層，所說的記錄層和所說的上部增強(qiáng)層鐵磁性交換耦合，所說的記錄層和所說的上部增強(qiáng)層由CoCr合金制成，以使所說的記錄層的Pt含量高于上部增強(qiáng)層的Pt含量。
7.如權(quán)利要求6所述的磁性記錄介質(zhì)，其中上部增強(qiáng)層的Co含量高于記錄層的Co含量。
8.如權(quán)利要求6或7所述的磁性記錄介質(zhì)，其中記錄層的磁各向異性高于上部增強(qiáng)層的磁各向異性。
9.如權(quán)利要求6至8中任一權(quán)利要求所述的磁性記錄介質(zhì)，其中上部增強(qiáng)層由0≤Pt≤8at％的CoCr合金制成。
10.一種磁性記錄介質(zhì)，包括下部磁性層；設(shè)置在下部磁性層上的非磁性隔離層；和設(shè)置在非磁性隔離層上的上部磁性層，所說的上部和下部磁性層都反鐵磁性地耦合，所說的上部磁性層包括設(shè)置在非磁性隔離層上的上部增強(qiáng)層和設(shè)置在上部增強(qiáng)層上的記錄層，所說的記錄層和所說的上部增強(qiáng)層都鐵磁性地交換耦合，所說的記錄層和所說的上部增強(qiáng)層都由CoCr合金制成，以使所說的記錄層的Pt含量高于上部增強(qiáng)層的Pt含量。
11.如權(quán)利要求10所述的磁性記錄介質(zhì)，其中上部增強(qiáng)層的Co含量高于記錄層的Co含量。
12.如權(quán)利要求10或11所述的磁性記錄介質(zhì)，其中記錄層的磁各向異性高于上部增強(qiáng)層的磁各向異性。
13.如權(quán)利要求10至12中任一權(quán)利要求所述的磁性記錄介質(zhì)，進(jìn)一步包括在其上設(shè)置下部磁性層的非磁性底層。
14.如權(quán)利要求10至13中任一權(quán)利要求所述的磁性記錄介質(zhì)，其中上部增強(qiáng)層由0≤Pt≤8at％的CoCr合金制成。
15.一種磁性存儲(chǔ)設(shè)備，包括至少一個(gè)磁性記錄介質(zhì)；和在磁性記錄介質(zhì)上記錄信息和從其中再現(xiàn)信息的頭，所說的磁性記錄介質(zhì)包括下部磁性層；設(shè)置在下部磁性層上的非磁性隔離層；和設(shè)置在非磁性隔離層上的上部磁性層，所說的上部和下部磁性層都反鐵磁性地耦合，所說的下部磁性層包括穩(wěn)定層和設(shè)置在穩(wěn)定層和非磁性隔離層之間的下部增強(qiáng)層，所說的穩(wěn)定層和所說的下部增強(qiáng)層鐵磁性地交換耦合，所說的穩(wěn)定層和所說的下部增強(qiáng)層都由CoCr合金制成，以使所說的穩(wěn)定層的Pt含量高于下部增強(qiáng)層的Pt含量。
16.一種磁性存儲(chǔ)設(shè)備，包括至少一個(gè)磁性記錄介質(zhì)；和在磁性記錄介質(zhì)上記錄信息和從其中再現(xiàn)信息的頭，所說的磁性記錄介質(zhì)包括下部磁性層；設(shè)置在下部磁性層上的非磁性隔離層；和設(shè)置在非磁性隔離層上的上部磁性層，所說的上部磁性層和所說的下部磁性層都反鐵磁性地耦合，所說的上部磁性層包括設(shè)置在非磁性隔離層上的上部增強(qiáng)層和設(shè)置在上部增強(qiáng)層上的記錄層，所說的記錄層和所說的上部增強(qiáng)層都鐵磁性地交換耦合，所說的記錄層和所說的上部增強(qiáng)層都由CoCr合金制成以使所說的記錄層的Pt含量高于上部增強(qiáng)層的Pt含量。
全文摘要
一種磁性記錄介質(zhì)被構(gòu)造成包括下部磁性層、設(shè)置在下部磁性層上的非磁性隔離層和設(shè)置在非磁性隔離層上的上部磁性層，這里上部和下部磁性層都反鐵磁性地耦合。下部磁性層包括穩(wěn)定層和設(shè)置在穩(wěn)定層和非磁性隔離層之間的下部增強(qiáng)層，該穩(wěn)定層和下部增強(qiáng)層鐵磁性地交換耦合。穩(wěn)定層和下部增強(qiáng)層都由CoCr合金制成以使穩(wěn)定層的Pt含量高于下部增強(qiáng)層的Pt含量。
文檔編號(hào)G11B5/66GK1630900SQ0380376
公開日2005年6月22日 申請(qǐng)日期2003年1月27日 優(yōu)先權(quán)日2003年1月27日
發(fā)明者B·拉馬穆爾蒂·阿查理亞, 豬又明大 申請(qǐng)人:富士通株式會(huì)社